第一篇：藍星東麗高端反滲透技術研討會報告

藍星東麗高端反滲透技術研討會報告

時間：2010-11-08下午 地點：東郊世紀金花飯店 會議內(nèi)容：

1、藍星東麗公司介紹

2、藍星東麗產(chǎn)品優(yōu)勢

A、更高的脫鹽率：主要從膜的孔徑、硼的去除原理上介紹了東麗產(chǎn)品的更高的脫硼率：精密的分子設計，納米加工技術使膜構造致密化，脫硼率達到了93%。為海水淡化飲用水系統(tǒng)將硼去除率降到1mg/L以下創(chuàng)造了條件。此外，介紹了硼酸的去除和PH值關系。

B、更強的抗污染能力：從膜的污染類型及污染機理上講述了東麗開發(fā)的微生物不易附著的抗污染RO膜。

C、更低的操作壓力，更加節(jié)能：介紹了維持高脫鹽率的極超低壓RO膜（電耗削減50%）將運行壓減少到十分之一。D、東麗膜的高性價比：

1、東麗膜元件為濕膜，出廠前100%測試，帶有保護液真空封裝；

2、在相同的操作條件下，擁有同類產(chǎn)品最高的脫鹽率；

3、擁有最高的耐壓降的能力（單支膜元件可耐20PSI壓力損失）；

4、具有最高的耐背壓能力（0.7bar）；

5、擁有聚酰胺膜更寬的耐PH值范圍（PH1-12）；

6、膜元件的種類、規(guī)格、系列最為齊全。

3、東麗膜技術的全球分享：

A、介紹了東膜在全球的應用概況：純水、污水回用、海水淡化及超純水

B、東麗膜在污水回用領域的應用：從工藝、設計通量、回收率等方面介紹了兩個案例。

C、東麗膜在海水淡化領域的應用：從工藝上、脫硼要求、回收率、系統(tǒng)設計上介紹海水淡化項目。D、東麗超純水應用業(yè)績介紹。

李麗萍

2010-11-10

第二篇：“三維技術應用研討會”簡要報告（精選）

“三維技術應用研討會”簡要報告

本次研討會主要內(nèi)容有“三維協(xié)同”的概念，AutoCAD系列軟件、Bentley系列軟件、及CAXA軟件對工程應用的解決方案，會議內(nèi)容未涉及我公司目前主要關注的詳圖深化及施工三維演示等問題。

會議主辦方致開幕詞，主要協(xié)辦單位“華思維科技集團（本次會議出資方，主要業(yè)務：軟件代理及教育培訓等）”主持會議。與會單位主要是勘察設計單位。各軟件開發(fā)技術負責人介紹了應對工程勘察設計問題的解決方案。

“協(xié)同”是一種工作狀態(tài)，包含作業(yè)人員的協(xié)同和各類應用軟件及之間的協(xié)同?！败浖f(xié)同”涉及了許多抽象的概念和術語，本質(zhì)是各軟件之間對文件格式的支持以及文件讀寫、共享和安全。

“Bentley系列”可以概括為：文件格式兼容性好，解決方案豐富。在與會勘察設計單位中，絕大部分采用“Bentley”系列，尤其是“中冶賽迪”，采用“Bentley”軟件并將其余軟件的采購盡可能向Bentley平臺靠攏。

“AutoCAD系列”可以概括為：成本高，某些產(chǎn)品占用資源量大，在勘察設計系列工作上解決方案不齊備。

“CAXA”相對于前兩者來說，術語較單一產(chǎn)品，是國產(chǎn)唯一完全自主知識產(chǎn)權的的CAD軟件，對于我公司目前的應用來說，如果必須要推廣軟件正版化，可以考慮此軟件替代目前的二維應用AutoCAD，據(jù)介紹，鳥巢結(jié)構采用了CAXA V5-3D設計。

在會后的交流： “中冶賽迪”應用Tekla主要用于控制投標計量等?！皩氁薄笔褂?DMax制作工程施工三維演示?！癟ekla”的主要開發(fā)人員以前是“BOCAD”中的部分技術人員，“BOCAD”性能比“Tekla”優(yōu)越，主要表現(xiàn)在：對硬件要求低，三維模型與二維圖紙操作一致等效（實質(zhì)上是沒有二維圖紙的概念），即時的碰撞校核等。但BOCAD一直沒有中文版，也沒有釋放“破解版”，使其在中國市場的銷售受到嚴重制約，同時其應用不廣泛性制約了公司、人員之間的學習交流。Tekla仍然是國內(nèi)詳圖深化的不二選擇。

第三篇：微奈米機械技術研討會心得報告

微?奈米機械技術研討會心得報告

萬旭電業(yè)通訊事業(yè)部

許光信

主辦單位：工研院機械所微機電部

PART I：微機電系統(tǒng)

微機電系統(tǒng)(Micro-Electro Mechanical Systems，MEMS)的定義為：(1)元件尺寸大小在微米的範圍(優(yōu)點：量產(chǎn)後單位材料成本極低)

(2)元件同時整合電子與機械零件(優(yōu)點：可利用機電整合研發(fā)多樣化元件)(3)製程與半導體批次生產(chǎn)相容(優(yōu)點：製程良率高且品質(zhì)穩(wěn)定)MEMS所使用的材料：有別於傳統(tǒng)中機械是由金屬材料製造的概念，微機械是以製造微電子的矽為主要材料。矽的硬度及脆性很高，此特性使微機械不易發(fā)生金屬常見的疲勞現(xiàn)象，故可以長久使用。大體而言，MEMS乃由下列三部分組成：

(1)微感測器(Micro-Sensor)(2)微致動器(Micro-Actuator)(3)控制電路(Control Circuit)(未來可能設計出Micro-Power Supply)其中微致動器的作用，在將能量(如電能、磁能、熱能等)轉(zhuǎn)換成具微米級精度之機械運動，在MEMS中佔有關鍵的地位。其製程技術包括：

(1)IC製程技術：如薄膜成長(Thin Film Formation)、微影罩幕(Lithography)與蝕刻成型(Etching)等(2)矽晶面型微加工技術(Surface Micromachining)：不對矽晶片基板蝕刻(3)矽晶體型微加工技術(Bulk Micromachining)：對矽晶片基板蝕刻(4)LIGA技術1

在MEMS的封裝(Wafer Bonding：晶圓永久接合)部分，工研院在多種封裝方式中(如陽極接合、熔接接合、金屬材料共晶接合、高分子接合等)分析比較其優(yōu)劣，結(jié)果顯示以高分子接合封裝(Polymer Wafer Bonding，或稱Adhesion Bonding)較為可行。其優(yōu)點為：(1)接合過程不需通電

(2)適合MEMS所需之低溫接合(80~100℃)(3)表面粗糙度要求不嚴

(4)接合強度可被接受(約20MPa)(5)Patternable

在感光性高分子材料的選定方面，工研院建議採用SU-8(因其具有最強的接合強度)。

作者:許光信 2002/07/03 2 一般認為MEMS元件易受溫度變化影響降低操作功能。為了解決此問題，可使用絕緣體為基材，亦即導入SOI(Silicon On Insulator)製程。其結(jié)構是將矽晶層長於絕緣體上，或在上層矽晶與下層矽晶之間以矽氧化層隔離，然後以此上層矽晶來製作SOI元件。它除了可抗高溫外，還具備抗輻射、低耗能及低操作電壓等優(yōu)點。其製作步驟如下：

(1)對上層矽晶(Device Si Wafer)進行氧化、清洗及去自然氧化層(2)對上層矽晶及下層矽晶(Handle Si Wafer)進行模具接合(3)Wafer Bonding(Fusion Bonding式)(4)氣隙檢驗

(5)延性輪磨(6)機?化學拋光

此外可利用人工鑽石取代矽晶，其優(yōu)點為：(1)具高熱傳係數(shù)(2)具低熱導係數(shù)(3)具高電阻

(4)易機械加工

其應用為可在鑽石薄膜上精密加工V-Groove，進而達到MEMS光通訊元件中光纖的精準定位。

PART II：微光學元件

1.磁流技術應用

所謂的磁性流體，就是晶格結(jié)構會依所受磁場環(huán)境變化而改變之物質(zhì)。影響其結(jié)構改變的因素，包含磁場方向、磁場強度、磁場增加率、磁流體厚度及磁流體濃度等。吾人可利用磁流體結(jié)構改變的光學效應，達到對光的繞射與分光之目的。

2.繞射光學元件(Diffractive Optical Elements，DOEs)DOE以繞射理論描述元件對光的行為影響，而不同於傳統(tǒng)光學元件單純以反射或折射影響光的行進。其具高色散特性，易於平面化、縮小化及多工化。製作DOE前，須以數(shù)值演算法(如相位迭代法、光線追跡法等)預先計算元件設計是否符合光學規(guī)格(如應用波長、繞射效率、能量集中度等)，再依元件量階化原理，以準分子雷射加工技術或超精密加工技術製作元件。DOE與磁性流體一樣，可扮演繞射、分光、甚至分波的光學關鍵元件角色。

作者:許光信 2002/07/03 3 PART III：光通訊元件應用

1.Optical Switch & VOA 應用於MEMS光開關及光衰減器的微致動器有電磁式與靜電式兩種。以下為兩者間之比較：

(1)電磁式微致動器

原理：利用電與磁的交互作用及磁場相互吸引排斥現(xiàn)象設計驅(qū)動結(jié)構。特性：致動行程大、致動力大、可雙向致動、頻率適中、消耗功率適中(所需電壓低)。應用：製作Arm懸臂擺盪致動之光開關或光衰減器。(2)靜電式微致動器

原理：利用兩個帶電平行電板的吸引力產(chǎn)生平移或旋轉(zhuǎn)運動設計驅(qū)動結(jié)構。特性：製程與半導體製程相容、致動效率高、致動行程小、致動頻率高、消耗功率大(所需電壓高)。

應用：以犧牲層法製作Hinge樞紐轉(zhuǎn)動致動之光開關或光衰減器。

根據(jù)工研院的分析，以電磁式微致動器設計光開關及光衰減器較為可行。其研發(fā)流程為：設計材料的幾何大小形狀及相對位置以規(guī)劃磁路，設計階段工作重點為降低去磁場效應以避免外加磁場被去磁場相消。所用之材質(zhì)為具高導磁率及低殘磁之Ni-Fe薄膜合金或高磁能積厚膜磁鐵，製造階段工作重點為提升熱處理製程良率。

在磁性流體之應用上，VOA乃利用光穿透率隨外加磁場的增加而減少之原理來設計元件；而Switch則利用折射率隨外加磁場的增加而增加以切換光路。其優(yōu)點為響應時間短(~?s)、可靠度高及可整合至MEMS等。

2.Coupler DOE可被用來繞射一部分的光(如10% of Main Beam等)達到Monitoring的目的。這方面的應用可取代FBT Coupler，進而實現(xiàn)元件積體化。

3.Isolator 以FePt高磁能積薄膜或磁流薄膜可製作出?m級Isolator用之極化偏折元件。

4.CWDM 利用Concave Grating原理，僅用單個DOE即可達到4波段分波功能。如此不僅可縮小元件體積，還可大大節(jié)省Filter的材料成本。

作者:許光信 2002/07/03 4 備註

1.LIGA(深刻膜造技術)源自德文LIthografie(Lithography，微影技術)，Galvanofomung(Electroforming，微電鑄技術)，Abformung(Molding，微成型技術)。在多種LIGA製程中，以ICP(Inductively Coupled Plasma)乾蝕刻技術最為先進。其優(yōu)點包括：

(1)可製作出高深寬比結(jié)構(Aspect Ratio可達30)(2)光阻厚度僅約1?m(3)可在室溫下進行(4)較低成本

(5)Sidewall Angle可達90??2?

ICP-LIGA在光學元件方面的應用極廣，如製作：(1)Micro-Ball Lens(直徑：~30?m)(2)A-Lens(非球面直徑：~25?m)(3)DOEs(最小量階化線寬：~1?m)(4)V-Groove 作者:許光信 2002/07/03

第四篇：09520129沈曉東現(xiàn)代教育技術讀書報告

第二章主要介紹了三種重要的學習理論——行為主義理論、認知主義理論、建構主義理論。對這幾種理論的概念、特點、發(fā)展情況等就不一一的解釋，書中已經(jīng)為我們講解的相當詳細。只有讀出書本外的東西才是讀書之本，那些只懂照搬照取只是學習了皮毛，沒有真正領悟讀書的真諦。

細細評味之后，大膽從理論與實踐的關系角度得出以下結(jié)論：本章通過對這些學習理論的概括性闡釋，不僅僅是將相對合理的一般性學習規(guī)律簡單展示給教育者和學習者，同時也給后人意圖解釋教學問題時提供了研究上的指導。本章并非旨在使學生記住三種學習理論的創(chuàng)始人、實驗過程等諸如此類的形式化東西，而是讓我們對學習過程的復雜性有更深入的了解，學會從中汲取一些研究和實驗技巧，最重要的一點是能夠培養(yǎng)對學習現(xiàn)象乃至任何值得研究的現(xiàn)象進行思考、提出疑問并試著努力解答的科學精神。正如本章結(jié)語所說，學與教的過程是極其復雜的過程，它們的規(guī)律不可能用一種理論來全面概括和解釋，在教育技術實踐中應當根據(jù)具體情況來應用前人給出的學說。實踐是檢驗理論是否正確的唯一標準，在教學過程中應選擇多種學習理論的精華所在，進行創(chuàng)新性的“美化包裝”，使學生樂于學習、教師喜于教學。

每個人都有獨屬于自己的知識構架、經(jīng)驗閱歷，對事物的理解自然存在不同的觀點，這就特別需要合作學習的力量了。教學必須增進學生之間的相互合作，使他們看到哪些與他們不同的觀點，更加完整地看到事物的全面，從而更加深刻地理解事物的內(nèi)在本質(zhì)和意義。