第一篇：電氣工程及其自動化專業(yè)英語》課程論文

重慶郵電大學移通學院

《電氣工程及其自動化專業(yè)英語》課程論文

年

級

專

業(yè)

姓

名 學

號

Insulated-gate Bipolar Transistor Basics

【Abstract】 Modern Power Electronics makes generous use of MOSFETs and IGBTs in most applications, and, if the present trend is any indication, the future will see more and more applications making use of MOSFETs and IGBTs.For high-voltage or high-power applications, it may be necessary to realize a logical switch by connecting smaller units in parallel and series to achieve high availability, high-frequency operation, and low cost due to build-in redundancy, reduced dynamic losses, and modular use of standardized units, respectively.IGBTs are very convenient to realize such units, because of quasi-linear controllability via a gate terminal.This thesis investigates control methodologies for power MOS semiconductor switches with focus on combined parallel and series connection of IGBT/diode modules.It is proposed to provide each IGBT with primary local control to monitor and adjust the IGBT's static and dynamic behavior.Secondary(global)control synchronizes the operation of multiple IGBTs.A globally synchronous clock can also be derived locally.This makes it possible to use low-cost low-bandwidth data links between series-connected units.Thereby, a flexible master-slave approach can avoid the need of dedicated global control.That is, the entire system is manageable by the local gate drive circuitry.Keywords: IGBT applications MOSFET characteristic

Introduction: The IGBT is a semiconductor device with four alternating layers(P-N-P-N)that are controlled by a metal-oxide-semiconductor(MOS)gate structure without regenerative action.This mode of operation was first proposed by Yamagami in his Japanese patent S47-21739, which was filed in 1968.This mode of operation was first experimentally reported in the lateral four layer device(SCR)by B.W.Scharf and J.D.Plummer in 1978.[1] This mode of operation was also experimentally discovered in vertical device in 1979 by B.J.Baliga.[2] The device structure was referred to as a ?V-groove MOSFET device with the drain region replaced by a p-type Anode Region? in this paper and subsequently as 'the insulated-gate rectifier'(IGR), the insulated-gate transistor(IGT), the conductivity-modulated field-effect transistor(COMFET)and “bipolar-mode MOSFET”.[3]

IGBT Fundamentals: The Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)is a minority-carrier device with high input impedance and large bipolar current-carrying capability.Many designers view IGBT as a device with MOS input characteristics and bipolar output characteristic that is a voltage-controlled bipolar device.To make use of the advantages of both Power MOSFET and BJT, the IGBT has been introduced.It?s a functional integration of Power MOSFET and BJT devices in monolithic form.It combines the best attributes of both to achieve optimal device characteristics.1.The main advantages of IGBT over a Power MOSFET and a BJT are: 1.It has a very low on-state voltage drop due to conductivity modulation and has superior on-state current density.So smaller chip size is possible and the cost can be reduced.2.Low driving power and a simple drive circuit due to the input MOS gate structure.It can be easily controlled as compared to current controlled devices(thyristor, BJT)in high voltage and high current applications.3.Wide SOA.It has superior current conduction capability compared with the bipolar transistor.It also has excellent forward and reverse blocking capabilities.2.The main drawbacks are: 1.Switching speed is inferior to that of a Power MOSFET and superior to that of a BJT.The collector current tailing due to the minority carrier causes the turn-off speed to be slow.2.There is a possibility of latchup due to the internal PNPN thyristor structure.The IGBT is suitable for scaling up the blocking voltage capability.In case of Power MOSFET, the on-resistance increases sharply with the breakdown voltage due to an increase in the resistively and thickness of the drift region required to support the high operating voltage.Basic Structure: An IGBT cell is constructed similarly to a n-channel vertical construction power MOSFET except the N+ drain is replaced with a P+ collector layer, thus forming a vertical PNP bipolar junction transistor.This additional P+ region creates a cascade connection of a PNP bipolar junction transistor with the surface n-channel MOSFET.Some IGBTs, manufactured without the N+ buffer layer, are called non-punch through IGBTs whereas those with this layer are called punch-through IGBTs.The presence of this buffer layer can significantly improve the performance of the device if the doping level and thickness of this layer are chosen appropriately.Despite physical similarities, the operation of an IGBT is closer to that of a power BJT than a power MOSFET.It is due to the P + drain layer(injecting layer)which is responsible for the minority carrier injection into the N-drift region and the resulting conductivity modulation.IGBT Characteristics： Because the IGBT is a voltage-controlled device, it only requires a small voltage on the Gate to maintain conduction through the device unlike BJT?s which require that the Base current is continuously supplied in a sufficient enough quantity to maintain saturation.Also the IGBT is a unidirectional device, meaning it can only switch current in the “forward direction”, that is from Collector to Emitter unlike MOSFET?s which have bi-directional current switching capabilities(controlled in the forward direction and uncontrolled in the reverse direction).The principal of operation and Gate drive circuits for the insulated gate bipolar transistor are very similar to that of the N-channel power MOSFET.The basic difference is that the resistance offered by the main conducting channel when current flows through the device in its “ON” state is very much smaller in the IGBT.Because of this, the current ratings are much higher when compared with an equivalent power MOSFET.[4] The main advantages of using the Insulated Gate Bipolar Transistor over other types of transistor devices are its high voltage capability, low ON-resistance, ease of drive, relatively fast switching speeds and combined with zero gate drive current makes it a good choice for moderate speed, high voltage applications such as in pulse-width modulated(PWM), variable speed control, switch-mode power supplies or solar powered DC-AC inverter and frequency converter applications operating in the hundreds of kilohertz range.A general comparison between BJT?s, MOSFET?s and IGBT?s is given in the following table.IGBT Operating area: The safe operating area is defined as the current-voltage boundary within which a power switching device can be operated without destructive failure.For IGBT, the area is defined by the maximum collector-emitter voltage V CE and collector current I C within which the IGBT operation must be confined to protect it from damage.The IGBT has the following types of SOA operations: forward-biased safe operating area , reverse-biased safe operating area and short-circuit safe operating area.1.Pulsed Collector Current(I): Within its thermal limits, the IGBT can be used to a peak current well above the rated continuous DC current.The temperature rise during a high current transient can be calculated with the help of the transient thermal impedance curve or simulated in SPICE with the parameters provided in the curve.The test circuit is shown in the data sheet.2.Collector-to-Emitter Voltage(V): Voltage across the IGBT should never exceed this rating, to prevent breakdown of the collector-emitter junction.The minimum value of the breakdown is stated in the Table of Electrical Characteristics.3.Maximum Gate-to-Emitter Voltage(V): The gate voltage is limited by the thickness and characteristics of the gate oxide layer.Though the gate dielectric rupture is typically around 80 volts, the user is normally limited to 20 or 30V to limit current under fault conditions and to ensure long term reliability.4.Clamped Inductive Load Current(I): This rating is described in Section 6 and is important in most hard-switching applications.The test circuit can be found in the data sheet(it has changed over the years)and is the same as the switching loss test circuit.This circuit exposes the IGBT to the peak recovery current of the free-wheeling diode, which adds a significant component to the turn-on losses.This rating guarantees that the device can sustain high voltage and high current simultaneously, i.e.a square switching SOA.The test conditions for I LM are specified in the data sheet.This complements the information supplied by the RBSOA.CM

CES

GELM

References: [1] B.W.Scharf and J.D.Plummer, 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference, SESSION XVI FAM 16.6 “A MOS-Controlled Triac Devices”

[2] B.J.Baliga, “ENHANCEMENT-AND DEPLETION-MODE VERTICAL-CHANNEL M.O.S.GATED THYRISTORS” Electronics Letters p.645(1979)[3] A.Nakagawa et al., “High voltage bipolar-mode MOSFETs with high current capability”, Ext.Abst.of SSDM, pp.309–312(1984)[4] Ralph Locher, “Introduction to Power MOSFETs and their Applications” Fairchild Semiconductor, Application Note 558, October 1998.

第二篇：電氣工程自動化專業(yè)

自 薦 信

尊敬的領導：

您好！

真誠地感謝您在百忙之中瀏覽這份求職材料。這里有一顆熱情而赤誠的心渴望得到您的了解與幫助，為了發(fā)揮自己的才能、實現(xiàn)自己的人生價值，謹向您毛遂自薦。我是一名即將畢業(yè)的電氣工程及其自動化專業(yè)本科生，屆時將獲得工學學士學位。大學四年，奠定了我扎實的專業(yè)理論基礎，良好的組織能力，團隊協(xié)作精神，務實的工作作風。我性格開朗、待人熱情、辦事穩(wěn)重、善于思考、自學能力動手能力強，易于接受新事物。

寶劍鋒從磨礪出，梅花香自苦寒來。在大學四年中，憑著特有的堅韌和執(zhí)著，我系統(tǒng)學習了可編程控制器及其系統(tǒng)，自動控制理論，電力電子技術，單片機原理及應用，模擬電子技術，C語言編程，自動化儀表與過程控制；通過四年的大學本科教育，培養(yǎng)了我良好的道德修養(yǎng)、綜合素質和創(chuàng)新能力；品行端正，積極上進。此間，參加過多次課程設計和實習，使自己的動手能力有了很大的提高，也讓我進一步鞏固和掌握了專業(yè)知識。我已能夠較好地勝任電子電路設計，生產(chǎn)線的控制與維護等方面的技術性及管理性工作。我真心的希望能從事和參與這方面的工作，我相信執(zhí)著的追求和永不幻滅的熱情是最好的工作動力。同時，為了拓寬知識面，我閱讀了大量的課外書籍，因此我有很強的文字組織能力和語言表達能力。

在不斷求索的人生歷程中，我逐步形成了“以誠待人、以理服人、以德感人”的品格。“自信而不狂傲,穩(wěn)重但又熱情,年輕而富有朝氣”是我的特點。工作中，我盡心盡職、兢兢業(yè)業(yè)、克己奉公；學習上，我刻苦鉆研、敢于求索、敢于創(chuàng)新；生活上，我克勤克儉、吃苦耐勞、樂觀豁達。我性格開朗，愛好廣泛，富有熱情，相信一定能在工作中與同事相處融洽，營造一種愉快而高效的工作氛圍。而且在大學期間，我還多次參加勤工助學，有豐富的工作和社會經(jīng)驗。在努力學習和自我充實的同時，我也贏得了老師和同學的好評。因此我希望能夠加入貴單位.我會踏踏實實地做好屬于自己的每一份工作,竭盡全力在工作中取得好的成績.如果您給我一個發(fā)展的機會，我會以一顆真誠的心、飽滿的工作熱情、勤奮務實的工作作風、快速高效的工作效率回報貴單位。即使貴單位認為我還不符合你們的條件，我也將一如既往地關注貴單位的發(fā)展，并在此致以最誠摯的祝愿。感謝您的關注，期待您的答復！

此致

敬禮！

-----吃苦趁年輕，用我的行動體現(xiàn)我的價值-----------------------------

第三篇：電氣工程及其自動化專業(yè)認知論文

通過一個學期的專業(yè)認知課程的學習，我對電氣工程及其自動化專業(yè)的認識增長了不少。一開始，我以為電氣工程及其自動化主要是落腳于我們家中的形形式式的電器。但通過專業(yè)認知后，我漸漸地發(fā)現(xiàn)我之前的認為是不太正確的。

電氣工程及其自動化專業(yè)主要包括電工基礎理論、電氣裝備制造與應用、電力系統(tǒng)運行與控制三個部分。其中電工理論包括電路理論和電磁場理論；電氣裝備制造包括發(fā)電機、電動機、變壓器等電機設備的制造，也包括開關、用電設備等電器與電氣設備的制造，還包括電力電子設備的制造、各種電氣、電子控制裝置的制造；電力系統(tǒng)的運行主要指電力網(wǎng)的運行和控制、電氣自動化等內(nèi)容。

通過學習，我還了解了當今發(fā)電廠發(fā)電的主要類型。

1、火力發(fā)電：主要是靠燃燒石油、煤炭和天然氣等燃料在燃燒時產(chǎn)生的熱能來加熱水，使水變成水蒸氣來推動發(fā)電機發(fā)電，火力發(fā)電的三大主要設備是鍋爐、汽輪機、發(fā)電機。

2、水力發(fā)電：利用水力推動水力機械（水輪機）轉動，將水能變?yōu)闄C械能，然后帶動發(fā)電機發(fā)電，這時機械能便轉化為電能了。水力發(fā)電的特點為清潔、綠色、可再生。

3、核能發(fā)電：核能是指原子核裂變或核聚變反應所釋放出的能量。核能發(fā)電是用鈾、钚作燃料來發(fā)電的。原子核能的發(fā)現(xiàn)引起了世界發(fā)電能源的重大改革。

除了了解當今發(fā)電廠的幾種重要發(fā)電類型外，還了解了電力系統(tǒng)的主要構成。電力系統(tǒng)包括：發(fā)電廠、變電站、輸電網(wǎng)、配電網(wǎng)和電力用戶等環(huán)節(jié)組成的電能生產(chǎn)、傳輸與利用系統(tǒng)。其中這個學期的學習最主要了解了輸電網(wǎng)中的輸電線路鐵塔，按其形狀一般分為：酒杯型、貓頭型、上字型、干字型和桶型五種，按用途分有：耐張塔、直線塔、轉角塔、換位塔、終端塔和跨越塔等。

通過觀看百年電力的紀錄片，我對我國以及全世界的電力發(fā)展有了一定的深入了解。從1879年我國在上海裝設的第一臺直流發(fā)電機開始，我國的電力發(fā)展就不斷地往一個個臺階上走，直至13年底我國人均用電量為4100kwh，裝機容量達到12.47億kwh。雖然這個數(shù)字與一些發(fā)達國家比較顯得微不足道，但是依照現(xiàn)在這樣的發(fā)展狀況，我們離他們并不遙遠。

對于自動化的概念和應用我也是有了初步的了解。自動化，是指機器或者設備在無人干預的情況下按規(guī)定的程序或指令自動地操作或運行。自動化有兩個支柱技術：一個是自動控制，一個是信息處理。自動控制是關于受控系統(tǒng)的分析、設計和運行的理論和技術。自動化技術已經(jīng)在眾多領域中不斷發(fā)展，包括軍事、航空、航天、醫(yī)療、交通運輸、農(nóng)業(yè)、工業(yè)、環(huán)境監(jiān)測和我們最常接觸的家用電器。自動化技術是發(fā)展迅速、應用廣泛、最引人矚目的高技術之一，是推動高技術革命的核心技術，是信息社會中不可缺少的關鍵技術。從某種意義上講，自動化就是現(xiàn)代化的同義詞。

經(jīng)過一個學期的學習，不斷地認識電氣工程及其自動化這個專業(yè)的基本知識，讓我對這個專業(yè)有了一個新的認識，有了更深一層的了解。如果有人過來問我，電氣工程及其自動化這個專業(yè)是學什么的，沒上課前的我會支支吾吾半天都說不到重點，而現(xiàn)在的我會不用思考的能回答出來，電氣工程及其自動化專業(yè)是學習電路、電磁場、電機學和控制理論等課程知識?？傊瑢I(yè)認知這門課讓我知道了電氣工程及其自動化這個專業(yè)的就業(yè)方向、要學習的課程以及這個專業(yè)的技術在我們的生活中的應用、對我們生活方式的影響。我希望在大學期間，我會盡自己最大的努力去學習這門看起來簡單但做起來復雜的課程，我也希望，通過大學期間的學習能夠掌握電氣工程及其自動化這門專業(yè)的精髓所在，為以后將我們的生活改變得更加舒適，更加環(huán)保，更加安全而努力。

第四篇：電氣工程及其自動化專業(yè)

電氣工程及其自動化專業(yè)

專業(yè)介紹 電氣工程及其自動化的觸角伸向各行各業(yè)，小到一個開關的設計，大到宇航飛機的研究，都有它的身影。本專業(yè)生能夠從事與電氣工程有關的系統(tǒng)運行、自動控制、電力電子技術、信息處理、試驗技術、研制開發(fā)、經(jīng)濟管理以及電子與計算機技術應用等領域的工作，是寬口徑“復合型”高級工程技術人才。該領域對高水平人才的需求很大。據(jù)估計，隨著國外大企業(yè)的進入，在這一專業(yè)領域將出現(xiàn)很大缺口，那時很可能出現(xiàn)人才供不應求的現(xiàn)象。

電氣工程及其自動化專業(yè)對廣大考生有很強的吸引力，屬于熱門專業(yè)，高考錄取分數(shù)線往往要比其他專業(yè)方向高許多，造成這一情況的主要原因有：①就業(yè)容易，工作環(huán)境好，收入高；②名稱好聽，專業(yè)內(nèi)容對學生有吸引力； 社會宣傳和輿論導向對其有利。該專業(yè)方向有著非常好的發(fā)展前景，研究成果較容易向現(xiàn)實產(chǎn)品轉換，而且效益相當可觀。他創(chuàng)造性的研究思路吸引著眾多考生，這里的確是展示他們才能的好地方。但是鑒于國內(nèi)現(xiàn)在的形式，考生在報考該專業(yè)的時候應該注意以下兩點：

(1)充分考慮自己的興趣。也許自己本來并不對該方向感興趣，但是許多人都說好，于是自己就“感興趣”了。這對以后的發(fā)展是很不利的，畢竟興趣是最好的老師。

(2)衡量自己的綜合素質。電氣工程及自動化專業(yè)需要具有扎實的數(shù)學、物理基礎，較強的外語綜合能力，為今后能夠掌握并且靈活運用專業(yè)知識做準備。該專業(yè)方向的人才需求雖然大，但可供選擇的人也很多，如果沒有非常強的綜合素質，很難在眾人之中脫穎而出，取得突出成績。

主干學科和課程

主干學科：電氣工程、控制科學與工程、計算機科學與技術

主要課程：電路理論、電子技術、電力電子技術、自動控制原理、微機原理與應用、電氣工程基礎、電機學、電器學、電力系統(tǒng)分析、電機設計、高低壓電器、電機控制、智能化電器原理與應用、電力系統(tǒng)繼電保護、電力系統(tǒng)綜合自動化、建筑供配電等。

培養(yǎng)目標

培養(yǎng)適應社會主義建設需要、德智體美全面發(fā)展，獲得工程師基本訓練，能理論聯(lián)系實際、具備電工技術、電子技術、控制理論、自動檢測與儀表、信號處理、計算機技術與應用和網(wǎng)絡技術等較寬廣領域的工程技術基礎和一定的專業(yè)知識，能在運動控制、工業(yè)過程控制、電力電子技術、檢測與自動化儀表、電子與計算機技術、信息處理、管理與決策等領域研究、分析、設計、制造和應用開發(fā)的應用型高級工程技術人才。

培養(yǎng)要求

本專業(yè)學生主要學習電工技術、電子技術、信息控制、計算機技術、電氣工程及自動化技術等方面較寬廣的工程技術基礎和一定的專

業(yè)知識，使學生受到電工電子、信息控制及計算機技術方面的基本訓練，以及電氣工程及自動化領域的專業(yè)訓練，具有解決電氣工程技術與控制技術問題的基本能力

學科特點

電氣工程及其自動化專業(yè)是為各行各業(yè)培養(yǎng)能夠從事電氣工程及其自動化、計算機技術應用、經(jīng)濟管理等領域工作的寬口徑、復合型的高級工程技術人才。

該專業(yè)的特色體現(xiàn)在：強電與弱電相結合，電工技術與電子技術相結合，軟件與硬件相結合，元件與系統(tǒng)相結合，使學生獲得電氣控制、電力系統(tǒng)自動化、電氣自動化裝置及計算機應用技術等領域的基本技能，具有分析和解決電氣工程技術領域技術問題的能力。就業(yè)方向 電氣工程及其自動化，在當時電氣控制發(fā)展迅速的背景下，就業(yè)狀況與機械等一樣，優(yōu)勢很大，就業(yè)范圍廣闊。絕對是個專業(yè)性很強的專業(yè)，不過因學校不同，它的偏重也不一樣，有強弱電之分，這個你首先要分清楚，一般主學電力系統(tǒng)分析，電機學，繼電保護，電網(wǎng)等的為強電，這個方向的電氣專業(yè)因為電力行業(yè)的發(fā)展而變的非常吃香，但是有這個方向大學并不多，大多數(shù)大學的電氣專業(yè)都是以弱電為主。

強電：這個方向的最好的去向個人認為是各地區(qū)的電力公司以及各大型電廠，至于這個行業(yè)的好壞我想我也就不必多說了，還有就是

一些大型外企，如：西門子，ABB等都是這個專業(yè)的消化大戶;

弱電：對于弱電來說，因為其一般偏向控制，所以若想進電力行業(yè)一般進電廠比較多，電力公司相對招的人就很少了，至于其它方面與強電相差就比較少了，也可進西門子，ABB等大型外企，以及國內(nèi)幾家大型的電氣公司。

本專業(yè)培養(yǎng)的學生可以從事下列工作：

1、電機電器設計、制造、控制、試驗、運行維護、研制開發(fā)、生產(chǎn)管理工作；或電力系統(tǒng)與電氣裝備的運行、供電系統(tǒng)和高層建筑的電氣設計與運行維護工作；或建筑電氣領域電氣設計、樓宇自動化、綜合布線與智能建筑的系統(tǒng)設計、系統(tǒng)運行、研制開發(fā)、試驗分析、工程建設與管理工作。

2、電力電子、電氣傳動、自動化、儀表等技術領域的研制開發(fā)工作。業(yè)務范圍

1、自動控制系統(tǒng)、電力電子設備設計、制造、測試等工作。

2、自動化技術的理論研究及科學實驗方面的工作。

3、計算機測控技術和科研開發(fā)工作。

4、工廠控制系統(tǒng)及設備的技術開發(fā)、應用和管理工作。

5、學校的教學、科研和管理工作。

就業(yè)前景

電氣工程及其自動化專業(yè)培養(yǎng)的畢業(yè)生就業(yè)面寬、適應性強。該專業(yè)的畢業(yè)生主要面向電力行業(yè)就業(yè)，可從事電力設計、建設、調(diào)試、生產(chǎn)、運行、市場運營、科技開發(fā)和技術培訓等工作，也可從事其他

行業(yè)中的電氣技術工作。主要就業(yè)單位有電力公司、電力設計院、電力規(guī)劃院、電力建設部門、電力生產(chǎn)單位、電氣工程研究開發(fā)公司和研究院以及具有電氣相關專業(yè)的院校。自動控制、電力電子技術、信息處理、試驗分析、研制開發(fā)、經(jīng)濟管理以及電子與計算機技術應用等領域的工作,電氣自動化專業(yè)就業(yè)前景怎樣：

1，電業(yè)局

2，設計院

3，工程局

最好的是電業(yè)局。福利好，待遇高。然后是設計院，工作相對比較輕松。最艱苦的是工程局。因為要隨著工程地點到處跑。但是工資也不低。總的來說是很不錯的。而且還可以向自動化、電子等方向轉行。這個專業(yè)，強電，弱電都有的。

“自動化”一是屬于信息產(chǎn)業(yè)。信息產(chǎn)業(yè)被人們譽為“朝陽產(chǎn)業(yè)”，發(fā)展快、需要人才多、待遇高，是當今科技發(fā)展的趨勢所在。因此，作為信息產(chǎn)業(yè)中的重要一員，自動化專業(yè)同樣有著光輝的前途。二是自動化應用范圍廣。幾乎所有的工業(yè)部門都可以同自動控制掛上鉤，現(xiàn)代化的農(nóng)業(yè)、國防也都與自動化息息相關。三是本專業(yè)對于個人發(fā)展非常有利。本專業(yè)課程設置的覆蓋面廣，所學的東西與其他學科交叉甚多。這也與本專業(yè)的來歷有關，自動化專業(yè)大部分源于計算機或者電子工程系的自動控制專業(yè)。

隨著我國經(jīng)濟的不斷發(fā)展，現(xiàn)代化工業(yè)的不斷發(fā)展使電氣自動化技術方面的人才市場有著相當大的潛力。尤其是廣東地區(qū)，自動化生

產(chǎn)技術不斷提高，自動化產(chǎn)品不斷普及，智能樓宇和智能家居的應用，智能交通的不斷發(fā)展，為電氣自動化技術專業(yè)提供了廣闊的發(fā)展前景。

通常情況下，畢業(yè)生可以選擇國有的質量技術監(jiān)督部門、研究所、工礦企業(yè)等；也可以是一些外資、私營企業(yè)，待遇當然是相當可觀的。

第五篇：電氣工程及其自動化專業(yè)

本專業(yè)學生主要學習電工技術、電子技術、信息控制、計算機技術、電氣工程及自動化技術等方面較寬廣的工程技術基礎和一定的專業(yè)知識，使學生受到電工電子、信息控制及計算機技術方面的基本訓練，以及電氣工程及自動化領域的專業(yè)訓練，具有解決電氣工程技術與控制技術問題的基本能力。

主要課程

電路原理、模擬電子技術基礎、數(shù)字電子技術基礎、計算機原理及應用、計算機軟件技術基礎、過程工程基礎、電機與電力拖動基礎、電力電子技術、自動控制理論、信號與系統(tǒng)分析、過程檢測及儀表、運籌學、計算機仿真、計算機網(wǎng)絡、過程控制、運動控制、系統(tǒng)辨識基礎、計算機控制系統(tǒng)、系統(tǒng)工程導論、復變函數(shù)與積分變換、自動化概論、嵌入式系統(tǒng)原理與設計、PLC原理。

就業(yè)方向

主要從事與電氣工程有關的系統(tǒng)運行、自動控制、電力電子技術、信息處理、試驗分析、研制開發(fā)、經(jīng)濟管理以及電子與計算機技術應用等領域的工作。電氣自動化在工廠里應用比較廣泛，可以這么說,電氣自動化是工廠里唯一缺少不了的東西，是工廠里的支柱?。∧阋菍﹄姎庾詣踊容^精通,用人單位立刻要你，不管是什么單位,最好是電子廠，因為電子廠天天用到自動化,編程，設計。如果你對工作待遇條件要求很看重。最好的是電業(yè)局。福利好，待遇高。然后是設計院，工作相對比較輕松。最艱苦的是工程局。因為要隨著工程地點到處跑。但是工資也不低。而且還可以向自動化、電子等方向轉行。

電氣工程及其自動化

（電力系統(tǒng)）(本科，四年，理工類)專業(yè)簡介：電力系統(tǒng)專業(yè)方向是電氣工程及其自動化專業(yè)中最具有優(yōu)勢和特色的專業(yè)方向，為國家級一類特色專業(yè)的重要組成部分，主要培養(yǎng)從事高壓電氣設備設計、制造和運行維護等方面的高級工程技術人才。該專業(yè)方向依托電氣工程一級博士學位授權學科和博士后科研流動站，覆蓋了高電壓與絕緣技術和電介質工程2個二級博士、碩士學位授權學科，電力系統(tǒng)，為國家級重點學科。同時，該專業(yè)方向設置高電壓絕緣技術和電氣絕緣與電纜兩個專業(yè)模塊。主要課程：本專業(yè)主要開設公共基礎課、電路、電磁場、電機學、電力電子技術、單片機原理、電氣測試技術、電力工程基礎、電介質物理、電氣絕緣測試技術、高電壓試驗技術、電氣絕緣結構設計原理與CAD、光電通信原理、電力系統(tǒng)過電壓及保護、電纜材料與電纜工藝原理等專業(yè)基礎課和專業(yè)方向課程。就業(yè)方向：可在電力設備制造行業(yè)從事高電壓設備的設計、開發(fā)、生產(chǎn)和管理等工作，可在電力系統(tǒng)從事高壓設備的運行維護方面的技術工作和管理工作，就業(yè)于電業(yè)局，供電局，發(fā)電廠，也可在高校和科研院所從事教學和科研工作。

開設學校

西安交通大學渭南師范學院華中科技大學華北電力大學天

津大學重慶郵電大學重慶交通大學重慶大學蘇州大學蘇州科技學院徐州師范大學金陵科技學院徐州工程學院浙江大學華南理工大學西北工業(yè)大學哈爾濱工業(yè)大學東北大學大連理工大學東南大學湖南大學中南大學武漢理工大學中國礦業(yè)大學合肥工業(yè)大學東北師范大學西華大學南華大學北華大學南京航空航天大學南京師范大學北京交通大學廣東石油化工學院安徽大學安徽工業(yè)大學貴州大學云南民族大學昆明理工大學云南農(nóng)業(yè)大學暨南大學沈陽工程學院西藏大學西安理工大學江南大學西安礦業(yè)學院陜西理工學院寶雞文理學院蘭州理工大學蘭州交通大學青海大學新疆大學天津工業(yè)大學天津科技大學天津理工大學哈爾濱理工大學黑龍江東方學院黑龍江科技大學東北石油大學黑龍江工程學院黑龍江八一農(nóng)墾大學佳木斯大學天津城市建設學院河北建筑工程學院河北農(nóng)業(yè)大學河北師范大學河北大學河北工業(yè)大學河北理工大學唐山學院邯鄲學院河北科技大學河北工程大學河北科技師范學院湘南學院燕山大學山西大學太原工業(yè)學院太原理工大學太原科技大學內(nèi)蒙古工業(yè)大學內(nèi)蒙古科技大學內(nèi)蒙古農(nóng)業(yè)大學沈陽工業(yè)大學遼寧大學遼寧工程技術大學大連工業(yè)大學遼寧工業(yè)大學長春理工大學長春工業(yè)大學吉林建筑工程學院上海交通大學上海電機學院上海理工大學上海師范大學上海工程技術大學上海大學上海杉達學院上海海洋大學上海海事大學上海電力學院上海應用技術學院南京工業(yè)大學江蘇大學南通大學鹽城師范學院鹽城工學院淮海工學院揚州大學安徽大學江西理工大學南昌大學南昌工程學院湖北工業(yè)大學湖北民族學院三峽大學湖南科技大學湖南工程學院廣東工業(yè)大學廣西大學西南民族大學西北民族大學西北農(nóng)林科技大學中國農(nóng)業(yè)大學海南大學東北電力學院武漢大學長沙理工大學河海大學沈陽建筑大學武漢城市建設學院西北建筑工程學院桂林電子工業(yè)學院電子科技大學西安電子科技大學石家莊學院石家莊鐵道大學大連交通大學華東交通大學大連海事大學中國民航大學華僑大學哈爾濱工程大學北京石油化工學院西安石油大學中北大學南京理工大學北京航空航天大學重慶交通大學重慶理工大學四川大學西南交通大學武漢工業(yè)學院蘭州交通大學石油大學北京建筑工程學院天津工業(yè)大學河北職業(yè)技術師范學院長春工程學院浙江工業(yè)大學煙臺師范學院廣州大學東莞理工學院華南理工大學廣州學院廣州大學松田學院廣東技術師范學院廣東海洋大學湛江師范學院韓山師范學院西南石油大學成都理工大學四川理工學院四川師范大學西安建筑科技大學浙江科技學院漳州師范學院成都信息工程學院西南科技大學成都大學攀枝花學院華南農(nóng)業(yè)大學長江大學中國地質大學東北林業(yè)大學南京農(nóng)業(yè)大學