第一篇：個(gè)人工作小總結(jié)——工藝辦

個(gè)人部門工作小總結(jié)

2015年已經(jīng)結(jié)束，2016已悄然到來(lái)，回望這一年來(lái)的工作歷程作此總結(jié)。

一、訂單打樣 工藝辦在接到訂單打樣（初樣、產(chǎn)前樣）時(shí)嚴(yán)格核對(duì)訂單數(shù)量、顏色、面料、尺寸、款式等細(xì)節(jié)確保無(wú)遺漏在下發(fā)，有疑問(wèn)時(shí)及時(shí)溝通。在這一年中通過(guò)營(yíng)銷部、計(jì)劃部、打板室、裁床、樣衣房、工藝辦、后道的相互協(xié)作溝通，樣衣得以及時(shí)完成發(fā)往客戶。

二、大貨訂單工藝 對(duì)大貨及訂單工藝的完善。接到單時(shí)及時(shí)完善成品工藝確保工藝單同客戶制單、樣衣一致。如有特殊要求及時(shí)試樣由客人確認(rèn)。

三、上半年二等品備疵、換片 2015年上半年經(jīng)各部門的協(xié)商對(duì)大貨二等品采取了備疵換片的方法來(lái)減少二等品的數(shù)量。裁床將備疵片捆好、寫上飛子隨大貨流轉(zhuǎn)到工藝辦后統(tǒng)一分類、配片最后由樣衣房處理。樣衣房將備好片的二等品再次細(xì)化的分類堆放，二等品要經(jīng)過(guò)拆片、換片、裁片、縫制等工序才能成為正品。在2015年上半年樣衣房處理了二等品3858件，經(jīng)過(guò)換片成為正品共3775件，備疵片遺留制作大貨共696件。

四、裁床改革 2015年下半年對(duì)裁床進(jìn)行改革后工藝辦在裁剪車間的協(xié)助下對(duì)大貨單耗進(jìn)行了細(xì)致的實(shí)驗(yàn)，得出各款的實(shí)際單耗、用布率和裁剪數(shù)量。改革完成后對(duì)裁片疵點(diǎn)、掛絲等面料質(zhì)量問(wèn)題進(jìn)行抽檢、記錄。

2016年的到來(lái)帶來(lái)新的氣息，在新的一年中我們會(huì)再接再厲努力工作！！

2016-1-15

第二篇：焊接工藝(個(gè)人總結(jié))

焊接工藝（個(gè)人總結(jié)）

此部分主要講述各種材料的焊接工藝，包括（45、HT300、空冷鋼、Cr12MoV、MoCr鑄鐵、GGG70L）。講述的內(nèi)容涉及對(duì)不同材料使用的焊條，在焊接之前焊條如何處理，基體如何處理。

第三篇：集成電路工藝個(gè)人總結(jié)

曹飛 個(gè)人版總結(jié)

引言

第一只晶體管 ?第一只晶體管, AT&T Bell Lab, 1947 ?第一片單晶鍺, 1952 ?第一片單晶硅, 1954(25mm，1英寸)?第一只集成電路（IC）, TI, 1958 ?第一只IC商品, Fairchild, 1961 摩爾定律晶體管最小尺寸的極限 ?價(jià)格保持不變的情況下晶體管數(shù)每12月翻一番，1980s后下降為每18月翻一番；

?最小特征尺寸每3年減小70% ?價(jià)格每2年下降50%；

IC的極限

?硅原子直徑: 2.35 ?；

?形成一個(gè)器件至少需要20個(gè)原子；

?估計(jì)晶體管最小尺寸極限大約為50 ?或0.005um，或5nm。

電子級(jí)多晶硅的純度

一般要求含si>99.9999以上，提高純度達(dá)到99.9999999—99.999999999%（9-11個(gè)9）。其導(dǎo)電性介于10-4-1010 ? /cm。電子級(jí)高純多晶硅以9N以上為宜。

1980s以前半導(dǎo)體行業(yè)的模式

1980s以前：大多數(shù)半導(dǎo)體公司自己設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試IC芯片，如 Intel，IBM

1990s以后半導(dǎo)體行業(yè)的模式

F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(無(wú)生產(chǎn)線芯片設(shè)計(jì)), 什么是Foundry

有晶圓生產(chǎn)線，但沒(méi)有設(shè)計(jì)部門；接受客戶訂單，為客戶制造芯片；

IC流程圖:

接受設(shè)計(jì)訂單→芯片設(shè)計(jì)→EDA編輯版圖→將版圖交給掩膜版制造商→制造晶圓→芯片測(cè)試→芯片封裝

硅片制備與高溫工藝單晶生長(zhǎng)：直拉法 區(qū)熔法 高溫工藝:氧化，擴(kuò)散，退火。Si集成電路芯片元素組成

?

■半導(dǎo)體（襯底與有源區(qū)）：?jiǎn)尉i ■雜質(zhì)（N型和P型）：P(As)、B ■導(dǎo)體（電極及引線）：Al、Wu（Cu、Ti）、poly-Si ■絕緣體（柵介質(zhì)、多層互連介質(zhì)）：SiO2、Si3N4 硅的重要性 ■儲(chǔ)量豐富，便宜；（27.6％）

■SiO2性質(zhì)很穩(wěn)定、良好介質(zhì)，易于熱氧化生長(zhǎng)；

■較大的禁帶寬度（1.12eV），較寬工作溫度范圍

硅提純 I的工藝步驟、化學(xué)反應(yīng)式及純度

從石英砂到硅錠

■石英砂（SiO2)→冶金級(jí)硅(MGS)

■HCl與MGS粉反應(yīng)形成TCS■（trichlorosilane：氯硅烷）■利用汽化和冷凝提純TCS ■TCS與H2反應(yīng)形成多晶硅(EGS)■熔融EGS和拉單晶硅錠 從硅錠到硅片

單晶硅錠→整型→切片→磨片倒角→刻蝕→拋光→清洗→檢查→包裝 化學(xué)反應(yīng)式

硅提純I

多晶硅淀積

直拉法的拉晶過(guò)程

拉晶過(guò)程

①熔硅②引晶（下種）③收頸④放肩

直拉法的拉晶過(guò)程中收頸的作用 目的：抑制位錯(cuò)從籽晶向晶體延伸

直拉法與區(qū)熔法的對(duì)比

直拉法，更為常用(占75％以上)⑴便宜⑵更大的圓片尺寸(300mm已生產(chǎn))⑶剩余原材料可重復(fù)使用⑷位錯(cuò)密度：0～104cm2 區(qū)熔法

⑴高純度的硅單晶(不使用坩鍋)（電阻率2000Ω-mm）⑵成本高，可生產(chǎn)圓片尺寸較小(150mm)⑶主要用于功率器件⑷位錯(cuò)密度：103～105cm2 定位邊或定位槽的作用 ①識(shí)別晶向、導(dǎo)電類型及劃片方向 ②硅片（晶錠）機(jī)械加工定位的參考面；

③硅片裝架的接觸位置

外延的定義：外延、外延層、外延片、同質(zhì)外延、異質(zhì)外延

外延層：?jiǎn)尉бr底上單晶薄膜層 外延：同質(zhì)外延和異質(zhì)外延

同質(zhì)外延：襯底與外延層為相同晶體，晶格完全匹配 異質(zhì)外延：襯底與外延層為不同晶體，晶格不匹配

雙極晶體管（電路）和CMOS器件（電路）中外延層的應(yīng)用

雙極晶體管（電路）中外延層的應(yīng)用

?高阻的外延層可提高集電結(jié)的擊穿電壓

■低阻的襯底（或埋層）可降低集電極的串聯(lián)電阻

CMOS器件（電路）中外延層的應(yīng)用

■ 減小pnpn寄生閘流管效應(yīng)降低漏電流

Si外延的源材料

■Si源氣體：SiH4(硅烷), SiH2Cl2(二氯硅烷)，SiHCl3(三氯硅烷), SiCl4(四氯硅烷)■ 摻雜劑 N型摻雜劑：PH3, AsH3 P型摻雜劑：B2H6 分子束外延（MBE）的特點(diǎn) 高溫工藝設(shè)備小結(jié)

■高溫工藝通常使用爐管反應(yīng)室；

■反應(yīng)爐通常由控制系統(tǒng)、氣體輸運(yùn)系統(tǒng)、反應(yīng)腔、裝卸片系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)構(gòu)成

■立式爐管使用最廣泛，因?yàn)槠湔嫉孛娣e小、污染控制好、維護(hù)量小 ■溫度控制的精確性和均勻性對(duì)于高溫工藝的成功至關(guān)重要

氧化膜在IC中的應(yīng)用 ■摻雜阻擋層■表面鈍化(保護(hù))■隔離層■柵氧化層■MOS電容的介質(zhì)材料

各種氧化層在工藝中的應(yīng)用、厚度及工藝 摻雜阻擋氧化層應(yīng)用

■Much lower B and P diffusion rates in SiO2than that in S

■SiO2can be used as diffusion mask

表面鈍化(保護(hù))氧化層應(yīng)用

■Pad Oxide襯墊（緩沖）氧化層, Screen Oxide屏蔽氧化層 Sacrificial Oxide犧牲氧化層, Barrier Oxide阻擋氧化層 ■Normally thin oxide layer(~150?)to protect silicon defects from contamination and over-stress

器件隔離氧化層應(yīng)用

■Electronic isolation of neighboring devices ■Blanket field oxide ■Local oxidation of silicon(LOCOS)■Thick oxide, usually 3,000 to 10,000 ?

柵氧化層應(yīng)用

■Gate oxide: thinnest and most critical layer ■Capacitor dielectric

1號(hào)液和2號(hào)液的配方及作用 ■SC-1－NH4OH:H2O2:H2O with 1:1:5 to 1:2:7 ratio at 70 to 80℃to remove organic contaminants.(1號(hào)液)■SC-2--HCl:H2O2:H2Owith 1:1:6 to 1:2:8 ratio at 70 to 80 ℃to remove inorganic contaminates.(2號(hào)液)

顆粒、有機(jī)粘污、無(wú)機(jī)粘污及本征氧化層的清洗 Pre-oxidation（預(yù)氧化）Wafer Clean Organic（有機(jī)）Removal ■Strong oxidants remove organic residues ■H2SO4:H2O2or NH3OH:H2O2followed by DI H2O rinse.■ High pressure scrub or immersion in heated dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125 °C).Pre-oxidation Wafer Clean Inorganic（無(wú)機(jī)）Removal ■HCl:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125℃)Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal（本征氧化層）

■HF:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank or single wafer vapor etcher followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125℃)

SiO2生長(zhǎng)的迪爾-格羅夫模型

干氧氧化和濕氧氧化的特點(diǎn)與應(yīng)用 干（氧）氧化

■氧化劑：干燥的O2■Si+O2→SiO2■O來(lái)源于提供的氧氣；Si來(lái)源于襯底硅圓片■O2通過(guò)表面已有的氧化層向內(nèi)擴(kuò)散并與Si反應(yīng)生長(zhǎng)SiO2■氧化膜越厚，生長(zhǎng)速率越低■干氧化速率最低

濕（氧）氧化

■氧化劑：O2攜帶H2O■Si+O2→SiO2■Si+ 2H2O →SiO2+ 2H2 ■濕氧化的生長(zhǎng)速率介于水汽氧化與干氧化之間■實(shí)際氧化工藝：干氧+濕氧+干氧

氧化工藝應(yīng)用 干氧化，薄氧化層（<1000A）

－■MOS柵氧化層（30～120A）-■襯墊氧化層（100～200A），--■屏蔽氧化層（～200A），■犧牲氧化層（<1000A），等等

濕氧化，厚氧化層

■場(chǎng)氧化層（3000～5000A）■擴(kuò)散掩膜氧化層（400～1200A）

摻氯氧化的作用

■Cl 可以減少氧化層中的可動(dòng)離子（如Na+）■MOS柵極氧化中廣泛采用 ■氧化速率提高（1～5）％

影響氧化速率的因素

■溫度■濕氧化或干氧化■厚度■壓力■硅片晶向(<100>或<111>)■硅中雜質(zhì)

氧化速率與溫度

■氧化速率對(duì)溫度很敏感，指數(shù)規(guī)律■溫度升高會(huì)引起更大的氧化速率升高

氧化速率與圓片晶向

■<111>表面的氧化速率高于<100>表面■原因：<111>表面的Si原子密度高

氧化速率與雜質(zhì)濃度

■摻雜濃度越高，氧化層生長(zhǎng)速率越高

Si-SiO2界面特性替位式擴(kuò)散、間隙式擴(kuò)散、擴(kuò)散系數(shù)

在Si-SiO2界面有四種不同類型的電荷：（1）可動(dòng)離子電荷（2）氧化層固定電荷（3）界面陷阱電荷（4）氧化層陷阱電荷

雜質(zhì)再硅晶體中的主要擴(kuò)散機(jī)構(gòu)有：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)從一個(gè)晶格位置運(yùn)動(dòng)到另一個(gè)晶格位置上稱為替位式擴(kuò)散

間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)從一個(gè)間隙位置到另一個(gè)間隙位置上的運(yùn)動(dòng)稱為間隙式擴(kuò)散

兩步擴(kuò)散工藝

兩步法擴(kuò)散分預(yù)淀積和再分布兩步進(jìn)行，第一步稱為預(yù)擴(kuò)散或預(yù)淀積，在較低的溫度下，采用恒定表面濃度擴(kuò)散方式在硅片便面擴(kuò)散一薄層雜質(zhì)原子，目的在于確定進(jìn)入硅片的雜質(zhì)總量。第二步稱為主擴(kuò)散或再分布或推進(jìn)擴(kuò)散，在較高的溫度下，采用很定雜質(zhì)總量擴(kuò)散方式，讓淀積在表面的雜質(zhì)繼續(xù)往硅片中擴(kuò)散，目的在于控制擴(kuò)散深度和表面濃度。

擴(kuò)散的局限性與應(yīng)用

擴(kuò)散技術(shù)的主要缺陷

■擴(kuò)散是各向同性的，掩膜下方也會(huì)有雜質(zhì)橫向擴(kuò)散 ■不能獨(dú)立控制結(jié)深和摻雜濃度 擴(kuò)散應(yīng)用

■主要用在阱注入后的推進(jìn)工藝

離子注入后為什么要退火 ■高能離子損傷晶體結(jié)構(gòu)■非晶硅有很高的電阻率

■需要外部能量如熱使其恢復(fù)單晶結(jié)構(gòu)■只有在單晶結(jié)構(gòu)中雜質(zhì)才能被激活

RTP（快速熱退火）的優(yōu)點(diǎn) ■快速升溫(75 to 150 °C/sec)■更高溫度(up to 1200 °C)■過(guò)程快速■使雜質(zhì)擴(kuò)散最小化■熱預(yù)算的更好控制（節(jié)約能源）■更好的圓片間均勻性控制 薄膜淀積

真空蒸發(fā)法蒸發(fā)源加熱方式

■電阻加熱■電子束加熱■激光加熱■高頻感應(yīng)加熱

濺射的工作原理與特點(diǎn)

原理；具有一定能量的入射離子對(duì)固體表面轟擊時(shí)，入射離子與固體表面原子碰撞發(fā)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，將固體表面的原子濺射出來(lái) 直流濺射特點(diǎn)：只適于金屬靶材。磁控濺射特點(diǎn)：淀積速率最高。

RF濺射特點(diǎn)：適于各種金屬與非金屬靶材。

PVD 與 CVD對(duì)比 ■CVD：襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng) ■PVD：襯底表面不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)

■CVD: 更好的臺(tái)階覆蓋性(50% to ~100%)和空隙填充能力 ■PVD: 臺(tái)階覆蓋性差(~ 15%)和空隙填充能力差 ■PVD 源: 固態(tài)材料 ■CVD 源: 氣體或蒸汽

CVD氧化硅與熱生長(zhǎng)氧化硅對(duì)比 ■熱生長(zhǎng)氧化硅

?O來(lái)源于氣源，Si來(lái)源于襯底?氧化物生長(zhǎng)消耗硅襯底?高質(zhì)量 ■CVD 氧化硅

?O和Si都來(lái)自氣態(tài)源?淀積在襯底表面?生長(zhǎng)溫度低（如PECVD）?生長(zhǎng)速率高

CVD介質(zhì)薄膜的應(yīng)用 ■淺槽隔離(STI):undopedsilicon dioxide glass, USG■側(cè)墻隔離：USG ■金屬前介質(zhì)(PMD）：PSG or BPSG■金屬層間介質(zhì)(IMD/ILD）：USG or FSG■鈍化介質(zhì)(PD）：Oxide/Nitride CVD的基本過(guò)程

① 傳輸②吸附③化學(xué)反應(yīng)④淀積⑤脫吸⑥逸出

CVD生長(zhǎng)的兩種極限：表面反應(yīng)控制與質(zhì)量輸運(yùn)（傳輸）控制

表面反應(yīng)控制型

■化學(xué)反應(yīng)速率不能滿足反應(yīng)劑擴(kuò)散和吸附的速率，反應(yīng)劑堆積在襯底表面等待反應(yīng)；■淀積速率＝反應(yīng)速率■淀積速率對(duì)溫度很敏感 質(zhì)量輸運(yùn)控制型

■表面化學(xué)反應(yīng)速率足夠高，當(dāng)反應(yīng)劑被吸附在襯底表面時(shí)會(huì)立即反應(yīng)■淀積速率＝D dn/dx■淀積速率對(duì)溫度不敏感■淀積速率主要受到氣體流速的控制

CVD 的三種類型及各自的應(yīng)用

■APCVD 常壓化學(xué)氣相淀積■LPCVD 低壓化學(xué)氣相淀積 ■PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積

CVD淀積速率G與溫度T的關(guān)系

■低溫下，hg>>ks，反應(yīng)控制過(guò)程，故G與T呈指數(shù)關(guān)系； ■高溫下，hg<

離子注入

離子注入與熱擴(kuò)散的對(duì)比

離子注入的兩種阻擋機(jī)制

核碰撞和電子碰撞

避免溝道效應(yīng)的方法 ■傾斜硅片, 7°最常用■屏蔽氧化層（無(wú)定形）■注入前預(yù)先無(wú)定型處理

離子注入機(jī)的原理

離子注入工藝的應(yīng)用及技術(shù)趨勢(shì)

離子注入工藝

■CMOS工藝應(yīng)用■CMOS離子注入的工藝要求■離子注入工藝的評(píng)價(jià)。

技術(shù)趨勢(shì)

■超淺結(jié)(USJ)■絕緣體上硅(SOI)■等離子體沉浸離子注入(PIII)SOI的優(yōu)勢(shì)

■芯片速度更快，耗電更少■電路密度提高 ■SOI尤其在RF與SoC方面表現(xiàn)出色

SOI圓片的制造：智能剝離與注氧隔離 離子注入特點(diǎn)：

⑴注入溫度低⑵摻雜數(shù)目受控⑶橫向擴(kuò)散?、炔皇芄倘芏认拗脾勺⑷肷疃入S離子能量增加而增加⑹適合化合物摻雜 光刻與刻蝕工藝（曝光、刻蝕）

光刻的需要及光刻三要素

■高分辨率■光刻膠高光敏性■精確對(duì)準(zhǔn)

正膠與負(fù)膠的比較

光刻工藝的10個(gè)步驟（1）硅片清洗（2）預(yù)烘和底膜涂覆（3）涂光刻膠（4）前烘（5）對(duì)準(zhǔn)（6）曝光（7）后烘（8）顯影（9）堅(jiān)膜（10）圖形檢測(cè)

前烘、后烘及堅(jiān)膜工藝目的（作用）的比較 前烘作用: 促進(jìn)膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使膠膜干燥；

增加膠膜與SiO2（Al膜等）的粘附性及耐磨性

后烘作用：平衡駐波效應(yīng)，提高分辨率。堅(jiān)膜的作用

■蒸發(fā)PR中所有有機(jī)溶劑■提高刻蝕和注入的抵抗力■提高光刻膠和表面的黏附性■聚合和使得PR更加穩(wěn)定■PR流動(dòng)填充針孔 4種曝光機(jī)

■接觸式曝光機(jī)■接近式曝光機(jī)■投影式曝光機(jī)■步進(jìn)式曝光機(jī)

分辨率與波長(zhǎng)及NA的關(guān)系（最小線寬）R由曝光系統(tǒng)的光波長(zhǎng)λ和數(shù)值孔徑NA決定，R=K1λ/NA

K1為系統(tǒng)常數(shù), λ光波長(zhǎng), NA = 2r0/D； ■NA: 凸鏡收集衍射光的能力

如何提高分辨率？ ■提高NA

更大的凸鏡, 可能很昂貴而不實(shí)際 減小DOF（焦深），會(huì)引起制造困難 ■減小光波長(zhǎng) 開(kāi)發(fā)新光源, PR和設(shè)備

波長(zhǎng)減小的極限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray ■減小K1 相移掩膜

移相掩模的原理與應(yīng)用 移相掩模是一種雙層設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),通過(guò)利用干涉技術(shù)抵消某些衍射效應(yīng),可使光刻分辨率的改進(jìn)達(dá)到25%～100% 兩種紫外線和三種深紫外線的名稱、波長(zhǎng)及對(duì)應(yīng)的最小特征尺寸 ■汞燈i-line, 365 nm：–常用在0.35 μm光刻

■DUV KrF受激準(zhǔn)分子激光器, 248 nm：應(yīng)用0.25 μm, 0.18 μm and 0.13 μm光刻 ■ArF受激準(zhǔn)分子激光器,193 nm：–應(yīng)用: < 0.13 μm

■F2受激準(zhǔn)分子激光器：157 nm：–仍處于研發(fā)階段, < 0.10 μm應(yīng)用

■157 nm F2激光器光刻

：使用相移掩膜, 即使0.035 μm 都是可以的

下一代光刻

■超紫外■X射線■電子束

干法刻蝕與濕法刻蝕的對(duì)比 濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)

■高選擇性■設(shè)備成本較低■批處理, 高產(chǎn)量

濕法刻蝕的缺點(diǎn)

■各向同性■不能刻蝕3μm以下圖形■化學(xué)品使用量高■化學(xué)品危險(xiǎn)

干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)：

■各向異性腐蝕強(qiáng)；■分辨率高；■刻蝕3μm以下線條

濕法刻蝕SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的配方及反應(yīng)式

濕法刻蝕SiO2 常用配方(KPR膠）：HF: NH4F: H2O=3ml:6g:10ml

(HF溶液濃度為48％)SiO2+ 6HF →H2SiF6 + 2H2O

濕法刻蝕Si、Poly-Si HNO3-HF-H2O(HAC)混合液

濕法刻蝕Silicon Nitride

熱(150 to 200 °C)磷酸H3PO4溶液

干法刻蝕的原理與種類

① 等離子體刻蝕：化學(xué)性刻蝕②濺射刻蝕：純物理刻蝕③反應(yīng)離子刻蝕（RIE）：結(jié)合①、②

干法刻蝕SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的腐蝕劑

刻蝕氣體：CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6

金屬化與多層互連

金屬化的應(yīng)用、三種最常用的金屬及三種不同的金屬化方法

應(yīng)用

■柵電極材料■金半接觸電極材料■互連材料

常用的金屬性材料

■摻雜的poly-Si■金屬硅化物■金屬合金 金屬化方法

多晶硅－重?fù)诫s，LPCVD淀積 金屬硅化物-淀積 合金=淀積（PVD,CVD）集成電路對(duì)金屬化的基本要求

1.形成低阻歐姆接觸；2.提供低阻互連線；3.抗電遷移；4.良好的附著性；5.耐腐蝕；6.易于淀積和刻蝕；7.易鍵合；8.層與層之間絕緣要好

90年代CMOS標(biāo)準(zhǔn)金屬化：柵材料，接觸孔（通孔）填充材料，阻擋層（勢(shì)壘層）、黏附層、焊接層、及防反射層材料，互連材料，金半接觸電極材料及工藝

Al-Si接觸的尖楔現(xiàn)象、影響及抑制 Al/Si接觸的尖楔現(xiàn)象：Si在Al中的溶解度及快速擴(kuò)散 影響：PN結(jié)穿刺 –Al刺穿過(guò)摻雜PN結(jié)，使源/漏與襯底短路 抑制：400 ℃熱退火在Si-Al界面形成Si-Al合金

Al的電遷移現(xiàn)象、影響及抑制 電遷移：大電流密度下發(fā)生質(zhì)量（離子/晶粒）輸運(yùn) 現(xiàn)象：在陽(yáng)極端堆積形成小丘或須晶，造成電極間短路；

在陰極端形成空洞，導(dǎo)致電極開(kāi)路

影響；

■電遷移使金屬線變窄變薄■殘留引線中電流密度更高■電遷移影響IC的可靠性

電遷移抑制

■少量銅與鋁形成的合金將大大提供Al對(duì)電遷移的抵抗，銅作為Al晶粒間的粘合劑，防止Al晶粒因電子轟擊而遷移 ■Al-Cu(0.5%)最常用■使用Al-Si-Cu 合金

TiN的作用 TiN：阻擋層，防止W擴(kuò)散

TiN：粘合層，幫助W與SiO2表面粘合在一起

TiN：防反射涂層ARC（Anti-reflection coating），防止反射提高光刻分辨率

Cu淀積的大馬士革鑲嵌工藝

① 在低K介質(zhì)層上刻蝕出Cu互連線用的溝槽； ② ②CVD淀積一層薄的金屬勢(shì)壘層：防止Cu的擴(kuò)散 ③ ③濺射淀積Cu的籽晶層：電鍍或化學(xué)鍍Cu需要 ④ ④溝槽和通孔淀積Cu：電鍍或化學(xué)鍍； ⑤400℃下退火； ⑤ Cu的CMP。

工藝集成

MOS IC與雙極IC的隔離

MOS集成電路的隔離：LOCOS隔離工藝；側(cè)墻掩蔽的隔離工藝；淺槽隔離等.雙極集成電路的隔離：pn結(jié)隔離工藝；深槽隔離工藝.防止寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)啟及提高寄生晶體管閾值電壓的工藝方法 防止寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)啟的方法

提高寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓使寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓高于集成電路的工作電壓

4．提高寄生晶體管閾值電壓的方法

1）、增加場(chǎng)區(qū)SiO2的厚度；（但是過(guò)厚的氧化層將產(chǎn)生過(guò)高的臺(tái)階，從而引起臺(tái)階覆蓋的問(wèn)題）

2）、增大氧化層下溝道的摻雜濃度，即形成溝道阻擋層

局部氧化（LOCOS）、側(cè)墻掩蔽的隔離（SWAMI）及淺槽隔離（STI，Shallow Trench Isolation）工藝的特點(diǎn)、工藝流程及示意圖 局部氧化工藝

優(yōu)點(diǎn)：

1.可以減小表面的臺(tái)階高度；2.和高濃度雜質(zhì)注入是一次光刻完成的 缺點(diǎn)：

1、鳥(niǎo)嘴侵蝕有源區(qū)；

2、不利于后序工藝中的平坦化；

3、雜質(zhì)重新分布。

P阱、N阱工藝特點(diǎn)

P阱工藝：易實(shí)現(xiàn)nMOS和pMOS的性能匹配，適于靜態(tài)邏輯電路 n阱工藝：易獲得高性能的nMOS，適于微處理器、DRAM 熟悉雙阱CMOS IC工藝流程 1）硅片準(zhǔn)備2）阱的制備3）場(chǎng)區(qū)隔離：4）CMOS器件形成5）多層金屬互聯(lián)6）后部封裝工藝

熟悉標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極集成電路工藝流程 標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極集成電路工藝流程

1）、襯底準(zhǔn)備2）、埋層的制備3）、外延層生長(zhǎng)4）、隔離區(qū)的形成（第二次光刻）5）、收集極接觸的制備（第三次光刻）6）、基區(qū)的形成（第四次光刻）7）、發(fā)射區(qū)的形成（第五次光刻）8）、金屬接觸和互聯(lián)（第六、七次光刻）9）、后續(xù)封裝工藝

CMOS工藝流程

了解1960s、1970s和1980s集成電路工藝的特點(diǎn)

熟悉1990sCMOS工藝的特點(diǎn)：特征尺寸、襯底、隔離、光刻、刻蝕、退火、W塞及平整化 1990’s CMOS Technology Photolithography – G-line, I-line(365 nm), and DUV 248 nm – Positive photoresist – Steppers replaced projection printer – Track-stepper integrated systems ? Plasma etches for patterned etch ? Wet etches for blanket film stripping ? Vertical furnaces

– smaller footprints, better contamination control.? RTP systems

– post-implantation annealing – silicide formation, – faster, better process and thermal budget control.? DC magnetron sputtering replaced evaporation ? Multi-layer metal interconnection ? W CVD and CMP(or etch back)to form plugs ? Ti and TiN barrier/adhesion layer for W ? Ti welding layer for Al-Cu to reduce contact resistance ? TiN ARC ? BPSG was popularly used as PMD.? DCVD: PE-TEOS and O3-TEOS – STI, sidewall spacer, PMD, and IMD ? DCVD: PE-silane – PMD barrier nitride, dielectric ARC, and PD nitride ? Tungsten CMP to form plug

? Dielectric CMP for planarization ? Cluster tools became very popular ? Single wafer processing systems improve wafer-to-wafer uniformity control ? Batch systems is still commonly employed in many non-critical processes for their high throughput.

第四篇：編辦個(gè)人工作自我總結(jié)（定稿）

一年來(lái)，在領(lǐng)導(dǎo)和同事的關(guān)心支持幫助指導(dǎo)下，本人認(rèn)真實(shí)踐“三個(gè)代表”重要思想，深入學(xué)習(xí)黨的十六屆六中全會(huì)精神和江澤民文選，刻苦鉆研業(yè)務(wù)知識(shí)，努力提高理論知識(shí)和業(yè)務(wù)工作水平，在思想上按黨員標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格要求自己，在工作上勤勤懇懇、任勞任怨，在作風(fēng)上艱苦樸素、務(wù)真求實(shí)，較好地完成領(lǐng)導(dǎo)安排的各項(xiàng)任務(wù)。下面,我從四個(gè)方面向領(lǐng)導(dǎo)和同志們作一個(gè)自我總結(jié)：

一、自覺(jué)加強(qiáng)思想政治理論和業(yè)務(wù)知識(shí)學(xué)習(xí)，不斷提高自身素質(zhì)，夯實(shí)工作基礎(chǔ)

學(xué)習(xí)是個(gè)人進(jìn)步和成長(zhǎng)的不竭動(dòng)力和源泉。一年來(lái)，我在深入學(xué)習(xí)“三個(gè)代表”重要思想的基礎(chǔ)上，根據(jù)工作性質(zhì)和特點(diǎn)，著重加強(qiáng)了人事編制工作的政策、辦事原則、程序、業(yè)務(wù)等方面的學(xué)習(xí)，通過(guò)對(duì)《事業(yè)單位登記管理?xiàng)l例》、機(jī)構(gòu)編制管理和公文寫作技能的具體學(xué)習(xí)，初步掌握和熟悉了人事工作的方式方法，能根據(jù)領(lǐng)導(dǎo)安排擬寫簡(jiǎn)單的一般性公文。此外，工作之余，還參加中央黨校函授學(xué)院公共管理專業(yè)本科班的學(xué)習(xí)，并按規(guī)定修完學(xué)科課程計(jì)劃?？傊?，通過(guò)學(xué)習(xí)，自己的思想政治素質(zhì)、文化業(yè)務(wù)素質(zhì)得到了提高，為進(jìn)一步履行工作職責(zé)、提升工作水平提供了知識(shí)保證，奠定了業(yè)務(wù)基礎(chǔ)。

二、以開(kāi)展黨員先進(jìn)性教育活動(dòng)及學(xué)習(xí)江澤民文選活動(dòng)為契機(jī)，努力錘煉職業(yè)道德品質(zhì)和工作作風(fēng)

去年底，由于組織的信任和領(lǐng)導(dǎo)的關(guān)心，把我從++政府調(diào)入++工作，這時(shí)恰逢全國(guó)在基層開(kāi)展黨員先進(jìn)性教育活動(dòng)，我于2011年12月-2011年6月被抽到++鎮(zhèn)指導(dǎo)開(kāi)展 “學(xué)教”活動(dòng)。在指導(dǎo)“學(xué)教”活動(dòng)中，我不但指導(dǎo)好村級(jí)搞好活動(dòng)，還積極參與到學(xué)習(xí)中，時(shí)刻牢記黨員的責(zé)任和義務(wù)，嚴(yán)格要求自己，在任何時(shí)候都要起到模范帶頭作用，遵章守紀(jì)、務(wù)真求實(shí)、樂(lè)觀上進(jìn)，始終保持嚴(yán)謹(jǐn)認(rèn)真的工作態(tài)度和一絲不茍的工作作風(fēng)，發(fā)揚(yáng)艱苦樸素、勤儉耐勞、樂(lè)于助人的優(yōu)良傳統(tǒng)。

今年底還積極參加局里組織的學(xué)習(xí)江澤民文選活動(dòng)，安排時(shí)間進(jìn)行個(gè)人自學(xué)，以胡錦濤總書(shū)記“四個(gè)必須、兩個(gè)滿意”的精神為指導(dǎo)，按照“對(duì)己清正、對(duì)人公正、對(duì)內(nèi)嚴(yán)格、對(duì)外平等”的總要求，撰寫心得體會(huì)，經(jīng)過(guò)學(xué)習(xí)熏陶，真正認(rèn)識(shí)到“公道正派”是人事干部的立身之本、為人之道、處事之基，是人事部門自身建設(shè)和干部職業(yè)道德建設(shè)的核心內(nèi)容和永恒主題。

三、今年我與++辦的同事一起圍繞中心工作，對(duì)照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)以律己，較好的完成各項(xiàng)工作任務(wù)。

主要完成了如下工作:

（一）搞好深化行政管理體制改革和區(qū)鄉(xiāng)機(jī)構(gòu)改革的有關(guān)工作。一是認(rèn)真做好政府機(jī)構(gòu)改革的掃尾工作。二是搞好鄉(xiāng)鎮(zhèn)機(jī)構(gòu)改革工作。三是配合相關(guān)部門作好新一輪的競(jìng)爭(zhēng)上崗工作。

（二）從嚴(yán)控制機(jī)構(gòu)和人員編制的增加，切實(shí)加強(qiáng)對(duì)機(jī)構(gòu)編制的管理。一是切實(shí)加強(qiáng)對(duì)機(jī)構(gòu)編制的控制和管理。二是認(rèn)真做好文體局二級(jí)事業(yè)單位的機(jī)構(gòu)調(diào)整工作。三是認(rèn)真做好鄉(xiāng)鎮(zhèn)、街道辦事處衛(wèi)生院的機(jī)構(gòu)設(shè)置及編制的調(diào)整工作。四是認(rèn)真抓好每月的人員（工資）增減審核工作。五是認(rèn)真做好機(jī)構(gòu)編制的統(tǒng)計(jì)工作。

（三）認(rèn)真做好事業(yè)單位登記管理工作。一是認(rèn)真做好2011事業(yè)單位檢驗(yàn)工作。二是督促區(qū)鄉(xiāng)機(jī)構(gòu)改革后涉及法人設(shè)立、變更、注銷的事業(yè)單位辦理相關(guān)手續(xù)。

（四）認(rèn)真做好財(cái)政供養(yǎng)人員吃“空響”的清理。

（五）積極做好與編制管理及改革相關(guān)課題的調(diào)研。

（六）認(rèn)真做好編辦文件資料的打印、整理歸檔工作。

四、存在的問(wèn)題和今后努力方向

回顧一年來(lái)的工作，我在思想上、學(xué)習(xí)上、工作上取得了新的進(jìn)步，但我也認(rèn)識(shí)到自己的不足之處，我的工作時(shí)間短經(jīng)驗(yàn)還不足，理論知識(shí)水平還比較低，現(xiàn)代辦公技能還不強(qiáng)，業(yè)務(wù)水平還比較底。今后，我一定認(rèn)真克服缺點(diǎn)，發(fā)揚(yáng)成績(jī)，自覺(jué)把自己置于組織和同事的監(jiān)督之下，刻苦學(xué)習(xí)、勤奮工作，做一名合格的人民公務(wù)員，為人事人才工作做出自己的貢獻(xiàn)。

以上是我工作一年來(lái)的工作自我總結(jié)，通過(guò)以上的自我總結(jié)，能夠總結(jié)出本人的一年所做的工作存在著哪些地方不足，哪些還要繼續(xù)發(fā)揚(yáng)的。希望在明年能夠做得更好。

第五篇：生物制品工藝總結(jié)

1生物制品：指采用現(xiàn)代生物技術(shù)手段人為地創(chuàng)造一些條件，借用某些微生物、植物或動(dòng)物體來(lái)生產(chǎn)某些初級(jí)代謝產(chǎn)物或次級(jí)代謝產(chǎn)物，或利用生物體的某一組成部分，制成作為診斷或治療或預(yù)防疾病或達(dá)到某種特殊醫(yī)學(xué)目的的醫(yī)藥用品，統(tǒng)稱為生物制品。

2生物制品學(xué)：是指研究各類生物制品的來(lái)源、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、應(yīng)用、生產(chǎn)工藝、原理、現(xiàn)狀、存在問(wèn)題與發(fā)展前景等諸方面知識(shí)的一門科學(xué)。

3現(xiàn)代生物技術(shù)領(lǐng)域：基因工程、細(xì)胞工程、酶工程、發(fā)酵工程、蛋白質(zhì)工程、抗體工程、生物芯片技術(shù)、人類基因組計(jì)劃、糖鏈工程、代謝工程、自動(dòng)生化藥物篩選技術(shù)、后基因組計(jì)劃于人類蛋白質(zhì)組計(jì)劃、海洋生物技術(shù)、宇航生物技術(shù)、生化工程、下游工程或高效分離純化系統(tǒng)。4現(xiàn)代生物技術(shù)：農(nóng)業(yè)生物技術(shù)、家畜生物技術(shù)、食品生物技術(shù)、環(huán)保生物技術(shù)、能源生物技術(shù)、海洋生物技術(shù)、醫(yī)藥生物技術(shù)、生物制品技術(shù)。

5生物制品分類：按來(lái)源分（人源生物制品、動(dòng)物源生物制品、植物源生物制品、微生物源生物制品）按使用對(duì)象分（用于人的生物制品、用于家畜的生物制品、用于家禽的生物制品、用于作物的生物制品）按結(jié)構(gòu)與功能（疫苗類、抗體類、人血液代用品、重組細(xì)胞因子、反義寡核苷酸、重組激素類）。

6細(xì)胞因子：是人類或動(dòng)物的各類細(xì)胞分泌的具有度=多種生物活性的因子。它們是可溶性物質(zhì)，是一組不均一的蛋白質(zhì)分子，能調(diào)節(jié)細(xì)胞的生長(zhǎng)和分化。7干擾素：是一類重要的細(xì)胞因子，在同種細(xì)胞上具有光譜抗病毒、抗細(xì)胞分裂和免疫調(diào)節(jié)等多種生物學(xué)活性。

8白細(xì)胞介素：是淋巴因子家族的一類，分別有單核—巨噬細(xì)胞、淋巴細(xì)胞及其他多種細(xì)胞產(chǎn)生。白細(xì)胞介素能激活免疫活性細(xì)胞，使之增殖分化，介導(dǎo)細(xì)胞間的相互作用。免疫調(diào)節(jié)功能，增強(qiáng)抗體免疫力。

9白細(xì)胞介素—2：能使機(jī)體內(nèi)細(xì)胞毒性T淋巴細(xì)胞和自然殺傷細(xì)胞等增殖，具有殺傷和清除腫瘤細(xì)胞和病毒感染細(xì)胞的功能，在體內(nèi)是免疫監(jiān)視功能的基礎(chǔ)。10細(xì)胞工程和基因工程的應(yīng)用產(chǎn)生了兩種醫(yī)療技術(shù)：細(xì)胞移植和基因治療

11單抗最主要的特點(diǎn)是專一性和單克隆性，是針對(duì)一個(gè)抗原決定簇的、單一的、特異的、均質(zhì)的抗體。

12鹽析法：將硫酸銨或硫酸鈉等中性鹽加入到蛋白質(zhì)溶液中，破壞蛋白質(zhì)的膠體顆粒在溶液中的穩(wěn)定因素而使其沉淀的方法。13有機(jī)溶劑沉淀法：在蛋白質(zhì)溶液中，加入與水互溶的有機(jī)溶劑，能顯著的減小蛋白質(zhì)的溶解度而發(fā)生沉淀。

14選擇性沉淀法包括等電點(diǎn)沉淀法和選擇性沉淀法。15等電點(diǎn)沉淀法：對(duì)于兩性物質(zhì)，等電點(diǎn)時(shí)靜電荷為零，是穩(wěn)定的雙電層及水化膜變?nèi)趸蚱茐?，分子間排斥點(diǎn)位降低，吸引力增大，相互聚集產(chǎn)生沉淀。16變性沉淀：是根據(jù)各種蛋白質(zhì)在不同理化因子作用下穩(wěn)定性不同的原理，而常用于提取溶液中的雜蛋白，選擇性較強(qiáng)，方法簡(jiǎn)單，但使用和范圍較窄。17離子交換色譜：其原理是通過(guò)帶電的溶質(zhì)分子與離子交換劑中可交換的離子進(jìn)行交換，從而達(dá)到分離的目的。

18反向色譜：是利用溶質(zhì)分子中非極性基團(tuán)與非極性固定相之間相互作用的大小，以及溶質(zhì)分子中極性基團(tuán)與流動(dòng)相中極性分子之間在相反方向作用力大小的差異進(jìn)行分離的。

19疏水色譜：主要是利用蛋白質(zhì)表面上的疏水區(qū)域和介質(zhì)的疏水基團(tuán)之間的相互作用，無(wú)機(jī)鹽的存在能使相互作用力增強(qiáng)。20疫苗：是指用人工變異或從自然界篩選獲得的減毒物或無(wú)毒的、活的病原微生制成的制劑，或用理化方法將病原微生物殺死制備的生物制劑，用于人工自動(dòng)免疫以使人或動(dòng)物產(chǎn)生免疫力。

21減毒活性疫苗：是將微生物的自然強(qiáng)毒株通過(guò)物理的、化學(xué)的和生物學(xué)的方法，連續(xù)傳代，使其對(duì)宿主喪失致病力，或只引起亞臨床感染，但仍保持良好的免疫原性，遺傳特性，用這種毒株制備的疫苗叫做減毒活性疫苗。22基因工程疫苗：是指使用重組DNA技術(shù)克隆并表達(dá)保護(hù)性抗源基因，利用表達(dá)的抗原產(chǎn)物，或重組體本身制成的疫苗。23基因工程疫苗包括：基因工程亞單位疫苗、基因工程載體疫苗、基因缺失活疫苗、核算疫苗、蛋白質(zhì)工程疫苗。

24細(xì)菌性疫苗：由細(xì)菌、支原體、螺旋體等制成的疫苗。包括活菌疫苗、死菌疫苗、純化的多糖活蛋白質(zhì)成分苗。

25基因工程菌苗：指利用重組DNA技術(shù)研制的菌苗。包括保護(hù)性抗原基因在原核或真核細(xì)胞中表達(dá)的生物合成亞單位疫苗，以某些細(xì)菌為外源基因?yàn)檩d體的活載體苗和通過(guò)基因組突變、缺失或插入的基因缺失疫苗。26治療性疫苗：是指在已感染病原生物或患某些疾病的機(jī)體中，通過(guò)誘生機(jī)體的特異性或非特異性免疫應(yīng)答，以達(dá)到治療或防治疾病惡化的天然、人工修飾合成或用基因重組技術(shù)表達(dá)的產(chǎn)品或生物制品。

27補(bǔ)體系統(tǒng)是由一系列蛋白質(zhì)分子組成的，是機(jī)體的主要防御體系之一，在生物學(xué)反應(yīng)中，如吞噬、調(diào)理、趨化和細(xì)胞溶解等，都有重要作用。

1新型生物反應(yīng)器：①機(jī)械攪拌式生物反應(yīng)器②鼓泡式生物反應(yīng)器③氣升式生物反應(yīng)器④膜生物反應(yīng)器⑤固定床和流化床生物反應(yīng)器⑥自吸式生物反應(yīng)器。

2國(guó)外生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)：①現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)品銷售額增長(zhǎng)迅速②新醫(yī)藥是現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)的主題產(chǎn)品③農(nóng)業(yè)領(lǐng)域?qū)⑾破鹕锛夹g(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“第二個(gè)浪潮”④工業(yè)生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展成為“第三個(gè)浪潮”。3美國(guó)發(fā)展模式：①政府和私人對(duì)生物技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)持續(xù)的大量資金投入是至關(guān)重要的后盾②政府、大學(xué)和企業(yè)間的密切伙伴關(guān)系以及完善的技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)制是研究成果得以迅速商品化應(yīng)用的橋梁③學(xué)術(shù)界的敬業(yè)精神和企業(yè)界的創(chuàng)業(yè)精神是發(fā)展的動(dòng)力④日趨成熟的風(fēng)險(xiǎn)投資和股票市場(chǎng)是產(chǎn)業(yè)化的保障。4美國(guó)的發(fā)展特點(diǎn)：①把握前沿，高度重視基礎(chǔ)研究，特別是與生命科學(xué)相關(guān)的醫(yī)學(xué)生物學(xué)研究②創(chuàng)造良好的機(jī)制和環(huán)境③鼓勵(lì)形成集中區(qū)域和扎堆效應(yīng)。5我國(guó)發(fā)展優(yōu)勢(shì)：①政府高度重視②研究開(kāi)發(fā)條件明顯改善③人才和技術(shù)已有相當(dāng)?shù)馁A備④生物、遺傳資源豐富6我國(guó)發(fā)展的劣勢(shì)：①科技投入明顯不足②技術(shù)貯備相對(duì)不足，創(chuàng)新成果不多③科技體制尚不能適應(yīng)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的需要④發(fā)展高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的政策環(huán)境和機(jī)制尚不夠完善

7總體戰(zhàn)略目標(biāo)：①立足創(chuàng)新②需求牽引③集成應(yīng)用④重點(diǎn)突破 ⑤協(xié)調(diào)發(fā)展

8總體戰(zhàn)略目標(biāo)：努力提高生物技術(shù)在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中的貢獻(xiàn)率，增強(qiáng)我國(guó)生物技術(shù)的創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力。9原料的保存方法：①冷凍法②有機(jī)溶劑脫水法③防腐劑保鮮

10生物原料的預(yù)處理：①動(dòng)物原料 采集后要立即處理，去除結(jié)締組織、脂肪組織等，并迅速冷凍儲(chǔ)存；②植物原料 要擇時(shí)采集，并就地去除不用的部分，保鮮處理；③微生物原料 要及時(shí)將菌細(xì)胞與培養(yǎng)液分開(kāi)，并進(jìn)行保鮮處理。

11分離純化技術(shù)的要求：①技術(shù)條件要溫和，要抑制宿主細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中相應(yīng)的酶活性，防止其消化降解待提純產(chǎn)物，以保持目的產(chǎn)物的生物活性；②選擇性要好，優(yōu)化選擇與組合各種分離純化技術(shù)方法以達(dá)到較高的純化倍數(shù)③去除細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中非目標(biāo)產(chǎn)物成分，同時(shí)盡量保持交工的目標(biāo)產(chǎn)物成分的回收率；④要能直接銜接，不需要對(duì)物料加以處理或調(diào)整⑤整個(gè)分離純化過(guò)程要快，時(shí)間短，能夠滿足高生產(chǎn)率的要求⑥保持環(huán)境清潔，防止雜物污染。12蛋白質(zhì)分離純化方法：①鹽析和有機(jī)溶劑沉淀法②按分子大小分離方法（微濾、超濾）③選擇性沉淀④色譜法（離子交換色譜、凝膠過(guò)濾色譜）⑤電泳法 13含目的的產(chǎn)物的起始物料特點(diǎn)：①菌種類型及其代謝特性。包括菌種的各種生物學(xué)性質(zhì)、產(chǎn)物和副產(chǎn)物種類、代謝物種類，產(chǎn)物類似物、毒素和能降解產(chǎn)物的酶等；②原材料和培養(yǎng)基的來(lái)源及其質(zhì)量；③生產(chǎn)工藝和條件，包括滅菌方法和條件，生產(chǎn)方式，生產(chǎn)周期，生產(chǎn)能力，工藝控制條件、因素及方式等；④初始物料的生物、化學(xué)和生物學(xué)特性，包括產(chǎn)物濃度、主要雜質(zhì)種類和濃度、鹽的種類和濃度、溶解度、PH、黏度、流體力學(xué)性質(zhì)和熱力學(xué)性質(zhì)。

14色譜優(yōu)點(diǎn)：①分離效率高②選擇性強(qiáng)③過(guò)程自動(dòng)化操作④分離快速⑤使用范圍廣⑥高靈敏度的在線檢測(cè)

15人源性生物制品的特點(diǎn)：①效價(jià)高、療效可靠；②安全性好，不易產(chǎn)生副反應(yīng)；③穩(wěn)定性好；④資源有限，研究意義重大 16人源性生物制品的種類：①血液制品②尿液制品③胎盤制品④人體液細(xì)胞中的活性物質(zhì) 17尿液中的生物活性物質(zhì)：尿激酶、激肽釋放酶、尿抑胃素、人尿胰蛋白酶抑制劑、人絨毛膜促性腺激素、人尿中的其他活性物質(zhì)

18動(dòng)物源性生物制品特點(diǎn)：①原料來(lái)源豐富②制種類多③要重視安全性

19動(dòng)物源性生物制品：動(dòng)物血紅素、胰蛋白酶、胰酶、胰島素、胸腺肽、膽紅素、肝素、硫酸軟骨素、溶菌酶。

20菌苗存在問(wèn)題：①盡管疫苗免疫取得了巨大的成功，但小于5歲的嬰幼兒每年死于傳染病的數(shù)目仍很高②與病毒相比，基因工程細(xì)菌及細(xì)菌核酸苗報(bào)道明顯少。

21理想菌苗條件：①安全，不能有毒性②遺傳性狀穩(wěn)定，無(wú)致癌性，無(wú)致畸變或致流產(chǎn)性③結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單清楚，可生物降解，有生物相容性，與組織抗原無(wú)免疫學(xué)交叉反映④接受疫苗接種的各年齡組人群必須能夠很高比例的產(chǎn)生保護(hù)性免疫⑤多價(jià)，有更大的覆蓋面，最好一次性免疫⑥能口服，能有效誘導(dǎo)黏膜免疫⑦為大量人群應(yīng)用，疫苗必須廉價(jià)⑧易于生產(chǎn)，貯存及服務(wù)不需冷藏。

22預(yù)防性疫苗與治療新疫苗區(qū)別：①預(yù)防性疫苗的接種對(duì)象是健康群體，對(duì)易感人群均可適用，主要起免疫預(yù)防作用，安全可靠，治療性疫苗使用對(duì)象是感染者②治療性疫苗與預(yù)防性疫苗實(shí)用的目的不同，后者是為了防病，前者是為了治療或防止病情惡化③治療性疫苗應(yīng)用時(shí)必須考慮適應(yīng)癥與禁忌癥，也可根據(jù)需要進(jìn)行各種組合和調(diào)整。

1生物制品：指采用現(xiàn)代生物技術(shù)手段人為地創(chuàng)造一些條件，借用某些微生物、植物或動(dòng)物體來(lái)生產(chǎn)某些初級(jí)代謝產(chǎn)物或次級(jí)代謝產(chǎn)物，或利用生物體的某一組成部分，制成作為診斷或治療或預(yù)防疾病或達(dá)到某種特殊醫(yī)學(xué)目的的醫(yī)藥用品，統(tǒng)稱為生物制品。

2生物制品學(xué)：是指研究各類生物制品的來(lái)源、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、應(yīng)用、生產(chǎn)工藝、原理、現(xiàn)狀、存在問(wèn)題與發(fā)展前景等諸方面知識(shí)的一門科學(xué)。

3現(xiàn)代生物技術(shù)領(lǐng)域：基因工程、細(xì)胞工程、酶工程、發(fā)酵工程、蛋白質(zhì)工程、抗體工程、生物芯片技術(shù)、人類基因組計(jì)劃、糖鏈工程、代謝工程、自動(dòng)生化藥物篩選技術(shù)、后基因組計(jì)劃于人類蛋白質(zhì)組計(jì)劃、海洋生物技術(shù)、宇航生物技術(shù)、生化工程、下游工程或高效分離純化系統(tǒng)。4現(xiàn)代生物技術(shù)：農(nóng)業(yè)生物技術(shù)、家畜生物技術(shù)、食品生物技術(shù)、環(huán)保生物技術(shù)、能源生物技術(shù)、海洋生物技術(shù)、醫(yī)藥生物技術(shù)、生物制品技術(shù)。

5生物制品分類：按來(lái)源分（人源生物制品、動(dòng)物源生物制品、植物源生物制品、微生物源生物制品）按使用對(duì)象分（用于人的生物制品、用于家畜的生物制品、用于家禽的生物制品、用于作物的生物制品）按結(jié)構(gòu)與功能（疫苗類、抗體類、人血液代用品、重組細(xì)胞因子、反義寡核苷酸、重組激素類）。

6細(xì)胞因子：是人類或動(dòng)物的各類細(xì)胞分泌的具有度=多種生物活性的因子。它們是可溶性物質(zhì)，是一組不均一的蛋白質(zhì)分子，能調(diào)節(jié)細(xì)胞的生長(zhǎng)和分化。7干擾素：是一類重要的細(xì)胞因子，在同種細(xì)胞上具有光譜抗病毒、抗細(xì)胞分裂和免疫調(diào)節(jié)等多種生物學(xué)活性。

8白細(xì)胞介素：是淋巴因子家族的一類，分別有單核—巨噬細(xì)胞、淋巴細(xì)胞及其他多種細(xì)胞產(chǎn)生。白細(xì)胞介素能激活免疫活性細(xì)胞，使之增殖分化，介導(dǎo)細(xì)胞間的相互作用。免疫調(diào)節(jié)功能，增強(qiáng)抗體免疫力。

9白細(xì)胞介素—2：能使機(jī)體內(nèi)細(xì)胞毒性T淋巴細(xì)胞和自然殺傷細(xì)胞等增殖，具有殺傷和清除腫瘤細(xì)胞和病毒感染細(xì)胞的功能，在體內(nèi)是免疫監(jiān)視功能的基礎(chǔ)。10細(xì)胞工程和基因工程的應(yīng)用產(chǎn)生了兩種醫(yī)療技術(shù)：細(xì)胞移植和基因治療

11單抗最主要的特點(diǎn)是專一性和單克隆性，是針對(duì)一個(gè)抗原決定簇的、單一的、特異的、均質(zhì)的抗體。

12鹽析法：將硫酸銨或硫酸鈉等中性鹽加入到蛋白質(zhì)溶液中，破壞蛋白質(zhì)的膠體顆粒在溶液中的穩(wěn)定因素而使其沉淀的方法。13有機(jī)溶劑沉淀法：在蛋白質(zhì)溶液中，加入與水互溶的有機(jī)溶劑，能顯著的減小蛋白質(zhì)的溶解度而發(fā)生沉淀。

14選擇性沉淀法包括等電點(diǎn)沉淀法和選擇性沉淀法。15等電點(diǎn)沉淀法：對(duì)于兩性物質(zhì)，等電點(diǎn)時(shí)靜電荷為零，是穩(wěn)定的雙電層及水化膜變?nèi)趸蚱茐?，分子間排斥點(diǎn)位降低，吸引力增大，相互聚集產(chǎn)生沉淀。16變性沉淀：是根據(jù)各種蛋白質(zhì)在不同理化因子作用下穩(wěn)定性不同的原理，而常用于提取溶液中的雜蛋白，選擇性較強(qiáng)，方法簡(jiǎn)單，但使用和范圍較窄。17離子交換色譜：其原理是通過(guò)帶電的溶質(zhì)分子與離子交換劑中可交換的離子進(jìn)行交換，從而達(dá)到分離的目的。

18反向色譜：是利用溶質(zhì)分子中非極性基團(tuán)與非極性固定相之間相互作用的大小，以及溶質(zhì)分子中極性基團(tuán)與流動(dòng)相中極性分子之間在相反方向作用力大小的差異進(jìn)行分離的。

19疏水色譜：主要是利用蛋白質(zhì)表面上的疏水區(qū)域和介質(zhì)的疏水基團(tuán)之間的相互作用，無(wú)機(jī)鹽的存在能使相互作用力增強(qiáng)。20疫苗：是指用人工變異或從自然界篩選獲得的減毒物或無(wú)毒的、活的病原微生制成的制劑，或用理化方法將病原微生物殺死制備的生物制劑，用于人工自動(dòng)免疫以使人或動(dòng)物產(chǎn)生免疫力。

21減毒活性疫苗：是將微生物的自然強(qiáng)毒株通過(guò)物理的、化學(xué)的和生物學(xué)的方法，連續(xù)傳代，使其對(duì)宿主喪失致病力，或只引起亞臨床感染，但仍保持良好的免疫原性，遺傳特性，用這種毒株制備的疫苗叫做減毒活性疫苗。22基因工程疫苗：是指使用重組DNA技術(shù)克隆并表達(dá)保護(hù)性抗源基因，利用表達(dá)的抗原產(chǎn)物，或重組體本身制成的疫苗。23基因工程疫苗包括：基因工程亞單位疫苗、基因工程載體疫苗、基因缺失活疫苗、核算疫苗、蛋白質(zhì)工程疫苗。

24細(xì)菌性疫苗：由細(xì)菌、支原體、螺旋體等制成的疫苗。包括活菌疫苗、死菌疫苗、純化的多糖活蛋白質(zhì)成分苗。

25基因工程菌苗：指利用重組DNA技術(shù)研制的菌苗。包括保護(hù)性抗原基因在原核或真核細(xì)胞中表達(dá)的生物合成亞單位疫苗，以某些細(xì)菌為外源基因?yàn)檩d體的活載體苗和通過(guò)基因組突變、缺失或插入的基因缺失疫苗。26治療性疫苗：是指在已感染病原生物或患某些疾病的機(jī)體中，通過(guò)誘生機(jī)體的特異性或非特異性免疫應(yīng)答，以達(dá)到治療或防治疾病惡化的天然、人工修飾合成或用基因重組技術(shù)表達(dá)的產(chǎn)品或生物制品。

27補(bǔ)體系統(tǒng)是由一系列蛋白質(zhì)分子組成的，是機(jī)體的主要防御體系之一，在生物學(xué)反應(yīng)中，如吞噬、調(diào)理、趨化和細(xì)胞溶解等，都有重要作用。

1新型生物反應(yīng)器：①機(jī)械攪拌式生物反應(yīng)器②鼓泡式生物反應(yīng)器③氣升式生物反應(yīng)器④膜生物反應(yīng)器⑤固定床和流化床生物反應(yīng)器⑥自吸式生物反應(yīng)器。

2國(guó)外生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)：①現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)品銷售額增長(zhǎng)迅速②新醫(yī)藥是現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)的主題產(chǎn)品③農(nóng)業(yè)領(lǐng)域?qū)⑾破鹕锛夹g(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“第二個(gè)浪潮”④工業(yè)生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展成為“第三個(gè)浪潮”。3美國(guó)發(fā)展模式：①政府和私人對(duì)生物技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)持續(xù)的大量資金投入是至關(guān)重要的后盾②政府、大學(xué)和企業(yè)間的密切伙伴關(guān)系以及完善的技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)制是研究成果得以迅速商品化應(yīng)用的橋梁③學(xué)術(shù)界的敬業(yè)精神和企業(yè)界的創(chuàng)業(yè)精神是發(fā)展的動(dòng)力④日趨成熟的風(fēng)險(xiǎn)投資和股票市場(chǎng)是產(chǎn)業(yè)化的保障。4美國(guó)的發(fā)展特點(diǎn)：①把握前沿，高度重視基礎(chǔ)研究，特別是與生命科學(xué)相關(guān)的醫(yī)學(xué)生物學(xué)研究②創(chuàng)造良好的機(jī)制和環(huán)境③鼓勵(lì)形成集中區(qū)域和扎堆效應(yīng)。5我國(guó)發(fā)展優(yōu)勢(shì)：①政府高度重視②研究開(kāi)發(fā)條件明顯改善③人才和技術(shù)已有相當(dāng)?shù)馁A備④生物、遺傳資源豐富6我國(guó)發(fā)展的劣勢(shì)：①科技投入明顯不足②技術(shù)貯備相對(duì)不足，創(chuàng)新成果不多③科技體制尚不能適應(yīng)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的需要④發(fā)展高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的政策環(huán)境和機(jī)制尚不夠完善

7總體戰(zhàn)略目標(biāo)：①立足創(chuàng)新②需求牽引③集成應(yīng)用④重點(diǎn)突破 ⑤協(xié)調(diào)發(fā)展

8總體戰(zhàn)略目標(biāo)：努力提高生物技術(shù)在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中的貢獻(xiàn)率，增強(qiáng)我國(guó)生物技術(shù)的創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力。9原料的保存方法：①冷凍法②有機(jī)溶劑脫水法③防腐劑保鮮

10生物原料的預(yù)處理：①動(dòng)物原料 采集后要立即處理，去除結(jié)締組織、脂肪組織等，并迅速冷凍儲(chǔ)存；②植物原料 要擇時(shí)采集，并就地去除不用的部分，保鮮處理；③微生物原料 要及時(shí)將菌細(xì)胞與培養(yǎng)液分開(kāi)，并進(jìn)行保鮮處理。

11分離純化技術(shù)的要求：①技術(shù)條件要溫和，要抑制宿主細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中相應(yīng)的酶活性，防止其消化降解待提純產(chǎn)物，以保持目的產(chǎn)物的生物活性；②選擇性要好，優(yōu)化選擇與組合各種分離純化技術(shù)方法以達(dá)到較高的純化倍數(shù)③去除細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中非目標(biāo)產(chǎn)物成分，同時(shí)盡量保持交工的目標(biāo)產(chǎn)物成分的回收率；④要能直接銜接，不需要對(duì)物料加以處理或調(diào)整⑤整個(gè)分離純化過(guò)程要快，時(shí)間短，能夠滿足高生產(chǎn)率的要求⑥保持環(huán)境清潔，防止雜物污染。12蛋白質(zhì)分離純化方法：①鹽析和有機(jī)溶劑沉淀法②按分子大小分離方法（微濾、超濾）③選擇性沉淀④色譜法（離子交換色譜、凝膠過(guò)濾色譜）⑤電泳法 13含目的的產(chǎn)物的起始物料特點(diǎn)：①菌種類型及其代謝特性。包括菌種的各種生物學(xué)性質(zhì)、產(chǎn)物和副產(chǎn)物種類、代謝物種類，產(chǎn)物類似物、毒素和能降解產(chǎn)物的酶等；②原材料和培養(yǎng)基的來(lái)源及其質(zhì)量；③生產(chǎn)工藝和條件，包括滅菌方法和條件，生產(chǎn)方式，生產(chǎn)周期，生產(chǎn)能力，工藝控制條件、因素及方式等；④初始物料的生物、化學(xué)和生物學(xué)特性，包括產(chǎn)物濃度、主要雜質(zhì)種類和濃度、鹽的種類和濃度、溶解度、PH、黏度、流體力學(xué)性質(zhì)和熱力學(xué)性質(zhì)。

14色譜優(yōu)點(diǎn)：①分離效率高②選擇性強(qiáng)③過(guò)程自動(dòng)化操作④分離快速⑤使用范圍廣⑥高靈敏度的在線檢測(cè)

15人源性生物制品的特點(diǎn)：①效價(jià)高、療效可靠；②安全性好，不易產(chǎn)生副反應(yīng)；③穩(wěn)定性好；④資源有限，研究意義重大 16人源性生物制品的種類：①血液制品②尿液制品③胎盤制品④人體液細(xì)胞中的活性物質(zhì) 17尿液中的生物活性物質(zhì)：尿激酶、激肽釋放酶、尿抑胃素、人尿胰蛋白酶抑制劑、人絨毛膜促性腺激素、人尿中的其他活性物質(zhì)

18動(dòng)物源性生物制品特點(diǎn)：①原料來(lái)源豐富②制種類多③要重視安全性

19動(dòng)物源性生物制品：動(dòng)物血紅素、胰蛋白酶、胰酶、胰島素、胸腺肽、膽紅素、肝素、硫酸軟骨素、溶菌酶。

20菌苗存在問(wèn)題：①盡管疫苗免疫取得了巨大的成功，但小于5歲的嬰幼兒每年死于傳染病的數(shù)目仍很高②與病毒相比，基因工程細(xì)菌及細(xì)菌核酸苗報(bào)道明顯少。

21理想菌苗條件：①安全，不能有毒性②遺傳性狀穩(wěn)定，無(wú)致癌性，無(wú)致畸變或致流產(chǎn)性③結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單清楚，可生物降解，有生物相容性，與組織抗原無(wú)免疫學(xué)交叉反映④接受疫苗接種的各年齡組人群必須能夠很高比例的產(chǎn)生保護(hù)性免疫⑤多價(jià)，有更大的覆蓋面，最好一次性免疫⑥能口服，能有效誘導(dǎo)黏膜免疫⑦為大量人群應(yīng)用，疫苗必須廉價(jià)⑧易于生產(chǎn)，貯存及服務(wù)不需冷藏。

22預(yù)防性疫苗與治療新疫苗區(qū)別：①預(yù)防性疫苗的接種對(duì)象是健康群體，對(duì)易感人群均可適用，主要起免疫預(yù)防作用，安全可靠，治療性疫苗使用對(duì)象是感染者②治療性疫苗與預(yù)防性疫苗實(shí)用的目的不同，后者是為了防病，前者是為了治療或防止病情惡化③治療性疫苗應(yīng)用時(shí)必須考慮適應(yīng)癥與禁忌癥，也可根據(jù)需要進(jìn)行各種組合和調(diào)整。