第一篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)

電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)

主要課程:電子線路、計(jì)算機(jī)語言、微型計(jì)算機(jī)原理、電動(dòng)力學(xué)、量子力學(xué)、理論物理、固體物理、半導(dǎo)體物理、物理電子與電子學(xué)、微電子學(xué)等。

專業(yè)實(shí)驗(yàn):物理電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)、光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件與集成電路實(shí)驗(yàn)等.學(xué)制:4年.授予學(xué)位:工學(xué)學(xué)士.相近專業(yè):電子信息工程.就業(yè)方向:主要到該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、開發(fā)工作.就業(yè)形勢:根據(jù)有關(guān)資料統(tǒng)計(jì),近幾年該專業(yè)畢業(yè)生就業(yè)率在70%左右,重點(diǎn)名牌高校就業(yè)率在90%左右.根據(jù)對(duì)國內(nèi)外電子科學(xué)與技術(shù)行業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺(tái)灣地區(qū)的電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入上升軌道。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)開始煥發(fā)活力。中國“十一五”規(guī)劃的建議書將信息產(chǎn)業(yè)列入重點(diǎn)扶植產(chǎn)業(yè)之一，中國軍事和航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展也必然帶動(dòng)電子科學(xué)與技術(shù)行業(yè)的發(fā)展和內(nèi)需。中國電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)將有一個(gè)明顯的發(fā)展空間，高科技含量的自主研發(fā)的產(chǎn)品將進(jìn)入市場，形成自主研發(fā)和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業(yè)的分布和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)趨于合理，出口產(chǎn)品將穩(wěn)步增加；高技術(shù)含量產(chǎn)品將向民用化發(fā)展，必然促進(jìn)產(chǎn)品的內(nèi)需和產(chǎn)量。隨著社會(huì)需求會(huì)逐步擴(kuò)大，電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)總體就業(yè)前景看好。

畢業(yè)生面臨“再學(xué)習(xí)”過程

跟發(fā)達(dá)國家相比，我國目前在微電子領(lǐng)域的高等教育水平還比較低。清華大學(xué)微電子學(xué)研究所王志華教授在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，大學(xué)工科學(xué)科研究的重要目的是解決工業(yè)界期望解決而沒有解決（至少是沒有解決好）的科學(xué)和技術(shù)問題，這就是工科領(lǐng)域的創(chuàng)新。因此，大學(xué)中工科學(xué)科的研究水平一定與所在國家相關(guān)工業(yè)的發(fā)展水平密切相關(guān)。如果國家相關(guān)工業(yè)水平在世界上處于落后地位，相關(guān)工程學(xué)科的研究水平整體上不可能領(lǐng)先世界，即便能取得一些世界領(lǐng)先的成果，也一定是鳳毛麟角。與此相關(guān)的是，高水平工程技術(shù)的人才培養(yǎng)，與受教育者在大學(xué)中研究經(jīng)驗(yàn)的積累密切相關(guān)，在工業(yè)落后的情況下，高等工程教育的整體水平不可能領(lǐng)先世界。我國微電子產(chǎn)業(yè)與教育的現(xiàn)狀和趨勢恰好印證了王教授的這個(gè)觀點(diǎn)。

在看清楚差距之后，加大對(duì)高校微電子專業(yè)科研的投入就顯得尤為必要，因?yàn)楦咚刭|(zhì)的人才一定是通過科研實(shí)踐活動(dòng)培養(yǎng)出來的。“這必須是國家行為?！蓖踔救A教授強(qiáng)調(diào)說，“高校的科研不應(yīng)該是與企業(yè)競爭，大學(xué)從事的創(chuàng)新性研究可能會(huì)面對(duì)失敗，高水平人才的培養(yǎng)過程中也常常要面臨各種形式的失敗，但這種失敗所付出的社會(huì)成本比在企業(yè)中失敗要小得多，這是對(duì)全社會(huì)都有利的；當(dāng)然，高等院校在國家支持下所取得的科研成果應(yīng)該由全社會(huì)分享?！?/p>

在王志華教授看來，高等院校在工科技術(shù)人才培養(yǎng)方面至少應(yīng)該做好兩件事，第一是基礎(chǔ)學(xué)科的教育，包括基本的數(shù)學(xué)知識(shí)、物理知識(shí)和工程知識(shí)等；第二是盡可能地為學(xué)生提供全面的工程訓(xùn)練。對(duì)于研究型大學(xué)，還要培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新能力?！翱陀^地講，要完全達(dá)到上述目標(biāo)難度非常大?！蓖踅淌诼詭нz憾地說。中國高校的招生規(guī)模已經(jīng)從1977年恢復(fù)高考時(shí)的27萬人擴(kuò)大到2008年的近600萬人，對(duì)于高校本科畢業(yè)生而言，中國的高等教育已經(jīng)不再是當(dāng)年的精英教育，高校所培養(yǎng)的是一般意義上的勞動(dòng)者，他們?cè)诖髮W(xué)里掌握的是從事各種工作所需要的基本技能、繼續(xù)學(xué)習(xí)所需要基礎(chǔ)知識(shí)及思維方法。王教授認(rèn)為，作為教學(xué)機(jī)構(gòu)，高等院校不可能為各家企業(yè)量身定制他們所需的人才，因此，即便是具有很強(qiáng)專業(yè)技能的碩士畢業(yè)生，在其進(jìn)入企業(yè)以后也將經(jīng)歷一個(gè)“再學(xué)習(xí)”的過程，這個(gè)任務(wù)，客觀上需要企業(yè)自己完成。

電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)

本專業(yè)培養(yǎng)系統(tǒng)地掌握電子信息科學(xué)與技術(shù)的基本理論、基本知識(shí)和基本技能，受到良好的現(xiàn)代化電子信息系統(tǒng)方面的科學(xué)研究訓(xùn)練的高級(jí)專門人才.主要課程設(shè)置：

電子科學(xué)與技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、電子技術(shù)基礎(chǔ)、數(shù)字系統(tǒng)與邏輯設(shè)計(jì)、微機(jī)原理與應(yīng)用、信號(hào)與系統(tǒng)、信息理論與編碼、電磁場與電磁波、通信原理、信息處理技術(shù)及其應(yīng)用。

本專業(yè)畢業(yè)生能夠在電子信息科學(xué)技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)及相關(guān)領(lǐng)域和行業(yè)，從事研究、教學(xué)、科技開發(fā)、工程設(shè)計(jì)和管理工作。

學(xué)習(xí)這個(gè)專業(yè)的基本要求：

1.具有較扎實(shí)的數(shù)理基礎(chǔ)；

2.掌握電子學(xué)、信息科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)等的基本理論、基本方法和技能；

3.具有在信息的獲取、傳遞、處理及應(yīng)用等方面從事理論研究和解決實(shí)際問題的能力；

4.了解電子信息學(xué)科的理論前沿、應(yīng)用前景和最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，以及電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r；

5.掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢以及應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)獲取相關(guān)信息的基本方法；

6.具有良好的口頭和書面表達(dá)能力，以及較強(qiáng)撰寫科學(xué)論文的能力，并能熟練運(yùn)用一門外語進(jìn)行溝通和交流；

7.具有良好的人文素養(yǎng)和科學(xué)素養(yǎng)、較好的心理素質(zhì)、較強(qiáng)的創(chuàng)新精神。主干學(xué)科：電子科學(xué)與技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)。

主要課程：

高等數(shù)學(xué)、工程數(shù)學(xué)、大學(xué)物理、C語言程序設(shè)計(jì)、電路理論、模擬電子技術(shù)、數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)、信號(hào)與系統(tǒng)、微機(jī)原理、單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)、通信電子線路、數(shù)字信號(hào)處理、信息論與編碼、通信原理、可編程器件原理、DSP技術(shù)與應(yīng)用、數(shù)字語音處理、數(shù)字圖象處理等。

主要專業(yè)實(shí)驗(yàn)：

物理實(shí)驗(yàn)、電子線路實(shí)驗(yàn)、數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)等。

就業(yè)單位：

國有企業(yè)、民營及私營企業(yè)，IT企業(yè)，信息與計(jì)算科學(xué)專業(yè)的畢業(yè)生進(jìn)入IT企業(yè)是一個(gè)重要的就業(yè)方向，它們可以在這些企業(yè)非常高效的從事計(jì)算機(jī)軟件開發(fā)、信息安全與網(wǎng)絡(luò)安全等工作。信息產(chǎn)業(yè)對(duì)人才的需求首先是基本的“技能”，包括計(jì)算機(jī)編程的基本能力，要求具有良好的數(shù)據(jù)庫和計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的知識(shí)和使用技能，熟悉基本的軟件開發(fā)平臺(tái)。由于信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“應(yīng)用”為主流的時(shí)代，高水平的從業(yè)人員不僅要掌握基本的“技能”，關(guān)鍵還要具備將實(shí)際問題提煉為計(jì)算問題以及求解該問題的能力，這正是信息與計(jì)算科學(xué)專業(yè)學(xué)生的優(yōu)勢所在，也是近幾年來國內(nèi)大型IT企業(yè)“搶購”知名高校計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)畢業(yè)生的原因所在。

電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)就業(yè)前景 專業(yè)就業(yè)前景：這一行業(yè)的前景是十分廣闊的，將來的分工也會(huì)越來越細(xì)，未來中國需要大量這方面的專業(yè)人員。目前不僅沒有飽和，而且需求會(huì)越來越大。不過要有真本事，將來的競爭肯定也會(huì)越來越激烈。

主要到應(yīng)用光學(xué)、光電子學(xué)及相關(guān)的電子信息科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)等領(lǐng)域(特別是光機(jī)電算一體化產(chǎn)業(yè))從事科學(xué)研究、教學(xué)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、生產(chǎn)技術(shù)或管理工作。

隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)廣泛深入地應(yīng)用于人類社會(huì)生活，以及全球信息產(chǎn)業(yè)的迅速崛起，二十一世紀(jì)的中國將向知識(shí)經(jīng)濟(jì)時(shí)代邁進(jìn)，教育、科研、社會(huì)、經(jīng)濟(jì)等各個(gè)領(lǐng)域需要越來越多的信息與計(jì)算科學(xué)的人才，信息與計(jì)算科學(xué)的研究和應(yīng)用將邁向更深入和更廣泛的領(lǐng)域?？梢灶A(yù)計(jì)，信息科學(xué)與技術(shù)在今后較長時(shí)間里仍然是極具生命力的領(lǐng)域。畢業(yè)生就業(yè)面寬，適應(yīng)能力強(qiáng)，適宜到科技、教育、經(jīng)濟(jì)和管理部門從事科研、開發(fā)、管理及教學(xué)工作，特別是與數(shù)學(xué)、計(jì)算機(jī)應(yīng)用和經(jīng)濟(jì)管理相關(guān)的工作，可以繼續(xù)攻讀數(shù)學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、經(jīng)濟(jì)管理和一些相關(guān)學(xué)科的碩士學(xué)位研究生。

三、基本要求

本專業(yè)主要學(xué)習(xí)電子信息科學(xué)的基本理論、基本方法、基本知識(shí)，掌握扎實(shí)的電子技術(shù)與信息理論基礎(chǔ)，具備在電子信息及相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)從事科學(xué)研究、應(yīng)用開發(fā)的能力。畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識(shí)和能力： 1.掌握較扎實(shí)的數(shù)學(xué)、物理等自然科學(xué)和一定的社會(huì)科學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)，具有較強(qiáng)的運(yùn)用外語的能力；

2.較系統(tǒng)地掌握本專業(yè)所必需的電子技術(shù)信息的基本理論與技能；

3.能熟練使用計(jì)算機(jī)（包括常用語言、工具及一些專用軟件）進(jìn)行信息處理，具有基本的算法分析、設(shè)計(jì)能力和較強(qiáng)的編程能力；

4.掌握必要的相關(guān)學(xué)科和相關(guān)專業(yè)的知識(shí)，包括智能信息處理、文字語音視覺圖象處理、光電信息處理等領(lǐng)域的基本知識(shí)；

5.掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢的基本方法，具有較強(qiáng)的分析、解決實(shí)際問題的能力和從事科研的初步能力。

預(yù)言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢

第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。

回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺(tái)積電這個(gè)純晶圓代工廠的成立，宣告著半導(dǎo)體制造業(yè)開始從西方向東方遷移；90年代初，三星成為全球最大的DRAM廠商，隨后，再成為全球閃存的最大廠商；90年代中，臺(tái)灣智原、聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠等一批IC公司從聯(lián)電分離出來，吹響了東方IC公司挑戰(zhàn)西方IC公司的號(hào)角；進(jìn)入21世紀(jì)，中芯國際帶動(dòng)中國大陸代工業(yè)成長起來，成為另一個(gè)制造中心，并且也帶動(dòng)了中國IC設(shè)計(jì)業(yè)的成長；最后，德州儀器、飛思卡爾、英飛凌、LSI以及ADI等眾多傳統(tǒng)的IDM廠商轉(zhuǎn)向輕資產(chǎn)模式，放棄獨(dú)自建造45nm工廠，而分別與臺(tái)積電、特許和聯(lián)電等合作研制，2008年，在集成電路誕生50周年的這一年，這些傳統(tǒng)IDM公司的45nm產(chǎn)品都將亮相，但是，不是在這些IDM自己的工廠生產(chǎn)，而是在以上亞洲的代工廠里生產(chǎn)。

90nm是一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，當(dāng)臺(tái)積電等代工廠突破了這個(gè)節(jié)點(diǎn)后，它們已將先進(jìn)工藝的大旗從IDM手中接了過來，未來，臺(tái)灣晶圓代工廠在半導(dǎo)體工藝技術(shù)上將領(lǐng)先全球，并且成為全球IC產(chǎn)量最大的基地。雖然英特爾仍主宰著PC產(chǎn)業(yè)，并繼續(xù)IDM模式和領(lǐng)導(dǎo)最先進(jìn)的工藝，但是，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)力已由PC轉(zhuǎn)向消費(fèi)電子。展望未來，不論是在應(yīng)用推動(dòng)還是在技術(shù)創(chuàng)新上東方都將取代西方成為產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)著。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將演義30年河“西”，30年河“東”的歷史大戲。

第二大趨勢：有更多的私募基金加入半導(dǎo)體行業(yè)，且IC公司之間的整合加速。

半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)越來越遵循大者恒大的定律。恩智浦半導(dǎo)體大中華區(qū)區(qū)域執(zhí)行官葉昱良指出：“私募基金加入半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)趨勢，這個(gè)趨勢源起于IC公司會(huì)有愈來愈多的整合需求，基于大者恒大的定論，在IC產(chǎn)業(yè)通常也只有前5強(qiáng)才能生存?！?在大者恒大定律的驅(qū)動(dòng)下，會(huì)有更多半導(dǎo)體公司的整合。其中最值得期待的是中國臺(tái)灣與大陸半導(dǎo)體公司之間的整合。義隆電子董事長葉儀晧指出：“因臺(tái)灣沒有具經(jīng)濟(jì)規(guī)模的市場，故不易培養(yǎng)出可以主導(dǎo)新應(yīng)用的產(chǎn)品規(guī)格的大型OEM，而沒有這些有品牌的系統(tǒng)廠商配合時(shí)，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司新產(chǎn)品開發(fā)的策略，很自然地大多以跟隨者為主。但中國大陸擁有廣大的市場及具規(guī)模的系統(tǒng)廠商，所以臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司與大陸市場及系統(tǒng)公司合作是未來的趨勢?！?促成更多半導(dǎo)體公司整合的另一個(gè)重要原因是IP需求，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端SoC發(fā)展，對(duì)IP的需求巨增。但是，對(duì)于IP的獲得卻會(huì)越來越難。一些擁有豐富IP的半導(dǎo)體廠商并不希望將IP授權(quán)出去，正如NXP的葉昱良表示：“事實(shí)上，一個(gè)公司光靠授權(quán)IP是很難長期發(fā)展的，所以我們的策略是如何加快我們自己的SoC研發(fā)，并且更加靈活的和partner合作。我們擁有大量優(yōu)秀的IP，我們的挑戰(zhàn)就是如何將這些IP最快地轉(zhuǎn)化為IC?！保▽?duì)于ARM來說可能是例外，ARM是只靠授權(quán)獲取利潤獲得很好發(fā)展的公司）

因此，中小歐美半導(dǎo)體廠商之間整合也會(huì)越來越頻繁。希圖視鼎總裁兼CEO劉錦湘分析道：“和10年前相比，硅谷的公司生態(tài)環(huán)境發(fā)生了很大變化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面臨嚴(yán)重的生存危機(jī)。公司規(guī)模越來越大，但公司數(shù)量越來越少，每一個(gè)市場最終生存下來不會(huì)超過三個(gè)公司。”

第三大趨勢：歐美廠商不再輕易放棄低利潤市場。

未來10年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)逐漸成為一個(gè)成熟的產(chǎn)業(yè)，一個(gè)微利的產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增長率會(huì)從兩位數(shù)降到單位數(shù)，IC總產(chǎn)量和總銷售額會(huì)繼續(xù)增加，但利潤率會(huì)下降。

在利潤率逐漸下降的趨勢下，歐美半導(dǎo)體廠商不再輕易放棄低利潤的市場。義隆電子董事長葉儀晧說道：“以前歐美日大廠IC的毛利率如果低45%時(shí)，他們通常會(huì)放棄而漸由臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司取代，他們會(huì)轉(zhuǎn)移到更高毛利的新興應(yīng)用市場上。但這幾年殺手級(jí)的產(chǎn)品并不多，那些大廠不再輕易放棄，且會(huì)進(jìn)行各種Cost Down規(guī)劃，以維持市占率及產(chǎn)品的毛利率，讓臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司的競爭愈來愈辛苦。

未來，隨著亞洲成為全球的應(yīng)用創(chuàng)新與消費(fèi)中心，歐美廠商在該市場將與中國大陸和臺(tái)灣的眾多IC公司爭奪一些關(guān)鍵領(lǐng)域，而利潤會(huì)越來越低。最典型的將是移動(dòng)多媒體處理器，也稱為應(yīng)用處理器。此外，模擬IC的利潤也會(huì)越來越低。圣邦微電子總裁張世龍表示：“在模擬IC領(lǐng)域，相對(duì)技術(shù)門檻正在逐年降低。越來越多的臺(tái)灣和大陸公司開始涉足這一領(lǐng)域。隨著模擬器件市場競爭越來越激烈，傳統(tǒng)歐美公司在模擬器件市場上越來越難以維持其競爭力，只能向更高的系統(tǒng)集成度發(fā)展?！?/p>

第四大趨勢：分久必合，合久必分。

在2000年前后，眾多的半導(dǎo)體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨(dú)立半導(dǎo)體公司活得并不如預(yù)期的好，其中不少是連續(xù)多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產(chǎn)品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術(shù)積累與IP積累，但分離出來后，他們?nèi)試?yán)重依賴每公司，在開拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實(shí)，最重要的是，由于SoC向高系統(tǒng)集成發(fā)展，在開發(fā)大規(guī)模的LSI時(shí)，仍需要IC公司與OEM的緊密合作。

瑞薩半導(dǎo)體管理(中國)有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發(fā)大規(guī)模LSI方面，我們認(rèn)為與大型OEM和服務(wù)商合作是一個(gè)方向?！比鹚_在開發(fā)3G手機(jī)芯片時(shí)就是與六家公司聯(lián)合開發(fā)的，包括日本最大的電信運(yùn)營商N(yùn)TT Docomo和幾家手機(jī)制造商。很明顯，聯(lián)合開發(fā)將帶來IP、開發(fā)成本以及開發(fā)時(shí)間的優(yōu)勢?！澳壳鞍雽?dǎo)體制造商難以獨(dú)自開發(fā)領(lǐng)先的技術(shù)。我們必須利用過去的研發(fā)資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關(guān)系?！?/p>

因此，展望未來，大型半導(dǎo)體廠商與OEM會(huì)再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠(yuǎn)古的名言，用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再合適不過。

今年是“十二五”開局之年，也是集成電路產(chǎn)業(yè)迎來新一輪發(fā)展的大好時(shí)機(jī)，2010年10月十七屆五中全會(huì)的決議，把新一代新意技術(shù)列為七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之首，明確指出要增強(qiáng)科技創(chuàng)新能力，在核心電子器件等集成電路細(xì)分領(lǐng)域攻克一批核心關(guān)鍵技術(shù)。今年1月12日，國務(wù)院召開的常務(wù)會(huì)議研究部署進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策措施，會(huì)議指出，軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)信息化的重要基礎(chǔ)，這一切充分體現(xiàn)了國家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度重視，而且繼續(xù)給予大力支持。集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略基礎(chǔ)地位和國家的高度重視，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造了良好的發(fā)展環(huán)境，我們行業(yè)同仁們受到了極大的鼓舞。

回首新舊世紀(jì)之交，國務(wù)院18號(hào)文的頒布，開辟了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新歷程，迎來了產(chǎn)業(yè)歷史上最好的十年的發(fā)展時(shí)期，這期間所取得的成就為產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展奠定了難能可貴的基礎(chǔ)。產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)銷售收入從2000年僅僅186億元到2005年為700億元，到2010年現(xiàn)在根據(jù)預(yù)估有望實(shí)現(xiàn)同比增長28%以上，銷售收入超過1400億元。同時(shí)，技術(shù)創(chuàng)新取得進(jìn)展，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改善，企業(yè)在國際競爭中迅速成長，以集成電路企業(yè)為例，2009年大家知道全球金融危機(jī)，全球集成電路產(chǎn)業(yè)由此深度下滑，但是在這種情況下，我們的設(shè)計(jì)業(yè)實(shí)現(xiàn)了近15%的正增長，09年銷售收入過億元的設(shè)計(jì)企業(yè)有40家，最高的達(dá)到41億元。剛過去的2010年，設(shè)計(jì)業(yè)又實(shí)現(xiàn)大幅度增長，過億元的企業(yè)數(shù)量和整個(gè)設(shè)計(jì)業(yè)的銷售額還將進(jìn)一步大幅度增加，各種跡象表明我國集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在經(jīng)歷了成功與挫折，磨難與考驗(yàn)之后，正在進(jìn)入快速發(fā)展階段，他們所積累聚集的能量正在迸發(fā)出來，我們完全有信心期待更好的發(fā)展前景，我們也完全有信息期待更多的公司在眾多產(chǎn)品的工藝技術(shù)領(lǐng)域有更好的發(fā)展前景。

第二篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)

《半導(dǎo)體照明技術(shù)及其應(yīng)用》課程教學(xué)大綱

（秋季）

一、課程名稱：半導(dǎo)體照明技術(shù)及其應(yīng)用Semiconductor Lighting Technology and Applications

二、課程編碼：

三、學(xué)時(shí)與學(xué)分：32/2

四、先修課程: 微積分、大學(xué)物理、固體物理、半導(dǎo)體物理、微電子器件與IC設(shè)計(jì)

五、課程教學(xué)目標(biāo)：

半導(dǎo)體照明是指用全固態(tài)發(fā)光器件LED作為光源的照明，具有高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、易維護(hù)等顯著特點(diǎn)，是近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)領(lǐng)域之一，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命。本課程注重理論的系統(tǒng)性﹑結(jié)構(gòu)的科學(xué)性和內(nèi)容的實(shí)用性，在重點(diǎn)講解發(fā)光二極管的材料、機(jī)理及其制造技術(shù)后，詳細(xì)介紹器件的光電參數(shù)測試方法，器件的可靠性分析、驅(qū)動(dòng)和控制方法，以及各種半導(dǎo)體照明的應(yīng)用技術(shù)，使學(xué)生學(xué)完本課程以后，能對(duì)半導(dǎo)體照明有深入而全面的理解。六﹑適用學(xué)科專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)

七、基本教學(xué)內(nèi)容與學(xué)時(shí)安排： 緒論（1學(xué)時(shí)）

半導(dǎo)體照明簡介、學(xué)習(xí)本課程的目的及要求 第一章 光 視覺 顏色（2學(xué)時(shí)）光的本質(zhì) 光的產(chǎn)生和傳播 3 人眼的光譜靈敏度 4 光度學(xué)及其測量 5 作為光學(xué)系統(tǒng)的人眼 6 視覺的特征與功能 7 顏色的性質(zhì) 國際照明委員會(huì)色度學(xué)系統(tǒng) 9 色度學(xué)及其測量 第二章 光源（1學(xué)時(shí)）太陽 月亮和行星 人工光源的發(fā)明與發(fā)展 4 白熾燈 5 鹵鎢燈 6 熒光燈 7 低壓鈉燈 高壓放電燈 9 無電極放電燈 10 發(fā)光二極管 11 照明的經(jīng)濟(jì)核算

第三章 半導(dǎo)體發(fā)光材料晶體導(dǎo)論（2學(xué)時(shí)）

1晶體結(jié)構(gòu)

2能帶結(jié)構(gòu)

3半導(dǎo)體晶體材料的電學(xué)性質(zhì)

4半導(dǎo)體發(fā)光材料的條件

第四章 半導(dǎo)體的激發(fā)與發(fā)光（1學(xué)時(shí)）PN結(jié)及其特性 2 注入載流子的復(fù)合 輻射與非輻射復(fù)合之間的競爭 4 異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子阱

第五章 半導(dǎo)體發(fā)光材料體系（2學(xué)時(shí)）砷化鎵 2 磷化鎵 3 磷砷化鎵 4 鎵鋁砷 5 鋁鎵銦磷 6 銦鎵氮

第六章 半導(dǎo)體照明光源的發(fā)展和特征參量（1學(xué)時(shí)）發(fā)光二極管的發(fā)展 發(fā)光二極管材料生長方法 3 高亮度發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu) 4 照明用LED的特征參數(shù)和要求

第七章 磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長（3學(xué)時(shí)）磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）2 氫化物外延體系的熱力學(xué)分析 3 液相外延原理 4 磷化鎵的液相外延 5 鎵鋁砷的液相外延

第八章 鋁鎵銦磷發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）AlGaInP金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積通論 2 外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題 3 電流擴(kuò)展 4 電流阻擋結(jié)構(gòu) 5 光的取出 6 芯片制造技術(shù) 器件特性

第九章 銦鎵氮發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）GaN生長 2 InGaN生長 3 InGaN LED

4提高質(zhì)量和降低成本的幾個(gè)重要技術(shù)問題 第十章 LED芯片制造技術(shù)（3學(xué)時(shí)）

1光刻技術(shù)

2氮化硅生長

3擴(kuò)散

4歐姆接觸電極 5 ITO透明電極 6

表面粗化 7

光子晶體

8激光剝離（Laser Lift off，LLO）9

倒裝芯片技術(shù) 垂直結(jié)構(gòu)芯片技術(shù) 11 芯片的切割 LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展

第十一章 白光發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）

1新世紀(jì)光源的研制目標(biāo) 2

人造白光的最佳化 3

熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED 4

多芯片白光LED 第十二章 LED封裝技術(shù)（3學(xué)時(shí)）LED器件的設(shè)計(jì) 2 LED封裝技術(shù)

第十三章 發(fā)光二極管的測試及可靠性（2學(xué)時(shí)）

發(fā)光器件的效率 2

電學(xué)參數(shù)

3光電特性參數(shù)——光電響應(yīng)特性 4

光度學(xué)參數(shù)

5色度學(xué)參數(shù)

6熱學(xué)參數(shù)（結(jié)溫、熱阻）7

靜電耐受性 8 LED可靠性概念 9 LED的失效分析 10 可靠性試驗(yàn) 11 壽命試驗(yàn) 可靠性篩選 例行試驗(yàn)和鑒定驗(yàn)收試驗(yàn)

第十四章 有機(jī)發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）OLED

4有機(jī)發(fā)光 5

6白光OLED發(fā)展趨勢和實(shí)用化預(yù)測

第十五章 半導(dǎo)體照明驅(qū)動(dòng)和控制（2學(xué)時(shí)）LED驅(qū)動(dòng)技術(shù) 2 LED驅(qū)動(dòng)器 LED集成驅(qū)動(dòng)電路 4

控制技術(shù)

第十六章 半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)、市場現(xiàn)狀和展望（1學(xué)時(shí)）

1半導(dǎo)體照明應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)原則 2 LED顯示屏

3交通信號(hào)燈

4景觀照明

5手機(jī)應(yīng)用 6

汽車用燈 LCD顯示背光源 8

微型投影機(jī) 9

通用照明 光源效率和照明系統(tǒng)整體效率 11 LED外延 12 LED芯片技術(shù) 13 LED封裝技術(shù) LED發(fā)光效率的發(fā)展 15 市場現(xiàn)狀和預(yù)測 16 半導(dǎo)體照明發(fā)展目標(biāo) 八﹑教材及參考書

方志烈編著，《半導(dǎo)體照明技術(shù)》，電子工業(yè)出版社，2009

九、參考書

1、史光國編著，《半導(dǎo)體發(fā)光二極管及固體照明》，科學(xué)出版社，2007

2、陳元燈編著，《LED制造技術(shù)與應(yīng)用》，電子工業(yè)出版社，2009

3、肖志國編著，《半導(dǎo)體照明發(fā)光材料及應(yīng)用》，工學(xué)工業(yè)出版社，2008

4、毛興武等編著，《新一代綠色光源LED及其應(yīng)用技術(shù)》，人民郵電出版社，2008

十、考核方式：開卷考試

第三篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)描述

電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)描述

首發(fā)外貿(mào)

電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)描述

本專業(yè)培養(yǎng)具備物理電子、光電子與微電子學(xué)領(lǐng)域內(nèi)寬廣理論基礎(chǔ)、實(shí)驗(yàn)?zāi)芰蛯I(yè)知識(shí)，能在該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路、乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、開發(fā)等方面工作的高級(jí)工程技術(shù)人才。業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求：本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)數(shù)學(xué)、物理、物理電子、光電子、微電子學(xué)領(lǐng)域的基本理論和基本知識(shí)，受到相關(guān)的信息電子實(shí)驗(yàn)技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)等方面的基本訓(xùn)練，掌握各種電子材料、工藝、零件及系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、研究與開發(fā)的基本

能力。畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識(shí)和能力： 1．具有堅(jiān)實(shí)的自然科學(xué)基礎(chǔ)，較好的人文社會(huì)科學(xué)基礎(chǔ)，并熟練掌握一門外語； 2．系統(tǒng)地掌握本專業(yè)領(lǐng)域必需的較寬的技術(shù)基礎(chǔ)理論； 3．具有較強(qiáng)的本專業(yè)領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)?zāi)芰Γ?jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)與測試能力和工程實(shí)踐能力； 4．了解本專業(yè)領(lǐng)域的理論前沿和發(fā)展動(dòng)態(tài)； 5．掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢的基本方法，具有一定的科學(xué)研究和實(shí)際工作能力。

主干課程

電子科學(xué)與技術(shù)主要課程：電子線路、計(jì)算機(jī)語言、微型計(jì)算機(jī)原理、電動(dòng)力學(xué)、量子力學(xué)、理論物理、固體物理、半導(dǎo)體物理、物理電子與電子學(xué)以及微電子學(xué)等方面的專業(yè)課程。主要實(shí)踐性教學(xué)環(huán)節(jié)：包括電子工藝實(shí)習(xí)、電子線路實(shí)驗(yàn)、計(jì)算機(jī)語言和算法實(shí)踐、課程設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)習(xí)、畢業(yè)設(shè)計(jì)等。一般安排20周。

修業(yè)年限

：四年

授予學(xué)位

：工學(xué)學(xué)士

相近專業(yè)

：微電子學(xué) 自動(dòng)化 電子信息工程 通信工程 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù) 電子科學(xué)與技術(shù) 生物醫(yī)學(xué)工程 電氣工程與自動(dòng)化 信息工程 信息科學(xué)技術(shù) 軟件工程 影視藝術(shù)技術(shù) 絡(luò)工程 信息顯示與光電技術(shù) 集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng) 光電信息工程 廣播電視工程 電氣信息工程 計(jì)算機(jī)軟件 電力工程與管理 智能科學(xué)與技術(shù) 數(shù)字媒體藝術(shù) 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù) 探測制導(dǎo)與控制技術(shù) 電氣工程及其自動(dòng)化 數(shù)字媒體技術(shù) 信息與通信工程 建筑電氣與智能化 電磁場與無線技術(shù) 首發(fā)外貿(mào)

第四篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè) 問卷調(diào)查

問卷調(diào)查

你好，我們是的學(xué)生，耽誤你幾分鐘，做一份關(guān)于我們專業(yè)的調(diào)查報(bào)告，在此承諾對(duì)于你的答案我們會(huì)做好保密工作，謝謝你的配合。

1.您的性別是？（）

A.男B.女

2.您現(xiàn)在是？（）

A.已畢業(yè)工作的大學(xué)生B.正在工作的大學(xué)生

C.高中畢業(yè)或仍在高中學(xué)習(xí)的準(zhǔn)大學(xué)生

3.您學(xué)的（想學(xué)的）專業(yè)是？（）

A.理工科方面的B.商業(yè)方面的C.傳媒新聞方面的D.醫(yī)學(xué)方面的E.創(chuàng)意方面的F.其它方面

4.您對(duì)您所學(xué)（將學(xué)）的專業(yè)的未來信心如何？（）

A.很有信心，覺得自己一定可以在該專業(yè)領(lǐng)域取得成就

B.不看好，可以以后會(huì)從事其它工作。

C.順其自然，畢業(yè)后能找到專業(yè)工作就找專業(yè)工作，找不到不在乎快專業(yè)。

電子科學(xué)與技術(shù)是以電子器件及其系統(tǒng)應(yīng)用為核心，重視器件與系統(tǒng)的交叉與融合，面向微電子、光電子、光通信、高清晰度顯示產(chǎn)業(yè)等國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展需求，培養(yǎng)在通信、電子系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制、電子材料與器件等領(lǐng)域具有寬廣的適應(yīng)能力、扎實(shí)的理論基礎(chǔ)、系統(tǒng)的專業(yè)知識(shí)、較強(qiáng)的實(shí)踐能力、具備創(chuàng)新意識(shí)的高級(jí)技術(shù)人才和管理人才，并掌握一定的人文社會(huì)科學(xué)及經(jīng)濟(jì)管理方面的基礎(chǔ)知識(shí)，能從事這些領(lǐng)域的科學(xué)研究、工程設(shè)計(jì)及技術(shù)開發(fā)等方面工作。

5.你對(duì)電子科學(xué)技術(shù)有一定了解么？（）

A.不是很了解B.有一定的了解C.很是了解

6.你身邊是否有人從事通信或者電子產(chǎn)業(yè)的工作？（）A有B沒有

7.他們反響如何？（接上題，如果上題選B此題可以不解答）（）A就業(yè)情況良好，薪水也較可觀

B就業(yè)前景一般，薪水方面也一般。

C就業(yè)前景堪憂，推薦換份新專業(yè)或工作。

8.你認(rèn)為如今的電子產(chǎn)品吸引顧客的方面是？（多選）（）A外觀B功能C品牌D價(jià)格E售后服務(wù)F輔助功能 G其他

9.電子科學(xué)領(lǐng)域畢業(yè)，你認(rèn)為在當(dāng)下從事哪項(xiàng)工作會(huì)更有希望成功？（）A電子工程師 B軟件工程師C項(xiàng)目主管D質(zhì)量管理 E銷售

10.你認(rèn)為發(fā)展該專業(yè)需要哪些必備的能力？（）

A 表達(dá)溝通技巧B英語水平C物理數(shù)學(xué)能力D動(dòng)手能力 E創(chuàng)新能力 F邏輯能力 G其它能力

謝謝你的配合，祝你生活愉快！

第五篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)外語翻譯

Figure 1-1】圖1－1 給出了在三種材料中一些重要材料相關(guān)的電阻值（相應(yīng)電導(dǎo)率ρ≡1/δ)。

However】然而鍺不太適合在很多方面應(yīng)用因?yàn)闇囟冗m當(dāng)提高后鍺器件會(huì)產(chǎn)生高的漏電流。

For a given】對(duì)于給定的半導(dǎo)體，存在代表整個(gè)晶格的晶胞，通過在晶體中重復(fù)晶胞組成晶格。

This structure】這種結(jié)構(gòu)也屬于金剛石結(jié)構(gòu)并且視為兩個(gè)互相貫穿的fcc亞點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)具有一個(gè)可以從其它沿立方對(duì)角線距離的四分之一處移動(dòng)的子晶格（位移 /4）

Most of】多數(shù)Ⅲ-Ⅴ 半導(dǎo)體化合物具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它與金剛石有相同結(jié)構(gòu)除了一個(gè)有Ⅲ 族Ga原子的fcc子晶格結(jié)構(gòu)和有 Ⅴ族As原子的另一個(gè)。

.For example】例如，孤立氫原子的能級(jí)可由玻爾模型得出：式中m0 代表自由電子質(zhì)量, q是電荷量,ε0是真空中電導(dǎo)率, h 是普朗克常數(shù)，n 是正整數(shù)稱為主量子數(shù)。

Further decrease】空間更多減少將導(dǎo)致能帶從不連續(xù)能級(jí)失去其特性并合并起來，產(chǎn)生一個(gè)簡單的帶。

As shown】如圖1－4（a）能帶圖所示，有一個(gè)大帶隙。注意到所有的價(jià)帶都被電子充滿而導(dǎo)帶中能級(jí)是空的As a consequence】結(jié)果，半滿帶的最上層電子以及價(jià)帶頂部電子在獲得動(dòng)能（外加電場）時(shí)可以運(yùn)動(dòng)到與其相應(yīng)的較高能級(jí)上

At room】在室溫和標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，帶隙值硅（1.12ev）砷化鎵（1.42ev）在0 K帶隙研究值硅（1.17ev）砷化鎵（1.52ev）

Thus】于是，導(dǎo)帶的電子密度等于把N(E)F(E)dE從導(dǎo)帶底Ec（為 簡化起見設(shè)為0）積分到導(dǎo)帶頂Etop

Figure 1-5】圖1-5從左到右示意地表示了本征半導(dǎo)體的能帶圖, 態(tài)密度(N(E)~E1/2), 費(fèi)米分布函數(shù), 本征半導(dǎo)體的載流子濃度

In an extrinsic】在非本征半導(dǎo)體中，一種載流子類型增加將會(huì)通過復(fù)合減少其它類型的數(shù)目； 因此，兩種類型載流子的數(shù)量在一定溫度下保持常數(shù)

For shallow】對(duì)硅和砷化鎵中的淺施主,在室溫下,常常有足夠的熱能電離所有的施主雜質(zhì),給導(dǎo)帶提供等量的電子

We shall】我們先討論剩余載流子注入的概念。剩余載流子在非平衡條件下會(huì)增加，這就是說，載流子的濃度的乘積p*n不等于平衡時(shí)ni*ni的值

The thermal】作熱的運(yùn)動(dòng)單一電子可以形象的當(dāng)做是原子晶格或雜質(zhì)原子或其他散射中心碰撞產(chǎn)生的連續(xù)隨即散射。就像所闡述的When excess】當(dāng)載流子濃度過度時(shí)就引入一個(gè)直接能隙半導(dǎo)體，這在電子和空穴將再直接復(fù)合時(shí)是很有可能的，因?yàn)閷?dǎo)帶底和價(jià)帶頂是整隊(duì)的和沒有足夠躍遷過能隙的額外的晶體動(dòng)力 These p-n】這些PN結(jié)是根本功能表現(xiàn)如整流,增幅,開關(guān),和另外一些電路元器件

There must】在這個(gè)PN結(jié)之間一定存在一些經(jīng)過完整的數(shù)學(xué)處理將使簡單的PN結(jié)的活動(dòng)物理特征難理解；另一方面，在統(tǒng)計(jì)時(shí)，一個(gè)完整的定性分析將沒用

However】但是，因?yàn)榻Y(jié)的偏壓的增加導(dǎo)致電場的增大，導(dǎo)致靜電流。如果我們明白這4中電流組成的本質(zhì)，無論有沒有偏壓，一個(gè)合理的PN結(jié)理論都成立

With the】有了前一節(jié)的背景知識(shí)，電流流動(dòng)的基本特征理解起來相對(duì)簡單，而這些定性的概念形成了對(duì)結(jié)中的正向和反向電流的分析性描述的基礎(chǔ)

But in most】但是，在大多數(shù)的p-n結(jié)型器件中，與它的面積相比，每個(gè)區(qū)域的長度是很小的，而摻雜通常是中等到重度摻雜；因此每個(gè)中性區(qū)的電阻是很小的，在空間電荷（過渡）區(qū)外，只有很小的電壓降能被維持

If the doping】如果p區(qū)域摻雜大于1019cm-3，那么這種結(jié)構(gòu)無疑就是p+-n，因?yàn)閚p型比pn型要小五個(gè)數(shù)量級(jí)以上。既然這種結(jié)構(gòu)在科技設(shè)備上這么普遍應(yīng)用，我們將在下面做更多的討論 舉例來說，當(dāng)空穴在Xno 被 電勢場領(lǐng)域的p 邊在整個(gè)聯(lián)接被掃射的時(shí)候，在 n 材料空穴分布有一個(gè)傾斜度存在，而且在 n 區(qū)域的空穴向結(jié)點(diǎn)擴(kuò)散。重要的是，雖然方向相反的電流發(fā)生在結(jié)點(diǎn)由于載流子的漂移，這個(gè)電流由每邊中間區(qū)域的兩邊的少數(shù)載流子流入的The resistivity】一個(gè)好的導(dǎo)體電阻率數(shù)量級(jí)為10－6 ohm*cm，對(duì)一個(gè)半導(dǎo)體而言，數(shù)量級(jí)的范圍為10－3到10（6）ohm*cm，對(duì)絕緣體，可能是10（10）ohm*cm或更大

Above the】以上費(fèi)米能級(jí)，入住概率（一個(gè)狀態(tài)是由一個(gè)電子）接近零，低于該標(biāo)準(zhǔn)。因此，費(fèi)米能級(jí)是一種“頂面”的電子對(duì)分布，類似于一個(gè)容器一個(gè)面對(duì)面的液體

Of great】極重要的是漂移運(yùn)動(dòng)是關(guān)于載流子濃度和電場兩個(gè)變量的函數(shù)，而擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是關(guān)于濃度梯度一個(gè)變量的函數(shù)

The rate】速率的變化密度承運(yùn)人在一個(gè)點(diǎn)（或積累的運(yùn)營商在一個(gè)地區(qū)），可以由等同于向合并的影響，交通運(yùn)輸，發(fā)電，并在重組這一點(diǎn)（或附近地區(qū)），其結(jié)果是一個(gè)延續(xù)性方程

Early in the 1950s 】 早在20世紀(jì)50年代，shockley提出了用附屬雙極來描述他新設(shè)想的器件，因?yàn)閮煞N載流子類型在晶體管作用機(jī)理里起重要作用。相反，他描述在場效應(yīng)的期間中（他所提出的就實(shí)用具體器件而言）都是單極的，因?yàn)榫w管的工作原理主要還是依賴于單種載流子類型。

The individual BJTs 】分立的雙極結(jié)型晶體管通過靈活互聯(lián)可形成具有一定功能的實(shí)用化電路，由此可以把含有十萬個(gè)以上器件的電路集成在同一個(gè)硅芯片上。

Since the BJT】 由于晶體管是一個(gè)三接線端的器件，其中一端作為輸入端和輸出端的公共端，其他兩端獨(dú)立并與對(duì)應(yīng)端相聯(lián)系。

It is a curious 】這是一個(gè)難以理解的事實(shí)，在發(fā)射極和集電極區(qū)域的均勻摻雜，且有時(shí)也會(huì)均勻摻雜在基區(qū)突變結(jié)，現(xiàn)在技術(shù)越來越接近應(yīng)用最簡單分析的觀點(diǎn)

In spite of the 】盡管基極電流比較小，但它是非常重要的。因?yàn)檎缥覀兯吹降?，它是提供給共射極晶體管輸入端的控制電流

For example, in a MESFET】半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件中必須減小柵極長度以提高截止頻率，必須減少源極和漏極的接觸電阻以使頻率響應(yīng)不受RC的限制。

The range of light 】 可見光范圍近似為0.4μm到 0.7μm, 紫外光范圍為0.01μm 到 0.4μm, 紅外光范圍為0.7μm 到1000μm.這章中主要感興趣的范圍是從近紫外(~0.3μm)到近紅外(~1.5μm)。To convert the】 用下式可把波長轉(zhuǎn)換為光子能量，上式中c是真空中的光速，v是光的頻率，h是普朗克常數(shù)，hv是光子能量，單位為電子伏特，There are basically】光和固體中電子的相互作用基本上有三個(gè)過程；吸收，自發(fā)輻射和受激輻射。

The dominant operation】發(fā)光二極管中主要的過程是自發(fā)輻射；激光器中主要的過程是受激輻射，光電探測器和太陽能電池中主要的過程是吸收。

For example, an electron 】例如導(dǎo)帶邊的電子和價(jià)帶邊的空穴復(fù)合，發(fā)射一個(gè)能量為禁帶寬度的光子

the BJTs is】雙極結(jié)型晶體管是最常用的共發(fā)射極配置，這意味著輸入信號(hào)施加到基于終端，輸出信號(hào)從集電極和發(fā)射極端子接線，共同投入輸出端口

The epitaxial process offers an important means of controlling the doping profiles so that device and circuit performances can be optimized】外延工藝提供了控制摻雜分布的重要手段，使設(shè)備和電路性能可以得到優(yōu)化

Under these conditions, an overpressure of arsenic is established(1)to cause the transport of arsenic vapor to the gallium melt, converting it into gallium arsenic vapor to the gallium melt, converting it into gallium arsenide, and(2)to prevent decomposition of the gallium arsenide while it is being formed in the furnace】在這種條件下，砷過壓的形成（1）是使砷氣體輸送到鎵熔體，使之從砷化鎵氣體轉(zhuǎn)化到鎵熔體，轉(zhuǎn)化為砷化鎵，（2）防止砷化鎵在（反應(yīng)爐中）合成過程中分解

The dopant chemistry for arsine is illustrated in a figure, which shows arsine being adsorbed on the surface, decomposing, and being incorporated（合并）into the growing layer】對(duì)于砷的摻雜化學(xué)可以用一個(gè)圖來說明，它顯示砷化氫被吸附在表面，分解，與被并入到生長層

The first important thin film from the thermal oxide group is the gate oxide layer under which a conduction channel can be formed between the source and the drain】第一個(gè)來自熱氧化組的重要薄膜是柵氧化層，其下方一個(gè)傳導(dǎo)通道可在源和漏極之間形成Dielectric layers（such as the deposited silicon dioxide and silicon nitride）are used for insulation between conducting layers, for diffusion and ion implantation masks掩蔽層, for capping doped films to prevent the loss of dopants, and for passivation鈍化層 to protect devices from impurities, moisture濕氣, and scratches.】絕緣層/介電層，例如沉積的二氧化硅和氮化硅，可用作導(dǎo)電層間的絕緣層，用于擴(kuò)散和離子注入的掩蔽層，用于覆蓋摻雜的薄膜以防止摻雜損失，用作鈍化層 保護(hù)器件 不受雜質(zhì)，濕氣和劃痕等的影響

Polycrystalline silicon, usually referred to as polysilicon, is used as gate electrode material in MOS devices, as a conductive material for devices with shallow junctions】沉積的二氧化硅，氮化硅等電解質(zhì)層做為導(dǎo)電層之間的絕緣層，可作為擴(kuò)散和離子注入時(shí)的掩蔽層，也可作為摻雜薄膜之上覆蓋層以防止摻雜損失。同時(shí)可作為鈍化層防止器件受外界雜質(zhì)、潮濕空氣，劃痕等的影響

Each film must both perform its intended function and be compatible with the overall processing sequence, that is, the film must withstand the required chemical treatment and thermal cycle while its structure remains stable】每一層薄膜都必須執(zhí)行其預(yù)設(shè)功能，并與整體處理順序兼容，也就是說，薄膜必須經(jīng)受必要的化學(xué)處理和熱循環(huán)，而其結(jié)構(gòu)保持穩(wěn)定

In addition, the puller has an overall microprocessor-based control system to control process parameters such as temperature, crystal diameter, pull rate, and rotation speeds, as well as to permit programmed steps】此外，有一套基于微處理器控制的控制系統(tǒng)對(duì)提拉裝置進(jìn)行全面控制，可控制如溫度，晶體直徑，牽拉速度和旋轉(zhuǎn)速度等，同時(shí)可對(duì)工藝過程進(jìn)行編程控制