第一篇：微電子工藝演講稿

微電子工藝演講稿

光刻技術(shù)作為制備半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵技術(shù)之一將制約著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和半導(dǎo)體器件的性能。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,集成電路的特征尺寸越來越小,光刻技術(shù)將面臨新的挑戰(zhàn)。下面我著重介紹了極紫外光刻(EUVL)作為下一代光刻技術(shù)的發(fā)展前景和技術(shù)難點、激光無掩膜光刻技術(shù)的發(fā)展,特別是激光近場掃描光刻、激光干涉光刻、激光非線性光刻等新技術(shù)的最新進展及其在高分辨率納米加工領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

圖2說明：光束經(jīng)過光學(xué)器件系統(tǒng)聚焦、投影到掩膜上，經(jīng)過掩膜達到光刻膠膜面實現(xiàn)曝光，但是光學(xué)投影系統(tǒng)的分辨率受到衍射的限制。即如果一個不透明的物體放在點光源和屏之間，物體的邊緣將在屏上形成輪廓分明的陰影，幾何陰影內(nèi)的點上無光到達，而陰影的外側(cè)被均勻地照亮。實際上，由邊緣形成的陰影會擴散，組成明暗相間延伸到幾何陰影的光帶。這種光線在邊緣處的明顯彎曲就稱為衍射，其形成的幾何陰影光帶制約著曝光的分辨率

圖5說明：材料受到聚焦激光輻射后，吸收激光的能量，溫度升高，可發(fā)生相變、融化、氣化以及等離子態(tài)等變化。材料相變后物理化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，通過后續(xù)顯影等獲得納米圖形結(jié)構(gòu)； 激光氣化材料可以進行激光直寫刻蝕圖形； 等離子態(tài)的超冷效應(yīng)可以用來合成多

種納米材料

激光干涉光刻：對于兩束相干光，其形成的駐波周期P 滿足下面的關(guān)系式P= λ/2sinθ

式中：λ 為入射波長；θ 為兩束入射光夾角的一半。另外，相干長度是制備大面積相干圖形的關(guān)鍵參數(shù)，因為光強只存在于光源的相干長度內(nèi)。相干長度L 與光源的波長λ、光束的線寬Δλ 以及介質(zhì)的折射率n有關(guān)，滿足如下關(guān)系式 P= λ2/nΔλ 激光的單色性越好(Δλ 越小)，相干長度就越長。典型的He-Cd 激光器的相干長度約為20 cm，半導(dǎo)體激光器的單色性得到提高，相干長度可以達到數(shù)十米，光纖激光有比半導(dǎo)體激光器更好的單色性，因而有更大的相干長度，所以干涉光刻擁有大面積制備圖形的能力。

實際上，樣品的旋轉(zhuǎn)角度可以在0°~90°內(nèi)變化，從而得到不同的圖形結(jié)構(gòu)，例如旋轉(zhuǎn)30°、45°和60°，可以分別得到納米點、納米螺母和納米棒的陣列結(jié)構(gòu)[41]。這些圖形都是在光

刻膠上形成，經(jīng)過進一步的化學(xué)刻蝕，可以將這些圖形轉(zhuǎn)移到硅襯底或是其他介質(zhì)，用于高密度光存儲、微電子器件、自組裝的模板以及場發(fā)射平板顯示器的制備等

與傳統(tǒng)的單光子吸收不同，這里光敏聚合物通過非線性吸收(雙光子或是多光子吸收)引發(fā)聚合反應(yīng)，非線性吸收的概率與光強的平方成正比，只有在聚焦光斑的中心區(qū)域，光強足夠強的地方才有強的非線性吸收，如圖9(a)所示，因而使得非線性聚合反應(yīng)只發(fā)生在聚焦光斑的中心區(qū)域(如圖9(b)所示)

第二篇：微電子工藝習(xí)題總結(jié)(DOC)

第一章

1.What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是襯底，什么是芯片 答：硅片是指由單晶硅切成的薄片；芯片也稱為管芯（單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路）；硅圓片通常稱為襯底。

2.List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend.列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個重要趨勢，簡要描述每個趨勢 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越緊密，芯片的速度就會提高。

提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趨于芯片壽命的功能的能力。為提高器件的可靠性，不間斷地分析制造工藝。

降低芯片成本：半導(dǎo)體微芯片的價格一直持續(xù)下降。

3.What is the chip critical dimension(CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的關(guān)鍵尺寸，這種尺寸為何重要 答：芯片的關(guān)鍵尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；

因為我們將CD作為定義制造復(fù)雜性水平的標準，也就是如果你擁有在硅片某種CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于這些尺寸更大，因此更容易產(chǎn)生。

4.Describe scaling and its importance in chip design.描述按比例縮小以及在芯片設(shè)計中的重要性 答：按比例縮小：芯片上的器件尺寸相應(yīng)縮小是按比例進行的

重要性：為了優(yōu)電學(xué)性能，多有尺寸必須同時減小或按比例縮小。

5.What is Moore's law and what does it predict?

什么是摩爾定律，它預(yù)測了什么 答：摩爾定律：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)，月每隔18個月便會增加1倍，性能也將提升1倍。

預(yù)言在一塊芯片上的晶體管數(shù)大約每隔一年翻一番。

第二章

6.What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化鎵相對于硅的優(yōu)點是什么 答：優(yōu)點：具有比硅更高的電子遷移率；減小寄生電容和信號損耗的特性；集成電路的速度比硅電路更快；材料的電阻率更大。

7.What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化鎵相對于硅的主要缺點是什么 答：主要缺點：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有劇毒性在設(shè)備，工藝和廢物清除設(shè)施中特別控制。

第三章

8.What is an active component? Give two examples of this type of component.什么是無源元件，舉出兩個無源元件的例子

答：有源器件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。

例子：電阻，電容。

9.What are some notable characteristics of bipolar technology? What is biggest drawback to bipolar technology? 雙極技術(shù)有什么顯著特征，雙極技術(shù)的最大缺陷是什么 答：顯著特征：高速，耐久性和功率控制能力。

最大缺陷：功耗高。

10.What are the benefits of the field-effect transistor(FET)? 場效應(yīng)管有什么優(yōu)點 答：低電壓和低功耗。

11.What are the two basic types of FETs? What is the major difference between them? FET的兩種基本類型是什么，他們之間的主要區(qū)別是什么 答：類型：結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物型（MOSFET）半導(dǎo)體。

區(qū)別：MOSFET作為場效應(yīng)管晶體輸入端的柵極由一層薄介質(zhì)與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實際上同晶體管其他電極形成物理的pn結(jié)。

12.What are the two categories of MOSFETs? How are they distinguishable from one another? MOSFET有哪兩種類型，他們怎樣區(qū)分 答：類型：nMOS（n溝道）和pMOS（p溝道）

區(qū)分方法：可有各自器件的多數(shù)載流來區(qū)別。

13.What two IC technologies are used in BiCMOS? BiCMOS使用了哪兩種集成電路技術(shù) 答：采用了CMOS和雙極技術(shù)

14.What could a digital/analog(D/A)converter chip be used for? What could an analog/digital(A/D)chip be used for? 數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片能用做什么，模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片能用做什么 答：數(shù)/模轉(zhuǎn)化器芯片可用來提供用做電子機械設(shè)備的控制模擬驅(qū)動信號。

模/數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片可用來測量模擬驅(qū)動信號的輸出。

15.Explain the difference between an enhancement-mode transistor and depletion-mode transistor with regards to their standby condition.解釋增強型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別 答：增強型晶體管很好地工作于數(shù)字陸機應(yīng)用中，只需要單極的輸入信號控制場效應(yīng)晶體管。

耗盡型被已經(jīng)存在的閉合溝道部分開啟。輸入電壓可以在一個方向變化以提高流過溝道的電流，或者在相反方向降低流過的溝道電流。如果柵極的輸入電壓在反向更大地提高，耗盡型晶體管將會斷開。

第四章

16.Why is it necessary to have monocrystal silicon for wafer fabrication? 為什么要用單晶進行硅片制造 答：半導(dǎo)體芯片加工需要純凈的單晶硅結(jié)構(gòu)，這是因為單胞重復(fù)的單晶結(jié)構(gòu)能夠提供制作工藝和器件特性所需要的電學(xué)和機械性質(zhì)。糟糕的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷導(dǎo)致微缺陷的形成。

17.Which crystal plane orientation is most common MOS? Which is most common for bipolar? MOS器件中用的最多的是哪種方向晶向，雙極型用的最多的是哪幾種 答：MOS ：(100)面的硅片； 雙極型：（111）面的硅片

18.Define crystal growth.What is the CZ method for crystal growth? 定義晶體生長，什么是CZ單晶生長法 答：晶體生長：是把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅。

CZ單晶生長法：是熔化了的半導(dǎo)體級硅液體變?yōu)橛姓_晶向并且被摻雜成n型或p型的固體硅錠。

19.List seven wafer quality requirements for a silicon wafer.列舉硅片的七種質(zhì)量要求 答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶體缺陷；顆粒；體電阻率

20.What is an epitaxial layer, and why is it used on wafers? 什么是外延層，為什么在硅片上使用它 答：在某種情況下，需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結(jié)構(gòu)的硅表面，還要保持對雜質(zhì)類型和濃度的控制，這要通過在硅表面沉積一個外延層來達到。

原因是外延層在優(yōu)化pn結(jié)的擊穿電壓的同時降低了集電極電阻，在適中的電流強度下提高了器件速度。外延在CMOS集成電路中變得重要起來，因為隨著器件尺寸不斷縮小它將閂鎖效應(yīng)降到最低。外延層通常是沒有玷污的。

第八章

21、What is plasma? Why is RF energy used in plasma? 什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量

答：等離子是一種中性，高能量，離子化的氣體，包含中性原子或分子，帶電離子和自由電子。

RF能量的使用可以產(chǎn)生一個高功效的等離子體。

第九章

22、List the six distinct production areas in a wafer fab and give a short description of each area.列出芯片廠中6個不同的生產(chǎn)區(qū)域并對每一個區(qū)域做簡單的描述 答：擴散：擴散區(qū)一般認為是進行高溫工藝及薄膜沉積的區(qū)域。

光刻：使用黃色瑩光管照明使得光刻區(qū)與芯片廠中的其他各個區(qū)明顯不同。

刻蝕：是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。

離子注入：采用高電壓和磁場來控制并加速離子。

薄膜生長：主要負責(zé)生產(chǎn)各個步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積。

拋光：為了使硅片表面平坦化，是通過將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度實現(xiàn)。

23、Identify the three production areas where photoresistcoated wafers can be found.確定有光刻膠覆蓋硅片的三個生產(chǎn)區(qū)域 答：光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)

24、What is the purpose of the etch process? Name the most common tools used in this area? 刻蝕工藝的目的是什么，這個區(qū)中最常用的設(shè)備是什么 答：目的：硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。

常用設(shè)備：等離子刻蝕機，等離子體去膠機和濕法清洗設(shè)備。

25、What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation? 離子注入后進行退火工藝的原因是什么

答：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價鍵被激活，使得雜質(zhì)原子成為晶格結(jié)構(gòu)中的一部分。

26、What is shallow trench isolation(STI)? What process did it replace? 什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝

答：淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。

取代了局域氧化工藝（LOCOS）

第十章

27、What is the difference between a grown and a deposited oxide layer? 生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么

答：在升溫環(huán)境里，通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層；沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣和硅源，使它們在腔體中反應(yīng)，從而在硅片表面形成一層薄膜。

28、Describe the field oxide layer, and state its range of thickness.描述場氧化層及其厚度范圍

答：場氧化層：抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層

范圍：2500~12000 * 10^-10（A上面一個圈）之間

29、Why is the gate oxide thermally grown? 為什么刪氧要用熱生長

答：因為柵氧與其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點，柵氧一般通過熱生長獲得。

30、List six applications for thermal oxides in wafer fabrication and give a purpose for each application.列出熱氧化物的硅片制造的六種用途，并給出各種用途的目的

答：金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護層。

注入屏蔽氧化層：用于減小注入夠到和損傷。勢氧化層：做氧化硅緩沖層以減小應(yīng)力。

摻雜阻擋層：作為摻雜或注入雜質(zhì)到硅片中的掩蔽材料。阻擋氧化層：保護有源器件和硅免受后續(xù)工藝的影響。柵氧化層：用做MOS晶體管柵和源漏之間的介質(zhì)。

31.If an oxide layer is thermally growri to be 2,000 A thick,how much silicon is consumed? 如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少

答：920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

32.List the four types of oxide charges Si/Si02 interface.列出Si/Si02 界面處的4種氧化物電荷

答：正的電荷。負的電荷。界面陷阱電荷?？梢苿友趸镫姾?/p>

33.Give two advantages to using chloijinated agents during oxidation.舉出氧化工藝中摻氯的兩個優(yōu)點

答：優(yōu)點：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。

34、What effect does doping have on oxide growth? 摻雜對氧化物生長的影響是什么 答：重摻雜的硅要比輕摻雜的氧化速率快。

35、Explain the effect from crystal orientation on oxide growth.解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L的影響 答：線性氧化物速率依賴于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在線性階段，（111）硅單晶的氧化速率將比（100）稍快，但是（111）的電荷堆積更多。

36、Pressure has what effect on oxide growth? 壓力對氧化物生長的影響是什么 答：生長速率隨著壓力增大而增大。高壓強迫使氧原子更快地穿越正在生長的氧化層，這對線性和拋物線速率系數(shù)的增加很重要。這就允許降低溫度但仍保持不變的氧化速率，或者在相同溫度下獲得更快的氧化生長。氧化生長的經(jīng)驗法則表明，每增加一個大氣壓的壓力，相當(dāng)于爐體溫度降低30攝氏度。

37、What are the five components in a vertical furnace system? 立式爐系統(tǒng)的五部分 答：工藝腔，硅片傳輸系統(tǒng)，氣體分配系統(tǒng)，尾氣系統(tǒng)，溫腔系統(tǒng)

38What is a rapid thermal processor(RTP)? What are six advantages it has over the conventional furnace? 什么是快速熱處理，相比于系統(tǒng)爐其6大優(yōu)點是什么 答：快速熱處理是在非常短的時間內(nèi)，將單個硅片加熱至400~1300攝氏度范圍內(nèi)的一種方法。

優(yōu)點：減小熱預(yù)算。硅中雜質(zhì)運動最小。減小玷污，這歸功于冷壁加熱。由于較小的腔體體積，可以達到清潔的氣氛。更短的加工時間。加大熱梯度。

38Describe how an RTP heats a wafer.Is an RTP typically a hot wall or cold wall heating system 描述RTP如何對單個硅片加熱，RTP是熱壁系統(tǒng)還是冷壁系統(tǒng) 答：

是冷壁系統(tǒng)

第十一章

39、List and describe the three stages of thin film growth.列舉并描述薄膜生長的三個階段 答：第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成，這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應(yīng)物結(jié)合起來，形成附著在硅片表面的分離的小膜層的時候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜進一步生長的基礎(chǔ)；第二步是聚集成束，也稱為島生長。這些隨機方向的島束依照表面的遷移率和束密度來生長。島束不斷生長，直到第三步即形成連續(xù)的膜，這些島束匯聚合并形成固態(tài)的薄層并延伸鋪滿襯底表面。

40、List the five major techniques for deposition.列出沉積的5種主要技術(shù) 答：化學(xué)氣相淀積（cvd）電鍍 物理氣相淀積（pvd或濺射）蒸發(fā) 旋涂方法

41、Explain APCVD.What is the principal disadvantage with APCVD Si02, using silane as a source? 解釋APCVD，使用APCVD SiO2的主要問題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎 答：常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源

42、What CVD tool is used to deposit the polysilicon gate material? List six reasons why polysilicon is used as a gate electrode 沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個原因 答：采用LPCVD工具；1.通過摻雜可得到特定的電阻；2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；3和后續(xù)高溫工藝的兼容性；4.比金屬電極更高的可靠性；5.在陡峭的結(jié)構(gòu)上淀積的均勻性；6。實現(xiàn)柵的自對準工藝。

43、State six advantages to using plasma during CVD.CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點有哪些 答：1.更高的工藝溫度（250-450℃）；2.對高的深寬比間隙有好的填充能力(用高密度等離子體)；3.淀積的膜對硅片有優(yōu)良的粘附能力；4.高的淀積速率；5.少的針孔和空洞，因而有高的膜密度；6.工藝溫度低因而應(yīng)用廣泛。

44、Explain what HDPCVD is.What are its main benefits in advanced ICs? 解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢 答： 高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備出能夠填充高深寬比間隙的膜。

45、Describe the effect wafer biasing has on HDPCVD directionality.描述硅片偏置對HDPCVD方向性的影響 答：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙

46.Explain simultaneous deposition and etching for HDPCVD.What is the value for the typical dep-etch ratio? 解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么 答：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無空洞形成的基礎(chǔ)。3:1

47、What are LOCOS and STI（寫中英文全稱）? Why has STI replaced LOCOS for advanced ICs? List the processing steps for STI.什么是LOCOS和STI（寫中英文全稱），為什么在高級IC中STI取代了LOCOS，列舉STI的工藝步驟 答：LOCOS:硅的局部氧化隔離 local oxidation of silicon STI：淺槽隔離 shallow trench isolation 原因：1.更有效的器件隔離的需要，尤其是對DRAM器件而言 2.對晶體管隔離而言，表面積顯著減小。3.超強的閂鎖保護能力。4.對溝道沒有侵蝕。5.與CMP的兼容

步驟：阻擋層和線性氧化層

第十三章

48、Describe the difference between a reticle and a photomask.描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別 答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重復(fù)生成的圖形。這種圖形可能僅包含一個管芯，也可能是幾個

光掩膜版通常稱為掩膜版，包含了對于整個硅片來說確定一工藝層所需的完整管芯陣列。

49、Explain the difference between negative and positive lithography.解釋負性和正性光刻的區(qū)別 答：負性光刻把掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上。主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同

50、Describe a clear-field mask and a dark-field mask 解釋亮場掩膜版和暗場掩膜版 答：如果一個掩膜版，其石英板上大部分被鉻覆蓋，它就指的是暗場掩膜版。亮場掩膜版有大面積的透明的石英，而只有很細的鉻圖形。

51、List the eight steps of photolithography, and give a short explanation of each step.列出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。答：1氣相成底膜：第一步是清洗、脫水和硅片表面成底膜處理。2旋轉(zhuǎn)涂膠：完成底膜后，硅片要立即采用旋轉(zhuǎn)涂膜的方法涂上液相光刻膠材料。3軟烘：光刻膠被涂到硅片表面后，必須要經(jīng)過軟烘去除光刻膠中的溶劑。4對準和曝光：掩膜版與涂了膠的硅片上的正確位置對準。5曝光后烘焙：對于深紫外（duv）光刻膠在100℃到110℃的熱板上進行曝光后烘焙是必要的。6顯影：光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解，將可見的島或者窗口圖形留在硅片表面。7堅膜烘焙：顯影后的熱烘指的就是堅膜烘焙，提高光刻膠對硅片表面的粘附性。8顯影后檢查：一旦光刻膠在硅片上形成圖形，就要進行檢查以確定光刻膠圖形的質(zhì)量

52、Give two purposes of a photoresist in wafer fabrication.給出硅片制造中光刻膠的兩種目的 答：1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。2.在后續(xù)工藝中保護下面的材料。

53、List and describe the two major types of photoresist.列出并描述兩種主要的光刻膠 答：負性光刻膠和正性光刻膠。負性光刻膠是負相的掩膜圖形形成在光刻膠上、正相掩膜圖形出現(xiàn)在光刻膠上

54、What is the resolution limit of negative resist? Which resist is used for submicron lithography? 什么是負膠分辨率的限制，哪種膠應(yīng)用在亞微米光刻膠中。答：由于顯影時的變形和膨脹，負性光刻膠通常只有2μm的分辨率。正性光刻膠

55.List and describe the four components to an i-line resist.列出并描述I線光刻膠的4種成分。答：1.樹脂。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質(zhì)，用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑2.感光劑。是光刻膠材料中的光敏成分，它對光形成的輻射能會發(fā)生反應(yīng)3.溶劑。使光刻膠保持液體狀態(tài)，直到它被涂在硅片襯底上4.添加劑：是專用化學(xué)品，用來控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)性質(zhì)或光刻膠材料的光響應(yīng)特性

56、What are two disadvantages of a negative photoresist? 負膠的兩大缺點是什么。

答：在顯影時曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時光刻膠可與氮氣反應(yīng)從而抑制其交聯(lián)

57、What does resist thickness vary with? 光刻膠厚度隨什么變化 答：粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚

58、State the four reasons for soft bake.陳述軟烘的4個原因 答：1.將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；2。增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以很好地粘附；3.緩和在旋轉(zhuǎn)過程中光刻膠膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。4.防止光刻膠粘在設(shè)備上 第十四章

59、Describe the relationship between light exposure wavelength and image resolution.描述曝光波長和圖像分辨率的關(guān)系 答：較短的波長可以獲得光刻膠上較小尺寸的分辨率

60、List and describe the two UV exposure sources used in optical lithography.列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源 答：汞燈和準分子激光

61、What happens to resist sidewalls if there is excessive resist light absorbance? 如果光刻膠對光的吸收過多側(cè)墻會怎樣 答：如果光刻膠的吸收過多，光刻膠底部接收的光強度就會比頂部的少很多，會導(dǎo)致圖形側(cè)墻傾斜。

62、What excimer laser is used as a 248 nm light source? As a 193 nm light source? 哪種激光器用做248nm的光源，193nm的光源是什么 答：通常用于深紫外光刻膠的準分子激光器是波長為248nm氟化氪（KrF）激光器，193nm的氟化氪激光器大概是作為曝光源的準分子激光器

63、What is a typical dose exposure latitude for a DUV resist? 典型的DUV光刻膠曝光劑量的寬容度是多少 答：深紫外光刻膠的曝光寬容度是劑量變化范圍在1%左右

64、What lens material is used at the DUV exposure wavelength? DUV波長曝光時使用哪種透鏡材料 答：一種合適的透鏡材料是熔融石英，他是深紫外波長范圍內(nèi)的較少的光吸收，氟化鈣正在作為一種可能的候選透鏡材料

65、Explain how lens compaction occurs and what problem it creates.解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問題 答：透鏡壓縮是透鏡材料結(jié)構(gòu)上的重新排列導(dǎo)致透鏡材料增密，壓縮發(fā)生在透鏡材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿過區(qū)域的透鏡材料的折射率，這將導(dǎo)致圖像質(zhì)量的損失

66、What is numerical aperture(NA)? State its formula, including the approximate formula.什么是數(shù)值孔徑（NA），陳述它的公式，包括近似公式 答：透鏡收集衍射光的能力被稱做透鏡的數(shù)值孔徑，NA=(n)t透鏡的半徑除以透鏡的焦長

67、State the formula for resolution.What three lithography parameters affect resolution? 陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個參數(shù) 答：R=K*入/NA 1，波長 入 2，數(shù)值孔徑NA 3，工藝因子K

68、List and explain the two primary problems of light reflection from the wafer surface.列出并解釋硅片表面反射引起的最主要的兩個問題 答：兩種主要的光反射問題是反射切口和反射駐波，在刻蝕形成的垂直側(cè)墻表面，反射光到不需要曝光的光刻膠中就會形成反射切口，光刻中一個光波反射和干涉的例子是駐波現(xiàn)象駐波本質(zhì)上降低了光刻膠成像的分辨率

69、What happens to resolution if the light wavelength decreases? If NA goes up? 如果光波長減小分辨率會有什么變化，如果NA增加了呢 答：光波長減小分辨率提高，】。如果NA增加分辨率提高

70、Calculate the resolution of a scanner if X = 248 nm,NA = 0.65, and k = 0.6.計算掃描光刻機的分辨率，假設(shè)波長是248nm, NA=0.65, K是0.6 答：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/ＮＡ

71、Write the equation to calculate DOF.寫出計算焦深的公試 答：DOF=入/（2*NA）2

72、What happens to depth of focus as resolution inreases? 當(dāng)分辨率增加時焦深會發(fā)生什么變化 答：焦深減小

72、What material is used to make a reticle? What opaque material is patterned on a reticle? 使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么 答：最主要的是用于亞微米光刻的投影掩膜版襯底材料是熔融石英。不透明材料是一薄層鉻 第十五章

74、Explain resist selectivity and whether it should be high or low.解釋光刻膠選擇比，要求的比例是高還是低 答：顯影也應(yīng)具有選擇性，高的顯影選擇性比意味著顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)得快。

要求比例低

75、Why is a post-develop inspection performed? 為什么要進行顯影后檢查 答：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷，鑒別并除去有缺陷的硅片，用來檢查光刻工藝的好壞，為光學(xué)光刻工藝生產(chǎn)人員提供用于糾正的信息

７６光學(xué)光刻技術(shù)的改進有哪些方面？ 答：1.減小紫外線光源波長； 2.提高光學(xué)光刻工具的數(shù)值孔徑； 3.化學(xué)放大深紫外光刻膠； 4.分辨率提高技術(shù)； 5.硅片平坦化； 6.光學(xué)光刻設(shè)備的先進性。77、List four alternative lithography methods under evaluation for next-generation lithography.列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù) 答：1.極紫外光刻技術(shù)（EUV）2.離子束投影光刻技術(shù)（IPL）3.角度限制投影電子束光刻技術(shù)（SCALPEL）4.X射線光刻技術(shù)

第十六章 78、What is the goal of etching? 刻蝕的目的是什么 答：目的是為涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形

79、List the three major material categories for dry etch.列出按材料分類的三種主要干法刻蝕 答：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕

80、Describe isotropic and anisotropic etch profiles and what are the desirable and undesirable aspects of each profile.描述各同向性和各向異性刻蝕剖面，以及在每一種剖面中哪一種是希望的哪一種是不希望的 答：各向同性的刻蝕剖面在所有方向上以相同的刻蝕速率進行刻蝕，這將帶來不希望的線寬損失。各向異性的刻蝕剖面即刻蝕只在垂直于硅片表面的方向進行，只有很少的橫向刻蝕。希望剖蝕面是各向異性的。

81.Is a dry etch profile isotropic, anisotropic or both? What about a wet etch profile? 干法刻蝕的剖面是各同向性，各向異性的還是兩者都有，濕法腐蝕的剖面是怎樣的 答：兩者都有。詳情請見表16.1

82.Does dry etching have good or poor selectivity? 干法刻蝕有高的或低的選擇比 答：干法刻蝕通常不能提供對下一層材料足夠高的刻蝕選擇比

83、List the advantages of dry etch over wet etch.What are the disadvantages of dry etch? 列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點，干法刻蝕的不足之處是什么 答：優(yōu)點：1.刻蝕剖面是各向異性，具有非常好的側(cè)壁剖面控制

2.好的CD控制。

3.最小的光刻膠脫落或粘附問題

4.好的片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻性 5.較低的化學(xué)制品使用和處理費用。

缺點：對下層材料的差的刻蝕選擇比、等離子體帶來的器件損傷和昂貴的設(shè)備

84、一個成功的干法刻蝕要求是哪些方面？List six requirements for successful dry etch.列出在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的六種方法 答：1.對不需要刻蝕的材料的高選擇比

2.獲得可接受的產(chǎn)能的刻蝕速率 3.好的側(cè)壁剖面控制 4.好的片內(nèi)均勻性 5.低的器件損傷

6.寬的工藝制造窗口

85、What gas chemistries are used for silicon dioxide, aluminum, silicon and photoresist? 二氧化硅，鋁，硅和光刻膠刻蝕分別使用什么化學(xué)氣體來實現(xiàn)干法刻蝕 答：刻蝕硅采用的化學(xué)氣體為CF4/O2和CL2.刻蝕二氧化硅采用的化學(xué)氣體為CHF3.刻蝕鋁采用的化學(xué)氣體為CL2和BCL2.刻蝕光刻膠采用的化學(xué)氣體為O2.86、Describe the tungsten etchback process.描述平板反應(yīng)器 答：首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，最后進行干法等離子體反刻刻蝕掉多余的鎢覆蓋層，制作出填滿鎢的通孔。

87、What gas chemistries are usually used for etching polysilicon and why has these chemistries replaced fluorine chemistries? 哪種化學(xué)氣體通常用來刻蝕多晶硅，為什么這種化學(xué)氣體替代了氟基化學(xué)氣體 答：氯氣、溴氣、氯/溴氣

原因：因為氟基氣體的刻蝕是各向同性的并且對光刻膠的選擇比一般，為了避免擊掉下一層的氧化物材料，所以選用轟擊離子能量更低的化學(xué)氣體。88.Give three requirements for polysilicon gate etch.列出并闡述刻蝕多晶硅的三個步驟 答：1.對下層?xùn)叛趸瘜泳哂懈叩倪x擇比

2.非常好的均勻性和可重復(fù)性。3.高度的各向異性

第十七章

89、列舉用于硅片制造的5種常用摻雜。答：離子注入，熱擴散，硅漿料，絲網(wǎng)印刷，激光

90、離子注入通常在什么工藝之后？ 答：光刻。

91、列舉離子注人優(yōu)于擴散的7點。答：1.精確控制雜質(zhì)含量。

2.很好的雜質(zhì)均勻性。

3.對雜質(zhì)穿透深度有很好的控制。4.產(chǎn)生單一離子束。5.低溫工藝。

6.注入的離子能穿過薄膜。7.無固溶度極限。

92，離子注入的主要缺點是什么？如何克服？ 答：

1、高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷。（高溫退火進行修復(fù)）。

2、注入設(shè)備的復(fù)雜性。（被注入機對劑量和深度的控制能力及整體工藝的靈活性彌補）。

93、列舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。答：1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統(tǒng) 5.工藝室

94.描述溝道效應(yīng)。列舉并簡要解釋控制溝道效應(yīng)的三種機制。答：當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發(fā)生了溝道效應(yīng)。

三種機制：

1.傾斜硅片：它把硅片相對于離子束運動方向傾斜一個角度，保證了雜質(zhì)離子進入硅中很短距離內(nèi)就會發(fā)生碰撞。

2.掩蔽氧化層：注入前在硅片表面生長或淀積一薄層氧化層，并在注入之后去除。注入離子通過這樣一層非晶氧化層后進入硅片，它們的方向?qū)⑹请S機的，因此可以減小溝道效應(yīng)。

3.預(yù)非晶化：用電不活潑粒子，使單晶硅預(yù)非晶化，在注入前進行，用以損壞硅表面一薄層的單晶結(jié)構(gòu)。隨后的離子將注入非晶結(jié)構(gòu)的硅，產(chǎn)生很小的溝道效應(yīng)。

第十二章

95、列出并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。答：1.電阻率的減小。

2.減小了功耗。

3.更高的集成密度。4.良好的抗電遷徙性能。5.更少的工藝步驟 96、什么是阻擋層金肩？阻擋層材料的基本特性是什么？哪種金屬常被用做阻擋層金屬? 答：阻擋金屬層是淀積金屬或金屬塞，用以阻止上下的材料互相混合。

特性：1.有很好的阻擋擴散特性，結(jié)果分界面兩邊材料的擴散率在燒結(jié)溫度時很低。2.高電導(dǎo)率具有很低的歐姆接觸電阻。3.在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著。

4.抗電遷徙。

5.在很薄并且高溫下具有很好的穩(wěn)定性。6.抗侵蝕和氧化。

鈦（Ti）、鎢（W）、鉭（Ta）、鉬（Mo）、鈷（Co）、鉑（Pt）、鈦鎢（TiW）、氮化鈦（TiN）。

97、為濺射做一個簡短的解釋，并描述它的工作方式？濺射適合于合金淀積嗎？濺射淀積的優(yōu)點是什么？ 答：濺射是物理氣相淀積形式之一，是一種薄膜淀積技術(shù)。

工作方式：在濺射過程中，高能粒子撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過程撞 擊出原子。這些被撞擊出的原子穿過真空，最后淀積在硅片上。

優(yōu)點：1.具有淀積并保持復(fù)雜合金原組分的能力。

2.能夠淀積高溫熔化和難溶金屬。

3.能夠在直徑為200毫米或更大的硅片上控制淀積均勻薄膜。

4.具有多腔集成設(shè)備，能夠在淀積金屬前清除硅片表面沾污和本身的氧化層。98、縮寫中文含義： APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積 HDPCVD：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積 LPCVD：低壓化學(xué)氣相淀積 PECVD：等離子體增強化學(xué)氣相淀積 PVD：物理氣相淀積 BJT：雙極型晶體管

CD：關(guān)鍵尺寸 CMOS：互補金屬氧化物半導(dǎo)體 CMP：化學(xué)機械平坦化 MIC：可動離子玷污 ILD：層間介質(zhì) MBE：分子束外延

SOI:絕緣體上硅 DUV：深紫外光 MOCVD：金屬有機化學(xué)氣相淀積 BSG：硼硅玻璃 PSG：磷硅玻璃 BPSGRTP：快速熱處理器 RTAIC：集成電路 LOCOSSTI:淺溝槽隔離 LIVLSI：超大規(guī)模集成電路 CAFIB：聚焦離子束 ARCASIC：專用集成電路 RIEFIB：聚焦離子束 EUVLDD：輕摻雜漏

：硼磷硅玻璃 ：快速熱退火

：硅局部氧化隔離法 ：局部互連

：化學(xué)放大（膠）：抗反射涂層 ：反應(yīng)離子刻蝕 ：極紫外線

第三篇：微電子加工工藝總結(jié)資料

1、分立器件和集成電路的區(qū)別

分立元件：每個芯片只含有一個器件；集成電路：每個芯片含有多個元件。

2、平面工藝的特點

平面工藝是由Hoerni于1960年提出的。在這項技術(shù)中，整個半導(dǎo)體表面先形成一層氧化層，再借助平板印刷技術(shù)，通過刻蝕去除部分氧化層，從而形成一個窗口。P-N結(jié)形成的方法： ① 合金結(jié)方法

A、接觸加熱：將一個p型小球放在一個n型半導(dǎo)體上，加熱到小球熔融。

B、冷卻：p型小球以合金的形式摻入半導(dǎo)體底片，冷卻后，小球下面形成一個再分布結(jié)晶區(qū)，這樣就得到了一個pn結(jié)。

合金結(jié)的缺點：不能準確控制pn結(jié)的位置。

②生長結(jié)方法

半導(dǎo)體單晶是由摻有某種雜質(zhì)（例如P型）的半導(dǎo)體熔液中生長出來的。生長結(jié)的缺點：不適宜大批量生產(chǎn)。擴散結(jié)的形成方式 與合金結(jié)相似點：

表面表露在高濃度相反類型的雜質(zhì)源之中 與合金結(jié)區(qū)別點：

不發(fā)生相變，雜質(zhì)靠固態(tài)擴散進入半導(dǎo)體晶體內(nèi)部 擴散結(jié)的優(yōu)點

擴散結(jié)結(jié)深能夠精確控制。平面工藝制作二極管的基本流程：

襯底制備——氧化——一次光刻（刻擴散窗口）——硼預(yù)沉積——硼再沉積——二次光刻（刻引線孔）——蒸鋁——三次光刻（反刻鋁電極）——P-N結(jié)特性測試

3、微電子工藝的特點

高技術(shù)含量 設(shè)備先進、技術(shù)先進。

高精度 光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級，而精度更在上述尺度之上。超純 指工藝材料方面，如襯底材料Si、Ge單晶純度達11個9。

超凈 環(huán)境、操作者、工藝三個方面的超凈，如 VLSI在100級超凈室10級超凈臺中制作。大批量、低成本 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)使之得以實現(xiàn)。

高溫 多數(shù)關(guān)鍵工藝是在高溫下實現(xiàn)，如：熱氧化、擴散、退火。

4、芯片制造的四個階段

固態(tài)器件的制造分為4個大的階段（粗線條）： ① ② ③ ④

晶圓制備：（1）獲取多晶

（2）晶體生長----制備出單晶，包含可以摻雜（元素摻雜和母金摻雜）（3）硅片制備----制備出空白硅片 硅片制備工藝流程（從晶棒到空白硅片）：

晶體準備（直徑滾磨、晶體定向、導(dǎo)電類型檢查和電阻率檢查）→

切片→研磨→化學(xué)機械拋光（CMP）→背處理→雙面拋光→邊緣倒角→拋光→檢驗→氧化或外延工藝→打包封裝 芯片制造的基礎(chǔ)工藝

增層——光刻——摻雜——熱處理 材料制備

晶體生長/晶圓準備 晶圓制造、芯片生成 封裝

5、high-k技術(shù)

High—K技術(shù)是在集成電路上使用高介電常數(shù)材料的技術(shù)，主要用于降低金屬化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管柵極泄漏電流的問題。集成電路技術(shù)的發(fā)展是伴隨著電路的元器件（如MOS晶體管）結(jié)構(gòu)尺寸持續(xù)縮小實現(xiàn)的。隨著MOS晶體管結(jié)構(gòu)尺寸的縮小，為了保持棚極對MOS晶體管溝道電流的調(diào)控能力，需要在尺寸縮小的同時維持柵極電容的容量，這通常需要通過減小棚極和溝道之間的絕緣介質(zhì)層厚度來實現(xiàn)，但由此引起的棚極和溝道之間的漏電流問題越來越突出。High—K技術(shù)便是解決這一問題的優(yōu)選技術(shù)方案。因為，MOS器件柵極電容類似于一個平板電容，由于MOS器件面積、絕緣介質(zhì)層厚度和介電常數(shù)共同決定，因此MOS器件柵極電容在器件面積減小的前提下，采用了High—K材料后，可以在不減小介質(zhì)層厚度（因此柵極泄漏電流而不增加）的前提下，實現(xiàn)維護柵極電容容量不減小的目標。High—K材料技術(shù)已被英特爾和IBM應(yīng)用到其新開發(fā)的45mm量產(chǎn)技術(shù)中。目前業(yè)界常用的High—K材料主要是包括HfO2在內(nèi)的Hf基介質(zhì)材料。

6、拉單晶的過程

裝料——融化——種晶——引晶——放肩——等徑——收尾——完成

7、外延技術(shù)的特點和應(yīng)用 外延特點： 生成的晶體結(jié)構(gòu)良好 摻入的雜質(zhì)濃度易控制 可形成接近突變pn結(jié)的特點 外延分類： 按工藝分類

A 氣相外延（VPE）利用硅的氣態(tài)化合物或者液態(tài)化合物的蒸汽，在加熱的硅襯底表面和氫發(fā)生反應(yīng)或自身發(fā)生分解還原出硅。B 液相外延（LPE）襯底在液相中，液相中析出的物質(zhì)并以單晶形式淀積在襯底表面的過程。此法廣泛應(yīng)用于III-V族化合半導(dǎo)體的生長。原因是化合物在高溫下易分解，液相外延可以在較低的溫度下完成。C 固相外延（SPE）

D 分子束外延（MBE）在超高真空條件下，利用薄膜組分元素受熱蒸發(fā)所形成的原子或分子束，以很高的速度直接射到襯底表面，并在其上形成外延層的技術(shù)。特點：生長時襯底溫度低，外延膜的組分、摻雜濃度以及分布可以實現(xiàn)原子級的精確控制。按導(dǎo)電類型分類

n型外延：n/n, n/p外延 p型外延：p/n, p/p外延 按材料異同分類

同質(zhì)外延：外延層和襯底為同種材料，例如硅上外延硅。

異質(zhì)外延：外延層和襯底為不同種材料，例如SOI((絕緣體上硅)是一種特殊的硅片，其結(jié)構(gòu)的主要特點是在有源層和襯底層之間插入絕緣層——— 埋氧層來隔斷有源層和襯底之間的電氣連接)按電阻率高低分類

正外延：低阻襯底上外延高阻層n/n+ 反外延：高阻襯底上外延低阻層

硅的氣相外延的原理：在氣相外延生長過程中，有兩步： 質(zhì)量輸運過程－－反應(yīng)劑輸運到襯底表面

表面反應(yīng)過程－－在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)釋放出硅原子

摻雜

有意摻雜：按器件對外延導(dǎo)電性和電阻率的要求，在外延的同時摻入適量的雜質(zhì)，這稱為有意摻雜。自摻雜：襯底中的雜質(zhì)因揮發(fā)等而進入氣流，然后重新返回外延層。雜質(zhì)外擴散:重摻雜襯底中的雜質(zhì)通過熱擴散進入外延層。外延的應(yīng)用

1、雙極型電路：n/n外延,在n型外延層上制作高頻功率晶體管。+ 外延：雙極型傳統(tǒng)工藝在p襯底上進行n型外延通過簡單的p型雜質(zhì)隔離擴散，實現(xiàn)雙極型集成電路元器件的隔離。

2、MOS電路:外延膜的主要應(yīng)用是作為雙極型晶體管的集電極。

外延膜在MOS集成電路中的較新應(yīng)用是利用重摻雜外延減小閂鎖效應(yīng)（寄生閘流管效應(yīng)）。

8、分子束外延（MBE）的原理及其應(yīng)用

在超高真空下，熱分子束由噴射爐噴出，射到襯底表面，外延生長出外延層。

9、二氧化硅膜的用途

表面鈍化：保護器件的表面及內(nèi)部，禁錮污染物。

摻雜阻擋層：作為雜質(zhì)擴散的掩蔽膜，雜質(zhì)在二氧化硅中的運行速度低于在硅中的運行速度。絕緣介質(zhì)：IC器件的隔離和多層布線的電隔離，MOSFET的柵電極，MOS電容的絕緣介質(zhì)。

10、二氧化硅膜的獲得方法 A：熱氧化工藝 B：化學(xué)氣相淀積工藝 C：濺射工藝 D：陽極氧化工藝

11、熱氧化機制

① 線性階段，② 拋物線階段（生長逐漸變慢，直至不可忍受）

影響氧化速率的因素有：氧化劑、晶向、摻雜類型和濃度、氧化劑的分壓。熱氧化生長方法：

（1）干氧氧化：干燥氧氣，不能有水分；隨著氧化層的增厚，氧氣擴散時間延長，生長速率減慢；適合較薄的氧化層的生長。氧化劑擴散到SiO2/Si界面與硅反應(yīng)。

（2）水汽氧化:氣泡發(fā)生器或氫氧合成氣源；原理：

（3）濕氧氧化：濕氧氧化的各種性能都是介于干氧氧化和水汽氧化之間，其掩蔽能力和氧化質(zhì)量都能夠滿足一般器件的要求。（4）摻氯氧化：薄的MOS柵極氧化要求非常潔凈的膜層，如果在氧化中加入氯，器件的性能和潔凈度都會得到改善。減

+弱二氧化硅中的移動離子（主要是鈉離子）的沾污影響，固定Na離子；減少硅表面及氧化層的結(jié)構(gòu)缺陷

12、SiO2/Si界面特性： 熱氧化薄膜是由硅表面生長得到的二氧化硅薄膜。高溫生長工藝將使SiO2/Si界面雜質(zhì)發(fā)生再分布，與二氧化硅接觸的硅界面的電學(xué)特性也將發(fā)生變化。雜質(zhì)再分布：有三個因素： ① 分凝效應(yīng)② 擴散速率 ③ 界面移動

水汽氧化速率遠大于干氧氧化速率，水汽氧化SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布就遠小于干氧氧化；濕氧氧化速率介于水汽、干氧之間，SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布也介于水汽、干氧之間。二氧化硅層中存在著與制備工藝有關(guān)的正電荷，這種正電荷將引起SiO2/Si界面P-Si的反型層，以及MOS器件閾值電壓不穩(wěn)定等現(xiàn)象?？蓜与x子或可動電荷

主要是Na、K、H等，這些離子在二氧化硅中都是網(wǎng)絡(luò)修正雜質(zhì)，為快擴散雜質(zhì)。其中主要是Na。在人體與環(huán)境中大++++量存在Na，熱氧化時容易發(fā)生Na沾污。加強工藝衛(wèi)生方可以避免Na沾污；也可采用摻氯氧化，固定Na離子。固定離子或固定電荷

主要是氧空位。一般認為：固定電荷與界面一個很薄的（約30?）過渡區(qū)有關(guān)，過渡區(qū)有過剩的硅離子，過剩的硅在氧化過程中與晶格脫開，但未與氧完全反應(yīng)。干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。熱氧化時，首先采用干氧氧化方法可以減小這一現(xiàn)象。氧化后，高溫惰性氣體中退火也能降低固定電荷。

13、氧化膜厚度的檢測

劈尖干涉和雙光干涉：利用干涉條紋進行測量，因為要制造臺階，所以為破壞性測量。

比色法：以一定角度觀察SiO2膜，SiO2膜呈現(xiàn)干涉色彩，顏色與厚度存在相應(yīng)關(guān)系。比色法方便迅速，但只是粗略估計。橢圓儀法：入射的橢圓偏振光經(jīng)氧化膜的多次反射和折射以后，得到了改變橢圓率的反射橢圓偏振光，其改變量和膜厚與折射率相關(guān)。高頻MOS結(jié)構(gòu)C-V法：測量金屬柵極的電容，利用公式測量氧化膜層的厚度。

14、化學(xué)氣相沉積定義

化學(xué)氣相淀積（Chemical Vapor Deposition）是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積薄膜的工藝方法。與之對應(yīng)的是：PVD（蒸發(fā)和濺射），它主要應(yīng)用于導(dǎo)體薄膜。

15、淀積技術(shù)包括哪兩種？CVD和PVD

16、LPCVD和APCVD的主要區(qū)別？LPCVD有何優(yōu)勢？

APCVD：原料以氣相方式被輸送到反應(yīng)器內(nèi)，原料氣體向襯底基片表面擴散，被基片吸附，由于基片的溫度高或其它能量提供給原料氣體，使其發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)，生成物在基片表面形成薄膜，而生成物中的其它物質(zhì)是氣相物質(zhì)，擴散到氣相中被帶走。LPCVD：低壓情況下，分子自由程較長，薄膜電極的均勻性較高。LPCVD相對APCVD的特點：

增加了真空系統(tǒng)，氣壓在1-10Torr之間；壓下分子自由程長，可以豎放基片；熱系統(tǒng)一般是電阻熱壁式。

17、PECVD的機理？PECVD有何優(yōu)勢？

優(yōu)勢：采用等離子體把電能耦合到氣體中，促進化學(xué)反應(yīng)進行,由此淀積薄膜；因此該法可以在較低溫度下淀積薄膜。PECVD常常是低溫和低壓的結(jié)合。-2+++

+機理：反應(yīng)器的射頻功率使低壓氣體（真空度1-10Torr）產(chǎn)生非平衡輝光放電，雪崩電離激發(fā)出的高能電子通過碰撞激活氣體形成等離子體。襯底基片（具有一定溫度，約300℃）吸附活潑的中性原子團與游離基即高能的等離子體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的薄膜物質(zhì)被襯底吸附、重排進而形成淀積薄膜，襯底溫度越高形成的薄膜質(zhì)量越好。

18、多晶硅淀積和外延淀積的主要區(qū)別。淀積多晶硅薄膜的方法：主要采用LPCVD的方法。摻雜則采用：離子注入；化學(xué)氣相淀積；擴散。多晶硅的淀積和外延淀積的主要區(qū)別：硅烷的使用

19、金屬薄膜的用途？金屬化的作用?

（1）在微電子器件與電路中金屬薄膜最重要的用途是作為內(nèi)電極（MOS柵極和電容器極板）和各元件之間的電連接。（2）在某些存儲電路中作為熔斷絲。

（3）用于晶圓的背面（通常是金），提高芯片和封裝材料的黏合力。

金屬化的作用：集成電路中金屬化的作用是將有源器件按設(shè)計的要求連接起來，形成一個完整的電路與系統(tǒng)。20、說明為什么鋁作為通常使用的金屬薄膜，說明銅作為新一代金屬薄膜的原因。鋁膜：用途: 大多數(shù)微電子器件或集成電路是采用鋁膜做金屬化材料

優(yōu)點：導(dǎo)電性較好；與p-Si，n-Si（>5*10）能形成良好的歐姆接觸；光刻性好；與二氧化硅黏合性好；易鍵合。缺點：抗電遷移性差；耐腐蝕性、穩(wěn)定性差 ；臺階覆蓋性較差。工藝：蒸發(fā)，濺射 銅膜：用途：新一代的金屬化材料，超大規(guī)模集成電路的內(nèi)連線；缺點：與硅的接觸電阻高，不能直接使用；銅在硅中是快擴散雜質(zhì)，能使硅中毒，銅進入硅內(nèi)改變器件性能；與硅、二氧化硅粘附性差。優(yōu)點：電阻率低（只有鋁的40-45%），導(dǎo)電性較好；抗電遷移性好于鋁兩個數(shù)量級； 工藝：濺射

21、VLSI對金屬化的要求是什么？

① 對n+硅和p+硅或多晶硅形成低阻歐姆接觸，即金屬/硅接觸電阻小 ② 能提供低電阻的互連引線，從而提高電路速度 ③ 抗電遷移性能要好

④ 與絕緣體（如二氧化硅）有良好的附著性 ⑤ 耐腐蝕 ⑥ 易于淀積和刻蝕

⑦ 易鍵合，且鍵合點能經(jīng)受長期工作

⑧ 層與層之間絕緣要好，不互相滲透和擴散，即要求有一個擴散阻擋層

22、Al-Si接觸的常見問題及解決辦法？

Al和Si之間不能合成硅化物，但是可以形成合金。Al在Si中溶解度很小，但是相反Si在Al中溶解度很大，這樣就形成尖楔現(xiàn)象，從而使P-N結(jié)失效。解決尖楔問題： +（1）一般采用Al-Si合金代替Al作為Al/Si的接觸和互連材料。但是又引入了硅的分凝問題。

（2）由于銅的抗電遷移性好，鋁-銅（0.5-4%）或鋁-鈦（0.1-0.5%）合金結(jié)構(gòu)防止電遷移，結(jié)合Al-Si合金，在實際應(yīng)用中人們經(jīng)常使用既含有銅又含有硅的Al-Si-Cu合金以防止合金化（即共熔）問題和電遷移問題。（3）（4）Al-摻雜多晶硅雙層金屬化結(jié)構(gòu)：在多晶硅中摻雜重磷或重砷，構(gòu)成摻雜多晶的結(jié)構(gòu)。鋁-隔離層結(jié)構(gòu)：在Al-Si之間沉積一層薄的金屬層，替代磷摻雜多晶硅，成為阻擋層。

23、說明難熔金屬在金屬連線中的作用？

難熔金屬及其硅化物有較低的電阻率和接觸電阻。難熔金屬的一個廣泛應(yīng)用是在多層金屬結(jié)構(gòu)中填充連接孔，這個工序叫作過孔填充，填補好的過孔叫做接線柱。

24、金屬化的實現(xiàn)方法有幾種？請論述真空濺射方法 金屬化的實現(xiàn)主要通過兩種方式來實現(xiàn)： ① 物理淀積

A：真空蒸發(fā)淀積（較早，金屬鋁線）

B：真空濺射淀積（Al-Si合金或Al-Si-Cu合金）2LPCVD（難熔金屬）○真空蒸發(fā)淀積 ：被蒸物質(zhì)從凝聚相轉(zhuǎn)化為氣相；氣相物質(zhì)在真空系統(tǒng)中的輸運；氣相分子在襯底上淀積和生長。分為電阻、電子束等蒸發(fā)沉積。真空濺射沉積：濺射淀積是用核能離子轟擊靶材，使靶材原子從靶表面逸出，淀積在襯底材料上的過程。

25、說明金屬CVD的優(yōu)勢和主要用途。金屬CVD ： LPCVD可以應(yīng)用于制作金屬薄膜。

優(yōu)勢：不需要昂貴的高真空泵；臺階覆蓋性好；生產(chǎn)效率較高。用途：難控制金屬；難熔金屬，主要是鎢。

26、什么叫做光刻，光刻有何目的？

光刻是圖形復(fù)印與腐蝕作用相結(jié)合，在晶片表面薄膜上制備圖形的精密表面工藝技術(shù)。

光刻的目的就是：在介質(zhì)薄膜、金屬薄膜或金屬合金薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形，從而實現(xiàn)選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的。

27、光刻技術(shù)的圖形轉(zhuǎn)移分為哪兩個階段？ 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層；圖形從光刻膠層轉(zhuǎn)移到晶圓層

28、列出光刻工藝的十個步驟，并簡述每一步的目的。表面準備：微粒清除，保持襯底的憎水性。

涂光刻膠：與襯底薄膜粘附性好，膠膜均勻，是光刻工藝的核心材料。

前烘：使膠膜體內(nèi)的溶劑充分揮發(fā)使膠膜干燥；增加膠膜和襯底的粘附性以及膠膜的耐磨性 對準和曝光：把所需圖形在晶圓表面上定位或?qū)?；通過曝光燈或其他輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上

后烘：減少駐波效應(yīng)，激發(fā)化學(xué)增強光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應(yīng)并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影：將掩膜板上的圖形顯示在光刻膠上。

堅膜：除去光刻膠中剩余的溶劑，增強光刻膠對襯底的附著力。

刻蝕：把顯影后的光刻膠微圖形下層材料的裸露部分去掉，將光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到下層材料上去的工藝叫作刻蝕。去膠：刻蝕完成以后將光刻膠去除掉。

29、光刻膠的分類，談?wù)務(wù)z和負膠的區(qū)別。

正膠：膠的曝光區(qū)在顯影中除去。正膠曝光時發(fā)生光分解反應(yīng)變成可溶的。使用這種光刻膠時，能夠得到與掩膜版遮光圖案相同的圖形，故稱之為正膠。負膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，用的較多。具體說來負膠在曝光前對某些有機溶劑是可溶的，而曝光后發(fā)生光聚合反應(yīng)變成不可溶的。使用這種光刻膠時，能夠得到與掩膜版遮光圖案相反的圖形，故稱之為負膠。30、刻蝕的方法分類，刻蝕常見有哪些問題？ 分類：刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

濕法刻蝕：化學(xué)腐蝕，在腐蝕液中通過化學(xué)反應(yīng)去除窗口薄膜，得到薄膜圖形。優(yōu)點：工藝簡單，無需復(fù)雜設(shè)備，選擇比高；均勻性好。缺點：各向同性腐蝕；分辨率低，自動化難。干法刻蝕：使用氣體和等離子體能量來進行化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)工藝。

常見問題：不完全刻蝕、刻蝕和底切、各向同性刻蝕。優(yōu)點：刻蝕非常有方向性（各向異性），導(dǎo)致良好的小開口區(qū)域的精密度。缺點：選擇性差。

31、摻雜技術(shù)實現(xiàn)的兩種方式以及摻雜的目的 方式：擴散和離子注入

目的：在晶圓表面下的特定位置處形成PN結(jié)；在晶圓表面下得到所需的摻雜濃度。

32、擴散的基本原理、離子注入的基本原理及其比較

微電子工藝中的擴散是雜質(zhì)在晶體內(nèi)的擴散，因此是一種固相擴散。晶體內(nèi)擴散有多種形式：填隙式擴散、替位式擴散、填隙-替位式擴散。離子注入技術(shù)：離子注入是將含所需雜質(zhì)的化合物分子（如BCl3、BF3）電離為雜質(zhì)離子后，聚集成束用強電場加速，使其成為高能離子束，直接轟擊半導(dǎo)體材料，當(dāng)離子進入其中時，受半導(dǎo)體材料原子阻擋，而停留在其中，成為半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)。離子注入時可采用熱退火工藝，修復(fù)晶格損傷，注入雜質(zhì)電激活。離子注入技術(shù)的優(yōu)勢：① 離子注入克服熱擴散的幾個問題：

A 橫向擴散，沒有側(cè)向擴散 B 淺結(jié)

C 粗略的摻雜控制 D 表面污染的阻礙 ② 離子注入引入的額外的優(yōu)勢：

A 在接近常溫下進行 B 使寬范圍濃度的摻雜成為可能

33、集成電路的形成

集成電路的制造工藝與分立器件的制造工藝一樣都是在硅平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，有很多相同之處，同時又有所不同。相同點：單項工藝相同的方法外延，氧化，光刻，擴散，離子注入，淀積等。不同點：主要有電隔離，電連接，局部氧化，平整化以及吸雜等。

電隔離：

（1）PN結(jié)隔離：雙極型集成電路多采用PN結(jié)隔離，是在硅片襯底上通過擴散與外延等工藝制作出隔離島，元件就做在隔離島上。（2）介質(zhì)隔離：SOS集成電路（Silicon on Sapphire）是最早的介質(zhì)隔離薄膜電路，新材料SOI（Silicon on Insulator）有很大發(fā)展，SOI集成電路也是采用介質(zhì)隔離工藝的電路。

電連接：集成電路各元件之間構(gòu)成電路必須進行電連接，這多是采用淀積金屬薄膜，經(jīng)光刻工藝形成電連接圖形，電路復(fù)雜的集成電路一般是多層金屬布線，構(gòu)成電連接。局部氧化：分離器件的氧化工藝是在整個硅片表面制備二氧化硅薄膜，而集成電路工藝中的氧化有時是在局部進行，如MOS型電路中以氮化硅作為掩蔽膜的局部氧化技術(shù)。平整化：超大規(guī)模集成電路的制備經(jīng)過多次光刻、氧化等工藝，使得硅片表面不平整，臺階高，這樣在進行電連接時，臺階處的金屬薄膜連線易斷裂，因此，有時通過平面化技術(shù)來解決這一問題，如在金屬布線進行電連接之前，采用在硅片表面涂附聚酰亞胺膜的方法達到平面化的工藝技術(shù)。

吸雜：硅單晶本身的缺欠以及電路制備工藝中的誘生缺欠，對電路性能影響很大，有源元件附近的缺欠，通過吸雜技術(shù)可以消除或減少缺欠，如通過在硅片背面造成機械損傷，噴沙或研磨，這種背損傷可以吸收雜質(zhì)與缺欠。

34、封裝的工藝流程

底部準備：底部準備通常包括磨薄和鍍金。劃片：用劃片法或鋸片法將晶片分離成單個芯片

取片和承載：在挑選機上選出良品芯片，放于承載托盤中。

粘片：用金硅熔點技術(shù)或銀漿粘貼材料粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域。

打線：A：芯片上的打線點與封裝體引腳的內(nèi)部端點之間用很細的線連接起來（線壓焊）；B：在芯片的打線點上安裝半球型的金屬突起物（反面球形壓焊）；C：TAB壓焊技術(shù)； 封裝前檢查 有無污染物；芯片粘貼質(zhì)量；金屬連接點的好壞 電鍍、切割筋成和印字 最終測試

35、封裝設(shè)計

金屬罐法；雙列直插封裝；雙列直插封裝；針形柵格陣列封裝 球形柵格陣列封裝；薄形封裝；四面引腳封裝 ；板上芯片（COB）

第四篇：微電子就業(yè)

微電子學(xué)

A微電子學(xué)畢業(yè)之后一般做什么？近幾年的就業(yè)率和收入怎么樣，能不能說一下你們畢業(yè)班的情況？

微電子分大概的分設(shè)計和工藝2塊，本科畢業(yè)去設(shè)計的方向比較少，這2塊都是比較累人的行當(dāng)。工藝的就是工廠型，本科去做PE和QC比較多，研究生多數(shù)搞設(shè)計，收入比工藝要高，基本在入行時在6000+的樣子(合肥工大)

能做很多啊,很多微電子方面的公司啊,有做工藝工程師的,有做版圖設(shè)計的,有在網(wǎng)通的,有在電信的,我做PE(南郵)

如果學(xué)微電子畢業(yè)后做本專業(yè)基本上有3個方向的,1前端設(shè)計2是把前端設(shè)計的圖紙實現(xiàn)電路功能,3是后端的封裝.不過本科畢業(yè)直接做本專業(yè)工作基本上什么都不懂的,也得一點點從頭開始,在學(xué)校學(xué)的大部分東西都用不到的,個人認為想做本專業(yè)的話,讀研可能會好一點,其實很多東西是看自己的,你不是也上過大學(xué)么,其實專業(yè)都差不多的,關(guān)鍵看個人了,象學(xué)我們專業(yè)的,也可以去做銷售 市場什么的.我想你最好樹立個目標,有個方向,這樣才知道自己想要追求什么,讓他們想想以后想做什么,并為之去努力,個人感覺現(xiàn)在的大學(xué)生大部分早就沒了自己的思想了,都迷迷糊糊走了個過程,也包括我,最好去培養(yǎng)他們的意識,感覺這樣比上個好專業(yè)要好.(合肥工大)

做什么都行，我不想做技術(shù)類的！我的同學(xué)他們都是在搞電路方面的工作，還有的在做IC設(shè)計的，還有通信行業(yè)，也可以向微系統(tǒng)方向發(fā)展，這科發(fā)展的方向還是比較廣的。(南郵)

微電子愿意進廠里做制造的工作基本都有人要，國企兩千多，臺企三千多，外企就更高了。不過難度依次遞增……工作也枯燥的。做設(shè)計類的本科比較少，我們班近三分之二的人讀研很能說明問題的（電子科大）

我們這個專業(yè)分光電子和微電子，微電子工作比較好找，光電子考研比較多。我們找了工作的同學(xué)在富士康，富士通，比亞迪，天地偉業(yè)，錮锝等，本科畢業(yè)一般不是研發(fā)，主要在生產(chǎn)線上，也有干銷售的。（山東大學(xué)）

還好吧.收入也不錯.就業(yè)率也不錯.（南開大學(xué)）

如果在大學(xué)里面專業(yè)知識學(xué)的比較扎實的話找個不錯的工作還是比較容易的,而且待遇大概在25003000左右,如果其他的能力不錯的話,還可以找一些和我們專業(yè)相關(guān)的工作,工資也在20003000左右.畢業(yè)時班里就有一個沒有拿到畢業(yè)證的沒有找到工作,其他的都還可以(合肥工大)

微電子現(xiàn)在比較火，就業(yè)應(yīng)該比較容易，待遇也很不錯，但是本科出去的話可能會做一些畫版圖，做封裝，測試，工藝之類的，搞設(shè)計的比較少，只有極個別學(xué)得很好的．我現(xiàn)在在讀研究生，出去一般是電路或者器件設(shè)計．微電子我們學(xué)校待遇一般為本科３０００＋碩士６０００＋（電子科大）

B微電子學(xué)學(xué)些什么？適合什么樣的人學(xué)？有沒有什么特殊要求？

微電子學(xué)其實是很大的學(xué)科，它里面包括主要兩大類：設(shè)計電路和制造工藝。設(shè)計主要分為

模擬電路和數(shù)字電路，前者需要較強的知識根基，而后者相對要求低些，尤其是從事超大規(guī)模集成電路設(shè)計工作，說白了就是應(yīng)用所學(xué)專業(yè)知識以寫程序的形式表現(xiàn)出來，用各種軟件實現(xiàn)設(shè)計！當(dāng)然現(xiàn)在很多要設(shè)計的東西幾乎都要用軟件的。當(dāng)然，這不是簡單的程序員！要在這行做出成績來，最好能將來讀研或出國。因為本科生所學(xué)應(yīng)付深些的專業(yè)的知識就不夠了。而且將來研究生越來越多，使本科生壓力更大。由于專業(yè)的特殊性，我感覺要學(xué)這專業(yè)最好對理科比較感興趣，至少是不討厭理科，比如物理之類，微電子課程是比較多、任務(wù)較重的，而且知識更新比較快，不過我感覺這不是太難的，只要自己肯下功夫我想難度因人而異。你既然能上網(wǎng)不如多看一些相關(guān)信息，若有相關(guān)專業(yè)的同學(xué)問問最好，我這僅供參考。高考能考好學(xué)校當(dāng)然好，不行最好弄個好專業(yè)（就業(yè)好）。微電子就業(yè)待遇至少在南方尤其東南沿海還是不錯的，當(dāng)然也是工作壓力比重的行業(yè)。(合肥工大)

沒有什么特別的要求，感興趣就學(xué)！主要是學(xué)一些半導(dǎo)體，集成電路，電路設(shè)計方面的！不過這個專業(yè)學(xué)起來很累，工科類的課程比較多，也煩。跟經(jīng)濟類的沒法比。學(xué)經(jīng)濟類的也不錯。（山東大學(xué)）

沒什么特殊要求，只要身體健康，不要看到理科就要睡覺，物理還行，特別是對電路感興趣最好了；但如果是只打算讀到本科畢業(yè)這期間不是特別優(yōu)秀的話，可能就要做工藝方向了，如果想做設(shè)計必須讀到碩士以上！這方面在將來人才的缺口很大(南郵)

C微電子學(xué)專業(yè)在你們學(xué)校怎么樣？這個專業(yè)前景如何？

我們學(xué)校得這個專業(yè)不是很好，但是個人覺得這么專業(yè)前景不，學(xué)的好不愁找不到好工作的(合肥工大)

就業(yè)率很高,只要你學(xué)的好,將會有非常光明的前景(南郵)

我就是微電子專業(yè)畢業(yè)的，山大還是文科見長，真想學(xué)這個專業(yè)還是去北京郵電，是全國第一，出來很好找工作的，（山東大學(xué)）

D微電子學(xué)專業(yè)好不好？你對要學(xué)這個地專業(yè)的學(xué)弟學(xué)妹有什么建議？

目前就業(yè)還可以吧，(合肥工大)

這個專業(yè)是個很有發(fā)展前景的專業(yè) 但是并非誰都能學(xué) 與智商無關(guān) 關(guān)鍵看興趣 它是一門理論性比較強的學(xué)科 說白了很枯燥 總體上來說 不太適合女生學(xué) 當(dāng)然 那種天生就特有研究欲望與天賦的女孩除外 它主修集成電路 芯片這部分 不得不說 男孩子在這方面是比女孩子有天賦的 還有 在以后就業(yè)方面 女孩子相對比較困難 而且工作環(huán)境一般 要從最基本的做起 很累 男孩子也一樣 我大學(xué)的同學(xué)現(xiàn)在在做本專業(yè)的不多 還有這個專業(yè)比較好的一條出路還得算是一直學(xué)下去 至少讀到博士以上 留研究所也好 在高校任教也好(合肥工大)

E微電子學(xué)專業(yè)本科畢業(yè)了適合考研還是找工作？

讀研比較好些，但要考名校，出國讀研（money要充足）也是要考名校，現(xiàn)在是海歸成群，所以考名校對以后找工作是好的選擇至于家庭情況，(合肥工大)

如果想搞設(shè)計那就讀研，如想搞工藝、封裝、測試的話，本科就 夠了(電子科大)

出國讀研（電子科大）

F微電子學(xué)專業(yè)的在校生大學(xué)應(yīng)該怎么過？

大一其實主要上基礎(chǔ)課，例如高數(shù)，英語，電路，數(shù)模電等等，并動手接觸一些基礎(chǔ)實驗，到大二大三漸漸開始學(xué)習(xí)專業(yè)課，并在學(xué)習(xí)過程中知道自己日后發(fā)展的方向，是想走集成電路方向還是工藝方向，而集成電路方向又可以細分為模擬和數(shù)字兩部分。（南開大學(xué)）

微電子是很好得專業(yè)，在這個方向打有可為。微電子是知識、技術(shù)、資金很密集的行業(yè)，想要作出些成績就必須下一番苦功夫。首先基礎(chǔ)一定要大好，大學(xué)里一定少逃課，要逃也不能逃和專業(yè)有關(guān)的課。堅持每天自習(xí)，要知道他們身上是有使命的。微電子產(chǎn)業(yè)屬于國家戰(zhàn)略，象863計劃等等不一而足。半導(dǎo)體（廣義的微電子）在推進人類文明方面的貢獻太大了，說現(xiàn)在是硅時代一點都不為過。要是沒有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沒有微電子，現(xiàn)在所有的數(shù)碼產(chǎn)品和幾乎所有的電子設(shè)備都無從談起。硅是可以戰(zhàn)勝鋼鐵的！還有就是微電子的工作好找些，待遇也算不錯。具體一些課程嘛，公共基礎(chǔ)課象數(shù)學(xué)，物理，英語根基要打好，基礎(chǔ)好了才能把房子蓋好了。專業(yè)基礎(chǔ)課（不同學(xué)校不同方向會有些不一樣）模電、數(shù)電、電路理論、半導(dǎo)體物理要理解得很深刻很透徹，盡量多找些資料來看，不要局限于課本。這些課程直接決定你在這個行業(yè)的潛力有多大。如果覺得很吃力，自己實在學(xué)不來，就建議你轉(zhuǎn)行（明白這些課程的重要性了嗎？）專業(yè)核心課如：器件原理（其實半導(dǎo)體物理也應(yīng)該屬于核心課），集成電路工藝、Verilog(VHDL)等EDA工具就不用多說了。舉個例，EDA工具中有個叫Candence的，只要學(xué)好了找個很好的工作簡直是輕而易舉的事情。要在哪一行做得好都不是件容易的事情，所以不要因為自己是微電子專業(yè)的學(xué)生就沾沾自喜，天下沒有白癡的午餐，想必你們也聽過做IT的過勞死最嚴重，年紀輕輕就將生命獻給了工作實在可嘆。平時也要多鍛煉多發(fā)展些愛好，千萬不能把時間荒廢在游戲中。剛進大學(xué)會覺得課程太多，要把所有的都學(xué)好是很困難的，不比高中。所以一定要有輕重緩急，目標要明確，這就是我在上面說那么多的原因。(四川大學(xué))

我覺得大一是一個適應(yīng)性的階段，應(yīng)該多學(xué)習(xí)多觀察。專業(yè)課的東西還不是很多，更多的是一些學(xué)校開的基本的課程，比如高數(shù)，英語之類的。應(yīng)該學(xué)好對以后的學(xué)習(xí)很關(guān)鍵。試著去接觸一些實踐性的東西，對鞏固所學(xué)知識很有用。無論是對以后找工作，還是考研都有用。（山東大學(xué)）

G微電子學(xué)專業(yè)畢業(yè)去哪些單位比較好？

intel，AMD,VIA,freescale,IBM 可能比較難進 國內(nèi)也有許多微電子公司 微電子也分制造，設(shè)計 也可以做銷售，市場吧 國內(nèi)微電子產(chǎn)業(yè)還是比較落后的，但是最近幾年還是有比較好的發(fā)展的(南郵)

第五篇：微電子材料公司

西安明科微電子材料有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 安康· 紡織、皮革 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：鋁碳化硅微電子封裝材料 鋁碳化硅封裝基板 鋁碳化硅封裝熱沉 鋁碳化硅微電子

封裝外殼 進出口貿(mào)易代理

西安明科微電子材料公司是中國生產(chǎn)和銷售鋁碳化硅微電子封裝材料的主要企業(yè)，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和獨特技術(shù)，主要產(chǎn)品包括鋁碳化硅微電子封裝材料及其加工成型的各種產(chǎn)品，可以廣泛用于功率器件、光電子器件及其它...地址：陜西 西安市 高新五路創(chuàng)拓大廈222室

上海夏恒微電子科技有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 上海· 紡織、皮革 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：半導(dǎo)體 硅片清洗機 硅片蝕刻 液晶生產(chǎn)設(shè)備 防靜電設(shè)備

上 海 夏 恒 微 電 子 有 限 公 司（ssmt為一著名的專業(yè)（3英寸-12英寸）半導(dǎo)體集成電路/光電太陽能和液晶（tn / stn / fstn / c-stn / tft / pdp等）生產(chǎn)設(shè)備與材料供貨商，自成立以來不斷致力于產(chǎn)

地址：上海 上海

廈門聯(lián)創(chuàng)微電子股份有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 廈門· 配套材料 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：配套材料 小家電專用集成電路 ASIC IC 微處理器

廈門聯(lián)創(chuàng)微電子股份有限公司是廈門微電子集成技術(shù)研究中心(xmit)與廈華、夏新等電子龍頭企業(yè)于1999年12月聯(lián)合創(chuàng)建的高新科技研發(fā)型企業(yè)。她座落在與臺灣一水之隔的廈門的“夏威夷勝地”??環(huán)島路──廈門軟件園區(qū)，...地址：福建 廈門

天津晶嶺電子材料有限公司

品牌實名：CMP拋光液

[ 全國· 精細化學(xué)品、日用化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：技術(shù)的支持等 使客戶滿意 硅片拋光液 磨片清洗劑 LCD清洗劑

天津晶嶺電子材料科技有限公司是中外合資企業(yè)。是一家專業(yè)生產(chǎn)CMP拋光液、清洗液等微電子、光電子相關(guān)耗材的高科技企業(yè)，公司有一流的技術(shù)研發(fā)隊伍,產(chǎn)品獲國家多項專利和發(fā)明獎,并被列入國家重點推廣計劃,國家級...地址：天津 天津市 天津開發(fā)區(qū)微電子工業(yè)區(qū) 中曉園2-B

昆明理工恒達科技有限公司營銷部

品牌實名：暫未申請

[ 全國· 冶金礦產(chǎn) ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：銀包銅粉 超低松比片狀銀粉 片狀鎳粉 片狀錫粉 片狀銦粉

昆明理工恒達科技有限公司成立于2000年8月，位于昆明高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)北區(qū)內(nèi)，占地

20多畝，建筑面積10000多平方米。是昆明理工大學(xué)首批進入昆明國家級高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的高新技術(shù)企業(yè)，注冊資金3000萬元人民幣；法...地址：云南 昆明市 中國云南省昆明市高新開發(fā)區(qū)海源北路

湘微電子材料有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 全國· 建筑、建材 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：有機硅膠 有機氟類產(chǎn)品 電子灌封 電子粘合 電子涂敷

湘徽電子材料有限公司企業(yè)簡介 灌封材料可提供有機硅類白色，黑色，透明，紅色等個種顏色的品種。固化溫度從25℃~150℃，有單組分和雙組分，體積電阻從1.0~1×1016歐姆/厘米，可調(diào)配阻燃UL94HB~VO級，耐溫-40℃~2...地址：江蘇 蘇州市 蘇州市三園四村25棟

三和微電子材料開發(fā)有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 蘇州· 化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：主要生產(chǎn)超大規(guī)模集成電路所用的超凈高純電子化學(xué)品 適用于0 5~1 2μm的IC電路 主要產(chǎn)品為“VLSI”級硫酸

蘇州市三和微電子材料開發(fā)有限公司即原蘇州市三和化學(xué)品有限公司，公司位于蘇州市虎丘經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，占地15000平方米，其中綠化面積占43%以上，是一座花園式的廠房.公司擁有百級凈化房以及尖端的檢測儀器，如美國太...地址：江蘇省.蘇州市蘇州市新蓮東路

山東萬達微電子材料有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 東營· 照明 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：聚酰胺薄膜

我們是一家專業(yè)生產(chǎn)雙向拉伸聚酰亞胺膜（PI膜）的廠家，擁有世界先進的生產(chǎn)設(shè)備，年生產(chǎn)能力200噸。|主要生產(chǎn)的規(guī)格有：0.0125mm，0.025mm，0.05m，0.075mm|0.08mm等幾種規(guī)格的品種。

地址：山東省東營市東營區(qū)開發(fā)區(qū)一類工業(yè)園

華越微電子有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 紹興· 電子元器件 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：電視機IC 音響IC 電話機IC 照相機IC 碟機IC

本公司隸屬于中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團公司（CEC），是國內(nèi)七大重點集成電路制造商之一。公司籌建于1980年，現(xiàn)擁有IC設(shè)計公司（控股）、4英寸、5英寸集成電路芯片制造工廠、后道封裝公司（控股）、測試工廠以及完整的...地址：浙江省紹興市越城區(qū)環(huán)城西路天光橋3號

珠海市拱北亞太微電子材料經(jīng)營部

品牌實名：暫未申請

[ 珠?！?精細化學(xué)品、日用化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：焊錫膏 電位器

亞太微電子材料(珠海)有限公司DJ.chemical & co 作為一家總部設(shè)在紐約的專業(yè)的電子化學(xué)公司，在研發(fā)、生產(chǎn) SMT 焊錫膏的技術(shù)一直走在業(yè)界前沿，而亞太微電子早在 80 年代初期與 DJ.chemical & co 在地址：廣東 珠海市 昌平路

江陰市江化微電子材料有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 江蘇· 化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：防銹劑等化學(xué)品生產(chǎn)

江陰市江化微電子材料有限公司，是一家生產(chǎn)適用于半導(dǎo)體分立器件、中小規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路以及LCD、LED等工藝制造過程中的專用微電子化學(xué)品??紫外負性光刻膠及其紫外正、負性光刻膠配套試劑、超凈高純試...地址：江蘇 江陰

上海大智微電子包裝材料有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 上?！?交通運輸 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：包裝管 各類異形擠出 載帶托盤

創(chuàng)立:2003年5月，采用臺灣設(shè)備，計劃規(guī)模為各類流水線100余條，總投資5000萬元.|本產(chǎn)品遵循EIA-481規(guī)則設(shè)計，根據(jù)用戶要求制成導(dǎo)電型，防靜電型，非防靜電型PS，PC，尺寸精確，機械及電性能優(yōu)越.地址：上海市市轄區(qū)青浦區(qū)青浦工業(yè)園區(qū)外青松公路5098號

深圳安普微電子有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 深圳· 照明 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：二極管 三極管 電晶體 MOSFET 記憶體

AMPRO?有?以百??的?俏?子原件?存，??各?主??子原件（二，三?管，?晶?，MOSFET，???，晶片?，各路）和被??子原件（?容，?阻，?感）。AMPRO在2005?始?日本MATSUKI ELECTRIC合作，?

地址：廣東 深圳市 南山區(qū)海德三道海岸城大廈東座110

2上海賽微電子科技有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 全國· 紡織、皮革 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：電子產(chǎn)品 PLC 機械 計算機軟硬件 建筑裝潢材料

上海賽微電子科技有限公司是一家高新技術(shù)開發(fā)有限公司。從事電子領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技

術(shù)服務(wù)、技術(shù)咨詢，機電設(shè)備（除特種裝備）研發(fā)、生產(chǎn)，計算機軟硬件開發(fā)、銷售，電子產(chǎn)

品，建筑裝潢材料銷售，建筑工程，室...地址：上海 上海市 上海市水產(chǎn)西路859弄36#401室

蘇州三和微電子材料開發(fā)有限公司業(yè)務(wù)部

品牌實名：暫未申請

[ 蘇州· 精細化學(xué)品、日用化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：無水乙醇 95%乙醇 異丙醇 甲苯 丙酮

公 司 簡 介 蘇州市三和微電子材料開發(fā)有限公司即原蘇州市三和化學(xué)品有限公司，公司位于蘇州市虎丘經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，占地15000平方米，其中綠化面積占43%以上，是一座花園式的廠房。公司以科技為本，立足于電子工業(yè)的...地址：江蘇 蘇州市平江區(qū)虎丘經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新蓮路100號

上海復(fù)旦微電子股份有限公司營銷中心

品牌實名：暫未申請

[ 全國· 儀器儀表 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：主營行業(yè) ic卡 電子器件 應(yīng)用系統(tǒng) ic卡

上海復(fù)旦微電子股份有限公司是一家專門從事集成電路芯片設(shè)計和銷售的大型高新技術(shù)企業(yè),主要設(shè)計和銷售智能卡芯片產(chǎn)品和相關(guān)的ic卡/智能卡讀寫機具/智能卡應(yīng)用系統(tǒng)/射頻讀寫器芯片/社頻讀寫模塊.同時供應(yīng)配套的卡基...地址：

武漢市天元電子有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 武漢· 紡織、皮革 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：PTC熱敏電阻 PTC專用電極漿料 微電子封裝材料

武漢天元電子有限公司是由深圳天元實業(yè)發(fā)展有限公司與原武漢市電子工業(yè)局于1993年在漢共同投資興辦的專業(yè)生產(chǎn)PTC熱敏電阻（PTC熱敏陶瓷材料）系列產(chǎn)品的高科技制造企業(yè)。公司已通過ISO9001/2000認證，產(chǎn)品為國內(nèi)...地址：湖北 武漢市 漢陽區(qū)十里鋪十里新村151號

昌博電子有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 廣州· 精細化學(xué)品、日用化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：LED半導(dǎo)體微電子元器件和電路原件裝配材料 電子粘合劑 導(dǎo)電銀膠 UV紫外線固化膠 LED絕緣膠

廣州市昌博電子有限公司原名華博電子科技有限公司。公司自創(chuàng)建至今，在全體昌博人員不懈的努力追求下，以市場經(jīng)濟為導(dǎo)向，以滿足廣大用戶的需要為根基，在短短的幾年時間內(nèi)磨劍鑄輝煌，全體昌博人員正以矯健的英...地址：中國 廣東 廣州市黃埔區(qū) 中山大道中珠村商業(yè)大夏6樓6B09室

東莞市碩研潔凈技術(shù)有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 東莞· 精細化學(xué)品、日用化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：微污染物及來源分析與控制 材料檢測分析服務(wù) 實驗室分析技術(shù)咨詢服務(wù) 潔凈室維護與清潔技術(shù) 潔凈室性能評價和監(jiān)控

東莞市碩研潔凈技術(shù)有限公司是提供材料檢測分析,ESD控制,潔凈室性能評價、維護和監(jiān)控，微污染物及來源分析與控制,實驗室分析技術(shù)咨詢服務(wù),尖端工業(yè)清洗技術(shù)及相關(guān)技術(shù)咨詢服務(wù)的專業(yè)公司。公司擁有一支高層次的技...地址：廣東 東莞市 廣東省東莞市南城區(qū)勝和簪花路8號華凱活力中心1010B室

田菱精細化工(昆山)有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 蘇州· 化工 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：生產(chǎn)微電子 陶瓷用燒成材料 水性ＵＶ樹脂 并提供相關(guān)技術(shù)咨詢和技術(shù)服務(wù) 銷售自產(chǎn)產(chǎn)品

地址：江蘇省.蘇州市昆山市千燈鎮(zhèn)尚書東路

天津亞微電子材料科技有限公司

品牌實名：暫未申請

[ 天津· 環(huán)保 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：紡織廢料

引進國外先進技術(shù)，生產(chǎn)全系列含鉛/無鉛BGA/CSP錫球。為您定制特殊規(guī)格BGA/CSP錫

球。期待與您的合作，亞微電子等候您的垂詢。歡迎登陸公司主頁，查詢您關(guān)注或需要的產(chǎn)品。請您留言告訴我們您的要求，也許那正是我...地址：天津經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)第四大街74號

杰生科技(深圳)電子材料事業(yè)部

品牌實名：暫未申請

[ 深圳· 電工電氣 ·生產(chǎn)商]

產(chǎn)品與服務(wù)：專業(yè)的SMD微電子包裝服務(wù)廠商。Professional SMD Electronic Tape and

地址：廣東省深圳市機場開發(fā)區(qū)