第一篇：美國芯源系統(tǒng)有限公司西安電子科技大學(xué)現(xiàn)場招聘會

美國芯源系統(tǒng)有限公司西安電子科技大學(xué)現(xiàn)場招聘會

美國芯源系統(tǒng)有限公司（MPS）成立于1997年，總部位于美國硅谷的圣何塞，是一家專注于模擬、混合信號集成電路行業(yè)的高科技企業(yè)。公司集設(shè)計、研發(fā)、制造、銷售為一體，擁有多項處于世界頂尖水平的專利技術(shù)。MPS旗下包括CCFL燈管驅(qū)動芯片、DC/DC變換器、白光LED驅(qū)動器、D類功放IC四大類100多個品種，不僅在設(shè)計和研發(fā)上獨樹一幟，更擁有獨特的制造工藝，使MPS產(chǎn)品擁有性能高、體積小、成本低的競爭優(yōu)勢。

MPS自成立以來，一直視創(chuàng)新為生命，始終走在全球的行業(yè)科技尖端，在應(yīng)用開發(fā)、解決方案上大膽突破，使我們產(chǎn)品所應(yīng)用的電子產(chǎn)品外形更輕巧，性能更穩(wěn)定、使用更節(jié)能。我們的創(chuàng)新理念是：以科技引領(lǐng)科技，讓人類的生活更便捷，盡情暢享科技樂趣！

MPS經(jīng)過10余年的技術(shù)沉淀和全球市場拓展，于2004年在納斯達(dá)克成功上市，同時成長為近年來全球發(fā)展最為迅速的半導(dǎo)體公司之一。2007年，在福布斯網(wǎng)站上公布的美國規(guī)模業(yè)績綜合實力發(fā)展最快的半導(dǎo)體高科技企業(yè)排名中，MPS位列第一。

根據(jù)MPS全球化發(fā)展戰(zhàn)略，自2003年至2005年，MPS先后投資中國建立MPS上海，MPS成都，MPS深圳及MPS杭州分公司，拓展MPS在中國的業(yè)務(wù)，并計劃在未來5年內(nèi)將MPS成都公司打造成為中國最大的集成電路設(shè)計中心之一。

MPS各分公司秉承公司總部的一貫宗旨，視人才為企業(yè)生命，大力實施中國本土人才培養(yǎng)戰(zhàn)略，以嚴(yán)格的選拔程序、海內(nèi)外結(jié)合的培訓(xùn)機(jī)制、良好的企業(yè)文化和具有競爭力的薪酬福利以及員工期權(quán)來選人、育人、留人。目前，MPS中國公司的技術(shù)人員中，80%以上直接來自于校園招聘的應(yīng)屆畢業(yè)生，這批年輕的技術(shù)人員已經(jīng)開始嶄露頭角，他們正在為中國的集成電路行業(yè)做出自己的貢獻(xiàn)。

如今，MPS在中國發(fā)展非常迅速，需要大量優(yōu)秀人才加盟。為適應(yīng)MPS發(fā)展需要，MPS計劃于2008年9月23日在西安電子科技大學(xué)舉行現(xiàn)場招聘會。

時間：2008年9月23日（周二）2:00-3:30

地點：西安電子科技大學(xué)階梯教學(xué)樓114室

MPS 成都分公司

碩士：設(shè)計工程師、應(yīng)用工程師、測試工程師、失效分析工程師、知識產(chǎn)權(quán)工程師

本科：版圖工程師、生產(chǎn)測試工程師、成品合格率提高工程師、應(yīng)用技術(shù)員、知識產(chǎn)權(quán)工程師

MPS 杭州分公司

碩士：應(yīng)用工程師、知識產(chǎn)權(quán)工程師

MPS上海/深圳辦事處

碩士：現(xiàn)場應(yīng)用工程師

具體職位要求，請登陸了解有關(guān)上述職位的更多說明。由于招聘宣講會后隨即將進(jìn)行筆試，屆時請帶上您的中英文簡歷、筆、直尺及計算器參加我們的現(xiàn)場招聘會。

聯(lián)系方式：

成都分公司：

028-87303039劉小姐Selina.Liu@monolithicpower.com

杭州分公司（含上海/深圳辦事處）：

0571-87382506 項小姐Sharon.Xiang@monolithicpower.com

公司網(wǎng)址：

第二篇：院士領(lǐng)銜,一步步做強(qiáng)中國“芯”,這里是西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室

院士領(lǐng)銜，一步步做強(qiáng)中國“芯”，這里是西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室

在現(xiàn)代世界里，沒有人能和“半導(dǎo)體”脫離了關(guān)系。我們每天滑的手機(jī)、看的電視、用的電腦、開的燈，都有半導(dǎo)體器件在里面工作。從一定程度上來說，正如互聯(lián)網(wǎng)改變了世界，半導(dǎo)體也影響著世界的發(fā)展。從19世紀(jì)上半葉發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體，到第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體相繼問世，近2個世紀(jì)以來，尋找更高性能、更穩(wěn)定、更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體，一直是該領(lǐng)域科學(xué)家們不懈的追求。在中國，提到半導(dǎo)體特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究，有一個地方必然會凝聚大家的目光。這就是西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室。不久前，教育部信息領(lǐng)域重點實驗室評估結(jié)果公布，繼上一個評估期獲評優(yōu)秀之后，她又一次把“優(yōu)秀”收入囊中。以中國科學(xué)院院士郝躍教授為學(xué)術(shù)帶頭人，這里匯聚了一批“千人計劃”“長江學(xué)者”“杰青”等國內(nèi)外杰出人才，連續(xù)兩年斬獲國家科技進(jìn)步獎，一步一步做強(qiáng)中國“芯”。高瞻遠(yuǎn)矚造就先發(fā)優(yōu)勢 優(yōu)秀成為一種習(xí)慣國內(nèi)對寬禁帶半導(dǎo)體的研究，差不多始于上個世紀(jì)90年代中后期。那時候，半導(dǎo)體材料已經(jīng)經(jīng)歷了由硅（Si）和鍺（Ge）向砷化鎵（GaAs）的過渡，這顯然已經(jīng)是一個進(jìn)步了。但是，不止于此，尋找更低能耗、更優(yōu)性能的半導(dǎo)體材料的腳步，在西電，在當(dāng)時的微電子研究所，在郝躍教授堅定的科研方向中踏了出去。在這個“冷門”里，郝躍和團(tuán)隊孤獨奮戰(zhàn)了近十年。直到2005年前后，國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始發(fā)展之時，大批研究機(jī)構(gòu)和高校紛紛覺醒，才開始布局相關(guān)研究。然而，在這十年時間里，西電的寬禁帶半導(dǎo)體研究，已經(jīng)有了深厚的積累。討論寬禁帶半導(dǎo)體材料理論問題及計算分析的相關(guān)論文，常見諸于國內(nèi)核心學(xué)術(shù)期刊上。國內(nèi)最早探討寬禁帶半導(dǎo)體的專著《碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)》，也在2000年問世。正是在2000年前后，經(jīng)過4、5年的科研積累，寬禁帶半導(dǎo)體材料的特性、相關(guān)研究的脈絡(luò)和框架已經(jīng)有了比較清晰的梳理。但要想把研究做大做強(qiáng)，成立一個專門的機(jī)構(gòu)為科研提供支持就顯得十分必要。加之，搭建科研大平臺也一直是學(xué)校建設(shè)和發(fā)展的要事，于是，申報寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室便自然而然地提上了日程。2003年，國家集成電路人才培養(yǎng)基地落成。同年，微電子學(xué)院成立。2004年，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室也正式掛牌。又一個十年過去，在科研成果、人才隊伍、成果轉(zhuǎn)化等方面，“優(yōu)秀”似乎已經(jīng)成為了實驗室的習(xí)慣。在最近一個的評估期內(nèi)，實驗室交出了一份滿意的答卷：2項國家科技進(jìn)步獎二等獎，4項陜西省科學(xué)技術(shù)一等獎，1項國家級教學(xué)成果獎二等獎，1項陜西省教學(xué)成果獎特等獎，430余篇SCI和EI論文和近300項授權(quán)發(fā)明專利……一條擁有若干項自主關(guān)鍵技術(shù)、最高潔凈度達(dá)百級的寬禁帶半導(dǎo)體超凈工藝研發(fā)線建成，成為學(xué)校的一張“科研名片”。對于寬禁帶半導(dǎo)體實驗室，獲評優(yōu)秀，與其說是一種“意外之喜”，更像是一份來自自身和他人的信任?！皟?yōu)秀是相對而言的，是在某一套評價體系中的優(yōu)秀?！睂嶒炇覍Υ诉_(dá)成共識，“我們相信自身的實力。我們的目標(biāo)，還在于更高更遠(yuǎn)處?！蔽⒂^世界探尋寬廣天地 科技讓生活更美好簡單來說，禁帶寬度對于半導(dǎo)體材料來說是一個非常關(guān)鍵的物理數(shù)據(jù)。由于半導(dǎo)體既能導(dǎo)電，又能不導(dǎo)電，那么，利用好這一特性，讓它既能穩(wěn)定導(dǎo)電，又能絕緣，就顯得至關(guān)重要。而要想保證導(dǎo)電性能的穩(wěn)定，就要管好一群“自由自在”的電子，讓它們不要過于“歡蹦亂跳”。寬禁帶就是這樣一種存在。它就像一道“鴻溝”，讓被注入了來自熱量或輻射的能量而突然“興奮”起來的電子跨不過去，只能遠(yuǎn)遠(yuǎn)地看著對岸的電子穩(wěn)定地工作著。現(xiàn)有的研究資料表明，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度，就要比以硅（Si）和鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度，多出2倍以上。因此，第三代半導(dǎo)體在耐高溫、抗輻射、降能耗等方面比第一、二代半導(dǎo)體表現(xiàn)得出色許多。利用這種禁帶寬的物質(zhì)，把它變成材料，用于制作半導(dǎo)體器件，進(jìn)而制成集成電路，而后把它推廣出去應(yīng)用到我們的生產(chǎn)和生活中，就是寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實驗室的使命所在。從微觀世界回到現(xiàn)實生活，第三代半導(dǎo)體已然走入尋常百姓家。在照明領(lǐng)域，盡管紅、綠色發(fā)光二極管在上世紀(jì)中葉已經(jīng)問世，但照亮世界的白色光源，因為缺少三原色之一的藍(lán)色而無法合成，直到上世紀(jì)80年代末才問世。這得托第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）的福。沒有它，就沒有藍(lán)光LED，白光LED也無從談起。除此之外，在微波通訊、供電等領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體更是有著極大的作為空間。比如5G通訊。第一代半導(dǎo)體材料硅（Si），是現(xiàn)在市場上大部分手機(jī)集成電路的材料。隨著手機(jī)越來越“萬能”，特別是5G時代的到來，硅（Si）已然沒有辦法承擔(dān)這么大功率運轉(zhuǎn)、高帶寬速度的重壓了。不過這一點，氮化鎵（GaN）很擅長。再比如軌道交通動力系統(tǒng)。高鐵動車跑得快，全靠存在于每節(jié)車廂的電動機(jī)組合力帶。一列高鐵上百臺電機(jī)工作同時工作，什么樣的電子器件適合在高電壓、大功率下還能高效率地控制電流、驅(qū)動電機(jī)呢？最理想的，非碳化硅（SiC）寬禁帶半導(dǎo)體莫屬。總之，第三代半導(dǎo)體器件就如同建筑行業(yè)的鋼筋水泥一樣，遍布電力電子產(chǎn)品充斥的社會的每一個角落。它小小的身軀，為環(huán)境友好型、資源節(jié)約型社會建設(shè)提供了巨大支持。科學(xué)研究瞄準(zhǔn)重大需求 成果轉(zhuǎn)化造福社會在2012年-2016年這一個評估期內(nèi)，寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件實驗室有2項研究成果為國家科技進(jìn)步作出貢獻(xiàn)。2015年，郝躍院士團(tuán)隊的“氮化鎵基紫外與深紫外LED關(guān)鍵技術(shù)”獲得國家科技進(jìn)步獎。這項技術(shù)實現(xiàn)了我國在紫外與深紫外LED領(lǐng)域的重大突破，被評價為“達(dá)到了國際先進(jìn)水平”。紫外線，我們都不陌生。紫外殺菌、紫外驗鈔等都是我們熟知的應(yīng)用領(lǐng)域。不過，傳統(tǒng)紫外光的產(chǎn)生，要靠真空燈管中電子束激發(fā)鹵素來得到，體積大、效率低、能耗高，甚至對環(huán)境造成污染。完美解決上述問題的，是紫外與深紫外LED。制造這種器件的基礎(chǔ)，是以氮化鋁（AlN）和氮化鎵（GaN）為代表的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料。然而，要想達(dá)到紫外與深紫外LED最理想的性能，這種半導(dǎo)體材料的生長絕非易事。紫外光具有更高的光子能量和更短的波長。想讓波長變短，就得增加AlGaN中的Al組分。但是，隨著Al組分的增加，三個重大技術(shù)難題又隨之而來：材料缺陷急劇增加、p型摻雜十分困難、折射率升高導(dǎo)致全反射進(jìn)而降低光提取效率。這正是郝躍院士和團(tuán)隊花費十余年心血攻克的三個重要難題。隨著這三大核心問題的解決，在材料生長方法、摻雜方法、高效率器件結(jié)構(gòu)等方面也有了創(chuàng)新性突破，獲得中國和美國發(fā)明專利授權(quán)22項?，F(xiàn)在，1千瓦的紫外LED光源和傳統(tǒng)的3.6千瓦紫外熒光燈照明效果一樣，能耗卻降低72%，壽命自然也延長不少，更重要的是，很大程度上避免了重金屬污染。通過產(chǎn)學(xué)研合作轉(zhuǎn)化，在實現(xiàn)7.1億元產(chǎn)值的同時，50余家芯片、封裝及應(yīng)用企業(yè)應(yīng)用了該項目的技術(shù)和產(chǎn)品，紫外LED器件、紫外燈管、紫外光源模組等產(chǎn)品已經(jīng)在電子產(chǎn)品制造、印刷、水凈化、醫(yī)療、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域有所應(yīng)用，為主要用戶創(chuàng)造9.7億元經(jīng)濟(jì)效益。2016年，楊銀堂教授團(tuán)隊的“多層次系統(tǒng)芯片低功耗設(shè)計技術(shù)”獲得國家科技進(jìn)步獎。這一成果同樣被評價為“達(dá)到了國際先進(jìn)水平”。死機(jī)，是追求速度和高效的現(xiàn)代生活中令人不愉快的一種體驗。造成死機(jī)的原因諸多，負(fù)載過重是“罪魁禍?zhǔn)住?。一些性能普通的手機(jī)，常常用著用著就燙“死”了。那么，有沒有可能我們的手機(jī)能分屏同時操作多個大容量應(yīng)用程序而不死機(jī)，并且還非常省電呢？答案存在于我們對美好生活的向往中。這樣的手機(jī)不僅需要多顆“心臟”，還要能夠高效工作，最大可能降低功耗。多層次系統(tǒng)芯片低功耗設(shè)計技術(shù)，即是針對國內(nèi)無線通信、雷達(dá)信號處理、衛(wèi)星通信的迫切需求，旨在降低一個芯片系統(tǒng)整體功耗的技術(shù)。在一個芯片系統(tǒng)中，哪里會產(chǎn)生能耗，怎樣控制各部分產(chǎn)生的能耗，是這項技術(shù)要解決的根本問題。楊銀堂教授和團(tuán)隊經(jīng)過十余年的努力，提出系統(tǒng)芯片多層次協(xié)同的設(shè)計思想，在系統(tǒng)層、通信層、功率層、電路層等多個層次上實現(xiàn)了低功耗設(shè)計，讓系統(tǒng)芯片既能“各司其職”，又能相互配合，完美演繹“協(xié)奏曲”。現(xiàn)在，這項技術(shù)廣泛適用于系統(tǒng)集成芯片、數(shù)?；旌霞梢约肮β使芾砗凸β兽D(zhuǎn)換系統(tǒng)，數(shù)字信號處理器、多模多頻移動基帶等芯片的功耗水平顯著降低。研究成果近3年來實現(xiàn)直接經(jīng)濟(jì)效益10億元以上。進(jìn)入下一個十年，實驗室依舊在為更低能耗、更優(yōu)性能的半導(dǎo)體材料奮斗。建立更大的科研平臺、吸引更多的優(yōu)秀人才、制造更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體器件，實驗室一直在努力。或許有一天，西電寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件實驗室，會叩響未來更新半導(dǎo)體材料時代的大門。（記者陳圓）（來源 西電新聞網(wǎng)）