第一篇：氮化鎵半導體材料

氮化鎵半導體研究

一．物理背景

自20世紀60年代，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)的發(fā)展非常迅速，它具有體積小、耐沖擊、壽命長、可靠度高與低電壓低電流操作等優(yōu)良的特性，適用于在各種環(huán)境的使用，而且符合未來環(huán)保節(jié)能的社會發(fā)展趨勢。初期的以砷化鎵(GaAs)、鋁銦磷鎵(AIGalnP)材料為基礎之發(fā)光二極管，實現(xiàn)了紅光至黃綠光波段的電激發(fā)光。近年來，以氮化鎵(GaN)為代表的新一代半導體材料技術(shù)上

氮化鎵半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等獨特的特性，在光顯示、光存儲、光探測等光電子器件和高溫、高頻大功率電子等微電子器件領(lǐng)域有廣闊的應用前景，其中最引人矚目的是作為發(fā)光材料的應用，由于氮化鎵能與氮化銦(INN)和氮化鋁(AIN)形成三元或四元化合物，如此借著改變IlI族元素的比例，便能使發(fā)光波長涵蓋紅外光到紫外光的范圍，另外將發(fā)藍光的氮化鎵基發(fā)光二極管配以可激發(fā)出黃綠光的熒光粉，從而混合發(fā)出白光，應用前景非常廣泛，除了應用于指示燈、燈飾、手電筒等普通市場，氮化鎵基發(fā)光二極管還應用于手機及手提電腦背光源、交通燈、戶外全彩顯示屏等市場，但氮化鎵基發(fā)光二極管最有前景的應用還是在普通照明市場。

二．GaN的應用

高效節(jié)能、長壽命的半導體照明產(chǎn)品正在引領(lǐng)照明業(yè)的綠色變革。隨著第三代半導體材料氮化鎵的突破和藍、綠發(fā)光二極管的問世，世界各國紛紛投入巨資推出國家級半導體照明計劃。

GaN屬寬禁帶半導體，直接帶隙3．4eV，在長壽命、低能耗、短長半導體發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、紫外探測器以及高溫微電子器件等方面有廣闊的應用前景,GaN器件的廣泛應用將預示著光電信息乃至光子信息時代的來臨，因此，以GaN為代表的第三代半導體材料被譽為信息產(chǎn)業(yè)新的發(fā)動機。GaN基半導體材料，包括GaN、A1N和InN，都是直隙半導體材料，因而有很高的量子效率。用GaN、A1N和InN這三種材料按不同組份生成的固溶體，其禁帶寬度可在O．7eV到6．2eV之間變化。這樣，用這些固溶體制造發(fā)光器件，是光電集成材料和器件發(fā)展的方向，其主要應用領(lǐng)域包括：

(1)當前在國內(nèi)外非常受人矚目的半導體照明是一種新型的高效、節(jié)能和環(huán)保光源，將取代目前使用的大部分傳統(tǒng)光源，被稱為21世紀照明光源的革命，而GaN基高效率、高亮度發(fā)光二極管(LED)的研制是實現(xiàn)半導體照明的核心技術(shù)和基礎。以LED為代表的半導體光源，具有節(jié)能、長壽命、免維護、環(huán)保等優(yōu)點，目前己被廣泛的應用于大屏幕平板顯示和交通信號燈以及顯示指示燈，并逐漸向通用照明領(lǐng)域發(fā)展，目前實驗室水平的白光LED發(fā)光強度已經(jīng)達到131 lm／w。

（2）CD、DVD的光存儲密度與作為讀寫器件的半導體激光器的波長的平方成反比，目前流行的CD、DVD的激光讀寫頭分別采用波長為780nm、650nm的AIGaAs／AIGalnP材料，存儲容量分別為700MB，4．7GB。若用波長為410rim的InGaN／GaN藍光激光器代替，光盤的存儲容量將高達27GB，將會成為光存儲和處理的主流技術(shù)。

（3）適合制作紫外探測器件。當在強可見光和紅外輻射背景中探測紫外信號時，要盡量避免或減少紫外信號以外的背景信號干擾。以GaN做成的紫外探測器，克服了Si探測器在紫外波段探測效率低、需要復雜的濾光系統(tǒng)等弱點。而氮化物特別是AIGaN，可以制成日光盲紫外探測器，其截止波長為200．356nm。在這個范圍的探測器可以用于火焰探測、燃燒診斷、光譜學和紫外監(jiān)視，AIGaN探測器還有重要的軍事用途，可用于導彈制導和導彈預警防御系統(tǒng)。

(4)由于GaN基材料有禁帶寬度大、擊穿電壓高、電子飽和速率高、熱穩(wěn)定性好、抗腐蝕性強等優(yōu)點，被廣泛用于制作高電子遷移率晶體管、雙極晶體管、場效應晶體管等微電子器件，適合在高溫、大功率及惡劣環(huán)境下工作?11。高溫、高頻、高功率微波器件是無線通信、國防等領(lǐng)域急需的電子器件，如果目前使用的微波功率管的輸出功率密度提高一個數(shù)量級，微波器件的工作溫度提高到300℃，將解決航天航空用電子裝備和民用移動通信系統(tǒng)的一系列難題。

三.GaN的制備方法

3.1

由于GaN體單晶非常難以獲得，即便是已有一些研究報道對GaN體單晶生長取得了一定進展，但它們的質(zhì)量還無法達到作襯底的要求。因此現(xiàn)今對GaN的研究都集中在以異質(zhì)材料(如A1203、SiC、Si等)為襯底的外延生長薄膜上。隨著異質(zhì)外延技術(shù)的進步，現(xiàn)在已經(jīng)可以在特定的襯底材料上外延生長獲得質(zhì)量優(yōu)良的GaN外延層，這也使得GaN材料體系的應用得到了迅速發(fā)展，異質(zhì)外延技術(shù)成為了制備GaN薄膜的主要方法。

3.1生長工藝

GaN的外延生長一般有以下幾種工藝：金屬有機化學氣相沉積(Metal OrganicChemical Vapor Deposition)，分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)，鹵化物氣相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy)，此外還有比較新穎的橫向外延過生長(LateralEpitaxially Overgrown)以及懸空外延(PE)等工藝。其中MOCVD和MBE是制各GaN及其相關(guān)多層結(jié)構(gòu)薄膜的兩大主流技術(shù)，它們各有獨自的特點。然而從實用商品化技術(shù)方

面考慮，MOCVD方法由于其設備相對簡單、造價相對較低、生長速度快等特點成為了外延生長GaN最主流的方法。本文所研究的GaN均采用MOCVD方法制備，因此這里只以其為例作簡要介紹。

3.2金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)

MOCVD又稱MOVPE(金屬有機氣相外延)。MOCVD法用III族元素的有機 化合物和V族元素的氫化物作為原材料，通過氫氣或氮氣等載運氣體帶入反應室在高溫加熱的襯底上外延成化合物單晶薄膜。反應時的關(guān)鍵是避免有機分子中的C沉積下來污染樣品。MOCVD生長的優(yōu)點是：(1)金屬有機分子一般為液體，可以通過精確控制流過金屬有機分子液體的氣體流量來控制金屬有機分子的量，控制形成的化合物的組分，易于通過精確控制多種氣體流量來制備多組元化合物：(2)易于摻雜，MOCVD從氣相可實現(xiàn)原位摻雜；(3)易于通過改變氣體制備界面陡峭的異質(zhì)結(jié)或多層不同組分的化合物；(4)可以通過改變III族源氣體流量在O．05～1．0um／min的大范圍內(nèi)控制化合物的生長速度。此外，MOCVD方法具有產(chǎn)量大、生長周期短的特點，到目前為止，它是唯一實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)GaN基器件的制備方法。

3.2

ZnO和GaN具有相近的晶格結(jié)構(gòu)，二者都具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，口軸和c軸晶向的失配率分別僅為1．9％和O．4％，所以ZnO的一個重要應用就是作為GaN薄膜生長的緩沖層．同時ZnO納米材料也是研究的熱點之但當用氨氣作為GaN生長的反應氣體時，高溫下ZnO會在氨氣氣氛中揮發(fā)，所以應用ZnO作緩沖層時一般在較低溫度下生長GaN薄膜．實驗中在900℃下通過氨化ZnO／GaO。薄膜合成出六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN納米線，以此來制作合成GaN納米線。．反應的過程可由方程式(1)～

(3)給出：

NH3一N2+H2(1)

Ga203+H2一Ga20(g)+H20(g)(2)

Ga20+NH3一GaN+H20(g)(3)

結(jié)論：利用射頻磁控濺射和高溫氨化法在Si襯底上生長出GaN納米線，生長過程中ZnO層的揮發(fā)起到了輔助的作用．XRD測量結(jié)果顯示所制備的納米線為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，掃描電鏡觀測和能譜測試表明ZnO已全部揮發(fā)，借助ZnO的揮發(fā)作用而生成的汽相Ga。O與NH。反應生成了GaN納米線，附著在未反應的Ga。O。層的上面．利用透射電鏡和選區(qū)電子衍射分析了所生成的GaN納米線的形貌和結(jié)構(gòu)，初步分析了利用此種方法合成GaN納米線的生長機制．

四．總結(jié)

本文簡單介紹了半導體行業(yè)GaN材料的物理背景，簡單的制作方法，和應用前景，通過這些資料的收集，這對我們來說也是課外學習的收

獲。我們也相信通過這學期《半導體物理材料》課程的學習，能豐富我們的專業(yè)知識，讓我們對自己將來的科研研究有個新的認識。

第二篇：氮化鎵項目可行性研究報告

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氮化鎵項目可行性研究報告

總述

GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。

化學特性

在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質(zhì)量差的GaN，可用于這些質(zhì)量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現(xiàn)不穩(wěn)定特性，而在N2氣下最為穩(wěn)定。

結(jié)構(gòu)特性

表1列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較。電學特性

GaN的電學特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,最好的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償?shù)摹?/p>

很多研究小組都從事過這方面的研究工作，其中中村報道了GaN最高遷移率數(shù)據(jù)在室溫和液氮溫度下分別為μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s，相應的載流子濃度為n=4×1016/cm3和報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等

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n=8×1015/cm3。近年報道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數(shù)值為4 ×1016/cm3、<1016/cm3；等離子激活MBE的結(jié)果為8×103/cm3、<1017/cm3。

未摻雜載流子濃度可控制在1014～1020/cm3范圍。另外，通過P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理，已能將摻雜濃度控制在1011～1020/cm3范圍。

光學特性

人們關(guān)注的GaN的特性，旨在它在藍光和紫光發(fā)射器件上的應用。Maruska和Tietjen首先精確地測量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關(guān)系，Pankove等人估算了一個帶隙溫度系數(shù)的經(jīng)驗公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。Monemar測定了基本的帶隙為3.503eV±0.0005eV，在1.6kT為Eg=3.503+（5.08×10－4T2)/(T－996)eV。

另外，還有不少人研究GaN的光學特性。

編制單位：北京智博睿信息咨詢有限公司

另：提供國家發(fā)改委甲、乙、丙級資質(zhì)

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可行性研究報告大綱（具體可根據(jù)客戶要求進行調(diào)整）第一章 研究概述 第一節(jié) 研究背景與目標

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第二節(jié) 研究的內(nèi)容 第三節(jié) 研究方法 第四節(jié) 數(shù)據(jù)來源 第五節(jié) 研究結(jié)論

一、市場規(guī)模

二、競爭態(tài)勢

三、行業(yè)投資的熱點

四、行業(yè)項目投資的經(jīng)濟性 第二章 氮化鎵項目總論 第一節(jié) 氮化鎵項目背景

一、氮化鎵項目名稱

二、氮化鎵項目承辦單位

三、氮化鎵項目主管部門

四、氮化鎵項目擬建地區(qū)、地點

五、承擔可行性研究工作的單位和法人代表

六、研究工作依據(jù)

七、研究工作概況 第二節(jié) 可行性研究結(jié)論

一、市場預測和項目規(guī)模

二、原材料、燃料和動力供應

三、選址

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四、氮化鎵項目工程技術(shù)方案

五、環(huán)境保護

六、工廠組織及勞動定員

七、氮化鎵項目建設進度

八、投資估算和資金籌措

九、氮化鎵項目財務和經(jīng)濟評論

十、氮化鎵項目綜合評價結(jié)論 第三節(jié) 主要技術(shù)經(jīng)濟指標表 第四節(jié) 存在問題及建議

第三章 氮化鎵項目投資環(huán)境分析 第一節(jié) 社會宏觀環(huán)境分析 第二節(jié) 氮化鎵項目相關(guān)政策分析

一、國家政策

二、氮化鎵項目行業(yè)準入政策

三、氮化鎵項目行業(yè)技術(shù)政策 第三節(jié) 地方政策

第四章 氮化鎵項目背景和發(fā)展概況 第一節(jié) 氮化鎵項目提出的背景

一、國家及氮化鎵項目行業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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二、氮化鎵項目發(fā)起人和發(fā)起緣由 第二節(jié) 氮化鎵項目發(fā)展概況

一、已進行的調(diào)查研究氮化鎵項目及其成果

二、試驗試制工作情況

三、廠址初勘和初步測量工作情況

四、氮化鎵項目建議書的編制、提出及審批過程 第三節(jié) 氮化鎵項目建設的必要性

一、現(xiàn)狀與差距

二、發(fā)展趨勢

三、氮化鎵項目建設的必要性

四、氮化鎵項目建設的可行性 第四節(jié) 投資的必要性

第五章 氮化鎵項目行業(yè)競爭格局分析 第一節(jié) 國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)現(xiàn)狀

一、重點企業(yè)信息

二、企業(yè)地理分布

三、企業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效應

四、企業(yè)從業(yè)人數(shù)

第二節(jié) 重點區(qū)域企業(yè)特點分析

一、華北區(qū)域

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二、東北區(qū)域

三、西北區(qū)域

四、華東區(qū)域

五、華南區(qū)域

六、西南區(qū)域

七、華中區(qū)域

第三節(jié) 企業(yè)競爭策略分析

一、產(chǎn)品競爭策略

二、價格競爭策略

三、渠道競爭策略

四、銷售競爭策略

五、服務競爭策略

六、品牌競爭策略

第六章 氮化鎵項目行業(yè)財務指標分析參考 第一節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)產(chǎn)銷狀況分析 第二節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)資產(chǎn)負債狀況分析 第三節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)資產(chǎn)運營狀況分析 第四節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)獲利能力分析 第五節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)成本費用分析

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第七章 氮化鎵項目行業(yè)市場分析與建設規(guī)模 第一節(jié) 市場調(diào)查

一、擬建 氮化鎵項目產(chǎn)出物用途調(diào)查

二、產(chǎn)品現(xiàn)有生產(chǎn)能力調(diào)查

三、產(chǎn)品產(chǎn)量及銷售量調(diào)查

四、替代產(chǎn)品調(diào)查

五、產(chǎn)品價格調(diào)查

六、國外市場調(diào)查

第二節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)市場預測

一、國內(nèi)市場需求預測

二、產(chǎn)品出口或進口替代分析

三、價格預測

第三節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)市場推銷戰(zhàn)略

一、推銷方式

二、推銷措施

三、促銷價格制度

四、產(chǎn)品銷售費用預測

第四節(jié) 氮化鎵項目產(chǎn)品方案和建設規(guī)模

一、產(chǎn)品方案

二、建設規(guī)模

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第五節(jié) 氮化鎵項目產(chǎn)品銷售收入預測

第八章 氮化鎵項目建設條件與選址方案 第一節(jié) 資源和原材料

一、資源評述

二、原材料及主要輔助材料供應

三、需要作生產(chǎn)試驗的原料

第二節(jié) 建設地區(qū)的選擇

一、自然條件

二、基礎設施

三、社會經(jīng)濟條件

四、其它應考慮的因素 第三節(jié) 廠址選擇

一、廠址多方案比較

二、廠址推薦方案

第九章 氮化鎵項目應用技術(shù)方案 第一節(jié) 氮化鎵項目組成 第二節(jié) 生產(chǎn)技術(shù)方案

一、產(chǎn)品標準

二、生產(chǎn)方法

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三、技術(shù)參數(shù)和工藝流程

四、主要工藝設備選擇

五、主要原材料、燃料、動力消耗指標

六、主要生產(chǎn)車間布置方案 第三節(jié) 總平面布置和運輸

一、總平面布置原則

二、廠內(nèi)外運輸方案

三、倉儲方案

四、占地面積及分析 第四節(jié) 土建工程

一、主要建、構(gòu)筑物的建筑特征與結(jié)構(gòu)設計

二、特殊基礎工程的設計

三、建筑材料

四、土建工程造價估算 第五節(jié) 其他工程

一、給排水工程

二、動力及公用工程

三、地震設防

四、生活福利設施

第十章 氮化鎵項目環(huán)境保護與勞動安全

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第一節(jié) 建設地區(qū)的環(huán)境現(xiàn)狀

一、氮化鎵項目的地理位置

二、地形、地貌、土壤、地質(zhì)、水文、氣象

三、礦藏、森林、草原、水產(chǎn)和野生動物、植物、農(nóng)作物

四、自然保護區(qū)、風景游覽區(qū)、名勝古跡、以及重要政治文化設施

五、現(xiàn)有工礦企業(yè)分布情況

六、生活居住區(qū)分布情況和人口密度、健康狀況、地方病等情況

七、大氣、地下水、地面水的環(huán)境質(zhì)量狀況

八、交通運輸情況

九、其他社會經(jīng)濟活動污染、破壞現(xiàn)狀資料

十、環(huán)保、消防、職業(yè)安全衛(wèi)生和節(jié)能 第二節(jié) 氮化鎵項目主要污染源和污染物

一、主要污染源

二、主要污染物

第三節(jié) 氮化鎵項目擬采用的環(huán)境保護標準 第四節(jié) 治理環(huán)境的方案

一、氮化鎵項目對周圍地區(qū)的地質(zhì)、水文、氣象可能產(chǎn)生的影響

二、氮化鎵項目對周圍地區(qū)自然資源可能產(chǎn)生的影響

三、氮化鎵項目對周圍自然保護區(qū)、風景游覽區(qū)等可能產(chǎn)生的報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等

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影響

四、各種污染物最終排放的治理措施和綜合利用方案

五、綠化措施，包括防護地帶的防護林和建設區(qū)域的綠化 第五節(jié) 環(huán)境監(jiān)測制度的建議 第六節(jié) 環(huán)境保護投資估算 第七節(jié) 環(huán)境影響評論結(jié)論 第八節(jié) 勞動保護與安全衛(wèi)生

一、生產(chǎn)過程中職業(yè)危害因素的分析

二、職業(yè)安全衛(wèi)生主要設施

三、勞動安全與職業(yè)衛(wèi)生機構(gòu)

四、消防措施和設施方案建議

第十一章 企業(yè)組織和勞動定員 第一節(jié) 企業(yè)組織

一、企業(yè)組織形式

二、企業(yè)工作制度

第二節(jié) 勞動定員和人員培訓

一、勞動定員

二、年總工資和職工年平均工資估算

三、人員培訓及費用估算

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第十二章 氮化鎵項目實施進度安排 第一節(jié) 氮化鎵項目實施的各階段

一、建立 氮化鎵項目實施管理機構(gòu)

二、資金籌集安排

三、技術(shù)獲得與轉(zhuǎn)讓

四、勘察設計和設備訂貨

五、施工準備

六、施工和生產(chǎn)準備

七、竣工驗收

第二節(jié) 氮化鎵項目實施進度表

一、橫道圖

二、網(wǎng)絡圖

第三節(jié) 氮化鎵項目實施費用

一、建設單位管理費

二、生產(chǎn)籌備費

三、生產(chǎn)職工培訓費

四、辦公和生活家具購置費

五、勘察設計費

六、其它應支付的費用

第十三章 投資估算與資金籌措 第一節(jié) 氮化鎵項目總投資估算

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一、固定資產(chǎn)投資總額

二、流動資金估算 第二節(jié) 資金籌措

一、資金來源

二、氮化鎵項目籌資方案 第三節(jié) 投資使用計劃

一、投資使用計劃

二、借款償還計劃

第十四章 財務與敏感性分析 第一節(jié) 生產(chǎn)成本和銷售收入估算

一、生產(chǎn)總成本估算

二、單位成本

三、銷售收入估算 第二節(jié) 財務評價 第三節(jié) 國民經(jīng)濟評價 第四節(jié) 不確定性分析

第五節(jié) 社會效益和社會影響分析

一、氮化鎵項目對國家政治和社會穩(wěn)定的影響

二、氮化鎵項目與當?shù)乜萍?、文化發(fā)展水平的相互適應性

三、氮化鎵項目與當?shù)鼗A設施發(fā)展水平的相互適應性

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四、氮化鎵項目與當?shù)鼐用竦淖诮?、民族習慣的相互適應性

五、氮化鎵項目對合理利用自然資源的影響

六、氮化鎵項目的國防效益或影響

七、對保護環(huán)境和生態(tài)平衡的影響

第十五章 氮化鎵項目不確定性及風險分析 第一節(jié) 建設和開發(fā)風險 第二節(jié) 市場和運營風險 第三節(jié) 金融風險 第四節(jié) 政治風險 第五節(jié) 法律風險 第六節(jié) 環(huán)境風險 第七節(jié) 技術(shù)風險

第十六章 氮化鎵項目行業(yè)發(fā)展趨勢分析

第一節(jié) 我國氮化鎵項目行業(yè)發(fā)展的主要問題及對策研究

一、我國氮化鎵項目行業(yè)發(fā)展的主要問題

二、促進氮化鎵項目行業(yè)發(fā)展的對策 第二節(jié) 我國氮化鎵項目行業(yè)發(fā)展趨勢分析 第三節(jié) 氮化鎵項目行業(yè)投資機會及發(fā)展戰(zhàn)略分析

一、氮化鎵項目行業(yè)投資機會分析

報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等

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二、氮化鎵項目行業(yè)總體發(fā)展戰(zhàn)略分析 第四節(jié) 我國 氮化鎵項目行業(yè)投資風險

一、政策風險

二、環(huán)境因素

三、市場風險

四、氮化鎵項目行業(yè)投資風險的規(guī)避及對策

第十七章 氮化鎵項目可行性研究結(jié)論與建議 第一節(jié) 結(jié)論與建議

一、對推薦的擬建方案的結(jié)論性意見

二、對主要的對比方案進行說明

三、對可行性研究中尚未解決的主要問題提出解決辦法和建議

四、對應修改的主要問題進行說明，提出修改意見

五、對不可行的項目，提出不可行的主要問題及處理意見

六、可行性研究中主要爭議問題的結(jié)論

第二節(jié) 我國氮化鎵項目行業(yè)未來發(fā)展及投資可行性結(jié)論及建議

第十八章 財務報表 第一節(jié) 資產(chǎn)負債表 第二節(jié) 投資受益分析表 第三節(jié) 損益表

報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等

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第十九章 氮化鎵項目投資可行性報告附件 1、氮化鎵項目位置圖 2、主要工藝技術(shù)流程圖 3、主辦單位近5 年的財務報表、氮化鎵項目所需成果轉(zhuǎn)讓協(xié)議及成果鑒定 5、氮化鎵項目總平面布置圖 6、主要土建工程的平面圖 7、主要技術(shù)經(jīng)濟指標摘要表 8、氮化鎵項目投資概算表 9、經(jīng)濟評價類基本報表與輔助報表 10、現(xiàn)金流量表 11、現(xiàn)金流量表 12、損益表、資金來源與運用表 14、資產(chǎn)負債表 15、財務外匯平衡表 16、固定資產(chǎn)投資估算表 17、流動資金估算表 18、投資計劃與資金籌措表 19、單位產(chǎn)品生產(chǎn)成本估算表

報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等

北京智博睿信息咨詢有限公司 004km.cn、固定資產(chǎn)折舊費估算表 21、總成本費用估算表、產(chǎn)品銷售（營業(yè)）收入和銷售稅金及附加估算表

報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等

第三篇：半導體砷化鎵材料的分析

砷化鎵材料分析

摘要：本文主要介紹半導體材料GaAs的性質(zhì)、用途、制備工藝及國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀。半導體材料的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)參數(shù)決定了他的特征以及用途。GaAs在生活中也有著廣泛的作用，通過對它的討論希望有助于對半導體材料的認識和理解。

關(guān)鍵詞：半導體材料 GaAs 性質(zhì) 結(jié)構(gòu) 特征 用途 認識

Abstract: this paper mainly introduces the properties of GaAs semiconductor materials, application, preparation technology and development situation at home and abroad.The nature of the semiconductor material and structure parameters determine his character and purpose.GaAs also has a broad role in our daily life, through the discussion of it hope to contribute to understanding and the understanding of semiconductor materials.Keywords：Semiconductor Materials GaAs Properties Structure Characteristics

Purpose Understanding 1 引言

化合物半導體材料的研究可以追溯到上世紀初，最早報導的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年，德國科學家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作為一種新的半導體族來研究，并指出它們具有Ge、Si等元素半導體材料所不具備的優(yōu)越特性。五十多年來，化合物半導體材料的研究取得了巨大進展，在微電子和光電子領(lǐng)域也得到了日益廣泛的應用。

砷化鎵（GaAs）材料是目前生產(chǎn)量最大、應用最廣泛，因而也是最重要的化合物半導體材料，是僅次于硅的最重要的半導體材料。由于其優(yōu)越的性能和能帶結(jié)構(gòu)，使砷化鎵材料在微波器件和發(fā)光器件等方面具有很大發(fā)展?jié)摿?。目前砷化鎵材料的先進生產(chǎn)技術(shù)仍掌握在日本、德國以及美國等國際大公司手中，與國外公司相比國內(nèi)企業(yè)在砷化鎵材料生產(chǎn)技術(shù)方面還有較大差距。砷化鎵材料的性質(zhì)及用途

砷化鎵是典型的直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，導帶極小值與價帶極大值均處于布里淵區(qū)中心，即K=0處，這使其具有較高的電光轉(zhuǎn)換效率，是制備光電器件的優(yōu)良材料。

在300 K時，砷化鎵材料禁帶寬度為1.42 eV，遠大于鍺的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化鎵器件可以工作在較高的溫度下和承受較大的功率。

砷化鎵（GaAs）材料與傳統(tǒng)的硅半導體材料相比，它具電子遷移率高、禁帶寬度大、直接帶隙、消耗功率低等特性，電子遷移率約為硅材料的5.7倍。因此，廣泛應用于高頻及無線通訊中制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應用于無線通信、光纖通信、移動通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。除在I C產(chǎn)品應用以外，砷化鎵材料也可加入其它元素改變其能帶結(jié)構(gòu)使其產(chǎn)生光電效應，制成半導體發(fā)光器件，還可以制做砷化鎵太陽能電池。砷化鎵材料制備工藝

從20世紀50年代開始，已經(jīng)開發(fā)出了多種砷化鎵單晶生長方法。目前主流的工業(yè)化 1

生長工藝包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等。

3.1 液封直拉法（Liquid Encapsulated Czochralski，簡稱LEC）

LEC法是生長非摻半絕緣砷化鎵單晶（SI GaAs）的主要工藝，目前市場上80%以上的半絕緣砷化鎵單晶是采用LEC法生長的。LEC法采用石墨加熱器和PBN坩堝，以B2O3作為液封劑，在2MPa的氬氣環(huán)境下進行砷化鎵晶體生長。LEC工藝的主要優(yōu)點是可靠性高，容易生長較長的大直徑單晶，晶體碳含量可控，晶體的半絕緣特性好。其主要缺點是：化學劑量比較難控制、熱場的溫度梯度大（100~150 K/cm）、晶體的位錯密度高達104以上且分布不均勻。日本日立電線公司于1998年首先建立了6英寸LEC砷化鎵單晶生產(chǎn)線，該公司安裝了當時世界上最大的砷化鎵單晶爐，坩堝直徑400mm，投料量50公斤，生長的6英寸單晶長度達到350 mm。德國Freiberger公司于2000年報道了世界上第一顆采用LEC工藝研制的8英寸砷化鎵單晶。

3.2 水平布里其曼法（Horizontal Bridgman，簡稱HB）

HB法是曾經(jīng)是大量生產(chǎn)半導體（低阻）砷化鎵單晶（SC GaAs）的主要工藝，使用石英舟和石英管在常壓下生長，可靠性和穩(wěn)定性高。HB法的優(yōu)點是可利用砷蒸汽精確控制晶體的化學劑量比，溫度梯度小從而達到降低位錯的目的。HB砷化鎵單晶的位錯密度比LEC砷化鎵單晶的位錯密度低一個數(shù)量級以上。主要缺點是難以生長非摻雜的半絕緣砷化鎵單晶，所生長的晶體界面為D形，在加工成晶片過程中將造成較大的材料浪費。同時，由于高溫下石英舟的承重力所限，難以生長大直徑的晶體。目前采用HB工藝工業(yè)化大量生產(chǎn)的主要是2英寸和3英寸晶體，報道的HB法砷化鎵最大晶體直徑為4英寸。目前采用HB工藝進行砷化鎵材料生產(chǎn)的公司已經(jīng)不多，隨著VB和VGF工藝的日漸成熟，HB工藝有被逐漸取代的趨勢。

3.3 垂直布里其曼法（Vertical Bridgman，簡稱VB）

VB法是上世紀80年代末開始發(fā)展起來的一種晶體生長工藝，將合成好的砷化鎵多晶、B2O3以及籽晶裝入PBN坩堝并密封在抽真空的石英瓶中，爐體垂直放置，采用電阻絲加熱，石英瓶垂直放入爐體中間。高溫下將砷化鎵多晶熔化后與籽晶進行熔接，然后通過機械傳動機構(gòu)由支撐桿帶動石英瓶與坩堝向下移動，在一定的溫度梯度下，單晶從籽晶端開始緩慢向上生長。VB法即可以生長低阻砷化鎵單晶，也可以生長高阻半絕緣砷化鎵單晶。晶體的平均EPD在5 000個/cm-2以下。

3.4 垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze，簡稱VGF）

VGF工藝與VB工藝的原理和應用領(lǐng)域基本類似。其最大區(qū)別在于VGF法取消了晶體下降走車機構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，由計算機精確控制熱場進行緩慢降溫，生長界面由熔體下端逐漸向上移動，完成晶體生長。這種工藝由于取消了機械傳動機構(gòu)，使晶體生長界面更加穩(wěn)定，適合生長超低位錯的砷化鎵單晶。VB與VGF工藝的缺點是晶體生長過程中無法觀察與判斷晶體的生長情況，同時晶體的生長周期較長。目前國際上商用水平已經(jīng)可以批量生產(chǎn)6英寸的VB/VGF砷化鎵晶體，F(xiàn)reiberger公司在2002年報道了世界上第一顆采用VGF工藝研制的8英寸砷化鎵單晶。國內(nèi)外砷化鎵材料技術(shù)的發(fā)展

4.1 國外砷化鎵材料技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展

砷化鎵材料作為一種新型的電子信息材料，技術(shù)水平的發(fā)展十分迅速。目前的技術(shù)發(fā)展趨勢體現(xiàn)在如下幾個方面：

（1）晶體的尺寸、重量不斷增大。半絕緣砷化鎵材料在上個世紀末實現(xiàn)了直徑從 3 英寸向 4 英寸的提升后，目前正在實現(xiàn) 4 英寸向 6 英寸的躍升；

（2）材料性能上，主要集中于改善材料的電學性能徑向均勻性和軸向一致性、降低材料的微觀缺陷等方面；

（3）晶體的后工藝技術(shù)方面，一方面致力于超平坦晶片的研制，另一方面，著重解決晶片的免清洗問題；

（4）致力于新工藝技術(shù)的開發(fā)。VB/VGF 技術(shù)在成功地應用于光電子器件用的砷化鎵材料研制后，目前已被普遍地用于半絕緣材料的研制和生產(chǎn)。

在本領(lǐng)域中，美國、日本的科技發(fā)展水平相對較高，德國上升速度較快，俄羅斯基本上停滯不前。

美國的化合物半導體材料發(fā)展是比較典型的由軍事需求牽引發(fā)展起來后轉(zhuǎn)為民用的例子。美國的 GaAs 材料發(fā)展一直受到軍方的高度支持，特別在“Title III”計劃中，美國防部投巨資給 Litton Airtron、AXT、M/A-COM 三家企業(yè)，幫助其形成生產(chǎn)能力，使這三家企業(yè)成為世界著名的 GaAs 生產(chǎn)商。其中 Litton Airtron 公司采用常壓 LEC 工藝、M/A-COM 公司采用高壓 LEC 工藝主要生產(chǎn)半絕緣 GaAs 材料，AXT 公司采用其獨創(chuàng)的 VGF 工藝，以生產(chǎn)低阻 GaAs 材料為主，也生產(chǎn)部分半絕緣材料，三家公司均可生產(chǎn) 6 英寸“開盒即用”的拋光片。日本的發(fā)展模式是以企業(yè)為主，首先發(fā)展光電子器件用 GaAs 材料，然后切入微電子用半絕緣 GaAs 材料，住友電工、日立電線目前是世界上技術(shù)水平最高、規(guī)模最大的廠商之一。其中住友電工采用 LEC、VB 工藝，日立電線采用 LEC、HB、VGF 工藝，兩公司 LEC、VB、VGF 工藝均可生長 6 英寸單晶，特別是日立電線公司 4 英寸直徑 GaAs 單晶長度達到 480mm，3 英寸直徑 GaAs 單晶長度達到 770mm，為目前世界最高水平。德國在化合物半導體材料發(fā)展方面屬后起之秀，主要在東、西德合并以后，原西德瓦克公司的 GaAs 生產(chǎn)能力和原東德晶體研究所的技術(shù)力量加之民間資金的注入，使新成立的 Freiberger公司的實力得到迅速提升，已成為世界著名的 GaAs 材料生產(chǎn)商。

4.2 國內(nèi)砷化鎵材料技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

我國從上世紀 60 年代初開始研制砷化鎵，中科鎵英公司成功拉制出我國第一根6.4 公斤 5 英寸 LEC 法大直徑砷化鎵單晶；信息產(chǎn)業(yè)部 46 所生長出我國第一根 6 英寸砷化鎵單晶，單晶重 12kg，并已連續(xù)生長出 6 根 6 英寸砷化鎵單晶；西安理工大在高壓單晶爐上稱重單元技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進展。2004 年，中科院半導體所研制成功了我國第一個５英寸液封直拉法（LEC）砷化鎵單晶，以及我國最重最長４英寸、６英寸液封直拉法（ＬＥＣ）砷化鎵單晶，成為國內(nèi)通過相關(guān)應用部門及美國、中國臺灣等芯片制造商“客戶認證”的晶片供應商。

2006 年 4 月，大慶國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)大慶佳昌科技有限公司正式公布：經(jīng)過三年的努力，由公司首席科學家王永鴻教授帶領(lǐng)的技術(shù)團隊，采用自主創(chuàng)新的WLEC 法技術(shù)，成功拉制出國內(nèi)第一顆直徑 200 毫米砷化鎵單晶，實現(xiàn)了我國大直徑8 英寸砷化鎵單晶生長技術(shù)零的突破，使我國砷化鎵單晶生長技術(shù)跨入世界領(lǐng)先行列。由此，大慶將成為以生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)砷化鎵材料為主的具有國際影響力的化合物半導體材料重要生產(chǎn)基地。

砷化鎵材料的尺寸經(jīng)歷了從 2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸的發(fā)展過程（8 英寸砷化鎵單晶也于近期研制成功）。

目前砷化鎵單晶材料的制備主要有 VGF、LEC、HB 等方法，隨著單晶尺寸的增大，VGF 法已成為主流技術(shù)。我國在 LEC 和 HB 單晶生長技術(shù)方面相對較成熟。中科鎵英公司于 2004 年 1 月正式投產(chǎn)，LEC 方法生產(chǎn)半絕緣砷化鎵單晶，已成為國內(nèi)半絕緣砷化鎵單晶材料的主要供應基地。中科鎵英公司的 2 英寸 HB 半導體砷化鎵材料已暢銷國內(nèi)外，目前已占到世界市場的 10%左右。

隨著國家科技體制改革的不斷深入，我國的砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)化工作發(fā)展很快，擁有該材料技術(shù)的各研究單位正在大力實施該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化，同時國內(nèi)外多家有實力的公司看好該領(lǐng) 3

域的良好發(fā)展前景，也在積極地涉足該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化工作，使得砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化呈現(xiàn)如火如荼態(tài)勢。中電科技集團四十六所在收購美國 LittonAirtron 公司生產(chǎn)線的同時，自主開發(fā) VB-GaAs 單晶生產(chǎn)技術(shù)，現(xiàn)在正在同時進行半絕緣砷化鎵材料和低阻光電器件用砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，目標是實現(xiàn)光電砷化鎵襯底年產(chǎn) 20 萬片、半絕緣砷化鎵材料年產(chǎn) 15-20 萬片，市場份額達到世界前四位；以中科院半導體所的技術(shù)為基礎，聯(lián)合北新建材等單位成立的中科鎵英公司正在開展半掘緣砷化鎵材料及其外延材料的產(chǎn)業(yè)化工作；以北京有色金屬研究總院的HB-GaAs 技術(shù)為基礎成立的國瑞電子公司已實現(xiàn)光電器件用砷化鎵材料生產(chǎn)多年；其他如大慶佳昌、北京美西半導體材料有限公司（前身為福州晶陣半導體有限公司）、新鄉(xiāng)市神舟晶體科技發(fā)展有限公司（原 542 廠）等公司也在積極地開展砷鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作?？梢灾v，我國是目前世界上生產(chǎn)和正在積極努力準備生產(chǎn)砷化鎵材料企業(yè)最多的國家，預示著不久的將來，中國將在該領(lǐng)域占據(jù)十分重要的地位。此時更迫切需要國家予以必要的支持，解決實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的一些關(guān)鍵技術(shù)，構(gòu)建起我國化合物半導體材料的產(chǎn)業(yè)群。

但是，我國砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)和國外也存在很大差距。在技術(shù)水平方面，國外LEC、VB、VGF 等工藝均已可生產(chǎn) 6 英寸單晶，國內(nèi)目前只有 LEC 工藝研制出 6 英寸單晶，VB 工藝生長的單晶最大直徑達到 3 英寸，VGF 工藝尚處于研發(fā)中；在晶體重量方面，國外達到 50Kg，國內(nèi)目前只有 20Kg 左右；在材料性能方面，國外可以將整錠單晶的電阻率控制在（1～3）×10 7 Ωcm，國內(nèi)目前只是控制在大于 1×10 7 Ωcm，有時可能達到 1×10 8 Ωcm 以上；在表面幾何參數(shù)方面，國外 6 英寸拋光片的TTV 可以達到 2μm，國內(nèi)在 6μm 左右，在表面質(zhì)量方面，國外通過多種技術(shù)途徑達到了“開盒即用”，國內(nèi)還有一定差距。中國砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及戰(zhàn)略發(fā)展思路

5.1 發(fā)展 砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的建議

砷化鎵材料于上世紀九十年代初到九十年代末，其產(chǎn)量與產(chǎn)值基本保持每年百分之十幾的增長趨勢，到九十年代末期增長速度加快。近幾年砷化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)以每年 35%的增長速度遞增；其增長最快的幾個領(lǐng)域是，移動通信、衛(wèi)星通訊、光纖通訊、半導體照明，增長速率在 40%以上。砷化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè) 1999 年產(chǎn)值已超過 20 億美元，到 2005 年超過了 100 億美元。

國內(nèi)開展砷化鎵單晶材料的研究已有 20 多年歷史，在了 LEC 和 HB 生長砷化鎵單晶材料水平均方面和國際產(chǎn)品水平相當，特別是目前中科鎵英公司已實現(xiàn) LEC 砷化鎵單晶及各種類型砷化鎵晶片加工的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，可以說已經(jīng)具備了快速發(fā)展的基本條件。

砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基礎產(chǎn)業(yè)之一。國家已把微電子作為重點發(fā)展行業(yè)，砷化鎵已被列入中國信息產(chǎn)業(yè)“十五”期間重點產(chǎn)品。

首先它將推動相關(guān)的砷化鎵光電子器件、砷化鎵微電子器件、電路的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，進而推動如半導體照明、移動電話、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、無線數(shù)據(jù)傳輸、衛(wèi)星直播系統(tǒng)、高速測量系統(tǒng)等多領(lǐng)域的發(fā)展。砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化不僅推動其下游領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，同時還將帶動其上游領(lǐng)域的發(fā)展。我國是金屬鎵資源的富國，砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化將帶動高純鎵產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展。

把砷化鎵當成產(chǎn)業(yè)鏈的源頭是正確的。從整個產(chǎn)業(yè)鏈的角度來說，砷和鎵是很小的產(chǎn)業(yè)，但到了砷化鎵的時候，這個產(chǎn)業(yè)就很大了，而到了器件電路的時候產(chǎn)業(yè)就更大了。按照粗略的估算可以認為，它們之間符合 1：10：100 ：1000 的比例。假如器件和電路有300 億美元的市場，那么砷化鎵晶片和外延片市場大約會有30 億美元。

5.2 砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的特性

（1）非標準化產(chǎn)品，量產(chǎn)不易:

砷化鎵產(chǎn)品并非標準化產(chǎn)品，每個產(chǎn)品特性皆因客戶要求的不同而異，因此無法像矽晶圓廠般量產(chǎn).（2)認證時間長，單價高，訂單穩(wěn)定性佳:

由於砷化鎵產(chǎn)品的品質(zhì)控制仍不穩(wěn)定，所以 IDM 大廠認證作業(yè)時間長，通常初次測試加上 reliability 測驗約需 8 個月以上，但是單價高且訂單穩(wěn)定性佳.（3)客戶穩(wěn)定性佳:

砷化鎵產(chǎn)品為客制化產(chǎn)品，所以必須與客戶緊密配合，共同開發(fā)新產(chǎn)品.由於與客戶長期配合新產(chǎn)品的開發(fā)，且經(jīng)過客戶長期的測試與驗證，使得客戶將不會輕易轉(zhuǎn)移訂單，客戶的穩(wěn)定性佳.（4）進入障礙高:

砷化鎵域發(fā)展過去受限於國防工業(yè)，具人才稀有性，產(chǎn)業(yè)量產(chǎn)制程的研發(fā)時程尚短，因此較矽晶圓代工制程落后，使得目前的制程穩(wěn)定度控制不易，技術(shù)障礙極高，良率的高低為該行業(yè)目前決勝要點.鑒于鎵市場變化特點及世界鎵生產(chǎn)公司采用的通行辦法，對于上街區(qū)企業(yè)要進入鎵的生產(chǎn)和市場，建議企業(yè)最好是采用與化合物半導體廠家建立合資公司的方式，一是獲得穩(wěn)定的市場，二是能避免市場突變的巨大風險。

5.3 發(fā)展砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思路

（1）從國民經(jīng)濟發(fā)展、國防安全的需要和電子信息技術(shù)的發(fā)展規(guī)律考慮戰(zhàn)略發(fā)展思路。

當今社會已進入信息時代。信息社會的標志是大容量信息的快速采集、處理、傳輸及存儲，其依賴的技術(shù)基礎是微電子技術(shù)。過去 30 多年來，微電子技術(shù)一直以硅為主。硅微電子技術(shù)的發(fā)展基本上遵循摩爾法則，即集成在芯片上的 MOS 晶體管數(shù)量每隔 18 個月翻一番，這是通過不斷技術(shù)進步，逐漸減少器件線寬尺寸來實現(xiàn)的。但這種線寬尺寸的減小是有限度的，硅微電子終將受物理極限尺寸和 SiO 2 介電性質(zhì)的限制，據(jù)預計，這種發(fā)展模式最多能持續(xù) 10~15 年左右時間，速度、頻率的進一步提高將非常困難。而現(xiàn)代社會產(chǎn)生的信息量卻呈爆炸之勢，因此，在可預見的不久的將來，硅微電子技術(shù)無法適應信息社會的發(fā)展必將成為不爭的事實，取而代之的或在一定領(lǐng)域內(nèi)取而代之的將是化合物微電子?；衔镂㈦娮又饕訧II-V族化合物半導體材料為基礎。該類材料（典型的如 GaAs、InP 等）由于具有電子遷移率高、禁帶寬度大等特點，其器件和集成電路在工作速度、頻率等方面具有硅器件/電路不可比擬的優(yōu)勢，而這些正好符合大容量信息快速采集、處理、傳輸?shù)囊?，同時，多種III-V族化合物半導體材料不僅可以制作優(yōu)良的微電子器件，同時還可以制作光電子器件，因此化合物微電子、光電子技術(shù)近年來發(fā)展十分迅速，在許多國民經(jīng)濟的高技術(shù)領(lǐng)域和軍用電子領(lǐng)域應用十分廣泛，發(fā)揮著十分重要的作用，因此，從國民經(jīng)濟發(fā)展、國防安全的需要和電子信息技術(shù)的發(fā)展規(guī)律出發(fā)，優(yōu)先發(fā)展化合物微電子特別是其基礎的III-V族化合物半導體材料是非常重要的。

（2）從現(xiàn)有的技術(shù)基礎考慮戰(zhàn)略發(fā)展思路

由于在國民經(jīng)濟和國防安全中的重要性，長期以來，在國家各有關(guān)計劃的支持下，化合物微電子、光電子技術(shù)得到了迅速發(fā)展，與國外差距已不是很大，具備了在這一領(lǐng)域在國際上占據(jù)一席之地的技術(shù)基礎。以 GaAs 材料為例，從“七五”計劃開始，國家重大科技攻關(guān)、“863”重大專項、軍事預研、軍品攻關(guān)、技措技改等多渠道支持材料和器件的研制，使得該領(lǐng)域的研制技術(shù)已與國外相當。因此在現(xiàn)有基礎上只要再有適量投入，即可趕上或超過國際先進水平，占領(lǐng)電子信息技術(shù)制高點，實現(xiàn)微電子技術(shù)的跨越式發(fā)展。

（3）從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需求考慮戰(zhàn)略發(fā)展思路

隨著國家科技體制改革的不斷深入，擁有化合物微電子技術(shù)的各研究單位正在實施該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化，同時國內(nèi)外多家有實力的公司看好該領(lǐng)域的良好發(fā)展前景，也在積極地涉足 5

該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化工作，使得化合物微電子的產(chǎn)業(yè)化呈現(xiàn)如火如荼態(tài)勢。仍以 GaAs 為例，單晶材料方面，即有中電科技集團四十六所、中科鎵英、北京國瑞、大慶佳昌、福州晶陣等公司在開展產(chǎn)業(yè)化工作，外延材料方面，有山東華光、廈門三安、青島澳龍、廣州普光、河北匯能等多家在進行產(chǎn)業(yè)化工作，器件/電路方面，中電科技集團十三所、五十五所的引進線正在緊張地試生產(chǎn)，深圳市貝光通科技有限公司、矽感科技有限公司等四家公司共投資 7.5 億元的 GaAs 電路項目已落戶矽感科技園。因此 GaAs 微電子的產(chǎn)業(yè)鏈已初具規(guī)模，此時更迫切需要國家予以必要的支持，解決實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的一些關(guān)鍵技術(shù)，構(gòu)建起我國化合物半導體材料的產(chǎn)業(yè)群。

（4）從發(fā)展效果考慮戰(zhàn)略發(fā)展思路

大力發(fā)展化合物微電子可以實現(xiàn)二個效果。一方面，由于化合物微電子、光電子技術(shù)代表著電子信息技術(shù)的最前沿領(lǐng)域，該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化意味著我國電子信息技術(shù)的跨越式發(fā)展；另一方面，近年來，由于經(jīng)濟不景氣等因素影響，西方各國在化合物微電子領(lǐng)域逐漸收縮。以 GaAs 單晶材料為例，美國原有三個生產(chǎn)廠家，其中生產(chǎn)規(guī)模最大的 Litton Airtron 公司已經(jīng)關(guān)閉，整條生產(chǎn)線已被中電科技集團四十六所收購。生產(chǎn)規(guī)模居第二位的 AXT 公司全部生產(chǎn)線已轉(zhuǎn)移至中國。目前只有最小的M/A-COM 公司處于半停產(chǎn)狀態(tài)。日本原有 GaAs 材料生產(chǎn)廠家近十家，目前只有二家規(guī)模最大的住友電工、日立電線仍在維持，但近來一直也在和國內(nèi)企業(yè)探討，向中國轉(zhuǎn)移生產(chǎn)線或合作生產(chǎn)的可能性。因此存在這樣的可能，即中國的 GaAs 材料形成生產(chǎn)規(guī)模、加入該領(lǐng)域的競爭后，國際 GaAs 材料產(chǎn)能將進一步向中國集中，屆時中國 GaAs 材料生產(chǎn)與出口將具有舉足輕重的份量，一旦國際形勢出現(xiàn)風吹草動，GaAs材料可以作為中國政府的戰(zhàn)略物資，制約某些國家諸多高技術(shù)領(lǐng)域特別是國防領(lǐng)域的運轉(zhuǎn)。結(jié)論

砷化鎵材料是最重要的半導體材料之一，其應用領(lǐng)域不斷擴大，產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在急劇擴張，在民用與軍事領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。由于種種原因，我國的砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度遲緩，與國際先進水平的差距還很大。砷化鎵材料的發(fā)展方向是大直徑、低缺陷、工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。歐、美、日等發(fā)達國家在此方面占有絕對優(yōu)勢，我國應充分發(fā)揮國家和企業(yè)的力量，加大對砷化鎵材料研發(fā)的投入力度，盡快趕上國際先進水平。

參考文獻：

【1】《砷化鎵：應用廣泛的半導體材料》

江瑩 2004年

【2】《砷化鎵材料國內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》

中國電子科技集團

紀秀峰 【3】《砷化鎵調(diào)研報告》

中國電子材料行業(yè)協(xié)會

【4】《半導體材料》

楊樹人

科學出版社

第四篇：半導體論文

半導體器件論文試題（任選5題）

《1月7號前交給班長，要求手寫》

1、闡述本征半導體、P型半導體、N型半導體的概念并給出其能帶圖。

2、論述PN結(jié)的構(gòu)成及其能帶圖的成因。

3、論述PN結(jié)單向?qū)щ姷某梢颉?/p>

4、論述PN結(jié)被擊穿的機理。

5、論述PN結(jié)電容的分類及內(nèi)在機制。

6、以NPN型晶體管為例論晶體管的基本結(jié)構(gòu)及其放大原理。

7、以NPN型晶體管為例論述晶體管反向電流的種類及其成因。

8、論述P-N結(jié)模型伏安特性偏離理想方程的原因。

9、推導證明本征半導體的費米能級Ei基本在禁帶中間。

10、論述MIS結(jié)構(gòu)表面積累、表面耗盡、表面反型的形成機理。

第五篇：半導體問答

影響工廠成本的主要因素有哪些？

答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片

Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力

Fixed Manufacturing機器折舊,維修,研究費用……等

Production Support其它相關(guān)單位所花費的費用

在FAB內(nèi)，間接物料指哪些？

答：Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學液 PHOTO Chemical 光阻,顯影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨墊 Container 晶舟盒(用來放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer測試,實驗用的蕊片

什幺是變動成本(Variable Cost)?

答：成本隨生產(chǎn)量之增減而增減.例如:直接材料,間接材料

什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此種成本與產(chǎn)量無關(guān),而與每一期間保持一固定數(shù)額.例如:設備租金,房屋折舊及檵器折舊

Yield(良率)會影響成本嗎?如何影響?

答：Fab yield= 若無報廢產(chǎn)生,投入完全等于產(chǎn)出,則成本耗費最小

CP Yield:CP Yield 指測試一片芯片上所得到的有效的IC數(shù)目。當產(chǎn)出芯片上的有效IC數(shù)目越多,即表示用相同制造時間所得到的效益愈大.生產(chǎn)周期(Cycle Time)對成本(Cost)的影響是什幺?

答：生產(chǎn)周期愈短,則工廠制造成本愈低。正面效益如下:(1)積存在生產(chǎn)線上的在制品愈少(2)生產(chǎn)材料積存愈少(3)節(jié)省管理成本(4)產(chǎn)品交期短,贏得客戶信賴,建立公司信譽

FAC

根據(jù)工藝需求排氣分幾個系統(tǒng)? 答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機排氣（Solvent）四個系統(tǒng)。

高架地板分有孔和無孔作用?

答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，保證潔凈房內(nèi)的潔凈度;防靜電；便于HOOK-UP。

離子發(fā)射系統(tǒng)作用

答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電

SMIC潔凈等級區(qū)域劃分

答：Mask Shop class 1 & 100

Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100

Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)

答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小時運行

什幺是MAU(Make Up Air Unit),新風空調(diào)機組作用

答：提供潔凈室所需之新風，對新風濕度，溫度，及潔凈度進行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。

House Vacuum System 作用

答：HV(House Vacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開運轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運用可減低清潔時的污染。

Filter Fan Unit System(FFU)作用

答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風速和潔凈度，由Fan和Filter(ULPA)組成。

什幺是Clean Room 潔凈室系統(tǒng)

答：潔凈室系統(tǒng)供應給制程及機臺設備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境要求。

Clean room spec:標準

答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)

Class 100

Overpressure +15pa

Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s

Fab 內(nèi)的safety shower的日常維護及使用監(jiān)督由誰來負責

答：Fab 內(nèi)的 Area Owner（若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請廠務水課（19105）協(xié)助）

工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑（如IPA等）進入純水回收系統(tǒng)中，這是因為：

答：酸會導致conductivity(導電率)升高，有機溶劑會導致TOC升高。兩者均會影響并降低純水回收率。

若在Fab 內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報

答：先檢查是否為機臺漏水或做PM所致，若為廠務系統(tǒng)則通知廠務中控室（12222）

機臺若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通報

答：通知廠務主系統(tǒng)水課的值班（19105）

廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?

答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管(SUS)

若機臺內(nèi)的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題? 答：將會導致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標處理不合格，從而可能導致公司排放口超標排放的事故。

公司做水回收的意義如何?

答：(1)節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。(2)符合ISO可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境保護暨安全衛(wèi)生政策。

何種氣體歸類為特氣(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2

何種氣體由VMB Stick點供到機臺? 答：H2

何種氣體有自燃性? 答：SiH4

何種氣體具有腐蝕性? 答：ClF3

當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器? 答：PH3

名詞解釋 GC, VMB, VMP

答：GC-Gas Cabinet 氣瓶柜VMB-Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險性氣體。VMP-Valve Manifold Panel 閥件盤面，適用于惰性氣體。

標準大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不適？

答：21%

19%

什幺是氣體的 LEL? H2的LEL 為多少？

答：LEL-Low Explosive Level 氣體爆炸下限H2 LEL-4%.當FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級警報（既Leak HiHi），氣體警報燈（LAU）會如何動作？FAB內(nèi)工作人員應如何應變？

答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散。

化學供應系統(tǒng)中的化學物質(zhì)特性為何?

答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2)Solvent有機溶劑(3)Slurry研磨液

有機溶劑柜的安用保護裝置為何?

答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器

中芯有那幾類研磨液(slurry)系統(tǒng)?

答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭

設備機臺總電源是幾伏特? 答：208V OR 380V

欲從事生產(chǎn)/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎? 答：不可以

如何選用電器器材?

答：使用電器器材需采用通過認證之正規(guī)品牌

機臺開關(guān)可以任意分/合嗎?

答：未經(jīng)確認不可隨意分/合任何機臺開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.欲從事生產(chǎn)/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對嗎? 答：對

假設斷路器啟斷容量為16安培導線線徑2.5mm2,電源供應電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設備會產(chǎn)生何種情況? 答：斷路器跳閘

當供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎?

答：當供電局供電中斷時,本廠因有緊急發(fā)電機設備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.MFG

什幺是WPH?

答：WPH(wafer per hour)機臺每小時之芯片產(chǎn)出量

如何衡量 WPH ?

答：WPH 值愈大,表示其機臺每小時之芯片產(chǎn)出量高,速度快

什幺是 Move?

答：芯片的制程步驟移動數(shù)量.什幺是 Stage Move?

答：一片芯片完成一個Stage之制程,稱為一個Stage Move 什幺是Step Move?

答：一片芯片完成一個Step 之制程, 稱為一個Step Move.Stage 和 step 的關(guān)系?

答：同一制程目的的step合起來稱為一個stage;例如爐管制程長oxide的stage, 通常要經(jīng)過清洗,進爐管,出爐管量測厚度3道step AMHS名詞解釋? 答：Automation Material Handling System;生產(chǎn)線大部份的lot是透過此種自動傳輸系統(tǒng)來運送

SMIF名詞解釋?

答：Standard Mechanic InterFace(確保芯片在操作過程中;不會曝露在無塵室的大環(huán)境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;為什幺SMIF可以節(jié)省廠務的成本? 答：只需將這些wafer run貨過程中會停留的小區(qū)域控制在class 1 下即可,而其它大環(huán)境潔凈度只要維持在class 100 或較低的等級);在此種界面下可簡稱為“包貨包機臺不包人”;對于維持潔凈度的成本是較低的;操作人員穿的無塵衣可以較高透氣性為優(yōu)先考量,舒適性較佳

為什幺SMIF可以提高產(chǎn)品的良率?

答：因為無塵室中的微塵不易進入wafer的制程環(huán)境中

Non-SMIF名詞解釋

答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的過程中會裸露在無塵室的大環(huán)境中,所以整個無塵室潔凈度要維持在class1的等級;所以廠務的成本較高且操作人員的無塵衣要以過濾性為優(yōu)先考量,因此是較不舒適的SMIF FOUP名詞解釋?

答：符合SMIF標準之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名詞解釋?

答：Manfaucture Execution System;即制造執(zhí)行系統(tǒng);該系統(tǒng)掌握生產(chǎn)有關(guān)的信息,簡述幾項重點如下(1)每一類產(chǎn)品的生產(chǎn)step內(nèi)容/規(guī)格/限制(2)生產(chǎn)線上所有機臺的可使用狀況;如可run那些程序,實時的機臺狀態(tài)(可用/不可用)(3)每一產(chǎn)品批的基本資料與制造過程中的所有數(shù)據(jù)(在那些機臺上run過/量測結(jié)果值/各step的時間點/誰處理過/過程有否工程問題批注…等(4)每一產(chǎn)品批現(xiàn)在與未來要執(zhí)行的step等資料

EAP名詞解釋?

答：(1)Equpiment Automation Program;機臺自動化程序;(2)一旦機臺有了EAP,此系統(tǒng)即會依據(jù)LOT ID來和MES與機臺做溝通反饋及檢查, 完成機臺進貨生產(chǎn)與出貨的動作;另外大部份量測機臺亦可做到自動收集量測資料與反饋至后端計算機的自動化作業(yè)

EAP的好處

答：(1)減少人為誤操作(2)改善生產(chǎn)作業(yè)的生產(chǎn)力(3)改善產(chǎn)品的良率

為什幺EAP可以減少人為操作的錯誤

答：(1)避免機臺RUN錯貨(2)避免RUN錯機臺程序

為什幺EAP可以改善機臺的生產(chǎn)力?

答：(1)機臺可以自動Download程式不需人為操作(2)系統(tǒng)可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤(3)系統(tǒng)可以自動收集資料減少人為輸入錯誤

為什幺EAP可以改善產(chǎn)品的良率?

答：(1)在Phot/etch/CMP區(qū)中,可自動微調(diào)制程參數(shù)(2)當機臺alarm時,可以自動hold 住貨(3)當lot內(nèi)片數(shù)與MES系統(tǒng)內(nèi)的片數(shù)帳不符合時,可自動hold 住貨

GUI名詞解釋? 答：Graphical User Interface of MES;將MES中各項功能以圖形界面的呈現(xiàn)方式使得user可以方便執(zhí)行

EUI名詞解釋?功能是什麼? 答：EAP User Interface;機臺自動化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機臺目前的狀態(tài)及貨在機臺內(nèi)的情形

SORTER 分片機的功能?

答：可對晶舟內(nèi)的wafer(1)進行讀刻號(2)可將wafer的定位點(notch/flat)調(diào)整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer號碼重新排列在晶舟內(nèi)相對應的槽位號碼上(4)執(zhí)行不同晶舟內(nèi)wafer的合并(5)將晶舟內(nèi)的wafer分批至多個晶舟內(nèi)

OHS名詞解釋?

答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS軌道上傳送FOUP的小車)FAB內(nèi)的主要生產(chǎn)區(qū)域有那些?（有7個）

答：黃光, 蝕刻, 離子植入, 化學氣象沉積, 金屬濺鍍, 擴散, 化學機械研磨

Wafer Scrap規(guī)定?

答：Wafer由工程部人員判定機臺、制程、制造問題，已無法或無必要再進行后續(xù)制程時，則于當站予以報廢繳庫，Wafer Scrap時請?zhí)顚憽癢afer Scrap處理單” Wafer經(jīng)由工程部人員判定機臺、制程、制造問題已無法或無必要再進行后續(xù)制程時應采取何種措施?

答：SCRAP（報廢，定義請參照Wafer Scrap規(guī)定）

TERMINATE規(guī)定？

答：工程試驗產(chǎn)品已完成試驗或已無法或無必要再進行后續(xù)制程時，則需終止試驗產(chǎn)品此時就需將產(chǎn)品終止制程，稱之為TERMINATE

WAFER經(jīng)由客戶通知不需再進行后續(xù)制程時應采取何種措施? 答：TERMINATE

FAB疏散演練規(guī)定一年需執(zhí)行幾次?

答：為確保FAB內(nèi)所有工作人員了解并熟悉逃生路徑及方式，MFG將不定期舉行疏散演練。演習次數(shù)之要求為每班每半年一次。

何時應該填機臺留言單及生產(chǎn)管理留言單？

答：機臺留言單：機臺有部分異常需暫時停止部分程序待澄清而要通知線上人員時生產(chǎn)留言單：有特殊規(guī)定需提醒線上人員注意時

填寫完成的機臺臨時留言單應置放于那里?

答：使用機臺臨時留言單應將留言單置放于LOGSHEET或粘貼于機臺上

機臺臨時留言單過期后應如何處理?

答：機臺臨時留言單過期后應由MFG On-line人員清除回收, 訊息若需長期保存則請改用生產(chǎn)管理留言單。

生產(chǎn)管理留言單的有效期限是多久? 答：三個月

何時該填寫芯片留言單？

答：芯片有問題時或是芯片有特殊交待事項需讓線上人員知道則可使用芯片留言單

芯片留言單的有效期限是多久? 答：三個月

填寫完成的芯片留言單應置放于何處? 答：FOUP 上之套子內(nèi) 芯片留言單需何人簽名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何謂Hold Lot? 答：芯片需要停下來做實驗或產(chǎn)品有問題需工程師判斷時的短暫停止則需HOLD LOT;帳點上的狀態(tài)為Hold,如此除非解決hold住的原因否則無法繼續(xù)run貨

PN（Production Note，制造通報）的目的?

答：(1)為公布FAB內(nèi)生產(chǎn)管理的條例。(2)闡述不清楚和不完善的操作規(guī)則。

PN的范圍?

答：(1)強調(diào)O.I.或TECN之規(guī)定, 未改變(2)更新制造通報內(nèi)容(3)請生產(chǎn)線協(xié)助搜集數(shù)據(jù)(4)O.I.未規(guī)定或未限制, 且不改變RECIPE、SPEC及操作程序

何謂MONITOR?

答：對機臺進行定期的檢測或是隨產(chǎn)品出機臺時的檢測稱之為MONITOR，如測微粒子、厚度等

機臺的MONITOR項目暫時變更時要填何種文件?

答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暫時工程變更）

暫時性的MONITOR頻率增加時可用何種表格發(fā)布至線上? 答：Production Note（PN，制造通知）

新機臺RELEASE但是OI尚未生效時應填具何種表格發(fā)布線上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暫時工程變更）

控片的目的是什幺?(Control wafer)答：為了解機臺未來的run貨結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi),必須使用控片去試run,并量測所得結(jié)果如厚度,平坦度,微粒數(shù)…控片使用一次就要進入回收流程。

擋片(Dummy wafer)的目的是什幺?

答：用途有2種：(1)暖機(2)補足機臺內(nèi)應擺芯片而未擺的空位置。擋片可重復使用到限定的時間﹝RUN數(shù)、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同時run150片wafer的爐管,若不足150片時必須以擋片補足,否則可能影響制程平坦度等…;High current 機臺每次可同時run17片,若不足亦須以擋片補足擋片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范圍嗎?

答：是的;阻值范圍愈緊的,成本愈貴;例如8~12歐姆用于當產(chǎn)品的原物料,0~100的可能只能用當監(jiān)控機臺微塵的控片

機臺狀態(tài)的作用?

答：為能清楚地評量機臺效率,並告訴線上人員機臺當時的狀況

機臺狀態(tài)可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down

機臺狀態(tài)定義為availabe可用的狀態(tài)有那些?

答：RUN : 機臺正常,正在使用中BKUP : 機臺正常,幫其它廠RUN貨IDLE : 機臺正常,待料或缺人手TEST : 機臺正常,借工程師做工程實驗或調(diào)整RECIPETEST_CW : 機臺正常,正在RUN 控檔片

機臺狀態(tài)定義為SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 機臺正常,依據(jù)OI規(guī)定進行檢查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 機臺正常,機臺定期維護后的檢查PM : OI規(guī)定之例行維修時機及項目;如汽車5000KM保養(yǎng)HOLD_ENG : 機臺正常,制程工程師澄清與確認產(chǎn)品異常原因,停止機臺RUN LOT

在機臺當機處理完后;交回制造部時應掛何種STATUS? 答：WAIT_MFG

在工程師借機檢查機臺調(diào)整RECIPE時應掛何種STATUS? 答：TEST

若是機臺MONITOR異常工程師借機檢查機臺時應掛何種STATUS? 答：DOWN

線上發(fā)現(xiàn)機臺異常時通知工程師時應掛何種STATUS? 答：WAIT_ENG

線上在要將機臺交給工程師做PM前等待工程師的時間應掛何種STATUS? 答：WAIT_ENG

工程在將機臺修復后交給制造部等制造部處的這段時間應掛何種STATUS? 答：WAIT_MFG

維修時應掛何種STATUS? 答：OFF

Muti-Chamber的機臺有一個Chamber異常時制造部因為派工ISSUE無法交出Chamber該掛何種STATUS? 答：HOLD_MFG

制程工程師澄清或確認產(chǎn)品異常原因停止機臺RUN貨時應掛何種STATUS? 答：HOLD_ENG

因工程部ISSUE而成機臺不能正常RUN貨時應掛何種STATUS? 答：HOLD_ENG

MES或電腦等自動化系統(tǒng)相關(guān)問題造成死機要掛何種STATUS? 答：CIM

因為廠務水電氣的問題而造成機臺死機的問題要掛何種STATUS? 答：FAC

生產(chǎn)線因電力壓降、不穩(wěn)定造成生產(chǎn)中斷時,機臺狀態(tài)應掛為? 答：FAC

生產(chǎn)線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產(chǎn)停止,此時機臺將態(tài)為何? 答：CIM

機臺狀態(tài)EQ status定義的真正用意何在?

答：(1)機臺非常貴重,所以必須知道時間都用到何處了,最好是24小時都用來生產(chǎn)賣錢的產(chǎn)品;能清楚知道時間用到何處,就能進行改善(2)責任區(qū)分,各個狀態(tài)都有不同的責任單位,如制造部/設備工程師/制程工程師…等

什幺是 T/R?

答：Turn Ratio, 芯片之移動速度;即1天內(nèi)移動了幾個制程stage 如何衡量 T/R ?

答：一片芯片在1天內(nèi)完成一個Stage Move,其 T/R值為 1.T/R 值愈大,表示其移動速度愈快,意謂能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?

答：Engineer Abnormal Report(工程異常報告);通常發(fā)生系統(tǒng)性工程問題或大量的報廢時,必須issue EAR.異常事件是否issue EAR 主要依據(jù)EAR OI 定義

EAR 之目的為何 ?

答：在于記錄Wafer生產(chǎn)過程中異?，F(xiàn)象的發(fā)生與解決對策，及探討異常事件的真正原因進而建立有效的預防及防止再發(fā)措施，以確保生產(chǎn)線之生產(chǎn)品質(zhì)能持續(xù)改善 什幺是 MO ?

答：MO(Mis-Operation)指未依工作準則之作業(yè),而造成的生產(chǎn)損失.MO 有何之可能影響?

答：(1)產(chǎn)品制程重做(REWORK)。(2)產(chǎn)品報廢。(3)客戶要求退還產(chǎn)品，并要求賠償.如何防止 MO 之產(chǎn)生 ? 答：依工作準則作業(yè).什幺是 Waferout ?

答：完成所有制程后并可當成產(chǎn)品賣出之芯片.什幺是 clean room(潔凈室)?

答：指空氣中浮塵被隔離之操作空間

為何要有 clean room ?

答：避免空氣中的微浮塵掉入產(chǎn)品,進而破壞產(chǎn)品的品質(zhì)

clean room 有何等級 ?

答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等級愈高(class 1)則表示要求環(huán)境之潔凈度就愈高.如醫(yī)院開刀房之環(huán)境為 class 1000.FOUP回收清洗流程?

答：(1)線上各大區(qū)將所使用過的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下線MA將回收待清洗的FOUP.底盤逐一拆下。(3)Cassette 須量測有無問題.(全新的也須量測)。(4)拆下的Door& 底盤須用IPA擦拭干凈。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。

FOUP回收清洗時間?

答：回收清洗時間為每三個月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue時會同時將下一次清洗的時間Updata上。

FOUP各部門領(lǐng)用流程? 答：各部門的領(lǐng)用人至W/S領(lǐng)取物品時,須填寫”FOUP & 塑料封套 領(lǐng)料記錄表”填上領(lǐng)取的件數(shù)以及部門.名字.工號即可

FAB 制造通報(Production Notice)responsibility?

答：(1)制造部負責通報的管理與執(zhí)行，F(xiàn)ab相關(guān)部門因工程與生產(chǎn)需要可制作制造通報經(jīng)單位主管及制造部同意后進線執(zhí)行。(2)制造通報涉及工程限制（Constrain）時需由工程部門負責工程師在MES上設定/修改完成后交由制造部審核確認及生效后，此通報才能進線執(zhí)行。

FAB 制造通報(Production Notice)規(guī)定和禁令?

答：(1)通報被取消則此通報將視為無效.(2)通報內(nèi)容新舊版本相沖突時以新版本為主，initiator 需告知前份作廢PN ,以便MA立取出(3)通報最長期限為一個月.如果通報想延長期限,必須重新提出申請與簽核,但以一次為限.(4)至截止期后通報將自動失效.FAB 制造通報(Production Notice)管理?

答：(1)如果此通報由制造部主管直接公布,簽署過程即省略(2)通報內(nèi)容應盡量言簡意賅,避免繁瑣冗長的陳述(3)制造部各區(qū)文件管理人負責將取消或無效之生產(chǎn)通告?zhèn)骰豄ey-in Center 以避免被錯誤使用(4)通報應蓋上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部門依據(jù)規(guī)定執(zhí)行Hold 貨或設Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，貨到站后由當區(qū)MA/LL負責于MES作帳，Wafer存入Stocker。

WHAT’S “Bank Out”?

答：各部門于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知當區(qū)主管，于MFG確認Hold Comment無誤后，于MES作帳，Wafer依Comment處理。

WHAT’S ’Bank Period“?

答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累積之時間

Bank 適用時機?

答：(1)客戶通知暫停流程/放行之Wafer。(2)新制程開發(fā)，于重點層次預留/放行之Wafer。(3)經(jīng)WAT檢查后，有問題之Wafer。(4)經(jīng)QE檢查后，有問題之Wafer。(5)FAB預先生產(chǎn)，且需暫存之Wafer。(6)特殊原因且經(jīng)MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?

答：(1)各部門申請的Bank有一定數(shù)量限制，依制造部與各部門討論而定(2)PC部門則由PC與客戶協(xié)議，依PC相關(guān)規(guī)定處理

Bank period規(guī)定?

答：(1)PC要求之Bank最長可存放六個月；但若Customer有特殊需求，且經(jīng)PC與MFG P&Q Manager同意者，則不在此限。(2)Lot Type 為L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限為60天。(3)Lot Type 為P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，則存放期限為7天且申請時需PC 同意。

FAB內(nèi)空的FOUP應存放在那些指定位置上?

答：(1)放在指定的暫存貨架上。(2)放在機臺旁的待Run Wip貨架上(3)Stocker內(nèi)

為什幺FOUP 放在STOCK 入口而長時間不進去？

答：Stocker 已滿，或不能讀取RF ID。

為什幺FOUP會被送至WaferStart出口?

答：RF ID上的FOUP Clean Time 過期，或格式不正確。

何謂Bullet lot?

答：(1)就是優(yōu)先權(quán)最高的lot(priority 1);(2)lot本身帶有特別重要的目的;如客戶大量投產(chǎn)前的試run產(chǎn)品,工程部特別重要的實驗貨,與其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?

答：(1)Priority 皆為1(2)面交下一站，不得用AMHS System傳送。(3)需提前通知下一站備妥機臺。(4)有工程問題工程部必須優(yōu)先解決此種lot 列出所有的Lot Priority，并說明其代表的含義

答：Priority 等級從1~5 優(yōu)先權(quán)以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字義”子彈般快的lot“;此lot擁有特殊目的如重要實驗,客戶大量投片前試run貨等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定義而定;通常為試run貨pilot lot, 驗證光罩設計的實驗lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把勁否則無法準時交給客戶的lot)priority 4 : normal lot(按預定進度進行的lot)priority 5 : control wafer(生產(chǎn)線上的控片面)將Lot 分pirority 優(yōu)先權(quán)的生產(chǎn)管理意義? 答：生產(chǎn)線上眾多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期與目的,透過操控每批LOT的優(yōu)先權(quán)數(shù)字設定來讓所有MA知道產(chǎn)品安排的優(yōu)先級

什幺是RF ID?

答：用來記錄FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、機臺的EAP亦是透過RF ID 來和MES溝通了解當站該RUN那一種程序

什幺是stocker?

答：生產(chǎn)線上用來存放FOUP容器的倉儲(FOUP有裝載芯片和光罩兩種)

為什幺FOUP 放在stocker 入口而長時間不進去？

答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 會被自動傳輸系統(tǒng)HOLD?

答：有同名的Lot.可根據(jù)Hold Reason 找出兩個同名Lot 的位置。

當GUI顯示說Mapping的片數(shù)和MES上的片數(shù)不匹配時如何處理？

答：請檢查MES上LOT的片數(shù)和機臺內(nèi)Mapping出來的片數(shù)，若兩者不同，請找PE/EE解決；若兩者相同，請CALL EAP ENGINEER。

Process完成后GUI顯示實際RUN的片數(shù)和MES上的數(shù)量不匹配時如何處理？

答：請檢查MES上LOT的片數(shù)和機臺內(nèi)Process完成的片數(shù)，若兩者不同，請找PE/EE解決；若兩者相同，請CALL EAP ENGINEER

GUI顯示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“時如何處理？

答：檢查SmartRF ID中清洗FOUP的時間是否已經(jīng)過期或時間是空值：若已過期，請換一個FOUP。若是空值，請先做IssueRF ID，何謂Bank Lot?

答：若芯片有客戶要求需要長時間的停止時則需使用BANK LOT;即帳點上的狀態(tài)為BANK;除非客戶再次通知后解除,否則無法往下RUN貨

何謂future hold?

答：MES 上的一個功能;對于未來制程中的某一歩驟,若需要停下來執(zhí)行實驗或檢查..等目的時,可預先提早下future hold

生產(chǎn)線那些地方,可以感測FOUP上的RF ID并回傳此FOUP的位置? 答：Stocker 與機臺

HOLD住待處理的問題芯片;必須放在何處? 答：放置在指定之HOLD LOT貨架上

工程師使用的芯片、控擋片;必須放在何處? 答：放置在工程師芯片專用貨架上

待run產(chǎn)品 ,必須放在何處?

答：放入STOCKER內(nèi)或放置在機臺旁之貨架（推車上）

Fab通常如何定義產(chǎn)品的復雜度?

答：必須經(jīng)過幾道photo layer,有幾層poly, 有幾層metal越多層越復雜

假設一種產(chǎn)品的制程共有20次photo layer,103個stage 的產(chǎn)品,從投片到出貨的周期時間(cycle time)為22天;試問此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7

假設一種產(chǎn)品的制程共有20次photo layer,103個stage 的產(chǎn)品,從投片到出貨的周期時間(cycle time)為22天;試問平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?

答：22天/20=1.1

Signal Tower 的功能為何?

答：用以提醒操作者,機臺的實時狀況,實時處理,增加機臺的使用率 Signal Tower有那幾種燈號顏色? 答：紅/黃/綠三種顏色

Signal Tower的紅燈亮(ON)起來時,代表何意義? 答：機臺的主要功能當?shù)粲嵪⒊霈F(xiàn)時

Signal Tower的紅燈閃爍(flash)時,代表何意義? 答：機臺有任何Alarm的訊息出現(xiàn)時

Signal Tower的綠燈亮(ON)起來時,代表何意義? 答：機臺是在run貨狀態(tài);且所有進貨端都擺滿了貨

Signal Tower的綠燈閃爍(flash)時,代表何意義?

答：機臺是在run貨狀態(tài);但有某一個以上的進貨端有空檔,用以提醒操作人員進貨(MIR;move in request)

Signal Tower的黃燈閃爍(flash)時,代表何意義?

答：機臺是在可使用狀態(tài);但有某一個以上的出貨端有貨run完,等著出貨,用以提醒操作人員把貨拿走(MOR;move Out request)光罩產(chǎn)品有哪兩種材料組成?

答：(1)BLANK;玻璃主體;使得光容易透過(2)PELLICLE;一種高分子材料,用來保護玻璃上的電路圖,避免particle影響

簡單分類光罩可分為哪兩種？

答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄線寬或某幾個最重要的PHOTO 層如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 現(xiàn)行工廠內(nèi)有哪兩種PELLICLE(光罩的鉻膜)？

答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）

I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光機?

答：不能;因為DUV光源的能量Energy較強,會將pellicle 燒焦

DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光機? 答：可以

光罩上PATTERN或玻璃面有刮傷可否修補? 答：不能

PELLICLE毀損能否修補?

答：若沒傷到pellicle下的電路圖形，可撕除pellicle,重新貼上新的PELLICLE 何謂cycle time,周期時間?

答：wafer 從投片wafer start 到WAT電性測試結(jié)束這段生產(chǎn)時間(如早上出門.搭車到達公司所需經(jīng)過的時間)

cycle time 周期時間是由那些時間所構(gòu)成答：(1)Process time 所有步驟的制程時間總和(2)waiting time : 所有步驟中所耗費的等待時間,如等人或等機臺有空(3)hold time:所有步驟因為異常等原因,被扣留下來檢查的時間

如何降低cycle time 周期時間?

答：cycle time是process time(機臺run貨時間),waiting time(等候時間), hold time(等待澄清問題時間);所以任何有助于降低三者的活動皆有幫助

如何減少process time 總和? 答：(1)由制程整合工程師檢討流程中是否有步驟可以去除不做;如一些檢查站點或清洗站點等(2)由工程部制程工程師研究改善縮短每一步驟的制程時間(需經(jīng)過實驗測試是否影響品質(zhì),此項達成度較難)如何減少waiting time總和?

答：waiting time 是因為少人少機臺所造成;所以有下列幾種方法(1)加人買機臺(此方法必須說服老板人和機臺都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多種操作技能,加強派貨能力等(3)改善機臺的能力;如增加WPH每小時的產(chǎn)出量,設備工程師將機臺維持在高的UP time等(4)檢討減少生產(chǎn)線上的wafer 數(shù)目;檢討是否有太早下線的wafer或不必要的實驗貨,過多少片數(shù)的LOT(例如透過公運輸或多人共乘減少)路上的車輛

如何減少hold time 總和? 答：hold time 來自制程不穩(wěn)定與機臺不穩(wěn)定和實驗測試所致;與發(fā)生hold time后的后續(xù)處理時間;所以必須針對這幾項來著手

如何簡單地評定一個代工廠的能力?

答：(1)良率維持在穩(wěn)定的高點(2)周期時間cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好

工廠準時交貨率(On-Time Delivery Order)

答：值越高表示工廠準時交貨的能力越好，對于客戶的服務也越佳

工廠產(chǎn)量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工廠滿足客戶需求的能力是否良好，但并不評估是否按照預定日程交貨，值越高越好

控/擋片使用率(Control/Dummy Usage)

答：平均每生產(chǎn)一片芯片所需使用的控/擋片數(shù)量由于控/擋片可以重復使用，因此當生產(chǎn)線系統(tǒng)越穩(wěn)定，技術(shù)員操作越熟練，則控/擋片壽命也越長，生產(chǎn)成本也因而降低。

何謂OI?

答：Operation Instruction操作指導手冊；每一型號的機臺都有一份OI。OI含括制程參數(shù)、機臺程序、機器簡介、操作步驟與注意事項。其中操作步驟與注意事項是我們該熟記的部分

何謂Discipline

答：簡單稱之為『紀律』。泛指經(jīng)由訓練與思考，對群體的價值觀產(chǎn)生認同而自我約束，使群體能在既定的規(guī)范內(nèi)達成目標，與一般的盲從不同。

如何看制造部的紀律好不好?

答：制造部整體紀律的表現(xiàn)，可以由FAB執(zhí)行6S夠不夠徹底和操作錯誤多寡作為衡量標準！

如何看整個FAB紀律好不好?

答：FAB內(nèi)整體的紀律表現(xiàn)，可以反應在Yield上。

公司的企業(yè)文化為何? 答：重操守（integrity）誠實（honesty）團隊合作（team work）注重效能（effectiveness）永續(xù)經(jīng)營和不斷改進（PDCA——plan/do/check/action）

那些是對外不可說的事?

答：(1)產(chǎn)品良率(Yield)(2)訂單數(shù)量(3)客戶名字(4)公司組織(5)主管手機號碼(6)公司人數(shù)(7)其它廠商Vendor的資料(8)生產(chǎn)線的機臺臺數(shù)及種類。

那些是對外不可做的事? 答：(1)與Vendor聚餐,需經(jīng)過部門主管的同意(2)收傭金,有價證券(3)收受禮物(禮物價值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正當場所

Fab4的工作精神為何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何謂Ownership? 答：主人翁精神;對待處理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完

何謂Hands On ?

答：親力親為;總裁Richard要求所有人尤其是主管必須對自己的業(yè)務了若指掌

何謂Call for help ?

答：請求支持;任務過程中遇困難,必須尋求同事或主管幫忙,否則會誤了大事

為什幺溝通時必須使用”精準“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼

答：因為團隊的其它人必須根據(jù)你的話來下決定與做判斷,一旦用了模糊字眼,就必須一來一往才能澄清問題,泿費時間,所以不了解的事,就直接回答不清楚

為什幺開會描述問題時,必須先講結(jié)果或別人必須配合的AR(action request),然后再講問題發(fā)生的原因? 答：因為開會時間有限,參與的人太多(如全廠的生產(chǎn)晨會);先講結(jié)果或AR可以讓人快速抓住重點,如果時間不足原因可以簡略說明即可

為什幺會議中要避免某些人”開小會“(小組自行討論)的現(xiàn)象? 答：因為你不是主持人,開小會使得議程被打斷,討論主題發(fā)散,會議時間冗長,泿費大家時間

為什幺開會,上臺進行演示文稿時,要力求大聲?

答：因為所有人必須跟據(jù)你的說明下判斷或決定,而且小聲講也顯得自己沒有自信

什幺是6S運動?

答：在自己的工作區(qū)內(nèi)徹底執(zhí)行整理/整頓/清掃/清潔/紀律/安全6項作業(yè)準則標準

整理與整頓的意含差異?

答：整理為保管要的東西,丟掉不要的東西,整頓為針對要的東西進行定位/標示/歸位的動作

清掃與清潔的意含差異?

答：清除為清除臟亂污垢,清潔為保持整理/整頓/清掃的成果

6S運動推廣重點區(qū)域?

答：辦公區(qū)與潔凈室是兩大重點

為何無塵室中的任何地板開孔都必須以警示圍籬區(qū)隔?

答：為了安全考量;任何小洞都可能造成人員拌倒,芯片摔破

為何無塵室中的中間走道高架地板上要鋪設鋼板? 答：為防止move-in 機臺所用的拖板車刮傷地板

無塵室中間走道高架地板上的鋼板,如何鋪設?

答：先鋪設塑料墊,再鋪設鋼板,每一片鋼板的接鏠邊必須以膠帶貼合,避免人員或芯片推車拌倒

無塵室中有那些地板必須以顏色膠帶做定位?

答：中間走道,各Bay信道,機臺安裝前的定位標示,逃生信道,貨架定位,零附件暫存區(qū)定位

無塵室中的最大發(fā)塵源為何? 答：無塵室中走動的人

那些會發(fā)塵的物品不得帶入無塵室? 答：通常屬于天然類的物質(zhì)都會發(fā)塵,如一般紙張,木箱,鉛筆,等

無塵室中施工時必須參考的layout 圖,如何帶入無塵室? 答：請以無塵紙影印人后帶入

可在無塵室中做地板切割作業(yè)?

答：不行,因為會產(chǎn)生微塵,所以請將地板攜出進行作業(yè)

可在無塵室中做地板鉆孔作業(yè)?

答：可以,但鉆孔時必須同時以吸塵器清除這些鐵屑(必須2人同時作業(yè))貨架不能擋住那些緊急設施?

答：沖身洗眼器,滅火器,機臺的緊急按鈕(EMO)手套上寫字記事情,為什幺違反6S規(guī)定? 答：因為筆墨會到處沾粘;是微塵的來源

口罩必須如何戴才不違反6S規(guī)定?

答：完全蓋住口鼻;且全程保持標準,不得拉下口罩,露出鼻子

制程或設備工程師review 完問題貨,如果不放回定位,hold lot 貨架或stocker內(nèi)會有何影響? 答：制造部MA,將大海撈針式地搜索此LOT,因為只有在Stocker和機臺上才能感測RFID,回傳該LOT的位置

如何從自身執(zhí)行公司的機密文件管制?

答：機密文件檔案嚴禁任意放置在檔案柜內(nèi)或桌面上,必須放入有鎖的抽里。

辦公區(qū)域內(nèi)不可吃飲料類以外的食物屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的工作紀律

辦公區(qū)域內(nèi)不得任意喧嘩屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的工作紀律

辦公區(qū)域內(nèi)嚴禁打電子游戲?qū)儆谀且环N要求? 答：辦公區(qū)的工作紀律

有獨立辦公室的同仁在離開辦公室時，必須關(guān)上門屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的工作紀律

下班時請將桌面上所有文件清除屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的整理整頓

桌面下方物品堆放整齊，不可有雜物屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的整理整頓

何謂OCAP?

答：Out of Control Action Plan, 即產(chǎn)品制程結(jié)果量測值或機臺監(jiān)控monitor量測值,違反統(tǒng)計制程管制規(guī)則后的因應對策

制造部人員如何執(zhí)行品質(zhì)監(jiān)控系統(tǒng)OCAP?

答：遇產(chǎn)品或機臺monitor量測值OOC或OOS時,必須Follow 相對應的檢查流程(有厚度/微塵/CD/Overlay…等OCAP 窗體);并通知工程師檢查工程上的問題

工程部人員(制程或設備工程師)如何執(zhí)行品質(zhì)監(jiān)控系統(tǒng)OCAP?

答：制造部MA通知必須Follow的OCAP;必須依流程判斷LOT或機臺有工程間題

什幺是OOS?

答：out of spec;制程結(jié)果超出允收規(guī)格

什幺是OOC?

答：out of control;制程結(jié)果在允收規(guī)格內(nèi)但是違反統(tǒng)計制程管制規(guī)則;用以警訊機臺或制程潛在可能的問題

發(fā)現(xiàn)Fab內(nèi)地板有如水的不明液體要如何處理?

答：請先假設它可能為強酸強堿, 以酸堿試紙檢測PH值后再以無塵布或吸酸棉吸收后丟入分類垃圾桶中

Fab內(nèi)的滅火器為那一類? 答：CO2 類

為什幺FAB必須使用CO2類的滅火器? 答：因為CO2無干粉滅火器產(chǎn)塵的顧忌

如果不依垃圾分類原則來丟垃圾會有什幺后果?

答：可能造成無塵室的火災危機,因為酸堿中和,產(chǎn)生熱后可能引起火災

無塵室的正下方我們稱為什幺? 答：sub-fab

Sub-fab的功能主要為何?

答：生產(chǎn)機臺所需的供酸供氣等需求,主要由此處來供應上來

Fab內(nèi)的空氣和外界進行交換的比例為何? 答：約20%~25%

Fab生產(chǎn)區(qū)域內(nèi)最在意靜電(ESD)效應的區(qū)域為何? 答：PHOTO 黃光區(qū)(低能量靜電放電導致光罩的破壞)PHOTO 區(qū)如何消除靜電效應

答：(1)機臺接地(2)使用導電或防靜電的材質(zhì)(3)使用靜電消除裝置

PHOTO 區(qū)的靜電消除器安置在那些地方?

答：(1)天花板(2)機臺scanner上方(3)Stocker內(nèi)

靜電效應主要造成那些破壞? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆積的靜電荷一旦有放電作用,即會因產(chǎn)生的電流造成組件的破壞

何謂沖身洗眼器?/何處可以找到?

答：無塵室中各區(qū)域皆會有;是一可緊急使用沖淋身體與眼睛的地方

遇到什幺狀況時,需要使用沖身洗眼器

答：當碰到酸堿或任何其它溶劑時,請立即進入沖淋間,以大量清水沖淋15分鐘,然后趕急至醫(yī)護室進行下一步處理

為何要配合海關(guān)進行資產(chǎn)盤點?(機臺/芯片/原物料)

答：因為進口的大部份資產(chǎn)都有關(guān)稅優(yōu)惠;海關(guān)為了解企業(yè)確實將這些進口的材料加工成品后賣錢;而不是轉(zhuǎn)手賣掉.這一盤點對公司來說是非常重要的

PHOTO區(qū)域若發(fā)生miss operaton;可進行rework將光阻去除后重新來過;所以不用太緊張對嗎?

答：錯!重做多次將影響良率

PEL-STEL(short term exposure limit)短時間(15分鐘)時量平均容許濃度

答：勞工在短時間之內(nèi)可以連續(xù)暴露，而不會遭受刺激，慢性或不可逆的組織損害，或在每天之暴露沒有超過工作日時量平均容許濃度時不致因昏迷以致于會增加意外事故，損害自我救援能力，或?qū)嵸|(zhì)地降低工作效率。

PEL-Ceiling最高容許濃度：

答：在工作期間之任何時間暴露，均不可以超過的濃度。

LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)

答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性氣體分子在空氣中混合后的氣體百分率,達爆炸范圍時，可引起燃燒或爆炸，此爆炸范圍的下限及上限稱為LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%

TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)國際標準閾限值、恕限量

答：空氣中的物質(zhì)濃度，在此情況下認為大多數(shù)人員每天重復暴露，不致有不良效應。在此濃度每天呼吸暴露8小時不致有健康危害。但因每人體質(zhì)感受性差異很大，因此，有時即使低于TLV之濃度方可能導致某些人之不舒服、生病或使原有情況加劇。

PEL-TWA(time-weighted average)工作日時量平均容許濃度：各國家對同要物質(zhì)可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb

答：正常8小時一個工作天,40小時一工作周之時間加權(quán)的平均濃度下，大部份的勞工都重復一天又一天的曝露，而無不良的反應。

PHOTO

PHOTO 流程?

答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測

何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？

答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負光阻。

何為正光阻?

答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。

何為負光阻?

答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。

什幺是曝光？什幺是顯影？

答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。

何謂 Photo?

答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

Photo主要流程為何?

答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等。

何謂PHOTO區(qū)之前處理?

答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結(jié)合。

何謂上光阻? 答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。何謂Soft Bake?

答：上完光阻之后，要進行Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘余內(nèi)應力釋放。

何謂曝光?

答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。

何謂PEB(Post Exposure Bake)?

答：PEB是在曝光結(jié)束后對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化。

何謂顯影? 答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。

何謂Hard Bake?

答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。

何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？

答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

何謂 I-line？

答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp(汞燈)產(chǎn)生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應用在次重要的層次。

何謂 DUV？

答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。

I-line與DUV主要不同處為何?

答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進制程的Critical layer上。

何為Exposure Field?

答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域

何謂 Stepper? 其功能為何?

答：一種曝光機，其曝光動作為Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去

何謂 Scanner? 其功能為何?

答：一種曝光機，其曝光動作為Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何為象差？

答：代表透鏡成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper優(yōu)點為何？

答：Exposure Field大，象差較小

曝光最重要的兩個參數(shù)是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數(shù)對于不同的產(chǎn)品會有不同。

何為Reticle?

答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。

何為Pellicle?

答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護膜。

何為OPC光罩？

答：OPC(Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。

何為PSM光罩？

答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。

何為CR Mask？

答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer

光罩編號各位代碼都代表什幺？

答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表產(chǎn)品號，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，后一個A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,則代表I-line),A代表ASML機臺（如果是C，則代表Canon機臺）

光罩室同時不能超過多少人在其中？

答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。

存取光罩的基本原則是什幺？

答：(1)光罩盒打開的情況下，不準進出Mask Room,最多只準保持2個人(2)戴上手套(3)輕拿輕放

如何避免靜電破壞Mask？

答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導出。

光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應該保持多遠距離？

答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。

何謂 Track?

答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。

In-line Track機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？

答：均為4個

機臺上亮紅燈的處理流程？

答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處于異常狀態(tài)，此時已經(jīng)不能RUN貨，因此應該及時Call E.E進行處理。若EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機臺掛DOWN。

何謂 WEE? 其功能為何?

答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進而在顯影的時候?qū)⑵淙コ@樣便可以消除影響。

何為PEB？其功能為何？

答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standing waves）

PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負光阻

答：目前正負光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負光阻。

RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject？

答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進一步查看機臺是否有Reject記錄。

何謂 Overlay? 其功能為何?

答：迭對測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對準精度，如果對準精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的對準精度進行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應措施調(diào)整process condition.何謂 ADI CD?

答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。

何謂 CD-SEM? 其功能為何?

答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通?？梢杂糜跍y量CD以及觀察圖案。

PRS的制程目的為何？

答：PRS(Process Release Standard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。

何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些？

答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機臺對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何為OOC, OOS，OCAP？

答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 當需要追貨的時候，是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來？

答：需要。因為通常是process出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回損失。

PHOTO ADI檢查的SITE是每片幾個點？

答：5點，Wafer中間一點，周圍四點。

PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？

答：20

PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？

答：#1，#6，#15，#24;統(tǒng)計隨機的考量 何謂RTMS，其主要功能是什幺？

答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理

PHOTO區(qū)的主機臺進行PM的周期？

答：一周一次

PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型

答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區(qū)daily monitor CD穩(wěn)定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer

當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？

答：有少量光阻

當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？

答：有少量光阻

WAFER SORTER有讀WAFER刻號的功能嗎？

答：有

光刻部的主要機臺是什幺? 它們的作用是什幺?

答：光刻部的主要機臺是: TRACK(涂膠顯影機), Sanner(掃描曝光機)為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)

答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機就是一臺最高級的照相機.光罩上的電路圖形就是”人物“.通過對準,對焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現(xiàn)出來了.光刻技術(shù)的英文是什幺

答：Photo Lithography

常聽說的.18 或點13 技術(shù)是指什幺?

答：它是指某個產(chǎn)品,它的最小”CD" 的大小為0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每個芯片上可做的芯片數(shù)量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).從點18工藝到點13 工藝到點零9.難度在哪里?

答：難度在光刻部, 因為圖形越來越小, 曝光機分辨率有限.曝光機的NA 是什幺?

答：NA是曝光機的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值.最大是1;先進的曝光機的NA 在0.5---0.85之間.曝光機分辨率是由哪些參數(shù)決定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數(shù)值孔徑;k1是標志工藝水準的參數(shù), 通常在0.4--0.7之間.如何提高曝光機的分辨率呢?

答：減短曝光的光波長, 選擇新的光源;把透鏡做大,提高NA.現(xiàn)在的生產(chǎn)線上, 曝光機的光源有幾種, 波長多少?

答：有三種: 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線, 我們也稱其為I-line;KrF 激光器, 產(chǎn)生248 nm 的光;ArF 激光器, 產(chǎn)生193 nm 的光;下一代曝光機光源是什幺? 答：F2 激光器.波長157nm

我們可否一直把波長縮短,以提高分辨率? 困難在哪里?

答：不可以.困難在透鏡材料.能透過157nm 的材料是CaF2, 其晶體很難生長.還未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？

答：因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光,所以采用黃光;就象洗像的暗房采用暗紅光照明.什幺是SEM

答：掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道CD SEM.用它來測量CD

如何做Overlay 測量呢?

答：芯片(Wafer)被送進Overlay 機臺中.先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK.這個MARK 是一個方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu).大方塊是前層, 小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.生產(chǎn)線上最貴的機器是什幺

答：曝光機;5-15 百萬美金/臺

曝光機貴在哪里?

答：曝光機貴在它的光學成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15 到20 個直徑在200 300MM 的透鏡組成.波面相位差只有最好象機的5%.它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺)

激光工作臺的定位精度有多高?

答：現(xiàn)用的曝光機的激光工作臺定位的重復精度小于10nm 曝光機是如何保證Overlay<50nm

答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度<50nm.它首先要有一個精準的激光工作臺, 它把wafer移動到準確的位置.再就是成像系統(tǒng),它帶來的圖像變形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一個Field?

答：光罩上圖形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一塊(這一塊就叫一個Field),激光工作臺把WAFER 移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片WAFER 上有約100左右Field.什幺叫一個Die?

答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片。一個Field可包含多個Die;

為什幺曝光機的綽號是“印鈔機”

答：曝光機 很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。

Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer：

答：機器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)來吸住WAFER.TRACK的ROBOT 設計獨特, 用邊緣HOLD WAFER.可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光

答：絕對禁止;強光對眼睛會有傷害

為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應用Foundation(底座)答：Scanner曝光對穩(wěn)定性有極高要求(減震)近代光刻技術(shù)分哪幾個階段?

答：從80’S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.35um 以上的圖層(LAYER)KrF scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.13um 以上的圖層(LAYER)ArF scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.08um 以上的圖層(LAYER)什幺是DUV SCANNER

答：DUV SCANNER 是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外線．即現(xiàn)用的248nm,193nm Scanner

Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：

答：Scanner 是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位置<10nm．相當于兩架時速1000公里／小時的波音747飛機前后飛行，相距小于10微米

光罩的結(jié)構(gòu)如何？

答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護鉻膜不受外界污染.在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙

答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產(chǎn)生大量微小塵埃（particle）．進cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.如何做CD 測量呢? 答：芯片(Wafer)被送進CD SEM 中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同;處理此信號可的圖像.對圖像進行測量得CD.什幺是DOF

答：DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會在透鏡的另一側(cè)的某個平面成像, 我們稱之為像平面(Image Plan), 只有將像平面與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形.當離開一段距離后, 圖像模糊.這一可清晰成像的距離叫DOF

曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？

答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應，被吃掉．去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當例子注入的模板．

光阻種類有多少？

答：光阻種類有很多．可根據(jù)它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻

光阻層的厚度大約為多少？

答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？

答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)．

哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時間點有關(guān)．

當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療