第一篇：電子元器件采購(gòu)學(xué)習(xí)心得

電子元器件采購(gòu)學(xué)習(xí)心得

怎么樣成為一名優(yōu)秀頂尖的電子元器件采購(gòu)？

1.勤奮。很多行業(yè)內(nèi)大公司的 Top Buyer 都是很勤奮的，每天不斷的拜訪打電話開發(fā)新的供應(yīng)商，不斷的詢價(jià)，不斷的學(xué)習(xí)！

有的采購(gòu)說(shuō)我的渠道足夠用了，不需要新的供應(yīng)商，供應(yīng)商是會(huì)變化的，就像最近安富利一樣，也許有一天你的供應(yīng)商類似安富利一樣，ADI 代理權(quán)被取消了，給不了你 ADI產(chǎn)品好價(jià)格！原廠，代理商 市場(chǎng)策略以及人員不斷的變化，變化中我們需要的是不斷的更新我們的信息，才可以在萬(wàn)變中不變！

2.良好的思維方式。成為行業(yè)TopBuyer 絕對(duì)不是那么簡(jiǎn)單，但是也沒(méi)有

那么復(fù)雜，需要借力，怎么樣借力呢？ 你公司的資源有限，你個(gè)人的資源有限，可以借助某些人，某些公司，某些圈子。說(shuō)到圈子，百威爾IC誠(chéng)信圈就是一個(gè)典型的圈子，借助里面圈子的資源，可以加強(qiáng)渠道資源信息等。

任何一個(gè)圈子可以建立和發(fā)展 總有一些東西是可以幫助到圈子里面的人，這個(gè)是毋庸置疑的。百威爾IC誠(chéng)信建立快三年了，我從事這個(gè)行業(yè)也是有快10年時(shí)間了，在代理商和貿(mào)易商也做過(guò)，所以十年來(lái)也積累了很多行業(yè)資源，原廠，代理商，貿(mào)易商等，發(fā)展建立這個(gè)圈子，幾乎傾

注了我十年來(lái)建立的資源和人脈以及行業(yè)思維。也就是說(shuō)如果你加入這個(gè)圈子，你用僅僅的會(huì)員費(fèi)用 就可以買到我十年來(lái)從事這個(gè)行業(yè)建立的一大部分資源和人脈，如果不是發(fā)展建立這個(gè)圈子，十年來(lái)積累的行業(yè)人脈資源和信息是不可能用一點(diǎn)會(huì)員費(fèi)用可以買到的。

所以說(shuō)一個(gè)好的采購(gòu)，思維模式很重要，有很好的思維模式就會(huì)借力，把自己強(qiáng)大起來(lái)！行業(yè)人士經(jīng)常說(shuō)到，我們需要擁抱電商，那么作為一名優(yōu)秀的采購(gòu)，我們可以說(shuō)是需要擁抱圈子！

3.良好的記憶。我遇到過(guò)行業(yè)大公司的采購(gòu)總監(jiān)，他基本可以記住行業(yè)里面超過(guò)1000家貿(mào)易商公司的老總做事風(fēng)格，全名，籍貫，大概年齡，公司主要經(jīng)營(yíng)品牌，公司大概的架構(gòu)人數(shù)，公司大概地址，成立時(shí)間等，所以做一名優(yōu)秀的采購(gòu) 每天要培養(yǎng)自己的記憶能力，記憶能力越好，你的信息越多。假設(shè)一下，如果一個(gè)頂尖采購(gòu) 可以掌握10000家供應(yīng)商的詳細(xì)信息在大腦 那是什么樣子的情況了？ 也許你會(huì)說(shuō)，他的大腦就是一個(gè)平臺(tái)了！

4.良好的溝通能力 談判能力。

5.細(xì)心。很多渠道其實(shí)就是在身邊，可是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)象就是找不到，但是因?yàn)槟愕募?xì)心，就在身邊被你發(fā)現(xiàn)了。

6.良好的心理素質(zhì)。電子元器件行業(yè)水很深，所以需要有良好的心理準(zhǔn)備和素質(zhì)，面對(duì)所有的變化和挑戰(zhàn)。

7.相信運(yùn)氣，相信偶然！電子元器件的產(chǎn)業(yè)太大了，很多時(shí)候 一個(gè)大客戶，大訂單的產(chǎn)生是有運(yùn)氣和偶然成分的，所以你要自信，要樂(lè)觀，相信你自己會(huì)很幸運(yùn)的，如果你足夠的努力，足夠的用心。

8.成為一名優(yōu)秀的銷售。好的銷售一定是一名好的采購(gòu)，但是好的采購(gòu)不一定是好的銷售，所以有機(jī)會(huì)采購(gòu)可以去做一段時(shí)間銷售崗位。

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第二篇：常用電子元器件簡(jiǎn)介

常用電子元器件簡(jiǎn)介

電阻器

△作用：電阻器在電路中主要起分壓，流限，分流，負(fù)載等作用，基本單位是歐姆(Ω),常用單位還有千歐(k), 兆歐(M)。

△類別：按照制造電阻所用的材料劃分,有金屬膜電阻,金屬膜氧化電阻,繞線電阻,精密合金電阻,玻璃釉電阻等。

△系列值：電阻是按系列值生產(chǎn)的,國(guó)際上通常采用E24系列。

△表示法：有文字和色環(huán)兩種表示方法，文字表示是將電阻的參數(shù)直接標(biāo)在電阻體上，色環(huán)標(biāo)稱是近幾年來(lái)因適應(yīng)電子自動(dòng)化裝配而廣泛采用的。

△功率：額定功率指允許在電阻器上長(zhǎng)期負(fù)載得最大功率,額定功率及符號(hào)如圖(小功率電阻一般不標(biāo)注)。在使用中選用電阻的額定功率應(yīng)大于其實(shí)際功率的1.5~2倍,以留有余量.△可變電阻：又稱電位器,用于可變衰減,分壓調(diào)節(jié)等場(chǎng)合.△敏感電阻：常有熱敏、壓敏、光敏、磁敏等,它是非線性元件,能將其他物理量轉(zhuǎn)化為電量,常用于自動(dòng)控制電路的檢測(cè)元件.電感器:

△電感器是一種儲(chǔ)存磁場(chǎng)能的元件,可用于濾波、振蕩、耦合、磁電轉(zhuǎn)換、阻抗匹配、高壓發(fā)生等場(chǎng)合?；締挝皇呛嗬鸋,常用單位有毫亨(mH)、微亨(μH)。

△電感器有自感、互感之分：自感包括高頻阻流圈、低頻阻流圈、例如日光燈鎮(zhèn)流器?；ジ邪娫醋儔浩鳌⒏鞣N信號(hào)傳輸變壓器等。

電容器:

△作用：電容器是儲(chǔ)存電場(chǎng)能的元件。在電路中起耦合、濾波、振蕩、隔直、旁路等作用。基本單位是法拉F,常用單位有微法μF、皮法pF。

△類別：按所用電介質(zhì)可分為三類：有機(jī)介質(zhì)電容器包括紙介電容、金屬化紙介電容、有機(jī)薄膜電容、滌綸電容。無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器包括瓷介電容、獨(dú)石電容、云母電容。電解電容器包括鋁電解、鉭電解、鈮電解電容器等。氣體介質(zhì)電容器如空氣電容器。

△系列值：電容器的系列值依所有材料而論。對(duì)于無(wú)機(jī)介質(zhì)及高頻有機(jī)薄膜電容器，其容量系列值同電阻一樣，采用E24系列。有機(jī)介質(zhì)低頻有機(jī)薄膜。

△表示法：有文字表示和三位數(shù)碼表示。文字表示是直接將參數(shù)標(biāo)在電容體上。

△耐壓：是指規(guī)定工作溫度范圍內(nèi)電容器兩端長(zhǎng)時(shí)間承受最大直流電壓,其數(shù)值有6.3V、10V、16V、25V、40V、63V、100V、160V、250V、300V、450V、630V、1000V。使用中,額定耐壓值應(yīng)大于實(shí)際承受電壓值的1.5~2倍。以防電容被擊穿。

△可變電容：指通過(guò)改變兩極間相對(duì)位置來(lái)改變?nèi)萘康碾娙?常用在接收機(jī)的調(diào)諧回路中選臺(tái)或振蕩回路中改變頻率,有單聯(lián)、雙聯(lián)兩種。

△微調(diào)電容：也稱半可變電容，有瓷介微調(diào)和拉線電容兩種。

晶體管：

☆二極管

△作用：二極管具有單向?qū)щ娦?，由一個(gè)PN組成。在電路中起檢波、開關(guān)、穩(wěn)壓、整流、隔離、鉗位等作用。

△類別：可分為普通、穩(wěn)壓、整流、變?nèi)?、開關(guān)、發(fā)光二極管等各種類別。

△參數(shù)：最大反向工作電壓：二極管所能承受的最大反向電壓。最大允許電流：在長(zhǎng)期正常工作條件下允許通過(guò)的最大正向電流值。

☆三極管:

△作用：三級(jí)管具有兩個(gè)PN 結(jié),能以小的ΔIb 引起大的ΔIc,因此具有放大作用,屬于電流控制器件，而場(chǎng)效應(yīng)管則是電壓控制器件。

△類別: 頻率分可分為高頻管、低頻管；按功率分有小、中、大功率管；按材料分分為硅管、鍺管等。場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)差異，可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。△參數(shù)：三級(jí)管的主要參數(shù)有電流放大倍數(shù)β，集電級(jí)最大允許電流IcM,最大功耗PcM,截止頻率fT , CE極的擊穿電壓BVceo等。

△場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)與三級(jí)管大致相同。

☆可控硅：

作用：用低電壓去控制大功率電路的一種無(wú)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體器件，常用在可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等控制器中。

△類別：有雙向、單向可控硅。

△參數(shù)：有最小開啟電壓、最小保持電流，最大允許通過(guò)電流。

集成電路:

△集成電路指在半導(dǎo)體制造工藝的基礎(chǔ)上,采用光刻等工藝,把整個(gè)電路中的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成特定的電子電路。英文縮寫成IC。

△按工藝分,有薄膜IC、厚膜IC、半導(dǎo)體IC、和混合IC。

△按功能分,有模擬IC、數(shù)字IC、接口IC和特殊IC。還可分為通用和專用,模擬IC如運(yùn)算放大器、模擬乘法器、集成穩(wěn)壓器、功率IC等。數(shù)字IC目前使用最多的是TTL型和COMS型,另外還有微處理器類如單片機(jī)(MCU),數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)等。接口IC又可分為外圍驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、顯示驅(qū)動(dòng)器、A/D和D/A轉(zhuǎn)換器。

△按用途分可分為專用IC。專用IC針對(duì)性很強(qiáng),又可分為集成化傳感器、專用通信IC、消費(fèi)類電路。

△按有源器件類型分：可分為雙極型，單極型,雙極-單極混合型。

△按規(guī)模分可分為：小規(guī)模集成電路(SSI)，集成度為1~12門/片。

中規(guī)模(MSI)：集成度13~99門/片。

大規(guī)模(LSI)：集成度100~1000門/片。

超大規(guī)模(VLSI):集成度大于1000門/片。

電聲器件:

常見(jiàn)的電聲器件有揚(yáng)聲器、拾音器、耳機(jī)、話筒、壓電陶瓷片(蜂鳴器)、錄音機(jī)用磁頭、放像機(jī)用磁鼓。電表用電磁或磁電式表頭。

光電器件:

△作用：光電器件的主要功能是完成光能與電能的轉(zhuǎn)換。通常包括光電耦合器、半導(dǎo)體光敏器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件、數(shù)碼和圖像顯示器件。

△光耦具有體積小、壽命長(zhǎng)、無(wú)觸點(diǎn)、抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).常用于隔離線路、開關(guān)電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換、邏輯電路、長(zhǎng)線傳輸、過(guò)流保護(hù)、高壓控制、電平匹配等。常見(jiàn)類型有晶體管型、高靈度達(dá)林頓晶體管型、光可控硅型。

△半導(dǎo)體光敏器件有光敏二極管、光敏三極管、硅光電池等。光敏二極管電流線性好、響應(yīng)速度快。光敏三極管把光敏二極管和普通三極管直接制在一起,自身具有放大作用。硅光電池能把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能。

△半導(dǎo)體發(fā)光器件主要有發(fā)光二極管(LED)、紅外發(fā)射接收二極管、電平指示發(fā)光二極管。光電激光LED的壽命長(zhǎng)、功耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、響應(yīng)速度快。通常有紅黃綠藍(lán)等顏色。光電激光器是一種新興器件,主要用在激光唱機(jī)(CD機(jī)),激光視盤機(jī)(VCD機(jī)),激光光盤存儲(chǔ)設(shè)備(如光盤驅(qū)動(dòng)器)等。

△數(shù)碼和圖像顯示器件有熒光數(shù)碼管,LEDT段式數(shù)碼管,LED點(diǎn)陣,LED顯示器等。熒光數(shù)碼管體積大、驅(qū)動(dòng)電壓高、現(xiàn)已基本淘汰。LEDT段式數(shù)碼管體積小、驅(qū)動(dòng)電壓低、廣泛應(yīng)用于數(shù)字化儀表、計(jì)算機(jī)終端做數(shù)字顯示。

LED 接點(diǎn)陣一般將發(fā)光二極管做成8x8點(diǎn)陣,用來(lái)顯示圖像。有單色、雙色、三色等。廣泛應(yīng)用于廣場(chǎng)、車站、體育場(chǎng)等大型顯示屏。

LCD顯示器是利用液晶的特殊物理性質(zhì)和光電效應(yīng)制成的。耗電低但本身不發(fā)光,屬于被動(dòng)顯示器件,需外光源照明。廣泛應(yīng)用于手機(jī)、傳呼機(jī)、筆記本電腦等便攜電子產(chǎn)品。開關(guān)件、插接件:

開關(guān)件在電路中用于換接電路.常用的有波段開關(guān)、鈕子開關(guān)、按鈕開關(guān)、微動(dòng)開關(guān)、按鍵開關(guān)、凸輪開關(guān)如繼電器等。插接件在電路中可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便連接，常用的有:Q9型插頭座、香蕉插頭座、針孔式插頭座、耳機(jī),電源用插頭座、接線板、面包板等。

電子管:

電子管為真空器件。是在抽成真空的玻璃體中裝入電極做成的，多見(jiàn)于早期電子設(shè)備中,現(xiàn)

已基本淘汰.但在一些音響發(fā)燒友的膽管功放中還能見(jiàn)到它。有二極管、三極管雙二極管、雙三極管、五極管、七極管等多種形式。

濾波器:

濾波器是指對(duì)頻率有一定選擇作用的二端網(wǎng)絡(luò)或四端網(wǎng)絡(luò)。常見(jiàn)的有陶瓷濾波器、晶體濾波器、聲表面濾波器等。

熔斷器:

熔斷器:又稱保險(xiǎn)器.主要有插入式熔斷器、保險(xiǎn)絲管、快速保險(xiǎn)器、自動(dòng)可恢復(fù)保險(xiǎn)絲等。

第三篇：電子元器件供應(yīng)與采購(gòu)習(xí)慣趨勢(shì)分析

我愛(ài)方案網(wǎng)（）

電子元器件供應(yīng)與采購(gòu)習(xí)慣趨勢(shì)分析劉杰博士：謝謝李先生，特別是臺(tái)灣方言講零組件，以后發(fā)展組件的概念將會(huì)更突出。我們今天下午最后一個(gè)發(fā)言是我跟大家分享一下，我們有關(guān)采購(gòu)行為的一個(gè)調(diào) 查。我在這里把我們主要的研究發(fā)現(xiàn)跟大家分享一下，因?yàn)檫^(guò)去在集成電路做過(guò)比較的分析，我們電子元件做的比較少，所以這次我們做了一下。

我們這個(gè)調(diào)查主要是去研究一下大家對(duì)供應(yīng)商的選擇是什么樣的標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)國(guó)內(nèi)的供應(yīng)商和國(guó)際的供應(yīng)商的情況做一些分析。一方面我們幫助電子元件需求一方，就是 設(shè)計(jì)工程師采購(gòu)工程師跟我們分享一下采購(gòu)的經(jīng)驗(yàn)，不單單是價(jià)錢。另外一方面我也非常想幫助電子元件的制造商在制定市場(chǎng)策略的時(shí)候有一些幫助。我想了解一下 這里有多少是來(lái)自于電子元件制造商的？來(lái)自分銷商的呢？來(lái)自整機(jī)廠的呢？

我們這是一個(gè)采購(gòu)需求的調(diào)查，我們希望能夠幫助設(shè)計(jì)工程師采購(gòu)工程師去改善采購(gòu)的效率。我們所有的元件問(wèn)卷來(lái)自于制造商比較多，然后研發(fā)工程師占一半，采 購(gòu)占四分之一，還有生產(chǎn)管理這樣一些環(huán)節(jié)。從大家從事的產(chǎn)品來(lái)看，有一半是3C的產(chǎn)品，然后有二分之一是高新技術(shù)產(chǎn)品，這些人對(duì)價(jià)錢不是特別敏感。我們做 高新產(chǎn)品的多一些。我們基本的問(wèn)題就是你在過(guò)去12個(gè)月里面跟哪些電子元件公司采購(gòu)產(chǎn)品。第一個(gè)在我們八個(gè)要素里面，供應(yīng)商的供貨能力和技術(shù)支持是得分比 較高的，供應(yīng)商的品牌知名度和產(chǎn)品組合滿意度給的分?jǐn)?shù)是最低的，在這五類公司里面做連接器的平均得分高，我們有一個(gè)完整的報(bào)告，等一下我這個(gè)講演結(jié)束以 后，我們會(huì)有一個(gè)領(lǐng)軍企業(yè)的頒獎(jiǎng)活動(dòng)，為了感謝大家我們有一個(gè)精密演講報(bào)告的研究結(jié)束會(huì)發(fā)給大家。

接下來(lái)我們看一組數(shù)據(jù)，一個(gè)我們問(wèn)說(shuō)，你們公司采購(gòu)決策，那么是哪一些人參與決策？我把結(jié)果說(shuō)一下?？偨?jīng)理和采購(gòu)員一起決策，總經(jīng)理和設(shè)計(jì)口決策，還有設(shè) 計(jì)口單獨(dú)決策，這兩組數(shù)據(jù)比較，通過(guò)設(shè)計(jì)口和總經(jīng)理決策的占四成，總經(jīng)理和采購(gòu)一起決策占到27%，而總經(jīng)理和設(shè)計(jì)工程師的決策是28%。第二個(gè)就是在選 擇合格供應(yīng)商的問(wèn)題說(shuō)，我們發(fā)現(xiàn)分銷商在里面的比例，如果一個(gè)產(chǎn)品有三分之二是通過(guò)分銷商買的，我們這次調(diào)查發(fā)現(xiàn)還是蠻符合國(guó)際的慣例。透過(guò)分銷商采購(gòu)，各位作為原廠在推廣過(guò)程中授權(quán)分銷商受的效果更大一些。有關(guān)問(wèn)到你喜歡跟國(guó)際公司買東西，還是喜歡跟本地公司買公司，大概60%的人說(shuō)要么跟國(guó)際的廠商買 或者跟本地公司買。進(jìn)口的比例也是有一個(gè)很有意思的，有60%的產(chǎn)品是透過(guò)進(jìn)口的產(chǎn)品。

我們最關(guān)心的一些服務(wù)，我們把八個(gè)要素合在一起，本地的供應(yīng)能力和和本土化程度是最高的，我們?cè)谠O(shè)計(jì)本土化程度這個(gè)概念上有一點(diǎn)模糊，再一個(gè)就是品牌知名 度這個(gè)事情，其實(shí)是以公司總體的，所以大家特別想知道的你到底有多少產(chǎn)品讓我買，是不是我所有的電路保護(hù)的方案都可以在這里買，這個(gè)跟品牌關(guān)聯(lián)的，所以比 較低。在我們電子元件里面誰(shuí)是第一位，我們確實(shí)要分析一下。因?yàn)槲覀円踩?wèn)過(guò)日系的兩個(gè)大公司，他們有什么不一樣，我自己以前做集成電路做了10多年，最近一年多在做電子元件。這是我們得分的情況，這是一個(gè)日本公司的得分情況，這是一個(gè)半導(dǎo)體公司的得分情況，臺(tái)灣的公司技術(shù)的組合，特別是產(chǎn)品的性價(jià)比。我 們經(jīng)常說(shuō)臺(tái)灣的產(chǎn)品質(zhì)量不錯(cuò)，性價(jià)比也高，這個(gè)我們也在進(jìn)一步的分析。更有趣的是本地的公司，我們經(jīng)常本地的公司說(shuō)我要做就做性價(jià)比高的，本地的性價(jià)比稍 微低一點(diǎn)，但是本地的公司品牌知名度反而比較高，我想這和政府的支持有關(guān)系。我們使用的一些要素可以跟大家分享一下。機(jī)電產(chǎn)品的性價(jià)比是很高的，技術(shù)支持也是，專業(yè)領(lǐng)域公司得分是最高的?；旧系内厔?shì)都是這樣的。對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量，技 術(shù)領(lǐng)先性等等，我們還有一些操作圖表在我們報(bào)告里面都有反映。這是產(chǎn)品組合，從實(shí)際來(lái)看有些本地公司在產(chǎn)品組合方面得分是比國(guó)際公司高。我們把五大類產(chǎn)品 的滿意總體得分加在一起，其中

電子元件技術(shù)網(wǎng)（）

機(jī)電產(chǎn)品是得分最高的，接下來(lái)是模塊電源和電池，我們?nèi)〉脭?shù)據(jù)全部是通過(guò)網(wǎng)上問(wèn)卷，沒(méi)有進(jìn)行電話采訪，全部是網(wǎng)上的調(diào)查。這 是機(jī)電產(chǎn)品的8個(gè)要素得分情況。這是海內(nèi)海外的分立半導(dǎo)體平均得分比較的，從品牌知名度來(lái)看國(guó)內(nèi)的公司是超過(guò)了海外的公司。

我們這里是把我們分析報(bào)告跟大家做的一些分享，在我們這個(gè)研究報(bào)告里面機(jī)電產(chǎn)品得分是平均比較高的。接下來(lái)我們?cè)谝惶?hào)館有頒獎(jiǎng)典禮，等一下你們可以把你們 公司的名字告訴我，我可以去數(shù)據(jù)庫(kù)里面幫你查看一下八個(gè)要素的平均得分情況。

謝謝大家！

杜堯生：歡迎參加這個(gè)基礎(chǔ)研討會(huì)，也感謝各位同仁，我們老朋友，新朋友來(lái)參加這個(gè)會(huì)議，我是來(lái)自 Littelfuse的杜堯生。

今天主要講的是電路保護(hù)，包括靜電，防雷技術(shù)的方案，以及Littelfuse新的產(chǎn)品在各種方案推廣使用中的情況。

說(shuō)到電路保護(hù)，Littelfuse是一家提出整個(gè)電路保護(hù)領(lǐng)域解決方案，以及生產(chǎn)元器件的公司。它主要做器件類的保護(hù)，方案里面器件怎么去使 用，器件怎么在電路中發(fā)揮它最大的作用，保護(hù)一個(gè)是過(guò)壓保護(hù)，一個(gè)是過(guò)流保護(hù)。過(guò)壓保護(hù)是電壓的變化，我們看到這個(gè)波形就是電壓的損變，靜電、雷擊表現(xiàn)都 超過(guò)我們的承受值，需要把這個(gè)電壓限定在我們可以接受的安全范圍之內(nèi)。通常前面是保護(hù)器件，保護(hù)器件就像設(shè)備閘一樣，把這個(gè)波形抑制到一個(gè)我們能夠接受的 范圍。最終的目的是把這個(gè)電壓降下來(lái)，降電壓有兩種方式，Littelfuse是科瑞迪瓦依斯，一個(gè)是科瑞迪德阿斯，把電壓降到一個(gè)安全范圍之內(nèi)，并且不 能跌落，只是把電壓鉗在某一個(gè)值，另外一個(gè)科瓦德，以電連的形式把電壓和能量泄放掉，前面是閘流式，像水閘一樣，根據(jù)不同的信號(hào)有不同的應(yīng)用。

本次電路保護(hù)與電磁兼容研討會(huì)的主辦方 中國(guó)電子展()、電子元件技術(shù)網(wǎng)()和我愛(ài)方案網(wǎng)()謝謝！而下面我們來(lái)說(shuō)說(shuō)電壓，說(shuō)到電壓就要講到波形，通常我們按照IEC標(biāo)準(zhǔn)來(lái)做，所有器件的特性研發(fā)設(shè)計(jì)也都是根據(jù)這些特定的波形，比如8*20的波 形，8*20設(shè)定一個(gè)上升時(shí)間，根據(jù)這個(gè)指定時(shí)間，我們可以設(shè)到11天，11天在通訊里用的是比較寬的波形，當(dāng)然這個(gè)波壓最終有電流的波形，也有電壓的波 形。

最大的能量我們希望在哪里呢？半周期的能量能夠最大可能的泄放，頂峰值能抑制，以電流、熱的形式把它泄放掉，這就是保護(hù)器件能夠起到的一個(gè)作 用。因?yàn)?2 微米感應(yīng)流波形的特色，82是感應(yīng)雷電的波形。還有11天可能在通訊里面出現(xiàn)的波形，這個(gè)波形針對(duì)不同的器件來(lái)滿足它不同的特性。我們按照

IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)際上我們可以觀察這個(gè)器件，它在很短的時(shí)間內(nèi)可以提升到一個(gè)比較大的值上，另外它有第二個(gè)波沖下來(lái)，從這個(gè)波形里面我們 看它的能量點(diǎn)，它第一個(gè)波形的電流值實(shí)際是30納米，一直到60納米。

通常八千伏、15千伏，這兩種放電模式是根據(jù)人體的模型定義出來(lái)的，人體的模型可能不是直接感應(yīng)，但是示波器可以牢牢抓住靜電的波形。它對(duì)靜電 的敏感，因?yàn)橐郧皩?duì)靜電整個(gè)器件在敏感等級(jí)上有一些不同的要求。比如我們最常用的八千伏，或者15千伏的要求，因?yàn)檫@種情況是經(jīng)常出現(xiàn)，比如你的手機(jī)裝在 口袋里面，特別到北方去，無(wú)時(shí)無(wú)刻不會(huì)受到靜電的影響，從口袋把手機(jī)掏出來(lái)“啪”的一聲手機(jī)就壞了。最后的靜電反映在客觀上，我們用量化來(lái)看靜電的波

形，這個(gè)波形也是國(guó)際電工委員會(huì)，經(jīng)過(guò)非常嚴(yán)格的討論以后來(lái)定義的，我們的器件，如何實(shí)現(xiàn)保護(hù)，最基本的一點(diǎn)就是滿足一些安全的標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)然也滿足電磁兼容的標(biāo) 準(zhǔn)，所有的器件根據(jù)這個(gè)波形的特性進(jìn)行進(jìn)一步的開發(fā)?

第四篇：電子元器件采購(gòu)網(wǎng)介紹

電子元器件采購(gòu)網(wǎng)介紹

電子元器件采購(gòu)網(wǎng)是馬可波羅網(wǎng)旗下的一個(gè)主打電子元器件的b2b網(wǎng)站，是以電子元器件行業(yè)為主的具備采購(gòu)，批發(fā)，供應(yīng)為一體的電子元器件行業(yè)領(lǐng)先的第三方電子商務(wù)B2B平臺(tái)。

電子元器件采購(gòu)網(wǎng)為電子元器件行業(yè)的b2b網(wǎng)站，它承載著為電子元器件企業(yè)和客戶創(chuàng)造一個(gè)高品質(zhì)的網(wǎng)上交易平臺(tái)而努力的使命和責(zé)任。經(jīng)過(guò)不懈努力，我們已成為電子元器件行業(yè)優(yōu)秀的電子商務(wù)平臺(tái)，中國(guó)電子元器件網(wǎng)為企業(yè)和用戶帶來(lái)了切切實(shí)實(shí)的效益，受到了廣大網(wǎng)友和企業(yè)用戶的一致好評(píng)。

電子元器件采購(gòu)網(wǎng)始終秉承“以客戶為中心”的經(jīng)營(yíng)理念，視推動(dòng)中國(guó)企業(yè)開展電子商務(wù)、實(shí)現(xiàn)信息化為己任，深入研究企業(yè)客戶的實(shí)際需要，開創(chuàng)性地建立了最適合中小企業(yè)需要的IT應(yīng)用服務(wù)運(yùn)營(yíng)模式，運(yùn)用先進(jìn)的信息技術(shù)搭建起一個(gè)適合企業(yè)業(yè)務(wù)和管理需要的應(yīng)用服務(wù)平臺(tái)，并透過(guò)龐大的全國(guó)性商務(wù)網(wǎng)絡(luò)，給中小企業(yè)帶來(lái)最優(yōu)質(zhì)的互聯(lián)網(wǎng)采購(gòu)平臺(tái)。

電子元器件采購(gòu)網(wǎng)對(duì)其行業(yè)分成了30個(gè)大分類，并對(duì)每個(gè)分類又細(xì)分出來(lái)上百個(gè)二級(jí)分類。電子元器件產(chǎn)品30個(gè)分類分別包括：集成電路、電容器、傳感器、二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、連接器、鬧胡器件、電聲器件、電感元器件、電阻器與電位器、變送器、顯示器件、片狀元器件、電子電路散熱元件、頻率元件、濕敏元件、溫敏元件、光敏元件、磁敏元件、壓敏元件、力敏元件、氣敏元件、逆變器、光電器件、電子與功能器材、電力半導(dǎo)體器材、電力集成器材、電子五金件、其他電子元器件等。

網(wǎng)站使命:電子元器件行業(yè)產(chǎn)品做到最全,為更多的企業(yè)提供更全面的服務(wù).

第五篇：電子元器件失效分析

電子元器件失效分析

1.失效分析的目的和意義

電子元件失效分折的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象.分辨其失效模式和失效機(jī)理.確定其最終的失效原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議。防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。失效分折是產(chǎn)品可靠性工程的一個(gè)重要組成部分，失效分析廣泛應(yīng)用于確定研制生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生問(wèn)題的原因，鑒別測(cè)試過(guò)程中與可靠性相關(guān)的失效，確認(rèn)使用過(guò)程中的現(xiàn)場(chǎng)失效機(jī)理。

在電子元器件的研制階段。失效分折可糾正設(shè)計(jì)和研制中的錯(cuò)誤，縮短研制周期；在電子器件的生產(chǎn)，測(cè)試和試用階段，失效分析可找出電子元器件的失效原因和引起電子元件失效的責(zé)任方。根據(jù)失效分析結(jié)果。元器件生產(chǎn)廠改進(jìn)器件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝。元器件使用方改進(jìn)電路板設(shè)汁。改進(jìn)元器件和整機(jī)的測(cè)試，試驗(yàn)條件及程序，甚至以此更換不合格的元器件供貨商。因而，失效分析對(duì)加快電子元器件的研制速度.提高器件和整機(jī)的成品率和可靠性有重要意義。

失效分折對(duì)元器件的生產(chǎn)和使用都有重要的意義.如圖所列。

元器件的失效可能發(fā)生在其生命周期的各個(gè)階段.發(fā)生在產(chǎn)品研制階段，生產(chǎn)階段到使用階段的各個(gè)環(huán)節(jié)，通過(guò)分析工藝廢次品，早期失效，實(shí)驗(yàn)失效及現(xiàn)場(chǎng)失效的失效產(chǎn)品明確失效模式、分折失效機(jī)理，最終找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的選擇、整機(jī)計(jì)劃等方面，元器件生產(chǎn)方在產(chǎn)品的可靠性方案設(shè)計(jì)過(guò)程，都必須參考失效分折的結(jié)果。通過(guò)失效分折，可鑒別失效模式，弄清失效機(jī)理，提出改進(jìn)措施，并反饋到使用、生產(chǎn)中，將提高元器件和設(shè)備的可靠性。

2.失效分析的基本內(nèi)容

對(duì)電子元器件失效機(jī)理，原因的診斷過(guò)程叫失效分析。進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。失效分析的任務(wù)是確定失效模式和失效機(jī)理.提出糾正措 施，防止這種失效模式和失效機(jī)理的重復(fù)出現(xiàn)。因此，失效分析的主要內(nèi)容包括：明確分析對(duì)象。確定失效模式，判斷失效原因，研究失效機(jī)理，提出預(yù)防措施（包括設(shè)計(jì)改進(jìn))。

2.1 明確分析對(duì)象

失效分析首先是要明確分析對(duì)象及失效發(fā)生的背景。失效分析人員應(yīng)該了解失效發(fā)生時(shí)的狀況.確定在設(shè)計(jì)，生產(chǎn)，檢測(cè)，儲(chǔ)存，傳送或使用哪個(gè)階段發(fā)生的失效，如有可能，要知道失效發(fā)生時(shí)的現(xiàn)象以及失效發(fā)生前后的操作過(guò)程。在條件許可的情況下.盡可能的復(fù)現(xiàn)失效。

2.2 確定失效模式

失效的表面現(xiàn)象或失效的表現(xiàn)形式就是失效模式。失效模式的確定通賞采用兩種方法，即電學(xué)測(cè)試和顯微鏡現(xiàn)察。根據(jù)測(cè)試、觀察到的現(xiàn)象與效應(yīng)進(jìn)行初步分析，確定出現(xiàn)這些現(xiàn)象的可能原因，或者與失效樣品的哪一部分有關(guān)；同時(shí)通過(guò)立體顯微鏡檢查，觀察失效樣品的外觀標(biāo)志是否完整，是否存在機(jī)械損傷，是否有腐蝕痕跡等；通過(guò)電特性試，判斷其電參數(shù)是否與原始數(shù)據(jù)相符.分析失效現(xiàn)象可能與失效樣品中的哪一部分有關(guān)；利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡等設(shè)備觀察失效部位的形狀，大小，位置，顏色，機(jī)械和物理結(jié)構(gòu)，物理特性等，準(zhǔn)確的描述失效特征模式。

失效模式可以定位到電（如直流特性、漏電）或物理（如裂紋、侵蝕）失效特征，根據(jù)失效發(fā)生時(shí)的條件（如老化、靜電放電、環(huán)境），結(jié)合先驗(yàn)知識(shí)，區(qū)分失效位置.減少診斷失效機(jī)理要求的工作量。

2.3 判斷失效原因

根據(jù)失效模式，失效元器件的材料性質(zhì)、制造工藝?yán)碚摵徒?jīng)驗(yàn)，結(jié)合觀察到的相應(yīng)失效部位的形狀、大小、位置、顏色以及化學(xué)組成、物理結(jié)構(gòu)、物理特性等因素，參照失效發(fā)生的階段、失效發(fā)生時(shí)的應(yīng)力條件和環(huán)境條件，提出可能的導(dǎo)致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如設(shè)計(jì)缺陷，材料質(zhì)量問(wèn)題，制造過(guò)程問(wèn)題、運(yùn)輸或儲(chǔ)藏條件不當(dāng)，在操作時(shí)的過(guò)載等，而大多數(shù)的失效包括一系列串行發(fā)生的事件。對(duì)一個(gè)復(fù)雜的失效，需要根據(jù)失效元器件和失效模式列出所有可能導(dǎo)致失效的原因，確定正確的分析次序，并且指出哪里需要附加的數(shù)據(jù)來(lái)支撐某個(gè)潛在性因素。失效分析時(shí)根據(jù)不同的可能性，逐個(gè)分折，最終發(fā)現(xiàn)問(wèn)題的根源。

2.4 研究失效機(jī)理

對(duì)于失效機(jī)理的研究是非常重要的，需要更多的技術(shù)支撐。

在確定失效機(jī)理時(shí)，需要選用有關(guān)的分析、試驗(yàn)和觀測(cè)設(shè)備對(duì)失效樣品進(jìn)行仔細(xì)分析，驗(yàn)證失效原因的判斷是否屬實(shí)，并且能把整個(gè)失效的順序與原始的癥狀對(duì)照起來(lái)，有時(shí)需要用合格的同種元器件進(jìn)行類似的破壞實(shí)驗(yàn)，觀察是否產(chǎn)生相似的失效現(xiàn)象。通過(guò)反復(fù)驗(yàn)證，確定真實(shí)的失效原因，以電子元器件失效機(jī)理的相關(guān)理論為指導(dǎo)。對(duì)失效模式、失效原因進(jìn)行理論推理，并結(jié)合材枓性質(zhì)、有關(guān)設(shè) 計(jì)和工藝?yán)碚摷敖?jīng)驗(yàn)，提出在可能的失效條件下導(dǎo)致該失效模式產(chǎn)生的內(nèi)在原因或具體物理化學(xué)過(guò)程。如存可能, 更應(yīng)以分子、原了學(xué)觀點(diǎn)加以闡明或解釋。

2.5提出預(yù)防措施及設(shè)計(jì)改進(jìn)方法

根據(jù)分析判斷。提出消除產(chǎn)生失效的辦法和建議，及時(shí)地反饋到設(shè)計(jì)、工藝、使用單位等各個(gè)方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出現(xiàn)。失效分析要求

隨著科技水平的發(fā)展和工藝的進(jìn)歩.電子產(chǎn)品越來(lái)越微型化、復(fù)雜化和系統(tǒng)化，而其功能卻越來(lái)越強(qiáng)大，集成度越來(lái)越高，體積越來(lái)越小。隨著科技的發(fā)展各種新材料、新器件也不斷出現(xiàn)，對(duì)失效分析的要求也越來(lái)越高；用于失效分析的新技術(shù)，新方法和新設(shè)備也越來(lái)越多。但在實(shí)際的失效分析過(guò)程中，遇到的樣品多種多樣，失效情況也各不相同。因此，根據(jù)失效分析的目的與實(shí)際，選擇合適的分析技術(shù)與方法，從大到小，從外到內(nèi)，從非破壞到破壞，從定性到定量，使失效分析迅速、準(zhǔn)確、可靠。

電子元器件失效分析的就是要做到模式準(zhǔn)確、原因明確、機(jī)理清楚、措施得力、模擬再現(xiàn)、舉一反三。

3.1 模式準(zhǔn)確

如前所述，失效模式是指失效的外在直觀失效表現(xiàn)形式和過(guò)程規(guī)律，通常指測(cè)試或觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式。如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。模式準(zhǔn)確，就是要將失效的性質(zhì)和類型判斷準(zhǔn)確。

失效模式的判斷應(yīng)首先從失效環(huán)境的分析入手，細(xì)心收集失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)。失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)反映了失效的外部環(huán)境，對(duì)確定失效的責(zé)任方有重要意義。有些看來(lái)與現(xiàn)場(chǎng)無(wú)直接關(guān)系的東西可能是決定性的。例如,失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)表明，工作人操作無(wú)誤，供電系統(tǒng)正常，而整機(jī)上的器件出現(xiàn)了早期失效，說(shuō)明元器件生產(chǎn)廠應(yīng)對(duì)元器件失效負(fù)責(zé)，應(yīng)負(fù)責(zé)整改，排除工藝缺陷，提高產(chǎn)品可靠性。

收集失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)主要包括：失效壞境、失效應(yīng)力、失效發(fā)生期、失效現(xiàn)象及過(guò)程和失效樣品在失效前后的電測(cè)量結(jié)果。

失效環(huán)境包括：溫度、濕度、電源環(huán)境，元器件在電路圖上的位置、作用，工作條件和偏置狀況。失效應(yīng)力包括：電應(yīng)力、溫度應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、氣候應(yīng)力和輻射應(yīng)力。如樣品經(jīng)可靠性試驗(yàn)而失效，需了解樣品經(jīng)受實(shí)驗(yàn)的應(yīng)力種類和時(shí)間

失效發(fā)生期包括：失效樣品的經(jīng)歷、失效時(shí)間、失效發(fā)生的階段，如研制、生產(chǎn)、測(cè)試、試驗(yàn)、儲(chǔ)存、使用等。

3.2

原因明確

失效原因的判斷通常是整個(gè)失效分析的核心和關(guān)鍵，對(duì)于確'定失效機(jī)理，提出預(yù)防措施具有總要的意義。

失效原因通常是指造成電子元器件失效的直接關(guān)鍵性因素，其判斷建立在失效模式判斷的基礎(chǔ)上。通過(guò)失效原因的分析判斷，確定造成失效的直接關(guān)鍵因素處于設(shè)汁、材料、制造工藝、使用及環(huán)境的哪―環(huán)節(jié)。

失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)為確定電子元器件的失效原因提供了重要線索。失效可分為早期失效、隨機(jī)尖效和磨損失效。而早期失效主要由工藝缺陷、原材料缺陷、篩選不充分引起。隨機(jī)失效主要由整機(jī)開關(guān)時(shí)的浪涌電流、靜電放電、過(guò)電損傷引起。磨損失效主要由電子元器件自然老化引起。根據(jù)失效發(fā)生期，可估計(jì)失效原因，加快失效分析的進(jìn)度。此外，根據(jù)元器件失效前或失效時(shí)所受的應(yīng)力種類和強(qiáng)度，也可大致推測(cè)失效的原因，加快失效分析的進(jìn)程。如表：

然而失效原因的確定是相當(dāng)復(fù)雜的,其復(fù)雜性表現(xiàn)為失效原因具有的一些特點(diǎn)。如原因的必要性、多樣性、相關(guān)性、可變性和偶然性，需要綜合多方面情況及元器件特點(diǎn)進(jìn)行。

3.3 機(jī)理清楚

失效機(jī)理是指失效的物理、化學(xué)變化過(guò)程。微觀過(guò)程可以追溯到原子、分子尺度和結(jié)構(gòu)的變化，但與此相對(duì)的是它遲早也要表現(xiàn)出一系列宏現(xiàn)（外在的）性能，性質(zhì)變化，如疲勞、腐蝕和過(guò)應(yīng)力等。失效機(jī)理是對(duì)失效的內(nèi)在本質(zhì)、必然性和規(guī)律性的研究，是人們對(duì)失效內(nèi)在本質(zhì)認(rèn)識(shí)的理論提高和升華。

失效原因通?？梢苑譃閮?nèi)因和外因兩種.失效機(jī)理就是失效的內(nèi)因。它是導(dǎo)致電子元器件發(fā)生失效的物理、化字或機(jī)械損傷過(guò)程。失效機(jī)理研是失效的深層次內(nèi)因或內(nèi)在本質(zhì).即釀成失效的必然性和規(guī)律性的研究。要清楚地判斷元器件失效機(jī)理就必須對(duì)其失效機(jī)理有所了解和掌握。如在集成電路中金屬化互連系統(tǒng)可能存在著電遷移和應(yīng)力遷移失效，這兩種失效的物理機(jī)制是不同的，產(chǎn)生的應(yīng)力條件也是不同的。對(duì)于失效機(jī)理的研究和判斷需要可靠性物理方面的專業(yè)知識(shí)。

3.4 措施得力，模擬再現(xiàn)，舉一反三

措施得力，模擬再現(xiàn)，舉一反三是建立在前面對(duì)失效模式、失效原因和失效機(jī)理深入分折和準(zhǔn)確把握的基礎(chǔ)上。當(dāng)然制定預(yù)防措施也應(yīng)考慮長(zhǎng)遠(yuǎn)的手段和產(chǎn)品使用問(wèn)題。以及工程上的可行性、經(jīng)濟(jì)性等方面。模擬再現(xiàn)則要分折模擬的可能性和必要性，同時(shí)，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，計(jì)算機(jī)模擬仿真也成為模擬再現(xiàn)的一個(gè)重要手段。

失效分析是一個(gè)復(fù)雜的、綜合性的過(guò)程.它不僅僅只是失效分析工程師的工作.而且需要設(shè)計(jì)工程師、制造工程師、使用工程師的密切配合。只有在各個(gè)方面的團(tuán)結(jié)協(xié)作下，才能找到產(chǎn)品失效的真實(shí)原因，準(zhǔn)確判斷其失效機(jī)理，揭示引起產(chǎn)品失效的過(guò)程，起到改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)，提高產(chǎn)品固有可靠性和使用可靠性目的。

另外，為了得到一個(gè)成功的失效分析結(jié)果，避免犯一些常見(jiàn)的錯(cuò)誤，所有可能涉及失效現(xiàn)象處理的人，都應(yīng)該具備—些處理故障現(xiàn)象的基本知識(shí)。

1.保護(hù)實(shí)物證據(jù) 2.避免過(guò)多的加電測(cè)試

3.保證失效元器件在到達(dá)失效分析工程師之前不再受到損傷 4.制定失效分析方案 5.確定失效現(xiàn)象 6.失效分析的基本

失效分析應(yīng)遵循先光學(xué)后電學(xué)、先面后點(diǎn)、先靜態(tài)后動(dòng)態(tài)、先非破壞后破壞、先一般后特殊、先公用后專用、先簡(jiǎn)單后復(fù)雜、先主要后次要的基本原則，反復(fù)測(cè)試、認(rèn)真比較。同時(shí)結(jié)合電子元器件結(jié)構(gòu)、工藝特點(diǎn)進(jìn)行分析，避免產(chǎn)生錯(cuò)判、誤判。主要失效模式及其分布

電子元器件的種類很多，相應(yīng)的失效模式和失效機(jī)理也很多?？傮w來(lái)說(shuō)，電子元器件的失效主要是在產(chǎn)品的制造，試驗(yàn)，運(yùn)輸，儲(chǔ)存和使用等過(guò)程中發(fā)生的。與原材料、設(shè)計(jì)、制造、使用密切相關(guān)。下圖給出了一些電子元器件現(xiàn)場(chǎng)使用失效模式及其分布的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果：

5.失效的主要機(jī)理及其定義

失效機(jī)理是指引起電子元器件失效的實(shí)質(zhì)原因，即引起電子元器件失效的物理或化學(xué)過(guò)程.通常是指由于設(shè)計(jì)上的弱點(diǎn)（容易變化和劣化的材料的組合）或制造工藝中形成的潛在缺陷，在某種應(yīng)力作用下發(fā)生的失效及其機(jī)理。

為了通過(guò)物理、化學(xué)的方法分析失效發(fā)生的現(xiàn)象，理解和解釋失效機(jī)理，需要提供模型或分析問(wèn)題的思維方法，這就是失效物理模型。元器件的失效物理模型大致分為反應(yīng)論模型、應(yīng)力強(qiáng)度模型、界限模型、耐久模型、積累損傷（疲勞損傷）模型等.如下表所列。對(duì)于半導(dǎo)體元器件來(lái)說(shuō).失效機(jī)理通常有兩種失效物理模型：反應(yīng)論模型和應(yīng)力強(qiáng)度模型。

失效機(jī)理是電子元器件失效的物理或化學(xué)本質(zhì)，從研究原始缺陷或退化進(jìn)入失效點(diǎn)的物理過(guò)程。進(jìn)一步確定導(dǎo)致失效的表面缺陷、體缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷。確定電學(xué)、金屬學(xué)、化學(xué)及電磁學(xué)方面的機(jī)理。電子元器件種類繁多，導(dǎo)致失效的機(jī)理也很多，不同失效機(jī)理對(duì)應(yīng)的失效摸式不一樣。甚至相問(wèn)的失效機(jī)在不同電子元器件導(dǎo)致的失效模式都不一樣，因此需要在失效分析時(shí)認(rèn)真對(duì)待,嚴(yán)格區(qū)分。

5.1 機(jī)械損傷

機(jī)械損傷在電子元器件制備電極及電機(jī)系統(tǒng)工藝中經(jīng)常出現(xiàn)，如果在元器件的成品中，存在金屬膜的劃傷缺陷而末被剔除，則劃傷缺陷將是元器件失效的因素，必將影響元器件的長(zhǎng)期可靠性。.2結(jié)穿刺（結(jié)尖峰）

結(jié)穿刺即指PN結(jié)界面處為一導(dǎo)電物所穿透。在硅上制作歐姆接觸時(shí)，鋁-硅接觸系統(tǒng)為形成良好的歐姆接觸必須進(jìn)行熱處理，這時(shí)鋁與硅相連接是通過(guò)450-550攝氏度熱處理后在分立的點(diǎn)上合金化形 成的。在該合金化溫度范圍內(nèi)，硅在鋁的固溶度很大，但鋁在硅中的固溶度要低很多，固溶度之差導(dǎo)致界面上的硅原子凈溶解在鋁中，同時(shí)界面上的鋁也擴(kuò)散到硅中填充硅中的空位。這就是在鋁膜加工過(guò)程中，發(fā)生由于硅的局部溶解而產(chǎn)生的鋁“穿刺”透入硅襯底問(wèn)題的問(wèn)題。結(jié)穿刺經(jīng)常導(dǎo)致PN結(jié)短路失效。

5.3 鋁金屬化再結(jié)構(gòu)

由于鋁與二氧化硅或硅的熱膨脹系數(shù)不匹配，鋁膜的熱膨脹系數(shù)比二氧化硅或者硅大，黨元器件在間歇工作過(guò)程中，溫度變化或者高低溫循環(huán)試驗(yàn)時(shí)，鋁膜要受到張應(yīng)力和壓應(yīng)力的影響，會(huì)導(dǎo)致鋁金屬化層的再結(jié)構(gòu)。鋁金屬化層再結(jié)構(gòu)經(jīng)常表現(xiàn)為鋁金屬化層表面粗糙甚至表面發(fā)黑，顯微鏡下可見(jiàn)到表面小丘、晶須或皺紋等。

5.4 金屬化電遷移

當(dāng)元器件工作時(shí)，金屬互連線的鋁條內(nèi)有一定強(qiáng)度的電流流過(guò)，在電流作用下，金屬離子沿導(dǎo)體移動(dòng)，產(chǎn)生質(zhì)量的傳輸，導(dǎo)致導(dǎo)體內(nèi)某些部位產(chǎn)生空洞或晶須（小丘）這就是電遷移現(xiàn)象。在一定溫度下，金屬薄膜中存在一定的空位濃度，金屬離子熱振動(dòng)下激發(fā)到相鄰的空位，形成自擴(kuò)散。在外電場(chǎng)作用下.金屬離子受到兩種力的作用，一種是電場(chǎng)使金屬離子由正極向負(fù)扱移動(dòng)，一種是導(dǎo)電電子和金屬離子間互相碰撞發(fā)生動(dòng)量交換而使金屬離子受到與電子流方向一致的作用力，金屬離子由負(fù)極向正極移動(dòng)，這種作用力俗稱“電子風(fēng)”。對(duì)鋁、金等金屬膜，電場(chǎng)力很小，金屬離子主要受電子風(fēng)的影響，結(jié)果使金屬離子與電子流一樣朝正極移動(dòng)，在正極端形成金屬離子的堆積，形成晶須，而在負(fù)極端產(chǎn)生空洞，使金屬條斷開。

產(chǎn)生電遷移失效的內(nèi)因是薄膜導(dǎo)體內(nèi)結(jié)構(gòu)的非均勻性，外因是電流密度。

5.5 表面離子沾污

在電子元器件的制造和使用過(guò)程中，因芯片表面沾污了濕氣和導(dǎo)電物質(zhì)或由于輻射電離、靜電電荷積累等因素的影響，將會(huì)在二氧化硅氧化層表面產(chǎn)生正離子和負(fù)離子，這些離子在偏壓作用下能沿表面移動(dòng)。正離子聚積在負(fù)電極周圍，負(fù)離子聚積在正電極周圍，沾污嚴(yán)重時(shí)足以使硅表面勢(shì)壘發(fā)生相'當(dāng)程度的改變。這些外表面可動(dòng)電荷的積累降低了表面電導(dǎo)，引起表面漏電和擊穿蠕變等；表面離子沾污還會(huì)造成金屬的腐濁，使電子元器件的電極和封裝系統(tǒng)生銹、斷裂。

5.6 金屬的腐蝕

當(dāng)金屬與周圍的介質(zhì)接觸時(shí)，由于發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用而引起金屬的破壞叫做金屬的腐蝕。在電子元器件中，外引線及封裝殼內(nèi)的金屬因化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用引起電性能惡化直至失效，也是主要的失效機(jī)理。

根據(jù)金屬腐蝕過(guò)程的不同特點(diǎn)，可分為化學(xué)腐蝕和電化學(xué)腐蝕。金屬在干燥氣體或無(wú)導(dǎo)電性的非水溶液中，單純由化學(xué)作用而引起的腐蝕就叫做化學(xué)腐蝕，溫度對(duì)化學(xué)腐蝕的影響很大。當(dāng)金屬與電解質(zhì)溶液接觸時(shí)，由電化學(xué)作用而引起的腐蝕叫做電化學(xué)腐蝕，其特點(diǎn)是形成腐蝕電池，電化學(xué)腐蝕過(guò)程的本質(zhì)是腐蝕電池放電的過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中，金屬通常作為陽(yáng)極，被氧化而腐蝕，形成金屬氧化物，而陰極反應(yīng)則跟據(jù)腐蝕類型而異，可發(fā)生氫離子或氧氣的還原，析出氫氣或吸附氧氣。

5.7 金鋁化合物失效

金和鋁兩種金屬，在長(zhǎng)期儲(chǔ)存和使用后，因它們的化學(xué)勢(shì)不同，它們之間能產(chǎn)生金屬間化合物，如生成AuAl2，AuAl，Au2Al等金屬間化合物。這幾種金屬間化合物的晶格常數(shù)、膨脹系數(shù)、形成過(guò)程中體積的變化、顏色和物理性質(zhì)是不同的，且電導(dǎo)率較低。AuAl3淺金黃色，AuAl2呈紫色，俗稱紫斑，Au2Al呈白色.稱白斑，是一種脆性的金屬間化合物，導(dǎo)電率低，所以在鍵合點(diǎn)處生成了Au-Al間化合物之后，嚴(yán)重影響相惡化鍵合界面狀態(tài)，使鍵合強(qiáng)度降低，變脆開裂，接觸電阻增大等，因而使元器件出現(xiàn)時(shí)好時(shí)壞不穩(wěn)定現(xiàn)象，最后表現(xiàn)為性能退化或引線從鍵合界面處脫落導(dǎo)致開路。

5.8 柯肯德?tīng)栃?yīng)

在Au-Al鍵合系統(tǒng)中，若采用金絲熱壓焊工藝，由于在高溫（300攝氏度以上）下，金向鋁中迅速擴(kuò)散。金的擴(kuò)散速度大于鋁的擴(kuò)散速度，結(jié)果出現(xiàn)了在金層—側(cè)留下部分原子空隙，這些原子空隙自發(fā)聚積，在金屬間化合物與金屬交界面上形成了空洞，這就是可肯德?tīng)栃?yīng)，簡(jiǎn)稱柯氏效應(yīng)。當(dāng)可肯德?tīng)柨斩丛龃蟮揭欢ǔ潭群?，將使鍵合界面強(qiáng)度急劇下降，接觸電阻增大，最終導(dǎo)致開路?？率峡斩葱纬蓷l件首先是Au-Al系統(tǒng)，其次是溫度和時(shí)間。

5.9 銀遷移

在電子元器件的貯存及使用中，由于存在濕氣、水分，導(dǎo)致其中相對(duì)活潑的金屬銀離子發(fā)生遷移，導(dǎo)致電子設(shè)備中出現(xiàn)短路，耐壓劣化及絕緣性能變壞等失效。銀遷移基本上市一種電化學(xué)現(xiàn)象，當(dāng)具備水分和電壓的條件時(shí)，必定會(huì)發(fā)生銀遷移現(xiàn)象?？諝庵械乃指皆陔姌O的表面，如果加上電壓，銀就會(huì)在陽(yáng)極處氧化成為帶有正電荷的銀離子，這些離子在電場(chǎng)作用下向陰極移動(dòng)。在銀離子穿過(guò)介質(zhì)的途中，銀離子被存在的濕氣和離子沾污加速，通常在離子和水中的氫氧離子間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氫氧化銀，在導(dǎo)體之間出現(xiàn)乳白色的污跡，最后在陰極銀離子還原析出，形成指向陽(yáng)極的細(xì)絲。

5.10 過(guò)電應(yīng)力

電子元器件都在其參數(shù)指標(biāo)中設(shè)定了使用時(shí)所能承受的最大應(yīng)力，包括最高工作環(huán)境溫度或殼溫，最大額定功率，最大工作電壓、電流，峰值電壓，最大輸入、輸出電流、電壓等。如果在使用時(shí)所加的電應(yīng)力超過(guò)了元器件規(guī)定的最大應(yīng)力.即使是瞬間超過(guò)，也將造成電子元器件的損傷，這種電應(yīng)力就稱為過(guò)電應(yīng)力，其造成的損傷主要表現(xiàn)為元器件性能嚴(yán)重劣化或失去功能。過(guò)電應(yīng)力通常分為過(guò)壓應(yīng)力和 過(guò)流應(yīng)力。在過(guò)電應(yīng)力作用下，電子元器件局部形成熱點(diǎn)，當(dāng)局部熱點(diǎn)溫度達(dá)到材料熔點(diǎn)時(shí)使材料熔化，形成開路或短路，導(dǎo)致元器件燒毀。

5.11 二次擊穿

二次擊穿是指當(dāng)元器件被偏置在某一特殊工作點(diǎn)時(shí)（對(duì)于雙極型晶體管，是指V平面上的一點(diǎn)），電壓突然跌落，電流突然上升的物理現(xiàn)象，這時(shí)若無(wú)限流裝置及其它保護(hù)措施，元器件將被燒毀。凡是有雜質(zhì)濃度突變的元器件（如PN結(jié)等）都具有二次擊穿的現(xiàn)象，二次擊穿是一種體內(nèi)現(xiàn)象，對(duì)于雙極型器件，主要有熱不穩(wěn)定理論（熱模式）和雪崩注入理論（電流模式）兩種導(dǎo)致二次擊穿的機(jī)理。對(duì)于MOS元器件，誘發(fā)二次擊穿的機(jī)理是寄生的雙極晶體管作用。

5.12 閂鎖效應(yīng)

閂鎖效應(yīng)是CMOS電路中存在的一種特殊的失效機(jī)理。所謂閂鎖（latch-up）是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結(jié)構(gòu)被觸發(fā)導(dǎo)通，在電源和地之間形成低阻大電流通路的現(xiàn)象CMOS電路的基本邏輯單元是由一個(gè)P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管以互補(bǔ)形式連接構(gòu)成，為了實(shí)現(xiàn)N溝道MOS管與P溝道MOS管的隔離,必須在N型襯底內(nèi)加進(jìn)一個(gè)P型區(qū)（P阱）或在P型襯底內(nèi)加進(jìn)一個(gè)N型區(qū)（N阱），這樣構(gòu)成了CMOS電路內(nèi)與晶閘管類似的PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成了兩個(gè)寄生的NPN和PNP雙極晶體管。在CMOS電路正常工作狀態(tài)時(shí)，寄生晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。對(duì)CMOS電路的工作沒(méi)有影響，如CMOS電路的輸入端、輸出瑞、電源端或者地端受到外來(lái)的浪涌電壓或電流，就有可能使兩只寄生晶體管都正向?qū)?，使得電源和地之間出現(xiàn)強(qiáng)電流。這種強(qiáng)電流一開始流動(dòng)，即使除去外來(lái)觸發(fā)信號(hào)也不會(huì)中斷，只有關(guān)斷電源或?qū)㈦娫措妷航档侥硞€(gè)值以下才能解除，這種現(xiàn)象就是CMOS電路的閂鎖效應(yīng)。

5.13 靜電損傷

處于不同靜電電位的兩個(gè)物體間發(fā)生的靜電電荷轉(zhuǎn)移就形成了靜電放電，這種靜電放電將給電子元器件帶來(lái)?yè)p傷，引起產(chǎn)品失效。電子元器件由靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式，突發(fā)性失效是指元器件受到靜電放電損傷后，突然完全喪失其規(guī)定的功能，主要表現(xiàn)為開路、短路或參數(shù)嚴(yán)重漂移；潛在性失效是指靜電放電電能量較低，僅在元器件內(nèi)部造成輕微損傷，放電后元器件的電參數(shù)仍然合格或略有變化，但元器件的抗過(guò)電應(yīng)力能力已明顯削弱，或者使用壽命已明顯縮短，再受到工作應(yīng)力或經(jīng)過(guò)一段時(shí)間工作后將進(jìn)一步退化，直至造成徹底失效。

靜電放電失效機(jī)理可分為過(guò)電壓場(chǎng)致失效和過(guò)電流熱致失效。過(guò)電壓場(chǎng)致失效是指高阻抗的靜電放電回路中，絕緣介質(zhì)兩端的電極因接受了高靜電放電電荷而呈現(xiàn)高電壓，有可能使電極之間的電場(chǎng)超過(guò)其介質(zhì)臨界擊穿電場(chǎng)，使電極之間的介質(zhì)發(fā)生擊穿失效，過(guò)電壓場(chǎng)致失效多發(fā)生于MOS元器件，包括含有MOS電容的雙極型電路和混合電路；過(guò)電流熱致失效是由于較低阻抗的放電回路中，由于靜電放電電流過(guò)大使局部區(qū)域溫升超過(guò)材料的熔點(diǎn)，導(dǎo)致材料發(fā)生局部熔融使元器件失效，過(guò)電流熱致失效多發(fā)生于雙極元器件，包括輸人用PN結(jié)二極管保護(hù)的MOS電路、肖特基二極管以及含有雙極元器件的混合電路。

5.14 介質(zhì)的擊穿機(jī)理

介質(zhì)擊穿，從應(yīng)用角度可分為自愈式擊穿和毀壞性擊穿。自愈式擊穿是局部點(diǎn)擊穿后，所產(chǎn)生的熱量將擊穿點(diǎn)處的金屬蒸發(fā)掉，使擊穿點(diǎn)自行與其他完好的介質(zhì)隔離；毀壞性擊穿是金屬原子徹底侵入介質(zhì)層，使其絕緣作用完全喪失。根據(jù)引起擊穿的原因之可將介質(zhì)擊穿分為非本征擊穿和本征擊穿兩種：前者是在介質(zhì)中的氣孔、微裂縫、灰塵、纖維絲等疵點(diǎn)附近，因氣體放電、等離子體、電孤、電熱分解等引起的擊穿；后者是外加電場(chǎng)超過(guò)了介質(zhì)材料的介電強(qiáng)度引起的擊穿。無(wú)論是非本征擊穿還圮本征擊穿，按其本質(zhì)來(lái)看，則均可能歸結(jié)于電擊穿、熱擊穿或熱點(diǎn)反饋造成的熱電擊穿。

5.15 與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB)TDDB是影響MOS元器件長(zhǎng)期可靠性的一種重要的失效機(jī)理，當(dāng)對(duì)二氧化硅薄膜施加低于本征擊穿場(chǎng)強(qiáng)的電場(chǎng)強(qiáng)度后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，這就是與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿。它的擊穿機(jī)理，可以分為兩個(gè)階段：第一階段是建立階段，在高電場(chǎng)、高電流密度應(yīng)力的作用下，氧化層內(nèi)部發(fā)生電荷的積聚，積累的電荷達(dá)到某一程度后，使局部電場(chǎng)增高到某一臨界值；第二階段實(shí)在熱或電的正反饋?zhàn)饔孟?，迅速使氧化層擊穿，氧化層的壽命由第一階段中電荷的累計(jì)時(shí)間確定。

5.16 熱栽流子效應(yīng)

所謂熱載流子，是指其能量比費(fèi)米能寄大幾個(gè)KT以上的載流子，這些載流子與晶格處于熱不平衡狀態(tài)，載流子的溫度超過(guò)了晶格溫度。熱載流子的能量達(dá)到或超過(guò)Si-SiO2界面勢(shì)壘的能量時(shí)，便會(huì)注入到SiO2中去，產(chǎn)生界面態(tài)、氧化層陷阱或被氧化層中陷阱所俘獲，由此產(chǎn)生的電荷積累引起元器件電參數(shù)不穩(wěn)定。表現(xiàn)為MOS元器件的閾值電壓漂移或跨導(dǎo)值降低，雙極元器件的電流增益下降，PN結(jié)擊穿電壓蠕變，使元器件性能受到影響，這就是熱載流子效應(yīng)。

5.17“爆米花效應(yīng)”

“爆米花效應(yīng)”是指塑封元器件塑封材料內(nèi)的水汽在高溫下受熱膨脹，是塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層效應(yīng)，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開路失效。塑封元器件是以樹脂類聚合物材料封裝的，其中的水汽包括封裝時(shí)殘留于元器件內(nèi)部、表面吸附，經(jīng)材料間的縫隙滲入及外界通過(guò)塑料本身擴(kuò)散進(jìn)入。

5.18軟誤差

電子元器件的封裝材料（如陶瓷管殼，作樹脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾等放射性物質(zhì)，它們衰變時(shí)會(huì)放出高能射線。當(dāng)這些射線或宇宙射線照射到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器上時(shí)，引起存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的丟失或變化，在下次寫入時(shí)存儲(chǔ)器又能正常工作，它完全是隨機(jī)的發(fā)生，隨意把這種數(shù)據(jù)位丟失叫軟誤差。引起軟誤差的根本原因是射線的電離效應(yīng)。