欧美色欧美亚洲高清在线观看,国产特黄特色a级在线视频,国产一区视频一区欧美,亚洲成a 人在线观看中文

  1. <ul id="fwlom"></ul>

    <object id="fwlom"></object>

    <span id="fwlom"></span><dfn id="fwlom"></dfn>

      <object id="fwlom"></object>

      模擬電子技術基礎李國麗習題答案

      2020-10-01 17:40:03下載本文作者:會員上傳
      簡介:寫寫幫文庫小編為你整理了這篇《模擬電子技術基礎李國麗習題答案》,但愿對你工作學習有幫助,當然你在寫寫幫文庫還可以找到更多《模擬電子技術基礎李國麗習題答案》。

      模擬電子技術基礎李國麗習題答案

      1半導體二極管

      自我檢測題

      一.選擇和填空

      1.純凈的、結構完整的半導體稱為

      本征半導體,摻入雜質(zhì)后稱

      雜質(zhì)半導體。若摻入五價雜質(zhì),其多數(shù)載流子是

      電子。

      2.在本征半導體中,空穴濃度

      C

      電子濃度;在N型半導體中,空穴濃度

      B

      電子濃度;在P型半導體中,空穴濃度

      A

      電子濃度。

      (A.大于,B.小于,C.等于)

      3.在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于

      C,而少數(shù)載流子的濃度與

      A

      關系十分密切。

      (A.溫度,B.摻雜工藝,C.雜質(zhì)濃度)

      4.當PN結外加正向電壓時,擴散電流

      A

      漂移電流,耗盡層

      E

      ;當PN結外加反向電壓時,擴散電流

      B

      漂移電流,耗盡層

      D。

      (A.大于,B.小于,C.等于,D.變寬,E.變窄,F(xiàn)不變)

      5.二極管實際就是一個PN結,PN結具有

      單向?qū)щ娦?,即處于正向偏置時,處于

      導通

      狀態(tài);反向偏置時,處于

      截止

      狀態(tài)。

      6.普通小功率硅二極管的正向?qū)▔航导s為_B,反向電流一般_C_;普通小功率鍺二極管的正向?qū)▔航导s為_A_,反向電流一般_D_。

      (A.0.1~0.3V,B.0.6~0.8V,C.小于,D.大于)

      7.已知某二極管在溫度為25℃時的伏安特性如圖選擇題7中實線所示,在溫度為

      T1時的伏安特性如圖中虛線所示。在25℃時,該二極管的死區(qū)電壓為

      0.5

      伏,反向擊穿電壓為

      160

      伏,反向電流為

      10-6

      安培。溫度T1

      小于

      25℃。(大于、小于、等于)

      圖選擇題7

      8.PN結的特性方程是。普通二極管工作在特性曲線的正向區(qū)

      ;穩(wěn)壓管工作在特性曲線的反向擊穿區(qū)。

      二.判斷題(正確的在括號內(nèi)畫√,錯誤的畫×)

      1.N型半導體可以通過在純凈半導體中摻入三價硼元素而獲得。

      (×)

      2.在P型半導體中,摻入高濃度的五價磷元素可以改型為N型半導體。

      (√)

      3.P型半導體帶正電,N型半導體帶負電。

      (×)

      4.PN結內(nèi)的漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下形成的。

      (√)

      5.由于PN結交界面兩邊存在電位差,所以當把PN結兩端短路時就有電流流過。(×)

      6.PN結方程既描寫了PN結的正向特性和反向特性,又描寫了PN結的反向擊穿特性。(×)

      7.穩(wěn)壓管是一種特殊的二極管,它通常工作在反向擊穿狀態(tài)(√),它不允許工作在正向?qū)顟B(tài)(×)。

      習題

      1.1圖題1.1各電路中,忽略D的導通壓降和死區(qū)電壓,畫出各電路相應的輸出電壓波形。

      圖題1.1

      解:

      (a)圖中,vi>0時,二極管截止,vo=0;vi<0時,二極管導通,vo=

      vi。

      (b)圖中,二極管導通,vo=

      vi

      +10。

      (c)圖中,二極管截止,vo=0。

      1.2求圖題1.2所示電路中流過二極管的電流ID和A點對地電壓VA。設二極管的正向?qū)妷簽?.7V。

      圖題1.2

      解:(a)

      (b)

      1.33電路如圖題1.3所示,已知D1為鍺二極管,其死區(qū)電壓Vth=0.2V,正向?qū)▔航禐?.3V;D2為硅二極管,其死區(qū)電壓為Vth=0.5V,正向?qū)▔航禐?.7V。求流過D1、D2的電流I1和I2。

      圖題1.3

      解:由于D1的死區(qū)電壓小于D2的死區(qū)電壓,應該D1先導通。設D1通、D2截止,此時

      D2兩端電壓=I1×100+0.3=0.45V

      小于D2的開啟電壓,所以D2截止,因此

      I2=0

      1.4設二極管的正向?qū)▔航悼梢院雎圆挥?,反向飽和電流?0μA,反向擊穿電壓為

      30V,并假設一旦擊穿反向電壓保持30V不變,不隨反向擊穿電流而變化。求圖題1.4中各電路的電流I。

      圖題1.4

      解:

      (a)圖中,兩個二極管導通,(b)圖中,由于D2反向截止,所以電流為反向飽和電流10μA。

      (c)圖中,D2反向擊穿,保持擊穿電壓30V,所以

      (d)圖中,D1導通,1.5試確定圖題1.5(a)和圖(b)中的二極管是否導通,并計算電壓V1和V2的值(設二極管正向?qū)妷簽?/p>

      0.7V)

      圖題1.5

      解:

      (a)圖中,D導通,V1=0.7+V2=8.23V

      (b)D截止,I=0,V1=12V,V2=0V

      1.6忽略圖題1.6中二極管的死區(qū)電壓,試判斷圖中二極管是否導通。

      圖題1.6

      解:先將D斷開,計算A、B點對地電壓

      (a),所以D1導通

      (b),所以D2截止

      1.7設圖題1.7中二極管的導通壓降為

      0.7V,判斷圖中各二極管是否導通,并求出Vo的值。

      圖題1.7

      解:

      先假設所有二極管都截止,看哪個二極管的正偏電壓高,先導通。

      (a)圖中,所以,D2先導通,導通后

      VO=3-0.7=2.3V,D1截止。

      (b)圖中,所以,D2~D4先導通,則,D1截止,VO=-1.4V

      1.8設圖題1.8中二極管的導通壓降為0.7V,求二極管上流過的電流ID的值。

      圖題1.8

      解:將二極管以外的電路進行戴維寧等效

      所以

      1.9已知圖題1.9電路中穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為5V和9V,求電壓VO的值。

      圖題1.9

      解:(a)圖中DZ1、DZ2均工作于穩(wěn)壓狀態(tài),(b)DZ1工作于穩(wěn)壓狀態(tài),DZ2工作于反向截止區(qū),所以DZ2支路的電流近似為零,1.10已知圖題1.10所示電路中,穩(wěn)壓管DZ1、DZ2的穩(wěn)定電壓分別為5V、3V,正向?qū)▔航稻鶠?.7V。試畫出vO的波形。

      圖題1.10

      解:正半周時,DZ1承受正向壓降,DZ2承受反向壓降,在VDZ2=3V之前,DZ2反向截止,iD=0,vO=vi;上升到VDZ2=3V之后,DZ2擊穿,vO=3.7V;

      負半周時,DZ2承受正向壓降,DZ1承受反向壓降,在VDZ1=5V之前,DZ1反向截止,iD=0,vO=vi;反向電壓達到VDZ1=5V之后,DZ1擊穿,vO=-5.7V;

      下載模擬電子技術基礎李國麗習題答案word格式文檔
      下載模擬電子技術基礎李國麗習題答案.doc
      將本文檔下載到自己電腦,方便修改和收藏,請勿使用迅雷等下載。
      點此處下載文檔

      文檔為doc格式


      聲明:本文內(nèi)容由互聯(lián)網(wǎng)用戶自發(fā)貢獻自行上傳,本網(wǎng)站不擁有所有權,未作人工編輯處理,也不承擔相關法律責任。如果您發(fā)現(xiàn)有涉嫌版權的內(nèi)容,歡迎發(fā)送郵件至:645879355@qq.com 進行舉報,并提供相關證據(jù),工作人員會在5個工作日內(nèi)聯(lián)系你,一經(jīng)查實,本站將立刻刪除涉嫌侵權內(nèi)容。

      相關范文推薦

        模擬電子技術基礎學習心得

        模擬電子技術基礎——電容篇(讀書心得) 一、電容的不同用途 1. 應用于電源電路,實現(xiàn)旁路、去耦、濾波和儲能的作用。下面分類詳述之: 1)旁路:旁路電容是為本地器件提供能量的儲能......

        模擬電子技術基礎教案

        教案 2014/ 2015 學年,第一學期課程名稱 電路與模擬電子技術任課教師 周拓本學期學時數(shù)96 專業(yè)、班級 14物聯(lián)網(wǎng)學生用教科書:《模擬電子技術基礎》劉國巍主編學生用參考......

        模擬電子技術基礎課程設計

        從理論到實踐 ——機電學院創(chuàng)新設計圓滿完成 6月17日到23日機電學院12級電氣工程及其自動化專業(yè)全體學生進行了為期七天的模擬電子技術基礎課程設計,本次課程設計是對收音機......

        汽車電工電子技術基礎習題二答案概要

        汽車電工電子技術基礎習題2答案及評分標準 一.單項選擇(每題1分共15分 1-8 B A C B B A A B 9-15 B A C C C A C 二.填空題(每題1分共16分 1.極板2。高3。整流4。一半5。斷......

        模擬電子技術基礎_知識點總結

        模擬電子技術復習資料總結 第一章 半導體二極管 一.半導體的基礎知識 1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。 2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。 3......

        模擬電子技術基礎B總結

        第一章 半導體基礎和二極管(以概念為主) 1、半導體的基本概念; 2、二極管的基本特性:單向?qū)щ娦?、伏安特性、反向擊穿特性? 3、穩(wěn)壓管的伏安特性; 4、二極管和穩(wěn)壓管的主要參數(shù)......

        《 模擬電子技術基礎 》 課程教學大綱

        《 模擬電子技術基礎 》 課程教學大綱 課內(nèi)學時數(shù): 96 實驗學時數(shù): 24 適用的專業(yè)范圍及層次:全日制高職高專??齐娮宇悓I(yè) 一、說明 1、教學目的和要求 《模擬電子技術基......

        模擬電子技術基礎電子教案簡介

        模擬電子技術基礎電子教案簡介 模擬電子技術基礎電子教案,是為康華光教授主編的《電子技術基礎》(模擬部分)第五版配套的多媒體教學課件,是為教師在課堂上講授“模擬電子技術基......