第一篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)B總結(jié)

第一章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)和二極管（以概念為主）

1、半導(dǎo)體的基本概念；

2、二極管的基本特性：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?、伏安特性、反向擊穿特性?/p>

3、穩(wěn)壓管的伏安特性；

4、二極管和穩(wěn)壓管的主要參數(shù)；

第二章 雙極型晶體三極管和基本放大電路（重點(diǎn)）

1、雙極型晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件；（內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)不要求）

2、雙極型晶體管輸入輸出特性曲線（三個(gè)不同的工作區(qū)及特點(diǎn)）

3、放大的概念，放大電路工作在放大狀態(tài)需要滿足的條件；

4、放大電路的分析方法：先直流后交流，先靜態(tài)后動(dòng)態(tài)，區(qū)分直流通路和交流

通路；

5、靜態(tài)工作點(diǎn)的位置對(duì)輸出波形的影響；

6、晶體管的低頻等效小信號(hào)模型及微變等效電路；（不要求推導(dǎo)）

7、三種基本放大電路（共射、共集、共基）的特點(diǎn)（交流參數(shù)）和求解，包括 靜態(tài)工作點(diǎn)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的求解（共集電路相對(duì)比較難）。

第三章 場(chǎng)效應(yīng)晶體管和基本放大電路（重點(diǎn)）

1、已知場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極電位，會(huì)判斷管子工作在何種狀態(tài)；

2、電路是否能正常放大；

3、場(chǎng)效應(yīng)管的低頻等效小信號(hào)模型及微變等效電路；（不要求推導(dǎo)）

4、共源、共漏基本放大電路的靜態(tài)分析計(jì)算與動(dòng)態(tài)分析計(jì)算。

5、第四章 多級(jí)放大電路和集成運(yùn)算放大電路

1、多級(jí)放大電路的幾種耦合方式和優(yōu)缺點(diǎn)；（基本概念）

2、多級(jí)阻容耦合放大電路的分析方法（如果共集電路作為輸出級(jí)和輸入級(jí)，解

算輸入電阻和輸出電阻會(huì)比較難）；

3、差動(dòng)放大電路的組成和抑制溫漂的原理；

4、雙入雙出差動(dòng)放大電路靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電路分析（半電路法），共模抑制比的概念。（區(qū)分其和單管放大電路的區(qū)別）。

5、集成運(yùn)放的基本組成（基本概念）。

第五章 功率放大電路

1、功率放大電路的特點(diǎn)和要求、晶體管工作狀態(tài)的分類；

2、甲乙類互補(bǔ)功率放大電路的組成和工作原理；

3、甲乙類互補(bǔ)功率放大電路的分析計(jì)算，包括輸出功率、效率的計(jì)算，晶體管 的選擇等。

第六章 放大電路的頻率響應(yīng)（基本概念）

1、放大電路頻率響應(yīng)的基本概念；

2、單管共射放大電路的頻率響應(yīng)；

（參考課后作業(yè)和課件內(nèi)容）

第七章 放大電路中的反饋（會(huì)看，會(huì)判，會(huì)算，會(huì)連）

1、什么是反饋；

2、會(huì)看：有無反饋，直流還是交流，正反饋還是負(fù)反饋；

3、會(huì)判：四種基本組態(tài)；（交流負(fù)反饋才需要判斷組態(tài)）；

4、負(fù)反饋在放大電路中的重要作用和性質(zhì)；

5、負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響；

6、會(huì)算：深度負(fù)反饋條件下的計(jì)算會(huì)算，深度負(fù)反饋的特點(diǎn)，反饋量等于輸入 量，凈輸入量近似為零。會(huì)算的步驟：判斷組態(tài)，計(jì)算放大倍數(shù)，得到電壓放大

倍數(shù)；

7、放大電路中反饋的正確引入，深度負(fù)反饋對(duì)電路性能的影響：穩(wěn)定放大倍數(shù)，改變輸入電阻和輸出電阻等；

8、會(huì)連：根據(jù)電路要求引入負(fù)反饋。

第八章 集成運(yùn)算放大電路信號(hào)的線性應(yīng)用

1、集成運(yùn)放的應(yīng)用分類：線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用；

2、集成運(yùn)放應(yīng)用電路的分析方法；（線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用）；

3、基本運(yùn)算電路：比例，加減、積分運(yùn)算電路。（對(duì)于 RP=RN，計(jì)算可以簡(jiǎn)化）；

4、模擬乘法器的符號(hào)和輸入輸出關(guān)系；

5、濾波電路的頻率特性、分類和主要參數(shù) ：有源濾波電路的種類和各自特點(diǎn)（不

涉及具體電路）

第九章 波形發(fā)生電路和和集成運(yùn)算的非線性應(yīng)用

（集成運(yùn)放處于非線性工作狀態(tài)）

1、正弦波發(fā)生電路的自激條件；

2、正弦波發(fā)生電路的組成和組成方法，判斷電路是否可能產(chǎn)生正弦波振蕩的方 法和步驟；在正弦波振蕩電路中通常包含正反饋和負(fù)反饋，通常引入正反饋的是 選頻網(wǎng)絡(luò)；選頻網(wǎng)絡(luò)掌握 RC 串并聯(lián)；

3、電壓比較電路的特點(diǎn)（開環(huán)或正反饋），電壓比較電路電壓傳輸特性（三要素）；

4、兩種不同的電壓比較器：?jiǎn)蜗薇容^器和滯回比較器（重點(diǎn)在滯回比較器）；

5、非正弦波發(fā)生電路：矩形波發(fā)生電路、三角波發(fā)生電路，會(huì)定性畫出對(duì)應(yīng)的 波形。

第十章 直流電源

1、直流穩(wěn)壓電源原理框圖及波形圖，各組成部分和功能

2、兩種不同的整流電路（半波整流和橋式整流）的工作原理、參數(shù)的計(jì)算和二 極管的選擇；

3、線性串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的工作原理及計(jì)算；

4、集成穩(wěn)壓電路 78××的輸出和應(yīng)用（重點(diǎn)是電壓擴(kuò)展應(yīng)用）。

一張 A4 紙，正反面都可以使用，要求自己手寫。

認(rèn)真復(fù)習(xí)，一定要掌握基本概念和基本分析方法。

答題時(shí)注意試卷要求，所有答案都寫在答題紙上。

預(yù)祝大家考出好成績。

第二篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)

第一章

半導(dǎo)體二極管

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。

2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子

----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。

7.PN結(jié)

*

PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。

*

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。

8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)ǎ聪蚪刂埂?/p>

*二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。

*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若

V陽

>V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若

V陽

1）圖解分析法

該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)

等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若

V陽

>V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若

V陽

*三種模型

?

微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章

三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)

1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

二.三極管的工作原理

1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

*

共發(fā)射極電流放大系數(shù)

(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

*

輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。

4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）

hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

五.放大電路的圖解分析法

1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。

*畫法---電容視為開路。

*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE

確定的直線。

*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb

：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc

：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。

3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。

2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。

*作用---分析信號(hào)被放大的過程。

*交流負(fù)載線---

連接Q點(diǎn)和V

CC’點(diǎn)

V

CC’=

UCEQ+ICQR

L’的直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。

*消除方法---減小Rb，提高Q。

（2）

飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。

*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）

Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。

（2）范圍

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’

－

UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’

－

UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2

（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’

－

UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。

六.放大電路的等效電路法

1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。

2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

*

放大倍數(shù)

*

輸入電阻

*

輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射

放大電路的等效電路法

1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析

*電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

*

輸出電阻

八.共集電極基本放大電路

1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析

*

電壓放大倍數(shù)

*

輸入電阻

*

輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

*

電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。

*

輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章

場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲線

UP

-----

截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。

結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

*

N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線

式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。

*

N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。

三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

1.漏極飽和電流IDSS

2.夾斷電壓Up

3.開啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm

(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS的跨導(dǎo)gm

---

五.共源極基本放大電路

1.自偏壓式偏置放大電路

*

靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路

*

靜態(tài)分析

*

動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

*

靜態(tài)分析

或

*

動(dòng)態(tài)分析

第五章

功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài)

1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。

2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。

3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。

二.乙類功放電路的指標(biāo)估算

1.工作狀態(tài)

?

任意狀態(tài)：Uom≈Uim

?

盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES

?

理想狀態(tài)：Uom≈VCC

2.輸出功率

3.直流電源提供的平均功率

4.管耗

Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時(shí)為78.5%

三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路

1.問題的提出

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。

2.解決辦法

?

甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

?

甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容

C2

上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。

四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)

1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。

2.類型取決于第一只管子的類型。

3.β=β1·β

第六章

集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。

3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。

二.長尾差放電路的原理與特點(diǎn)

1.抑制零點(diǎn)漂移的過程----

當(dāng)T↑→

iC1、iC2↑→

iE1、iE2

↑→

uE↑→

uBE1、uBE2↓→

iB1、iB2↓→

iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。

2靜態(tài)分析

1)

計(jì)算差放電路IC

設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)

計(jì)算差放電路UCE

雙端輸出時(shí)

單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)

對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

雙端輸出

單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出

：

從VT2單端輸出

：

2）差模輸入電阻

3）差模輸出電阻

雙端輸出：

單端輸出:

三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域

：

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法

1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征

*

開環(huán)電壓放大倍數(shù)

Aod→∞；

*

差模輸入電阻

Rid→∞；

*

輸出電阻

Ro→0；

*

共模抑制比KCMR→∞；

2.理想集成運(yùn)放的分析方法

1)

運(yùn)放工作在線性區(qū):

*

電路特征——引入負(fù)反饋

*

電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”:

“虛短”

---

“虛斷”

---

2)

運(yùn)放工作在非線性區(qū)

*

電路特征——開環(huán)或引入正反饋

*

電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):

當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

兩輸入端的輸入電流為零:

i+=i-=0

第七章

放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ

＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ

＊反饋深度－－－１＋ＡＦ

＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。

2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞

。放大器處于

“

自激振蕩”狀態(tài)。

二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。

2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存

在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋

則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。

（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端）

串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。

Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端）

5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升

高用

+

表示，降低用

－

表示）。

（3）確定反饋信號(hào)的極性。

（4）根據(jù)Xi

與X

f的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid

減小為負(fù)反

饋；Xid

增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。

四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響

1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性

2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲

5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍

*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍

*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍

*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍

五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件

1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。

2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章

信號(hào)的運(yùn)算與處理

分析依據(jù)------

“虛斷”和“虛短”

一.基本運(yùn)算電路

1.反相比例運(yùn)算電路

R2

=R1//Rf

2.同相比例運(yùn)算電路

R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路

1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

第九章

信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)

自激振蕩的平衡條件

:

即幅值平衡條件：

相位平衡條件：

2.起振條件:

幅值條件

：

相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類

正弦波振蕩器的組成(1)

放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)

正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。

(3)

選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)

穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。

*

正弦波振蕩器的分類

(1)

RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;

(2)

LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;

(3)

石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。

第三篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)

第一章 半導(dǎo)體二極管

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)

* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽

該式與伏安特性曲線 的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽

? 微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章 三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸 常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

比，五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。

*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號(hào)被放大的過程。

*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

* 放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共 放大電路的等效電1．靜態(tài)分析

射 路法

2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲

線 UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS 的跨導(dǎo)gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

* 動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

* 靜態(tài)分析

或

* 動(dòng)態(tài)分析

第四章 多級(jí)放大電路

一.級(jí)間耦合方式

1.阻容耦合----各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。

2.變壓器耦合---各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。

3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。

*零點(diǎn)漂移----當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。二.單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段(fL≤f≤fH)

波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-180o。

2．低頻段(f ≤fL)

‘

3．高頻段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大電路的頻率特性

三.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路率響應(yīng)

1．下限頻率的估算

2．上限頻率的估算 的頻

四.多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1.頻響表達(dá)式

2.波特圖

第五章 功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài) 1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二.乙類功放電路的指標(biāo)估算 1.工作狀態(tài)

? 任意狀態(tài)：Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態(tài)：Uom≈VCC

2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時(shí)為78.5% 三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路 1.問題的提出

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

? 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)

1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

第六章 集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成

1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。

3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。二.長尾差放電路的原理與特點(diǎn) 1.抑制零點(diǎn)漂移的過程----當(dāng)T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析

1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時(shí)

? 單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

? 雙端輸出 ?

? 單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：

? 單端輸出:

三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ：

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；

* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運(yùn)放的分析方法 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋

* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短”---

“虛斷”---2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)

* 電路特征——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0

第七章 放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。

2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。

（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端）

串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端）5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號(hào)的極性。

（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid 減小為負(fù)反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。

四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理

分析依據(jù)------“虛斷”和“虛短” 一.基本運(yùn)算電路 1.反相比例運(yùn)算電路

R2 =R1//Rf

2.同相比例運(yùn)算電路 R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路 1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

第九章 信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：

2.起振條件: 幅值條件 ：相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。

第四篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)教案

教案

2014/ 2015 學(xué)年，第一學(xué)期

課程名稱

電路與模擬電子技術(shù)

任課教師

周拓

本學(xué)期學(xué)時(shí)數(shù)

專業(yè)、班級(jí)

14物聯(lián)網(wǎng)

學(xué)生用教科書：《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》劉國巍主編

學(xué)生用參考書：

教案：

教案是教師以章節(jié)或每次課為單元，根據(jù)教學(xué)大綱和教學(xué)內(nèi)容，針對(duì)不同層次、不同專業(yè)學(xué)生，對(duì)授課的知識(shí)群和知識(shí)點(diǎn)進(jìn)行思考設(shè)計(jì)，周密組織編寫出的整個(gè)教學(xué)過程方案。

教案也是具體授課的計(jì)劃，是實(shí)施教學(xué)過程的演義方案。它反映了教師的教學(xué)水平、教學(xué)思路、教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和自身素質(zhì)，反映了教師鉆研教學(xué)大綱、熟悉教材、拓展知識(shí)、準(zhǔn)確把握教學(xué)方式方法和責(zé)任心的程度。要求：

教案作為教學(xué)實(shí)施文件，應(yīng)在充分備課的基礎(chǔ)上對(duì)教學(xué)目的、主要內(nèi)容、重點(diǎn)、難點(diǎn)、學(xué)時(shí)分配及教學(xué)方式方法做出具體設(shè)計(jì)。

教案的編寫要按章（節(jié)）或每次課為單元。

關(guān)于講課方式方法，主要包括：傳統(tǒng)教學(xué)、多媒體電子課件教學(xué)，其中某節(jié)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、或是放錄像、放錄音，聽力訓(xùn)練、習(xí)題課等。

第 1 章（次）：半導(dǎo)體器件本章學(xué)時(shí)數(shù)： 12學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：本章重點(diǎn)講述半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)原理、外特性、主要參數(shù)數(shù)及其物理意義，工作狀態(tài)或工作區(qū)的分析。

重點(diǎn)：PN結(jié)，二極管、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特性

難點(diǎn)：二極管、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

講授方式方法及要求：采用多媒體課件教學(xué)，板書為輔，實(shí)物觀察要求學(xué)生能夠理解半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理，掌握二極管三極管等半導(dǎo)體器件的特性及作用。

第 2 章：基本放大電路本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：12學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：基本共射放大電路，放大電路的分析方法，靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定以及放大電路的頻率特性

重點(diǎn)：放大電路的分析方法，基本共射放大電路

難點(diǎn)：放大電路的分析方法

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生掌握放大電路的分析方法。

第 3 章：集成電路運(yùn)算放大器本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：10學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：多級(jí)放大電路，長尾式差動(dòng)放大電路

重點(diǎn)：長尾式差動(dòng)放大電路

難點(diǎn)：長尾式差動(dòng)放大電路

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生掌握長尾式差動(dòng)放大電路的分析方法和作用。

第 4 章：電路中的負(fù)反饋本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：4學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：反饋的概念，反饋的分類，反饋對(duì)放大電路性能的影響

重點(diǎn)：反饋的分類，反饋對(duì)放大電路性能的影響

難點(diǎn)：反饋對(duì)放大電路性能的影響

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生能夠理解反饋的概念并判斷反饋的種類，并能分析反饋對(duì)放大電路性能的影響。

第 5 章：集成運(yùn)算放大器本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：8學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：基本運(yùn)算放大器，集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用

重點(diǎn)：基本運(yùn)算放大器

難點(diǎn)：集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生能夠掌握基本運(yùn)算電路的性能及應(yīng)用。

第 6 章：功率放大電路本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：6學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：功率放大電路的特點(diǎn)，功率放大電路中的問題

重點(diǎn)：功率放大電路的特點(diǎn)

難點(diǎn)：功率放大電路的特點(diǎn)

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生了解功率放大電路的特點(diǎn)，能夠預(yù)見功率放大電路中常見的問題。

第 7 章：波形產(chǎn)生電路本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：6學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：正弦波振蕩電路的振蕩條件，RC、LC正弦波振蕩電路

重點(diǎn)：RC、LC正弦波振蕩電路

難點(diǎn)：RC、LC正弦波振蕩電路

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生了解振蕩電路的振蕩條件和振蕩的頻率特性。

第 8 章：直流穩(wěn)壓電源本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：8學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：?jiǎn)雾?xiàng)整流電路，濾波電路，穩(wěn)壓電路，開關(guān)穩(wěn)壓電路

重點(diǎn)：濾波電路，穩(wěn)壓電路

難點(diǎn)：濾波電路，穩(wěn)壓電路

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。要求學(xué)生了解直流穩(wěn)壓電路的特征。

第 9 章：實(shí)驗(yàn)本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：12學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：各種半導(dǎo)體器件的認(rèn)識(shí)，基本共射放大電路的性能分析，負(fù)反饋放大電路的研究

重點(diǎn)：負(fù)反饋放大電路的研究

難點(diǎn)：負(fù)反饋放大電路的研究

講授方式方法及要求：軟件模擬。

總結(jié)復(fù)習(xí)本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：6學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：各章知識(shí)點(diǎn)

重點(diǎn)：各章知識(shí)點(diǎn)

難點(diǎn)：各章知識(shí)點(diǎn)

講授方式方法及要求：板書。

習(xí)題課本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：12學(xué)時(shí)

主要內(nèi)容：各章課后作業(yè)

重點(diǎn)：各章課后作業(yè)

難點(diǎn)：各章課后作業(yè)

講授方式方法及要求：板書。

第五篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)學(xué)習(xí)心得

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)——電容篇（讀書心得）

一、電容的不同用途

1.應(yīng)用于電源電路，實(shí)現(xiàn)旁路、去耦、濾波和儲(chǔ)能的作用。下面分類詳述之：

1）旁路：旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時(shí)的電壓降。

2）去耦：又稱解耦。從電路來說，總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作，這就是所謂的“耦合”。去耦電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。將旁路電容和去耦電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF等；而去耦合電容一般較大，可能是10μF或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象，而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。

3）退耦是指對(duì)電源采取進(jìn)一步的濾波措施，去除兩級(jí)間信號(hào)通過電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級(jí)輸入阻抗值乘積對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)。2.退耦三個(gè)目的：

1）將電源中的高頻紋波去除，將多級(jí)放大器的高頻信號(hào)通過電源相互串?dāng)_的通路切斷；

2）大信號(hào)工作時(shí)，電路對(duì)電源需求加大，引起電源波動(dòng)，通過退耦降低大信號(hào)時(shí)電源波動(dòng)對(duì)輸入級(jí)/高電壓增益級(jí)的影響；

3）形成懸浮地或是懸浮電源，在復(fù)雜的系統(tǒng)中完成各部分地線或是電源的協(xié)調(diào)匹有源器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件，以減少開關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。

4）濾波：從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過，電容越小高頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。濾波就是充電，放電的過程。

5）儲(chǔ)能：儲(chǔ)能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲(chǔ)的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF之間的鋁電解電容器（如B43504或B43505是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時(shí)會(huì)采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式，對(duì)于功率級(jí)超過10KW的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

3.應(yīng)用于信號(hào)電路，主要完成耦合、振蕩/同步及時(shí)間常數(shù)的作用：

1）耦合：舉個(gè)例子來講，晶體管放大器發(fā)射極有一個(gè)自給偏壓電阻，它同時(shí)又使信號(hào)產(chǎn)生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號(hào)耦合，這個(gè)電阻就是產(chǎn)生了耦合的元件，如果在這個(gè)電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電容，由于適當(dāng)容量的電容器對(duì)交流信號(hào)較小的阻抗，這樣就減小了電阻產(chǎn)生的耦合效應(yīng)，故稱此電容為去耦電容。

耦合指信號(hào)由第一級(jí)向第二級(jí)傳遞的過程，一般不加注明時(shí)往往是指交流耦合。從電路來說，總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合

2）振蕩/同步：包括RC、LC振蕩器及晶體的負(fù)載電容都屬于這一范疇。3）時(shí)間常數(shù)：這就是常見的 R、C 串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。當(dāng)輸入信號(hào)電壓加在輸入端時(shí)，電容（C）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻（R）、電容（C）的特性通過下面的公式描述： i =(V / R)e-(t / CR)。

二、電容的分類

1、鋁電解電容：電容容量范圍為0.1μF ～ 22000μF，高脈動(dòng)電流、長壽命、大容量的不二之選，廣泛應(yīng)用于電源濾波、解耦等場(chǎng)合。

2、薄膜電容：電容容量范圍為0.1pF ～ 10μF，具有較小公差、較高容量穩(wěn)定性及極低的壓電效應(yīng)，因此是X、Y安全電容、EMI/EMC的首選。

3、鉭電容：電容容量范圍為2.2μF ～ 560μF，低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低等效串聯(lián)電感（ESL）。脈動(dòng)吸收、瞬態(tài)響應(yīng)及噪聲抑制都優(yōu)于鋁電解電容，是高穩(wěn)定電源的理想選擇。

4、陶瓷電容：電容容量范圍為0.5pF ～ 100μF，獨(dú)特的材料和薄膜技術(shù)的結(jié)晶，迎合了當(dāng)今“更輕、更薄、更節(jié)能“的設(shè)計(jì)理念。

5、超級(jí)電容：電容容量范圍為0.022F ～ 70F，極高的容值，因此又稱做“金電容”或者“法拉電容”。主要特點(diǎn)是：超高容值、良好的充/放電特性，適合于電能存儲(chǔ)和電源備份。缺點(diǎn)是耐壓較低，工作溫度范圍較窄。

去耦電容在集成電路電源和地之間有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF，這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

總結(jié)如下：對(duì)于低頻信號(hào)，用100μF電解電容。對(duì)于高頻信號(hào)，用0.1μF的瓷片電容。

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