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      個(gè)人輻射劑量超標(biāo)答復(fù)(共5則范文)

      時(shí)間:2019-05-15 12:55:05下載本文作者:會(huì)員上傳
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      第一篇:個(gè)人輻射劑量超標(biāo)答復(fù)(共)

      關(guān)于XXX醫(yī)院輻射工作人員

      個(gè)人劑量過(guò)高情況的匯報(bào)

      甘肅省核與輻射安全局:

      根據(jù)貴局對(duì)我院2011年第三季度輻射工作人員外照射個(gè)人劑量監(jiān)測(cè),我院放射科工作人員XXX個(gè)人劑量超標(biāo)。針對(duì)這一情況,我院已做了詳細(xì)的調(diào)查研究,現(xiàn)將調(diào)查及處理結(jié)果匯報(bào)如下:

      1.經(jīng)XX市衛(wèi)生局衛(wèi)生監(jiān)督所檢查,我院放射工作場(chǎng)所輻射防護(hù)措施安全、有效;

      2.我院輻射工作人員XXX個(gè)人劑量過(guò)高,是其在拍片操作過(guò)程中自我防護(hù)不當(dāng)造成。鑒于此,我院對(duì)全體輻射工作人員進(jìn)行相關(guān)知識(shí)培訓(xùn),更進(jìn)一步加強(qiáng)員工的自我防護(hù)意識(shí),強(qiáng)化自我防護(hù)措施。并已將楊雪敏同志調(diào)離原崗位;

      3.同時(shí),金昌市衛(wèi)生技術(shù)監(jiān)督所也對(duì)輻射工作人員進(jìn)行了輻射防護(hù)相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn)?,F(xiàn)我院輻射工作人員在操作過(guò)程中都能?chē)?yán)格按照相關(guān)措施執(zhí)行,并做到安全有效地防護(hù)。

      XXX醫(yī)院

      第二篇:輻射工作人員個(gè)人劑量管理制度

      放射工作人員個(gè)人劑量管理制度

      1、單位應(yīng)當(dāng)按照本辦法和國(guó)家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的要求,安排本單位的輻射工作人員接受個(gè)人劑量監(jiān)測(cè),并遵守下列規(guī)定:

      (一)外照射個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)周期一般為30天,最長(zhǎng)不應(yīng)超過(guò)90天;內(nèi)照射個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)周期按照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行;

      (二)建立并終生保存?zhèn)€人劑量監(jiān)測(cè)檔案;

      (三)允許輻射工作人員查閱、復(fù)印本人的個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)檔案。

      2、個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)檔案應(yīng)當(dāng)包括:

      (一)常規(guī)監(jiān)測(cè)的方法和結(jié)果等相關(guān)資料;

      (二)應(yīng)急或者事故中受到照射的劑量和調(diào)查報(bào)告等相關(guān)資料。輻射工作單位應(yīng)當(dāng)將個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)結(jié)果及時(shí)記錄在《輻射工作人員證》中。

      3、輻射工作人員進(jìn)入輻射工作場(chǎng)所,應(yīng)當(dāng)正確佩戴個(gè)人劑量計(jì);

      4、個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)工作應(yīng)當(dāng)由具備資質(zhì)的個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)技術(shù)服務(wù)機(jī)構(gòu)承擔(dān)。

      永寧縣疾病預(yù)防控制中心

      第三篇:輻射工作人員個(gè)人劑量管理制度

      輻射工作人員個(gè)人劑量管理制度

      一、按照《放射工作人員職業(yè)健康管理辦法》和國(guó)家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的要求,安排本單位的放射工作人員接受個(gè)人劑量監(jiān)測(cè),并遵守以下規(guī)定:

      (1)外照射個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)周期一般不應(yīng)超過(guò)90天,內(nèi)照射個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)周期按照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。(2)建立并保存?zhèn)€人劑量監(jiān)測(cè)檔案。

      (3)允許放射工作人員查閱、復(fù)印本人的個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)檔案。

      二、個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)檔案主要內(nèi)容

      1、常規(guī)監(jiān)測(cè)方法和結(jié)果等相關(guān)資料。

      2、應(yīng)急或者事故中受到照射的劑量和調(diào)查報(bào)告等相關(guān)資料。放射工作單位應(yīng)當(dāng)將個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)結(jié)果及時(shí)做好記錄。

      三、放射工作人員進(jìn)入放射工作場(chǎng)所,應(yīng)當(dāng)遵守以下規(guī)定:

      1、正確佩戴個(gè)人劑量計(jì)。

      2、操作結(jié)束離開(kāi)非密封放射性物質(zhì)場(chǎng)所時(shí),按要求進(jìn)行個(gè)人體表、衣物及防護(hù)用品的放射性污染監(jiān)測(cè),發(fā)現(xiàn)污染要及時(shí)處理,做好記錄并存檔。

      3、進(jìn)入輻照裝置、放射治療等強(qiáng)輻射工作場(chǎng)所時(shí),除佩戴常規(guī)個(gè)人劑量計(jì)外,還應(yīng)當(dāng)攜帶報(bào)警式劑量計(jì)。

      4、工作人員工作時(shí),應(yīng)將個(gè)人劑量計(jì)隨身佩戴,禁止將個(gè)人劑量計(jì)遺棄在機(jī)房?jī)?nèi),由此造成個(gè)人劑量計(jì)監(jiān)測(cè)結(jié)果超標(biāo),造成影響和后果的,本人負(fù)全責(zé)。必要時(shí),調(diào)離工作崗位。

      四、個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)工作應(yīng)當(dāng)由具備資質(zhì)的個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)技術(shù)服務(wù)機(jī)構(gòu)承擔(dān),并按照規(guī)定,將報(bào)告送達(dá)放射工作單位。

      第四篇:EMI傳導(dǎo)與輻射超標(biāo)整改方案

      傳導(dǎo)與輻射超標(biāo)整改方案

      開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理及其傳播途徑

      功率開(kāi)關(guān)器件的高額開(kāi)關(guān)動(dòng)作是導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾(emi)的主要原因。開(kāi)關(guān)頻率的提高一方面減小了電源的體積和重量,另一方面也導(dǎo)致了更為嚴(yán)重的emi問(wèn)題。開(kāi)關(guān)電源工作時(shí),其內(nèi)部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內(nèi)上升和下降的,因此,開(kāi)關(guān)電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)生源。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾,按噪聲干擾源種類(lèi)來(lái)分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來(lái)分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對(duì)電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源,或者切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑?,F(xiàn)在按噪聲干擾源來(lái)分別說(shuō)明:

      1、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間引起的干擾

      交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓,經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷?,但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波。由電流波形可知,電流中含有高次諧波。大量電流諧波分量流入電網(wǎng),造成對(duì)電網(wǎng)的諧波污染。另外,由于電流是脈沖波,使電源輸入功率因數(shù)降低。

      高頻整流回路中的整流二極管正向?qū)〞r(shí)有較大的正向電流流過(guò),在其受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時(shí),由于pn結(jié)中有較多的載流子積累,因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里,電流會(huì)反向流動(dòng),致使載流子消失的反向恢復(fù)電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。

      2、開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的諧波干擾

      功率開(kāi)關(guān)管在導(dǎo)通時(shí)流過(guò)較大的脈沖電流。例如正激型、推挽型和橋式變換器的輸入電流波形在 阻性負(fù)載時(shí)近似為矩形波,其中含有豐富的高次諧波分量。當(dāng)采用零電流、零電壓開(kāi)關(guān)時(shí),這種諧 波干擾將會(huì)很小。另外,功率開(kāi)關(guān)管在截止期間,高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會(huì)產(chǎn)生 尖峰干擾。

      3、交流輸入回路產(chǎn)生的干擾

      無(wú)工頻變壓器的開(kāi)關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復(fù)期間會(huì)引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干擾。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的尖峰干擾和諧波干擾能量,通過(guò)開(kāi)關(guān)電源的輸入輸出線(xiàn)傳播出去而形成的干擾稱(chēng)之為傳導(dǎo)干擾;而諧波和寄生振蕩的能量,通過(guò)輸入輸出線(xiàn)傳播時(shí),都會(huì)在空間產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)。這種通過(guò)電磁輻射產(chǎn)生的干擾稱(chēng)為輻射干擾。

      4、其他原因

      元器件的寄生參數(shù),開(kāi)關(guān)電源的原理圖設(shè)計(jì)不夠完美,印刷線(xiàn)路板(pcb)走線(xiàn)通常采用手工布 置,具有很大的隨意性,pcb的近場(chǎng)干擾大,并且印刷板上器件的安裝、放置,以及方位的不合理都會(huì)造成emi干擾。這增加了pcb分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。flyback 架構(gòu)noise 在頻譜上的反應(yīng)

      0.15 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的3次諧波引起的干擾。0.2 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的4次諧波和mosfet 振蕩2(190.5khz)基波的迭加,引起的干擾;所以這部分較強(qiáng)。

      0.25 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的5次諧波引起的干擾;0.35 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的7次諧波引起的干擾;0.39 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的8次諧波和mosfet 振蕩2(190.5khz)基波的迭加引起的干擾;1.31mhz處產(chǎn)生的振蕩是diode 振蕩1(1.31mhz)的基波引起的干擾;3.3 mhz處產(chǎn)生的振蕩是mosfet 振蕩1(3.3mhz)的基波引起的干擾;開(kāi)關(guān)管、整流二極管的振蕩會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾

      設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止emi的措施: 1.把噪音電路節(jié)點(diǎn)的pcb銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極,初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn),等。

      2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件,如變壓器線(xiàn)包,變壓器磁芯,開(kāi)關(guān)管的散熱片,等等。3.使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線(xiàn)包,未遮蔽的變壓器磁芯,和開(kāi)關(guān)管,等等)遠(yuǎn)離外殼邊緣,因?yàn)樵谡2僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€(xiàn)。

      4.如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽,要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

      5.盡量減小以下電流環(huán)的面積:次級(jí)(輸出)整流器,初級(jí)開(kāi)關(guān)功率器件,柵極(基極)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路,輔助整流器。

      6.不要將門(mén)極(基極)的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,使它在開(kāi)關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。8.防止emi濾波電感飽和。

      9.使拐彎節(jié)點(diǎn)和 次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。11.使高頻輸入的emi濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。12.保持高頻輸出的emi濾波器靠近輸出電線(xiàn)端子。

      13.使emi濾波器對(duì)面的pcb板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。14.在輔助線(xiàn)圈的整流器的線(xiàn)路上放一些電阻。15.在磁棒線(xiàn)圈上并聯(lián)阻尼電阻。

      16.在輸出rf濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。17.在pcb設(shè)計(jì)時(shí)允許放1nf/ 500 v陶瓷電容器或者還可以是一串電阻,跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。

      18.保持emi濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

      19.在pcb面積足夠的情況下, 可在pcb上留下放屏蔽繞組用的腳位和放rc阻尼器的位置,rc阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

      20.空間允許的話(huà)在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線(xiàn)電容器(米勒電容,10皮法/ 1千伏電容)。

      21.空間允許的話(huà)放一個(gè)小的rc阻尼器在直流輸出端。22.不要把a(bǔ)c插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。

      開(kāi)關(guān)電源emi的特點(diǎn)

      作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;而印刷線(xiàn)路板(pcb)走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn),具有更大的隨意性,這增加了pcb分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

      1mhz以?xún)?nèi)----以差模干擾為主,增大x電容就可解決

      1mhz---5mhz---差模共?;旌?采用輸入端并一系列x電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;5m---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對(duì)于外殼接地的,在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10mhz以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25--30mhz不過(guò)可以采用加大對(duì)地y電容、在變壓器外面包銅皮、改變pcb layout、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并rc濾波器.30---50mhz 普遍是mos管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大mos驅(qū)動(dòng)電阻,rcd緩沖電路采用1n4007慢管,vcc供電電壓用1n4007慢管來(lái)解決.100---200mhz 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

      100mhz-200mhz之間大部分出于pfc mosfet及pfc 二極管,現(xiàn)在mosfet及pfc二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

      開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100m 以下的頻段.也可以在mos,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。1mhz 以?xún)?nèi)----以差模干擾為主 1.增大x 電容量;

      2.添加差模電感;3.小功率電源可采用pi 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

      1mhz---5mhz---差模共?;旌希捎幂斎攵瞬⒙?lián)一系列x 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整x 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;

      3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如fr107 一對(duì)普通整流二極管1n4007。5m---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。

      對(duì)于外殼接地的,在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10mhz 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

      對(duì)于20--30mhz,1.對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地y2 電容量或改變y2 電容位置; 2.調(diào)整一二次側(cè)間的y1 電容位置及參數(shù)值;

      3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。4.改變pcb layout;

      5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感;

      6.在輸出整流管兩端并聯(lián)rc 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù); 7.在變壓器與mosfet 之間加bead core; 8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。9.可以用增大mos 驅(qū)動(dòng)電阻.30---50mhz 普遍是mos 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,1.可以用增大mos 驅(qū)動(dòng)電阻;

      2.rcd 緩沖電路采用1n4007 慢管; 3.vcc 供電電壓用1n4007 慢管來(lái)解決;

      4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感; 5.在mosfet 的d-s 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路; 6.在變壓器與mosfet 之間加bead core; 7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

      8.pcb 心layout 時(shí)大電解電容,變壓器,mos 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的?。? 9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。50---100mhz 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,1.可以在整流管上串磁珠;

      2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

      3.可改變一二次側(cè)跨接y電容支路的阻抗,如pin腳處加bead core或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁? 4.也可改變mosfet,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡mosfet;鐵夾卡diode,改變散熱器的接地點(diǎn))。5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.200mhz 以上 開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過(guò)emi 標(biāo)準(zhǔn)。

      傳 導(dǎo) 方 面 emi 對(duì) 策 傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15-1mhz超標(biāo),熱機(jī)時(shí)就有7db余量。主要原因是初級(jí)bulk電容df值過(guò)大造成的,冷機(jī)時(shí)esr比較大,熱機(jī)時(shí)esr比較小,開(kāi)關(guān)電流在esr上形成開(kāi)關(guān)電壓,它會(huì)壓在一個(gè)電流ln線(xiàn)間流動(dòng),這就是差模干擾。解決辦法是用esr低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。.........輻 射 方 面 emi 對(duì) 策

      輻射在30~300mhz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)

      通過(guò)在電源線(xiàn)上增加去耦磁環(huán)(可開(kāi)合)進(jìn)行驗(yàn)證,如果有改善則說(shuō)明和電源線(xiàn)有關(guān)系,采用以下整改方法:如果設(shè)備有一體化濾波器,檢查濾波器的接地是否良好,接地線(xiàn)是否盡可能短;

      金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過(guò)其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線(xiàn)是否互相靠近。適當(dāng)調(diào)整x/y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量;調(diào)整y電容時(shí)要注意安全問(wèn)題;改變參數(shù)可能會(huì)改善某一段的輻射,但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差,所以需要不斷的試,才能找到最好的組合。適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法;也可在開(kāi)關(guān)管晶體管的集電極(或者是mos管的漏極)或者是次級(jí)輸出整流管對(duì)地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開(kāi)關(guān)噪聲。開(kāi)關(guān)電源板在pcb布線(xiàn)時(shí)一定要控制好各回路的回流面積,可以大大減小差模輻射。在pcb電源走線(xiàn)中增加104/103電容為電源去耦;在多層板布線(xiàn)時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰;在電源線(xiàn)上套磁環(huán)進(jìn)行比對(duì)驗(yàn)證,以后可以通過(guò)在單板上增加共模電感來(lái)實(shí)現(xiàn),或者在電纜上注塑磁環(huán)。輸入ac線(xiàn)的l線(xiàn)的長(zhǎng)度盡量短;

      屏蔽設(shè)備內(nèi)部,孔縫附近是否有干擾源;結(jié)構(gòu)件搭接處是否噴有絕緣漆,采用砂布將絕緣漆擦掉,作比較試驗(yàn)。檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆,是否接地良好。

      第五篇:個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)制度

      個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)制度

      一:醫(yī)院按照《放射工作人員職業(yè)健康管理辦法》和國(guó)家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的要求,安排本院的放射工作人員接受個(gè)人劑量監(jiān)測(cè),并遵守下列規(guī)定:

      (一)個(gè)人劑量計(jì)由放射科主任專(zhuān)管,負(fù)責(zé)發(fā)放和收集;(二)外照射個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)周期一般為30天,最長(zhǎng)不應(yīng)超過(guò)90天;(三)建立并終生保存?zhèn)€人劑量監(jiān)測(cè)檔案;(四)允許放射工作人員查閱、復(fù)印本人的個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)檔案。

      二:個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)檔案應(yīng)當(dāng)包括:

      (一)常規(guī)監(jiān)測(cè)的方法和結(jié)果等相關(guān)資料;(二)應(yīng)急或者事故中受到照射的劑量和調(diào)查報(bào)告等相關(guān)資料。醫(yī)院應(yīng)當(dāng)將個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)結(jié)果及時(shí)記錄在《放射工作人員證》中。

      三: 放射工作人員進(jìn)入放射工作場(chǎng)所,應(yīng)當(dāng)遵守下列規(guī)定:(一)劑量計(jì)應(yīng)佩帶在人體軀干前方中部位置,一般在左胸前;

      (二)個(gè)人劑量計(jì)有識(shí)別的標(biāo)志和編碼,應(yīng)按規(guī)定要求佩戴,不得隨意更換、調(diào)換。

      四:嚴(yán)格遵守個(gè)人劑量計(jì)發(fā)放、佩戴和回收時(shí)間,個(gè)人劑量計(jì)在非工作時(shí)間應(yīng)避免受到任何人工輻射的照射。

      五:個(gè)人劑量計(jì)監(jiān)測(cè)結(jié)果出現(xiàn)超標(biāo)等問(wèn)題時(shí),應(yīng)配合個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)單位進(jìn)行調(diào)查,明確超標(biāo)原因,并予以整改。

      六:個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)工作應(yīng)當(dāng)由省級(jí)衛(wèi)生計(jì)生行政部門(mén)認(rèn)定的具備資質(zhì)的個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)技術(shù)服務(wù)機(jī)構(gòu)承擔(dān)。

      七:個(gè)人劑量計(jì)在每個(gè)佩戴周期結(jié)束后盡快送往個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)單位,收到個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)報(bào)告后進(jìn)行存檔。

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