第一篇：華僑大學(xué)實(shí)習(xí)報(bào)告

華僑大學(xué)實(shí)習(xí)報(bào)告

內(nèi)容：電子門鈴的制作、裝配與調(diào)試

班級(jí)：

學(xué)號(hào)姓名

地點(diǎn)：信息科學(xué)與工程學(xué)院生產(chǎn)實(shí)習(xí)基地 起止時(shí)間：200年月日——月日

第二篇：華僑大學(xué)廈門工學(xué)院實(shí)習(xí)報(bào)告,參考

華僑大學(xué)廈門工學(xué)院

生產(chǎn)實(shí)習(xí)報(bào)告

院系：華 僑 大 學(xué) 廈 門 工 學(xué) 院專業(yè)：班級(jí)：姓名：學(xué)號(hào)：

2011年8月17日

目錄

一、前言---

2二、實(shí)習(xí)目的----------------------------

2三、實(shí)習(xí)要求----------------------------

2四、實(shí)習(xí)單位簡(jiǎn)介----------------------

3五、實(shí)習(xí)安排----------------------------

4六、實(shí)習(xí)歷程----------------------------

41． 安全教育------------------------4

2． 參觀第二鑄鐵廠---------------

53． 參觀鍛造廠---------------------5

4． 參觀第一裝配廠---------------6

5． 參觀動(dòng)力機(jī)械公司------------7

6． 參觀齒輪廠---------------------7

7． 參觀燃油噴射公司-------------8

8． 參觀開創(chuàng)裝備科技有限公司9

9． 參觀第四裝配廠---------------9

10． 參觀工藝材料研究所---------10

11． 參觀工程機(jī)械有限公司------10

12． 參觀熱處理廠------------------1

113． 參觀沖壓廠---------------------1

214． 參觀福萊車身有限公司------1

3七、實(shí)習(xí)總結(jié)------------------------------14

第三篇：華僑大學(xué)電子工藝實(shí)習(xí)

華僑大學(xué)廈門校區(qū) 電子工藝實(shí)習(xí)——實(shí)習(xí)報(bào)告

實(shí)習(xí)內(nèi)容：

一、實(shí)習(xí)安全與安全用電

二、常用電子元件概述及其辨識(shí)

三、常用工具及其使用方法

四、準(zhǔn)備工藝及裝配

五、基本焊接工藝

六、常用儀器儀表簡(jiǎn)介及其應(yīng)用

七、電路板設(shè)計(jì)制作與PROTEL應(yīng)用

地點(diǎn)：華僑大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院實(shí)習(xí)基地

起止時(shí)間：2012年 3月 9日—— 3 月 11日

前言

電子工藝：

電子：這里的電子指的是由一些電子原器件（如電阻、電容）和以他們組成的電子產(chǎn)品或電子設(shè)備。工藝：工藝是指將材料或半成品經(jīng)過加工制作為成品的工作、方法、技藝等。

一． 實(shí)習(xí)意義：

《電子工藝實(shí)習(xí)》是實(shí)踐課程的第一模塊，是電類學(xué)生掌握實(shí)踐能力的初步，也是所有電類學(xué)生在學(xué)習(xí)電路分析、電子技術(shù)理論課程前的一門重要的實(shí)踐課程。

二． 實(shí)習(xí)目的：

加強(qiáng)理論與實(shí)踐相結(jié)合的能力，為以后的專業(yè)課程課程打下良好基礎(chǔ)； 培養(yǎng)基本技能、實(shí)踐能力、獨(dú)立分析問題和解決問題的能力，拓寬視野； 培養(yǎng)刻苦認(rèn)真、實(shí)事求是的作風(fēng)。

三． 實(shí)習(xí)要求：

常用電子儀器儀表的學(xué)習(xí)使用，如萬(wàn)用表，函數(shù)發(fā)生器等 辨識(shí)常用電子元件

了解protel的應(yīng)用與PCB設(shè)計(jì)制作流程

實(shí)用電子電路的制作、焊接訓(xùn)練、電路安裝踐過程，學(xué)生一人一組，獨(dú)立完成，完成后獨(dú)立進(jìn)行安裝測(cè)試。

實(shí)通過實(shí)踐要求學(xué)生進(jìn)一步掌握基礎(chǔ)理論知識(shí)，提高實(shí)踐能力、獨(dú)立工作能力，拓寬視野。實(shí)踐后要求認(rèn)真總結(jié)，寫出實(shí)踐報(bào)告.四． 實(shí)習(xí)紀(jì)律：

實(shí)習(xí)學(xué)生必須服從導(dǎo)師安排的各項(xiàng)活動(dòng),聽從指揮,端正實(shí)習(xí)態(tài)度,按大綱全面完成任務(wù)。

嚴(yán)格遵守實(shí)習(xí)期間作息時(shí)間。

不得私自離開實(shí)習(xí)場(chǎng)所,特殊情況,應(yīng)向指導(dǎo)老師請(qǐng)假,每天按時(shí)清理實(shí)習(xí)場(chǎng)地。做團(tuán)結(jié)、友愛、文明禮貌的大學(xué)生。

違反實(shí)習(xí)紀(jì)律,視情節(jié)嚴(yán)重給予處分或停止實(shí)習(xí)。愛護(hù)公物,如有損壞公物或設(shè)備者,除照價(jià)賠償外,視情節(jié)還給予處分。

五． 實(shí)習(xí)內(nèi)容：

實(shí)習(xí)安全與安全用電 常用電子元件概述及其辨識(shí) 常用工具及其使用方法 準(zhǔn)備工藝及裝配 基本焊接工藝

常用儀器儀表簡(jiǎn)介及其應(yīng)用 電路板設(shè)計(jì)制作與PROTEL應(yīng)用

六． 課堂內(nèi)容：

理論課：

常用電子元器件概述及其辨識(shí);常用儀器儀表簡(jiǎn)介及其應(yīng)用 實(shí)踐操作:

電子元器件焊接與拆卸;印制電路板的制作;音響的制作

目錄

第一章、實(shí)習(xí)安全與安全用電222222222222222222222225

第二章、常用電子元件概述及其辨識(shí)222222222222222227

第三章、常用工具及其使用方法22222222222222222222212

第四章、準(zhǔn)備工藝及裝配22222222222222222222222222213

第五章、基本焊接工藝2222222222222222222222222222214

第六章、常用儀器儀表簡(jiǎn)介及其應(yīng)用2222222222222222217

第七章、電路板設(shè)計(jì)制作與PROTEL應(yīng)用222222222222219

第八章、心得體會(huì)222222222222222222222222222222222222

第一章、實(shí)習(xí)安全與安全用電

在工廠企業(yè)、科研院所、實(shí)驗(yàn)室等用電單位，都制定有各種各樣的安全用電制度。這些制度絕大多數(shù)都是在科學(xué)分析基礎(chǔ)上制定的，也有很多條文是在實(shí)際中總結(jié)出的經(jīng)驗(yàn)，可以說很多制度條文是用慘痛的教訓(xùn)換來(lái)的。我們一定要記?。涸谀阕哌M(jìn)車間、實(shí)驗(yàn)室等一切用電場(chǎng)所時(shí)，千萬(wàn)不要忽略安全用電制度。

一、安全措施

(1)正常情況下帶電的部分，一定要加絕緣防護(hù)，并置于人不容易碰到的地方。例如輸電線、配電盤、電源板等。

(2)所有金屬外殼的用電器及配電裝置都應(yīng)該裝設(shè)保護(hù)接地或保護(hù)接零。(3)在所有用電場(chǎng)所裝設(shè)漏電保護(hù)器。

(4)隨時(shí)檢查用電器插頭、電線，發(fā)現(xiàn)破損老化及時(shí)更換。

(5)手持電動(dòng)工具盡量使用安全電壓。我國(guó)規(guī)定常用安全電壓為36 V或24 V，特別危險(xiǎn)場(chǎng)所用12 V。

二、安全操作

(1)檢修電路和電器都要確保斷開電源，不僅斷開設(shè)備上的開，還要拔下插頭。

(2)不要濕手開關(guān)、插拔電器。

(3)遇到不明情況的電線，先認(rèn)為它是帶電的。

(4)盡量養(yǎng)成單手操作電工作業(yè)的習(xí)慣。

三、設(shè) 備 安 全

(1)查設(shè)備銘牌。按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)備都應(yīng)在醒目處有該設(shè)備要求電源電壓、頻率、容量的銘牌或標(biāo)志。

(2)查環(huán)境電源電壓、容量是否與設(shè)備吻合。

(3)查設(shè)備電源線是否完好，外殼是否帶電。

四、異常情況的處理辦法：

(1)有下列異常情況之一，應(yīng)盡快斷開電源，拔下電源插頭，對(duì)設(shè)備進(jìn)行檢修。

(2)對(duì)燒斷熔斷器的情況，決不允許換上大容量熔斷器繼續(xù)工作，一定要查清原因后再換上同規(guī)格熔斷器。

異常情況：

(1)設(shè)備外殼或手持部位有麻電感覺。

(2)開機(jī)或使用中熔斷絲燒斷。

(3)出現(xiàn)異常聲音，如有內(nèi)部放電聲，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)聲音異常等。

(4)有異味：塑料味，絕緣漆揮發(fā)出氣味，甚至燒焦的氣味。

(5)機(jī)內(nèi)打火，出現(xiàn)煙霧。

(6)指示儀表數(shù)值突變，指示超出正常范圍。

五、電子裝接操作安全

1)安全用電觀念

增強(qiáng)安全用電的觀念是安全的根本保證。任何制度，任何措施，都是由人來(lái)貫徹執(zhí)行的，忽視安全是最危險(xiǎn)的隱患。

2)基本安全措施

(1)工作室電源符合電氣安全標(biāo)準(zhǔn)。(2)工作室總電源上裝有漏電保護(hù)開關(guān)。

(3)使用符合安全要求的低壓電器(包括電線、電源插座、開關(guān)、電動(dòng)工具、儀器儀表等)。

(4)工作室或工作臺(tái)上有便于操作的電源開關(guān)。

3)養(yǎng)成安全操作習(xí)慣

(1)人體觸及任何電氣裝置和設(shè)備時(shí)先斷開電源。斷開電源一般指真正脫離電源系統(tǒng)。

(2)測(cè)試、裝接電力線路采用單手操作。

(3)觸及電路的任何金屬部分之前都應(yīng)進(jìn)行安全測(cè)試。

(4)不能用試電筆去試高壓電。使用高壓電源應(yīng)有專門的防護(hù)措施。

4)防止?fàn)C傷

電烙鐵和電熱風(fēng)槍。特別是電烙鐵為電子裝接必備工具，通常烙鐵頭表面溫度可達(dá)400～500℃，而人體所能耐受的溫度一般不超過50℃，直接觸及電烙鐵頭肯定會(huì)造成燙傷。

工作中烙鐵應(yīng)放置在烙鐵架并置于工作臺(tái)右前方。觀測(cè)烙鐵溫度可用烙鐵頭熔化松香，不要直接用手觸摸烙鐵頭。

第二章、常用電子元器件概述及其辨識(shí)

A.電子元件：如電阻器、電容器、電感器、喇叭、開關(guān)等。因?yàn)樗旧聿划a(chǎn)生電子，它對(duì)電壓、電流無(wú)控制和變換作用，所以又稱無(wú)源器件。

B.電子器件：如晶體管、電子管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成電路等。因?yàn)樗旧砟墚a(chǎn)生電子，對(duì)電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關(guān)、整流、檢波、振蕩和調(diào)制等），所以又稱有源器件。

一、電阻

電阻按材料分一般有：碳膜電阻、金屬膜電阻、水泥電阻、線繞電阻等。一般的家庭電器使用碳膜電阻較多，因?yàn)樗杀镜土＝饘倌る娮杈纫咝?，使用在要求較高的設(shè)備上。水泥電阻和線撓電阻都是能夠承受比較大功率的，線撓電阻的精度也比較高，常用在要求很高的測(cè)量?jī)x器上。

1、符號(hào)

2.基本單位:（Ω）歐姆;（KΩ）千歐姆;（MΩ）兆歐姆 3.產(chǎn)品規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)：E6、E12、E24、E48、E96、E192六大系列

E6：分為6個(gè)值：1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 ±20%E12： 12個(gè)值：1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 ±10% 4.額定功率：1/16W;1/8W;1/4W;1/2W;1W;2W;5W;10W?..5.電阻器的識(shí)讀

A：直標(biāo)法 B數(shù)碼表示法（223=22K）

C:字母表示法（4K7=4.7K）D:色環(huán)表示法—四環(huán)或五環(huán) 6.特殊電阻: A、熱敏電阻: 正溫度系數(shù)（PTC）Ｔ上升Ｒ增加負(fù)溫度系數(shù)(ＮTC)Ｔ上升Ｒ下降

B、光敏電阻：無(wú)光照時(shí)電阻很大，有光照時(shí)電阻很小 C、壓敏電阻：兩端所加的電壓大于壓敏電壓值，Ｒ減少 色環(huán)電阻分為四色環(huán)和五色環(huán)。各種顏色表示如下： 黑0 棕1 紅2 橙3 黃4 綠5 藍(lán)6 紫7 灰8 白9 金表示誤差±5％或冪數(shù)為-1 ；銀表示誤差±10％或冪數(shù)為-2；無(wú)色表示誤差±20％

(1)四色環(huán)電阻讀法

各色環(huán)表示意義如下：

第一條色環(huán)：阻值的第一位數(shù)字；第二條色環(huán)：阻值的第二位數(shù)字； 第三條色環(huán)：10的冪數(shù)；第四條色環(huán)：誤差表示。

例如：電阻色環(huán)“棕綠橙金” —— 第一位：1；第二位：5； 10的冪為3（即1000）；誤差為5% 即阻值為：15*103歐=15000歐=15千歐=15KΩ2)（2）五色環(huán)電阻讀法 各色環(huán)表示意義如下：

第一條色環(huán)：阻值的第一位數(shù)字；第二條色環(huán)：阻值的第二位數(shù)； 第三條色環(huán)：阻值的第三位數(shù)字；第四條色環(huán)：10的冪數(shù)； 第五條色環(huán)：誤差表示。

例如：電阻色環(huán)“綠藍(lán)黑黑棕” —— 第一位：5；第二位：6：第 三位：0；10的冪為0；誤差為1%即阻值為：560*100歐=560Ω 3)判別第一條色環(huán)的方法

四色環(huán)電阻為普通型電阻，從標(biāo)稱阻值系列表可知，其只有三種誤差系列，允許偏差為±5%、±10%、±20%，所對(duì)應(yīng)的色環(huán)為：金色、銀色、無(wú)色。而金色、銀色、無(wú)色這三種顏色沒有有效數(shù)字，所以，金色、銀色、無(wú)色作為四色環(huán)電阻器的偏差色環(huán)，即為最后一條色環(huán)（金色，銀色也可作為乘數(shù)）

二、電位器

阻值可以調(diào)節(jié)地電阻（簡(jiǎn)稱可調(diào)電阻）

1、符號(hào)

2、識(shí)讀：A:直標(biāo)法B:數(shù)碼表示法104=100K C:字母表示法4K7=4.7K 三．電容器

1、符號(hào);

2.分類:常見的電容按制造材料的不同可以分為：瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，還有先進(jìn)的聚丙希電容(CBB)等等，它們各有不同的用途。例如，瓷價(jià)常用于高頻，電解用于電源濾波等。A.電解電容：容量大、誤差大，主要用于濾波、耦合、旁路

B.滌綸電容：容量較小、誤差較小，主要用于濾波、旁路 C.瓷片電容：容量最小，適用于高頻電路 D.云母電容：容量適中

E.鉭 電 容：價(jià)格高、誤差小，穩(wěn)定性好 3.電容的標(biāo)稱容量和額定電壓：

A.基本單位： F(法拉)、mF(毫法)、uF(微法)、nF(納法)、pF(皮法)1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法

B.額定電壓（耐壓）：6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V 160V 250V 4.電容器的識(shí)讀

A.直標(biāo)法：1-100 pF的瓷片電容、電解電容

B.數(shù)碼表示法：第1、2位為有效數(shù)值，第三位為倍率 C.字母表示法：主要是針對(duì)滌綸電容 D.小數(shù)點(diǎn)表示法：自然數(shù)以下的單位為uF 5.電容容量誤差：

用符號(hào)F、G、J、K、L、M表示，允許的誤差分別為： ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

四．電感器

1．符號(hào)2.電感量：

A.單位： 亨利（H）；毫亨（mH）；微亨（uH）B.單位關(guān)系： 1H=1000 mH=1000000 uH C.一個(gè)電感器電感量的大小與匝數(shù)和橫截面積有關(guān) 3.色碼電感的識(shí)讀：與四環(huán)電阻的讀法相似，單位是uH 4.變壓器：A.升壓型 ；B.降壓型；C.恒壓型

五．其它電子元件

（1）聲電元件：麥克風(fēng)；揚(yáng)聲器；蜂鳴器等（2）微動(dòng)開關(guān)、撥碼開關(guān)、插座、數(shù)碼管、撥動(dòng)開關(guān)等（3）繼電器、保險(xiǎn)絲等

六.半導(dǎo)體器件 一、二極管

1、晶體二極管（1）符號(hào)：

（2）單向?qū)щ娦?A：給二極管加上一個(gè)正向電壓，二極管導(dǎo)通，相當(dāng)于阻值很小的電阻 B：給二極管加上一個(gè)反向電壓，二極管截止，相當(dāng)于阻值很大的電阻 C：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦裕赫驅(qū)ǎ聪蚪刂?/p>

2、常用半導(dǎo)體二極管

A-整流二極管：把交流電轉(zhuǎn)換成直流電 B-發(fā)光二極管：把電能轉(zhuǎn)換成光能

C-穩(wěn)壓二極管：顧名思義是將電壓穩(wěn)定在某個(gè)固定值

3、二極管極性的差別

指針式萬(wàn)用表?yè)茉赗*100或R*1K電阻檔上，數(shù)字萬(wàn)用表直接用二極管檔。

二、三極管

1.符號(hào)：

2.分類：(1)高頻/低頻(2)小功率/大功率(3)硅管/鍺管

3.三極管的放大作用:在三極管的各電極間加上極性正確、數(shù)值合適的電壓，三極管就能正常工作，起到電流放大或電壓放大的作用。

三、集成電路

1.集成電路的分類

(1)按制作工藝A：薄膜集成電路 B:厚膜集成電路 C：半導(dǎo)體集成電路 D：混合集成電路

2)按集成規(guī)模分A：小規(guī)模集成電路B：中規(guī)模集成電路 C：大規(guī)模集成電路D：超大規(guī)模集成電路

3)按功能分類A：數(shù)字集成電路B：模擬集成電路C: 微波集成電路

2.集成電路的封裝形式（1）金屬封裝（2）陶瓷封裝（3）塑料封裝A：扁平型陶瓷封裝B：扁平型塑料封裝

C：雙列直插型陶瓷封裝 D：雙列直插型塑料封裝 E：?jiǎn)瘟兄辈逍退芰戏庋b F：貼片型塑料封裝

第三章、常用工具及其使用方法

一、電烙鐵

(1)分類: A-內(nèi)熱式;B-外熱式;C-恒溫式(2)配套: A-烙鐵架;B-松香;C-焊錫(3)結(jié)構(gòu): A-內(nèi)熱式電烙鐵的外形與結(jié)構(gòu)

B-外熱式電烙鐵的外形與結(jié)構(gòu)

(4)電烙鐵的檢驗(yàn)和養(yǎng)護(hù)：

Ａ-用萬(wàn)用表歐姆檔測(cè)量插頭兩端是否有開路或短路情況，再用Rx1K或Rx10K檔測(cè)量插頭和外殼之間的電阻，看是否短路。

Ｂ-新的電烙鐵如果烙鐵頭未上錫，不能立即用，需要先在烙鐵頭鍍上一層焊錫。方法：用銼刀把烙鐵頭銼干凈，按上電源，在溫度漸漸升高烙鐵頭開始能夠熔化焊錫的時(shí)候，在把烙鐵頭涂上焊錫。

二、其他常用工具

A-鑷子；B-尖嘴鉗、斜口鉗；C-吸錫器；D-螺絲刀；E-撥線鉗；F-等等．

第四章 準(zhǔn)備工藝及裝配

一、元器件引腳的成形

引腳成形的基本要求。引腳成形工藝就是根據(jù)焊點(diǎn)之間的距離，做成需要的形狀，目的是使它能迅速而準(zhǔn)確地插入孔內(nèi)?；疽螅涸_開始彎曲處，離元件端面的最小距離應(yīng)不小于2 mm；彎曲半徑不應(yīng)小于引腳直徑的2倍；怕熱元件要求引腳增長(zhǎng)，成形時(shí)應(yīng)繞環(huán)；元件標(biāo)稱值應(yīng)處在便于查看的位置；成形后不允許有機(jī)械損傷。

二、元器件安裝的技術(shù)要求

(1)元件器的標(biāo)志方向應(yīng)按照?qǐng)D紙規(guī)定的要求，安裝后能看清元件上的標(biāo)志。若裝配圖上沒有指明方向，則應(yīng)使標(biāo)記向外易于辨認(rèn)，并按從左到右、從上到下的順序讀出。

(2)元器件的極性不得裝錯(cuò)。

(3)安裝高度應(yīng)符合規(guī)定要求，同一規(guī)格的元器件應(yīng)盡量安裝 在同一高度上。()安裝順序一般為先低后高，先輕后重，先易后難，先一般元器件后特殊元器件。

(5)元器件在印制電路板上的分布應(yīng)盡量均勻，疏密一致，排列整齊美觀。不允許斜排、立體交叉和重疊排列。元器件引腳不得相碰，要保證 1mm左右的安全間隙。

(6)元器件的引腳直徑與印制電路板焊盤孔徑應(yīng)有0.2～0.4 mm的合理間隙。

第五章.基本焊接工藝

一、焊接

焊接是連接各電子元器件與電路板的主要手段。利用加熱焊料將元件工與金屬銅板永久地結(jié)合在一起.在已加熱的工件金屬之間，熔入低于工件金屬熔點(diǎn)的焊料，從而使工件金屬與焊料結(jié)合為一體。

二、正確選用焊料

錫焊工藝中使用的焊料是錫鉛合金。常用錫鉛焊料：在手工焊接時(shí)，為了方便，常將焊錫制成管狀，中空部分注入由特級(jí)松香和少量活化劑組成的助焊劑，這種焊錫稱為焊錫絲。焊錫絲的直徑有0.5、0.8、0.9、1.0、1.2、1.5、2.0、2.5、3.0、4.0、5.0 mm等多種規(guī)格。

三、控制焊接溫度和時(shí)間

熱能是進(jìn)行焊接必不可少的條件。溫度過低，會(huì)造成虛焊。溫度過高，會(huì)損壞元器件和印制電路板。在手工焊接時(shí)，控制溫度的關(guān)鍵是選用適當(dāng)功率的電烙鐵和掌握焊接時(shí)間。焊接時(shí)間過短，會(huì)使溫度太低，焊接時(shí)間過長(zhǎng)，會(huì)使溫度太高。一般情況下，焊接時(shí)間應(yīng)不超過3 s。

四、焊點(diǎn)的質(zhì)量要求

(1)電氣性能良好。高質(zhì)量的焊點(diǎn)應(yīng)是焊料與工件金屬界面形成牢固的合金層，才能保證良好的導(dǎo)電性能。不能簡(jiǎn)單地將焊料堆在工件金屬表面，這是焊接工藝中的大忌。

(2)具有一定的機(jī)械強(qiáng)度。電子設(shè)備有時(shí)要工作在振動(dòng)的環(huán)境中，為使焊件不松動(dòng)或脫落，焊點(diǎn)必須具有一定的機(jī)械強(qiáng)度。

(3)焊點(diǎn)上的焊料要適量。焊點(diǎn)上的焊料過少，機(jī)械強(qiáng)度不足。焊點(diǎn)上的焊料過多，既增加成本，又容易造成焊點(diǎn)短路。

五、手工焊接工藝

1）焊接準(zhǔn)備：選用合適功率的電烙鐵。內(nèi)熱式電烙鐵具有升溫快、熱效率高、體積小、重量輕的特點(diǎn)，在電子裝配中已得到普遍使用。2）手工焊接

1.電烙鐵拿法有三種：反握法動(dòng)作穩(wěn)定，長(zhǎng)時(shí)操作不易疲勞，適于大功率烙鐵的操作。正握法適于中等功率烙鐵或帶彎頭電烙鐵的操作。握筆法一般在操作臺(tái)上焊印制板等焊件時(shí)多采用。

焊錫絲拿法：a 連續(xù)錫焊時(shí)焊錫絲的拿法；b 斷續(xù)錫焊時(shí)焊錫絲的拿法

2．焊接的方法與步驟：不少初學(xué)者常用這樣一種焊接操作法，即先用烙鐵頭沾上一些焊錫，然后將烙鐵放到焊點(diǎn)上加熱。這種方法，不是正確的操作方法，這樣雖然也可以將焊件焊起來(lái)，但卻不能保證質(zhì)量。正確的方法應(yīng)該是下面的五步法

(1)準(zhǔn)備(圖a): 準(zhǔn)備好焊錫絲和烙鐵。此時(shí)特別強(qiáng)調(diào)的是烙 鐵頭要保持干凈。

(2)加熱焊件(圖b): 將烙鐵接觸焊接點(diǎn)，首先要注意保持烙鐵 加熱焊件各部分，例如印制板上引線和焊盤都使之受熱。

(3)熔化焊料(圖c): 當(dāng)焊件加熱到能熔化焊料的溫度后將焊絲 置于焊點(diǎn)，焊料開始熔化。

(4)移開焊錫(圖d): 當(dāng)熔化一定量的焊錫后將焊錫絲移開。

(5)移開烙鐵(圖e): 當(dāng)焊錫完全潤(rùn)濕焊點(diǎn)后移開烙鐵，注意移 開烙鐵的方向應(yīng)該是大致45°的方向。焊錫量要合適。過量的焊錫不但毫無(wú)必要地消耗了較貴的錫，增加焊接時(shí)間，相應(yīng)降低了工作速度。更為嚴(yán)重的是過量的錫很容易造成短路。4 焊件要固定。在焊錫凝固之前不要使焊件移動(dòng)或振動(dòng)，一定要等焊錫凝固再移動(dòng)。烙鐵撤離有講究。烙鐵撤離要及時(shí)，而且撤離時(shí)的角度和方向?qū)更c(diǎn)形成有一定關(guān)系 焊接的步驟可采用三步操作法：① 加熱被焊工件。② 填充焊料。③ 移開焊錫絲、移開電烙鐵。根據(jù)印制電路板的特點(diǎn)，為防止焊接溫度過高，焊接時(shí)間一般以2～3 s為宜。當(dāng)焊盤面積很小，或用35 W電烙鐵時(shí)，甚至可將①、②步合并，有利于連續(xù)操作，提高效率。

對(duì)焊接點(diǎn)的要求是光亮、平滑、焊料布滿焊盤并成“裙?fàn)睢闭归_。焊接后應(yīng)剪腳，“露出”長(zhǎng)度在0.5～1 mm。

要求：(1)外形以焊接導(dǎo)線為中心，勻稱，成裙形拉開。(2)焊料連接面呈半弓形凹面。(3)焊料與焊件交界處平滑。

7、焊點(diǎn)質(zhì)量檢查：外觀檢查焊點(diǎn)是否飽滿，潤(rùn)濕良好；有沒有漏焊、虛焊；焊料潤(rùn)濕整個(gè)焊盤，均勻散開，以引線為中心成裙形。其次用手檢查那些看上去比較虛的焊點(diǎn)是不是確實(shí)牢固。對(duì)于晃動(dòng)的焊點(diǎn)要重焊。

第六章、常用儀器儀表簡(jiǎn)介

一、萬(wàn)用表

1.用途：(1)測(cè)量電壓值(2)測(cè)量電流值(3)測(cè)量電阻(4)測(cè)量三極管的特性(5)電容量的測(cè)量等

2.注意事項(xiàng)：(1)使用萬(wàn)用表測(cè)量電流時(shí)應(yīng)串接到電路中(2)選擇合適的量程注意應(yīng)該從大的量程向小量程調(diào)整，以避免損壞.3.分類:

(1)指針式萬(wàn)用表A-機(jī)械調(diào)零(歐姆調(diào)零);B-選擇合適量程;C-選擇正確刻度線;D-讀值時(shí)指針最好處于20%--60%為佳.(2)數(shù)字式萬(wàn)用表:A-選擇合適量程、檔位B-量程概念的區(qū)別

(3)臺(tái)式數(shù)字萬(wàn)用表

二.直流穩(wěn)壓電源

1.普通數(shù)顯直流穩(wěn)壓電源 2.數(shù)控式線性直流穩(wěn)壓電壓

四.示波器

1、分類:(1)模擬示波器(2)數(shù)字示波器

第七章、電路板設(shè)計(jì)制作與PROTEL應(yīng)用

一、原理圖的繪制

二、PCB圖（印刷電路板圖）的繪制

三、線路板制作工藝流程

1、按照實(shí)際尺寸裁剪好銅箔板，用0號(hào)水磨砂紙將板 表面擦刷凈。

2、將打印好的圖紙用加熱轉(zhuǎn)印到銅箔板的銅箔面上。

3、用三氯化鐵水溶液腐蝕銅箔板。

4、鉆孔：根據(jù)元器件焊盤大小鉆孔，一般選擇合適的鉆(0.8-1mm)。

5、將鉆好的電路板上漆膜用砂紙除去。

四、根據(jù)實(shí)驗(yàn)原理圖和實(shí)物圖焊接電路板

五、測(cè)試作品是否工作，檢查焊接問題，做補(bǔ)充與修改，直到正常工作。

六、組裝作品，把電路板與喇叭裝入塑料盒中。

七、注意事項(xiàng)

1：將電路圖印到電路板上，然后進(jìn)行熨熱，腐蝕，清洗，熨熱后將紙慢慢揭開，以防墨脫落造成斷路，若已產(chǎn)生斷路，用筆補(bǔ)全。

2：進(jìn)行焊接，認(rèn)真把每個(gè)所需原件焊接到電路板上；焊接時(shí)最好不要造成虛焊，由于器件擺放時(shí)間，焊前先磨去引腳氧化部分；注意LED引腳指示燈的正負(fù)極。

3：安裝時(shí)盡量保證每個(gè)孔與之對(duì)應(yīng)，喇叭焊接前先用萬(wàn)用表電阻200 檔測(cè)試。

4:usb接口的焊接要十分注意，要按照要求來(lái)；兩板的連接處要焊接好；三個(gè)不用的引腳應(yīng)減去或者拔彎，不可讓其接觸線路板。

5：將各部分安裝好，進(jìn)行多次調(diào)試，直到音響的聲音相對(duì)清晰。

第八章、心得體會(huì)

在短短三天的實(shí)習(xí)時(shí)間里，我學(xué)會(huì)了很多東西，這是我人生的第一次工藝實(shí)習(xí)，第一次接觸電子產(chǎn)品的焊接制作，第一次親手完成電子產(chǎn)品的制作。雖然實(shí)習(xí)時(shí)間是周末，失去了一些休息時(shí)間，但得到的卻是課本所沒有的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。只有動(dòng)手操作才真正知曉自己的鄙陋。

雖然之前接觸過如何制作電路板，但在本次實(shí)習(xí)中，仍然遇到不少的困難。在焊接前，因觸碰電烙鐵將手燙傷，這對(duì)我是個(gè)不小的打擊，但最后我還是獨(dú)立完成了本次電子工藝實(shí)習(xí)。在焊接時(shí)，由于烙鐵接觸焊點(diǎn)時(shí)間過長(zhǎng)，把銅融化了，還有許多焊點(diǎn)都是虛焊。在拆元件的時(shí)候，也是烙鐵接觸焊點(diǎn)時(shí)間過長(zhǎng)，將電路板上銅氧化。在打孔的時(shí)候，由于把握不到位，在連通小孔的時(shí)必須要用剪刀等挖開。在焊接元件的時(shí)候較為順利，但最后將音響連接上去后，卻只有一個(gè)喇叭會(huì)響，經(jīng)過半個(gè)小時(shí)的多次調(diào)試，將各個(gè)虛焊的焊點(diǎn)再焊接一次。最后音響兩個(gè)喇叭正常工作的時(shí)候，心中感到十分驕傲成就感悠然而生，也在一定程度打消了我想要轉(zhuǎn)專業(yè)的決定。在此次實(shí)習(xí)中，除了增強(qiáng)自己在電子工藝制作方面的動(dòng)手能力外，在與同學(xué)相處的方面也收獲不少。許多同學(xué)早早做完卻沒有離開，而是留在實(shí)驗(yàn)室?guī)椭渌瑢W(xué)，這一點(diǎn)讓我感觸很多。而理論課上的黃老師，講課幽默，生動(dòng)形象，雖然連上幾個(gè)小時(shí)的課，卻也不懈怠，還一直鼓勵(lì)我們參加挑戰(zhàn)杯。實(shí)踐課上的唐懋老師也在不斷的幫助同學(xué)們尋找音響不工作的原因。三天的實(shí)踐早已結(jié)束，但這一段記憶卻深深地埋在了我的腦海中。

第四篇：華僑大學(xué)

華僑大學(xué)是在敬愛的周恩來(lái)總理的親切關(guān)懷下，于1960年由國(guó)家創(chuàng)辦的綜合性大學(xué)。學(xué)校地處中國(guó)閩南金三角，與祖國(guó)寶島臺(tái)灣隔海相望，主校區(qū)分別設(shè)在泉州、廈門。學(xué)校直屬國(guó)務(wù)院僑務(wù)辦公室領(lǐng)導(dǎo)，是國(guó)家重點(diǎn)建設(shè)的大學(xué)和首批獲得中國(guó)教育部本科教學(xué)工作水平評(píng)估優(yōu)秀的大學(xué)，是中國(guó)面向海外開展華文教育的主要基地。

華僑大學(xué)設(shè)立董事會(huì)，實(shí)行校長(zhǎng)負(fù)責(zé)制。杰出的國(guó)務(wù)活動(dòng)家、已故全國(guó)人大常委會(huì)副委員長(zhǎng)廖承志為首任校長(zhǎng)，現(xiàn)任校長(zhǎng)是全國(guó)政協(xié)委員、博士生導(dǎo)師吳承業(yè)教授。董事會(huì)由海外華僑、港澳同胞、歸僑等各界著名人士及各級(jí)政府領(lǐng)導(dǎo)組成，莊希泉、胡平、賈慶林、陳明義、宋德福等先后擔(dān)任華僑大學(xué)董事長(zhǎng)。

華僑大學(xué)以“面向海外、面向港澳臺(tái)、面向海峽西岸經(jīng)濟(jì)區(qū)”為辦學(xué)方針，按照“為僑服務(wù)、傳播中華文化”的辦學(xué)宗旨和“會(huì)通中外、并育德才”的辦學(xué)理念，形成了“一校兩生、因材施教”的教學(xué)特色，“一元主導(dǎo)、多元交融”的校園文化和“寬容為本、和而不同”的校園精神。學(xué)校具有博士、碩士、學(xué)士、預(yù)科等層次完整的辦學(xué)體系，現(xiàn)有19個(gè)院系（部），9個(gè)博士學(xué)位點(diǎn)，6個(gè)一級(jí)學(xué)科碩士點(diǎn)，66個(gè)碩士學(xué)位點(diǎn)，8個(gè)工程碩士領(lǐng)域，9個(gè)高校教師在職攻讀碩士學(xué)位點(diǎn)，53個(gè)本科專業(yè)，11個(gè)省部級(jí)重點(diǎn)學(xué)科，學(xué)科門類涉及理、工、經(jīng)、管、法、文、哲、史、史、農(nóng)、教育等10大類。學(xué)校以“重視基礎(chǔ)、拓寬專業(yè)、增強(qiáng)能力、提高素質(zhì)”為人才培養(yǎng)目標(biāo)，努力造就富有創(chuàng)新精神和實(shí)踐能力、適應(yīng)境內(nèi)外經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展需要的應(yīng)用型人才,建校46年來(lái)，共培養(yǎng)海內(nèi)外各類人才8萬(wàn)余人，其中境外生3.7萬(wàn)余人。至2005年底，學(xué)校有各類在校生2.4萬(wàn)人，其中境外生近3000人，分別來(lái)自馬來(lái)西亞、菲律賓、泰國(guó)、日本、朝鮮、美國(guó)、阿根廷和港澳臺(tái)等30幾個(gè)國(guó)家和地區(qū)。學(xué)校擁有教職員工1700余人，其中500余人具有高級(jí)職稱；專任教師900余人，其中正副教授400余人，具有博士學(xué)位140人，42位教師享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼，一批教授在學(xué)術(shù)界具有廣泛的影響。學(xué)校辦學(xué)條件優(yōu)良，泉州校區(qū)校園占地面積91萬(wàn)平方米，校舍建筑面積50萬(wàn)平方米；廈門校區(qū)(含華文學(xué)院)占地面積133萬(wàn)平方米,已完成校舍建筑面積24萬(wàn)平方米的廈門新校區(qū)正在興建中。學(xué)校教學(xué)基礎(chǔ)設(shè)施完善，實(shí)驗(yàn)室設(shè)備先進(jìn)，圖書館藏圖書文獻(xiàn)資料總量105萬(wàn)種、208萬(wàn)冊(cè)。

華僑大學(xué)注重教風(fēng)、學(xué)風(fēng)建設(shè)，以教學(xué)質(zhì)量為工作中心，以“教學(xué)質(zhì)量”為主導(dǎo)，教學(xué)質(zhì)量穩(wěn)步提升，人才培養(yǎng)質(zhì)量得到保證。學(xué)校以學(xué)風(fēng)建設(shè)為學(xué)生工作重點(diǎn)，強(qiáng)調(diào)學(xué)生素質(zhì)教育，成績(jī)斐然，在近三屆全國(guó)“挑戰(zhàn)杯”大學(xué)生課外學(xué)術(shù)科技作品競(jìng)賽中，華僑大學(xué)共獲得10余個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，團(tuán)體總分分別居全國(guó)高校第13、16、10名，居福建省高校榜首，并捧得第八屆“優(yōu)勝杯”；學(xué)生男子籃球隊(duì)在CUBA中國(guó)大學(xué)生籃球聯(lián)賽已進(jìn)行的八屆賽事中獲得四屆總冠軍及一屆總亞軍；在歷屆全國(guó)大學(xué)生英語(yǔ)競(jìng)賽、數(shù)學(xué)建模競(jìng)賽、電子科技競(jìng)賽、全國(guó)周培源力學(xué)競(jìng)賽等賽事中華大學(xué)生成績(jī)居福建高校前列。2006年5月，華僑大學(xué)被教育部定為國(guó)家大學(xué)生文化素質(zhì)教育基地。

華僑大學(xué)科研工作堅(jiān)持高起點(diǎn)、高投入、大跨步，加強(qiáng)基礎(chǔ)研究和應(yīng)用開發(fā)，成效顯著。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，“十五”期間，華僑大學(xué)共承擔(dān)各類研究項(xiàng)目551項(xiàng)，其中國(guó)家級(jí)課題51項(xiàng)（其中973前期研究專項(xiàng)1項(xiàng)）；獲得福建省部級(jí)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)，二等獎(jiǎng)5項(xiàng)，三等獎(jiǎng)13項(xiàng)；獲得福建省社科優(yōu)秀成果獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)9項(xiàng)、三等獎(jiǎng)20項(xiàng)；發(fā)表科研論文4600多篇，被SCIE、EI收錄的論文數(shù)、論文被國(guó)際刊物引用次數(shù)均連年居全國(guó)高校百?gòu)?qiáng)?！度A僑大學(xué)學(xué)報(bào)》為全國(guó)中文核心期刊，并進(jìn)入中國(guó)期刊方陣。

華僑大學(xué)還全方位開展國(guó)際學(xué)術(shù)交流與科技合作，目前已與美國(guó)、日本、加拿大、澳大利亞、菲律賓、印尼、泰國(guó)等國(guó)家和港澳臺(tái)地區(qū)的40余所高校建立了校際友好合作關(guān)系。諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者楊振寧、諾貝爾經(jīng)濟(jì)學(xué)獎(jiǎng)獲得者麥克法登等國(guó)際著名學(xué)者以及泰國(guó)上議院議長(zhǎng)素春·差里科、泰國(guó)公主詩(shī)琳通等先后應(yīng)聘擔(dān)任華僑大學(xué)名譽(yù)教授。

第五篇：華僑大學(xué)

華僑大學(xué)課題組主要成員

郭亨群

1944年10月生，華僑大學(xué)教授，材料學(xué)博士生導(dǎo)師.1968年畢業(yè)于北京大學(xué)技術(shù)物理系，1984年—1986年作為教育部公派訪問學(xué)者到英國(guó)倫敦帝國(guó)理工學(xué)院作研究工作，1993年—1994年由國(guó)家教委公派高級(jí)訪問學(xué)者到美國(guó)圣地亞哥加利福尼亞大學(xué)合作研究，1996年—2004年任華僑大學(xué)副校長(zhǎng)，現(xiàn)為福建省物理學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)，福建省留學(xué)生同學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)。長(zhǎng)期從事納米材料研究，近年來(lái)在硅基納米材料結(jié)構(gòu)及其光電特性研究方面取得一系列研究成果.主持過國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目子課題，國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目子課題和國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，參加過863項(xiàng)目和福建省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目研究，主持過多項(xiàng)福建省自然科學(xué)基金和國(guó)務(wù)院僑辦基金項(xiàng)目，在國(guó)內(nèi)外雜志上發(fā)表50多篇論文，獲福建省第四屆自然科學(xué)優(yōu)秀學(xué)術(shù)論文二等獎(jiǎng)，2005年8月國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)為享受政府特殊津貼專家.承擔(dān)的科研項(xiàng)目: 1 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目: 納米Si-SiNx 復(fù)合薄膜和Si/SiNx 多量子阱材料制備和非線性光學(xué)性質(zhì)研究(項(xiàng)目編號(hào)60678053), 2007年1月-2009年12月 2國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目”硅基光電子學(xué)關(guān)鍵器件的基礎(chǔ)研究”(項(xiàng)目編號(hào)60336010)子課題: Si基納米材料發(fā)光和非線性光學(xué)效應(yīng)研究, 2004年1月—2007年12月 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目: 多層納米硅復(fù)合膜F-P腔皮秒光雙穩(wěn)研究(項(xiàng)目編號(hào)60178038), 2002年1月-2002年12月 國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目“半導(dǎo)體光子集成基礎(chǔ)研究”（項(xiàng)目編號(hào)69896060）子課題: 硅基非線性吸收效應(yīng)及其器件應(yīng)用, 1998年1月—2001年12月近期已發(fā)表的主要論著目錄： Nonlinear optical response of nc-Si-SiO2 films studied with femtosecond four-wave mixing technique.Chinese Physics Letters, 23(11): 2989-2992(2006)2 納米Si鑲嵌SiO2薄膜的發(fā)光與非線性光學(xué)特性的應(yīng)用.半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 27(2): 345-349(2006)3 Nonlinear optical properties of Al-doped ncSi-SiO2 composite films.半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 28(5): 640-644(2007)4 射頻磁控濺射制備摻Al的納米Si-SiO2復(fù)合薄膜及其光致發(fā)光特性.功能材料,37(11): 1706-1708(2006)5

Top-emitting organic light-emitting devices with improved light outcoupling and angle-independence.J.Phys.D: Appl.Phys.39(23): 5160-5163(2006)6 360-nm photoluminescence from silicon oxide films embedded with silicon nanocrystals.Semiconductor Photonics and Technology, 12(2): 90-94(2006)7 富硅的氮化硅薄膜的制備及發(fā)光特性.半導(dǎo)體光電,28(2): 209-212(2007)8 富納米硅氮化硅薄膜發(fā)光機(jī)制.華僑大學(xué)學(xué)報(bào), 28(2): 147-150(2007)9 含納米硅氧化硅薄膜的光致發(fā)光特性.華僑大學(xué)學(xué)報(bào),27(3): 256-258(2006)10 含納米硅粒SiO2薄膜的光致發(fā)光.華僑大學(xué)學(xué)報(bào), 27(1):35-38(2006)11 多層納米硅復(fù)合膜的共振光學(xué)非線性.光子學(xué)報(bào), 31(11):1340-1343(2002)12 Nonlinear absorption properties of nc-Si:H thin films.Chinese Journal of Lasers.B10(1):57-60(2001)

陳國(guó)華

1964年1月生, 博士, 華僑大學(xué)教授, 材料學(xué)博士生導(dǎo)師.1984年畢業(yè)于廈門大學(xué)化學(xué)系, 1987年于吉林大學(xué)化學(xué)系獲理學(xué)碩士學(xué)位, 1999年于天津大學(xué)材料科學(xué)與工程系獲工學(xué)博士學(xué)位.1995年5月-1995年12月在日本岐阜大學(xué)工學(xué)部作訪問學(xué)者, 2000年10月-2000年12月在日本長(zhǎng)崎工業(yè)技術(shù)中心任客座研究員, 2001年3月-2002年3月為美國(guó)密執(zhí)根大學(xué)化學(xué)系訪問學(xué)者.長(zhǎng)期從事納米材料研究，近年來(lái)進(jìn)行石墨在聚合物基體的納米分散研究和聚合物/石墨納米復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)與性能研究.1999年5月被授予福建省新長(zhǎng)征突擊手稱號(hào), 2004 年入選教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃, 2004年“天然石墨在聚合物基體中的納米分散研究”獲福建省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。承擔(dān)的科研項(xiàng)目: 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目：聚合物/納米石墨高度有序復(fù)合及其各向異性研究(項(xiàng)目編號(hào)20574025), 2006年1月—2008年12月 2 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目：石墨納米微片的自組裝及其納米復(fù)合材料的特性研究(項(xiàng)目編號(hào)50373015), 2004年1月—2006年12月 3 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目：石墨的接枝插層及其聚合物納米復(fù)合體系的界面作用研究(項(xiàng)目編號(hào)20174012), 2002年1月—2004年12月 福建省重點(diǎn)科技項(xiàng)目：聚合物/石墨納米復(fù)合電磁屏蔽涂料研究(項(xiàng)目編號(hào)2003I032),2003年5月-2006年4月 福建省納米材料重大科技專項(xiàng)：納米光電功能材料研制專題(項(xiàng)目編號(hào)2005HZ01-4),2006年1月-2008年12月

近期已發(fā)表的主要論著目錄： 1 Preparation and surface characterization of highly ordered polymer/graphite nanosheet composites.Materials and Manufacturing Processes, 22:733-736(2007)2 The electrical properties of graphite nanosheet filled immiscible polymer blends.Materials Chemistry & Physics, 104:240-3(2007)3 Dispersion of graphite nanosheets in polymer resins via masterbatch technique.J Appl Polym Sci ,103（6）：3470-5（2007）Voltage-induced resistivity relaxation in HDPE/graphite nanosheet composite.Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics , 45:860-863(2007)5 Piezoresistivie behaviors study on finger-sensing silicone rubber /graphite nanosheet nanocomposite.Advanced Functional Materials,17(6):898-904(2007)6 Fabrication of polyethylene /graphite nanocomposite from modified expanded graphite.Polymer International, 56:676-685(2007)

7HDPE/EG nanocomposites prepared via a masterbatch process.Polymer Engineering and Science, 47(6):882-888(2007)8 Study on the acrylic resin /graphite nanosheet electromagnetic interference shielding coatings.Progress in Organic Coatings, 59(2):101-5(2007)Silicone rubber/ graphite nanosheet electrically conducting nanocomposite with a low percolation threshold.Polym.Comp.28(4):493-498(2007)10 Facile preparation of epoxy-based composite with oriented graphite nanosheets.Polymer, 47:8401-5（2006）Epoxy resin/graphite nanosheets electrically conductive nanocomposite.Materials and Manufacturing Processes, 21:167-171(2006)12 Nonlinear DC response in high-density polyethylene/graphite nanosheets composites.Journal of Materials Science, 41:1785-1790(2006)13 Non-universal transport behavior in heterogeneous high-density polyethylene/graphite nanosheets composites.Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics, 44(13): 1846-1852(2006)14 Alteration of the optical properties of poly 9,9'-dioctylfluorene by TiO2 nanocrystalline.Journal of Non-Crystalline Solids, 352:2536-2538(2006)15 Unsaturated polyester resin/graphite nanosheet conducting composite and its electrical properties.Polymer, 47(12): 4440-4444(2006)Novel piezoresistive material from directed shear-induced assembly of graphite nanosheets in polyethylene.Advanced Functional Materials,15（8）:1358-1363（2005）PTC effect of polyethylene/foliated graphite nanocomposites.J.Mater.Sci, 40(18): 5041-5043(2005)林碧洲

1967年11月生，博士，華僑大學(xué)教授，材料學(xué)博士生導(dǎo)師.1989年畢業(yè)于廈門大學(xué)物理系，1999年于福州大學(xué)化學(xué)系獲博士學(xué)位.主要研究方向?yàn)闊o(wú)機(jī)功能材料和材料的分子設(shè)計(jì)與合成.2004年12月” 鈮鎢酸鉭鎢酸光催化納米復(fù)合材料研究”獲福建省科學(xué)技術(shù)三等獎(jiǎng), 2005年10月 入選福建省“百千萬(wàn)人才工程”，2006年5月被授予福建省新長(zhǎng)征突擊手稱號(hào).承擔(dān)的主要科研項(xiàng)目: 1 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目：層柱金屬硫化物—新型多孔復(fù)合材料的研究（項(xiàng)目編號(hào)50172016）, 2002年1月-2004年12月 福建省自然科學(xué)重點(diǎn)基金項(xiàng)目：金屬氧簇基配位聚合物的組裝及性能研究（項(xiàng)目編號(hào)E0420001）, 2004年5月-2007年4月

3福建省自然科學(xué)基金項(xiàng)目: 多酸化合物光氧化催化材料的研究(項(xiàng)目編號(hào)D0010010), 2000年5月-2002年4月

近期已發(fā)表的主要論著目錄： Preparation and characterization of organic-inorganic poly(ethylene glycol)/WS2

nanocomposite, Materials Research Bulletin,(in press, doi: 10.1016/j.materresbull.2006.11.030).Zr-intercalated molybdenum disulfide: preparation, characterization and catalytic activity in nitrobenzene hydrogenation.J.Porous Mater.,(in press, doi 10.1007/s10934.006.9076.0).3 Layered nanocomposites based on molybdenum disulfide and hydroxy-NiAl oligocations: characterization and catalytic activities in oxidation of sulfide.J.Porous Mater.,(in press, doi: 10.1007/s10934.006.9041.y).4 Preparation and electrical conductivity of polyethers/WS2 layered nanocomposites.Electrochimica Acta, 52(9): 3028 – 3034(2007)5 First Strandberg-type polyoxotungstate compound: synthesis and characterization of organic-inorganic hybrid(H2en)(Hen)2[H2P2W5O23]?5.42H2O.J.Mol.Struct.825(1-3): 87 ? 92(2006)Bis(iminodiethylenediammonium)di-?5-hydrogen-phospho-pentamolybdate(VI)tetrahydrate.Acta Crystallogr.Sect.C, 62(8): m355 ? m357(2006)Synthesis, structure and characterization of a inorganic-organic hybrid Dawson polyoxotungstate(H2en)3[P2W18O62] ?6.48H2O.J.Mol.Struct., 783(1-3): 176-183(2006)8 Tris(ethylenediamine)nickel(II)tetraoxomolybdate(VI), [Ni(en)3][MoO4].Acta Crystallogr.Sect.E, 62(3): m532-m534(2006)9 Tris(ethylenediamine)zinc(II)molybdate(VI), [Zn(en)3][MoO4].Acta Crystallogr.Sect.C, 61(6): m313-m314(2005)10 Hydrothermal synthesis and structure of a mixed-valence polyoxotungstate decorated by copper(I)group, [Cu(en)2H2O]2 [{Cu(en)2}HPW12O40]?2H2O.Chinese J.Struct.Chem., 24(5): 608-614(2005).11 Hydrothermal synthesis and characterization of a new hybrid organic-inorganic compound [Cd(en)3]MoO4.J.Mol.Struct., 741(1): 31-35(2005)Preparation and characterization of nanocomposite materials consisting of molybdenum disulfide and cobalt(II)coordination complexes.J.Mater.Chem., 14(13): 2001-2005(2004)

陳曉虎

1965年生，博士，華僑大學(xué)副研究員，材料學(xué)碩士生導(dǎo)師。1987年畢業(yè)于景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院材料工程系，1994年于江蘇大學(xué)材料學(xué)院金屬材料及熱處理專業(yè)獲工學(xué)碩士學(xué)位, 1997年于南京航空航天大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院機(jī)械制造專業(yè)獲工學(xué)博士學(xué)位.主要研究方向?yàn)樾滦徒饘俨牧希▔K狀金屬玻璃、納米晶及非晶態(tài)合金）和金屬-陶瓷復(fù)合材料 承擔(dān)的主要科研項(xiàng)目: 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目：調(diào)幅分解型梯度材料的自生成機(jī)理及相穩(wěn)定性研究（項(xiàng)目編號(hào)50271027）, 2003年1月-2003年12月 福建省自然科學(xué)基金項(xiàng)目： 基于相圖計(jì)算的塊狀鐵基金屬玻璃形成能力的研究（項(xiàng)目編號(hào)E0310021）, 2003年5月-2006年4月 福建省自然科學(xué)基金項(xiàng)目：復(fù)合粉體材料的制作及相穩(wěn)定性的研究(項(xiàng)目編號(hào)E0310023), 2003年5月-2006年4月 福建省重點(diǎn)科技項(xiàng)目: 強(qiáng)磁性鐵基塊狀金屬玻璃的設(shè)計(jì)、開發(fā)及其性質(zhì)研究(項(xiàng)目編號(hào)2002I018), 2002年5月-2005年4月 福建省青年科技人才創(chuàng)新項(xiàng)目：利用液相調(diào)幅分解性質(zhì)制備新型結(jié)構(gòu)金屬?gòu)?fù)合材料（項(xiàng)目編號(hào)2002J010）, 2003年1月-2004年12月

近期已發(fā)表的主要論著目錄： 機(jī)械合金化制備Fe-Zr-B非晶合金及其晶化動(dòng)力學(xué)行為研究.中國(guó)粉體技術(shù), 12(3):12-15(2006)2 Fe-Zr-B非晶合金的機(jī)械合金化制備與非晶化機(jī)制研究.金屬功能材料, 13(2):6-10(2006)3 機(jī)械激活法合成鈦酸鋁粉體中的各向異性生長(zhǎng).陶瓷學(xué)報(bào),27(1):88-91(2006)4 機(jī)械激活法合成鈦酸鋁粉體的XRD分析.陶瓷學(xué)報(bào)，26(4):221-224(2005)5 Calculation of the self-formation driving force for composite microstructure in liquid immiscible alloy system.PROGRESS IN NATURAL SCIENCE，2005,Feb 6 液相不溶型合金復(fù)合組織自形成驅(qū)動(dòng)力的解析.自然科學(xué)進(jìn)展，14(12):1459-1464(2004)7 金屬轉(zhuǎn)移層對(duì)氧化鋁基自潤(rùn)滑復(fù)相陶瓷磨損行為的影響.中國(guó)陶瓷工業(yè), 8(2):22-25(2001)8 激光誘導(dǎo)碳等離子體在強(qiáng)激光沖擊合成金剛石微晶中的作用.南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào),32(4):417-421(2000)9 The effects of solid lubricant varieties on the properties of self-lubricating Al2O3-based ceramic composite materials.J.Aust.Ceram.Soc.,2001,July 課題組工作條件

本單位有Bruker AXS 公司 D8 Advance型 X射線衍射儀, S-3500N掃描電子顯微鏡，SDT2960 Simultaneous DSC-TAG 差熱分析儀, NEXUS 470傅里葉變換紅外光譜儀，RF-5301 PC熒光光譜儀，UV-3100紫外—可見—近紅外分光光度計(jì)，Agilent 86140B光譜分析儀, 高真空多功能薄膜制備系統(tǒng)，L4514程控退火爐，SMG-1對(duì)撞脈沖鎖模Nd:YAG激光系統(tǒng)，GKLD-1聲光調(diào)Q Nd:YAG激光器，Agilent 81600 B 可調(diào)諧激光器等。