第一篇：碳酸鈰-中國有色金屬標準質(zhì)量信息網(wǎng)

國家標準《碳酸鈰》編制說明

(預審稿)

一、工作簡況

1.任務背景

稀土元素于新能源、新材料等高科技發(fā)展不可缺少，在航天航空、國防軍工領域尤其具有廣泛的應用價值。鈰是稀土礦中含量最多的元素，其應用領域非常廣泛，幾乎所有的稀土應用領域中都含有鈰。如拋光粉、儲氫材料、熱電材料、鈰鎢電極、陶瓷電容器、壓電陶瓷、鈰碳化硅磨料、燃料電池原料、汽油催化劑、某些永磁材料、各種合金鋼及有色金屬等。主要用于制備稀土發(fā)光材料、汽車尾氣凈化催化劑用儲氧材料、拋光材料及彩色工程塑料用顏料，還可用于醫(yī)藥治療和化學試劑等。作為玻璃添加劑，納米氧化鈰能吸收紫外線與紅外線，現(xiàn)已被大量應用于汽車玻璃。不僅能防紫外線，還可降低車內(nèi)溫度，從而節(jié)約空調(diào)用電;應用于汽車尾氣凈化催化劑，可有效降低汽車廢氣排放污染物;對于顏料，硫化鈰可取代鉛、鎘等對環(huán)境和人類有害的重金屬;對塑料著色，用于涂料、油墨和紙張等行業(yè);在醫(yī)學方面，研究證實氯化鈰(Ⅲ)、硝酸鈰(Ⅲ)和硫酸鈰(Ⅳ)具有防腐作用，鈰化合物由于其抑菌和殺菌作用特別用于局部燒傷處理中，特別是硝酸鈰廣泛用于燒傷創(chuàng)傷的治療;碳酸鈰可作為制取溴化鈰的原料，溴化鈰摻雜的溴化鑭單晶表現(xiàn)出優(yōu)異的閃爍性能，溴化鈰的應用包括安全性、醫(yī)學成像和地球物理探測器，溴化鈰的未摻雜單晶也顯示出在類似領域以及石油勘探和環(huán)境修復中的伽馬射線閃爍探測器的應用前景。

碳酸鈰產(chǎn)品通過稀土礦產(chǎn)品在冶煉分離廠生產(chǎn)。目前《碳酸鈰》國家標準是由江西金世紀新材料股份有限公司負責起草，1996年首次制定，2008年第一次修訂的。國外迄今暫無這方面的產(chǎn)品標準。自2008年第一次修訂以來，雖然標準使用狀況良好，多數(shù)廠家以此作為生產(chǎn)和貿(mào)易標準。但隨著鈰產(chǎn)品在不同領域、不同階段的應用發(fā)展，應用廠家的不斷增多，特別是近年來在環(huán)保、醫(yī)藥、催化劑、絕緣材料添加劑等領域不斷有對高純（大于4N）碳酸鈰產(chǎn)品的需求，且對產(chǎn)品的技術(shù)條件也提出了許多新要求，為此，我公司做了前期調(diào)研工作，以E-mail、電話、QQ等形式征詢各主要生產(chǎn)廠家及用戶單位對碳酸鈰產(chǎn)品標準修訂的意見和建議，覺得為生產(chǎn)和貿(mào)易的需求，有必要對該標準進行修訂。

2.任務來源

根據(jù)國標委綜合[2016]80號文件《國家標準委關(guān)于下達《高碳鉻不銹軸承鋼》等62項國家標準制修訂計劃的通知》，《碳酸鈰》國家標準計劃正式下達，計劃編號20161877-T-469，完成年限2017年。

本標準負責起草單位：江西金世紀新材料股份有限公司，本標準報名參與起草單位：益陽鴻源稀土有限公司、江陰加華新材料資源有限公司、中國北方稀土（集團）高科技股份有限公司、包頭華美稀土高科技有限公司、四川江銅稀土有限責任公司、有研稀土新材料股份有限公司、四川省樂山銳豐冶金有限公司、包頭稀土研究院、廣東珠江稀土有限公司、湖南稀土金屬材料研究院、虔東稀土集團股份有限公司、全南縣新資源稀土有限責任公司、泰安麥豐新材料科技有限公司。

3.起草單位情況

江西金世紀新材料股份有限公司前身為江西省稀土研究所，成立于1984年，是江西省七、八十年代對稀土戰(zhàn)略規(guī)劃時在原六0三廠稀土研究室和稀土車間的基礎上成立的省級科研所。2001年改制為江西金世紀新材料股份有限公司，控股股東為江西冶金集團。2010年6月江西稀有金屬鎢業(yè)控股集團有限公司成為公司控股股東。

我公司自上世紀六十年代開始稀土分離冶煉研究，是國內(nèi)最早從事稀土分離研究和生產(chǎn)的企業(yè)之一。公司經(jīng)過多年努力已發(fā)展成為集科研、生產(chǎn)和經(jīng)營為一體的省級科、工、貿(mào)實體，屬國家高新技術(shù)企業(yè)。公司生產(chǎn)設備優(yōu)良，技術(shù)力量優(yōu)厚，各類專業(yè)技術(shù)人員占職工總數(shù)的30%以上。公司有濕法和火法冶煉兩個生產(chǎn)區(qū)，共四個生產(chǎn)車間六條生產(chǎn)線，具有處理南、北稀土礦的綜合能力，可生產(chǎn)稀土氧化物、碳酸鹽、氟化物、氫氧化物、稀土金屬及合金等40個系列160多個品種的稀土產(chǎn)品。碳酸鈰產(chǎn)品屬我公司的主打產(chǎn)品，產(chǎn)品品位高，雜質(zhì)含量低，各種物性指標控制良好，產(chǎn)品在國際市場上獲得很高的信譽，每年出口 600噸左右。

公司現(xiàn)有員工164人，專業(yè)技術(shù)人員53人，其中教授級高工2人，高級工程師7人，特聘博士生導師4人，副研究員4人。他們大都長期從事稀土分離、稀土金屬、稀土材料金屬的研制、開發(fā)和生產(chǎn)，具有豐富的實踐經(jīng)驗和扎實的理論基礎。先后承擔國家“六五”、“八五”、“九五”等科技攻關(guān)項目二十余項，獲包括國家科技大會獎科技成果二十余個，開發(fā)出國家級、省部級新產(chǎn)品三十多個。公司分析檢測設備齊全，擁有先進的ICP原子發(fā)射光譜儀、X-熒光光譜儀、定碳儀與定氧分析儀、粒度分布儀等，可充分滿足公司科研和生產(chǎn)的需要。

4.本標準編制計劃

2017.01-03：調(diào)研、查閱資料，了解國內(nèi)關(guān)于碳酸鈰的生產(chǎn)動態(tài)及應用領域的變化，完成資料的消化吸收，編寫《碳酸鈰》國家標準初稿、編寫編制說明，組織相關(guān)技術(shù)人員對標準初稿及編制說明進行討論，并對標準初稿進行完善；

2017.04-05：發(fā)出《碳酸鈰》標準的征求意見稿，根據(jù)反饋回來的意見和建議，完善標準的征求意見稿，進行修定后形成預審稿；

2017.08：完成預審，將預審會出現(xiàn)的問題進一步驗證，形成送審稿；

2017.11：根據(jù)稀標委的安排，參加送審稿的討論，完成《碳酸鈰》標準終審。

二、本標準編制原則和修訂的主要內(nèi)容

1.編制原則和依據(jù)

（1）本標準根據(jù)GB/T1.1-2009《標準化工作導則》的規(guī)定編寫；

（2）充分滿足市場并有利于創(chuàng)新發(fā)展的原則；

（3）本著通用性的原則，使得標準既要滿足現(xiàn)有大多數(shù)產(chǎn)品的需要，同時充分考慮國內(nèi)外相關(guān)技術(shù)發(fā)展趨勢，使得本標準具有技術(shù)先進性的要求。

2.本標準修訂的主要內(nèi)容及工作過程

為使碳酸鈰生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量得到保證和更大提高，使生產(chǎn)規(guī)范化。本標準在修定初期時，做了前期調(diào)研工作，以E-mail、電話、QQ等形式征詢主要生產(chǎn)廠家和用戶單位對碳酸鈰標準修訂的意見和建議，本著通用性的原則，既要考慮到生產(chǎn)技術(shù)的先進性，生產(chǎn)企業(yè)的廣泛性，又要考慮到標準的實用性及可操作性，以保證本標準具有技術(shù)先進性的要求。

2.1 本標準修訂的主要內(nèi)容

根據(jù)目前碳酸鈰的生產(chǎn)工藝和用戶對碳酸鈰的質(zhì)量要求，在原標準基礎上，作如下修訂：

(1)隨著稀土生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，鈰產(chǎn)品在不同領域、不同階段得到了更多的應用和發(fā)展。目前市場上客戶對碳酸鈰產(chǎn)品提出越來越高的要求，生產(chǎn)工藝方面隨著技術(shù)的革新和進步，生產(chǎn)的碳酸鈰產(chǎn)品純度和品質(zhì)也越來越高，這類產(chǎn)品用途更為高端、前沿，價值也越高，此次增加023245牌號產(chǎn)品以填補這一空白;

(2)原各牌號產(chǎn)品的稀土雜質(zhì)指標均不變;(3)適當修改了原標準中非稀土雜質(zhì)指標。牌號023240產(chǎn)品Na2O指標由0.02%調(diào)整為0.01%，牌號023235產(chǎn)品Na2O指標由0.05%調(diào)整為0.02%；牌號023240產(chǎn)品ZnO指標由0.005%調(diào)整為0.003%，牌號023235產(chǎn)品ZnO指標由0.008%調(diào)整為0.005%；牌號023235產(chǎn)品Cl-指標由0.05%調(diào)整為0.03%。主要體現(xiàn)了產(chǎn)品質(zhì)量的升級;(4)刪除牌號023230A。常規(guī)碳酸鈰TREO要達到60%以上是不可能的，除非是無水碳酸鈰或者非正碳酸鹽。該牌號產(chǎn)品TREO要求不小于60%，TREO與純度之間并沒有對應關(guān)系，且非稀土雜質(zhì)指標和修訂后的牌號023235產(chǎn)品指標相同;(5)刪除牌號023215。該牌號產(chǎn)品嚴格意義講應屬鑭鈰碳酸鹽一類。

三、國內(nèi)外主要標準、企業(yè)標準牌號綜述分析

經(jīng)查新、檢索，國內(nèi)外尚無碳酸鈰的相關(guān)標準。

四、標準中如涉及專利，應有明確的知識產(chǎn)權(quán)說明

截至目前，尚未發(fā)現(xiàn)與本標準內(nèi)容相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)的問題。

五、國家標準作為強制或推薦性國家標準的建議

此次修定的《碳酸鈰》國家標準建議為推薦性國家標準。

六、致謝

本標準在起草過程中得到了全國稀土標準技術(shù)委員會秘書處的指導與幫助，同時對提供過數(shù)據(jù)、信息和建議的所有單位表示感謝！

江西金世紀新材料股份有限公司 二〇一七年七

第二篇：全國優(yōu)秀質(zhì)量管理小組-中國有色金屬標準質(zhì)量信息網(wǎng)

附件1: 全國優(yōu)秀質(zhì)量管理小組、全國質(zhì)量信得過班組、全國質(zhì)量管理小組活動優(yōu)秀企業(yè)、有色金屬工業(yè)質(zhì)量管理小組活動卓越領導者、有色金屬工業(yè)質(zhì)量管理小組活動優(yōu)秀推進者推薦條件及要求

一、全國優(yōu)秀質(zhì)量管理小組

1.圍繞企業(yè)方針、目標及生產(chǎn)、經(jīng)營、服務活動中存在的問題開展活動，取得顯著成效，其經(jīng)驗有普遍推廣意義；

2.注重全員參與、活動過程和活動結(jié)果，并有創(chuàng)新； 3.堅持學習《QC小組基礎教材》、《QC小組活動指南》、《中國質(zhì)量》等相關(guān)書籍和雜志，積極參與、實踐并傳播QC小組活動知識、經(jīng)驗和有關(guān)業(yè)務、技術(shù)知識，不斷提高技能和管理水平；

4.要求各地區(qū)、行業(yè)推薦時應做到：

(1)優(yōu)先推薦以現(xiàn)場工人為主體，并具有“小、實、活、新”特點的質(zhì)量管理小組；

(2)重視小組現(xiàn)場活動記錄和憑證；

(3)評委應具備中國質(zhì)協(xié)質(zhì)量管理小組活動診斷師資格，并保持公正性；

(4)注重交流和學術(shù)研討。

二、全國質(zhì)量信得過班組

1.以行政班組為單位，以質(zhì)量工作為中心，注重工作和服務現(xiàn)場管理，搞好班組建設，各項基礎管理工作健全、落實；

2.堅持“質(zhì)量第一”方針，全班組職工質(zhì)量意識強、班組產(chǎn)品、服務質(zhì)量達到同行業(yè)、同工序先進水平，做到“自己信得過，用戶信得過”；

3.班組運用全面質(zhì)量管理的思想和方法，遵循PDCA循環(huán)的科學程序，運用各種有效的方法和手段（如6S、TPM、精益生產(chǎn)、可視化管理等）開展活動，近兩年內(nèi)質(zhì)量有明顯提高，有當年活動成果，在本地區(qū)、本行業(yè)名列前茅；

4.班組成員積極參與QC小組等群眾性質(zhì)量改進活動，并獲得省、行業(yè)級以上的優(yōu)秀成果。

三、全國質(zhì)量管理小組活動優(yōu)秀企業(yè)

1.領導質(zhì)量意識強，在推動QC小組活動上新臺階、推行全面質(zhì)量管理和貫徹ISO 9000族標準、實施卓越績效模式方面取得突出的成績；

2.群眾性質(zhì)量管理活動在省、市、行業(yè)名列前茅，推動QC小組活動上新臺階的經(jīng)驗有特色，有普遍推廣意義；

3.近三年內(nèi)有全國優(yōu)秀質(zhì)量管理小組并在省、行業(yè)以上報刊上發(fā)表過論文、成果及有關(guān)經(jīng)驗；

4.每個地區(qū)、行業(yè)只推薦一個，然后優(yōu)中選優(yōu)。

四、有色金屬工業(yè)質(zhì)量管理小組活動卓越領導者 對開展質(zhì)量管理小組活動的意義和作用有深刻認識，并能積極為本企業(yè)廣泛、深入、持久地開展質(zhì)量管理小組活動創(chuàng)造條件予以支持的廠級主要領導人；

企業(yè)質(zhì)量管理小組活動能做到經(jīng)常化、制度化、程序化，質(zhì)量管理小組普及率、活動率、成果率在本行業(yè)中居于較高水平，多年來有行業(yè)優(yōu)秀質(zhì)量管理小組；

質(zhì)量管理小組活動能與企業(yè)中心工作、企業(yè)質(zhì)量文化建設緊密結(jié)合，并取得明顯的經(jīng)濟效益和社會效益；

五、有色金屬工業(yè)質(zhì)量管理小組活動優(yōu)秀推進者 從事質(zhì)量管理小組工作5年以上；

在本崗位對質(zhì)量管理小組活動作出突出貢獻； 辦事公正、作風正派，在群眾中有較高威望；

第三篇：硅拋光片表面顆粒測試方法-中國有色金屬標準質(zhì)量信息網(wǎng)

國家標準《硅拋光片表面顆粒測試方法》

（討論稿）編制說明

一、工作簡況 1.標準簡況：

近年來，隨著大規(guī)模集成電路使用硅片直徑的增大和品質(zhì)的極大提升，襯底片表面的納米級顆粒和微小缺陷（像COP）嚴重影響器件的質(zhì)量，直接影響著供需雙方的成品率。因此，拋光片、外延片等鏡面表面的顆粒要求已成為關(guān)鍵參數(shù)，也是出廠和進貨檢驗的主要參數(shù)。由于國內(nèi)外硅拋光片外延片直徑越來越多，而要求的顆粒直徑越來越小，一般都要求對0.10到0.5微米直徑的顆粒進行探測和計數(shù)。這已經(jīng)遠遠超過了人的肉眼可以辨別的極限，因此各企業(yè)對拋光片表面顆粒、COP等眾多缺陷的檢驗基本上都依賴硅片表面檢查系統(tǒng)（簡稱SSIS）。在修訂后的標準中體現(xiàn)如何正確使用該方法和設備設置，并正確評價測量結(jié)果。使標準修訂后具有更普遍的實用性。

由于顆粒的測量的主要原理是利用SSIS產(chǎn)生的激光束在待測鏡面晶片表面進行掃描，并收集和確定來自晶片表面的局部散射光（LLSs）的強度和位置，與事先設置的一組已知尺寸的聚苯乙烯乳膠球等效的散射光（LSE）的強度進行比較，得到晶片表面的一系列不同直徑尺寸的LLS的總數(shù)和分布，將其作為晶片表面的顆粒尺寸和數(shù)量。換句話說，從一個未知的LLS收到的信號相當于從一個已知尺寸的聚苯乙烯膠乳（PSL）獲得的信號。

除此之外，掃描儀對散射光與反射光的區(qū)分收集和處理，也可得到晶片表面的劃傷、桔皮、拋光液殘留；外延片表面劃傷、棱錐、乳突等大面積缺陷。

通過對晶片表面小的凸起和凹陷的辨別及其在片子上位置的分布特征，可以探測分辨出COP。

通過對檢測背景信號中低頻信號的處理，得到晶片表面微粗糙度的參數(shù)Haze(霧)。因此現(xiàn)在的SSIS已經(jīng)可以探測鏡面晶片上幾乎所有類型的缺陷。隨著硅片拋光和外延工藝的不斷進步，晶片表面其他大面積缺陷，像劃傷、桔皮、波紋、棱錐、堆垛層錯等等數(shù)量上也越來越少了。更多的還是顆?；蛘逤OP。習慣上我們所有這些表面缺陷粗略的統(tǒng)稱為顆粒。在標準名稱上我們也沿用了這一習慣。

由于本方法本身是相對測量，且晶片表面的外來的凸起顆粒、晶體缺陷或加工中帶來的凹坑、劃痕等等各種缺陷都會帶來入射光的散射、反射；而不同廠家、不同型號或不同級別的檢測設備在設計、結(jié)構(gòu)、信號處理等各個方面的差異都可能反映在檢測結(jié)果上。因此如何保證測量的重復性、保證測量結(jié)果的相對準確性以及各個廠家、不同類型的顆粒儀進行比對變成了當前迫切需要解決的問題?，F(xiàn)行標準已有十年的標齡，檢測設備的不斷發(fā)展改進，也使得測試方法中的部分適用范圍、干擾因素、參考樣品、校準方法、測量步驟及重復性、準確性等都需要修訂。因此迫切需要修訂原標準，使之保持先進性，對實踐起到指導作用。

該標準標齡已超過十年，原標準制定時我們征求了當時兩個主要設備生產(chǎn)商KLA-TENCOR和ADE的意見，在審定時他們分別派人到會，給了我們非常有力的技術(shù)支持。十年來，本標準涉及的SSIS設備有了很大的發(fā)展和改進，涉及的SEMI標準也有很大改變，我們結(jié)合對這四個標準SEMI標準的理解，站在使用者的角度，在原標準的基礎上總結(jié)歸納，提出了該標準的修訂意見。2.任務來源

根據(jù)國標委綜合[2015]52號文件《關(guān)于下達2015年第2批國家標準修制定計劃的通知》，由有研半導體材料有限公司負責國家標準《硅拋光片表面顆粒測試方法》的制定工作。

3.項目承擔單位概況

有研半導體材料有限公司，原名有研半導體材料股份有限公司。是由北京有色金屬研究總院（簡稱“有研總院”）作為獨家發(fā)起人設立的股份有限公司，成立于1999年3月，并在上海證券交易所掛牌上市（股票簡稱“有研硅股”），主營半導體材料。2014年3月，有研總院決定將主營業(yè)務擴展為半導體材料、稀土材料、高純/超高純金屬材料以、光電材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，因此更名為有研新材料股份有限公司。2014年11月，根據(jù)有研總院的決定，硅材料板塊的全部資產(chǎn)和業(yè)務從有研新材料股份有限公司中剝離到有研總院控股的有研半導體材料有限公司，繼續(xù)繼續(xù)硅材料的生產(chǎn)、研發(fā)和銷售，至此更名為：有研半導體材料有限公司。

該公司的前身是有研總院下屬的硅材料研究室，建國以來，一直致力于硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)，并承擔了“九五”、“十五”“十一五”期間國家硅材料領域多項重大攻關(guān)任務和產(chǎn)業(yè)化工程，并支撐和帶動了國內(nèi)相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展。現(xiàn)已形成具有一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)體系和產(chǎn)品品牌，目前主要生產(chǎn)5-8英寸硅單晶及拋光片，并一直開展12英寸拋光片的研發(fā)和生產(chǎn)。產(chǎn)品可用于集成電路、分立器件、太陽能等多個領域，遠銷美國、日本、西班牙、韓國、臺灣、香港等地，在國內(nèi)外市場具有較高的知名度和影響力。4.主要工作過程

本項目在下達計劃后，我們組織了專門的標準編制小組，進行了設備、用戶要求、相關(guān)標準應用等方面的調(diào)研和收集；在對SEMI M35—1114、SEMI M50—1115、SEMI M52—0214、SEMI M53—0310充分理解的基礎上，結(jié)合多年來國內(nèi)外用戶對硅片表面顆粒的要求和測試實踐，修改了本標準。

2016年3月，將本標準的草稿郵件給各相關(guān)單位征求意見；

2016年4月26日，由全國半導體材料標準化分技術(shù)委員會組織，在江蘇省泰州市召開《拋光片表面顆粒測試》標準第一次工作會議（討論會），共有上海合晶硅材料有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所等單位的30多位專家參加了本次會議。由有研半導體材料有限公司起草的標準草案進行了逐字逐句的討論，并對編制組提交的討論稿達成修改意見和建議如下：

1、在1 范圍中：按照本標準規(guī)定……本標準適用于……的編寫格式重新組織范圍的內(nèi)容；

將“1.1本標準提供了應用掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）對硅拋光片、外延片表面的局部光散射體（LLSs，習慣上稱為顆粒）進行測試、計數(shù)和報告的程序。本標準同樣適用于鍺拋光片以及其他化合物拋光片。

1.2本標準提供了應用掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）對硅拋光片上COP進行分辨、測試、計數(shù)和報告的程序。本標準也可觀測晶片表面的劃傷、桔皮、凹坑、波紋等缺陷，以及對表征晶片表面微粗糙度的Haze。但這些缺陷的檢測、分類依賴于設備的功能，并與檢測時設備的初始設置有關(guān)?！备臑?/p>

“1.1 本標準規(guī)定了應用掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）對硅拋光片、外延片等鏡面晶片表面的局部光散射體（LLSs，習慣上稱為顆粒）進行測試、計數(shù)和報告的程序。規(guī)定了對延伸的光散射體（XLSs）、以散射光與反射光區(qū)分識別、測試、計數(shù)和報告的建議程序。

1.2 本標準適用于應用掃描表面檢查系統(tǒng)對硅拋光片和外延片表面的顆粒、劃傷、硅拋光片的COP的檢測、計數(shù)、分類。也適用于硅拋光片和外延片表面桔皮、波紋、表征晶片表面微粗糙度的Haze、硅外延片的棱錐、乳突等缺陷的觀測、識別，但這些缺陷的檢測、分類依賴于設備的功能，并與檢測時設備的初始設置有關(guān)。本標準同樣適用于鍺拋光片以及其他化合物拋光片等鏡面晶片。”；

2、對2 規(guī)范性應用文件：加上引用的SEMI標準的英文名稱；

3、在3術(shù)語中刪除“柱形圖”、和“測量系統(tǒng)分析”；增加如LLS、LSE、XLS、COP等與本標準相關(guān)的、在GB/T 14264《半導體材料術(shù)語》中已有的術(shù)語，以方便本標準的使用。且對SMIF術(shù)語增加描述。

4、將6.1.1設備一章中的“晶片夾持裝載系統(tǒng)”的進行分節(jié)6.1.1、6.1.2……描述。并重新排列第6章的順序號；

5、刪除”6.1.6整體系統(tǒng)可靠性要求”、和”6.2在規(guī)定的設置條件下，測量應有足夠的重復性。”

6、另加一章“7 環(huán)境要求”，將“6.3 表面掃描檢查系統(tǒng)應置于符合要求的潔凈環(huán)境中。應根據(jù)掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）的要求及被測顆粒的尺寸，確定潔凈環(huán)境的級別。安裝SMIF系統(tǒng)的可以適當?shù)慕档头胖铆h(huán)境。推薦使用4級或更高級別的潔凈間及相應的SMIF系統(tǒng)?！保浦?環(huán)境中。后面的章節(jié)號相應調(diào)整。

7將10 報告與11 精密度順序互換，并將報告中的內(nèi)容改為以英文字母順序分別表示。完成附錄C和D的內(nèi)容，并根據(jù)其D的內(nèi)容考慮與7參考樣片、8校準中內(nèi)容的修改。

根據(jù)討論會的紀要，我們又對SEMI 相關(guān)標準進行了更深入的分析，結(jié)合不同類型設備的設置、校準、測試情況，對本標準進行修改，形成了預審稿。

2017年4月12日，由全國半導體材料標準化分技術(shù)委員會組織，在廣東省深圳市召開《硅拋光片表面顆粒測試方法》標準第二次工作會議（預審會），共有中國計量科學研究院、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所等21個單位31位專家參加了本次會議。與會專家對標準資料從標準技術(shù)內(nèi)容和文本質(zhì)量等方面進行了充分的討論?，F(xiàn)將會議討論結(jié)果紀要如下：

1、2 規(guī)范性引用文件中增加GB/T 29506和GB/T 12964；

2、標準中術(shù)語的縮寫全部改為文字描述（例如LLS改為局部光散射體（LLS））；

3、確認是否有外延堆垛層錯的參考片。

根據(jù)預審會的紀要，將會上專家們的意見匯總并進行修改，形成了送審稿。

二、標準編制原則和確定標準主要內(nèi)容的論據(jù)

1按照GB/T 1.1和有色加工產(chǎn)品標準和國家標準編寫示例的要求進行格式和結(jié)構(gòu)編寫。

2參照SEMI M35 《自動檢測硅片表面特征的發(fā)展規(guī)范指南》、SEMI M53 《采用在無圖形的半導體晶片表面沉積已認證的單個分散聚苯乙烯乳膠球的方法校準掃描表面檢查系統(tǒng)的規(guī)程》、SEMI M50 《用于掃描表面檢查系統(tǒng)俘獲率和虛假計數(shù)率的測定方法》、SEMI M52 《關(guān)于130nm-11nm線寬工藝用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)指南》的內(nèi)容。

3與原標準相比，技術(shù)內(nèi)容上都有了很大的變化。與2005年版相比，具體變化如下： 3.1在1范圍中增加了“規(guī)定了對局部光散射體和延伸光散射體（XLSs）以及散射光與反射光的區(qū)分、識別、測試、計數(shù)和報告的建議程序”和“適用于拋光片和外延片表面的顆粒、COP的檢測、計數(shù)、分類；也適用于拋光片和外延片表面微粗糙度的Haze、外延片的棱錐、乳突等缺陷的觀測、識別。本標準同樣適用于鍺及其他化合物拋光片等鏡面晶片” ；及“針對130nm~11nm線寬工藝用硅片，本標準提供了掃描表面檢測系統(tǒng)的設置、測量建議”。

3.2在2.規(guī)范性引用文件中去除了原來的ASTM F1620、ASTM F1621和SEMI M1，增加了GB/T 6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法、GB/T 14264半導體材料術(shù)語、GB/T 12964硅單晶拋光片、GB/T 29506 300mm硅單晶拋光片、GB/T 25915.1 潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境、SEMI M35 自動檢測硅片表面特征的發(fā)展規(guī)范指南、SEMI M50 用于掃描表面檢查系統(tǒng)俘獲率和虛假計數(shù)率的測定方法、SEMI M52 關(guān)于130nm-11nm線寬工藝用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)指南、SEMI M53 采用在無圖形的半導體晶片表面沉積已認證的單個分散聚苯乙烯乳膠球（PLS）的方法校準掃描表面檢查系統(tǒng)的規(guī)程及SEMI M58 粒子沉積系統(tǒng)及工藝的評價測試方法。

3.3在3.術(shù)語和定義中增加了晶體原生凹坑、累計虛假計數(shù)率、動態(tài)方法、虛假計數(shù)率、變化率水平、匹配公差、標準機械接口系統(tǒng)、靜態(tài)方法的定義。去除了在GB/T 14264半導體材料術(shù)語已有的定義。

3.4將4.測試方法概述改為分類描述：4.1 局部光散射體（LLS）的測試描述；4.2利用與聚苯乙烯乳膠球（PLS）等效的散射光（LSE）的強度比較，得到晶片表面的顆粒尺寸和數(shù)量的描述。4.3通過對散射光與反射光的區(qū)分收集和處理，也可得到晶片表面的劃傷、桔皮、拋光液殘留，外延片表面劃傷、棱錐、乳突等大面積缺陷的描述。4.4探測分辨出晶體原生凹坑(COP)。4.5 Haze（霧）是由一個光學系統(tǒng)收集的，由入射光通量歸一化的總散射光通量的描述。

3.5在5.干擾因素中增加了5.2缺陷LLS的光散射截面強烈依賴于LES的特性的影響 ；5.4呈批銷售的聚苯乙烯乳膠球會呈現(xiàn)特定參數(shù)的差異的影響；5.10所有掃描表面檢查系統(tǒng)的靈敏度是與其對本底噪聲和識別最小局部光散射體（LLS）的能力有關(guān)的影響；5.12當設定了一種測試模式對應的Haze值范圍時，不同晶片的Haze差異過大可能導致虛假計數(shù)的影響；5.14間隔很近的特征可以被算作一個單一的散射的影響；5.16邊緣損傷導致在晶片F(xiàn)QA內(nèi)顆粒的錯誤計數(shù)的影響；5.18劃傷方向影響掃描響應的影響；5.19缺少對外延堆垛層錯類型的清晰識別帶來的影響；5.20晶片上小丘的數(shù)量、高度、直徑?jīng)]有有效得到量化帶來的影響；21晶片表面的劃傷、桔皮、拋光液殘留，外延片表面劃傷、棱錐、乳突等這些大面積缺陷可能同時存在散射和反射帶來的影響；5.23測試系統(tǒng)使用的設置、校準等條件帶來的影響。其他定義及術(shù)語僅有文字上的修改

3.6將6.設備改為由以下部分描述：6.1晶片夾持裝載系統(tǒng)；6.2激光掃描及信號收集系統(tǒng)；6.3數(shù)據(jù)分析、處理、傳輸系統(tǒng)：6.4數(shù)據(jù)分析、處理、傳輸系統(tǒng)：操作系統(tǒng)： 6.5 機械系統(tǒng)。

3.7增加了7.環(huán)境要求：表面掃描檢查系統(tǒng)應置于符合要求的潔凈環(huán)境中。應根據(jù)掃描表面檢查系統(tǒng)的要求及被測顆粒的尺寸，確定潔凈環(huán)境的級別。安裝SMIF系統(tǒng)的可以適當?shù)慕档头胖铆h(huán)境。推薦使用4級或更高級別的潔凈間及相應的SMIF系統(tǒng)。針對（130~11）nm線寬工藝用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)的更詳細的要求見附錄C中表

1、表2。

3.8在8.參考樣片中增加了8.1應選擇有資質(zhì)的樣片作為參考樣片；8.6參考樣片的直徑的選擇要求；8.10關(guān)于“凹坑”的參考樣片；8.11“劃傷”的參考樣片。

3.9在9.校準中，在9.2中細化了使用有資質(zhì)的沉積聚苯乙烯乳膠球（PLS）的參考片進行LLS的直徑和數(shù)量校準；在9.3中增加了通過重復校準來確認“系統(tǒng)的穩(wěn)定性”的要求；在 9.4中增加了對“系統(tǒng)的虛假計數(shù)進行評估，獲得測試系統(tǒng)的俘獲率、尺寸的標準偏差、虛假計數(shù)率和累計虛假計數(shù)率”的要求；在9.5中“在靜態(tài)或動態(tài)方法條件下，測試確定掃描表面檢查系統(tǒng)的XY 坐標不確定性”的要求；在9.6 中進行設備校準前后測量結(jié)果的比對，評價時增加了“有條件的可進行多臺掃描表面檢查系統(tǒng)的比對；并進行匹配公差計算”的要求；增加了9.7“可能的話，使用8.10及8.11所描述的凹坑或劃傷尺寸的參考樣片來規(guī)范晶片表面的凹坑及劃傷。也可將相關(guān)的標準模型存在掃描表面檢查系統(tǒng)的軟件中”的內(nèi)容。

3.10在11.根據(jù)試驗結(jié)果修改了精密度的內(nèi)容。

3.11增加了附錄A（規(guī)范性附錄）：采用覆蓋法確定掃描表面檢查系統(tǒng)俘獲率和虛假計數(shù)的測試方法（SEMI M50）的內(nèi)容。

3.12增加了附錄B（規(guī)范性附錄）：測定掃描儀XY 坐標不確定性的程序(參見SEMI M50 附錄1)的內(nèi)容。3.13增加了附錄C(規(guī)范性附錄)：針對130nm-11nm線寬技術(shù)硅片掃描表面檢查系統(tǒng)要求指南（參見SEMI M52）的內(nèi)容。

三、標準水平分析

關(guān)于拋光片表面顆粒的測試，在SEMI 標準中沒有同樣的標準可以直接參照。SEMI是將表面顆粒的測試分為四個標準：

SEMI M35 《自動檢測硅片表面特征的發(fā)展規(guī)范指南》。主要對顆粒、COP、劃傷、外延缺陷包括堆垛層錯等缺陷的測試原理、鑒別特征做了定義和描述，并對各種缺陷的鑒別以及對測量的影響因素進行了討論。

SEMI M53 《采用在無圖形的半導體晶片表面沉積已認證的單個分散聚苯乙烯乳膠球的方法校準掃描表面檢查系統(tǒng)的規(guī)程》。針對SSIS的校準過程以及使用的校準參考樣片進行了定義和規(guī)定。

SEMI M50 《用于掃描表面檢查系統(tǒng)俘獲率和虛假計數(shù)率的測定方法》。對測試系統(tǒng)由于重復計數(shù)和漏掉的計數(shù)帶來的對晶片表面真實缺陷的測量的準確性進行了量化和評價。

SEMI M52 《關(guān)于130nm-11nm線寬工藝用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)指南》：主要針對大規(guī)模集成電路不同線寬技術(shù)用片的顆粒及各種表面缺陷的測試，從設備、材料、晶片到設置等方面給予指導。

另外還有一個技術(shù)文件以及一些通用標準的支持。

本標準在對以上標準在充分理解的基礎上，結(jié)合我們多年來生產(chǎn)、科研中使用的各種測試系統(tǒng)的經(jīng)驗對標準進行了大幅度的修改，修改后的標準比之前的標準更加具有可操作性，給設備的設置、使用、校準提供了規(guī)范，也為不同神之間的比對提供了量化。本標準水平建議為國際先進水平。

四、與我國有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強制性標準的關(guān)系

《硅拋光片表面顆粒測試方法》與國家現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強制性標準不存在相違背和抵觸的地方。

五、重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)。

無

六、標準作為強制性標準或推薦性標準的建議

建議本標準作為推薦性國家標準發(fā)布實施。

七、代替或廢止現(xiàn)行有關(guān)標準的建議

本標準頒布后，代替原標準GB/T19921-2005。

八、其他需要說明的事項

本標準為修訂標準，該標準的主要目的是規(guī)范晶片表面顆粒等缺陷的測試條件，便于供需雙方對產(chǎn)品要求的判定，有利于不同設備間的比對。

本標準在名稱上叫硅片表面顆粒檢測標準，但在標準里適用范圍為無圖形的鏡面晶片，即不僅僅適用于硅的拋光片和外延片，但目前主要應用于硅片，原因是目前硅片的用量遠遠大于其他晶片。

另外，為了更好的幫助使用者了解校準方面的內(nèi)容以及正確的評價設備，我們將SEMI 53和SEMI 50的內(nèi)容作為附錄提供。

九、預期效果

本標準的修訂和推廣，將進一步規(guī)范拋光片和外延片上顆粒、劃痕、COP等各種肉眼無法看到的微小缺陷的測試，是目前表面顆?；駽OP的缺陷唯一的辨別手段。隨著集成電路線寬尺寸的不斷變小，拋光片或外延片表面的微小顆粒和COP等的識別和判定已經(jīng)成為關(guān)鍵指標，本標準的實施將更加有利于供需雙方對產(chǎn)品的確認，減少因測試設備、設置、校準等一系列問題帶來的差異，避免帶來晶片的質(zhì)量問題，也將有利于硅片質(zhì)量的提高和加工工藝的改進，同時本標準還給出了200mm直徑用于130nm到45nm4種線寬規(guī)格及300mm直徑用于130nm到11nm線寬9種線寬的SSIS的測試設置建議。為我國集成電路襯底的發(fā)展提供了前瞻性的指導作用。也為除硅之外的鍺或其他材料的晶片的表面顆粒測試提供了測試依據(jù)。

《硅拋光片表面顆粒測試方法》國家標準編制小組

2017.11.24

第四篇：中國行業(yè)信息網(wǎng)

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第五篇：中國碳酸飲料市場__五力分析

中國碳酸飲料市場五力分析

現(xiàn)如今，碳酸飲料口味種類繁多，中國的市場上銷售的主要有可樂，雪碧，和果味汽水等。然而這些產(chǎn)品絕大部分被“洋”產(chǎn)品所占據(jù)，起重工最大的碳酸飲料生產(chǎn)商——可口可樂公司。他對我國的碳酸飲料市場幾乎形成壟斷，而在國內(nèi)能較之稍有競爭力的品牌只有“百事”，像“非?？蓸贰敝惖娜髌放圃缫言诟偁幹邢溘E。各大商場充斥著“洋”品牌的碳酸飲料，國產(chǎn)商品競爭壓力大，沒有競爭優(yōu)勢，這是我國碳酸飲料市場發(fā)展的基本狀況。

碳酸飲料銷售主要面向青少年，而中國的人口狀況正在向老齡化方向發(fā)展，兒童發(fā)展為消費群體仍需數(shù)載，整體看來我國的近年來的市場需求不會有大的起伏，市場開發(fā)比較困難，如果潛在進入者想要進入該行業(yè)的的話會有很大的進入危險。加之“洋”品牌的高額市場占有率，更是讓潛在進入者的加入難上加難。對于購買者，絕大部分青少年討價還價能力較弱，消費意圖明顯，所以碳酸飲料具有相對穩(wěn)定是市場。碳酸飲料的替代品有果汁，奶飲品，礦泉水等，但是對于頗具個性的青少年消費群體來說，這些根本算不上替代品，舉個例子來說，一個高中生經(jīng)常購買碳酸飲料，突然有一天他在買碳酸飲料的時候發(fā)現(xiàn)有一款果汁在做活動，與平時相比便宜兩元錢，但是他并不會因為兩元錢而放棄自己的習性。因此碳酸飲料行業(yè)的替代品的威脅比較小。該行業(yè)內(nèi)的兩大競爭者為“百事”和“可口可樂”，其他品牌商品的市場占有率極小，就此而言，我國的碳酸飲料市場的發(fā)展是不平衡的，這也說明，我國碳酸飲料市場有可能會出現(xiàn)“百花齊放”的局面，朝著平衡的方向發(fā)展，但是并不排除“洋”品牌長期壟斷的可能。