第一篇：武漢理工大學(xué)材科名詞解釋和材料科學(xué)基礎(chǔ)基本概念

材料引言

玻璃

玻璃是由熔體過冷所制得的非晶態(tài)材料。

水泥

水泥是指加入適量水后可成塑性漿體，既能在空氣中硬化又能在水中硬化，并能夠?qū)⑸?，石等材料牢固地膠結(jié)在一起的細(xì)粉狀水硬性材料。

耐火材料

耐火材料是指耐火度不低于1580攝氏度的無機非金屬材料。硅質(zhì)耐火材料，鎂質(zhì)耐火材料，熔鑄耐火材料，輕質(zhì)耐火材料，不定形耐火材料。

高聚物

高聚物是由一種或幾種簡單低分子化合物經(jīng)聚合而組成的分子量很大的化合物。

膠粘劑

膠粘劑是指在常溫下處于粘流態(tài)，當(dāng)受到外力作用時，會產(chǎn)生永久變形，外力撤去后又不能恢復(fù)原狀的高聚物。

合金

合金是由兩種或兩種以上的金屬元素，或金屬元素與非金屬元素形成的具有金屬特性的新物質(zhì)

固溶體

當(dāng)合金的晶體結(jié)構(gòu)保持溶質(zhì)組元的晶體結(jié)構(gòu)時，這種合金成為一次固溶體或端際固溶體，簡稱固溶體。

電子化合物

電子化合物是指具有一定（或近似一定）的電子濃度值，且結(jié)構(gòu)相同或密切相關(guān)的相。

間隙化合物

間隙化合物（或間隙相）是由原子半徑較大的過渡金屬元素（Fe,Cr,Mn,Mo,W,V等）和原子半徑較小的非（準(zhǔn)）金屬元素（H,B,C,N,Si,等）形成的金屬間化合物。

傳統(tǒng)無機非金屬材料

主要是指由SiO2及其硅酸鹽化合物為主要成分制成的材料，包括陶瓷，玻璃，水泥和耐火材料等。

新型無機非金屬材料

是用氧化物，氮化物，碳化物，硼化物，硫化物，硅化物以及各種無機非金屬化合物經(jīng)特殊的先進(jìn)工藝制成的材料。晶體結(jié)構(gòu)

晶體

晶體是離子，原子或分子按一定的空間結(jié)構(gòu)排列所組成的固體，其質(zhì)點在空間的分布具有周期性和對稱性，因而，晶體具有規(guī)則的外形。

晶胞

晶胞是從晶體結(jié)構(gòu)中取出來的反應(yīng)晶體周期性和對稱性的重復(fù)單元。

晶體結(jié)構(gòu)

晶體結(jié)構(gòu)是指晶體中原子或分子的排列情況，由空間點陣+結(jié)構(gòu)基元而構(gòu)成，晶體結(jié)構(gòu)的形式是無限多的。

空間點陣

空間點陣是把晶體結(jié)構(gòu)中原子或分子等結(jié)構(gòu)基元抽象為周圍環(huán)境相同的陣點之后，描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性和對稱性的圖像。

晶面

可將晶體點陣在任何方向上分解為相互平行的節(jié)點平面，這樣的結(jié)點平面成為晶面。

晶面指數(shù)

結(jié)晶學(xué)中經(jīng)常用（h k l）來表示一組平行晶面，成為晶面指數(shù)。

晶面族

在對稱性高的晶體（如立方晶系）中，往往有并不平行的兩組以上的晶面，它們的原子排列狀況是相同的，這些晶面構(gòu)成一個晶面族。

晶向族

晶體中原子排列周期相同的所有晶向為一個晶向族，用{u v w}表示。

晶帶或晶帶面 在結(jié)晶學(xué)中，把同時平行某一晶向[u v w]的所有晶面成為一個晶帶（Zone）或晶帶面[Plane of a Zone]，該晶向[u v w]成為這個晶帶的晶帶軸（Zone Axis），一個晶帶中任一晶面（h k l）與其晶帶軸[u v w]之間的關(guān)系滿足晶帶軸定理：hu+kv+lw=0

離子鍵

離子鍵是正，負(fù)離子依靠靜電庫侖力而產(chǎn)生的鍵合。

共價鍵

共價鍵是原子之間通過共用電子對或通過電子云重疊而產(chǎn)生的鍵合。

金屬鍵

金屬鍵是失去最外層電子（價電子）的原子實和自由電子組成的電子云之間的靜電庫侖力而產(chǎn)生的鍵合。范德華鍵（分子鍵）

范德華鍵（分子鍵）是通過“分子力”而產(chǎn)生的鍵合。

氫鍵

氫鍵是指氫原子同時與兩個電負(fù)性很大而原子半徑較小的原子（O,F,N等）相結(jié)合所形成的鍵。

晶體的結(jié)合能

晶體的結(jié)合能Eb定義為：組成晶體的N個原子處于“自由”狀態(tài)時的總能量EN與晶體處于穩(wěn)定狀態(tài)時的總能量E0的差值，即Eb=EN-E0

晶格能

對于離子晶體而言，其晶格能EL定義為：1mol離子晶體中的正負(fù)離子，由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)結(jié)合成離子晶體時所釋放出的能量。

空間利用率（原子堆積系數(shù)）——晶胞中原子體積與晶胞體積的比值。

孤立態(tài)原子半徑

從原子核中心到核外電子的幾率分布趨向于零的位置間的距離。這個半徑亦稱為范德華半徑。

金屬原子半徑

相鄰兩原子面間距離的一半。如果是離子晶體，則定義正，負(fù)離子半徑之和等于相鄰兩原子面間的距離。

配位數(shù)

一個原子（或離子）周圍同種原子（或異號離子）的數(shù)目成為原子或離子的配位數(shù)，用CN來表示。

離子極化

在離子緊密堆積時，帶電荷的離子所產(chǎn)生的電場，必然要對另一個離子的電子云產(chǎn)生吸引或排斥作用，使之發(fā)生變形，這種現(xiàn)象稱為極化。

哥希密特化學(xué)定律

晶體結(jié)構(gòu)取決于其組成基元（原子，離子或離子團(tuán)）的數(shù)量關(guān)系，大小關(guān)系及極化性能。

同質(zhì)多晶

這種化學(xué)組成相同的物質(zhì)，在不同的熱力學(xué)條件下形成結(jié)構(gòu)不同的晶體的現(xiàn)象，成為同質(zhì)多晶。由此所產(chǎn)生的每一種化學(xué)組成相同但結(jié)構(gòu)不同的晶體，成為變體。

類質(zhì)同晶

化學(xué)組成相似或相近的物質(zhì)，在相同的熱流條件下，形成的晶體具有相同的結(jié)構(gòu)，這種現(xiàn)象稱為類質(zhì)同晶現(xiàn)象。

位移性轉(zhuǎn)變

僅僅是結(jié)構(gòu)畸變，轉(zhuǎn)變前后結(jié)構(gòu)差異小，轉(zhuǎn)變時并不打開任何鍵或改變最鄰近的配位數(shù)，只是原子的位置發(fā)生少許位移，使次級配位有所改變。

重建性轉(zhuǎn)變

不能簡單地通過原子位移來實現(xiàn)，轉(zhuǎn)變前后結(jié)構(gòu)差異大，必須破壞原子間的鍵，形成一個具有新鍵的結(jié)構(gòu)。

Hume-Rothery規(guī)則

如果某非金屬元素的原子能以單鍵與其他原子共價結(jié)合形成單質(zhì)晶體，則每個原子周圍共價單鍵的數(shù)目為8減去元素所在周期表的族數(shù)（m），即共價單鍵數(shù)目為（8-m）。這個規(guī)則亦稱為（8-m）規(guī)則。

解理

晶體沿某個晶面劈裂的現(xiàn)象稱為解理。

熱釋電性

熱釋電性是指某些像六方ZnS型的晶體，由于加熱使整個晶體溫度變化，結(jié)果在與該晶體c軸垂直方向的一端出現(xiàn)正電荷，在相反的一端出現(xiàn)負(fù)電荷的性質(zhì)。晶體的熱釋電性與晶體內(nèi)部的自發(fā)極化有關(guān)。

聲電效應(yīng)

通過半導(dǎo)體進(jìn)行聲電相互轉(zhuǎn)換得現(xiàn)象稱為聲電效應(yīng)。

反螢石結(jié)構(gòu)

堿金屬元素的氧化物R2O、硫化物R2S、硒化物R2Se、碲化物R2Te等A2X型化合物為反螢石結(jié)構(gòu)，它們的正負(fù)離子位置剛好與螢石結(jié)構(gòu)中的相反，即堿金屬離子占據(jù)F-離子的位置，O2-或其他離子占據(jù)Ca2+的位置。這種正負(fù)離子位置顛倒的結(jié)構(gòu)，叫做反同形體。

電光效應(yīng)

電光效應(yīng)是指對晶體施加電場時，晶體的折射率發(fā)生變化的效應(yīng)。

鐵電晶體

鐵電晶體是指具有自發(fā)極化且在外電場作用下具有電滯回線的晶體。

聲光效應(yīng)

聲光效應(yīng)是指光波被聲光介質(zhì)中的超聲波所衍射或散射的現(xiàn)象。

正尖晶石和反尖晶石

在尖晶石結(jié)構(gòu)中，如果A離子占據(jù)四面體空隙，B離子占據(jù)占據(jù)八面體空隙，則稱為正尖晶石。反之，如果半數(shù)的B離子占據(jù)四面體空隙，A離子和另外半數(shù)的B離子占據(jù)八面體空隙，則稱為反尖晶石。正尖晶石（A）[B2]O4 反尖晶石（B）[AB]O4

同晶取代

[SiO4]四面體中心的Si4+離子可部分地被Al3+所取代，取代后的結(jié)構(gòu)本身并不發(fā)生大的變化，即所謂的同晶取代，但晶體的性質(zhì)卻可以發(fā)生很大的變化。

壓電效應(yīng)

某些晶體在機械力作用下發(fā)生變形，使晶體內(nèi)正負(fù)電荷中心相對位移而極化，致使晶體兩端表面出現(xiàn)符號相反的束縛電荷，其電荷密度與應(yīng)力成比例。這種由“壓力”產(chǎn)生“電”的現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。反之，如果具有壓電效應(yīng)的晶體置于外電場中，電場使晶體內(nèi)部正負(fù)電荷中心位移，導(dǎo)致晶體產(chǎn)生形變。這種由“電”產(chǎn)生“機械形變”的現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)。

高分子

高分子是指其分子主鏈上的原子都直接以共價鍵連接，且鏈上的成鍵原子都共享成鍵電子的化合物。晶體結(jié)構(gòu)缺陷

晶體結(jié)構(gòu)缺陷

通常把晶體點陣結(jié)構(gòu)中周期性勢場的畸變成為晶體的結(jié)構(gòu)缺陷。

點缺陷

點缺陷亦稱為零維缺陷，缺陷尺寸處于原子大小的數(shù)量級上，即三維方向上缺陷的尺寸都很小。點缺陷包括空位、間隙質(zhì)點、雜志質(zhì)心和色心等。

線缺陷

線缺陷也稱為一維缺陷，是指在一維方向上偏離理想晶體中的周期性、規(guī)則性排列所產(chǎn)生的缺陷，即缺陷尺寸在一維方向較長，另外二維方向上很短。如各種位錯。

面缺陷

面缺陷又稱為二維缺陷，是指在二維方向上偏離理想晶體中的周期性、規(guī)則性排列而產(chǎn)生的缺陷，即缺陷尺寸在二維方向上延伸，在第三位方向上很小。如晶界、表面、堆積層錯、鑲嵌結(jié)構(gòu)等。

體缺陷

體缺陷亦稱為三維缺陷，是指在局部的三維空間偏離理想晶體的周期性、規(guī)則性排列而產(chǎn)生的缺陷。如第二相粒子團(tuán)、空位團(tuán)等。

熱缺陷

熱缺陷稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位和（或）間隙質(zhì)點（原子或離子）。熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷。弗倫克爾缺陷是質(zhì)點離開正常格點后進(jìn)入到晶格間隙位置，其特征是空位和間隙質(zhì)點成對出現(xiàn)。肖特基缺陷是質(zhì)點由表面位置遷移到新表面位置，在晶體表面形成新的一層，同時在晶體內(nèi)部留下空位，其特征是正負(fù)離子空位成比例出現(xiàn)。

滑移

在外力作用下，晶體的一部分相對于另一部分，沿著一定晶面的一定晶向發(fā)生平移，使晶面上的原子從一個平衡位置平移到另一個平衡位置，此過程稱為滑移?；葡到y(tǒng)一個滑移面和該面上的一個確定的滑移方向，構(gòu)成一個一個滑移系統(tǒng)，以（h k l）[u v w]來表示。

孿生

晶體塑性形變的另一種機制是孿生，即在外力作用下，晶體的一部分相對于另一部分，沿著一定的晶面和晶向發(fā)生切變，切變之后，兩部分晶體的位向以切變面為鏡面成對稱關(guān)系。發(fā)生切變的晶面和方向分別叫孿晶面和孿生方向。變形后發(fā)生切變的部分和與其呈晶面對稱的部分構(gòu)成孿晶，其界面是共格晶面。

位錯滑移

位錯滑移是指在外力作用下，位錯線在其滑移面（即位錯線和伯氏矢量b構(gòu)成的晶面）上的運動，結(jié)果導(dǎo)致晶體永久變形。

位錯攀移

位錯攀移是指在熱缺陷或外力作用下，位錯線在垂直其滑移面方向上的運動，結(jié)果導(dǎo)致晶體中空位或間隙質(zhì)點的增殖或減少。

位錯的線張力

線張力是一種組態(tài)力，定義為使位錯線增加單位長度所需要的能量，所以線張力在數(shù)值上等于單位長度位錯線的應(yīng)變能，即T=W=αGb2。

固溶體

將外來組元引入晶體結(jié)構(gòu)，占據(jù)基質(zhì)晶體質(zhì)點位置或間隙位置的一部分，仍保持一個晶相，這種晶體成為固溶體。

置換式固溶體

亦稱替代固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣結(jié)點上，替代（置換）了部分溶劑原子。

間隙式固溶體

亦稱間隙型固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。

非化學(xué)計量缺陷

按照化學(xué)中定比定律，化合物中的不同原子的數(shù)量要保持固定的比例，但在實際的化合物中，有一些化合物并不符合定比定律，其中負(fù)離子與正離子的比例并不是固定的比例關(guān)系，這些化合物稱為非化學(xué)計量化合物。這是在化學(xué)組成上偏離化學(xué)計量而產(chǎn)生的一種缺陷。

色心

色心是由于電子補償而引起的一種缺陷。一些電子體受到X射線、γ射線、中子或電子輻照，往往會產(chǎn)生顏色。非晶態(tài)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

熔體，玻璃體 熔體或液體是介于氣體和固體（晶體）之間的一種物質(zhì)狀態(tài)。熔體特指加熱到較高溫度才能液化的物質(zhì)的液體，即較高熔點物質(zhì)的液體。熔體快速冷卻則變成玻璃體。

縮聚

由分化過程產(chǎn)生的低聚合物不是一成不變的，它可以相互發(fā)生作用，形成級次較高的聚合物，同時釋放出部分Na2O。這過程成為縮聚。

硼反常現(xiàn)象

這種由于B3+離子配位數(shù)變化引起性能曲線上出現(xiàn)轉(zhuǎn)折的現(xiàn)象，稱為硼反反常現(xiàn)象。

混合堿效應(yīng)

熔體中同時引入一種以上的R2O或RO時，粘度比等量的一種R2O或RO高，稱為“混合堿效應(yīng)”，這可能和離子的半徑、配位等結(jié)晶化學(xué)條件不同而相互制約有關(guān)。

單鍵強度

通過測定各種化合物（MOx）的離解能（MOx離解為氣態(tài)原子時所需要的總能量），將這個能量除以該種化合物正離子M的氧配位數(shù)，可得出M—O單鍵強度（單位是kJ/mol）。

晶子學(xué)說

玻璃結(jié)構(gòu)是一種不連續(xù)的原子集合體，即無數(shù)“晶子”分散在無定形介質(zhì)中；“晶子”的化學(xué)性質(zhì)和數(shù)量取決于玻璃的化學(xué)組成，可以是獨立原子團(tuán)或一定組成的化合物和固體等微觀多相體，與該玻璃物系的相平衡有關(guān)；“晶子”不同于一般微晶，而是帶有晶格極度變形的微笑有序區(qū)域，在“晶子”中心質(zhì)點排列較有規(guī)律，愈遠(yuǎn)離中心則變形程度愈大；從“晶子”部分到無定形部分的過渡是逐步完成的，兩者之間無明顯界線。

無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說

玻璃的結(jié)構(gòu)與相應(yīng)得晶體結(jié)構(gòu)相似，同樣形成連續(xù)的三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。但玻璃的網(wǎng)絡(luò)與晶體的網(wǎng)絡(luò)不同，玻璃的網(wǎng)絡(luò)是不規(guī)則的、非周期的，因此玻璃的內(nèi)能比晶體的內(nèi)能要大。由于玻璃的強度與晶體的強度屬于同一個數(shù)量級，玻璃的內(nèi)能與相應(yīng)晶體的內(nèi)能相差并不多，因此它們的結(jié)構(gòu)單元（四面體或三角體）應(yīng)是相同的，不同之處在于排列的周期性。表面結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

弛豫表面

為使體系能量盡可能降低，表面上的原子常常會產(chǎn)生相對于正常位置的上、下位移，結(jié)果表面相中原子層的間距偏離體相原子層的間距，產(chǎn)生壓縮或膨脹。表面上原子的這種位移稱為表面弛豫。

重構(gòu)表面

重構(gòu)是指表面原子層在水平方向上的周期性不同于體內(nèi)，但垂直方向的層間距離體內(nèi)相同。

吸附表面

吸附表面有時也稱界面。它是在清潔表面上有來自體內(nèi)擴(kuò)散到表面的雜質(zhì)和來自表面周圍空間吸附在表面上的質(zhì)點所構(gòu)成的表面。根據(jù)原子在基底上的吸附位置，一般可分為四種吸附情況，即頂吸附、橋吸附、填充吸附和中心吸附等。

表面偏析

表面的許多現(xiàn)象如催化、腐蝕、摩擦等，都與表面的組成和結(jié)構(gòu)有關(guān)。不論表面進(jìn)行多么嚴(yán)格的清潔處理，總有一些雜質(zhì)由體內(nèi)偏析到表面上來，從而使固體表面組成與體內(nèi)不同。

固體表面力

晶體中每個質(zhì)點周圍都存在著一個力場。由于晶體內(nèi)部質(zhì)點排列是有序和周期重復(fù)的，故每個質(zhì)點力場是對稱的。但在固體表面，質(zhì)點排列的周期重復(fù)性中斷，使處于表面邊界上的質(zhì)點力場對稱性破壞，表現(xiàn)出剩余的鍵力，這就是固體表面力。

范德華力

分子引力，一般是指固體表面與被吸附質(zhì)點（例如氣體分子）之間相互作用力。

粘附功

是指把單位粘附界面拉開所需的功。

凝聚系統(tǒng)

沒有氣相或雖有氣相但其影響可忽略不計的系統(tǒng)稱為凝聚系統(tǒng)。

相

系統(tǒng)中具有相同物理與化學(xué)性質(zhì)的完全均勻部分的總和成為相。

組元

系統(tǒng)中每一個能單獨分離出來并能獨立存在的化學(xué)純物質(zhì)稱為組元。

獨立組元

足以表示形成平衡系統(tǒng)中各相組成所需要的最少數(shù)目的物質(zhì)（組元）成為獨立組元。

自由度

在一定范圍內(nèi)，可以任意改變而不引起舊相消失或新相產(chǎn)生的獨立變量稱為自由度。

可逆與不可逆多晶轉(zhuǎn)變

多晶轉(zhuǎn)變根據(jù)其進(jìn)行的方向是否可逆，分為可逆的轉(zhuǎn)變和不可逆的轉(zhuǎn)變兩種類型。可逆轉(zhuǎn)變又稱為雙向轉(zhuǎn)變，不可逆轉(zhuǎn)變稱為單向轉(zhuǎn)變。

獨立析晶

獨立析晶通常是在轉(zhuǎn)熔過程中發(fā)生的，由于冷卻速度較快，被回吸的晶相有可能會被新析出的固相包裹起來，使轉(zhuǎn)熔過程不能繼續(xù)進(jìn)行，從而使液相進(jìn)行另一個單獨的析晶過程，這就是所謂的獨立析晶。

相平衡和相圖 基本動力學(xué)過程——擴(kuò)散 擴(kuò)散

擴(kuò)散是物質(zhì)內(nèi)質(zhì)點運動的基本方式，當(dāng)溫度高于絕對零度時，任何物系內(nèi)的質(zhì)點都在做熱運動。當(dāng)物質(zhì)內(nèi)有梯度（化學(xué)位、濃度、應(yīng)力梯度等）存在時，由于熱運動而觸發(fā)（導(dǎo)致）的質(zhì)點定向遷移即所謂的擴(kuò)散。

穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散與非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散

穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征是空間任意一點的濃度不隨時間變化，擴(kuò)散通量不隨位置變化；非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征是空間任意一點的濃度隨時間變化，擴(kuò)散通量隨位置變化。

穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散

在擴(kuò)散系統(tǒng)中，若對于任一體積元，在任一時刻流入的物質(zhì)量與流出的物質(zhì)量相等，即任一點的濃度不隨時間變化，則稱這種狀態(tài)為穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。

本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散

本征擴(kuò)散是由本征點缺陷（即熱缺陷）引起的擴(kuò)散；非本征擴(kuò)散是由非本征點缺陷引起的擴(kuò)散，又包括摻雜點缺陷和非化學(xué)計量化合物兩種情況。

自擴(kuò)散與互擴(kuò)散

自擴(kuò)散是指不伴有濃度變化的擴(kuò)散，與濃度梯度無關(guān)，只能發(fā)生在純金屬或均勻固溶體中；互擴(kuò)散是指伴有濃度變化的擴(kuò)散，與濃度差有關(guān)。

克肯達(dá)爾效應(yīng)

由于多元系統(tǒng)中各組元擴(kuò)散速率不同而引起的擴(kuò)散偶原始界面向擴(kuò)散速率快的一側(cè)移動的現(xiàn)象稱為克肯達(dá)爾效應(yīng)。材料中的相變

一級相變

在臨界溫度、臨界壓力時，兩相化學(xué)位相等，但化學(xué)位的一階偏導(dǎo)數(shù)不相等的相變。

二級相變

相變時化學(xué)位及其一階偏導(dǎo)數(shù)相等，而二階偏導(dǎo)數(shù)不相等的相變。

擴(kuò)散型相變

在相變時，依靠原子（離子）的擴(kuò)散來進(jìn)行的相變成為擴(kuò)散型相變。

非擴(kuò)散型相變

相變過程不存在原子（離子）的擴(kuò)散，或雖存在擴(kuò)散但不是相變所必需的或不是主要過程的相變即為無擴(kuò)散型相變。

共格應(yīng)變能

對于大多數(shù)晶態(tài)固體來說，其點陣常數(shù)總是隨成分而改變的，如果這種固溶體發(fā)生調(diào)幅分解時，點陣保持共格，必須使點陣發(fā)生彈性畸變而引起應(yīng)變能。

比體積應(yīng)變能 由切變產(chǎn)生的應(yīng)變能與由體積變化產(chǎn)生的應(yīng)變能之和。燒結(jié)

燒結(jié)

壓制成型后的粉狀物在低于熔點的高溫作用下，通過坯體間顆粒相互粘結(jié)和物質(zhì)傳遞，氣孔派出，體積收縮，強度提高，逐漸變成具有一定的幾何形狀和堅固整個的過程。

初次再結(jié)晶

是指從塑性變形的、具有應(yīng)變的基質(zhì)中，生長出新的無應(yīng)變晶粒的成核和長大過程。

二次再結(jié)晶

正常的晶粒長大是晶界移動，晶粒的平均尺寸增加。如果晶界受到雜質(zhì)等第二相質(zhì)點的阻礙，正常的晶粒長大便會停止。但是當(dāng)坯體中若有大晶粒存在時，這些大晶粒變數(shù)較多，晶界曲率較大，能量較高，使晶界可以越過雜質(zhì)或氣孔而繼續(xù)移向鄰近小晶粒的曲率中心。晶粒的進(jìn)一步生長，增大了晶界的曲率使生長過程不斷加速，直到大晶粒的邊界互相接觸為止。這個過程稱為二次再結(jié)晶或異常的晶粒長大。腐蝕與氧化

全面腐蝕

是常見的一種腐蝕，是指整個金屬表面均發(fā)生腐蝕，它可以是均勻的也可以是不均勻的。

應(yīng)力腐蝕（SCC）

是指金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)和拉應(yīng)力共同作用下發(fā)生的脆性斷裂。

應(yīng)力腐蝕開裂門檻值

一般認(rèn)為當(dāng)拉伸應(yīng)力低于某一個臨界值時，不再發(fā)生斷裂破壞，這個臨界應(yīng)力稱應(yīng)力腐蝕開裂門檻值，用KISCC表示。

晶間腐蝕

是金屬材料在特定的腐蝕介質(zhì)中沿著材料的晶界發(fā)生的一種局部腐蝕。

氧化

廣義的金屬氧化是金屬在一定溫度條件下與環(huán)境介質(zhì)O2（還有S2、Cl2、N2、C等）間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而引起材料損耗的不可逆腐蝕過程。材料的疲勞與斷裂

疲勞破壞

材料或構(gòu)件在交變應(yīng)力（應(yīng)變）作用下發(fā)生的破壞稱為疲勞破壞或疲勞失效。

熱疲勞

由于溫度的變化形成的變動熱應(yīng)力引起的疲勞稱為熱疲勞。氫腐蝕

材料在高溫高壓環(huán)境下使用較長時間后，有時在晶界附近能產(chǎn)生很多氣泡或裂紋，從而引起構(gòu)件的失效，這種不可逆損傷一般稱為氫腐蝕。

晶體缺陷

單晶體：是指在整個晶體內(nèi)部原子都按照周期性的規(guī)則排列。多晶體：是指在晶體內(nèi)每個局部區(qū)域里原子按周期性的規(guī)則排列，但不同局部區(qū)域之間原子的排列方向并不相同，因此多晶體也可看成由許多取向不同的小單晶體（晶粒）組成 點缺陷（Point defects）：最簡單的晶體缺陷，在結(jié)點上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排列。在空間三維方向上的尺寸都很小，約為一個、幾個原子間距，又稱零維缺陷。包括空位vacancies、間隙原子interstitial atoms、雜質(zhì)impurities、溶質(zhì)原子solutes等。線缺陷（Linear defects）：在一個方向上的缺陷擴(kuò)展很大，其它兩個方向上尺寸很小，也稱為一維缺陷。主要為位錯dislocations。面缺陷（Planar defects）：在兩個方向上的缺陷擴(kuò)展很大，其它一個方向上尺寸很小，也稱為二維缺陷。包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孿晶界twin boundaries、堆垛層錯stacking faults等。

晶體中點陣結(jié)點上的原子以其平衡位置為中心作熱振動，當(dāng)振動能足夠大時，將克服周圍原子的制約，跳離原來的位置，使得點陣中形成空結(jié)點，稱為空位vacancies 肖脫基（Schottky）空位：遷移到晶體表面或內(nèi)表面的正常結(jié)點位置，使晶體內(nèi)部留下空位。弗蘭克爾（Frenkel）缺陷：擠入間隙位置，在晶體中形成數(shù)目相等的空位和間隙原子。晶格畸變：點缺陷破壞了原子的平衡狀態(tài)，使晶格發(fā)生扭曲，稱晶格畸變。從而使強度、硬度提高，塑性、韌性下降；電阻升高，密度減小等。

熱平衡缺陷：由于熱起伏促使原子脫離點陣位置而形成的點缺陷稱為熱平衡缺陷（thermal equilibrium defects），這是晶體內(nèi)原子的熱運動的內(nèi)部條件決定的。

過飽和的點缺陷：通過改變外部條件形成點缺陷，包括高溫淬火、冷變形加工、高能粒子輻照等，這時的點缺陷濃度超過了平衡濃度，稱為過飽和的點缺陷(supersaturated point defects)。位錯：當(dāng)晶格中一部分晶體相對于另一部分晶體發(fā)生局部滑移時，滑移面上滑移區(qū)與未滑移區(qū)的交界線稱作位錯 刃型位錯：當(dāng)一個完整晶體某晶面以上的某處多出半個原子面，該晶面象刀刃一樣切入晶體，這個多余原子面的邊緣就是刃型位錯。

刃型位錯線可以理解為已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的分界線，它不一定是直線

螺型位錯：位錯附近的原子是按螺旋形排列的。螺型位錯的位錯線與滑移矢量平行，因此一定是直線

混合位錯：一種更為普遍的位錯形式，其滑移矢量既不平行也不垂直于位錯線，而與位錯線相交成任意角度。可看作是刃型位錯和螺型位錯的混合形式。柏氏矢量 b: 用于表征不同類型位錯的特征的一個物理參量，是決定晶格偏離方向與大小的向量，可揭示位錯的本質(zhì)。位錯的滑移（守恒運動）：在外加切應(yīng)力作用下，位錯中心附近的原子沿柏氏矢量b方向在滑移面上不斷作少量位移（小于一個原子間距）而逐步實現(xiàn)。

交滑移：由于螺型位錯可有多個滑移面，螺型位錯在原滑移面上運動受阻時，可轉(zhuǎn)移到與之相交的另一個滑移面上繼續(xù)滑移。如果交滑移后的位錯再轉(zhuǎn)回到和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運動，則稱為雙交滑移。

位錯滑移的特點

1)刃型位錯滑移的切應(yīng)力方向與位錯線垂直，而螺型位錯滑移的切應(yīng)力方向與位錯線平行；

2)無論刃型位錯還是螺型位錯，位錯的運動方向總是與位錯線垂直的；（伯氏矢量方向代表晶體的滑移方向）

3)刃型位錯引起的晶體的滑移方向與位錯運動方向一致，而螺型位錯引起的晶體的滑移方向與位錯運動方向垂直；

4)位錯滑移的切應(yīng)力方向與柏氏矢量一致；位錯滑移后，滑移面兩側(cè)晶體的相對位移與柏氏矢量一致。

5)對螺型位錯，如果在原滑移面上運動受阻時，有可能轉(zhuǎn)移到與之相交的另一滑移面上繼續(xù)滑移，這稱為交滑移(雙交滑移）

派-納力：晶體滑移需克服晶體點陣對位錯的阻力，即點陣阻力 位錯的攀移（非守恒運動）：刃型位錯在垂直于滑移面方向上的運動，主要是通過原子或空位的擴(kuò)散來實現(xiàn)的（滑移過程基本不涉及原子的擴(kuò)散）。位錯在某一滑移面上運動時，對穿過滑移面的其它位錯（林位錯）的交割。包括扭折和割階。扭折：位錯交割形成的曲折線段在位錯的滑移面上時，稱為扭折。割階：若該曲折線段垂直于位錯的滑移面時，稱為割階。

位錯交割的特點

1)運動位錯交割后，在位錯線上可能產(chǎn)生一個扭折或割階，其大小和方向取決于另一位錯的柏氏矢量，但具有原位錯線的柏氏矢量(指扭折或割階的長度和方向)2)所有的割階都是刃型位錯，而扭折可以是刃型也可是螺型的。

3)扭折與原位錯線在同一滑移面上，可隨位錯線一道運動，幾乎不產(chǎn)生阻力，且在線張力的作用下易于消失；

4）割階與原位錯不在同一滑移面上，只能通過攀移運動，所以割階是位錯運動的障礙---割階硬化

位錯的應(yīng)變能：位錯周圍點陣畸變引起的彈性應(yīng)力場，導(dǎo)致晶體能量的增加，稱為位錯的應(yīng)變能或位錯的能量。

位錯密度：單位體積內(nèi)所包含的位錯線總長度。

? = L / V(cm-2)一般，位錯密度也定義為單位面積所見到的位錯數(shù)目

? = n / A(cm-2)

單位位錯 Unit dislocation：柏氏矢量等于單位點陣矢量的位錯 全位錯 Perfect dislocation：柏氏矢量等于點陣矢量或其整數(shù)倍的位錯，全位錯滑移后晶體原子排列不變

不全位錯 Imperfect dislocation：柏氏矢量不等于點陣矢量整數(shù)倍的位錯，不全位錯滑移后晶體原子排列規(guī)律變化

部分位錯 Partial dislocation：柏氏矢量小于點陣矢量的位錯

堆垛層錯：實際晶體結(jié)構(gòu)中，密排面的正常堆垛順序有可能遭到破壞和錯排，稱為堆垛層錯，簡稱層錯。

位錯反應(yīng)：位錯線之間可以合并或分解，稱為位錯反應(yīng)

界面interface：通常包含幾個原子層厚的區(qū)域，其原子排列及化學(xué)成分不同于晶體內(nèi)部，可視為二維結(jié)構(gòu)分布，也稱為晶體的面缺陷。包括：外表面和內(nèi)界面

外表面：指固體材料與氣體或液體的分界面。它與摩擦、吸附、腐蝕、催化、光學(xué)、微電子等密切相關(guān)。

內(nèi)界面：分為 晶粒界面、亞晶界、孿晶界、層錯、相界面等。

表面能：晶體表面單位面積自由能的增加，可理解為晶體表面產(chǎn)生單位面積新表面所作的功 γ = dW/ds 小角度晶界：（Low-angle grain boundary）相鄰晶粒的位相差小于10o亞晶界一般為2o左右。對稱傾斜晶界：(symmetric tilt boundary)晶界兩側(cè)晶體互相傾斜 晶界的界面對于兩個晶粒是對稱的，其晶界視為一列平行的刃型位錯組成。大角度晶界：（High-angle grain boundary）相鄰晶粒的位相差大于10o 重合位置點陣：當(dāng)兩個相鄰晶粒的位相差為某一值時，若設(shè)想兩晶粒的點陣彼此通過晶界向?qū)Ψ窖由欤瑒t其中一些原子將出現(xiàn)有規(guī)律的相互重合。由這些原子重合位置所組成的比原來晶體點陣大的新點陣，稱為重合位置點陣。

晶界特性

1）晶粒的長大和晶界的平直化能減少晶界面積和晶界能，在適當(dāng)?shù)臏囟认率且粋€自發(fā)的過程；須原子擴(kuò)散實現(xiàn)

2)晶界處原子排列不規(guī)則，常溫下對位錯的運動起阻礙作用，宏觀上表現(xiàn)出提高強度和硬度；而高溫下晶界由于起粘滯性，易使晶粒間滑動；

3)晶界處有較多的缺陷，如空穴、位錯等，具有較高的動能，原子擴(kuò)散速度比晶內(nèi)高； 4)固態(tài)相變時，由于晶界能量高且原子擴(kuò)散容易，所以新相易在晶界處形核；

5)由于成分偏析和內(nèi)吸附現(xiàn)象，晶界容易富集雜質(zhì)原子，晶界熔點低，加熱時易導(dǎo)致晶界先熔化；?過熱

6）由于晶界能量較高、原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)，以及晶界富集雜質(zhì)原子的緣故，晶界腐蝕比晶內(nèi)腐蝕速率快。

孿晶 Twins：兩個晶體(或一個晶體的兩部分)沿一個公共晶面構(gòu)成鏡面對稱的位相關(guān)系，這兩個晶體稱為孿晶；這一公共晶面稱為孿晶面(孿晶界)Twin plane(boundary)。

相界：具有不同結(jié)構(gòu)的兩相之間的分界面稱為“相界”

非共格界面(non-coherent interface)：當(dāng)兩相鄰晶體在界面處的晶面間距相差很大時，這種相界與大角度晶界相似，可看成是由原子不規(guī)則排列的薄過渡層構(gòu)成變形

塑性變形的方式：主要通過滑移和孿生、還有扭折。

滑移是指晶體的一部分沿一定的晶面和晶向相對于另一部分發(fā)生滑動位移的現(xiàn)象。滑移帶：滑移線的集合構(gòu)成滑移帶，滑移帶是由更細(xì)的滑移線所組成，滑移系：一個滑移面和其上的一個滑移方向構(gòu)成一個滑移系

臨界切應(yīng)力：滑移只能在切應(yīng)力的作用下發(fā)生，產(chǎn)生滑移的最小切應(yīng)力稱臨界切應(yīng)力。滑移是通過滑移面上的位錯的運動來實現(xiàn)的

孿生是指晶體的一部分沿一定晶面和晶向相對于另一部分所發(fā)生的切變。發(fā)生切變的部分稱孿生帶或?qū)\晶，沿其發(fā)生孿生的晶面稱孿生面 孿生與滑移的主要區(qū)別 孿生通過晶格切變使晶格位向改變，使變形部分與未變形 部分呈鏡面對稱；而滑移不引起晶格位向改變。孿生時，相鄰原子面的相對位移量小于一個原子間距；而滑移時滑移面兩側(cè)晶體的相對位移量是原子間距的整數(shù)倍。孿生所需要的切應(yīng)力比滑移大得多，變形速度大得多

退火孿晶：由于相變過程中原子重新排列時發(fā)生錯排而產(chǎn)生的，稱退火孿晶

位錯的塞積：當(dāng)位錯運動到晶界附近時，受到晶界的阻礙而堆積起來,稱位錯的塞積

細(xì)晶強化：通過細(xì)化晶粒來同時提高金屬的強度、硬度、塑性和韌性的方法稱細(xì)晶強化 因為晶粒越細(xì)，單位體積內(nèi)晶粒數(shù)目越多，參與變形的晶粒數(shù)目也越多，變形越均勻，使在斷裂前發(fā)生較大的塑性變形。強度和塑性同時增加,金屬在斷裂前消耗的功也越大，因而其韌性也比較好。

固溶強化：隨溶質(zhì)含量增加，固溶體的強度、硬度提高，塑性、韌性下降，稱固溶強化 原因：由于溶質(zhì)原子與位錯相互作用的結(jié)果，溶質(zhì)原子不僅使晶格發(fā)生畸變，而且易被吸附在位錯附近形成柯氏氣團(tuán)，使位錯被釘扎住，位錯要脫釘，則必須增加外力，從而使變形抗力提高

柯氏Cotrell氣團(tuán)——溶質(zhì)原子的偏聚現(xiàn)象。在位錯線附近存在溶質(zhì)原子偏聚，位錯的滑移受到約束和釘扎作用，塑性變形難度增加，金屬材料的強度增加。

彌散強化：當(dāng)在晶內(nèi)呈顆粒狀彌散分布時，第二相顆粒越細(xì)，分布越均勻，合金的強度、硬度越高，塑性、韌性略有下降，這種強化方法稱彌散強化或沉淀強化。原因：由于硬的顆粒不易被切變，因而阻礙了位錯的運動，提高了變形抗力

加工硬化：隨冷塑性變形量增加，金屬的強度、硬度提高，塑性、韌性下降的現(xiàn)象稱加工硬化

原因：隨變形量增加, 位錯密度增加，由于位錯之間的交互作用(堆積、纏結(jié))，使得位錯難以繼續(xù)運動，從而使變形抗力增加；這是最本質(zhì)的原因

形變織構(gòu)：由于晶粒的轉(zhuǎn)動，當(dāng)塑性變形達(dá)到一定程度時，會使絕大部分晶粒的某一位向與變形方向趨于一致，這種現(xiàn)象稱形變織構(gòu)或擇優(yōu)取向。

內(nèi)應(yīng)力是指平衡于金屬內(nèi)部的應(yīng)力。是由于金屬受力時, 內(nèi)部變形不均勻而引起的。金屬發(fā)生塑性變形時,外力所做的功大部分轉(zhuǎn)化為熱能，只有10%轉(zhuǎn)化為內(nèi)應(yīng)力殘留于金屬中.回復(fù)與再結(jié)晶

回復(fù)recovery：是指新的無畸變晶粒出現(xiàn)前所產(chǎn)生的亞結(jié)構(gòu)和性能變化的階段。金屬中的點缺陷及位錯近距離遷移而引起的晶內(nèi)某些變化。如空位與其他缺陷合并、同一滑移面上的異號位錯相遇合并而使缺陷數(shù)量減少等。

再結(jié)晶recrystallization：是指出現(xiàn)無畸變的等軸新晶粒逐步取代變形晶粒的過程。

在開始階段，在畸變較大的區(qū)域里產(chǎn)生新的無畸變的晶粒核心，即再結(jié)晶的形核過程；然后通過逐漸消耗周圍變形晶粒而長大，轉(zhuǎn)變成為新的等軸晶，直至冷變形晶粒完全消失。晶粒長大grain growth：是指再結(jié)晶結(jié)束后晶粒的長大過程，在晶界界面能的驅(qū)動下，新晶粒會發(fā)生合并長大，最終達(dá)到一個相對穩(wěn)定的尺寸

多邊形化：由于位錯運動使其由冷塑性變形時的無序狀態(tài)變?yōu)榇怪狈植?，形成亞晶界，這一過程稱多邊形化

去應(yīng)力退火：利用回復(fù)現(xiàn)象將冷變形金屬低溫加熱，既穩(wěn)定組織又保留加工硬化，這種熱處理方法稱去應(yīng)力退火 回復(fù)階段退火的作用： 提高擴(kuò)散

促進(jìn)位錯運動

釋放內(nèi)應(yīng)變能

回復(fù)退火產(chǎn)生的結(jié)果： 電阻率下降

硬度、強度下降不多

降低內(nèi)應(yīng)力

再結(jié)晶的形核率是指單位時間、單位體積內(nèi)形成的再結(jié)晶核心的數(shù)目，一般用N表示；晶核一旦形成便會繼續(xù)長大至相鄰晶粒彼此相遇，長大速率用G表示

再結(jié)晶溫度：再結(jié)晶不是一個恒溫過程，它是自某一溫度開始，在一個溫度范圍內(nèi)連續(xù)進(jìn)行的過程，發(fā)生再結(jié)晶的最低溫度稱再結(jié)晶溫度。

再結(jié)晶退火：把消除加工硬化的熱處理稱為再結(jié)晶退火 晶粒的長大：正常長大，異常長大。

正常長大：大多數(shù)晶粒幾乎同時長大，晶粒長大的驅(qū)動力是降低其界面能，晶粒界面的不同曲率是造成界面遷移的直接原因，界面總是向曲率中心的方向移動。異常長大（不連續(xù)晶粒長大、二次再結(jié)晶）：少數(shù)晶粒突發(fā)性不均勻長大，使晶粒之間尺寸差別顯著增大，直至這些迅速長大的晶粒完全相互接觸為止。

退火孿晶:再結(jié)晶退火后出現(xiàn)的孿晶。是由于再結(jié)晶過程中因晶界遷移出現(xiàn)層錯形成的 再結(jié)晶織構(gòu):再結(jié)晶退火后形成的織構(gòu)。退火可將形變織構(gòu)消除，也可形成新織構(gòu)

低于再結(jié)晶溫度的加工變形稱為冷加工 高于再結(jié)晶溫度的加工變形稱為熱加工 熱加工：在加工變形的同時產(chǎn)生加工硬化和動態(tài)回復(fù)與再結(jié)晶，并且熱加工產(chǎn)生的加工硬化很快被回復(fù)再結(jié)晶產(chǎn)生的軟化所抵消，所以熱加工體現(xiàn)不出加工硬化現(xiàn)象。動態(tài)回復(fù)：在塑變過程中發(fā)生的回復(fù)。

動態(tài)再結(jié)晶：在塑變過程中發(fā)生的再結(jié)晶。特點：反復(fù)形核，有限長大，晶粒較細(xì)。

包含亞晶粒，位錯密度較高，強度硬度高。

超塑性：某些材料在特定變形條件下呈現(xiàn)的特別大的延伸率

材料的凝固

結(jié)構(gòu)起伏（Structural undulation）：液態(tài)金屬中存在著原子排列規(guī)則（有序）的小區(qū)域（原子集團(tuán)），但是不穩(wěn)定，存在原子重新聚集clustering，此起彼伏。能量起伏（Energy undulation）：造成結(jié)構(gòu)起伏的原因是液態(tài)金屬中存在著能量起伏，能量低的地方形成cluster，遇到能量高峰又散開成無序狀態(tài)。結(jié)構(gòu)起伏與能量起伏是對應(yīng)的。

過冷：結(jié)晶只有在T0以下的實際結(jié)晶溫度下才能進(jìn)行，這種現(xiàn)象稱為過冷 過冷度：理論結(jié)晶溫度與實際結(jié)晶溫度的差?T稱過冷度

?T= T0 –T1

均勻形核：是指新相晶核在母相中均勻地生成，即晶核由液相中的一些cluster直接形成，不受雜質(zhì)粒子或外表面的影響 非均勻形核：是指新相優(yōu)先在母相中存在的異質(zhì)處形核，即依附于液相中的雜質(zhì)或外來表面形核，也稱異質(zhì)形核。

臨界形核功：形成臨界晶核所需的能量ΔG*稱為臨界形核功。

形核率N：是指在單位時間內(nèi)，單位體積的金屬液體中形成的晶核數(shù)

光滑界面：是指固相表面為基本完整的原子密排面，固液兩相截然分開，從微觀上看界面是光滑的，但是從宏觀來看，界面呈鋸齒狀的折線。

粗糙界面：在微觀上高低不平、粗糙，存在幾個原子厚度的過渡層，但是宏觀上看，界面反而是平直的。

過冷度：晶體長大也需要一定的過冷度。長大所需的界面過冷度稱為動態(tài)過冷度，用?Tk表示。

粗糙界面長大機制：連續(xù)長大，晶體沿界面的法線方向向液相中生長。這種長大方式叫做垂直長大(vertical growth)，或連續(xù)長大

粗糙界面

光滑界面晶體長大機制：二維形核

借螺型位錯長大

成分起伏：材料內(nèi)因原子的熱運動引起微區(qū)中成分瞬間偏離溶液的平均成分，出現(xiàn)起伏平衡分配系數(shù)k0：平衡凝固時固相的溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)wS（成分）和液相溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)wL（成分）之比。

正偏析：溶質(zhì)濃度由錠表面向中心逐漸增加的不均勻分布稱為正偏析，它是宏觀偏析的一種。這種偏析通過擴(kuò)散退火也難以消除

區(qū)域熔煉：原始質(zhì)量濃度為?0，凝固前端部分的溶質(zhì)濃度不斷下降（k0<1），后端部分不斷富集，使前端溶質(zhì)減少而得到提純，也叫區(qū)域提純

成分過冷：在合金凝固過程中，由于液相中溶質(zhì)分布發(fā)生變化而改變了凝固溫度。界面前沿液體中的實際溫度低于由溶質(zhì)分布所決定的凝固溫度時產(chǎn)生的過冷，稱為成分過冷

鑄錠（件）的缺陷：鑄造缺陷的類型較多，常見的有縮孔、氣孔、疏松、偏析、夾渣、白點等

縮孔：大多數(shù)液態(tài)金屬的密度比固態(tài)的小，因此結(jié)晶時發(fā)生體積收縮。金屬收縮后，如果沒有液態(tài)金屬繼續(xù)補充的話，就會出現(xiàn)收縮孔洞，稱之為縮孔

偏析:鑄錠中各部分化學(xué)成分不均勻的現(xiàn)象稱為偏析。分為：宏觀偏析和顯微偏析平衡凝固：指凝固過程中的每個階段都能達(dá)到平衡，即在相變過程中有充分的時間進(jìn)行組元間的擴(kuò)散。

枝晶偏析：在一個枝晶范圍內(nèi)或一個晶粒范圍內(nèi)成分不均勻的現(xiàn)象稱做枝晶偏析

相圖

相律：確定在平衡條件下，一個系統(tǒng)的組成物的組元數(shù)、相數(shù)、和自由度數(shù)之間的關(guān)系規(guī)律。F = C – P + 2

勻晶反應(yīng)：這種從液相中結(jié)晶出單一固相的轉(zhuǎn)變稱為勻晶轉(zhuǎn)變或勻晶反應(yīng) isomorphous reaction。L ? a 共晶轉(zhuǎn)變：在一定溫度下，由一定成分的液相同時結(jié)晶出兩個成分和結(jié)構(gòu)都不相同的新固相的轉(zhuǎn)變稱作共晶轉(zhuǎn)變

偏晶轉(zhuǎn)變：是一個液相L1分解出一個固相和另一成分的液相L2的轉(zhuǎn)變。有可能產(chǎn)生偏晶轉(zhuǎn)變的二元系往往在液態(tài)時兩組元只能部分溶解，或幾乎不溶解 共析反應(yīng)：是指在一定溫度下，由一定成分的固相同時析出兩個成分和結(jié)構(gòu)完全不同的新固相的過程。共析轉(zhuǎn)變也是固態(tài)相變

包析轉(zhuǎn)變：兩個一定成分的固相（?、?）在恒溫（T）下轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€新的固相（?）的恒溫反應(yīng)。包析轉(zhuǎn)變與包晶轉(zhuǎn)變的相圖特征類似，只是包析轉(zhuǎn)變中沒有液相，只有固相。

熔晶轉(zhuǎn)變：是一個固相轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€固相和一個液相的恒溫轉(zhuǎn)變。之所以稱為熔晶轉(zhuǎn)變，是因為固相在溫度下降時可以部分熔化。

合晶轉(zhuǎn)變是由兩個成分不同的液相L1和L2相互作用形成一個固相，即

L1 + L2 ? b

直接從液相中結(jié)晶出的固相稱一次相或初生相。已有固相析出的新固相稱二次相或次生相 擴(kuò)散退火：生產(chǎn)上常將鑄件加熱到固相線以下100-200℃長時間保溫，以使原子充分?jǐn)U散、成分均勻，消除枝晶偏析，這種熱處理工藝稱做擴(kuò)散退火 偽共晶：非平衡凝固時，成分在共晶點附近的非共晶成分合金也可能得到100%的共晶組織，這樣的共晶組織稱為偽共晶

當(dāng)合金的成分離共晶點很遠(yuǎn)時，非平衡凝固，形成的共晶組織數(shù)量很少，通常共晶體中的?離異共晶：相依附于初生?相生長，將共晶體中另一相?推到最后凝固的晶界處，即?相單獨地分布?相的晶粒邊界上。這種兩相分離的共晶組織叫做離異共晶 包晶轉(zhuǎn)變（包晶反應(yīng) Peritectic reaction）：一個液相(L)與一個固相(α)在恒溫(TD)下生成另一個固相(β)的轉(zhuǎn)變。表達(dá)式如下：LC + ?P ? ?D

含碳量為0.0218% ~2.11%的稱鋼，含碳量為 2.11%~ 6.69%的稱鑄鐵

碳在?-Fe中的固溶體稱鐵素體, 用F 或? 表示。碳在δ-Fe中的固溶體稱δ-鐵素體，稱高溫鐵素體，用δ 表示。都是BCC間隙固溶體

奧氏體:碳在?-Fe中的固溶體稱奧氏體。用A或 ? 表示。是面心立方晶格的間隙固溶體 萊氏體：共晶轉(zhuǎn)變的產(chǎn)物是奧氏體與滲碳體的機械混合物，稱為萊氏體，用符號Ld表示 珠光體：共析轉(zhuǎn)變的產(chǎn)物是鐵素體與滲碳體的機械混合物，稱為珠光體 從鐵素體中析出的滲碳體稱三次滲碳體，用Fe3CⅢ

直線法則：在一定溫度下三組元材料兩相平衡時，材料的成分點和其兩個平衡相的成分點必然位于成分三角形內(nèi)的一條直線上，該規(guī)律稱為直線法則或三點共線法則

重心法則：成分為R的三元合金在某一溫度下,分解成α,β,γ三個相,則R的成分點必定位于△αβγ的重心位置上

第二篇：武漢理工大學(xué)2014年355建筑學(xué)基礎(chǔ)考研真題

武漢理工大學(xué)

2014年碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題

================= 試題編號：624試題名稱：工業(yè)設(shè)計史論（共1頁）

適用專業(yè)：工業(yè)設(shè)計工程說明： 所有答案必須寫在答題紙上，做在試題或草稿紙上無效。

=================

一．名詞解釋（每題5分，共50分）

1.百分位數(shù)

2.感覺與知覺

3.系統(tǒng)

4.事故

5.《天工開物》

6.頭腦風(fēng)暴法

7.裝飾藝術(shù)運動

8.后現(xiàn)代主義設(shè)計

9.有計劃的商品廢止制

10.約翰?拉斯金

二．從人機工程學(xué)角度全面分析人觀看電視的行為，并提出關(guān)鍵人機要素。（10分）

三．個人心理空間是指圍繞一個人并按照其心理尺寸要求的空間，請從個人心理空間的角度分析設(shè)計多人辦公場所時應(yīng)考慮的心理因素。（10分）

四．如何理解包豪斯思想對于今天設(shè)計的影響與意義？（10分）

五．分析信息社會背景下視覺語言的特征與變化？（10分）

六．根據(jù)以下背景資料分析“闖黃燈”問題中的人因要素。（20分）

（1）2011年，浙江嘉興某市一位先生因闖黃燈被罰，并訴之法庭，成為全國首例“闖黃燈”行政訴訟案，嘉興中級法院做出終審判決，認(rèn)定其闖黃燈屬于違法行為。

（2）2007年，各大新聞網(wǎng)站發(fā)布了“北京交通路口黃燈改4秒，燈序統(tǒng)一為綠黃紅綠”的新聞，提到“闖黃燈雖不違法，但也十分危險”。

（本試卷由研究生幫幫忙提供，如有需求更多年份請去網(wǎng)站下載，網(wǎng)址3w點，yjsbbm點COM咨詢QQ三四七一二七七五，考研咨詢?nèi)禾柸湃寰牌叨?/p>

七．如何理解設(shè)計中的“民族性”？（20分）

八．分析當(dāng)代設(shè)計師應(yīng)具備什么樣的價值觀？（20分）2

第三篇：武漢理工大學(xué)會計學(xué)1997-2010 簡答 名詞解釋 論述試題總結(jié)版

簡答：

1.什么是固定資產(chǎn)？固定資產(chǎn)的確認(rèn)需要具備哪些條件？2010

2.什么事費用？費用具有哪些特征？2010

3.現(xiàn)金流量表的編制基礎(chǔ)是什么？其含義是什么？現(xiàn)金流量表主要包括哪些內(nèi)容？2010

4.何謂債務(wù)重組？債務(wù)重組主要由哪些方式？2009

5.何謂成本計算的分批法？采用分批法的使用范圍如何？2009

6.何謂非貨幣性資產(chǎn)交換？2008

7.籌資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量至少應(yīng)單獨列示哪些信息項目？2008

8.會計計量屬性主要包括哪些？2007

9.何謂固定資產(chǎn)？其確認(rèn)條件如何？2007

10.企業(yè)應(yīng)當(dāng)在附注中披露或有負(fù)債的那些信息？2007

11.借款費用應(yīng)當(dāng)同時滿足哪些條件，才能開始資本化？2007

12.什么是結(jié)賬？結(jié)賬工作包括哪些內(nèi)容？2006

13.何謂實地盤存制？永續(xù)盤存制？各有何優(yōu)缺點？2006

14.什么是上市公司會計信息披露？試論上市公司會計信息披露的意義。2006

15.何謂會計循環(huán)？一個完整的會計循環(huán)包括哪些基本步驟？2005

16.何謂資產(chǎn)計價？資產(chǎn)的計量屬性主要有哪些？2005

17.我國會計法規(guī)制度包括哪些內(nèi)容？2005

名詞解釋：

1.調(diào)整賬戶2004

2.所有者權(quán)益2004

3.會計核算形式2004

4.會計確認(rèn)2004

5.收付實現(xiàn)制（現(xiàn)金收付基礎(chǔ)）2004

6.會計要素2003

7.借貸記賬法2003

8.權(quán)責(zé)發(fā)生制2003

9.固定資產(chǎn)折舊2003

10.盤存賬戶2003

論述：

1、試述會計國際化的含義及意義。20102、簡述：資產(chǎn)負(fù)債率的高低對企業(yè)債權(quán)人和所有者的意。義20093、試述：面對2008年金融危機全球會計行業(yè)要順應(yīng)而變。20094、談?wù)剬嬓畔①|(zhì)量要求的理解。20085、簡述注冊資本、實收資本、投入資本三者的概念和關(guān)系。20086、試述會計科目與會計賬戶的關(guān)系20047、何謂會計循環(huán)？試述會計循環(huán)的步驟及其基本內(nèi)容。20048、試述合并資產(chǎn)負(fù)債表和合并利潤表的基本合并原理。20049、科目匯總表核算形式與匯總記賬憑證核算形式有何相同點與不同點？200310、試述兩種財產(chǎn)物資盤存制度的基本做法及其優(yōu)缺點。200311、試述調(diào)整賬戶的涵義、性質(zhì)、種類，每種調(diào)整賬戶各舉一例加以說明。200312、試述無形資產(chǎn)價值轉(zhuǎn)移的不同觀點及其理由。200213、試述各種外幣報表折算方法折算資產(chǎn)負(fù)債表的基本做法，并對其有缺點進(jìn)行評價200214、屬于會計確認(rèn)與計量的原則有：權(quán)責(zé)發(fā)生制原則、歷史成本原則、配比原則、收益性支

出和資本性支出原則。試說明以上四種原則在會計確認(rèn)與計量中的作用。按照權(quán)責(zé)發(fā)生制原則和歷史成本原則對會計要素確認(rèn)與計量有何局限性。200015、什么是調(diào)整賬戶？調(diào)整賬戶有哪幾種類型？分別舉例說明調(diào)整賬戶的作用。200016、會計理論結(jié)構(gòu)包括哪些內(nèi)容？各項內(nèi)容的關(guān)系如何？1997

第四篇：材料科學(xué)基礎(chǔ)(武漢理工大學(xué),張聯(lián)盟版)課后習(xí)題及答案 第九章

第九章答案

9-2什么叫相變？按照相變機理來劃分，可分為哪些相變? 解：相變是物質(zhì)系統(tǒng)不同相之間的相互轉(zhuǎn)變。按相變機理來分，可以分為擴(kuò)散型相變和非擴(kuò)散型相變和半擴(kuò)散型相變。依靠原子或離子長距離擴(kuò)散進(jìn)行的相變叫擴(kuò)散型相變。非擴(kuò)散型型相變指原子或離子發(fā)生移動，但相對位移不超過原子間距。9-3分析發(fā)生固態(tài)相變時組分及過冷度變化相變驅(qū)動力的影響。

解：相變驅(qū)動力是在相變溫度下新舊相的體自由能之差（），而且是新相形成的必要條件。當(dāng)兩個組元混合形成固溶體時，混合后的體系的自由能會發(fā)生變化。可以通過自由能-成分曲線來確定其相變驅(qū)動力的大小。過冷度是相變臨界溫度與實際轉(zhuǎn)變溫度之差，相變形核的熱力學(xué)條件是要有過冷度。已知驅(qū)動力

與過冷度

之間的關(guān)系是：,這進(jìn)一步說明了形核的熱力學(xué)條件。

9-4馬氏體相變具有什么特征？它和成核－生成相變有何差別? 解：馬氏體相變是替換原子經(jīng)無擴(kuò)散切變位移(均勻或不均勻)并由此產(chǎn)生形狀改變和表面浮凸、曾不變平面應(yīng)變特征的一級形核、長大的相變。

特征：具有剪切均勻整齊性、不發(fā)生原子擴(kuò)散、相變速度快、相變有一定范圍、有很大的切變型彈性應(yīng)變能。

成核－生長過程中存在擴(kuò)散相變，母相與晶相組成可相同可不同，轉(zhuǎn)變速度較慢，無明顯的開始和終了溫度。

9-5試分析應(yīng)變能及表面能對固態(tài)相變熱力學(xué)、動力學(xué)及新相形狀的影響。

解：物質(zhì)的表面具有表面張力σ,在恒溫恒壓下可逆地增大表面積dA,則需功σdA,因為所需的功等于物系自由能的增加,且這一增加是由于物系的表面積增大所致,故稱為表面自由能或表面能。應(yīng)變能和表面能可以影響相變驅(qū)動力的大小，和新相的形狀。9-6請分析溫度對相變熱力學(xué)及動力學(xué)的影響。

解：當(dāng)溫度降低，過冷度增大，成核勢壘下降，成核速率增大，直至達(dá)到最大值；當(dāng)溫度繼續(xù)下降，液相粘度增加，原子或分子擴(kuò)散速率下降。溫度過高或過低對成核和生長速率均不利，只有在一定的溫度下才有最大成核和生長速率。

9-7調(diào)幅分解與脫溶分解有何異同點？調(diào)幅分解所得到的顯微結(jié)構(gòu)與性能有何特點？ 解：調(diào)幅分解通過擴(kuò)散偏聚由一種固溶體分解成與母相結(jié)構(gòu)相同而成分不同的兩種固溶體。脫溶分解是從過飽和固溶體中析出第二相的過程。它們的主要區(qū)別如下：

（１）調(diào)幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學(xué)能壘、無形核的固態(tài)相變。脫溶分解是形核－長大型相變，有熱力學(xué)能壘，有形核過程。

（２）調(diào)幅分解初期，母相內(nèi)的成分起伏是逐步建立起來的，兩相的成分隨時間增加而連續(xù)變化并曾正弦波分布規(guī)律，最后達(dá)到平衡相成分。脫溶分解的晶核一旦在母相中形成，其成分就是平衡相的成分，以后變化不大。

（３）調(diào)幅分解在母相中均勻的發(fā)生；脫溶分解晶核一般在晶體缺陷處形成。

（４）調(diào)幅分解中的增幅過程是通過上坡擴(kuò)散。沉淀相晶核的形成是通過下坡擴(kuò)散。（５）調(diào)幅分解中的兩個偏聚區(qū)曾不明晰共格界面。沉淀相與母相曾明細(xì)界面。（６）調(diào)幅分解組織結(jié)構(gòu)規(guī)則，脫溶分解組織的均勻性較差。相同點：都是通過溶質(zhì)的擴(kuò)散而進(jìn)行。

調(diào)幅分解所得到的顯微結(jié)構(gòu)通常曾準(zhǔn)周期性和互連性的成分調(diào)制結(jié)構(gòu)或海綿狀組織，組織均勻細(xì)密，只有在電鏡下才能分辨。

9-8當(dāng)一種純液體過冷到平衡凝固溫度（T0）以下時，固相與液相間的自由焓差越來越負(fù)。試證明在溫度T0附近隨溫度變化的關(guān)系近似地為：潛熱。，式中?HV<0為凝固解：由得：

在平衡溫度時，則在時，,得證。

9-9在純液體平衡凝固溫度T0以下，熱起伏活化因子exp植。（提示：利用

臨界相變勢壘隨溫度下降而減小，于是有一個使

有極大

為極大值的溫度。試證明當(dāng)T＝T0/3時，exp

表達(dá)式）

解：由將代入

則令 則

即求y的極值，當(dāng)時，即此時y有極大值。

故當(dāng)時，exp（）有極大值。

9-10為什么在成核一生長機理相變中，要有一點過冷或過熱才能發(fā)生相變?什么情況下需過冷，什么情況下需過熱？

解：由熱力學(xué)公式

平衡時

:相變平衡溫度；

得

：相變熱

溫度Ｔ時，系統(tǒng)處于不平衡狀態(tài)，則，要使相變自發(fā)進(jìn)行，須使，則，即必須使，才能發(fā)生相變。，則，則，，必須過冷。，必須過熱。

*對于放熱過程如結(jié)晶，凝聚對于吸熱過程如蒸發(fā)，熔融9-11何謂均勻成核？何謂不均勻成核？晶核劑對熔體結(jié)晶過程的臨界晶核半徑r有何影響? 解：均勻成核——在均勻介質(zhì)中進(jìn)行，在整體介質(zhì)中的核化可能性相同，與界面，缺陷無關(guān) 非均勻成核——在異相界面上進(jìn)行，如容器壁，氣泡界面或附著于外加物（雜質(zhì)或晶核劑），使用晶核劑可以降低，因此下降。

*9-12在不均勻成核的情況下，相變活化能與表面張力有關(guān)，試討論不均勻成核的活化能△Gh與接觸角θ的關(guān)系，并證明當(dāng)

時，△Gh是均勻成核活化能的一半。

*解：

（１）

（２）

（３）

（４）

平衡時 則（５）

將（２）（３）（４）（５）代入（１）式，并令，則

由上式可以看出，當(dāng)時，39-13鐵的原子量為55.84，密度為7.3g/cm，熔點為1593℃，熔化熱為11495J/mol，固－－52液界面能為2.04×10J/cm，試求在過冷度為10℃、100℃時的臨界晶核大小，并估計這些晶核分別由多少個晶胞所組成（已知鐵為體心立方晶格，晶格常數(shù)a＝0.305nm）。

解：由, 晶核體積為，晶胞的體積為，則晶胞的個數(shù)為

當(dāng)過冷度為10℃時，將已知條件代入，得：

J

m 則晶胞的個數(shù)為當(dāng)過冷度為100℃時，將已知條件代入，得：

個

J

m 此時晶胞的個數(shù)為

個。

39-14熔體冷卻結(jié)晶過程中，在1000℃時，單位體積自由焓變化△GV418J/cm；在900℃時是2090J/cm。設(shè)固－液界面能

35×10J/cm，求：（1）在900℃和1000℃時的臨界晶

－52核半徑；（2）在900℃和1000℃時進(jìn)行相變所需的能量。解：（1）由題意可知，（2）900℃時，J 溫度為1000℃時，J

*

*9-15如在液相中形成邊長為a的立方體晶核時，求出“臨界核胚”立方體邊長a和△G。**為什么立方體的△G大于球形△G? 解： 由，得

所以

而

因為當(dāng)形成體積相同的核時，立方體表面積6a>球形的表面積則 3

9-16銅的熔點Tm＝1385k，在過冷度△T＝0.2Tm的溫度下，通過均相成核得到晶體銅。計算

3－52該溫度下的臨界核胚半徑及臨界核胚的原子數(shù)。（?H＝1628J/cm、γ＝1.77×10J/cm，設(shè)銅為面心立方晶體，a＝0.3615nm）

解：由，晶核體積為，晶胞的體積為，則晶胞的個數(shù)為

將已知條件代入，得：J/cm

m=1.087nm 則臨界核胚的原子數(shù)為

個

9-17圖9-1為晶核的半徑r與△G間的關(guān)系，現(xiàn)有不同溫度的三條曲線，請指出哪條溫度最高？哪條溫度最低？并說明理由。

圖9-1△G~r關(guān)系曲線

解：晶核的半徑相同時

第五篇：武漢理工大學(xué)計算機科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2013年碩士研究生復(fù)試工作安排

武漢理工大學(xué)計算機科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2013年碩士研究生復(fù)試工作安排

根據(jù)我校2013年研究生入學(xué)考試復(fù)試工作的安排，經(jīng)學(xué)院研究決定，現(xiàn)將我院復(fù)試工作的安排公布如下：

一、復(fù)試分?jǐn)?shù)線

1、根據(jù)2013年武漢理工大學(xué)專業(yè)復(fù)試分?jǐn)?shù)線的要求，所有第一志愿報考我院并達(dá)到以下復(fù)試分?jǐn)?shù)線的考生，均可參加復(fù)試（免試推薦研究生不參加復(fù)試）。學(xué)院將不再向考生發(fā)放復(fù)試通知書。

（1）、全日制學(xué)術(shù)型碩士

計算機科學(xué)與技術(shù)：總分315，單科40（滿分100），60（滿分150）

軟件工程：總分315，單科40（滿分100），60（滿分150）

（2）、全日制專業(yè)型碩士

計算機技術(shù)專業(yè)： 總分300，單科40（滿分100），60（滿分150）

軟件工程專業(yè)：總分300，單科40（滿分100），60（滿分150）

2、第一志愿報考我院學(xué)術(shù)型碩士，未達(dá)到學(xué)術(shù)型碩士最低復(fù)試線而達(dá)到以上專業(yè)碩士最低復(fù)試線的考生，均可參加我院專業(yè)型碩士復(fù)試。

二、復(fù)試及加試內(nèi)容與形式

1、心理測試：學(xué)院組織所有符合條件參加復(fù)試的考生及已被我校擬錄取的推薦免試生進(jìn)行心理測試。沒有參加心理測試的復(fù)試考生將不能參加筆試和面試。

2、體檢： 考生持本人身份證于2013年4月13日到馬區(qū)東院醫(yī)院參加體檢。

3、筆試：程序設(shè)計（不限語言）、編譯原理

4、實踐能力上機測試：主要考察C語言程序設(shè)計及程序調(diào)試能力。

5、面試：英語聽力與口語、專業(yè)英語、綜合。

三、具體時間安排

四、復(fù)試資格審查

復(fù)試費100元，在復(fù)試的資格審查時憑校財務(wù)收據(jù)統(tǒng)一收取。

根據(jù)碩士研究生報考條件，所有擬參加復(fù)試的考生根據(jù)本人情況，攜帶以下證明材料參加復(fù)試（審查原件，收取復(fù)印件）：

1、所有武漢理工大學(xué)普通全日制應(yīng)屆本科畢業(yè)考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證、學(xué)生證、所在學(xué)院開具的學(xué)籍證明；

2、所有非武漢理工大學(xué)普通全日制應(yīng)屆本科畢業(yè)考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證、學(xué)生證、所在學(xué)校教務(wù)部門開具的學(xué)籍證明；

3、所有往屆普通全日制本、?？飘厴I(yè)考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證、畢業(yè)證；

4、所有武漢理工大學(xué)成人應(yīng)屆本科畢業(yè)考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證、網(wǎng)絡(luò)（繼續(xù)）學(xué)院學(xué)籍科開具的該生已通過成人高考且2013年7月能準(zhǔn)時畢業(yè)的學(xué)籍證明；

5、所有非武漢理工大學(xué)成人應(yīng)屆本科畢業(yè)的考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證、所在學(xué)校成人教育管理部門開具的該生已通過成人高考且2013年7月能準(zhǔn)時畢業(yè)的學(xué)籍證明；

6、所有自學(xué)考試和網(wǎng)絡(luò)教育本科畢業(yè)考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證和畢業(yè)證；

7、所有獲境外學(xué)歷或?qū)W位證書考生須攜帶準(zhǔn)考證、二代身份證和畢業(yè)證及教育部留學(xué)中心的學(xué)歷學(xué)位認(rèn)證原件。

8、凡是準(zhǔn)考證上注明“復(fù)試時請出具學(xué)歷證書認(rèn)證證明”的考生必須提供學(xué)歷證書原件及教育部學(xué)歷認(rèn)證報告原件或教育部學(xué)歷認(rèn)證電子備案表，不能提供者不予復(fù)試。

資格審查不合格的考生，取消復(fù)試資格；證明材料不齊全，取消復(fù)試資格；提供虛假證明材料取消復(fù)試、錄取資格，并追究相應(yīng)違紀(jì)、違法責(zé)任。

五、總成績計算辦法

復(fù)試成績?yōu)閺?fù)試各環(huán)節(jié)(綜合素質(zhì)和能力考核、專業(yè)素質(zhì)和能力考核、外語聽說能力考核)成績按一定比例折算之和，滿分為100分，考核形式主要為筆試、實踐能力上機測試、面試，折算系數(shù)如下。

專業(yè)素質(zhì)和能力的考核將采取筆試的方式進(jìn)行，滿分為100，考試成績大于等于60分為合格，專業(yè)素質(zhì)和能力考核不合格者不予錄取。

同等學(xué)歷（高職高專、本科結(jié)業(yè)、成人應(yīng)屆本科畢業(yè)）的考生必須加試本專業(yè)大學(xué)本科兩門主干課程，每門課程滿分為100分，考試成績大于等于60分為合格，加試成績可不計入復(fù)試成績，但加試成績不合格者不予錄取。

1、總成績計算辦法

參加三門國家統(tǒng)考科目考生總成績=〔（初試統(tǒng)考科目成績之和）/3.5〕*35%+〔（初試自命題科目成績）/1.5〕〕*15% +復(fù)試成績*50%

參加四門國家統(tǒng)考科目考生總成績=〔（初試統(tǒng)考科目成績之和）/5〕*50% + 復(fù)試成績*50%

2、復(fù)試成績計算辦法

復(fù)試成績=英語聽力*15% + 筆試*50% + 面試*20% + 上機測試*15%

不按規(guī)定時間參加復(fù)試的考生，將視作自動放棄復(fù)試資格，該生復(fù)試成績?yōu)榱?，不予錄取。?fù)試結(jié)束后3個工作日公示復(fù)試及擬錄取結(jié)果。

六、獎學(xué)金評定辦法

根據(jù)《武漢理工大學(xué)研究生培養(yǎng)機制改革方案》的精神，推薦免試生第一學(xué)年獲一等獎學(xué)金，委托培養(yǎng)研究生不享受獎助學(xué)金，其他全日制研究生第一學(xué)年的獎學(xué)金等級按其錄取總成績排名確定獎學(xué)金等級。

注：全額學(xué)業(yè)獎學(xué)金為研究生所在專業(yè)的學(xué)費標(biāo)準(zhǔn)，全額學(xué)業(yè)助學(xué)金的標(biāo)準(zhǔn)為240元/月。

七、雙選工作時間和地點詳見報到時學(xué)院的公告。

八、咨詢電話：

027-***8