第一篇：電子技術(shù)課程總結(jié)

電子技術(shù)課程總結(jié)

熱工

一個(gè)學(xué)期以來(lái)，電子技術(shù)課程的教學(xué)內(nèi)容十分豐富，電子元件及電子電路的學(xué)習(xí)不僅加強(qiáng)了我們的社會(huì)應(yīng)用認(rèn)知，還在老師的悉心指導(dǎo)下加強(qiáng)了學(xué)習(xí)能力。下面是我學(xué)習(xí)本課程的一些收獲。

在第一節(jié)課，老師你就跟我們講解了一些學(xué)習(xí)方法，上課認(rèn)真聽(tīng)講，課后完成作業(yè)之余，寫(xiě)一下那本練習(xí)冊(cè)，鍛煉自己的做題能力，多了解一些題型，增強(qiáng)分析能力，學(xué)會(huì)總結(jié)，還有在4、7、10、13、16周的周二下午6點(diǎn)半，還給我們進(jìn)行答疑，這都令我們的學(xué)習(xí)渠道增多，解決掉課上沒(méi)聽(tīng)明白的知識(shí)點(diǎn)。經(jīng)過(guò)你的悉心指導(dǎo)，我的學(xué)習(xí)能力有了一定的提高，形成了良好的學(xué)習(xí)習(xí)慣，上課專心聽(tīng)講，下課完成一定的相應(yīng)練習(xí)，不讓自己對(duì)課上的知識(shí)生疏，但我還不能做到每時(shí)每刻上課都專心，偶爾會(huì)有點(diǎn)分心，但相對(duì)其他的課程，我的專心度是最高的，實(shí)話說(shuō)。上課的時(shí)候基本都能聽(tīng)得明白清楚，就最后一章的時(shí)序邏輯電路當(dāng)時(shí)沒(méi)能聽(tīng)明白，但在課后與同學(xué)討論及在后面一節(jié)課中你的習(xí)題講解，令我漸漸了解了時(shí)序邏輯電路的題型。

聽(tīng)老師講解題型是學(xué)生學(xué)習(xí)進(jìn)步最快的方法，我個(gè)人認(rèn)為。因?yàn)樵陬}型中包含了很多的知識(shí)點(diǎn)，而老師講解就能讓我們知道該如何應(yīng)用所學(xué)的知識(shí)點(diǎn)進(jìn)行分析解題，也能讓我們少走彎路，思維更快的往正確的方向走。而學(xué)生自己解題，不僅得先瀏覽一遍課本后才能想起一些知識(shí)點(diǎn)，還得查找相關(guān)例題，看例題如何分析，這樣就大大的削弱了學(xué)習(xí)效率，一天時(shí)間也做不了幾題。同時(shí)老師講解題型的時(shí)候有些題是有多種思路，多種解題方法的，老師講出來(lái)，就能開(kāi)闊我們的視野，強(qiáng)化學(xué)生的思路，不再局限于自己的課本。而我們寫(xiě)那本練習(xí)也會(huì)有不懂的題，老師的講解就成為我們解惑的渴望，在聽(tīng)講的過(guò)程中學(xué)生的精神都是高度集中的，老師講題越多，學(xué)生的精神集中能力也會(huì)提高，進(jìn)而形成一種習(xí)慣，那在上課的時(shí)候，學(xué)生就自然而然的全神貫注的聽(tīng)講了。

上電子技術(shù)課，在電子元件方面，我更加清楚的了解到了二極管的工作原理與應(yīng)用方法，并認(rèn)識(shí)了穩(wěn)壓二極管、三極管以及晶閘管等電子元件的性能與應(yīng)用。在電路方面，認(rèn)識(shí)了基本放大電路、集成運(yùn)算放大器、電子電路的反饋、門電路和組合邏輯電路、觸發(fā)器和時(shí)序邏輯電路。在如今這個(gè)科技發(fā)展的時(shí)代，電子技術(shù)在科技方面占領(lǐng)了很大的一塊領(lǐng)域，幾乎與所有的技術(shù)息息相關(guān)。集成電路越做越小，內(nèi)部電路越發(fā)繁多，功能也日日增多增強(qiáng)，生活水平也就日日提高。在這門課程里我們學(xué)到了門電路的組合與分析判斷，在課程實(shí)驗(yàn)中運(yùn)用所學(xué)知識(shí)進(jìn)行實(shí)踐操作，令我們真正的學(xué)有所得。

現(xiàn)在一個(gè)學(xué)期就過(guò)去了，課程的輕松愉快令我有些不舍，但想到自己在這個(gè)學(xué)期的學(xué)習(xí)表現(xiàn)還不錯(cuò)，也為自己欣慰，同時(shí)有點(diǎn)期待下學(xué)期的其他課程自己也能像上電子技術(shù)課一樣好好聽(tīng)課，并有收獲。在此感謝老師您這學(xué)期以來(lái)的悉心指導(dǎo)，O(∩_∩)O謝謝。

第二篇：電子技術(shù)課程總結(jié)

電子技術(shù)課程總結(jié)

第1章 常用半導(dǎo)體元器件

了解半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電機(jī)理。掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。熟悉二極管、三極管的伏安特性和主要參數(shù)。了解常用光電器件（LED、光電二極管、光電三極管、光電耦合器）的伏安特性。

第2章 基本放大電路

1.掌握基本放大電路的組成，靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定、非線性失真等概念。能夠理解阻容耦合多級(jí)放大電路的計(jì)算方法和頻率特性。重點(diǎn)掌握共射極和共集電極放大電路的靜態(tài)計(jì)算和動(dòng)態(tài)計(jì)算方法：

1）靜態(tài)計(jì)算：用估算法（近似計(jì)算法）計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)（IBICUCE）。

2）動(dòng)態(tài)計(jì)算：利用放大電路的微變等效電路模型計(jì)算：電壓放大

倍數(shù)Au，輸入電阻 ri，輸出電阻 ro。

2.掌握負(fù)反饋的概念，判斷反饋類型，理解負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響。

3.了解差分放大電路、互補(bǔ)對(duì)稱功放電路的原理和一些基本概念。

第3章 集成運(yùn)算放大器

各種運(yùn)算電路：比例、加法、減法（差動(dòng)運(yùn)算）、積分、微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)、乘法和除法運(yùn)算。

濾波器和比較器：電壓比較器、滯回比較器、窗口電壓比較器。比較器的電壓傳輸特性曲線（輸入與輸出關(guān)系）

4組合邏輯電路

掌握基本邏輯代數(shù)運(yùn)算規(guī)則。熟悉常用組合邏輯電路：加法器，譯碼器，編碼器，數(shù)據(jù)選擇器，數(shù)據(jù)分配器電路的原理。能夠分析和設(shè)計(jì)稍復(fù)雜的組合邏輯電路。掌握用譯碼器和數(shù)據(jù)選擇器電路實(shí)現(xiàn)組合邏輯的一般方法。

第5章 時(shí)序邏輯電路

掌握各種雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的邏輯功能；計(jì)數(shù)器電路的分析；集成計(jì)數(shù)器的使用。

第7章 模擬量和數(shù)字量的轉(zhuǎn)換

簡(jiǎn)單了解常用ADC和DAC電路的結(jié)構(gòu)和原理，了解ADC和DAC器件主要技術(shù)指標(biāo)之含義。

第8章 信號(hào)的發(fā)生與變換

理解自激振蕩的產(chǎn)生條件和建立過(guò)程，能用相位條件判斷電路能否產(chǎn)生自激振蕩。理解常用的波形發(fā)生器電路的工作原理，例如文氏橋式正弦波振蕩電路，LC正弦波振蕩電路，矩形波發(fā)生器，三角波發(fā)生器，鋸齒波發(fā)生器等電路的工作原理。重點(diǎn)掌握555集成定時(shí)器電路的工作原理和應(yīng)用電路。

第9章 電力電子技術(shù)

了解常用電力電子器件的工作原理。

掌握二極管整流及濾波電路的工作原理和參數(shù)計(jì)算。

掌握串聯(lián)調(diào)整型直流穩(wěn)壓電路的工作原理，掌握三端集成穩(wěn)壓集成電路的應(yīng)用。

第三篇：電工電子技術(shù)課程總結(jié)

世行貸款21世紀(jì)初高等理工科教育教學(xué)改革項(xiàng)目《礦業(yè)類專業(yè)課程體系整體優(yōu)化與實(shí)踐》課程總結(jié)

《電工電子技術(shù)》課程總結(jié)

魏 紹 亮

（山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院）

一、原課程存在的問(wèn)題分析

該課程是采礦工程專業(yè)的一門專業(yè)基礎(chǔ)課，不僅要求學(xué)生掌握電工與電子的基本理論和基本方法，并且要求學(xué)生具有較強(qiáng)的實(shí)踐能力。原課程主要存在以下問(wèn)題：

（1）內(nèi)容多而雜，學(xué)時(shí)少。由于本課程內(nèi)容涉及面廣且較雜，既包含了電路的知識(shí)，模擬電子、數(shù)字電子，同時(shí)又有電機(jī)及其控制等內(nèi)容，它是電學(xué)科的一門主干課程。由于內(nèi)容多，而學(xué)時(shí)較少，給該課程的教學(xué)帶來(lái)了不少困難和問(wèn)題，如何利用有限的學(xué)時(shí)完成課程任務(wù)，成了該課程最突出的矛盾。所以，在教材選擇上、內(nèi)容體系上、教學(xué)方法上等需要改革創(chuàng)新。

（2）教學(xué)內(nèi)容，教學(xué)方法上陳舊。社會(huì)要求學(xué)生不僅掌握深厚的理論知識(shí)，而且要具有較強(qiáng)的動(dòng)手能力。而該課程又是一門動(dòng)手能力要求很高的課程，所以，必須加強(qiáng)實(shí)驗(yàn)改革，加強(qiáng)學(xué)生綜合性和驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)的訓(xùn)練，大大提高學(xué)生的綜合思維能力和動(dòng)手能力。

（3）新技術(shù)、新方法不斷出現(xiàn)，原教學(xué)內(nèi)容卻反映很少。由于新技術(shù)和新方法的不斷發(fā)展，本課程所涉及的內(nèi)容也在變化，與電工電子技術(shù)相關(guān)的許多新技術(shù)和新方法不斷涌現(xiàn)。要提高學(xué)生未來(lái)社會(huì)的競(jìng)爭(zhēng)能力，就必須讓學(xué)生掌握這些新技術(shù)和新方法，在課程教學(xué)中予以體現(xiàn)。

二、課程改革的原則和做法

總的思路就是利用有限的學(xué)時(shí)讓學(xué)生既能較好地掌握基本理論和基本方法，又能盡量加強(qiáng)新理論、新方法的學(xué)習(xí)，同時(shí)增加綜合性、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)，提高學(xué)生的動(dòng)手能力和綜合思維能力。

具體安排：

（1）選擇質(zhì)量高，學(xué)時(shí)和內(nèi)容相當(dāng)?shù)慕滩?。如面?1世紀(jì)的國(guó)家級(jí)優(yōu)秀教材：高等教育出版社出版，唐介主編的《電工學(xué)》，葉挺秀主編的《電工電子技術(shù)》等，都可優(yōu)先選用。

（2）教學(xué)方法上采用課堂黑板教學(xué)與多媒體教學(xué)相結(jié)合的方法，提高課堂 1 世行貸款21世紀(jì)初高等理工科教育教學(xué)改革項(xiàng)目《礦業(yè)類專業(yè)課程體系整體優(yōu)化與實(shí)踐》課程總結(jié)

效率有效地解決學(xué)時(shí)不足與內(nèi)容較多之間的矛盾。

（3）內(nèi)容講授上增加PLC的應(yīng)用和EDA的相關(guān)知識(shí)和技術(shù)，讓學(xué)生了解和掌握當(dāng)前某些的新技術(shù)和新方法。

（4）加強(qiáng)綜合性和創(chuàng)新性實(shí)驗(yàn)。至少再增開(kāi)設(shè)兩個(gè)綜合性和創(chuàng)新性實(shí)驗(yàn)。（5）加強(qiáng)學(xué)生素質(zhì)的培養(yǎng)。通過(guò)該課程的學(xué)習(xí)培養(yǎng)大家團(tuán)結(jié)互助，整體意識(shí)，鍛煉吃苦耐勞的精神。

三、課程改革成果

（1）內(nèi)容體系改革上有新突破。能夠利用60學(xué)時(shí)的理論授課時(shí)間，把該課程的內(nèi)容講授完，并適當(dāng)增加了新理論和新方法的介紹。如在原來(lái)的教學(xué)中，一般是先講三相電路，然后講授非正弦交流電路和暫態(tài)電路，接著講授變壓器和電動(dòng)機(jī)。由于，非正弦電路與暫態(tài)電路在本書(shū)中相對(duì)較為獨(dú)立，前后聯(lián)系不大，而變壓器、電動(dòng)機(jī)和正弦交流電路與三相電路具有較密切的聯(lián)系。針對(duì)這種情況，我們?cè)诮虒W(xué)上講授完正弦電路和三相電路后，直接講授變壓器和電動(dòng)機(jī)，這樣不僅提高了教學(xué)進(jìn)度，而且教學(xué)效果較好。采用合理的教學(xué)安排，不僅把原來(lái)書(shū)本上的內(nèi)容較好的學(xué)完，而且留出足夠的時(shí)間講授當(dāng)前的新技術(shù)和新方法，學(xué)生對(duì)PLC控制器的原理有了較全面的認(rèn)識(shí)，對(duì)EDA設(shè)計(jì)方法也有了較全面的了解。

（2）成功開(kāi)設(shè)了綜合性和設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)。如“電動(dòng)機(jī)星三角自動(dòng)延時(shí)啟動(dòng)“試驗(yàn)”它在電工電子中是一個(gè)綜合較強(qiáng)的設(shè)計(jì)性試驗(yàn)。不僅要求學(xué)生具有直流電路、交流電路、暫態(tài)電路的基本知識(shí)，而且要求學(xué)生對(duì)模擬電路也有較深的認(rèn)識(shí)，所以，可以較好地培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)造性，把電工電子所學(xué)的內(nèi)容前后有機(jī)的結(jié)合起來(lái)，設(shè)計(jì)出合理的電路方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，這種綜合性、設(shè)計(jì)性試驗(yàn)非常受學(xué)生的歡迎，收到了較好的試驗(yàn)效果，學(xué)生能力得到了較大的鍛煉。為以后的成功編寫(xiě)實(shí)驗(yàn)教材積累了寶貴的經(jīng)驗(yàn)。

（3）編寫(xiě)了三本實(shí)踐教材：《電工技術(shù)與可編程序控制器實(shí)踐》、《電子技術(shù)實(shí)踐》、《EDA設(shè)計(jì)與方針實(shí)踐》。三本實(shí)踐教材于2002年8月由機(jī)械工業(yè)出版社出版發(fā)行，我校班級(jí)都選用了該教材。該教材總結(jié)了長(zhǎng)期從事電工電子課教師的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)及科研成果，具有較好的實(shí)用價(jià)值。現(xiàn)在我們正在計(jì)劃出版兩本理論教材：《電工技術(shù)》、《電子技術(shù)》，計(jì)劃2003年底在機(jī)械工業(yè)出版社正式出版，相關(guān)教師正在全力編寫(xiě)。

（4）制作了多媒體課件。已完成了教學(xué)用的全套多媒體課件，該課件融入 世行貸款21世紀(jì)初高等理工科教育教學(xué)改革項(xiàng)目《礦業(yè)類專業(yè)課程體系整體優(yōu)化與實(shí)踐》課程總結(jié)

了老師們多年的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)，從文字編寫(xiě)、圖形制作、公式演繹，到聲音配制到版面效果等都作了精心設(shè)計(jì)和制作，具有較好的教學(xué)效果。

（5）成績(jī)?cè)u(píng)定方法改革取得了預(yù)期效果。要想改變傳統(tǒng)的“教死書(shū)”的模式，就必須進(jìn)行學(xué)生成績(jī)?cè)u(píng)定的改革。原先那種單純依靠期末考試成績(jī)來(lái)衡量學(xué)生學(xué)習(xí)好差的方式已經(jīng)不適應(yīng)當(dāng)今素質(zhì)教育的要求。我們針對(duì)該課程的特點(diǎn)把成績(jī)?cè)u(píng)定方法作了改革，學(xué)生成績(jī)=期末考試成績(jī)×60%+課堂成績(jī)×20%+平時(shí)測(cè)驗(yàn)成績(jī)×20%。這種計(jì)量方式可以較公正地、全面地衡量一個(gè)學(xué)生對(duì)該課程的學(xué)習(xí)情況，可以積極地調(diào)動(dòng)學(xué)生學(xué)習(xí)的積極性和能動(dòng)性。實(shí)驗(yàn)成績(jī)采用單獨(dú)計(jì)量方式，打破理論成績(jī)與實(shí)驗(yàn)成績(jī)?cè)谝粔K的模式，對(duì)實(shí)驗(yàn)單獨(dú)設(shè)課，便于更好地調(diào)動(dòng)學(xué)生的積極性，認(rèn)真對(duì)待每一個(gè)試驗(yàn)，使實(shí)驗(yàn)課走向正規(guī)化，提高學(xué)生的動(dòng)手能力和分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力，全面提高學(xué)生的素質(zhì)，培養(yǎng)合格的工程技術(shù)人員。

四、存在的問(wèn)題

資金短缺，使很多綜合性試驗(yàn)和設(shè)計(jì)性試驗(yàn)很難正常開(kāi)設(shè)，許多元器件不能及時(shí)購(gòu)買到，影響試驗(yàn)的正常開(kāi)出，影響了教學(xué)質(zhì)量的提高。對(duì)先進(jìn)的新技術(shù)和方法，由于資金不足，學(xué)生的學(xué)習(xí)只停留在理論認(rèn)識(shí)上，不能讓學(xué)生親自動(dòng)手做實(shí)驗(yàn)。如PLC（可變程序控制器）、CPLD（EDA開(kāi)發(fā)和仿真系統(tǒng)）等缺乏應(yīng)有的試驗(yàn)設(shè)備，所以我們只能在課堂上給學(xué)生講授，而不能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，達(dá)不到學(xué)習(xí)和培養(yǎng)的需要。我們還需要購(gòu)買較好的多媒體課件，由于資金問(wèn)題遲遲不能實(shí)現(xiàn)，所以某些教師的講課只能停留在黑板的講課方式上。

五、課程改革的效果分析

針對(duì)采礦專業(yè)，我們進(jìn)行了卓有成效的教學(xué)改革，應(yīng)該說(shuō)效果較好。采礦專業(yè)是工科中一個(gè)非常重要的專業(yè)，培養(yǎng)的學(xué)生不僅要求具有寬厚的理論基礎(chǔ)，而且要求學(xué)生具有較強(qiáng)的動(dòng)手能力，綜合分析與解決問(wèn)題的能力。所以，在教學(xué)內(nèi)容上，我們拓寬了教學(xué)的知識(shí)面，不僅要求學(xué)生掌握基本理論和基本方法，而且要求學(xué)生熟悉當(dāng)前應(yīng)該了解的新理論和新方法（如EDA設(shè)計(jì)），在教學(xué)方法上加強(qiáng)學(xué)生能力培養(yǎng)，加強(qiáng)了實(shí)驗(yàn)課，增加了綜合性、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)。總體來(lái)看，課程改革的效果較好，學(xué)生反映也較好。

第四篇：電工電子技術(shù)課程總結(jié)

世行貸款21世紀(jì)初高等理工科教育教學(xué)改革項(xiàng)目《礦業(yè)類專業(yè)課程體系整體優(yōu)化與實(shí)踐》課程總結(jié)

《電工電子技術(shù)》課程總結(jié)

魏 紹 亮

（山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院）

一、原課程存在的問(wèn)題分析

該課程是采礦工程專業(yè)的一門專業(yè)基礎(chǔ)課，不僅要求學(xué)生掌握電工與電子的基本理論和基本方法，并且要求學(xué)生具有較強(qiáng)的實(shí)踐能力。原課程主要存在以下問(wèn)題：

（1）內(nèi)容多而雜，學(xué)時(shí)少。由于本課程內(nèi)容涉及面廣且較雜，既包含了電路的知識(shí)，模擬電子、數(shù)字電子，同時(shí)又有電機(jī)及其控制等內(nèi)容，它是電學(xué)科的一門主干課程。由于內(nèi)容多，而學(xué)時(shí)較少，給該課程的教學(xué)帶來(lái)了不少困難和問(wèn)題，如何利用有限的學(xué)時(shí)完成課程任務(wù)，成了該課程最突出的矛盾。所以，在教材選擇上、內(nèi)容體系上、教學(xué)方法上等需要改革創(chuàng)新。

（2）教學(xué)內(nèi)容，教學(xué)方法上陳舊。社會(huì)要求學(xué)生不僅掌握深厚的理論知識(shí)，而且要具有較強(qiáng)的動(dòng)手能力。而該課程又是一門動(dòng)手能力要求很高的課程，所以，必須加強(qiáng)實(shí)驗(yàn)改革，加強(qiáng)學(xué)生綜合性和驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)的訓(xùn)練，大大提高學(xué)生的綜合思維能力和動(dòng)手能力。

（3）新技術(shù)、新方法不斷出現(xiàn)，原教學(xué)內(nèi)容卻反映很少。由于新技術(shù)和新方法的不斷發(fā)展，本課程所涉及的內(nèi)容也在變化，與電工電子技術(shù)相關(guān)的許多新技術(shù)和新方法不斷涌現(xiàn)。要提高學(xué)生未來(lái)社會(huì)的競(jìng)爭(zhēng)能力，就必須讓學(xué)生掌握這些新技術(shù)和新方法，在課程教學(xué)中予以體現(xiàn)。

二、課程改革的原則和做法

總的思路就是利用有限的學(xué)時(shí)讓學(xué)生既能較好地掌握基本理論和基本方法，又能盡量加強(qiáng)新理論、新方法的學(xué)習(xí)，同時(shí)增加綜合性、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)，提高學(xué)生的動(dòng)手能力和綜合思維能力。

具體安排：

（1）選擇質(zhì)量高，學(xué)時(shí)和內(nèi)容相當(dāng)?shù)慕滩?。如面?1世紀(jì)的國(guó)家級(jí)優(yōu)秀教材：高等教育出版社出版，唐介主編的《電工學(xué)》，葉挺秀主編的《電工電子技術(shù)》等，都可優(yōu)先選用。

（2）教學(xué)方法上采用課堂黑板教學(xué)與多媒體教學(xué)相結(jié)合的方法，提高課堂 1

效率有效地解決學(xué)時(shí)不足與內(nèi)容較多之間的矛盾。

（3）內(nèi)容講授上增加PLC的應(yīng)用和EDA的相關(guān)知識(shí)和技術(shù)，讓學(xué)生了解和掌握當(dāng)前某些的新技術(shù)和新方法。

（4）加強(qiáng)綜合性和創(chuàng)新性實(shí)驗(yàn)。至少再增開(kāi)設(shè)兩個(gè)綜合性和創(chuàng)新性實(shí)驗(yàn)。

（5）加強(qiáng)學(xué)生素質(zhì)的培養(yǎng)。通過(guò)該課程的學(xué)習(xí)培養(yǎng)大家團(tuán)結(jié)互助，整體意識(shí)，鍛煉吃苦耐勞的精神。

三、課程改革成果

（1）內(nèi)容體系改革上有新突破。能夠利用60學(xué)時(shí)的理論授課時(shí)間，把該課程的內(nèi)容講授完，并適當(dāng)增加了新理論和新方法的介紹。如在原來(lái)的教學(xué)中，一般是先講三相電路，然后講授非正弦交流電路和暫態(tài)電路，接著講授變壓器和電動(dòng)機(jī)。由于，非正弦電路與暫態(tài)電路在本書(shū)中相對(duì)較為獨(dú)立，前后聯(lián)系不大，而變壓器、電動(dòng)機(jī)和正弦交流電路與三相電路具有較密切的聯(lián)系。針對(duì)這種情況，我們?cè)诮虒W(xué)上講授完正弦電路和三相電路后，直接講授變壓器和電動(dòng)機(jī)，這樣不僅提高了教學(xué)進(jìn)度，而且教學(xué)效果較好。采用合理的教學(xué)安排，不僅把原來(lái)書(shū)本上的內(nèi)容較好的學(xué)完，而且留出足夠的時(shí)間講授當(dāng)前的新技術(shù)和新方法，學(xué)生對(duì)PLC控制器的原理有了較全面的認(rèn)識(shí)，對(duì)EDA設(shè)計(jì)方法也有了較全面的了解。

（2）成功開(kāi)設(shè)了綜合性和設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)。如“電動(dòng)機(jī)星三角自動(dòng)延時(shí)啟動(dòng)“試驗(yàn)”它在電工電子中是一個(gè)綜合較強(qiáng)的設(shè)計(jì)性試驗(yàn)。不僅要求學(xué)生具有直流電路、交流電路、暫態(tài)電路的基本知識(shí)，而且要求學(xué)生對(duì)模擬電路也有較深的認(rèn)識(shí)，所以，可以較好地培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)造性，把電工電子所學(xué)的內(nèi)容前后有機(jī)的結(jié)合起來(lái)，設(shè)計(jì)出合理的電路方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，這種綜合性、設(shè)計(jì)性試驗(yàn)非常受學(xué)生的歡迎，收到了較好的試驗(yàn)效果，學(xué)生能力得到了較大的鍛煉。為以后的成功編寫(xiě)實(shí)驗(yàn)教材積累了寶貴的經(jīng)驗(yàn)。

（3）編寫(xiě)了三本實(shí)踐教材：《電工技術(shù)與可編程序控制器實(shí)踐》、《電子技術(shù)實(shí)踐》、《EDA設(shè)計(jì)與方針實(shí)踐》。三本實(shí)踐教材于2002年8月由機(jī)械工業(yè)出版社出版發(fā)行，我校班級(jí)都選用了該教材。該教材總結(jié)了長(zhǎng)期從事電工電子課教師的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)及科研成果，具有較好的實(shí)用價(jià)值?，F(xiàn)在我們正在計(jì)劃出版兩本理論教材：《電工技術(shù)》、《電子技術(shù)》，計(jì)劃2003年底在機(jī)械工業(yè)出版社正式出版，相關(guān)教師正在全力編寫(xiě)。

（4）制作了多媒體課件。已完成了教學(xué)用的全套多媒體課件，該課件融入

了老師們多年的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)，從文字編寫(xiě)、圖形制作、公式演繹，到聲音配制到版面效果等都作了精心設(shè)計(jì)和制作，具有較好的教學(xué)效果。

（5）成績(jī)?cè)u(píng)定方法改革取得了預(yù)期效果。要想改變傳統(tǒng)的“教死書(shū)”的模式，就必須進(jìn)行學(xué)生成績(jī)?cè)u(píng)定的改革。原先那種單純依靠期末考試成績(jī)來(lái)衡量學(xué)生學(xué)習(xí)好差的方式已經(jīng)不適應(yīng)當(dāng)今素質(zhì)教育的要求。我們針對(duì)該課程的特點(diǎn)把成績(jī)?cè)u(píng)定方法作了改革，學(xué)生成績(jī)=期末考試成績(jī)×60%+課堂成績(jī)×20%+平時(shí)測(cè)驗(yàn)成績(jī)×20%。這種計(jì)量方式可以較公正地、全面地衡量一個(gè)學(xué)生對(duì)該課程的學(xué)習(xí)情況，可以積極地調(diào)動(dòng)學(xué)生學(xué)習(xí)的積極性和能動(dòng)性。實(shí)驗(yàn)成績(jī)采用單獨(dú)計(jì)量方式，打破理論成績(jī)與實(shí)驗(yàn)成績(jī)?cè)谝粔K的模式，對(duì)實(shí)驗(yàn)單獨(dú)設(shè)課，便于更好地調(diào)動(dòng)學(xué)生的積極性，認(rèn)真對(duì)待每一個(gè)試驗(yàn)，使實(shí)驗(yàn)課走向正規(guī)化，提高學(xué)生的動(dòng)手能力和分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力，全面提高學(xué)生的素質(zhì)，培養(yǎng)合格的工程技術(shù)人員。

四、存在的問(wèn)題

資金短缺，使很多綜合性試驗(yàn)和設(shè)計(jì)性試驗(yàn)很難正常開(kāi)設(shè)，許多元器件不能及時(shí)購(gòu)買到，影響試驗(yàn)的正常開(kāi)出，影響了教學(xué)質(zhì)量的提高。對(duì)先進(jìn)的新技術(shù)和方法，由于資金不足，學(xué)生的學(xué)習(xí)只停留在理論認(rèn)識(shí)上，不能讓學(xué)生親自動(dòng)手做實(shí)驗(yàn)。如PLC（可變程序控制器）、CPLD（EDA開(kāi)發(fā)和仿真系統(tǒng)）等缺乏應(yīng)有的試驗(yàn)設(shè)備，所以我們只能在課堂上給學(xué)生講授，而不能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，達(dá)不到學(xué)習(xí)和培養(yǎng)的需要。我們還需要購(gòu)買較好的多媒體課件，由于資金問(wèn)題遲遲不能實(shí)現(xiàn)，所以某些教師的講課只能停留在黑板的講課方式上。

五、課程改革的效果分析

針對(duì)采礦專業(yè)，我們進(jìn)行了卓有成效的教學(xué)改革，應(yīng)該說(shuō)效果較好。采礦專業(yè)是工科中一個(gè)非常重要的專業(yè)，培養(yǎng)的學(xué)生不僅要求具有寬厚的理論基礎(chǔ)，而且要求學(xué)生具有較強(qiáng)的動(dòng)手能力，綜合分析與解決問(wèn)題的能力。所以，在教學(xué)內(nèi)容上，我們拓寬了教學(xué)的知識(shí)面，不僅要求學(xué)生掌握基本理論和基本方法，而且要求學(xué)生熟悉當(dāng)前應(yīng)該了解的新理論和新方法（如EDA設(shè)計(jì)），在教學(xué)方法上加強(qiáng)學(xué)生能力培養(yǎng)，加強(qiáng)了實(shí)驗(yàn)課，增加了綜合性、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)?？傮w來(lái)看，課程改革的效果較好，學(xué)生反映也較好。

第五篇：電力電子技術(shù)課程總結(jié)

學(xué) 號(hào)：1111111111

Hefei University

功率變換技術(shù)課程綜述

報(bào)告題目：IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

專業(yè)班級(jí)： XXXXXXXXXXXX 學(xué)生姓名： XXX 教師姓名： ZZZZZ老師 完成時(shí)間： 2017年5月14日

IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

中 文 摘 要

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

關(guān)鍵詞：IGBT；半導(dǎo)體；研究現(xiàn)狀；發(fā)展前景

Present situation and development trend of IGBT research

ABSTRACT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), insulated gate bipolar transistor, is composed of BJT(bipolar transistor)and MOS(insulated gate FET)composite full controlled voltage composed of driven power semiconductor devices, has the advantages of high input impedance and low conductance GTR with MOSFET through the two aspects pressure drop.The GTR saturation voltage is reduced, the carrier current density is large, but the driving current is large.The driving power of MOSFET is very small and the switching speed is fast, but the turn-on voltage drop is large and the carrier current density is small.IGBT combines the advantages of the above two devices, small driving power and lower saturation voltage KEYWORD:IGBT;Semiconductor;Status;Development prospect.一、引言..............................................................................................................1

二、IGBT介紹.....................................................................................................1 2.1 什么是IGBT..........................................................................................1 2.2 IGBT的各種有關(guān)參數(shù)...........................................................................1 2.3驅(qū)動(dòng)方式及驅(qū)動(dòng)功率..............................................................................2

三、存在的問(wèn)題....................................................................................................4

四、研究現(xiàn)狀........................................................................................................5

五、發(fā)展趨勢(shì)........................................................................................................6 參考文獻(xiàn)................................................................................................................7

一、引言

自20 世紀(jì)50 年代末第一只晶閘管問(wèn)世以來(lái), 電力電子技術(shù)開(kāi)始登上現(xiàn)代電氣傳動(dòng)技術(shù)舞臺(tái), 以此為基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)的可控硅整流裝置, 是電氣傳動(dòng)領(lǐng)域的一次革命, 使電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組和靜止離子變流器進(jìn)入由電力電子器件構(gòu)成的變流器時(shí)代, 這標(biāo)志著電力電子的誕生。

進(jìn)入70 年代晶閘管開(kāi)始形成由低電壓小電流到高電壓大電流的系列產(chǎn)品, 普通晶閘管不能自關(guān)斷的半控型器件, 被稱為第一代電力電子器件。隨著電力電子技術(shù)理論研究和制造工藝水平的不斷提高, 電力電子器件在容易和類型等方面得到了很大發(fā)展, 是電力電子技術(shù)的又一次飛躍, 先后研制出GTR.GTO, 功率MOSFET 等自關(guān)斷全控型第二代電力電子器件。而以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的第三代電力電子器件, 開(kāi)始向大容易高頻率、響應(yīng)快、低損耗方向發(fā)展。

二、IGBT介紹

2.1 什么是IGBT 絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是在金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極晶體管(Bipolar)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合功率器件，具有MOS輸入、雙極輸出功能。IGBT集Bipolar器件通態(tài)壓降小、載流密度大、耐壓高和功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)于一身。作為電力電子變換器的核心器件，為應(yīng)用裝置的高頻化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基礎(chǔ)。

自IGBT商業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，作為新型功率半導(dǎo)體器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的頻率應(yīng)用范圍內(nèi)占據(jù)重要地位，其電壓范圍為600V—6500V，電流范圍為1A—3600A(140mm x 190mm模塊)。IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)，因此被稱為功率變流產(chǎn)品的“CPU”、“綠色經(jīng)濟(jì)之核”。在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，為適應(yīng)全球降低CO2排放的戰(zhàn)略需要，IGBT必將扮演更為重要的角色，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟(jì)的重要支點(diǎn)。

2.2 IGBT的各種有關(guān)參數(shù)

2.2.1容量

低功率IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHZ以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的需求，ST半導(dǎo)體，三菱公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，適用于微波爐，洗衣機(jī)等。而非傳統(tǒng)性IGBT采用薄片技術(shù)，在性能上高速，低損耗，在設(shè)計(jì)600V-1200V的IGBT時(shí)，其可靠性最高。2.2.2 開(kāi)關(guān)頻率

IGBT的開(kāi)通過(guò)程按時(shí)間可以分為四個(gè)過(guò)程，如下：第一：門射電壓Vge小于閥值電壓Vth時(shí)。其門極電阻RG和門射電容CGEI的時(shí)間常數(shù)決定這一過(guò)程。當(dāng)器件的集電極電流IC 和集射電壓VCE均保持不變時(shí)，CGEI就是影響其導(dǎo)通延遲時(shí)間tdon的唯一因素。第二：當(dāng)門射電壓Vge達(dá)到其閥值電壓時(shí)，開(kāi)通過(guò)程進(jìn)入第二階段，IGBT開(kāi)始導(dǎo)通，其電流上升速率dI/dt的大小與門射電壓Vge和器件的跨導(dǎo)gfs有如下關(guān)系：dIc/dt=gfs（Ic）＊dVge/dt。其中，dVge/dt由器件的門極電阻Rg和門射電容CGEI所決定（對(duì)于高壓型IGBT來(lái)說(shuō)，門集電容Cgc可忽略不計(jì)）。第三：第三階段從集電極電流達(dá)到最大值ICmax。第四：通之后，器件進(jìn)入穩(wěn)定的導(dǎo)通狀態(tài)。

2.2.3 關(guān)斷過(guò)程

當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子)。這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)洌瑢哟魏穸群蜏囟?。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問(wèn)題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問(wèn)題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問(wèn)題更加明顯。

鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的。

2.3驅(qū)動(dòng)方式及驅(qū)動(dòng)功率

2.3.1 柵極驅(qū)動(dòng)電壓

因IGBT柵極—發(fā)射極阻抗大，故可使用 MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但 IGBT 的輸入電容較MOSFET大，所以IGBT的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比MOSFET 驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。在+20℃情況下，實(shí)測(cè)60 A，1200 V 以下的 IGBT 開(kāi)通電壓閥值為5～6 V，在實(shí)際使用時(shí)，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當(dāng)Uge 增

加時(shí)，導(dǎo)通時(shí)集射電壓Uce將減小，開(kāi)通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過(guò)程Uge 增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得 IGBT 能承受短路損壞的脈寬變窄，因此Ugc的選擇不應(yīng)太大，這足以使 IGBT 完全飽和，同時(shí)也限制了短路電流及其所帶來(lái)的應(yīng)力(在具有短路工作過(guò)程的設(shè)備中，如在電機(jī)中使用IGBT時(shí)，+Uge在滿足要求的情況下盡量選取最小值，以提高其耐短路能力）。2.3.2對(duì)電源的要求

對(duì)于全橋或半橋電路來(lái)說(shuō)，上下管的驅(qū)動(dòng)電源要相互隔離，由于 IGBT 是電壓控制器件，所需要的驅(qū)動(dòng)功率很小，主要是對(duì)其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電，要求能提供較大的瞬時(shí)電流，要使 IGBT 迅速關(guān)斷，應(yīng)盡量減小電源的內(nèi)阻，并且為防止 IGBT 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的du/dt誤使IGBT導(dǎo)通，應(yīng)加上一個(gè)-5V的關(guān)柵電壓，以確保其完全可靠的關(guān)斷(過(guò)大的反向電壓會(huì)造成 IGBT 柵射反向擊穿，一般為-2～10V之間)。2.3.3對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的要求

從減小損耗角度講，門極驅(qū)動(dòng)電壓脈沖的上升沿和下降沿要盡量陡峭，前沿很陡的門極電壓使 IGBT 快速開(kāi)通，達(dá)到飽和的時(shí)間很短，因此可以降低開(kāi)通損耗，同理，在 IGBT 關(guān)斷時(shí)，陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時(shí)間，從而減小了關(guān)斷損耗，發(fā)熱量降低。但在實(shí)際使用中，過(guò)快的開(kāi)通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因?yàn)樵谶@種情況下，IGBT過(guò)快的開(kāi)通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 Ldi/dt，并且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會(huì)造成 IGBT 或其他元器件被過(guò)壓擊穿而損壞。所以在選擇驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降速度時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路中元件的耐壓能力及 du/dt 吸收電路性能綜合考慮。

2.3.4對(duì)驅(qū)動(dòng)功率的要求

由于 IGBT 的開(kāi)關(guān)過(guò)程需要消耗一定的電源功率，最小峰值電流可由下式求出：IGP=△Uge/RG+Rg；式中△ Uge=+Uge+|Uge|；RG是IGBT內(nèi)部電阻；Rg 是柵極電阻。

驅(qū)動(dòng)電源的平均功率為：PAV=Cge△Uge2f，（*式中f為開(kāi)關(guān)頻率；Cge 為柵極電容)。2.3.5 柵極電阻

為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小IGBT集電極的電壓尖峰，應(yīng)在IGBT柵極串上合適的電阻Rg。當(dāng)Rg增大時(shí)IGBT導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，損耗發(fā)熱

加劇;Rg減小時(shí)，di/dt 增高，可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通，使 IGBT 損壞。應(yīng)根據(jù) IGBT 的電流容量和電壓額定值以及開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選取 Rg 的數(shù)值。通常在幾歐至幾十歐之間(在具體應(yīng)用中，還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整)。另外為防止門極開(kāi)路或門極損壞時(shí)主電路加電損壞IGBT，建議在柵射間加入一電阻Rge，阻值為10 kΩ左右。

2.3.6柵極布線要求

合理的柵極布線對(duì)防止?jié)撛谡鹗?，減小噪聲干擾，保護(hù)IGBT正常工作有很大幫助：

（1）布線時(shí)須將驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)和lGBT之間的寄生電感減至最低(把驅(qū)動(dòng)回路包圍的面積減到最小)；

（2）正確放置柵極驅(qū)動(dòng)板或屏蔽驅(qū)動(dòng)電路，防止功率電路和控制電路之間的耦合；

（3）應(yīng)使用輔助發(fā)射極端子連接驅(qū)動(dòng)電路；

（4）驅(qū)動(dòng)電路輸出不能和 IGBT 柵極直接相連時(shí)，應(yīng)使用雙絞線連接；（5）柵極保護(hù)，箝位元件要盡量靠近柵射極。2.3.7 隔離問(wèn)題

由于功率IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合，所以驅(qū)動(dòng)電路必須與整個(gè)控制電路在電位上完全隔離。

三、存在的問(wèn)題

因?yàn)镮GBT工作時(shí)，其漏極區(qū)（p+區(qū)）將要向漂移區(qū)（n-區(qū)）注入少數(shù)載流子——空穴，則在漂移區(qū)中存儲(chǔ)有少數(shù)載流子電荷；當(dāng)IGBT關(guān)斷（柵極電壓降為0）時(shí)，這些存儲(chǔ)的電荷不能立即去掉，從而IGBT的漏極電流也就相應(yīng)地不能馬上關(guān)斷，即漏極電流波形有一個(gè)較長(zhǎng)時(shí)間的拖尾——關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)（10～50ms）。所以IGBT的工作頻率較低。為了縮短關(guān)斷時(shí)間，可以采用電子輻照等方法來(lái)降低少數(shù)載流子壽命，但是這將會(huì)引起正向壓降的增大等弊病。

IGBT中存在有寄生晶閘管—MOS柵控的n+-p-n-p+晶閘管結(jié)構(gòu)，這就使得器件的最大工作電流要受到此寄生晶閘管閉鎖效應(yīng)的限制（采用陰極短路技術(shù)可以適當(dāng)?shù)販p弱這種不良影響）。

四、研究現(xiàn)狀

最近20年中，IGBT的發(fā)展很快，技術(shù)改進(jìn)方案很多，并且實(shí)用化。每種改進(jìn)措施的采取，都會(huì)把IGBT的性能向前推進(jìn)。其中，最重要的還是不斷把“通態(tài)壓降—開(kāi)關(guān)時(shí)間”的矛盾處理到更為優(yōu)化的折衷點(diǎn)。不同公司宣布自己研制生產(chǎn)的IGBT進(jìn)入了第X代。但是，總體看，隨著重大技術(shù)改進(jìn)措施的成功，可以把IGBT的演變歸納成以下五代。

（1）第一代：即平面柵(PT)型。它提出了在功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)中引入一個(gè)漏極側(cè)pn結(jié)以提供正向注入少數(shù)載流子實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制來(lái)降低通態(tài)壓降的基本方案。

（2）第二代：采用緩沖層，精密控制圖形和少子壽命的平面柵穿通（PT）型外延襯底IGBT。器件縱向采用n′緩沖層，既可以減薄有效基區(qū)厚度和硅片總厚度來(lái)減小通態(tài)壓降，又能降低該發(fā)射結(jié)的注入系數(shù)，以抑制“晶閘管效應(yīng)”。器件橫向（平面）采用精密圖形，減少每個(gè)元胞的尺寸，提高器件的開(kāi)關(guān)速度。再采用專門的擴(kuò)鉑與快速退火措施，以控制基區(qū)內(nèi)少數(shù)載流子壽命的較合理分布。這樣的IGBT耐壓達(dá)到1200V，通態(tài)壓降達(dá)到2.1-2.3V，鎖定效應(yīng)得到有效抑制。這時(shí)，IGBT已經(jīng)充分實(shí)用化了。

（3）第三代：溝槽柵（Trench gate）型IGBT。這一代IGBT采取溝槽柵結(jié)構(gòu)代替平面柵。在平面柵結(jié)構(gòu)中，電流流向與表面平行的溝道時(shí)，柵極下面由P阱區(qū)圍起來(lái)的一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（J-FET）是電流的必經(jīng)之路，它成為電流通道上的一個(gè)串聯(lián)電阻。在溝槽柵結(jié)構(gòu)中，這個(gè)柵下面的J-FET是被干法刻蝕的工藝很好地挖去了，連同包圍這個(gè)區(qū)域、延伸到原來(lái)柵極下構(gòu)成溝道的部分P區(qū)層也都挖掉。于是n+發(fā)射源區(qū)和留下的P區(qū)層就暴露在該溝槽的側(cè)壁，通過(guò)側(cè)壁氧化等一系列特殊加工，側(cè)壁氧化層外側(cè)的P區(qū)內(nèi)形成了垂直于硅片表面的溝道。

（4）第四代：非穿通（NPT）型IGBT。隨著阻斷電壓突破2000V的需求，IGBT中隨承受電壓的基區(qū)寬度超過(guò)150微米。這時(shí)靠高阻厚外延來(lái)生成硅襯底的做法，不僅十分昂貴（外延成本同外延層厚度成正比），而且外延層的摻雜濃度和外延層厚度的均勻性都難以保證。這時(shí)，采用區(qū)熔單晶硅片制造IGBT的呼聲日漸成熟，成本可以大為降低，晶體完整性和均勻性得到充分滿足。

（5）第五代：電場(chǎng)截止（FS）型。當(dāng)單管阻斷電壓進(jìn)一步提高，硅片的基區(qū)厚度就會(huì)急劇增加。于是，IGBT的通態(tài)壓降勢(shì)必隨其耐壓的提高而增大。FS型IGBT吸收了PT型和NPT型兩類器件的優(yōu)點(diǎn)，形成硅片厚度比NPT型器件薄約

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3、又保持正電阻溫度系數(shù)單極特征的各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。

五、發(fā)展趨勢(shì)

IGBT作為電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件，各種新結(jié)構(gòu)、新工藝及新材料技術(shù)還在不斷涌現(xiàn)，推動(dòng)著IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展，其功耗不斷降低，工作結(jié)溫不斷升高，從125℃提升到了175℃并向200℃邁進(jìn)，并可以在芯片上集成體二極管，形成逆導(dǎo)IGBT(RC-IGBT/BIGT)，無(wú)需再反并聯(lián)續(xù)流二極管，在相同的封裝尺寸下，可將模塊電流提高30%，還可以將電流及溫度傳感器集成到芯片內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)芯片智能化。

IGBT芯片內(nèi)部集成傳感器通過(guò)對(duì)IGBT芯片的邊緣結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離處理，可以形成具有雙向阻斷能力的IGBT(RB-IGBT),在雙向開(kāi)關(guān)應(yīng)用中無(wú)需再串聯(lián)二極管，并具有更小的漏電流及更低的損耗。

與此同時(shí)，IGBT的工藝水平也在不斷提升，許多先進(jìn)工藝技術(shù)，如離子注入、精細(xì)光刻等被應(yīng)用到IGBT制造上。IGBT芯片制造過(guò)程中的最小特征尺寸已由5um，到3um，到1um，甚至達(dá)到亞微米的水平。采用精細(xì)制造工藝可以大幅提高功率密度，同時(shí)可以降低結(jié)深，減小高溫?cái)U(kuò)散工藝，從而使采用12英寸甚至更大尺寸的硅片來(lái)制造IGBT成為可能。隨著薄片與超薄片加工工藝的發(fā)展，英飛凌在8英寸硅片上制造了厚度只有40um的芯片樣品，不久的未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化應(yīng)用。

此外，新材料如寬禁帶半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展，可以實(shí)現(xiàn)更低功耗、更大功率容量、更高工作溫度的器件，其中SiC成為目前的大功率半導(dǎo)體的主要研究方向，并在單極器件上實(shí)現(xiàn)商品化，在IGBT等雙極器件的研究上也不斷取得進(jìn)展。目前IGBT主要受制造工藝及襯底材料的缺陷限制，例如溝道遷移率及可靠性、電流增益較小及高摻雜P型襯底生長(zhǎng)等問(wèn)題，未來(lái)隨著材料外延技術(shù)的發(fā)展，SiC IGBT將會(huì)實(shí)現(xiàn)突破。

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