第一篇:電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)(共)
《電子技術(shù)基礎(chǔ)》總結(jié)
各種數(shù)制之間的轉(zhuǎn)換:二進制——八進制——十進制——十六進制 送分題,需要提示的一點是從二——八 3個數(shù)一組,二——十六 4個數(shù)一組
邏輯關(guān)系:與、或、非、與非、或非、同或、異或
邏輯代數(shù):有時間注意下反演定律,沒時間就不管了,這玩意不會考,邏輯代數(shù)的化簡基本用卡諾圖
卡諾圖:重點掌握,每年都會考。掌握四變量的即可,橫著寫CD,豎著寫AB,把對應(yīng)的值填進去,然后畫圈圈
譯碼器:重點掌握74138,考的概率極高。看書上的例題,怎么用74138和與非門實現(xiàn)L=AB+BC+AC
數(shù)據(jù)選擇器:掌握74151,搞不好就考他
算術(shù)電路:有時間看看半加器、全加器,怎么用半加器構(gòu)成全加器。沒時間就不看了,考的可能不高。
觸發(fā)器、鎖存器:RS、JK、D、T的特性方程要記,有出選填的可能;即使不出選填,分析時序邏輯電路也是要用的。
時序邏輯電路:不會考設(shè)計,只會考分析,基本是每年必考。先由邏輯圖寫方程,然后將驅(qū)動方程帶入特性方程,可以得出狀態(tài)方程。然后就是根據(jù)狀態(tài)方程和輸出方程,列表。之后畫時序波形圖,說明功能。書上有例題,自己看。
計數(shù)器:知道怎么構(gòu)成任意進制的計數(shù)器,有兩種方法,清零法和置數(shù)法。需要提醒的是在使用置數(shù)法的時候,要求N進制,但是需要N+1個狀態(tài),去看看74191,這個玩意考的可能性一般。
ROM&RAM&PLD:很有可能會考矩陣連線圖。方法就是寫成與或式,然后去打點,這個比較好理解,書上有例子。
波形電路:知道555,以及怎么構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)、施密特和多諧震蕩器,提醒它的上升和下降產(chǎn)生躍變是不一致的,一個是1/3,一個是2/3.這個玩意沒時間就不看了,555一般是作為三大考研《電子技術(shù)基礎(chǔ)》的壓軸題,本科期末出現(xiàn)的概率太低。要真出現(xiàn)了,也只能說你們?nèi)似繁l(fā)了。
D/A、A/D轉(zhuǎn)換:知道怎么算分辨率就行,每年就道選填題罷了。
數(shù)電差不多就這些,下面開始模電。模電又名魔鬼電子,知識點太多,又很細,只能大概的說些重點了。
運放:把兩虛牢記在心,虛短and虛斷。只要有這個凡是涉及運放的都可以分析,運放不會單獨考,會和反饋聯(lián)系起來考。
二極管:最核心的一條,單向?qū)щ娦裕涀∫粋€特例就是穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)。還有時間就去了解PN結(jié)怎么形成的,多子、少子、漂移、擴散等概念。
三極管:BJT的分析必考。BJT工作在放大狀態(tài)的條件是發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。一般題目是三問,第一問求Q點,說白了就是畫直流通路,交流置零,電容開路。然后去求IBQ、ICQ、VBEQ、VCEQ;第二問畫小信號模型。直流源短接(接地),電容短路。b、e極之間為電阻rbe,c、e極之間是受控源;b、c之間開路;第三問就是求一系列的參數(shù)了,電壓增益,輸入輸出電阻。這里提供一個技巧,把vo寫成ic的函數(shù),把vi寫成ib的函數(shù),這樣分母分子一比就會出現(xiàn)“貝塔”。重點看共射極電路,更具體一點是基極分壓射極偏置,考這個的可能性比較大。最后記住組合管的放大系數(shù)是兩個管放大系數(shù)之積,有可能出選填。
場效應(yīng)管:和BJT對比記憶,出大題的可能性極低,如果出的話只會是選填。沒時間這章就跳了。
模擬集成電路:和上章一樣基本只可能出選填,有時間就看下差分放大電路,了解下差模共模就行,沒時間就算了。
反饋:重點,和運放結(jié)合起來考的概率極高。一般的題目第一問是什么反饋,能回答的就是電壓/電流 串聯(lián)/并聯(lián)負反饋(不大可能考正反饋,要不這個題目沒啥意義)。之后的第二問就是要你在深度負反饋下計算,記住在深度負反饋的條件下,推導(dǎo)出了“兩虛”,牢記vn=vp,in=ip=0即可,剩下的根據(jù)電路列算式就行。
功放:知道甲乙類功放的區(qū)別主要是電流通角,甲類是360度,乙類大約是180度,這個有可能考選填。
濾波器:知道高通、低通、帶通、帶阻的基本概念即可,只可能考選填。
振蕩:知道正弦振蕩的兩個條件,AF=1,兩個角加起來=2n派,有可能考選填,也經(jīng)常會考給一個電路,問能不能振蕩這種題,這個要用到瞬時極性法去判斷相位條件,書上有例子。
電壓比較器:有可能會考遲滯比較器,知道怎么算門線電壓以及畫傳輸特性,這個考的可能性不是特別大。
直流穩(wěn)壓源:這個東西的作用我認為是為《電力電子技術(shù)》打基礎(chǔ)的,什么整流、穩(wěn)壓等,這些玩意全部都是電力電子的重點,所以對付期末,這部分完全不用管。
第二篇:電子技術(shù)基礎(chǔ)實驗總結(jié)
電子技術(shù)基礎(chǔ)實驗
一學(xué)期很快過完了,這學(xué)期在李老師的帶領(lǐng)下我們做完了“數(shù)電”、“模電”兩大電子技術(shù)基礎(chǔ)實驗。通過這兩科實驗我學(xué)會了許多關(guān)于電子技術(shù)的知識。“數(shù)電”實驗。剛開始時我覺得它是最簡單的實驗,以為好對東西書上都有,而且實驗的過程是很簡單的。但是慢慢的我才真正的意識到,其實每次的實驗都是有其嚴格要求的。如:電器元件的檢測的重要,電路設(shè)計與鏈接等等,每次都需認真的去對待,只有真正的去做了才能從中學(xué)到知識。
在理論課上我們學(xué)了許多東西,但是太多也就顯得復(fù)雜不易懂,好多時候上完課感覺什么都沒有學(xué)到似的。而從“數(shù)電”實驗課上,通過親自動手做,在實踐中更容易,更輕松的掌握了知識。如果在做“移位寄存器及其應(yīng)用”的實驗室,盡管在書中介紹了其相關(guān)芯片的作用,但是一個芯片有那么多的引腳,且其有各自的功能,要想僅通過看就掌握其功能是很難的。但是在這次試驗后,通過動手操作我很容易就學(xué)會了其主要芯片的原理,左、右位移(環(huán)位移)以及串/并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。
“模電”實驗。這科實驗有別于“數(shù)電”實驗,實驗室理論基礎(chǔ)很多,而且大多顯得都比較復(fù)雜。在做實驗時測量的數(shù)據(jù)較多,波形測試較多。所以似乎這科實驗顯得很復(fù)雜,但是這科實驗涉及的電路及元器件較為簡單,所以做起來并沒有想象中的那么難。實驗重要的時通過嚴格的操作過程得到正確的實驗結(jié)果,以及通過解決實際的問題進一步加深所學(xué)知識。
最后,感謝李老師不辭勞苦的教導(dǎo),讓我學(xué)會了更多的實驗知識。
第三篇:電子技術(shù)基礎(chǔ)
智能網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及應(yīng)用方向
(科目:056 電子技術(shù)基礎(chǔ)
一、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
(一)試卷滿分及考試時間
本試卷滿分為 100 分,考試時間為150分鐘。
(二)答題方式
答題方式為閉卷、筆試。
試卷由試題和答題紙組成;答案必須寫在答題紙(由考點提供)相應(yīng)的位置上。
(三)試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)(考試的內(nèi)容比例)
綜合考試科目各部分內(nèi)容所占分值為
第一部分《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》約50分
第二部分《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》約50 分
(四)試卷題型結(jié)構(gòu)
選擇題(基本概念題、簡單計算):約 10 小題,共 30 分
填空題(基本概念題、簡單計算):約 10小題,共30 分
分析計算題:約2題,共20分
設(shè)計題(綜合題):約 2小題,共20 分
二、考查目標(復(fù)習(xí)要求)
全日制攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試量子力學(xué)課程,要求考生系統(tǒng)掌握相關(guān)學(xué)科的基本知識、基礎(chǔ)理論和基本方法,并能運用相關(guān)理論和方法分析、解決實際問題。
三、考試內(nèi)容概要
《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》部分
第一章常用半導(dǎo)體器件1、1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1、2半導(dǎo)體二極管1、3雙極型晶體管1、4場效應(yīng)管
第二章基本放大電路2、2基本共射放大電路的工作原理2、3放大電路的分析方法2、4放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定2、5晶體管單管放大電路的三種基本接法
第三章多級放大電路3、1多級放大電路的耦合方式3、2多級放大電路的動態(tài)分析3、3直接耦合放大電路
第四章集成運算放大電路4、1集成運算放大電路的概述
第六章放大電路中的負反饋6、1反饋的基本概念及判斷方法6、2負反饋放大電路四種基本組態(tài)的判斷6、5負反饋對放大電路性能的影響6、6負反饋放大電路的穩(wěn)定性
第七章信號的運算和處理7、1基本運算放大電路7、3有源濾波電路
第九章功率放大電路9、1功率放大電路概述9、2互補功率放大電路9、4集成功率放大電路
第十章直流電源10、1直流電源的特點10、2整流電路10、3濾波電路10、4穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路10、5串聯(lián)型穩(wěn)壓電路10、6開關(guān)型穩(wěn)壓電路
《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》部分
第二章邏輯代數(shù)基礎(chǔ)(6學(xué)時)
2、1概述2、2邏輯代數(shù)中的三種基本運算2、3邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式2、4邏輯代數(shù)的基本定理2、5邏輯函數(shù)及其表示方法2、6邏輯函數(shù)的化簡方法2、7具有無關(guān)項的邏輯函數(shù)及其化簡
第四章組合邏輯電路4、1概述4、2組合邏輯電路的分析方法和設(shè)計方法4、3若干常用的組合邏輯電路
第五章觸發(fā)器5、6觸發(fā)器的邏輯功能極其描述方法
第六章時序邏輯電路6、1概述6、2時序邏輯電路的分析方法6、3若干常用的時序邏輯電路6、4時序邏輯電路的設(shè)計方法
第七章 半導(dǎo)體存儲器7、1概述7、2 只讀存儲器(ROM)
7、3隨機存儲器7、4存儲器容量的擴展7、5用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)
教材:
《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)》,童詩白、華成英主編,高等教育出版社 《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第五版)》,閻石主編,高等教育出版社
第四篇:電子技術(shù)基礎(chǔ)123
《電子技術(shù)基礎(chǔ)》的教學(xué)建議
摘 要:該文論述了職業(yè)高中《電子技術(shù)》課教學(xué)中應(yīng)該加強動手能力培養(yǎng)及如何培養(yǎng)學(xué)生動手能力的問題,并提出了一些新的教學(xué)理念和教學(xué)方法,有利于把現(xiàn)存的應(yīng)試教育轉(zhuǎn)化為素質(zhì)教育。關(guān)鍵詞:電子技術(shù) 素質(zhì)教育 技能訓(xùn)練
電子技術(shù)是中等專業(yè)學(xué)校電類專業(yè)的一門專業(yè)基礎(chǔ)課程。它的教學(xué)任務(wù)是使學(xué)生具備高素質(zhì)勞動者和中初級專門人才年必須的電子技術(shù)的基本知識的基本技能,為增強適應(yīng)職業(yè)變化的能力和繼續(xù)學(xué)習(xí)的能力打下一定的基礎(chǔ)。它是一門理論性和實踐性都較強的課程。隨著社會的發(fā)展,教育改革的不斷深入,傳統(tǒng)的教學(xué)已受到嚴重沖擊。我們的教學(xué)應(yīng)適應(yīng)形勢的變化,對原有的教學(xué)進行改革,使之適應(yīng)社會對新世紀素質(zhì)教育的教學(xué)要求。
一、《電子技術(shù)》課的特點:
《電子技術(shù)》包含基礎(chǔ)知識與技能訓(xùn)練兩方面的教育,是電子專業(yè)的必修課程。要注重學(xué)生對“技術(shù)社會”的適應(yīng),強調(diào)技能的形成、思想方法的掌握和文化的領(lǐng)悟三者的統(tǒng)一,力求在拓展學(xué)生技術(shù)能力的同時促進其共通能力的培養(yǎng)和發(fā)展。這就要求教學(xué)中跳出應(yīng)試教育的局限性,就應(yīng)該加強學(xué)生動手能力的培養(yǎng)。關(guān)鍵問題就落在了如何有效的培養(yǎng)學(xué)生的動手能力上。
二、《電子技術(shù)》課的教學(xué)特點:
由于在教學(xué)中要結(jié)合學(xué)生的動手能力培養(yǎng),教師在教學(xué)模式的構(gòu)建上,要轉(zhuǎn)變角色,以情感意志為動力,把著眼點放在“學(xué)生如何學(xué)”的研究上,而不是如何教的問題。與學(xué)生積極互動、共同發(fā)展并處理好傳授知識與培養(yǎng)能力的關(guān)系。在教與學(xué)的活動中,給學(xué)生多提供“自主學(xué)習(xí)”、“合作學(xué)習(xí)” 和“探究學(xué)習(xí)”的機會與條件。真正實現(xiàn)學(xué)生親身體驗、主動參與、問題探究、合作交流。提高學(xué)生學(xué)習(xí)《電子技術(shù)》的態(tài)度與興趣,了解現(xiàn)代生產(chǎn)生活必備的基礎(chǔ)知識和基本技能,從而發(fā)展創(chuàng)新精神和實踐能力。
三、《電子技術(shù)》課教學(xué)中的幾點思考
在職業(yè)高中尤其是電子專業(yè)應(yīng)該加強動手能力的培養(yǎng)已經(jīng)形成共識,只是在教學(xué)過程中如何去做,如何做好就是一個值得探討的問題。在教學(xué)過程中本人立足學(xué)生為本,在《電子技術(shù)》課教學(xué)中不斷的創(chuàng)新與總結(jié),得出如下幾點經(jīng)驗:
1、要轉(zhuǎn)變教育觀念,把課堂交給學(xué)生。
教師要轉(zhuǎn)變教育觀念,充分尊重學(xué)生,相信學(xué)生的能力。蘇霍姆林斯指出:“教育成功的秘密在于尊重學(xué)生”。在電子技術(shù)課堂教學(xué)中以“實用”引入新的知識,例如:在講授穩(wěn)壓電源原理與實驗這一節(jié)時,我制作了幾個輸出5V的穩(wěn)壓電源,來給隨身聽供電,平時他們都是買的電池來聽音樂的,同學(xué)們都開始觀看,大概看了10分鐘,同學(xué)們進入興奮狀態(tài),都覺得電路中的一些元件都認識,并且數(shù)量也不多,成本也不高。同學(xué)們對電子技術(shù)課穩(wěn)壓電源原理與實驗的學(xué)習(xí)不知不覺產(chǎn)生興趣。就此,讓同學(xué)們分組討論,結(jié)合生產(chǎn)與日常生活實際,穩(wěn)壓電源與家庭生活有何聯(lián)系?它們有何用?在何處用?這節(jié)課激發(fā)了學(xué)生的興趣。從而使學(xué)生想學(xué)、樂學(xué)、愛學(xué)。又如在臺燈的原理課中,就先讓學(xué)生拆開臺燈觀看,先讓學(xué)生看其中的元件是否認識,讓學(xué)生自己去學(xué)習(xí),得到他們自己想得到的知識,然后引導(dǎo)學(xué)生根據(jù)電路板線路圖畫出原理圖,這樣學(xué)生就有探知欲望,想通過自己的學(xué)習(xí)去弄懂電路的工作原理,再讓學(xué)生整理好線路圖并結(jié)合以前所學(xué)知識來分析電路的工作原理。在本節(jié)課的教學(xué)中教師所要做的事就是引導(dǎo)學(xué)生學(xué)習(xí),提供學(xué)生的學(xué)習(xí)的平臺。在后續(xù)課中來講臺燈的制作時學(xué)生就會相當積極了,讓學(xué)生分組去做,一組按線路圖用導(dǎo)線連接的方法去完成,另一組讓學(xué)生用敷銅板制板再完成,這樣學(xué)生就會在比較中知道制作還是用敷銅板制板的好。04級電子1班鄭方濤同學(xué)認為:“樂”字不只是在電腦房中才能獲得。如今我深深地體會到電子技術(shù)課,樂在其中。只有這樣做,學(xué)生才能自覺地產(chǎn)生動手制作的想法,使學(xué)生獲得自主探究學(xué)習(xí)的機會。
2、用自制教學(xué)光碟輔助教學(xué),優(yōu)化課堂教學(xué)效果。
結(jié)合不同的教學(xué)內(nèi)容,采用多媒體手段教學(xué),一目了然。既活躍課堂氣氛,又可以縮短教學(xué)時間,加大了課堂容量。更多的是分散了教學(xué)難點,把紛繁的知識變得有序。例如:在講授“焊接技術(shù)”這一部分知識時,無法用語言表述清楚的,需要演示實驗、示范操作、動手實踐才能達到的目標。但是用教材配套光碟效果還是不太好,可操作性不強,往往與本校的教學(xué)不能很好的結(jié)合,內(nèi)容太多,教師在上課時要反復(fù)的去操作播放機,學(xué)生的興趣不高;簡單的用課件效果也不佳,他們心中總認為那些是用來應(yīng)付的,只是一種花俏,不能吸引學(xué)生的注意。針對這些我經(jīng)過分析,在教學(xué)中借助自制的“電子制作之焊接篇”教學(xué)光碟(自已制光碟就能較好的控制教學(xué)內(nèi)容,把每節(jié)課的內(nèi)容作為一個獨立體,不足容量的可以將內(nèi)容重復(fù)幾次,保證在播放碟片過程中內(nèi)容不斷循環(huán),減少教師的工作量,增加了教師指導(dǎo)學(xué)生的時間),讓學(xué)生先觀看電烙鐵的構(gòu)造和使用方法,以及帶錫焊接、點錫焊接法,拖焊焊接法,用教學(xué)光碟反復(fù)播放。這樣把教學(xué)內(nèi)容更具體,更形象地傳播給學(xué)生,學(xué)生可以在操作中不斷的觀看。多媒體對課堂教學(xué)過程的優(yōu)化,起著至關(guān)重要的作用。它具有豐富的表現(xiàn)力,有利于知識的同化。使學(xué)生更加充分,更容易理解焊接技術(shù)的要領(lǐng),很快掌握焊接方法。能夠讓學(xué)生產(chǎn)生親切感、敬佩感,學(xué)生就會努力向你學(xué)習(xí)。采用此方法在穩(wěn)壓電源、功放、調(diào)光臺燈、照明電子開關(guān)、搶答器、霓紅燈、無需編程的數(shù)字鐘的制作中都有采用。這樣也便于教師把課堂交給學(xué)生,發(fā)揮學(xué)生的主觀能動性。
3、學(xué)習(xí)要讓學(xué)生自覺的在課內(nèi)課外結(jié)合
在動手能力培養(yǎng)時,剛開始教學(xué)內(nèi)容能夠在一次課內(nèi)完成,但是隨著學(xué)生技能的熟練,學(xué)習(xí)知識的深入,有些教學(xué)內(nèi)容不能在一次課內(nèi)完成,用多次課去教,學(xué)生的知識會缺乏連續(xù)性,并且敷銅板會受影響,不便再次焊接。學(xué)生的探知欲會受到影響。那么就要求老師安排好課內(nèi)與課外的結(jié)合度,例如在無需編程數(shù)字鐘制作課中,就先引導(dǎo)學(xué)生在課外看教學(xué)光碟,熟悉教學(xué)內(nèi)容,了解制作的過程,先將敷銅板線路板制作好,對涉及到的相關(guān)內(nèi)容進行復(fù)習(xí),在課堂教學(xué)中只需要學(xué)生在一次課時間內(nèi)分組分人制作,然后聯(lián)機調(diào)試合作完成整個無需編程的數(shù)字鐘的制作,對于擴展功能中的鬧鐘、節(jié)能、大屏幕顯示讓學(xué)生在課外再查資料進行補充完善。為了提高學(xué)生在課外的興趣,教師要做好導(dǎo)向,提供查找資料方向,經(jīng)常性的過問學(xué)生的進展情況。為了調(diào)動廣大學(xué)生的學(xué)習(xí)積極性,將學(xué)生的成果進行展示,并在學(xué)生中開展經(jīng)驗交流會。電子1班全班同學(xué)都制作成功,還有5人通過自己的努力,獨立完成了無需編程的數(shù)字鐘的制作及擴展功能,展示效果很好,帶動了全班學(xué)生的技能訓(xùn)練熱情。伍遠宏同學(xué)深有感觸的說:“通過制作,學(xué)會了查找資料,懂得了如何進行課余學(xué)習(xí),學(xué)會了與人合作,進步在不覺中產(chǎn)生了?!?/p>
4、學(xué)習(xí)要有利于學(xué)生相互間交流。
合作學(xué)習(xí)是有效的學(xué)習(xí)方式之一,使學(xué)生的學(xué)習(xí)過程更加生動活潑,鼓勵學(xué)生進行實踐的學(xué)習(xí),探索的學(xué)習(xí)、合作的學(xué)習(xí)。教學(xué)應(yīng)該是形式多樣的,除課堂講授外還應(yīng)分組討論,分組檢測,實驗,操作實踐等。我在《電子技術(shù)》教學(xué)中,針對教學(xué)內(nèi)容自愿組合方式3–5人一小組,進行檢測,實驗,操作實踐,制作電子作品。這樣有助于學(xué)生之間的相互配合,相互交流。培養(yǎng)良好的學(xué)習(xí)習(xí)慣,促進創(chuàng)新思維。在小組中每個人都有機會檢測元器件、實驗、操作。尤其是第二學(xué)期與第三學(xué)期,延時型照明電子開關(guān)的制作和無需編程的數(shù)字鐘的制作。都作為一項操作考核成績。同學(xué)們非常重視,并十分有興趣。我將延時型照明電子開關(guān)套件和無需編程的數(shù)字鐘散件分配到組,細化到人。提倡同學(xué)之間要有合作精神,相互幫助、相互促進。在實施“合作學(xué)習(xí)”策略的教學(xué)過程中,突出了以小組學(xué)習(xí)為教學(xué)主體。這對于動手操作的繁簡人員配置,同學(xué)之間可自愿找合作者。這樣各組同學(xué)在思想和技能上的交流,有利于學(xué)生共同進步,較快的提高了教學(xué)質(zhì)量。教師能夠有效指導(dǎo)學(xué)生的制作,不會出現(xiàn)多處提問,無法輔導(dǎo)的現(xiàn)象。這樣學(xué)生就會在學(xué)習(xí)與查找資料的過程中,形成知識個性,培養(yǎng)了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣。充分發(fā)揮了學(xué)生的主觀能動性,教學(xué)效果很好。
第五篇:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識點總結(jié)
模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)
第一章
半導(dǎo)體二極管
一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識
1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。
2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。
3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。
4.兩種載流子
----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。
5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。
*P型半導(dǎo)體:
在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。
*N型半導(dǎo)體:
在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是空穴)。
6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性
*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有關(guān)。
*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。
*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度,一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。
7.PN結(jié)
*
PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V,鍺材料約為0.2~0.3V。
*
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通,反偏截止。
8.PN結(jié)的伏安特性
二.半導(dǎo)體二極管
*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?,反向截止?/p>
*二極管伏安特性----同PN結(jié)。
*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。
*死區(qū)電壓------硅管0.5V,鍺管0.1V。
3.分析方法------將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低:
若
V陽
>V陰(正偏),二極管導(dǎo)通(短路);
若
V陽
1)圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q。 2) 等效電路法 ? 直流等效電路法 *總的解題手段----將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏),二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽 *三種模型 ? 微變等效電路法 三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū),所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 第二章 三極管及其基本放大電路 一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點 1.類型---分為NPN和PNP兩種。 2.特點---基區(qū)很薄,且摻雜濃度最低;發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高,與基區(qū)接觸 面積較??;集電區(qū)摻雜濃度較高,與基區(qū)接觸面積較大。 二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài) 2.三極管內(nèi)各極電流的分配 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件 式子 稱為穿透電流。 3.共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線---同二極管。 * 輸出特性曲線 (飽和管壓降,用UCES表示 放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。 4.溫度影響 溫度升高,輸入特性曲線向左移動。 溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。 三.低頻小信號等效模型(簡化) hie---輸出端交流短路時的輸入電阻,常用rbe表示; hfe---輸出端交流短路時的正向電流傳輸比,常用β表示; 四.基本放大電路組成及其原則 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。 2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。 五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析 *概念---直流電流通的回路。 *畫法---電容視為開路。 *作用---確定靜態(tài)工作點 *直流負載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。 *電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響 1)改變Rb :Q點將沿直流負載線上下移動。 2)改變Rc :Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。 3)改變VCC:直流負載線平移,Q點發(fā)生移動。 2.交流通路與動態(tài)分析 *概念---交流電流流通的回路 *畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 *作用---分析信號被放大的過程。 *交流負載線--- 連接Q點和V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。 3.靜態(tài)工作點與非線性失真 (1)截止失真 *產(chǎn)生原因---Q點設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象---NPN管削頂,PNP管削底。 *消除方法---減小Rb,提高Q。 (2) 飽和失真 *產(chǎn)生原因---Q點設(shè)置過高 *失真現(xiàn)象---NPN管削底,PNP管削頂。 *消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。 4.放大器的動態(tài)范圍 (1) Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 (2)范圍 *當(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ)時,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *當(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ)時,受飽和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQ-UCES)。 *當(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ),放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六.放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析 (1)靜態(tài)工作點的近似估算 (2)Q點在放大區(qū)的條件 欲使Q點不進入飽和區(qū),應(yīng)滿足RB>βRc。 2.放大電路的動態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 七.分壓式穩(wěn)定工作點共射 放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析 2.動態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù) 在Re兩端并一電解電容Ce后 輸入電阻 在Re兩端并一電解電容Ce后 * 輸出電阻 八.共集電極基本放大電路 1.靜態(tài)分析 2.動態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 3.電路特點 * 電壓放大倍數(shù)為正,且略小于1,稱為射極跟隨器,簡稱射隨器。 * 輸入電阻高,輸出電阻低。 第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一.結(jié)型場效應(yīng)管(JFET) 1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號 2.輸出特性曲線 (可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)) 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP ----- 截止電壓 二.絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET) 分為增強型(EMOS)和耗盡型(DMOS)兩種。 結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號 2.特性曲線 *N-EMOS的輸出特性曲線 * N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中,IDO是UGS=2UT時所對應(yīng)的iD值。 * N-DMOS的輸出特性曲線 注意:uGS可正、可零、可負。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP,此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。 三.場效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開啟電壓UT 4.直流輸入電阻RGS 5.低頻跨導(dǎo)gm (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件) 四.場效應(yīng)管的小信號等效模型 E-MOS的跨導(dǎo)gm --- 五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析 動態(tài)分析 若帶有Cs,則 2.分壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析 * 動態(tài)分析 若源極帶有Cs,則 六.共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析 或 * 動態(tài)分析 第五章 功率放大電路 一.功率放大電路的三種工作狀態(tài) 1.甲類工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為360o,ICQ大,管耗大,效率低。 2.乙類工作狀態(tài) ICQ≈0,導(dǎo)通角為180o,效率高,失真大。 3.甲乙類工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為180o~360o,效率較高,失真較大。 二.乙類功放電路的指標估算 1.工作狀態(tài) ? 任意狀態(tài):Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài):Uom=VCC-UCES ? 理想狀態(tài):Uom≈VCC 2.輸出功率 3.直流電源提供的平均功率 4.管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想時為78.5% 三.甲乙類互補對稱功率放大電路 1.問題的提出 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。 2.解決辦法 ? 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。 ? 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2,并且取代了OCL功放中的負電源-VCC。 動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算,只是用VCC/2代替。 四.復(fù)合管的組成及特點 1.前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。 2.類型取決于第一只管子的類型。 3.β=β1·β 第六章 集成運算放大電路 一.集成運放電路的基本組成1.輸入級----采用差放電路,以減小零漂。 2.中間級----多采用共射(或共源)放大電路,以提高放大倍數(shù)。 3.輸出級----多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。 4.偏置電路----多采用電流源電路,為各級提供合適的靜態(tài)電流。 二.長尾差放電路的原理與特點 1.抑制零點漂移的過程---- 當T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。 Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用,被稱為“共模反饋電阻”。 2靜態(tài)分析 1) 計算差放電路IC 設(shè)UB≈0,則UE=-0.7V,得 2) 計算差放電路UCE 雙端輸出時 單端輸出時(設(shè)VT1集電極接RL) 對于VT1: 對于VT2: 3.動態(tài)分析 1)差模電壓放大倍數(shù) 雙端輸出 單端輸出時 從VT1單端輸出 : 從VT2單端輸出 : 2)差模輸入電阻 3)差模輸出電阻 雙端輸出: 單端輸出: 三.集成運放的電壓傳輸特性 當uI在+Uim與-Uim之間,運放工作在線性區(qū)域 : 四.理想集成運放的參數(shù)及分析方法 1.理想集成運放的參數(shù)特征 * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞; * 差模輸入電阻 Rid→∞; * 輸出電阻 Ro→0; * 共模抑制比KCMR→∞; 2.理想集成運放的分析方法 1) 運放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負反饋 * 電路特點——“虛短”和“虛斷”: “虛短” --- “虛斷” --- 2) 運放工作在非線性區(qū) * 電路特征——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點—— 輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當u+>u-時,uo=+Uom 當u+ 兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0 第七章 放大電路中的反饋 一.反饋概念的建立 *開環(huán)放大倍數(shù)---A *閉環(huán)放大倍數(shù)---Af *反饋深度---1+AF *環(huán)路增益---AF: 1.當AF>0時,Af下降,這種反饋稱為負反饋。 2.當AF=0時,表明反饋效果為零。 3.當AF<0時,Af升高,這種反饋稱為正反饋。 4.當AF=-1時,Af→∞ 。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。 二.反饋的形式和判斷 1.反饋的范圍----本級或級間。 2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。 直流通路中存在反饋則為直流反饋,交流通路中存 在反饋則為交流反饋,交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。 3.反饋的取樣----電壓反饋:反饋量取樣于輸出電壓;具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。 (輸出短路時反饋消失) 電流反饋:反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。 (輸出短路時反饋不消失) 4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電 流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。 反饋信號反饋到輸入端) 串聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。 Rs越小反饋效果越好。 反饋信號反饋到非輸入端) 5.反饋極性-----瞬時極性法: (1)假定某輸入信號在某瞬時的極性為正(用+表示),并設(shè)信號的頻率在中頻段。 (2)根據(jù)該極性,逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點的瞬時極性(升 高用 + 表示,降低用 - 表示)。 (3)確定反饋信號的極性。 (4)根據(jù)Xi 與X f的極性,確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負反 饋;Xid 增大為正反饋。 三.反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級間(本級)直流負反饋和交流電壓(電流)串 聯(lián)(并聯(lián))負反饋。 四.負反饋對放大電路性能的影響 1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 2.3.擴展頻帶 4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1.產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。 2.產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為: 第八章 信號的運算與處理 分析依據(jù)------ “虛斷”和“虛短” 一.基本運算電路 1.反相比例運算電路 R2 =R1//Rf 2.同相比例運算電路 R2=R1//Rf 3.反相求和運算電路 R4=R1//R2//R3//Rf 4.同相求和運算電路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5.加減運算電路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 二.積分和微分運算電路 1.積分運算 2.微分運算 第九章 信號發(fā)生電路 一.正弦波振蕩電路的基本概念 1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋) 自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件: 相位平衡條件: 2.起振條件: 幅值條件 : 相位條件: 3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成(1) 放大電路-------建立和維持振蕩。 (2) 正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。 (3) 選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進行振蕩。 (4) 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定,且波形的形狀良好。 * 正弦波振蕩器的分類 (1) RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下; (2) LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上; (3) 石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。