第一篇：PCB專業(yè)術(shù)語(yǔ)總結(jié)

A

Acceleration 速化反應(yīng)（臺(tái)）加速反應(yīng)

Accelerator 加速劑，速化劑（臺(tái)）促進(jìn)劑，催化劑

Acceptable Quality Level（AQL）允收品質(zhì)水準(zhǔn)（臺(tái)）合格質(zhì)量水平Access hole 露出孔，穿露孔（臺(tái)）余隙孔 Accuracy 準(zhǔn)確度（臺(tái)）精確度 Acid Dip 浸酸（臺(tái)）弱酸蝕

Acrylic（resin）壓克力（臺(tái)）丙烯酸（樹(shù)脂）Active Parts 主動(dòng)零件（臺(tái)）有源器件

Anisotropic Conductive Film（Adhesive）單向?qū)Ы又ぃㄅ_(tái)）單向?qū)щ娔?Anneal 韌化（臺(tái)）退火

Any Layer Interstitial Via Hole（ALIVH）阿力 制程（臺(tái)）全層內(nèi)部導(dǎo)通孔（工藝），任意層內(nèi)部通孔（工藝）

Area Array Package 面積格列封裝（臺(tái)）面陣列封裝

B

Ball Grid Array 球腳陣列（臺(tái)）球柵陣列 Bandability 可彎曲性（臺(tái)）可撓性

Bandwidth 頻帶寬度，頻寬（臺(tái)）帶寬 Banking Agent 護(hù)岸劑（臺(tái)）護(hù)堤劑 Bare Board 空板，未裝板（臺(tái)）裸板

Bare Chip Assembly 裸體芯片組裝（臺(tái)）裸芯片安裝 Basic Grid 基本方格（臺(tái)）基本網(wǎng)絡(luò) Blanking 行空斷開(kāi)（臺(tái)）落料 Bleeding 滲流（臺(tái)）滲出

Block Diagram 電路系統(tǒng)整合圖（臺(tái)）方塊框圖 Blotting 干?。ㄅ_(tái)）吸墨 Blow Hole 吹孔（臺(tái)）氣孔

Bond Strength 結(jié)合強(qiáng)度，固著強(qiáng)度（臺(tái)）粘合強(qiáng)度 Bondability 結(jié)合性，固著性（臺(tái)）粘合性

Bonding Sheet（Ply，Layer）接合片，接著層（臺(tái)）粘結(jié)片 Bonding Wire 結(jié)合線（臺(tái)）鍵合線 Brazing 硬焊（臺(tái)）釬焊

Breakaway Panel 可斷開(kāi)板（臺(tái)）可斷拼板

Breakdown Voltage 崩潰電壓（臺(tái)）擊穿電壓 Bright Dip 光澤浸漬處理（臺(tái)）浸亮 Buildup Multiayer（BUM）增層法多層板（臺(tái)）積層法多層板 Burr 毛頭（臺(tái)）毛剌

Bus Bar 匯電桿（臺(tái)）匯流排

C

Cap Laminaton 帽式壓合法（臺(tái)）覆蓋層壓法

Cavity Down / Cavity Up 方凹區(qū)朝下/方凹區(qū)朝上（臺(tái)）空腔區(qū)朝下/空腔區(qū)朝上 Cell Phone 行動(dòng)電話（臺(tái)）移動(dòng)電話 Chase 網(wǎng)框（臺(tái)）網(wǎng)框

Chemical Resistance 抗化性，耐化性（臺(tái)）耐化學(xué)性 Chip 芯片，晶粒，片狀（臺(tái)）芯片

Chip on Board（COB）晶板接裝法（臺(tái)）載芯片板 Chip Scale Package 芯片級(jí)封裝（臺(tái)）芯片級(jí)安裝 Circumferential Separation 環(huán)狀斷孔（臺(tái)）環(huán)開(kāi)斷裂 Clad / Cladding 披覆（臺(tái)）覆箔

Clinched Lead Terminal 緊箱式引腳（臺(tái)）折彎引腳 Clok Frequency 時(shí)脈速率（臺(tái)）時(shí)鐘頻率 Coaxial Cable 同軸纜線（臺(tái)）同軸電纜 Cold Solder Joint 冷焊點(diǎn)（臺(tái)）虛焊點(diǎn)

Comparative Tracking Index 比較性漏電指數(shù)（臺(tái)）相比起痕指數(shù) Complex Ion 錯(cuò)離子（臺(tái)）絡(luò)離子 Component Hole 零件孔（臺(tái)）組件孔 Component Side 組件面（臺(tái)）組件面

Condensation Soldering 凝熱焊接，液化放熱焊接（臺(tái)）冷凝焊接 Conductive Anodic Filament 玻纖紗式漏電（臺(tái)）陽(yáng)極性玻纖絲的漏電 Conductor Spacing 導(dǎo)體間距（臺(tái)）導(dǎo)線間距 Core（Board）核心板，核板（臺(tái)）芯板 Core Material 內(nèi)層板材，核材（臺(tái)）內(nèi)層芯材 Corner Crack 通孔斷角（臺(tái)）拐角裂縫 Corner Mark 板角標(biāo)記

（臺(tái)）

拐角標(biāo)記

Counterboring 垂直向下擴(kuò)孔，埋頭孔（臺(tái)）沉頭孔

Countersinking 錐型擴(kuò)孔，喇叭孔（臺(tái)）錐形孔 Coupling Agent 耦合劑（臺(tái)）偶聯(lián)劑

Coupon，Test Coupon 板邊試樣（臺(tái)）附連測(cè)試板 Coverlayer，Coverlay 表護(hù)層（臺(tái)）覆蓋層 Crease 皺折（臺(tái)）折痕 Creep 潛變（臺(tái)）蠕變

Crosshatching 十字交叉區(qū)（臺(tái)）開(kāi)窗口 Crossover 越交，搭交（臺(tái)）跨交 Crosstalk 雜訊，串訊（臺(tái)）串?dāng)_ Cure 硬化，熟化（臺(tái)）固化，硫化

Current、Carrying Capability 載流能力（臺(tái)）載流量 Curtain Coating 濂涂法（臺(tái)）簾幕法

D

Daisy Chaining 菊花瓣連墊（臺(tái)）串推 Deburring 去毛頭（臺(tái)）去毛剌 Definition 邊緣逼真度（臺(tái)）清晰度 Denier 丹尼爾（臺(tái)）坦尼爾 Dent 凹陷（臺(tái)）凹坑

Deposition 沉積，附積（臺(tái)）沉積 Desmearing 除膠渣（臺(tái)）去鉆污 Dewetting 縮錫（臺(tái)）半潤(rùn)濕 Diazo Film 偶氮棕片（臺(tái)）重氮底片 Dicing 芯片分割（臺(tái)）切片

Die Attach 晶粒安裝（臺(tái)）管芯安裝 Die Bonding 晶料接著（臺(tái)）管芯鍵合 Dielectric Breakdown 介質(zhì)崩潰（臺(tái)）介質(zhì)擊穿

Dielectrie Breakdown Voltage 介質(zhì)崩潰電壓（臺(tái)）介質(zhì)擊穿電壓 Dielectric Constant，Dk or εr 介質(zhì)常數(shù)（臺(tái)）介電常數(shù)

Differential Scanning Calorimetry（DSC）微差掃瞄熱卡分析法（臺(tái)）示掃描量熱法 Dimensional Stability 尺度安定性（臺(tái)）尺寸穩(wěn)定性 Direct / Indirect Stencil 直間版膜（臺(tái)）直接/間接法網(wǎng)版 Discrete Component 散裝零件（臺(tái)）離散組件 Disspation Factor（Df）散失因素（臺(tái)）損耗因素 Drill Facet 鉆尖切削面（臺(tái)）鉆尖切削面 Dual Wave Soldering 雙波焊接（臺(tái)）雙波峰焊 Dynamic Flex（FPC）動(dòng)態(tài)軟板

（臺(tái)）

動(dòng)態(tài)撓性板

Dynamic Mechanical Analysis（DMA）動(dòng)態(tài)熱機(jī)分析法（臺(tái)）動(dòng)態(tài)力學(xué)分析法，熱機(jī)械分析法

E

Eddy Current 渦電流（臺(tái)）渦流

Edge-Board Connector 板邊（金手指）承接器（臺(tái)）板邊連接器 Edge-Board Contact 板邊金手指（臺(tái)）板邊插頭 Edge Spacing 板邊空地，邊寬（臺(tái)）邊距 EDTA 乙 = 胺四醋酸（臺(tái)）乙 = 胺四乙酸 Electric Strength（耐）電性強(qiáng)度（臺(tái)）電氣強(qiáng)度

Electrophoresis 電泳動(dòng)，電滲，電子構(gòu)裝（臺(tái)）電泳 Etchback 回蝕（臺(tái)）凹蝕陰影

Etch Factor 蝕刻因子，蝕刻函數(shù)（臺(tái)）蝕刻系數(shù) Etching Indicator 蝕刻指標(biāo)（臺(tái)）蝕刻指示圖 Etching Resist 抗蝕阻劑（臺(tái)）抗蝕刻 Eutetic Composition 共融組成（臺(tái)）共晶組成 Excimer Lesar 準(zhǔn)分子雷射（臺(tái)）準(zhǔn)分子激光

F

Face Bonding 晶面朝下之結(jié)合（臺(tái)）倒芯片鍵合 Fatingue Strength 抗疲勞強(qiáng)度（臺(tái)）疲勞強(qiáng)度 Fibet Exposure 玻織顯露（臺(tái)）露纖維

Fiducial Mark 基準(zhǔn)記號(hào)，光學(xué)靶標(biāo)（臺(tái)）基準(zhǔn)標(biāo)記 Film Adhesive 接著膜，粘合膜（臺(tái)）粘結(jié)膜

Fine pitch 密腳距，密線距，密墊距

（臺(tái)）

精細(xì)節(jié)距

G

Gate Array 閘機(jī)陣列，閘列（臺(tái)）門陣列 Gel Time 膠性時(shí)間（臺(tái)）膠化時(shí)間，凝膠時(shí)間 Gelation Particle 膠凝點(diǎn)（臺(tái)）凝膠點(diǎn) Ghost Image 陰影（臺(tái)）重影

Glass Transition Temperature，Tg 玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度（臺(tái)）玻璃化溫度，玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度 Grid 標(biāo)準(zhǔn)格（臺(tái)）網(wǎng)格

Grid Wing Lead（臺(tái)）契形引線（腳）

H

Halation 環(huán)暈（臺(tái)）暈環(huán) Hay Wire 跳線（臺(tái)）附加線

Holding Time 停置時(shí)間（臺(tái)）停留時(shí)間 Hole Breakout 孔位破出（臺(tái)）破壞 Hole Density 孔數(shù)密度（臺(tái)）孔密度

Hole Pull Strength 孔壁抗拉強(qiáng)度（臺(tái)）孔拉脫強(qiáng)度 Hole Void 破洞（臺(tái)）孔壁空洞

Hole Air Soldrt Levelling（HASL）噴錫（臺(tái)）熱風(fēng)整平Hull Cell 哈爾槽（臺(tái)）霍爾槽

I

Icicle 錫尖（臺(tái)）焊料毛剌 Imaging 成像處理（臺(tái)）成像 Imperegnate 含浸（臺(tái)）浸漬

Information Appliance（IA）資訊家電（臺(tái)）信息家電 Integrated Circuit（IC）積體電路器（臺(tái)）集成電路 Interface 接口（臺(tái)）界面

J

J調(diào)解器 Module 模組（臺(tái)）模件、組件、模塊

Moisture and Insulation Resistance Test 濕氣與絕緣電阻試驗(yàn)（MIR）（臺(tái)）潮熱絕緣電阻試驗(yàn) Monting Hole 組裝孔，機(jī)裝孔（臺(tái)）安裝孔

N

Numerically Controlled（N.C.）數(shù)值控制（臺(tái)）數(shù)控 Negative 復(fù)片，鉆尖第一面外緣變窄（臺(tái)）負(fù)像

NegativeMethyl Pyrrolidone（NMP）N甲基吡咯烷酮 Nodule 瘤（臺(tái)）結(jié)瘤 Noise Budget 雜訊上限（臺(tái)）最大雜音，最大噪聲 Nominal Cured Thickness 標(biāo)示厚度（臺(tái)）標(biāo)稱厚度 NonContact 架空（臺(tái)）非接觸（印刷）Offset 第一面大小不均（臺(tái)）鉆面不勻

Outer Lead Bond（OLB）外引腳結(jié)合（臺(tái)）外部引線粘接 Oligomer 寡聚物（臺(tái)）低聚物 Outgassing 出氣，吹氣（臺(tái)）逸氣

Outgrowth 懸出，橫出，側(cè)出（臺(tái)）鍍層情況 Overhang 總浮空（臺(tái)）鍍層突出

Overpotential 過(guò)電位，過(guò)電壓（臺(tái)）趨電勢(shì)

P

Panel Plating 全板鍍銅（臺(tái)）整板電鍍

Passive Device（Component）被動(dòng)組件（零件）（臺(tái)）無(wú)源組件 Pattern Plating 線路電鍍（臺(tái)）圖形電鍍 Patten Process 線路電鍍法（臺(tái)）圖形電鍍法 Peel Strength 抗撕強(qiáng)度（臺(tái)）剝離強(qiáng)度 Permittivity 容電率（臺(tái)）電容率，介電常數(shù) Phototinitator 感光啟始劑（臺(tái)）光敏劑 Pin 接腳，插梢，插針（臺(tái)）管腳

Pin Grid Array（PGA）針腳格列封裝體（臺(tái)）針柵陣列 Pitch 跨距，腳距，墊距，線距，中距（臺(tái)）節(jié)距 Pits 凹點(diǎn)（臺(tái)）麻點(diǎn) Plasma 電漿（臺(tái)）等離子

PlasticLem）多層板壓合（臺(tái)）多層板壓制 Relative Permitivity（εr）相對(duì)容電率（臺(tái)）相比介電常數(shù)

Resin Coated Copper Foil 背膠銅箔（臺(tái)）涂樹(shù)脂銅箔，附樹(shù)脂銅箔 Resin Flow 膠流量，樹(shù)脂流量（臺(tái)）樹(shù)脂流動(dòng)度 Resin Recession 樹(shù)脂縮陷（臺(tái)）樹(shù)脂凹縮

Resin Rich Area 樹(shù)脂豐富區(qū)，多膠區(qū)（臺(tái)）樹(shù)脂鉆污 Resin Starved Area 樹(shù)脂缺乏區(qū)，缺膠區(qū)（臺(tái)）缺膠區(qū) Resist 阻劑，阻膜（臺(tái)）抗蝕劑

Resolution 解像，解像變，解析度（臺(tái)）分辨率 Reverse Image 負(fù)片影像（阻劑）（臺(tái)）負(fù)圖像 Rigid-Flex Printed Board 硬軟合板（臺(tái)）剛撓印制板 Ring 套環(huán)（臺(tái)）鉆套

Ripple 紋波（臺(tái)）波動(dòng)，脈動(dòng)

Roller Coating 滾筒涂布法、輥輪涂布法（臺(tái)）輥涂式

S

Scratch 刮痕（臺(tái)）劃痕

Secondary Side 第二面（臺(tái)）輔面 Self-Alignment 自我回正（臺(tái)）自定位 Shadowing 陰影，回蝕死角（臺(tái)）凹蝕陰影 Shear Strength 抗剪（力）強(qiáng)度

（臺(tái)）剪切強(qiáng)度

Silver Fhrough Hole（STH）銀膠通孔，銀膠貫孔（臺(tái)）銀漿通孔，銀漿貫孔 Single-Inline Package（SIP）單邊插腳封裝體（臺(tái)）單列直插式封裝 Solder Connection 焊接點(diǎn)（臺(tái)）焊點(diǎn) Solder Paste 錫膏（臺(tái)）焊膏

Solder Plug 錫塞，錫柱（臺(tái)）焊料堵塞

Solder Spread Teat 散錫試驗(yàn)（臺(tái)）焊料擴(kuò)展試驗(yàn) Solder Webbing 錫網(wǎng)（臺(tái)）網(wǎng)狀殘錫 Soldering 軟焊，焊接（臺(tái)）軟釬焊，焊接 Solid Content 固體含量，固形份，固形物

Solubility Product 溶解度乘積，溶解度積（臺(tái)）容度積 Splay 斜鉆孔（臺(tái)）斜孔

Spray Coating 噴著涂裝，噴射涂裝（臺(tái)）噴涂 Stencil 片膜（臺(tái)）漏板，模版 Stringing 拖尾，牽絲（臺(tái)）帶狀線 Stripper 剝除液，剝除器（臺(tái)）剝離液

Supported Hole（金屬）支助通孔（臺(tái)）支撐孔

Surface Mounting Technology 表面貼裝技術(shù)（臺(tái)）表面安裝技術(shù) Surge 突流、突壓（臺(tái)）波動(dòng)

Swaged Lead 壓扁式引腳（臺(tái)）擠壓引線 Syringe 擠漿法，擠膏法，注漿法（臺(tái)）注射法

T

Tab 接點(diǎn)，金手指（臺(tái)）印制插頭 Telegraphing 浮印，隱印（臺(tái)）露印 Template 模板（臺(tái)）靠模板

Tensile Strength 抗拉強(qiáng)度（臺(tái)）拉伸強(qiáng)度，抗拉強(qiáng)度

Terminal 端子（臺(tái)）端接（點(diǎn)）

Thermal Conductivity 導(dǎo)熱率（臺(tái)）熱導(dǎo)率 Thermal Shock Test 熱震蕩試驗(yàn)（臺(tái)）熱沖擊試驗(yàn)

Thermogravimetric Analysis（TGA）熱重分析法（臺(tái)）熱解重量分析法 Thermosonic Bonding 熱超音波結(jié)合（臺(tái)）熱聲連（焊）接 Thermount 聚醯胺短織席材（臺(tái)）聚酰胺纖維無(wú)紡布

Thin Small Outline Packange（TSOP）薄小型積體電路器（臺(tái)）薄小外形封裝 Thixotropy 抗垂流性，搖變性，搖溶性，靜凝性（臺(tái)）觸變性 Tin Indicated 浸鍍錫（臺(tái)）浸錫

Total Indicated Runout（TIR）總體標(biāo)示偏轉(zhuǎn)值（臺(tái)）指針總讀數(shù) Touch Up 觸修，簡(jiǎn)修，小修，（臺(tái)）修版

Transfer Bump 移用式突塊，轉(zhuǎn)移式突塊（臺(tái)）變換凸塊 Treament，Trearing 含浸處理（臺(tái)）浸漬 Twist 板翹、板扭（臺(tái)）扭曲

U

Utimate Tensile Strength（UTS）極限抗拉強(qiáng)度（臺(tái)）極限拉伸強(qiáng)度 Ultra Violet Curing（UV Curing）紫外線硬化（臺(tái)）紫外線固化 Ultrasonic Bonding 超音波結(jié)合（臺(tái)）超聲連接

Unbalaned Transmission Line 非平衡式傳輸線（臺(tái)）非均衡傳輸線 Unsupported Hole 非鍍通孔（臺(tái)）非支撐孔 Urethane 胺基甲酸乙脂（臺(tái)）氨基甲酸乙酯

V

V-Cut V型切槽（臺(tái)）V槽切割

Vacuum Evaporation（or Deposition）真空蒸鍍法（臺(tái)）真空鍍膜法 Vacuum Lamination 真空壓合（臺(tái)）真空壓制 Varnish 清漆，凡力水（臺(tái)）樹(shù)脂漆

Visual Examination（Inspection）目視檢查（臺(tái)）目檢 Voltage Breakdown（崩）潰電壓（臺(tái)）擊穿電壓 Voltage Plane Clearance 電壓層的空環(huán)（臺(tái)）電源層隔離

W

Waviness 波紋、波度（臺(tái)）云織

Weave Exposure 織紋顯露 ；Weave Texture 織紋隱現(xiàn)（臺(tái)）露布紋 Wedge Void 楔形缺口（破洞）（臺(tái)）楔形空洞 Wet Lamination 濕壓膜法（臺(tái)）濕法貼膜 Wetting 沾濕、沾錫（臺(tái)）焊料潤(rùn)濕 Wicking 燈芯效應(yīng)（臺(tái)）芯吸

Wire Bonding 打線結(jié)合（臺(tái)）金屬絲連接 Working Master 工作母片（臺(tái)）工作原版 Wrinkle 皺褶，皺紋（臺(tái)）皺褶

Z

Zigzag Inline Package（ZIP）鏈齒狀雙排腳封裝件（臺(tái)）彎曲式直插封裝

第二篇：有關(guān)PCB(總結(jié))

PCB ：Printed circuit board 印刷電路板

介電層（基材）：Dielectric 用來(lái)保持線路與各層之間的絕緣性，俗稱為基材?；牡姆诸悾?/p>

由底到高的檔次劃分： 94HB-94V0-22F-(CEM-1)-(CEM-3)-(FR-4)94HB:普通紙板，不防火。（最底檔的材料，不能做電源板。模沖孔。）

94V0:阻燃紙板。（模沖孔）22F : 單面半玻纖板。（模沖孔）

CEM-1:單面玻纖板。（電腦鉆孔，不能模沖孔。）CEM-3:雙面半玻纖板。FR-4:雙面玻纖板。

由阻燃等級(jí)劃分：(94V-0)-(94V-1)-(94V-2)-94HB TG:玻璃轉(zhuǎn)化溫度即熔點(diǎn)。PCB板必須耐燃，在一定溫度下不能燃燒，只能軟化。這時(shí)的溫度點(diǎn)即是玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

板材的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T4721-4722 1992、GB/T4723-4725 1992

板材的TG等級(jí)：TG大于等于130度、TG大于等于150度、TG大于等于170度。TG大于等于170度，叫做高TG印刷板。

防焊油墨：Solder Mask / Solder Resistant 并非所有的銅面都要吃錫上元件，因此非吃錫的區(qū)域，會(huì)印上一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì)（通常為環(huán)氧樹(shù)脂），被免非吃錫間的線路短路。按不同的工藝：有綠油、紅油、藍(lán)油。

表面處理：Surface Finish 由于銅面在一般環(huán)境中，很容易氧化導(dǎo)致無(wú)法上錫，因此會(huì)在吃錫的銅面上進(jìn)行保護(hù)。保護(hù)的方式有噴錫（HASL）、化金（EING）、化銀（Immersion Silver）、化錫（Immersion Tin）、有機(jī)保焊劑（OSP）。

PCB板材的分類 按板材的剛?cè)岢潭确诸惪煞譃閯傂愿层~箔板和撓性覆銅箔板兩大類 按增強(qiáng)材料的不同分類可分為紙基、玻璃布基、復(fù)合基（CEM系列）和特別材料基（陶瓷、金屬基）。

紙基板

酚醛紙基板俗稱紙板、膠板、VO板、阻燃板、紅字覆銅板、94V0、電視板、彩電板等。其中有多個(gè)牌子：建滔（KB字符）、長(zhǎng)春（L字符）、斗山（DS字符）、長(zhǎng)興（EC字符）、日立（H字符）。

酚醛紙基板是以酚醛樹(shù)脂為粘合劑，以木槳纖維紙為增強(qiáng)材料的絕緣層壓材料。酚醛紙基板一般可進(jìn)行模沖加工，成本低價(jià)格便宜，相對(duì)密度小的優(yōu)點(diǎn)。酚醛紙基板的工作溫度較低，耐濕性和耐熱性與環(huán)氧玻纖布基板相比略低。紙基板是以單面覆銅板為主，但也出現(xiàn)了用銀槳貫通孔的雙面覆銅板產(chǎn)品。牌子有斗山（DS字符）。它在耐銀離子遷移方面，比一般的酚醛紙基覆銅板有所提高，酚醛紙基覆銅紙板最常用的產(chǎn)品型號(hào)為FR-1（阻燃型）和XPC（非阻燃型）兩種。單面覆銅紙板從板材后面的字符顏色可以輕易判斷，一般紅字為FR-1（阻燃型），藍(lán)字為XPC（非阻燃型）。

環(huán)氧玻纖布基板

環(huán)氧玻纖布基板俗稱環(huán)氧板、環(huán)纖板、纖維板、FR4。

環(huán)氧玻纖布基板是以環(huán)氧樹(shù)脂作為粘合劑，以電子級(jí)玻璃纖維布作為增強(qiáng)材料的一類基板。它的粘合結(jié)片和內(nèi)芯薄型覆銅板，是制作多層印刷電路板的重要基材。工作溫度較高，本身性能受環(huán)境影響小。在加工工藝上，要比其它樹(shù)脂的玻璃布基板具有很大的優(yōu)越性。其中的牌子如生益科技。

復(fù)合基板（CEM）

復(fù)合基板俗稱粉板、22F。主要是指CEM-1和CEM-3復(fù)合基覆銅板。

復(fù)合基板CEM-1是以木槳纖維紙或棉槳纖維紙作為芯材增強(qiáng)材料，以玻璃纖維布作為表層增強(qiáng)材料，兩層都浸以阻燃環(huán)氧樹(shù)脂制成的覆銅板，稱為CEM-1。

復(fù)合基板CEM-3是以玻璃纖維紙作為芯材增強(qiáng)材料，以玻璃纖維布作表層增強(qiáng)材料，都浸以阻燃環(huán)氧樹(shù)脂制成的覆銅板，稱為CEM-3。

阻燃等級(jí)：

HB：UL94和CSAC22.No0.17標(biāo)準(zhǔn)中最低的阻燃等級(jí)，要求對(duì)3到13毫米厚的樣品，燃燒速度小于40毫米每分鐘；小于3毫米的樣品，燃燒速度小于70毫米每分鐘或者在100毫米的標(biāo)志前熄滅。

V-0：對(duì)樣品進(jìn)行兩次的10秒燃燒測(cè)試后，火焰在30秒內(nèi)熄滅。不能有燃燒物掉下。V-1：對(duì)樣品進(jìn)行兩次的10秒燃燒測(cè)試后，火焰在60秒內(nèi)熄滅。不能有燃燒物掉下。V-2：對(duì)樣品進(jìn)行兩次的10秒燃燒測(cè)試后，火焰在60秒內(nèi)熄滅?？梢杂腥紵锏粝?。

PCB板板材厚度，按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)來(lái)分有: 0.5mm/0.7mm/0.8mm/1.0mm/1.2mm/1.6mm/2.0mm/2.4mm/3.2mm/6.4mm PCB上的銅箔厚度，按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)來(lái)分有： 18um/25um/35um/70um/105um 對(duì)銅箔的要求金屬純度不低于99.8%，厚度誤差不大于5um.

第三篇：PCB實(shí)習(xí)總結(jié)

單雙面板PCB（Printed circuit Board）工藝制程

一、雙面覆銅板工藝流程

雙面剛性印制板 — 雙面覆銅板 — 開(kāi)料 — 鉆基準(zhǔn)孔 — 數(shù)控鉆導(dǎo)通孔— 檢驗(yàn) — 去毛刺刷洗 — 化學(xué)鍍銅（導(dǎo)通孔金屬化）— 全板電鍍薄銅 —檢驗(yàn)刷洗 — 網(wǎng)印負(fù)性電路圖形— 固化 — 干膜或濕膜 — 曝光 —顯影檢驗(yàn)—修板—線路圖形電鍍— 電鍍錫 — 抗蝕鎳/金 — 去印料 —感光膜— 蝕刻銅 — 退錫 — 清潔刷洗網(wǎng)印阻焊圖形常用熱固化綠油 — 貼感光干膜或濕膜 — 曝光 — 顯影 — 熱固化 — 常用感光熱固化綠油 — 清洗 —干燥 — 網(wǎng)印標(biāo)記字符圖形 — 固化 —噴錫或有機(jī)保焊膜 — 外形加工 — 清洗 — 干燥—電氣通斷檢測(cè)—檢驗(yàn)包裝 — 成品出廠。

二、流程詳解

1、來(lái)料檢驗(yàn)：

檢測(cè)銅箔厚度，板材厚度，板材尺寸，板材表面質(zhì)量。

2、開(kāi)料：

目的：將覆銅板剪裁成生產(chǎn)板加工尺寸，方便生產(chǎn)加工。

注意：

A.裁切方式會(huì)影響下料尺寸

B.磨邊與圓角的考量-影響影像轉(zhuǎn)移良率制程

C.方向要一致-即經(jīng)向?qū)?jīng)向，緯向?qū)曄?/p>

3、打定位孔

注意：偏位、孔內(nèi)毛刺與銅屑、劃傷板面。

4、數(shù)控鉆導(dǎo)通孔

鉆孔最重要兩大條件就是“Feeds and Speeds”進(jìn)刀速度及旋轉(zhuǎn)速度：

A.進(jìn)刀速度(Feeds)：每分鐘鉆入的深度，多以吋／分(IPM)表示。上式已為“排屑量”(Chip Load)取代，鉆針之所以能刺進(jìn)材料中心須要退出相同體積的鉆屑才行，其表示的方法是以鉆針每旋轉(zhuǎn)一周后所能刺進(jìn)的吋數(shù)(in/R)。當(dāng)進(jìn)刀速度約為120in/min左右，轉(zhuǎn)速為６萬(wàn)RPM時(shí)，其每一轉(zhuǎn)所能刺入的深度為其排屑量。排屑量高表示鉆針快進(jìn)快出而與孔壁接觸時(shí)間短，反之排屑量低時(shí)表示鉆針進(jìn)出緩慢與孔壁磨擦?xí)r間增長(zhǎng)以致孔溫升高。

設(shè)定排屑量高或低隨下列條件有所不同：

1.孔徑大小 2.基板材料 3.層數(shù) 4.厚度

B.旋轉(zhuǎn)速度(Speeds)：每分鐘所旋轉(zhuǎn)圈數(shù)(Revolution Per Minute RPM)。通常轉(zhuǎn)數(shù)約為６萬(wàn)－８萬(wàn)RPM，轉(zhuǎn)速太高時(shí)會(huì)造成積熱及磨損鉆針。

例如：2011/2/24日，中試板材鉆孔參數(shù)設(shè)置如下：進(jìn)刀速度：3.0m/min，退刀速度:10m/min，旋轉(zhuǎn)速度：8.5萬(wàn)RPM。鉆針直徑：0.5mm。

鉆孔作業(yè)中會(huì)使用的物料有鉆針(Drill Bit)。墊板(Back-up board)。蓋板(Entry board)等。注意事項(xiàng)：

鉆針：成份94%是碳化鎢,，6%左右是鈷，耐磨性和硬度是鉆針評(píng)估的重點(diǎn)。其合金粒子愈細(xì)能提高硬度以及適合鉆小孔。通常其合金粒子小于1微米（micron）。

墊板：墊板的功用有：a.保護(hù)鉆機(jī)之臺(tái)面，b.防止出口性毛頭(Exit Burr）c.降低鉆針溫度。

d.清潔鉆針溝槽中之膠渣。

蓋板：蓋板的功用有：a.定位 b.散熱 c.減少毛頭 d.鉆頭的清掃 e.防止壓力腳直接壓傷銅面

5、化學(xué)鍍銅

目的：使孔壁上之非導(dǎo)體部份之樹(shù)脂及玻纖束進(jìn)行金屬化(metalization)，以進(jìn)行后來(lái)之電鍍銅制程,完成足夠?qū)щ娂昂附又饘倏妆凇?/p>

原理：通過(guò)前面的去毛刺刷洗，將孔內(nèi)的鉆孔鉆污去除，使孔內(nèi)清潔，后通過(guò)活化在表面與孔內(nèi)吸附膠體鈀，在沉銅缸內(nèi)發(fā)生氧化還原反應(yīng)，行成銅層附于板面。

工序：上板----堿性除油----水洗----水洗----微蝕----水洗----水洗----預(yù)浸----活化----水洗----純水洗----還原----水洗----純水洗----沉銅----水洗----水洗----下板。

注意事項(xiàng)：凹蝕過(guò)度，孔露基材，板面劃傷。

6、全板電鍍

目的：對(duì)剛沉銅出來(lái)的板進(jìn)行板面、孔內(nèi)銅加厚到5-8μm，保證在后面的加工過(guò)程中不被咬蝕掉。

原理：通過(guò)浸酸清潔板面，在鍍銅缸，陽(yáng)極銅溶解出銅離子在電場(chǎng)的作用下移動(dòng)到陰極得到電子還原出銅附在板面上，起到加厚銅的作用。

注意：保證銅厚，鍍銅均勻，防止板面劃傷。

7、圖形轉(zhuǎn)移

目的：把感光油墨印刷在印制板上，通過(guò)光合、化學(xué)反應(yīng)把需要的圖形轉(zhuǎn)移到線路板上面。原理：利用干膜的特點(diǎn)，在一定溫度與壓力作用下膜貼于板面上通過(guò)對(duì)位曝光，干膜發(fā)生反應(yīng)，形成線路圖形。

工序：來(lái)料----磨板----濕膜絲印----烘烤----對(duì)位----曝光----顯影----出板。

注意：板面清潔、防止對(duì)偏位、底板劃傷、曝光余膠、顯影余膠、板面劃傷。

8、線路圖形電鍍

目的：使線路、孔內(nèi)銅厚加厚到客戶需要標(biāo)準(zhǔn)。

原理：通過(guò)前處理，使板面清潔，在鍍銅、鍍錫缸陽(yáng)極溶解出銅離子、錫離子，在電場(chǎng)作用下移動(dòng)到陰極，得到電子，形成銅層、錫層。

工序：來(lái)料----除油----微蝕----預(yù)浸----鍍銅----浸酸----鍍錫。

注意：鍍銅、鍍錫厚度和均勻性。防止掉錫、手印、撞傷板面。

9、蝕刻

目的：將板面沒(méi)有用的銅蝕刻掉，形成有用的線路圖形。

工序：去膜----蝕刻----退錫（水金板不退錫）

原理：在堿液的作用下，將膜去掉露初待蝕刻的銅面，在蝕刻缸銅與銅離子發(fā)生反應(yīng)，生產(chǎn)

亞銅，達(dá)到蝕刻作用，在退錫缸內(nèi)硝酸與錫面發(fā)生反應(yīng)，去掉鍍錫層，露出線路、焊盤、銅面。

注意：防止退膜不盡，蝕刻不盡，過(guò)蝕，線變寬，退錫不盡、板面撞傷。

10、蝕檢

目的：利用目視檢查的方法，對(duì)照線路圖形找出與板面要求不相符的部分。

11、阻焊

目的：在板面涂上一層阻焊，通過(guò)曝光顯影，露出要焊接的盤與孔，其它地方蓋上阻焊層，起到防止焊接短路的作用。

原理：用絲印網(wǎng)將阻焊泥漏印于板面，通過(guò)預(yù)烘去除揮發(fā)，行程膜層，通過(guò)對(duì)位曝光，被光照的地方阻焊膜交聯(lián)反應(yīng)，沒(méi)照的地方在堿液的作用下顯影掉。在高溫下，阻焊完全固化，附于板面。

工序：阻焊前處理----阻焊印刷----阻焊預(yù)烤----阻焊顯影----阻焊曝光----阻焊固化。注意：阻焊雜物，對(duì)位偏，阻焊上焊盤，阻焊膠，劃傷。

12、網(wǎng)印文字

目的：利用傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷方式，將客戶所需要的文字符號(hào)準(zhǔn)確的印到對(duì)應(yīng)的位置。工序：文字絲印----文字烘烤

注意：字符模糊，不清。

13、熱風(fēng)整平（噴錫）

目的：在裸露的銅面上涂蓋一層錫，達(dá)到保護(hù)銅面不氧化，利于焊接作用。

原理：通過(guò)前處理，清潔銅面的氧化，在銅面上涂一層助焊劑，后在錫爐中錫條與銅反應(yīng)生成錫鉛銅（或錫銅）合金起到保護(hù)銅面利于焊接的作用。

工序：前處理----噴錫----后處理----檢查

注意：孔露銅，焊盤露銅，手指上錫，錫面粗糙，錫面過(guò)高。

14、外形

目的：加工成客戶要求的尺寸大小。

成型工藝：沖板，銑板，V-割。

注意：防止放反板，撞傷板，劃傷。

15、電測(cè)試

目的：模擬板的狀態(tài)，通電進(jìn)行電性能檢查，是否有開(kāi)、短路。

注意：漏測(cè)，測(cè)試機(jī)壓傷板面。

16、終檢

目的：對(duì)板得外觀、尺寸、孔徑、板厚、標(biāo)記等檢查，滿足客戶要求。

注意：漏檢，撞傷板面。

17、包裝

目的：板包裝成捆，入庫(kù)。

注意：撞傷板，混板。

第四篇：PCB設(shè)計(jì)總結(jié)

設(shè)計(jì)總結(jié)

通過(guò)本次設(shè)計(jì)，我體會(huì)到整個(gè)設(shè)計(jì)的流程是從規(guī)則設(shè)置-----元件布局------過(guò)孔扇出與布線-----鋪銅的處理-----走線優(yōu)化------驗(yàn)證設(shè)計(jì)----處理絲印與出GERBER。

在該設(shè)計(jì)過(guò)程中，我出現(xiàn)了很多問(wèn)題，現(xiàn)歸納如下：

1，對(duì)布局的思考太死板，沒(méi)考慮到對(duì)后面走線的影響。2，走線不夠通順，不能很好的結(jié)合原理圖來(lái)走線。3，哪些地方該鋪銅，哪些地方不應(yīng)鋪銅比較模糊。4，軟件設(shè)置不夠熟悉。

由此總結(jié)幾點(diǎn)要點(diǎn)。

一，關(guān)于過(guò)孔與鋪銅的總結(jié)：

1，過(guò)孔盡量打到柵格點(diǎn)上，且保持對(duì)齊。

2，大電源部分要多打過(guò)孔，對(duì)于電感的處理，變壓器的處理要注意。

鋪銅不要超過(guò)焊盤下邊緣。

3，銅箔寬度不要太大，5.5~6.5mil,不能小于4.5，不要用整數(shù)、4，銅箔寬度盡量保持一致。

5，電源層大電源銅箔挖出一塊區(qū)域作為小電源銅箔，可以通過(guò)設(shè)置其優(yōu)先級(jí)，來(lái)達(dá)到鋪銅效果。不同電源銅箔間距一致，一般25mil適宜。倒角一般采用45°。二，關(guān)于走線的總結(jié)：

1，走線不能出現(xiàn)任意角度，一般保持45°角。

2，兩個(gè)串聯(lián)電容中間走線要加粗。走線間距保持3倍線寬較宜。

3，電源引腳對(duì)應(yīng)的耦合電容要直連，保持電源電路通順。

4，對(duì)于FPGA以及數(shù)據(jù)收發(fā)IC的IO口可以通過(guò)交換引腳是走線通順。交換時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)口對(duì)應(yīng)關(guān)系。5，模擬電路與數(shù)字電路走線要區(qū)分開(kāi)，防止干擾產(chǎn)生。對(duì)應(yīng)運(yùn)放電路走線要加粗。6，大電源走線采用星形走線。可通過(guò)電源層走線。7，測(cè)試點(diǎn)要連入相應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)。走線保持同組同層。

8，接插件中間盡量不走線。出線保持間距一致，走完的線可以通過(guò)鎖定防止誤操作，做到美觀統(tǒng)一。

第五篇：PCB工藝總結(jié)

PCB工藝總結(jié)：

第一章、原材料

1、基板：一般印制電路板用基板材料可分為兩大類：剛性基板材料和柔性基板材料。一般剛性基板材料的重要品種是覆銅板。它是用增強(qiáng)材料(包括玻纖布基覆銅板；紙基覆銅板；復(fù)合基覆銅板，另外還有特殊增強(qiáng)材料構(gòu)成的覆銅板還有：芳酰胺纖維無(wú)紡布基覆銅板、合成纖維基覆銅板等)，浸以樹(shù)脂膠黏劑（即絕緣材料，酚醛樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂(EP)、聚酰亞胺樹(shù)脂(PI)、聚酯樹(shù)脂(PET)、聚苯醚樹(shù)脂(PPO或)、氰酸酯樹(shù)脂(CE)、聚四氟乙烯樹(shù)脂(PTFE)、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂(BT)），通過(guò)烘干、裁剪、疊合成坯料，然后覆上銅箔，用鋼板作為模具，在熱壓機(jī)中經(jīng)高溫高壓成形加工而制成的。一般的多層板用的半固化片，則是覆銅板在制作過(guò)程中的半成品(多為玻璃布浸以樹(shù)脂，經(jīng)干燥加工而成)。

2、銅箔：覆銅板的銅箔在出廠前需要進(jìn)行表面處理。（有電鍍銅箔和碾壓銅箔，后者主要用在撓性產(chǎn)品中。）A 傳統(tǒng)處理

a、瘤化處理：在粗面迅速鍍一層銅 b、是否鍍鋅、鍍鎳處理 c、是否進(jìn)行鈍化處理

3、防焊漆：主要作用是留出板上等焊的通孔及PAD(錫墊),將其它的線路及銅面蓋住，防止波焊時(shí)造成短路；防止?jié)駳饧案鞣N電解質(zhì)侵害線路、防止外來(lái)的機(jī)械傷害；絕緣功能。

防焊油漆顏色有綠、黃、白、黑。種類主要有環(huán)氧樹(shù)脂IR烘烤型、UV硬化型、液態(tài)感光型，干膜防焊漆。

環(huán)氧樹(shù)脂IR烘烤型：

UV硬化型：

液態(tài)感光型：液態(tài)感光雙組份防焊油墨吧，其主要成份是：樹(shù)脂，色粉，銅面促進(jìn)劑，消泡劑，穩(wěn)定劑等

干膜防焊漆：

4、油墨：

第二章 生產(chǎn)工工藝

一、內(nèi)層制作工藝

1、裁板、磨邊：將一張大料根據(jù)不同拼板要求用機(jī)器切成小料的過(guò)程。開(kāi)料后的板邊尖銳，容易劃傷手，同時(shí)使板與板之間擦花，所以開(kāi)料后再用磨邊機(jī)磨邊。

2、銅面處理：在印刷電路板制程中不管那一個(gè)步驟，銅面的清潔與粗化的效果關(guān)系著下一工序的成敗。以下工序需要進(jìn)行銅面處理： a.干膜壓膜；b.內(nèi)層氧化處理前； c.鉆孔后；d.化學(xué)銅前；e.鍍銅前；

f.綠漆前；g.噴錫(或其它焊墊處理流程)前；h.金手指鍍鎳前

除a.c.f.g.外，其余工序的銅面處理皆屬制程自動(dòng)化中的一部分。（1）銅面處理工藝（a.刷磨法、b.噴砂法、c.化學(xué)法）1刷磨法：需要做刷良試驗(yàn)，確定刷深及均勻性?！?/p>

a、優(yōu)點(diǎn)： 成本低、制程簡(jiǎn)單彈性；

b、缺點(diǎn)： 薄板細(xì)線路板不易進(jìn)行、基材拉長(zhǎng)不適內(nèi)層薄板、刷痕深時(shí)易造成D/F附著不易而滲鍍、有殘膠之潛在可能

c、工藝流程：利用刷磨均勻拋刷銅面其平整且刷痕一致，獲得均勻的粗糙度，對(duì)油墨有良好的附著力。刷磨輪分三種： 尼龍刷磨；白毛清洗刷磨（無(wú)研磨劑）、不織布刷磨輪；

2.噴砂法：噴砂材料由70%礦物化火山巖組成，去除氧化物，粗糙銅面?！? 化學(xué)微蝕法（發(fā)展趨勢(shì)，因?yàn)楫a(chǎn)品向著超薄方向發(fā)展）：只針對(duì)內(nèi)層薄片○（厚度小于8mil）使用。有時(shí)與刷磨工序聯(lián)合使用。主要微蝕液為sps(過(guò)硫酸鈉)+硫酸，過(guò)硫酸銨+硫酸體系;雙氧水+硫酸體系.微蝕速度40～60u/s.3、圖像轉(zhuǎn)移

（1）印刷法（將逐步被干膜法替代）：下列是目前尚可以印刷法cover的制程: a.單面板之線路,防焊(大量產(chǎn)多使用自動(dòng)印刷,以下同)b.單面板之碳墨或銀膠 c.雙面板之線路,防焊 d.濕膜印刷 e.內(nèi)層大銅面 f.文字

g.可剝膠(Peelable ink)（2）絲網(wǎng)印刷：

絲網(wǎng)印刷中幾個(gè)重要基本原素:網(wǎng)材,網(wǎng)版,乳劑,曝光機(jī),印刷機(jī),刮刀,油墨,烤箱等,.a.網(wǎng)布材料

(1)依材質(zhì)不同可分絲絹(silk),尼龍(nylon),聚酯(Polyester,或稱特多龍),不銹鋼,等.電路板常用者為后三者.(2)編織法:最常用也最好用的是單絲平織法 Plain Weave.b.網(wǎng)版(Stencil)的種類

(1).直接網(wǎng)版(Direct Stencil)將感光乳膠調(diào)配均勻直接涂布在網(wǎng)布上烘干后連框共同放置在曝光設(shè)備臺(tái) 面上并覆以原稿底片再抽真空使其密接感光經(jīng)顯像后即成為可印刷的網(wǎng) 版通常乳膠涂布多少次,視印刷厚度而定.此法網(wǎng)版耐用,安定性高,用于大 量生產(chǎn).但制作慢,且太厚時(shí)可能因厚薄不均而產(chǎn)生解像不良.(2).間接網(wǎng)版(Indirect Stencil)把感光版膜以曝光及顯像方式自原始底片上把圖形轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)然后把已有圖 形的版膜貼在網(wǎng)面上待冷風(fēng)干燥后撕去透明之載體護(hù)膜即成間接性網(wǎng)版 其厚度均勻,分辨率好,制作快,多用于樣品及小量產(chǎn).c.油墨

油墨的分類有幾種方式(1).以組成份可分單液及雙液型.(2).以烘烤方式可分蒸發(fā)干燥型化學(xué)反應(yīng)型及紫外線硬化型(UV)(3).以用途可分抗蝕,抗鍍,防焊,文字,導(dǎo)電,及塞孔油墨.不同制程選用何種油墨,須視各廠相關(guān)制程種類來(lái)評(píng)估,如堿性蝕刻和酸性蝕刻 選擇之抗蝕油墨考慮方向就不一樣.d、烘烤

不同制程會(huì)選擇不同油墨, 烘烤條件也完全不一樣,須根據(jù)廠商提供的 data sheet,再依廠內(nèi)制程條件的差異而加以修改.一般因油墨組成不一 烘烤方式有風(fēng)干,UV,IR等烤箱須注意換氣循環(huán)溫控時(shí)控等.3、干膜法：

4、蝕刻：用于蝕刻的化學(xué)藥液種類常見(jiàn)者有兩種：一是酸性氯化銅(CuCl2)蝕刻液，一種是堿性氨水蝕刻液，主要配方見(jiàn)下圖：

酸性蝕刻液中CU2+濃度控制：

a.CuCl2酸性蝕刻反應(yīng)過(guò)程之分析

銅可以三種氧化狀態(tài)存在原子形成Cu°, 藍(lán)色離子的Cu++以及較不常見(jiàn) 的亞銅離子Cu+金屬銅可在銅溶液中被氧化而溶解見(jiàn)下面反應(yīng)式1 Cu°+Cu++2 Cu+-------------(1)在酸性蝕刻的再生系統(tǒng)就是將Cu+氧化成Cu++,因此使蝕刻液能將更多的 金屬銅咬蝕掉

以下是更詳細(xì)的反應(yīng)機(jī)構(gòu)的說(shuō)明 b.反應(yīng)機(jī)理及過(guò)程

直覺(jué)的聯(lián)想在氯化銅酸性蝕刻液中Cu++ 及Cu+應(yīng)是以CuCl2 及CuCl存 在才對(duì)但事實(shí)非完全正確兩者事實(shí)上是以和HCl形成的一龐大錯(cuò)化物存 在的

Cu° + H2CuCl4 + 2HCl 2H2CuCl3-------------(2)金屬銅 銅離子 亞銅離子

其中H2CuCl4 實(shí)際是 CuCl2 + 2HCl 2H2CuCl3 實(shí)際是 CuCl + 2HCl 在反應(yīng)式(2)中可知HCl是消耗品即使(2)式已有些復(fù)雜但它仍是以下兩 個(gè)反應(yīng)式的簡(jiǎn)式而已

Cu°+ H2CuCl4 2H2CuCl3 + CuCl(不溶)----------(3)CuCl + 2HCl 2H2CuCl3(可溶)----------(4)式中因產(chǎn)生CuCl沈淀會(huì)阻止蝕刻反應(yīng)繼續(xù)發(fā)生但因HCl的存在溶解 CuCl維持了蝕刻的進(jìn)行由此可看出HCl是氯化銅蝕刻中的消耗品而且 是蝕刻速度控制的重要化學(xué)品。

1)蝕刻機(jī)理：

Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2-

2)影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蝕刻液的溫度等。a、Cl-含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關(guān)系，當(dāng)鹽酸濃度升高時(shí)，蝕刻時(shí)間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時(shí)間至少是在水溶液里的1/3，并且能夠提高溶銅量。但是，鹽酸濃度不可超過(guò)6N，高于6N鹽酸的揮發(fā)量大且對(duì)設(shè)備腐蝕，并且隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是：在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時(shí)，生成的Cu2Cl2不易溶于水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能夠阻止反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行。過(guò)量的Cl-能與Cu2Cl2絡(luò)合形成可溶性的絡(luò)離子(CuCl3)2-，從銅表面上溶解下來(lái)，從而提高了蝕刻速率。b、Cu+含量的影響：根據(jù)蝕刻反應(yīng)機(jī)理，隨著銅的蝕刻就會(huì)形成一價(jià)銅離子。較微量的Cu+就會(huì)顯著的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個(gè)低的范圍內(nèi)。c、Cu2+含量的影響：溶液中的Cu2+含量對(duì)蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu2+濃度低于2mol/L時(shí)，蝕刻速率較低；在2mol/L時(shí)速率較高。隨著蝕刻反應(yīng)的不斷進(jìn)行，蝕刻液中銅的含量會(huì)逐漸增加。當(dāng)銅含量增加到一定濃度時(shí)，蝕刻速率就會(huì)下降。為了保持蝕刻液具有恒定的蝕刻速率，必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內(nèi)。d、溫度對(duì)蝕刻速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過(guò)高，一般控制在45~55℃范圍內(nèi)。溫度太高會(huì)引起HCl過(guò)多地?fù)]發(fā)，造成溶液組分比例失調(diào)。另外，如果蝕刻液溫度過(guò)高，某些抗蝕層會(huì)被損壞。

5、剝膜：剝膜在pcb制程中有兩個(gè)工序會(huì)使用：一是內(nèi)層線路蝕刻后之D/F剝除，二 是外層線路蝕刻前（剝除(若外層制作為負(fù)片制程)）。化學(xué)藥液多為NaOH或KOH濃 度在1~3%重量比。內(nèi)層之剝膜后有加 酸洗中和也有防銅面氧化而做氧化處理者。

6、AOX檢測(cè)：內(nèi)層板線路成完后,必須保證通路及絕緣的完整性(integrity),即如同單面板一樣先要仔細(xì)檢查因一旦完成壓合后,不幸仍有缺陷時(shí),則已為時(shí)太晚,對(duì)于高層次板子而言更是必須先逐一保證其各層品質(zhì)之良好,始能進(jìn)行壓合, 由于高層板漸多,內(nèi)層板的負(fù)擔(dān)加重,且線路愈來(lái)愈細(xì),萬(wàn)一有漏失將會(huì)造成壓合后的昂貴損失.傳統(tǒng)目視外,自動(dòng)光學(xué)檢查(AOI)之使用在大廠中已非常普遍, 利用計(jì)算機(jī)將原圖案牢記,再配合特殊波長(zhǎng)光線的掃瞄,而快速完美對(duì)各層板詳作檢查但AOI有其極限,例如細(xì)斷路及漏電(Leakage)很難找出,故各廠漸增加短斷路電性測(cè)試。

7、壓合：

（1）表面氧化處理：

A.增加與樹(shù)脂接觸的表面積,加強(qiáng)二者之間的附著力(Adhesion).B.增加銅面對(duì)流動(dòng)樹(shù)脂之潤(rùn)濕性,使樹(shù)脂能流入各死角而在硬化后有更強(qiáng)的抓地力

C.在裸銅表面產(chǎn)生一層致密的鈍化層(Passivation)以阻絕高溫下液態(tài)樹(shù)脂中胺類(Amine)對(duì)銅面的影響

主要有黑化與棕化工藝：

黑化：黑化工藝：它是一種氧化處理在堿性介質(zhì)中的一種化學(xué)反應(yīng)，使得樹(shù)脂與銅面的接觸面積增大，結(jié)合力加強(qiáng)。在化學(xué)反應(yīng)中通常使用強(qiáng)氧化劑亞氯酸鈉（NaclO2）、高錳酸鉀（K2MnO4)等,以NaclO2化學(xué)反應(yīng)為例： 4Cu+NaCLO2------2Cu2O+NaCL 2Cu2O+NaCLO2------4CuO+NaCL 黑氧化處理的產(chǎn)物主要是氧化銅(CuO)，黑化層因液中存有高堿度而雜有Cu2O,此物容易形成長(zhǎng)針狀或羽毛狀結(jié)晶。此種亞銅在高溫下容易折斷而大大影響銅與樹(shù)脂間的附著力, 并隨流膠而使黑點(diǎn)流散在板中形成電性問(wèn)題,而且也容易出現(xiàn)水份而形成高熱后局部的分層爆板。黑化因結(jié)晶較長(zhǎng)，厚度較厚，一般銅面的瑕疵較容易蓋過(guò)去而能得到色澤均勻的外表。但光面的黑化層卻容易受酸液之側(cè)攻而現(xiàn)出銅之原色,有些人認(rèn)為黑化的產(chǎn)物是氧化銅和氧化亞銅，這是業(yè)內(nèi)的一些錯(cuò)誤論調(diào)，經(jīng)過(guò)分析，可以測(cè)定銅原子和氧原子之間的結(jié)合能，氧化物表面銅原子和氧原子之間的比例；

黑化同時(shí)也帶來(lái)了一種缺陷，黑化層較厚,經(jīng)PTH后常會(huì)發(fā)生粉紅圈, 這是因 PTH中的微蝕或活化或速化液攻入黑化層而將之還原露出原銅色之故。對(duì)于粉紅圈的處理又分為還原法和溶解法，其解決方法是提高黑化膜的抗酸能力，但是整個(gè)生產(chǎn)成本明顯增高。

棕化：棕化過(guò)程是銅在一種酸性的介質(zhì)中的一種化學(xué)反應(yīng)，棕化處 理的產(chǎn)物主要是氧化亞銅（CU20），棕化層則呈碎石狀瘤狀結(jié)晶貼銅面,其結(jié)構(gòu)緊密無(wú)疏孔,與膠片間附著力遠(yuǎn)超過(guò)黑化層,不受高溫高壓的影響,成為聚亞醯胺,另外氧化亞銅膜具有致密、完整、均勻提供一致性的粗糙度，為下一步有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜提供了良好的物理結(jié)構(gòu)。

棕化液的組成[3~6]：

① 硅烷類化合物，特別是易水解成膜的硅烷偶聯(lián)劑，使用一種或多種，有些不易溶于水，需要使用醇類有機(jī)溶劑，輔助溶解，最佳使用濃度質(zhì)量百分比1%-5%(未水解時(shí)的濃度)。加入棕化液前，令硅烷部分或完全水解。水解處理就是把硅烷與酸性水混合攪拌，或者與含醇類化合物的水混合。

② 唑、吡咯等化合物。咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑等衍生物。如1,2,3-三唑，1,2,4-三唑，3-甲基-1,2,4-三唑，羥基苯并三唑等。使用濃度：重量百分比0.1%-10%。最佳1%-3%。

③ 氧載體。如過(guò)氧化氫。有助于唑類化合物吸附于銅表面，若缺少，則唑類化合物無(wú)法吸附于銅面上。原因：很薄的一層銅被氧氧化后，銅表面很可能首先形成了銅-唑類化合物。用量：重量百分比0.1%-5%，最好1%-2%。太少則處理時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，太多則微蝕過(guò)度。過(guò)氧化氫在這里的作用不是微蝕形成粗糙銅，而是去除一薄層銅，有利于有機(jī)銅層的沉積，該層能有效地提高結(jié)合力。

④ 有機(jī)或無(wú)機(jī)酸。如硫酸、磷酸、硝酸，醋酸、甲基磺酸、乙醇酸、檸檬酸等。其中硫酸最好，成本低，不會(huì)增加廢液處理難度。硫酸作用：一方面有利于硅烷水解，另一方面有利用去除一薄層銅。使用濃度：重量百分比1%-40%，最好5%-15%。

⑤ 鋅化合物?？扇苄缘挠袡C(jī)或無(wú)機(jī)鋅鹽。如硝酸鋅、硫酸鋅、磷酸鋅、醋酸鋅、甲烷磺酸鋅。使用濃度：重量百分比0.01%-20%。最佳0.2%-2%。作用：在銅面吸附的第一層唑類化合物與后續(xù)吸附的唑類化合物之間，鋅化合物參與形成配位絡(luò)合物，這樣可以形成足夠厚的沉積層，該沉積層表現(xiàn)為暗棕色，適合應(yīng)用于線路板制造。如果不使用鋅化合物，則沉積層厚度很薄、顏色很淡，并且沉積層非常不均勻。

⑥ 過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑：苯磺酸、乙二胺四乙酸、巰基乙酸、硅酸鈉。重量百分比濃度0.001%-1%，依穩(wěn)定劑種類不同，選擇相應(yīng)濃度。

棕化工序：堿清洗→DI水洗→預(yù)浸液→棕化液→DI水洗→烘干。堿洗目的是除去銅表面的有機(jī)殘?jiān)洼p微的氧化層。預(yù)浸目的是保證銅表面的化學(xué)活潑性，使棕化變得快速和均勻，其中棕化是整個(gè)生產(chǎn)線的關(guān)鍵。

工藝條件：

① 使用PVC或聚四氟乙烯槽，采用搖擺或輕微攪拌。② 浸漬或水平噴淋。③ 處理溫度為 30℃～38℃。溫度低則耗時(shí)長(zhǎng)，溫度高則銅易微蝕過(guò)度，且過(guò)氧化氫會(huì)分解。④ 處理時(shí)間為30秒～75秒(水平噴淋)。

各組分的作用 ① 硫酸：幫助雙氧水微蝕銅，水解含OH的有機(jī)聚合物，使其中的R基團(tuán)變?yōu)镠，以增強(qiáng)有機(jī)聚合物與銅的結(jié)合力。② 雙氧水作用是蝕刻一層很薄的銅，促使有機(jī)金屬層沉積在金屬銅面上。過(guò)硫酸銨(鈉)等也可以使用，但文獻(xiàn)認(rèn)為雙氧水更好[7]。

③ 含OH的有機(jī)A：其與相同分子之間反應(yīng)的同時(shí)與半固化環(huán)氧樹(shù)脂聚合；同時(shí)與含N 的雜環(huán)化合物B、金屬銅(含OH)形成化學(xué)鍵。

④ 含N的雜環(huán)化合物B：與基體銅結(jié)合外，通過(guò)A的橋鍵與環(huán)氧樹(shù)脂結(jié)合，含N的雜環(huán)化合物分子間通過(guò)銅離子以配位鍵的形式連接起來(lái)，增加了棕化層的厚度和平整性。⑤ 氯離子：對(duì)板子的顏色、微蝕厚度、抗撕強(qiáng)度有很大影響。需要監(jiān)測(cè)其濃度。⑥ 3,5-二硝基水楊酸等含硝基的有機(jī)化合物[7]，可以與金屬表面反應(yīng)，特別是銅和銅合金，以提供均勻的金屬轉(zhuǎn)化層，該層有利于和聚合物材料成鍵。

棕化液再生：棕化處理是一個(gè)化學(xué)蝕銅反應(yīng)過(guò)程，隨著棕化生產(chǎn)的進(jìn)行，棕化液中的銅離子濃度不斷上升，當(dāng)銅離子超過(guò)一定限量后，棕化液便會(huì)因銅離子過(guò)多而產(chǎn)生棕化銅面發(fā)白、棕化銅面色澤不均等品質(zhì)問(wèn)題，因此，此時(shí)棕化槽液必須進(jìn)行處理，使銅離子控制在一定范圍內(nèi)，從而保證棕化產(chǎn)品的品質(zhì)。通常棕化過(guò)程中銅離子濃度達(dá)到一定限量后，需要不斷排放棕化液，同時(shí)補(bǔ)充添加液以降低銅離子濃度，且保持棕化槽各有效組分含量的穩(wěn)定。為了提高棕化液的利用率，可以收集排放的棕化液A，經(jīng)過(guò)除銅和調(diào)整處理后作為棕化添加液B使用，即將棕化液A經(jīng)過(guò)濃縮，成為銅離子含量較高的濃縮液，然后經(jīng)過(guò)冷卻結(jié)晶析出硫酸銅晶體，使溶液銅離子含量降低，最后通過(guò)對(duì)棕化液有效成分分析調(diào)整，得到添加液B，再添加到棕化生產(chǎn)過(guò)程中，達(dá)到棕化液循環(huán)使用的目的。

主要工藝流程：A.堿性清洗-也有使用酸洗.市售有多種專業(yè)的化藥,能清除手指紋油脂,scum或有機(jī)物

B.酸浸-調(diào)整板面PH,若之前為酸洗,則可跳過(guò)此步驟.C.微蝕-微蝕主要目的是蝕出銅箔之柱狀結(jié)晶組織(grain structure)來(lái)增加表面積,增加氧化 后對(duì)膠片的抓地力通常此一微蝕深度以50-70微英吋為宜微蝕對(duì)棕化層的顏色均勻上非 常重要, D.預(yù)浸中和-板子經(jīng)徹底水洗后,在進(jìn)入高溫強(qiáng)堿之氧化處理前宜先做板面調(diào)整 ,使新鮮的銅 面生成-暗紅色的預(yù)處理,并能檢查到是否仍有殘膜未除盡的亮點(diǎn)存在

E.氧化處理-市售的商品多分為兩液,其一為氧化劑常含以亞氯酸鈉為主,另一為氫氧化鈉及添 加物,使用時(shí)按比例調(diào)配加水加溫即可通常氫氧化鈉在高溫及攪動(dòng)下容易與空氣中的二氧化 碳形成碳酸鈉而顯現(xiàn)出消耗很多的情況,因堿度的降低常使棕化的顏色變淺或不均勻,宜分析 及補(bǔ)充其不足溫度的均勻性也是影響顏色原因之一,加熱器不能用石英,因高溫強(qiáng)堿會(huì)使硅 化物溶解操作時(shí)最好讓槽液能合理的流動(dòng)及交換

F.還原此步驟的應(yīng)用影響后面壓合成敗甚巨.G.抗氧化此步驟能讓板子的信賴度更好,但視產(chǎn)品層次,不一定都有此步驟.H.后清洗及干燥-要將完成處理的板子立即浸入熱水清洗,以防止殘留藥液在空氣中干涸在板面 上而不易洗掉,經(jīng)熱水徹底洗凈后,才真正完工（2）、疊板

膠片相態(tài)變化：膠片中的樹(shù)脂為半硬化的 B-Stage 材料,在受到高溫后即會(huì)軟化及流動(dòng),經(jīng)過(guò)一段軟化而流動(dòng) 的時(shí)間后,又逐漸吸收能量而發(fā)生聚合反應(yīng)使得黏度增大再真正的硬化成為 C-Stage 材料。壓合機(jī)種類：

a、艙壓式壓合機(jī)：壓合機(jī)構(gòu)造為密閉艙體，外艙加壓、內(nèi)袋抽真空受熱，壓合成型。各層板材所承受之熱力與壓力來(lái)自四面八方加壓加溫之惰性氣體

優(yōu)點(diǎn): 因壓力熱力來(lái)自于四面八方故其成品板厚均勻流膠小可使用于高樓層

缺點(diǎn): 設(shè)備構(gòu)造復(fù)雜成本高且產(chǎn)量小

b、液壓式壓合機(jī)：液壓式壓合機(jī)構(gòu)造有真空式與常壓式。其各層開(kāi)口之板材夾于上下兩熱壓盤間，壓力由下往上壓，熱力藉由上下熱壓盤加熱傳至板材。優(yōu)點(diǎn):a.設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單成本低且產(chǎn)量大 b.可加裝真空設(shè)備有利排氣及流膠 缺點(diǎn): 板邊流膠量較大板厚較不均勻 C.ADARA SYSTEM Cedal 壓合機(jī) Cedal為一革命性壓合機(jī)，其作動(dòng)原理為在一密閉真空艙體中利用連續(xù)卷狀銅箔迭板。在兩端通電流,因其電阻使銅箔產(chǎn)生高溫,加熱。Prepreg用熱傳系數(shù)低之材質(zhì)做壓盤，藉由上方加壓達(dá)到壓合效果。因其利用夾層中之銅箔加熱，所以受熱均勻，內(nèi)外層溫差小，受壓均勻。比傳統(tǒng)式壓合機(jī)省能源故其操作成本低廉。優(yōu)點(diǎn): a.利用上下夾層之銅板箔通電加熱省能源操作成本低 b.內(nèi)外層溫差小受熱均勻產(chǎn)品品質(zhì)佳 c.可加裝真空設(shè)備有利排氣及流膠 d.Cycle time短約4Omin.e.作業(yè)空間減小很多.f.可使用于高樓層

缺點(diǎn): 設(shè)備構(gòu)造復(fù)雜成本高且單機(jī)產(chǎn)量小迭板耗時(shí) 壓合機(jī)熱源：

a、電加熱式：于壓合機(jī)各開(kāi)口中之壓盤內(nèi)安置電加熱器直接加熱 優(yōu)點(diǎn): 設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單成本低保養(yǎng)簡(jiǎn)易

缺點(diǎn): a.電力消耗大；b.加熱器易產(chǎn)生局部高溫使溫度分布不均 b、加熱軟水使其產(chǎn)生高溫高壓之蒸汽直接通入熱壓盤： 優(yōu)點(diǎn): 因水蒸汽之熱傳系數(shù)大熱媒為水較便宜

缺點(diǎn): a.蒸氣鍋爐必需專人操作設(shè)備構(gòu)造復(fù)雜且易銹蝕,保養(yǎng)麻煩；b.高溫高壓操作危險(xiǎn)性高

C.藉由耐熱性油類當(dāng)熱媒以強(qiáng)制對(duì)流方式輸送將熱量以間接方式傳至熱壓盤 優(yōu)點(diǎn): 升溫速率及溫度分布皆不錯(cuò)操作危險(xiǎn)性較蒸汽式操作低 缺點(diǎn): 設(shè)備構(gòu)造復(fù)雜價(jià)格不便宜保養(yǎng)也不易 D.通電流式: 利用連續(xù)卷狀銅箔迭板在兩端通電流因其電阻使銅箔產(chǎn)生高溫加熱Prepreg用熱傳系數(shù)低之材質(zhì)做壓盤減少熱流失

優(yōu)點(diǎn): a.升溫速率快(35/min.)內(nèi)外層溫差小及溫度分布均勻；b.省能源操作成本低廉

缺點(diǎn): a.構(gòu)造復(fù)雜設(shè)備成本高 疊板結(jié)構(gòu)：

若壓合機(jī)有十二個(gè)開(kāi)口，每一開(kāi)口有上下熱壓盤，共十三個(gè)熱壓盤。迭板方式以鋼質(zhì)載盤為底盤，放入十二張牛皮紙及一張銅箔。基板中間以一層鏡面鋼板一層板材的方式迭入十二層板材，上面再加一層鏡面鋼板及一張銅箔基板和十二張牛皮紙?jiān)偕w上鋼質(zhì)蓋板.A-1 迭板結(jié)構(gòu)各夾層之目的

a.鋼質(zhì)載盤,蓋板(Press plate): 早期為節(jié)省成本多用鋁板,近年來(lái)因板子精密度的提升已漸改成硬化之鋼板,供均勻傳熱用.b.鏡面鋼板(Separator plate): 因鋼材鋼性高, 可防止表層銅箔皺折凹陷，拆板容易。鋼板使用后如因刮傷表面或流膠殘留無(wú)法去除，就應(yīng)加以研磨。

c.牛皮紙: 因紙質(zhì)柔軟透氣的特性可達(dá)到緩沖受壓均勻施壓的效果,且可防止滑動(dòng)。因熱傳系數(shù)低可延遲熱傳均勻傳熱之目的，在高溫下操作牛皮紙逐漸失去透氣的特性,使用三次后就應(yīng)更換。

d.銅箔基板:其位于夾層中牛皮紙與鏡面鋼板之間，可防止牛皮紙?zhí)蓟笪廴剧R面鋼板或黏在上面，緩沖受壓均勻施壓

e.其它有脫模紙(Release sheet)及壓墊(Press pad)Conformal press的運(yùn)用,大半都用在 軟板coverlayer壓合上.壓板過(guò)程中壓力變化：

a.初壓(吻壓 Kiss pressure):每?jī)?cè)(Book)緊密接合傳熱,驅(qū)趕揮發(fā)物及殘余氣體

b.第二段壓:使膠液順利填充并驅(qū)趕膠內(nèi)氣泡，同時(shí)防止一次壓力過(guò)高導(dǎo)致的皺折及應(yīng)力

c.第三段壓:產(chǎn)生聚合反應(yīng)使材料硬化而達(dá)到C-stage d.第四段壓:降溫段仍保持適當(dāng)?shù)膲毫?，減少因冷卻伴隨而來(lái)之內(nèi)應(yīng)力 壓板后處理： a、后烤：通常后烤條件是150,4小時(shí)以上.如果先前壓合步 驟curing很完整,可不做后烤,否則反而有害(降低Tg).目的：a.讓聚合更完全.b.若外表有彎翹,則可平整之.c.消除內(nèi)部應(yīng)力并可改善對(duì)位.B.銑靶,打靶-完成壓合后板上的三個(gè)箭靶會(huì)明顯的出現(xiàn)浮雕(Relief), 手動(dòng)作業(yè):將之置于普通的單軸鉆床下用既定深度的平頭銑刀銑出箭靶及去掉原貼的耐熱膠 帶,再置于有投影燈的單軸鉆床或由下向上沖的沖床上沖出靶心的定位孔,再用此定位孔定 在鉆床上即行鉆孔作業(yè)注意要定時(shí)校正及重磨各使用工具, b.X-Ray透視打靶: 有單軸及雙軸,雙軸可自動(dòng)補(bǔ)償取均值,減少公差.C.剪邊(CNC裁板)：-完成壓合的板子其邊緣都會(huì)有溢膠,必須用剪床裁掉。以便在后續(xù)制程中作業(yè)方便及避免造成人員的傷害,剪邊最好沿著邊緣直線內(nèi)1公分處切下,切太多會(huì)造成電鍍夾點(diǎn)的困擾,最好再用磨邊機(jī)將四個(gè)角落磨圓及邊緣毛頭磨掉,以減少板子互相間的刮傷及對(duì)槽液的污染?；蛘攥F(xiàn)在很普遍直接以CNC成型機(jī)做裁邊的作業(yè)。

8、鉆孔

鉆孔房環(huán)境設(shè)計(jì)

A.溫濕度控制： 一般鉆房的溫度應(yīng)控制在18-22℃、相對(duì)濕度≦50€?當(dāng)溫濕度不符合要求，會(huì)影響鉆機(jī)的性能表現(xiàn)。

B.干凈的環(huán)境：鉆房環(huán)境力求清潔。鉆機(jī)清理時(shí)不可使用高壓風(fēng)槍吹塵，此舉一方面會(huì)影響操作員健康，另一方面會(huì)影響鉆機(jī)的壽命及精度。

C.地板承受之重量 D.絕緣接地的考量 E.外界振動(dòng)干擾

鉆孔過(guò)程使用的物料：

鉆針(a.硬度高耐磨性強(qiáng)的碳化鎢（94%b.耐沖擊及硬度不錯(cuò)的鈷（4%）、c.有機(jī)黏合劑）、蓋板、墊板。

9、鍍通孔：

其目的使孔壁上之非導(dǎo)體部份之樹(shù)脂及玻纖束進(jìn)行金屬化(metalization), 以進(jìn)行后來(lái)之電鍍銅制程,完成足夠?qū)щ娂昂附又饘倏妆凇Ｖ饕ㄒ韵聨讉€(gè)步驟：

（1）去巴里：鉆完孔后,若是鉆孔條件不適當(dāng),孔邊緣有1.未切斷銅絲2.未切斷玻纖的殘留,稱為burr.因其要斷不斷,而且粗糙,若不將之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此鉆孔后會(huì)有de-burr制程.也有de-burr是放在Desmear之后才作業(yè).一般de-burr是用機(jī)器刷磨,且會(huì)加入超音波及高壓沖洗的應(yīng)用.（2）除膠渣(Desmear)A.目的: a.去膠渣

b.創(chuàng)造表面粗糙的微孔，增加結(jié)合力。B.Smear產(chǎn)生的原因: 由于鉆孔時(shí)造成的高溫Resin超過(guò)Tg值而形成融熔狀終致產(chǎn)生膠渣 此膠渣生于內(nèi)層銅邊緣及孔壁區(qū)會(huì)造成P.I.(Poor lnterconnection)C.除膠渣的四種方法: 硫酸法(Sulferic Acid)、電漿法(Plasma)、鉻酸法(Cromic Acid)、高錳酸鉀法(Permanganate).a.硫酸法：必須保持高濃度但硫酸本身為脫水劑很難保持高濃度且咬蝕出的孔面光滑無(wú)微孔，并不適用。

b.電漿法：效率慢且多為批次生產(chǎn)，而處理后大多仍必須配合其它濕制程處理。因此除非生產(chǎn)特殊板大多不予采用。

c.鉻酸法：咬蝕速度快，但微孔的產(chǎn)生并不理想，且廢水不易處理又有致癌的潛在風(fēng)險(xiǎn)故漸，被淘汰

d.高錳酸鉀法：因配合溶劑制程可以產(chǎn)生微孔同時(shí)由于還原電極的推出使槽液安定性獲得較佳控制因此目前較被普遍使用。

高錳酸鉀法(KMnO4 Process)簡(jiǎn)介: A.膨松劑(70度，主要成分氫氧化鈉、已二醇乙醚、已二醇，5min): a.功能:軟化膨松Epoxy降低 Polymer 間的鍵結(jié)能使KMnO4 更易咬蝕形成 Micro-rough 速 率 作 用 Concentration b.不可和KMnO4 直接混合以免產(chǎn)生強(qiáng)烈氧化還原發(fā)生火災(zāi) c.原理解釋:(1)初期溶出可降低較弱的鍵結(jié)，使其鍵結(jié)間有了明顯的差異。若浸泡過(guò)長(zhǎng)，強(qiáng)的鏈接也漸次降低，終致整塊成為低鏈接能的表面。如果達(dá)到如此狀態(tài)將無(wú)法形成不同強(qiáng)度結(jié)面。若浸泡過(guò)短則無(wú)法形成低鍵結(jié)及鍵結(jié)差異如此 將使KMnO4咬蝕難以形成蜂窩面，終致影響到PTH的效果。

(2)表面張力的問(wèn)題: 無(wú)論大小孔，皆有可能有氣泡殘留。而表面力對(duì)孔內(nèi)濕度也影響頗大。故 采用較高溫操作有助于降低表面張力及去除氣泡。至于濃度的問(wèn)題，為使Drag out降低減少消耗而使用略低濃度，事實(shí)上較高濃度也可操作且速 度較快

在制程中必須先濕潤(rùn)孔內(nèi)壁以后才能使藥液進(jìn)入作用。否則有空氣殘留后續(xù)制程更不易進(jìn)入孔內(nèi)其Smear將不可能去除

B.除膠劑(80度): a.使用KMnO4的原因:選KMnO4而未選NaMnO4是因?yàn)镵MnO4溶解度較佳,單 價(jià)也較低

b.反應(yīng)原理: 4MnO4-+ C + 4OH-=MnO4 + CO2 + 2H2O(此為主反應(yīng)式)2MnO4-+ 2OH-2MnO4= + 1/2 O2 + H2O(此為高PH值時(shí)自發(fā)性分解反應(yīng))MnO4-+ H2O MnO2 + 2OH-+ 1/2 O2(此為自然反應(yīng)會(huì)造成Mn+4沉淀)c.作業(yè)方式:早期采氧化添加劑的方式。目前多用電極還原的方式。操作不穩(wěn) 定的問(wèn)題已獲解決

d.過(guò)程中其化學(xué)成份狀況皆以分析得知但Mn+7為紫色, Mn+6為綠色,Mn+4 為黑色可由直觀的色度來(lái)直接判斷大略狀態(tài)若有不正常發(fā)生則可能 是電極效率出了問(wèn)題須注意

除膠劑再生：KMnO4的再生：要提高KMnO4工作液的使用效率，必須考慮將溶液中的MnO4 2-再生轉(zhuǎn)變?yōu)镸nO4-，目前

普遍采用的是電解再生法，再生器利用的是陰極為大面積的不銹鋼柱形圓筒，陽(yáng)極為鈦材料，其與陰極的面積比很小，MnO4-2-在陽(yáng)極表面發(fā)生的反應(yīng)為MnO4-2--e→MnO4-。使用450~~550A的整流器，由于MnO4 2-不斷地氧化成MnO4-，因此工作液中不需大量添加KMnO4原料，它的少量添加是為了平衡工作液的帶出損耗，因而大大降低了生產(chǎn)成本，使用較長(zhǎng)時(shí)間的工作液在槽底會(huì)形成沉淀，需定期清除，以保證處理效果。

MLB214D為樹(shù)脂蝕刻促進(jìn)劑，可提高KMnO4的樹(shù)脂蝕刻能力，提高工作液的潤(rùn)濕性，減少孔內(nèi)氣泡，其為白色粉末狀固體。

C.中和劑(40度):由于錳是重金屬，它的存在會(huì)使鈀中毒，使鈀離子或原子失去活化性能。必須把Mn7+/ Mn6+/MnO2用酸中和成為Mn2+，反應(yīng)機(jī)理如下：

a.NaHSO3是可用的中和之一。其原理皆類似Mn or Mn+6 or Mn+4(Neutralizer)->Mn+2(Soluable)b.為免于粉紅圈，在選擇Acid base必須考慮。HCl及 H2SO4系列都有。但Cl易攻擊氧化層。所以用H2SO4/雙氧水為Base 的酸較佳(還含有草酸鈉)。

c.藥液使用消耗分別以H2SO4及Neutralizer用自動(dòng)控制設(shè)備來(lái)補(bǔ)充維護(hù)。(3)整孔：

除膠渣后孔內(nèi)呈現(xiàn)雙極現(xiàn)象，其中Cu呈現(xiàn)高電位正電，Glass fiberEpoxy呈負(fù)電，整孔使表面清潔，孔壁呈正電性，以利Pd/Sn Colloid負(fù)電離子團(tuán)吸附。

采用陰離子表面活性劑和硫酸。（4）微蝕：

清除清孔后表面之所形成的薄膜和氧化物。微蝕液種類：sps(過(guò)硫酸鈉)+硫酸，過(guò)硫酸銨+硫酸體系;雙氧水+硫酸體系.微蝕速度40～60u/s.(5)預(yù)活化 Catalpretreatment 1.為避免微蝕形成的銅離子帶入Pd/Sn槽，污染槽液。2.降低孔壁的表面張力

預(yù)浸槽與活化槽的成分基本相同，區(qū)別在于預(yù)浸槽中不含活化劑鈀。酸性膠體鈀預(yù)浸液成分：SnCl2 ：30g/L、HCl：30ml/L、NaCl：200g/L、脲素：50g/L(6)活化

①活化反應(yīng)機(jī)理：溶液中的Sn2+ 和Pd2+ 的濃度為2：1時(shí)所得到的活化液活化性能最好，因此時(shí)Sn2+ 和Pd2+ 在溶液中反應(yīng)形成不穩(wěn)定的絡(luò)合物，Pd 2+ + 2Sn2+ →〔PdSn2〕6+ →Pd+Sn4+ +Sn 2+在30℃時(shí)〔PdSn2〕6+ 絡(luò)離子歧化反應(yīng)12min，大約有90%以上的絡(luò)合離子被還原成金屬鈀，它 們呈現(xiàn)出極其細(xì)小的金屬顆粒分散在溶液中，當(dāng)加入大量Sn2+ 的和Cl--時(shí)，這些細(xì)小的鈀核表面上很快吸附大量的Sn2+ 的和Cl-，形成帶負(fù)電的膠體化合物 〔Pd（SnCl3）〕-，這些膠體化合物懸浮在溶液中（負(fù) 負(fù)相斥），不會(huì)沉聚，膠體鈀在酸性環(huán)境中較穩(wěn)定，當(dāng)表面帶正電荷的印制板浸入處理液后，膠體鈀會(huì)很快被基材吸附，而完成活化處理?；罨幚磉^(guò)的印制板，在水洗時(shí)，表面的SnCl2水解形成堿式錫酸鹽沉淀。

②目前市售的膠體鈀活化劑大多為鹽基膠體鈀。PdCl2：1g/l、NaCl：250g/l、SnCl2：12。8g/l、HCl：40ml/l、Na2SnO3：2g/l脲素：50g/l。

③CAT44濃縮液是一種不易燃，酸性，深褐色的液體，每公升大約含鈀4。7g，比重約1。2。

(7)速化 Accelerator

+71.Pd膠體吸附后必須去除Sn使Pd2+曝露如此才能在未來(lái)無(wú)電解銅中產(chǎn)生催化作用形成化學(xué)銅，實(shí)質(zhì)是使堿式錫酸鹽溶解，可用酸也可用堿處理，效果最好的是 1%的HBF4處理1~~2min。

2.基本化學(xué)反應(yīng)為

Pd+2/Sn+2(HF)Pd+2(ad)+ Sn+2(aq)Pd+2(ad)(HCHO)Pd(s)(8)化學(xué)鍍銅

鍍液成分及作用：

銅鹽（253A CuSO425H2O）、絡(luò)合劑（253E EDTA 絡(luò)合銅離子，減緩沉積速率），還原劑（甲醛，次磷酸鹽（新的還原劑，反應(yīng)機(jī)理：Cu2+ ＋ H2PO2－ ＋H2O ====Cu↓+ H2PO3＋2H＋（酸性）；Cu2+ ＋ H2PO2－ ＋2OH－ ====Cu↓+ H2PO3＋H2O（堿性）），PH值調(diào)節(jié)劑（NaOH，甲醛在強(qiáng)堿條件下才具有還原性，因此必須加入適量的堿。

添加劑：溶液中存在微量的Cu+，其歧化反應(yīng)形成的銅粉具有催化作用，易加速化學(xué)銅溶液的分解。添加劑能絡(luò)合Cu+，減小Cu+ 的干擾。

反應(yīng)機(jī)理：

正常反應(yīng)為 2HCHO+4OH++Cu2+→Cu+2HCOO-+H2O+H2 從反應(yīng)式可看出，溶液必須為強(qiáng)堿性，HCHO的還原能力取決于堿性強(qiáng)弱，即PH值。在堿性中，必須有足夠的絡(luò)合劑，以穩(wěn)定Cu2+不致生成 沉 淀。溶液中的相應(yīng)成分必須保持相應(yīng)的一定比例。同時(shí)反應(yīng)必須有催化劑的催化作用。

副反應(yīng)： 不管鍍銅液使用與否，總是存在以下兩個(gè)反應(yīng)： Cu2O的生成：2Cu2+ +HCHO+5OH-→Cu2O+HCOO-+3H2O Cu2O +H2O→2Cu+ +2OH-2Cu+ →Cu2+ +Cu 形成的銅 粉是分子量級(jí)的，分散于溶液中，這些小顆粒具有催化能力，當(dāng)銅粉數(shù)量較多時(shí)，就會(huì)引起沸騰式的反應(yīng)，導(dǎo)致溶液迅速分解。HCHO與NaOH的反應(yīng)：2HCHO+OH-→HCOO-+CH3OH 對(duì)于放置不用的化學(xué)銅液，幾天后，因歧化反應(yīng)，HCHO變成CH3OH和HCOOH，且消耗大量的NaOH，溶液PH值變低，因此放置不用的溶液重新起用時(shí)，必須重新調(diào)整HCHO和PH值，特別是HCHO含量小于3g/L時(shí)，會(huì)加速Cu2O的生成，加速銅液的分解。

目前新工藝：超聲波輻射化學(xué)鍍銅、激光增強(qiáng)化學(xué)鍍、無(wú)鈀化學(xué)鍍（9）剝掛架

10、一次銅

非導(dǎo)體的孔壁經(jīng)PTH金屬化后立即進(jìn)行電鍍銅制程, 其目的是鍍上200~500微英吋以保護(hù)僅有20~40微英吋厚的化學(xué)銅被后制程破壞而造成孔破(Void)。

三、外層制作

1、銅面前處理（同內(nèi)層制作工序）

2、壓干膜：（溶劑顯像型、半水溶液顯像型、堿水溶液顯像型），目前流行的為堿水溶液顯像型，以碳酸鈉顯像、用稀氫氧化鈉剝膜。

一、干膜的結(jié)構(gòu)和種類

(1)干膜制造印制電路的優(yōu)點(diǎn) 分辨率高，能制造線寬0.1mm的圖形，在干膜厚度范圍以內(nèi)都能獲得邊緣垂直的線條，保證線條精度；干膜的厚度和組成基本穩(wěn)定，避免成像時(shí)的不連續(xù)性，可靠性高；便于掌握。應(yīng)用干膜可大大簡(jiǎn)化印制板制造工序，有利于實(shí)現(xiàn)機(jī)械化和自動(dòng)化。

(2)干膜結(jié)構(gòu) 干膜由保護(hù)膜聚乙烯、光致抗蝕劑膜和載體聚酯薄膜三部分組成，三者厚度分別是25弘m，幾十至100μm和25μm。

(3)干膜種類 依照干膜顯影和去膜方法的不同，將干膜分成三類：溶劑型干膜、水溶性干膜和剝離型干膜。

根據(jù)干膜的用途，也將干膜分成三類：抗蝕干膜、掩孔干膜和阻焊干膜。(4)干膜的主要成分及作用

①膠黏劑 主要是使膠膜具有一定的化學(xué)、物理及機(jī)械性能，通常是酯化或酰胺化的聚苯丁樹(shù)脂。膠黏劑不含感光基團(tuán)，屬于光惰性物質(zhì)，它與組分的混溶性、成膜性、顯影性和去膜性良好。

②光聚合單體 是膠膜的主要成分，在光引發(fā)劑的存在下，經(jīng)紫外光照射發(fā)生聚合反應(yīng)，而不溶于顯影液，未感光部分被顯影掉，形成抗蝕干膜圖像。光聚合單體還是增塑劑，直接影響干膜的韌性、抗蝕性及貼膜性。它主要采用高沸點(diǎn)、易混溶的多官能團(tuán)不飽和酯類，如三乙二醇雙丙烯酸酯，季四醇三烯酸酯等。③光引發(fā)劑 在紫外光的照射下分解成游離基，引發(fā)聚合和交聯(lián)反應(yīng)的物質(zhì)常用安息醚，叔丁基蒽、醌等。④增塑劑 用于增加干膜的韌性，降低貼膜溫度，常用的是三縮乙二醇二乙酸酯。

⑤增黏劑 可增強(qiáng)干膜與銅表面之間的結(jié)合力，克服干膜固化后與銅表面之間產(chǎn)生應(yīng)力而黏附不牢引起膠膜起皮翹起、滲鍍。常用增黏劑有苯并三氮，苯并咪唑等，是氮雜環(huán)化合物，與銅表面形成配價(jià)鍵結(jié)構(gòu)而提高黏附力。

⑥熱阻聚劑 在于膜的制造、運(yùn)輸、貯存和使用過(guò)程中，可能發(fā)生熱聚合，影響干膜的解像力和顯影性能。為阻止熱能引發(fā)的干膜聚合，可在于膜抗蝕劑中加入了對(duì)苯二酚，對(duì)甲氧基酚等物質(zhì)。

⑦色料為使干膜抗蝕劑感光顯影后形成良好的視覺(jué)反差，在干膜中加入了孔雀石綠、甲基紫、亞甲基藍(lán)等顏料。

⑧溶劑 干膜中常用溶劑是丙酮和乙醇。

操作環(huán)境：無(wú)塵室中進(jìn)行萬(wàn)級(jí)以上，環(huán)境溫度應(yīng)控制在23°±3，相對(duì)濕度應(yīng)保持50RH±5左右。操作人員也要帶手套及抗靜電之無(wú)塵衣帽。

壓膜機(jī)可分手動(dòng)及自動(dòng)兩種,有收集聚烯類隔層的卷輪、干膜主輪、加熱輪、抽風(fēng)設(shè)備等四主要部份。一般壓膜條件為：

壓膜熱輪溫度 120°±10 板面溫度 50±10 壓膜速度 1.5~2.5米/分 壓力 15-40 psi

3、曝光： 曝光機(jī)種類 手動(dòng)與自動(dòng)

平行光與非平行光 LDI雷射直接暴光

A.手動(dòng)曝光機(jī)是將將欲曝光板子上下底片以手動(dòng)定PIN（引線末端的一段，通過(guò)軟釬焊使這一段與印制板上的焊盤共同形成焊點(diǎn)）對(duì)位后送入機(jī)臺(tái)面 吸真空后曝光

B.自動(dòng)曝機(jī)一般含Loading/unloading，須于板子外框先做好工具孔，做初步定位。再由機(jī)臺(tái)上之CCDCheck底片與孔的對(duì)位狀況并做微調(diào)后入曝光區(qū)。

C、非平行光與平行光的差異：平行光可降低Under-Cut 其差異點(diǎn)可見(jiàn)圖8.5顯影后的比較做細(xì)線路(4mil以下)非得用平行光之曝光機(jī)

D、LDI(Laser Direct Imaging)激光直接感光之設(shè)備與感光方式是利用特殊之感光膜coating在板面。不須底片直接利用激光掃描曝光其細(xì)線可做 到2mil以內(nèi)利用多beam方式18in324in的板子已有號(hào)稱曝光時(shí)間僅30秒。

4、顯影

顯像是把尚未發(fā)生聚合反應(yīng)的區(qū)域用顯像液（碳酸鈉）將之沖洗掉已感光部份則因已發(fā)生聚合反應(yīng)而洗不掉仍留在銅面上成為蝕刻或電鍍之阻劑膜注意在 顯像前不可忘記把表面玻璃紙撕掉。

5、二次銅（負(fù)片制作）：（1）脫脂（2）水洗（3）微蝕（4）水洗（5）酸浸（6）鍍銅（7）水洗

（8）鍍錫

鍍液成分及作用：

硫酸銅：是供給槽液銅離子的主源。配槽時(shí)要用化學(xué)級(jí)之含水硫酸銅結(jié)晶溶解使用。平時(shí)作業(yè)中，則由陽(yáng)極磷銅塊解離補(bǔ)充。配液后要做活性炭處理(Carbon treatment)及假鍍(是指對(duì)于重金屬污染物，可用較大面積的電解鎳板，經(jīng)活化洗凈后，進(jìn)入鍍液中進(jìn)行電解，以此去除重金屬離子。這種方法叫做“假鍍”（dummy）)

硫酸：要使用試藥級(jí)的純酸硫酸有導(dǎo)電及溶解陽(yáng)極的功用。日常操作中銅量因 吹氣的氧化作用使陽(yáng)極膜的溶解增加故液中的銅量會(huì)漸增而酸量會(huì)漸減。要逐日作分析，以維持其酸與銅之重量比在10:1以上，以維持良好的分布力。鍍液在不鍍時(shí)要關(guān)掉吹氣以防銅量上升酸量下降及光澤之過(guò)度消耗。

氯離子：有助陽(yáng)極的溶解及光澤劑的發(fā)揮功能。使陽(yáng)極溶解均勻，鍍層平滑光澤。氯離子正常時(shí)陽(yáng)極膜呈黑色，過(guò)量時(shí)則變成灰白色，配液及添加用的水一 定要純，不可用自來(lái)水。因其加有氯氣或漂白粉含次氯酸鹽會(huì)帶入大量的氯離子

陽(yáng)極：須使用含磷0.02-0.06的銅塊其面積最好為陰極的兩倍

添加劑：主要有活性劑（聚乙二醇）、光澤（乙撐硫脲,二硫苯駢咪唑,四氫噻唑硫酮）、整平（）、載體、潤(rùn)濕（消除氫氣泡吸附在鍍層表面所產(chǎn)生的針孔，主要種類包含乙基巳基硫酸鈉、乙基巳基硫酸鈉）等功能。

鍍液的過(guò)濾循環(huán)：:一則使鍍液流動(dòng)，再則使浮游物被濾掉。其過(guò)濾速度應(yīng)每小時(shí)至少使鍍槽全部鍍液能循環(huán)3次。當(dāng)然速度愈大愈能降低擴(kuò)散層的厚度，有利電鍍。濾心要在5微吋以下之密度以達(dá)清潔之目的。

6、鍍錫：

二次銅后鍍錫鉛合金的目的：

a.蝕刻阻劑, 保護(hù)其所覆蓋的銅導(dǎo)體不會(huì)在堿性蝕銅時(shí)受到攻擊 b.裝配焊接, 須再經(jīng)IR重熔,目前多已不使用.由于鉛對(duì)人體有頗大的為害,廢液處理不便宜因此純錫電鍍已漸取代傳統(tǒng)錫鉛 鍍錫液組成：硫酸亞錫，硫酸和添加劑（蛋白質(zhì)(Peptone)白明膠(Gelatin)-Naphthol 鄰苯二酚(Hydroquinone)）組成，硫酸亞錫含量控制在35克/升左右，硫酸控制在10%左右。

鍍錫前需要進(jìn)行水洗和酸洗，以消除Cu2+等離子污染影響。

7、蝕刻：

A.剝膜:將抗電鍍用途的干膜以藥水剝除 B.線路蝕刻:把非導(dǎo)體部分的銅溶蝕掉

堿性環(huán)境下，蝕刻液成分見(jiàn)內(nèi)層銅蝕刻工序。

在堿性環(huán)境溶液中銅離子非常容易形成氫氧化銅之沉淀，需加入足夠的氨水，使產(chǎn)生氨銅縫合離子團(tuán)。則可抑制其沉淀的發(fā)生。同時(shí)使原有多量的銅及繼續(xù)溶解的銅在液中形成非常安定的氨銅絡(luò)合離子。此種二價(jià)的 氨銅絡(luò)合離子又可當(dāng)成氧化劑使零價(jià)的金屬銅被氧化而溶解。不過(guò)氧化還 原反應(yīng)過(guò)程中會(huì)有一價(jià)亞銅離子)出現(xiàn)即：一反應(yīng)之中間態(tài)亞銅離子之溶解度很差必須輔助以，氨水氨離子及空氣中大量的氧使其繼續(xù)氧化成為可溶的二價(jià)銅離子而又再成為蝕銅的氧化劑周而復(fù)始的繼續(xù)蝕銅直到銅量太多而減慢為止故一般蝕刻機(jī)之抽風(fēng)除了排除氨臭外更可供給新鮮的空氣以加速蝕銅

8、剝錫(鉛):最后將抗蝕刻的錫(鉛)鍍層除去 上述步驟是由水平聯(lián)機(jī)設(shè)備一次完工

剝錫液成分：溶液組成有氟系/H2O2,HNO3/H2O2等配方。

1、首先將需要處理的工件放入退錫水中，工件要錯(cuò)開(kāi)放置,不要重疊,25℃—40℃條件下退除錫鍍層，以退盡為止。

2、當(dāng)錫鍍層退除后，在銅基體上會(huì)有一層灰黑色的膜，視客戶要求而定，如需要去除此膜則必須用我司配送的除膜劑再清洗一次。

3、將退盡錫層的工件從退錫水中取出后，用自來(lái)水沖洗干凈，然后投入到除膜劑中把銅基體表面上的膜去掉，大約浸泡20秒鐘至1分鐘。最后取出工件用潔凈自來(lái)水沖洗干凈即可。

4、在退錫過(guò)程中要輕緩對(duì)工件進(jìn)行攪拌,但要注意:不要使工件與工件之間因碰撞而損害了精密零件.最好是將工件裝在固定的塑料框中,工件與工件之間有一定距離,退鍍過(guò)程只要晃動(dòng)框,而不需要碰到工件.同時(shí)也避免了工件之間的重疊.9、防焊：

主要工藝流程如下：

印墨包含印刷型和簾涂型、靜電噴涂型。

預(yù)烤：趕走油墨內(nèi)的溶劑,使油墨部分硬化,不致在進(jìn)行曝光時(shí)黏底片 后烤： A.通常在顯像后墨硬度不足,會(huì)先進(jìn)行UV硬化,增加其硬度以免做檢修時(shí)刮傷.B.后烤的目的主要讓油墨之環(huán)氧樹(shù)脂徹底硬化,文字印刷條件一般為150°C,30min

10、文字印刷

11、表面焊墊的各種處理（1）金手指及噴錫 A金手指：

a.貼膠,割膠：目的是讓板子僅露出欲鍍金手指之部份線路,其它則以膠帶貼住防鍍.b、鍍鎳（垂直）：在此是作為金層與銅層之間的屏障防止銅擴(kuò)散。鎳液則是鎳含量甚高而鍍層應(yīng)力極低的氨基磺酸鎳(Ni(NH2SO3)2)或者硫酸鎳，還有輔助劑（硼酸（緩沖作用，維持pH平衡，濃度35~55g/l）、氯化鎳（保證陽(yáng)極正常溶解，防止陽(yáng)極鈍化）、光亮劑（ACR-3010，濃度25~35ml/l）、防針孔劑（趕走氫氣泡，陰離子表面活性劑：十二烷基硫酸鈉、二乙基已基硫酸鈉））

c、鍍金：以弱酸性檸檬酸系列的微氰鍍液為宜。B、噴錫（又稱熱風(fēng)平整）噴錫又稱熱風(fēng)整平，是將印制板浸入熔融的焊料中，再通過(guò)熱風(fēng)將印制板的表面及金屬化孔內(nèi)的多余焊料吹掉，從而得一個(gè)平滑，均勻光亮的焊料涂覆層。

分為垂直式和水平式。流程：

烤板——前處理——助焊劑涂覆—— 浸入熔融焊料——熱風(fēng)整平—— 后處理。

前處理包含：脫脂——清洗——微蝕——水洗酸洗(中和)——水洗熱風(fēng)干

（2）OSP（有機(jī)保焊膜,又稱護(hù)銅劑,）

潔凈的裸銅表面上，以化學(xué)的方法長(zhǎng)出一層有機(jī)皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護(hù)銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹（氧化或硫化等）；但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護(hù)膜又必須很容易被助焊劑所迅速清除，如此方可使露出的干凈銅表面得以在極短的時(shí)間內(nèi)與熔融焊錫立即結(jié)合成為牢固的焊點(diǎn)。

除油所使用藥液成分：(1)檸檬酸(2)潤(rùn)濕劑(非離子界面活性劑)微蝕所用藥液同內(nèi)層微蝕工序（(1)過(guò)硫酸鈉、(2)硫酸），使銅表面微粗化，與OSP膜之間有更好的附著性。

預(yù)浸：主成份為異丙醇及添加劑，作用:使銅面外層上一層保護(hù)膜,以避免銅離子帶入OSP槽內(nèi).OSP：主成份(1)主成分:苯基三連唑和(2)甲酸；作用使銅面外層覆蓋一層有機(jī)保焊膜,防止銅面氧化.（3）化學(xué)鎳金

A、化學(xué)鍍鎳 鍍液: B.一般常用的鎳鹽為氯化鎳(Nickel Chloride)C.一般常用的還原劑有次磷酸鹽類(Hypophosphite)/甲醛(Formaldehyde)/聯(lián)氨(Hydrazine)/硼氬化合物(Borohydride)/硼氫化合物(Amine Borane)D.螯合劑以檸檬酸鹽(Citrate)最常見(jiàn)

E.槽液酸堿度需調(diào)整控制傳統(tǒng)使用氨水(Amonia)也有配方使用三乙醇氨(Triethanol Amine)除可調(diào)整PH及比氨水在高溫下穩(wěn)定同時(shí)具有與檸檬酸鈉結(jié)合共為鎳金屬螯合劑使鎳可順利有效地沉積于鍍件上.B、鍍金

分為“置換式鍍金”與“無(wú)電金（化學(xué)鍍）”。

“浸鍍金”： 鍍層薄且底面鍍滿即停止，Ni+2Au+→Ni2++2Au由于金和鎳的標(biāo)準(zhǔn)電位相差較大，在合適的溶液中會(huì)發(fā)生金在鎳表面置換沉積出來(lái)從反應(yīng)式我們可以看出，浸金反應(yīng)要進(jìn)行必須要有鎳層的存在，但隨著置換出的金層厚度的增加，鎳被完全覆蓋后，浸金后反應(yīng)就停止了。

常用化學(xué)浸金的配方與工藝條件：

氯化銨（150克/升）；檸檬酸氫二銨（100克/升）； 氰化亞金鉀（2克/升）；穩(wěn)定劑（適量）溫度大于90℃； PH 4.0 化學(xué)鍍金：原理是利用還原劑，將金還原后均勻沉積在被鍍物上，達(dá)到所需要的厚度，金厚度可達(dá)15μ″以上。其反應(yīng)式：Au++Red→Au0+ox 金（以氰化亞金鉀形式加入）0.5-2克/升 檸檬酸銨 40-60克/升 氯化銨 70-80克/升 偏亞流酸鉀（鈉）10-15克/升 次亞磷酸鈉 10-15克/升 PH 4.5-5.8 溫度 90℃

化學(xué)鍍鎳層是極為均勻的，只要鍍液能浸泡得到，溶質(zhì)交換充分，鍍層就會(huì)非常均勻，幾乎可以達(dá)到仿形的效果。電鍍無(wú)法對(duì)一些形狀復(fù)雜的工件進(jìn)行全表面施鍍，但化學(xué)鍍過(guò)以對(duì)任何形狀工件施鍍。

4、化學(xué)沉錫(垂直生產(chǎn)線)

酸性除油劑：甲烷磺酸＜10~25% ；丁氧基乙醇＜2.5~10%；水：剩余部份 微蝕液：硫酸氫鈉＜10~25%，過(guò)硫酸鈉＜50~100%

浸錫基本劑：LP

浸錫基本劑：2000 外觀：無(wú)色

外觀：無(wú)色 狀態(tài)：液體

狀態(tài)：液體 比重：1.33g/l

比重：1.12g/l 溶解性:完全溶于水

溶解性:完全溶于水 氣味:有較強(qiáng)的刺激性

氣味:有刺激性氣味 主要成份:

主要成份: 甲基磺酸＜10~25% 硫脲＜10~25% 水：剩余部份

水：剩余部份 錫溶液：SF-C

浸錫添加劑 ? 外觀：淺黃色

外觀：無(wú)色 ? 狀態(tài)：液體

狀態(tài)：液體 ? 比重：1.50g/l

比重：1.02g/l ? 溶解性:完全溶于水

溶解性:完全溶于水 ? 氣味:有較強(qiáng)的刺激性

氣味:有刺激性氣味 ? 主要成份:

主要成份: ? 甲基磺酸錫＜25~50%

甲基磺酸＜2.5~5% ? 水：剩余部份

水：剩余部份

5、沉銀

2Ag+ + Cu0 ? 2Ag0 + Cu++

主要工藝流程及藥液

? 酸性清潔(175084, 100ml/L, 43oC, 45s)? 水洗

? 微蝕(175085, 120g/l,175086,10g/l,2%的硫酸，2g/l的硫酸銅，37oC, 1min)? 水洗

? 預(yù)浸(0.1-0.2N的硝酸, 175098，0.01-0.02M，38oC, 30s)? 銀槽(0.12-0.22N的硝酸, 175098，0.02-0.04M，175097，0.6-0.9g/l, 52oC,60s)熱純水洗

? 抗氧化(XD-7437-T, 175503，30%,49-54oC, 1min)水洗

? 吹烘干

四、后序工序

成型、清洗、檢驗(yàn)。

清洗：上板、高壓沖洗——輕刷——水洗——吹干——烘干——冷卻