第一篇：嵌入式應(yīng)用實(shí)驗(yàn)報告,實(shí)驗(yàn)四 LCD顯示實(shí)驗(yàn)信科10級cumt

實(shí)驗(yàn)四 LCD顯示實(shí)驗(yàn)

一、LCD顯示原理

LCD顯示器是通過給不同的液晶單元供電，控制其光線的通過與否，從而達(dá)到顯示的目的。因此，LCD的驅(qū)動控制歸于對每個液晶單元通斷電的控制，每個液晶單元都對應(yīng)著一個電極，對其通電，便可使用光線通過（也有剛好相反的，即不通電時光線通過，通電時光線不通過）。

光源的提供方式有兩種：透射式和反射式。筆記本電腦的LCD顯示屏即為透射式，屏后面有一個光源，因此外界環(huán)境可以不需要光源。而一般微控制器上使用的LCD為反射式，需要外界提供光源，靠反射光來工作。

LCD的驅(qū)動控制 – 總線驅(qū)動方式: 一般帶有驅(qū)動模塊的LCD顯示屏使用總線驅(qū)動方式，這種LCD可以方便地與各種低檔單片機(jī)進(jìn)行接口，如8051系列單片機(jī)。由于LCD已經(jīng)帶有驅(qū)動硬件電路，因此模塊給出的是總線接口，便于與單片機(jī)的總線進(jìn)行接口。驅(qū)動模塊具有八位數(shù)據(jù)總線，外加一些電源接口和控制信號。而且還自帶顯示緩存，只需要將要顯示的內(nèi)容送到顯示緩存中就可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)容的顯示。由于只有八條數(shù)據(jù)線，因此常常通過引腳信號來實(shí)現(xiàn)地址與數(shù)據(jù)線復(fù)用，以達(dá)到把相應(yīng)數(shù)據(jù)送到相應(yīng)顯示緩存的目的。

掃描器控制方式LCD顯示屏沒有驅(qū)動電路，需要與驅(qū)動電路配合使用。這種LCD體積小，但需要另外的驅(qū)動芯片。通?？梢允褂脦в蠰CD驅(qū)動能力的高檔MCU驅(qū)動，如ARM系列的S3C44B0。

S3C44B0中具有內(nèi)置的LCD控制器，它具有將顯示緩存中的圖象數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵獠縇CD驅(qū)動電路的邏輯功能。S3C44B0中內(nèi)置的LCD控制器可支持灰度LCD和彩色LCD?？梢灾С謫紊?、4 級灰度和16 級灰度模式的灰度LCD以及256級彩色。對于不同尺寸的LCD，具有不同數(shù)量的垂直和水平象素、數(shù)據(jù)接口的數(shù)據(jù)寬度、接口時間及刷新率，而LCD控制器可以進(jìn)行編程控制相應(yīng)的寄存器值，以適應(yīng)不同的LCD顯示板。二 JXARM9-2410 LCD圖形顯示原理：

JXARM9-2410的LCD顯示模塊由S3C2410的LCD控制器和256色其顯示方式以直接操作顯示緩沖區(qū)的內(nèi)容進(jìn)行，LCD控制器會通過DMA從顯示緩沖區(qū)中獲取數(shù)據(jù)，不需要CPU干預(yù)。彩色LCD顯示器組成。本系統(tǒng)采用的LCD分辨率為320X240，工作在256色彩色顯示模式，在該模式下，顯示緩沖區(qū)中的一個字節(jié)數(shù)據(jù)代表LCD上的一個點(diǎn)的顏色信息，因此，所需要的顯示緩沖區(qū)大小為320X240X1字節(jié)。其中每個字節(jié)的彩色數(shù)。

其中每個字節(jié)的彩色數(shù)據(jù)格式如下圖所示：

JXARM9-2410 LCD控制器初始化：

初始化LCD端口，由于LCD控制端口與CPU的GPIO端口是復(fù)用的，因此必須設(shè)置相應(yīng)寄存器為LCD驅(qū)動控制端口。

申請顯示緩沖區(qū)，大小為320X240X1字節(jié)。初始化LCD控制寄存器，包括設(shè)置LCD分辨率，掃描頻率，顯示緩沖區(qū)等。HZK組成：每個漢字占用32個字節(jié)，每個區(qū)為94個漢字。

在計算機(jī)中，漢字是以機(jī)內(nèi)碼的形式存儲的，每個漢字占用兩個字節(jié)：第一個字節(jié)為區(qū)碼(qh)，為了與ASCII碼區(qū)別，范圍從十六進(jìn)制的0A1H開始（小于80H的為ASCII碼字符），對應(yīng)區(qū)位碼中區(qū)碼的第一區(qū)；第二個字節(jié)為位碼(wh)，范圍也是從0A1H開始，對應(yīng)某區(qū)中的第一個位碼。

這樣，將漢字機(jī)內(nèi)碼減去0A0AH就得該漢字的區(qū)位碼。因此，漢字在漢字庫中的具體位置計算公式為：

location =(94*(qh-1)+wh-1)*一個漢字字模占用字節(jié)數(shù)

一個漢字字模占用的字節(jié)數(shù)根據(jù)漢字庫的漢字大小不同而不同。以HZK16點(diǎn)陣字庫為例，字模中每一點(diǎn)使用一個二進(jìn)制位(Bit)表示，如果是1，則說明此處有點(diǎn)，若是0，則說明沒有。這樣，一個16×16點(diǎn)陣的漢字總共需要16*16/8=32個字節(jié)表示。

字模的表示順序?yàn)椋合葟淖蟮接遥購纳系较?，也就是先畫左上方?個點(diǎn)，再是右上方的8個點(diǎn)，然后是第二行左邊8個點(diǎn)，右邊8個點(diǎn)，依此類推，畫滿16×16個點(diǎn)。因此，HZK16中漢字在漢字庫中具體位置的計算公式為：(94*(qh-1)+(wh-1))*32。

漢字“房”的機(jī)內(nèi)碼為十六進(jìn)制的“B7BF”，其中“B7”表示區(qū)碼，“BF”表示位碼。所以“房”的區(qū)位碼為0B7BFH-0A0A0H=171FH。將區(qū)碼和位碼分別轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制得漢字“房”的區(qū)位碼為“2331”，即“房”的點(diǎn)陣位于第23區(qū)的第31個字的位置，相當(dāng)于在文件HZK16中的位置為第32×[(23-1)×94+(31-1)]=67136B以后的32個字節(jié)為“房”的顯示點(diǎn)陣。

三、實(shí)驗(yàn)基本步驟：

1.將仿真器及usb線,com串行線，S3C2410實(shí)驗(yàn)板與電腦連接好。

2.添加asm、common、include、misc、五個文件，在軟件ADT中新建文件，建立工程。

3.設(shè)置運(yùn)行所需要的參數(shù)：將一般設(shè)置設(shè)為arm9usb，添加相應(yīng)的腳本文件。

4.main函數(shù)及顯示函數(shù)如下：

*********************************************************************/ void Main(void){ /* 配置系統(tǒng)時鐘 */

ChangeClockDivider(1,1);

// 1:2:4

ChangeMPllValue(0xa1,0x3,0x1);

// FCLK=202.8MHz

/* 初始化端口 */

Port_Init();

/* 初始化串口 */

Uart_Init(0,115200);

Uart_Select(0);

/* 打印提示信息 */ PRINTF(“n---LCD測試程序---n”);PRINTF(“n請將UART0與PC串口進(jìn)行連接，然后啟動超級終端程序(115200, 8, N, 1)n”);

/* LCD初始化 */

Lcd_Port_Init();#ifdef STN_LCD

Lcd_Init(MODE_CSTN_8BIT);

Glib_Init(MODE_CSTN_8BIT);

Lcd_CstnOnOff(1);

Glib_ClearScr(0xff, MODE_CSTN_8BIT);#else #ifdef TFT_8_0

rGPCCON &= ~(3<<8);

rGPCCON |=(2<<8);

Lcd_Init(MODE_TFT_16BIT_640480);

Glib_Init(MODE_TFT_16BIT_640480);

Glib_ClearScr(0xffff, MODE_TFT_16BIT_640480);

Lcd_PowerEnable(0, 1);

Lcd_EnvidOnOff(1);

#else

Lcd_Init(MODE_TFT_16BIT_240320);

Glib_Init(MODE_TFT_16BIT_240320);

Glib_ClearScr(0xffff, MODE_TFT_16BIT_240320);

Lcd_PowerEnable(0, 1);

Lcd_EnvidOnOff(1);

#endif #endif

#define LCD_DISP_CHAR #ifdef LCD_DISP_CHAR

Lcd_Disp_Char();#else Lcd_Disp_Grap();#endif while(1){ } }

void Lcd_Disp_Char(void){ /* 顯示字符串 */

Glib_disp_hzk16(30,100,“武漢創(chuàng)維特信息技術(shù)有限公司”, 0x0);while(1);}

void Lcd_Disp_Grap(void){ int i,j;

for(j=0;j<240;j++)for(i=0;i<320;i++)//RRRGGGBB

PutPixel(i,j,((i/40)<<5)+((j/30)<<2)+(((j/15)%2)<<1)+((i/20)%2));}

5.編譯工程文件-->連接-->下載-->全速運(yùn)行；

6.Lcd將會顯示漢字“武漢創(chuàng)維特信息技術(shù)有限公司”。

7.至此實(shí)驗(yàn)完畢。

四．實(shí)驗(yàn)小結(jié)： 通過本次試驗(yàn)，通過了lcd顯示實(shí)驗(yàn)效果，使我更加直觀的看到嵌入式實(shí)驗(yàn)的功能與其強(qiáng)大的功能，對自己選擇嵌入式為學(xué)習(xí)對感到十分驕傲和自豪，我一定會努力學(xué)習(xí)相關(guān)知識，在嵌入式方面獲得更多地提高。

第二篇：嵌入式實(shí)驗(yàn)四實(shí)驗(yàn)報告

專業(yè)：自動化1402 日期：2016.11.01 地點(diǎn)：教2-104

成績：________________

實(shí)驗(yàn)報告

同組學(xué)生姓名：施興棋

學(xué)號：3140103039 同組學(xué)生姓名：______________________________

學(xué)號：_____________________________________ 課程名稱：

《嵌入式系統(tǒng)》

實(shí)驗(yàn)序號：

實(shí)驗(yàn)名稱：

基于μC/OS-II的LED流水燈控制實(shí)驗(yàn) 摘要：

利用μC/OS-II操作系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)LED流水燈與蜂鳴器控制任務(wù)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

（１）掌握LPC2200專用工程模板（for μC/OS-II）的使用

（２）能夠在SmartARM2200教學(xué)實(shí)驗(yàn)開發(fā)平臺上運(yùn)行基于μC/OS-II操作系統(tǒng)的程序。（３）掌握基于μC/OS-II的LED操作系統(tǒng)的用戶程序的編寫風(fēng)格

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

仔細(xì)閱讀給定程序，建立3個μC/OS-II的任務(wù)，1個任務(wù)用于分別控制兩個LED（P2.30，P2.31）流水燈循環(huán)點(diǎn)亮，這里稱之為流水燈循環(huán)控制任務(wù)，一個任務(wù)用于檢測KEY1按鍵輸入（P0.20口的輸入），這里稱之為按鍵檢測任務(wù)；另外一個任務(wù)用于控制蜂鳴器響，這里稱之為蜂鳴器控制任務(wù)。蜂鳴器控制任務(wù)平時處于等待狀態(tài)，當(dāng)按鍵檢測任務(wù)檢測到有效按鍵輸入時，立即喚醒蜂鳴器控制任務(wù)，并掛起LED流水燈循環(huán)任務(wù)，當(dāng)無有效按鍵時，兩個LED循環(huán)點(diǎn)亮，蜂鳴器無輸出。

三、實(shí)驗(yàn)前準(zhǔn)備工作

（1）連接EasyJTAG仿真器和SmartARM2200教學(xué)實(shí)驗(yàn)開發(fā)平臺，然后安裝EasyJTAG仿真器的驅(qū)動程序。（若已經(jīng)安裝過，此步省略。）

（2）為ADS1.2增加LPC2200專用工程模板。（若已增加過，此步省略。）

（3）建立一個項(xiàng)目目錄μC/OS-II，增加μC/OS2.52源代碼和移植代碼（arm文件夾）。還要將移植的PC服務(wù)代碼Arm_Pc復(fù)制到項(xiàng)目目錄μC/OS-II下。

（4）啟動ADS1.2，使用ARM Executable Image for μC/OS-II（for LPC2200）工程模板建立一個工程GPIO，工程存儲在μC/OS-II目錄下。

（5）打開工程窗口user組中的main.c文件，根據(jù)給定的例程編寫實(shí)驗(yàn)程序并保存。（6）根據(jù)程序設(shè)計更改Os_cfg.h文件，配置μC/OS-II操作系統(tǒng)（本實(shí)驗(yàn)可默認(rèn)配置）。（7）選用DebugInExRam生成目標(biāo)，然后編譯鏈接工程。

（8）將SmartARM2200教學(xué)實(shí)驗(yàn)開發(fā)平臺上的JP2，JP4跳線短接，JP10跳線設(shè)置為Bank0－RAM、Bank1－FLASH（生成目標(biāo)為DebugInExRam）。

（9）選擇Project－Debug，啟動AXD進(jìn)行JTAG仿真調(diào)試。/ 4

（10）全速運(yùn)行程序，然后按下/放開KEY1鍵，監(jiān)聽蜂鳴器是否蜂鳴，LED流水燈是否按要求開通與關(guān)斷。

（11）當(dāng)仿真器調(diào)試通過后關(guān)閉AXD，在ADS1.2集成開發(fā)環(huán)境中選用RelOutChip生成目標(biāo)，然后編譯鏈接工程。

（12）將SmartARM2200教學(xué)實(shí)驗(yàn)開發(fā)平臺上的JP2、JP4跳線短接，JP1跳線斷開，JP10跳線設(shè)置為Bank0－FLASH、Bank1－RAM，JP9跳線設(shè)置為OUTSIDE。

（15）選擇Project－Debug，啟動AXD進(jìn)行JTAG仿真調(diào)試。此時EasyJTAG仿真器將會把程序下載到FLASH上。

注意：使用RelOutChip生成目標(biāo)時，需要在H-JTAG中Load L“PC2200.hfc”文件來配置。（16）按SmartARM2200教學(xué)實(shí)驗(yàn)開發(fā)平臺上的RST復(fù)位鍵，觀察程序是否能脫機(jī)運(yùn)行。

實(shí)驗(yàn)程序編寫： #include “config.h” #include “stdlib.h” #define

KEY1(1 << 20)

/* P0.20為KEY1 */ #define

BEEP(1 << 7)

/* P0.07為蜂鳴器 */ #define

LEDCON

0xf0000000

#define TaskStkLengh 64

//Define the Task0 stack length OS_STK TaskStk0[TaskStkLengh];//Define the Task0 stack 定義用戶任務(wù)0的堆棧 OS_STK TaskStk1[TaskStkLengh];//Define the Task1 stack 定義用戶任務(wù)1的堆棧 OS_STK TaskStk2[TaskStkLengh];//Define the Task1 stack 定義用戶任務(wù)2的堆棧 void Task0(void *pdata);

//Task0 任務(wù)0 void Task1(void *pdata);

//Task0 任務(wù)1 void Task2(void *pdata);

//Task0 任務(wù)2 int main(void){ OSInit();

OSTaskCreate(Task0,(void *)0, &TaskStk0[TaskStkLengh1], 3);

OSTaskCreate(Task2,(void *)2, &TaskStk2[TaskStkLengh-1], 5);for(;;)

{

OSTaskSuspend(OS_PRIO_SELF);

OSTaskSuspend(5);

IO2SET=0xffffffff;

IO0CLR = BEEP;

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 8);

IO0SET = BEEP;

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 4);

IO0CLR = BEEP;

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 8);

IO0SET = BEEP;

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 4);

OSTaskResume(5);

} } /*************Task1 任務(wù)1********************************************/ void Task1(void *pdata){

pdata = pdata;

/* 避免編譯警告 */

for(;;)

{

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 50);

/* 延時20毫秒 */

if((IO0PIN & KEY1)!= 0)

{

continue;

}

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 50);

/* 延時20毫秒 */

if((IO0PIN & KEY1)!= 0)

{

continue;

}

OSTaskResume(2);

while((IO0PIN & KEY1)== 0)

{

OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC / 50);

/* 延時20毫秒 */

OSTaskSuspend(5);//掛起任務(wù)2

}

OSTaskResume(3);

OSTaskResume(5);

} } /************************Task2 任務(wù)2*************************************/ void Task2(void *pdata){ uint32 seed= 1;/ 4

} pdata = pdata;for(;;seed = seed>>1 |(seed &1)<<1){ IO2CLR = seed <<30 & LEDCON;OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC/4);IO2SET = ~0;}

四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

（1）簡單描述μC/OS-II應(yīng)用程序的基本結(jié)構(gòu)。

每一個uC/OS-II應(yīng)用程序至少要有一個任務(wù)，而且每一個任務(wù)必須被寫成無限循環(huán)的形式。（2）能否將實(shí)驗(yàn)參考程序的兩個任務(wù)組合成一個任務(wù)？這樣做有什么利弊？

可以。合并的話，優(yōu)點(diǎn)是免除了不少通信交流工作，減少共享資源的數(shù)量，減輕操作系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，但缺點(diǎn)是任務(wù)的功能變繁雜，任務(wù)設(shè)計變得復(fù)雜，不利于整體程序的編寫。

（3）在實(shí)驗(yàn)參考程序中，如何設(shè)置任務(wù)的優(yōu)先等級？若在例程中設(shè)置按鍵檢測任務(wù)的優(yōu)先級高于蜂鳴器控制任務(wù)的優(yōu)先級，程序應(yīng)如何運(yùn)行？

可以用OSTaskCreate函數(shù)設(shè)置任務(wù)的優(yōu)先等級。當(dāng)同時發(fā)生時，程序會先運(yùn)行按鍵檢測任務(wù)，然后再運(yùn)行蜂鳴器控制任務(wù)。

（4）按要實(shí)驗(yàn)要求完成實(shí)驗(yàn)程序編寫

五、心得體會

1.實(shí)驗(yàn)的時候粗心大意沒有注意到應(yīng)該使用ARM Executable Image for μC/OS-II（for LPC2200）工程模板來建立工程，依舊使用之前的模板導(dǎo)致浪費(fèi)了許多時間。2.編寫完程序后進(jìn)行編譯，一開始出現(xiàn)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是按鍵后蜂鳴器響而流水燈循環(huán)不變，修改程序后變?yōu)椋喊存I后蜂鳴器響流水燈循環(huán)停止，第二次按鍵后流水燈任務(wù)恢復(fù)；再請教老師后，發(fā)現(xiàn)問題在于任務(wù)1沒有設(shè)置好流水燈任務(wù)（即任務(wù)2）的掛起與恢復(fù)。正確設(shè)置任務(wù)2的掛起后，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)象為：按鍵后蜂鳴器響流水燈循環(huán)停止，按住按鍵不放流水燈任務(wù)恢復(fù)，但在此過程中蜂鳴器鳴叫了兩次。嚴(yán)格要求的老師驗(yàn)收后不予通過，繼而我只好繼續(xù)修改程序，最終達(dá)到了老師的要求。

3.最終的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象為：按下按鍵后流水燈任務(wù)掛起，蜂鳴器響；長按按鍵流水燈任務(wù)掛起蜂鳴器響，松開后流水燈任務(wù)恢復(fù)而蜂鳴器不響。/ 4

第三篇：電子商務(wù)實(shí)驗(yàn)報告實(shí)驗(yàn)四

實(shí)驗(yàn)四 手機(jī)銀行業(yè)務(wù)------招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)及其

安全機(jī)制(選做)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、掌握招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)支付流程及相關(guān)概念；

2、了解招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)的服務(wù)內(nèi)容；

3、理解招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)的安全機(jī)制；

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1．瀏覽招商銀行網(wǎng)站（http://004km.cn/）

2．了解招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)

3．熟悉招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)（http://mobile.cmbchina.com/MobileWeb）的電子支付流程及有關(guān)規(guī)定。瀏覽并理解招商銀行手機(jī)銀行業(yè)務(wù)的安全機(jī)制.先登錄再進(jìn)行各項(xiàng)業(yè)務(wù)的操作，并且記錄操作流程。

三、思考題：

1．思考網(wǎng)上手機(jī)銀行存在哪些安全問題？

手機(jī)銀行遇到的安全問題主要有兩個，一是手機(jī)遺失；二是手機(jī)遭黑客入侵。專家表示，若無動態(tài)密碼，若僅憑借賬號、賬戶的交易密碼和手機(jī)驗(yàn)證碼操作，手機(jī)一旦被盜竊或驗(yàn)證短信被復(fù)制、攔截，那么手機(jī)銀行的賬戶資金安全就會受到威脅。

2．你認(rèn)為影響用戶進(jìn)行手機(jī)支付的因素有哪些？

(1)大多數(shù)手機(jī)用戶都遭遇過垃圾信息(短信、彩信、電話)的騷擾。(2)機(jī)卡分離模式以及難以落實(shí)的手機(jī)實(shí)名制。

(3)手機(jī)支付在我國尚屬初級階段，運(yùn)營商與銀行兩套系統(tǒng)間的業(yè)務(wù)融合一時難以完成。(4)手機(jī)支付利益各方還未達(dá)成統(tǒng)一的結(jié)算標(biāo)準(zhǔn)。

(5)雖然從技術(shù)上已經(jīng)解決了手機(jī)支付的安全問題，但手機(jī)支付標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)一仍需一段時間。(6)長期以來使用現(xiàn)金、銀行卡消費(fèi)已經(jīng)成為一種消費(fèi)習(xí)慣.

第四篇：實(shí)驗(yàn)四、RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)驗(yàn)報告

實(shí)驗(yàn)

四、RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

通過計算機(jī)編程實(shí)現(xiàn)并驗(yàn)證RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的曲線擬合及模式分類能力。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1）用Matlab實(shí)現(xiàn)RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，并對給定的曲線樣本集實(shí)現(xiàn)擬合； 2）通過改變實(shí)驗(yàn)參數(shù)，觀察和分析影響RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的結(jié)果與收斂速度的因素；

三、實(shí)驗(yàn)原理、方法和手段

RBF網(wǎng)絡(luò)能夠逼近任意的非線性函數(shù)，可以處理系統(tǒng)內(nèi)的難以解析的規(guī)律性，具有良好的泛化能力，并有很快的學(xué)習(xí)收斂速度，已成功應(yīng)用于非線性函數(shù)逼近、時間序列分析、數(shù)據(jù)分類、模式識別、信息處理、圖像處理、系統(tǒng)建模、控制和故障診斷等。

簡單說明一下為什么RBF網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)收斂得比較快。當(dāng)網(wǎng)絡(luò)的一個或多個可調(diào)參數(shù)（權(quán)值或閾值）對任何一個輸出都有影響時，這樣的網(wǎng)絡(luò)稱為全局逼近網(wǎng)絡(luò)。由于對于每次輸入，網(wǎng)絡(luò)上的每一個權(quán)值都要調(diào)整，從而導(dǎo)致全局逼近網(wǎng)絡(luò)的學(xué)習(xí)速度很慢。BP網(wǎng)絡(luò)就是一個典型的例子。

如果對于輸入空間的某個局部區(qū)域只有少數(shù)幾個連接權(quán)值影響輸出，則該網(wǎng)絡(luò)稱為局部逼近網(wǎng)絡(luò)。常見的局部逼近網(wǎng)絡(luò)有RBF網(wǎng)絡(luò)、小腦模型（CMAC）網(wǎng)絡(luò)、B樣條網(wǎng)絡(luò)等。

徑向基函數(shù)解決插值問題

完全內(nèi)插法要求插值函數(shù)經(jīng)過每個樣本點(diǎn)，即有P個。

RBF的方法是要選擇P個基函數(shù)，每個基函數(shù)對應(yīng)一個訓(xùn)練數(shù)據(jù)，各基函數(shù)形式為，由于距離是徑向同性的，因此稱為徑向基函數(shù)。

。樣本點(diǎn)總共||X-Xp||表示差向量的模，或者叫2范數(shù)。

基于為徑向基函數(shù)的插值函數(shù)為：

輸入X是個m維的向量，樣本容量為P，P>m?？梢钥吹捷斎霐?shù)據(jù)點(diǎn)Xp是徑向基函數(shù)φp的中心。

隱藏層的作用是把向量從低維m映射到高維P，低維線性不可分的情況到高維就線性可分了。

將插值條件代入：

寫成向量的形式為維度無關(guān)，當(dāng)Φ可逆時，有，顯然Φ是個規(guī)模這P對稱矩陣，且與X的。

對于一大類函數(shù)，當(dāng)輸入的X各不相同時，Φ就是可逆的。下面的幾個函數(shù)就屬于這“一大類”函數(shù)：

1）Gauss（高斯）函數(shù)

2）Reflected Sigmoidal（反常S型）函數(shù)

3）Inverse multiquadrics（擬多二次）函數(shù)

σ稱為徑向基函數(shù)的擴(kuò)展常數(shù)，它反應(yīng)了函數(shù)圖像的寬度，σ越小，寬度越窄，函數(shù)越具有選擇性。

完全內(nèi)插存在一些問題：

1）插值曲面必須經(jīng)過所有樣本點(diǎn)，當(dāng)樣本中包含噪聲時，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將擬合出一個錯誤的曲面，從而使泛化能力下降。

由于輸入樣本中包含噪聲，所以我們可以設(shè)計隱藏層大小為K，K

2）基函數(shù)個數(shù)等于訓(xùn)練樣本數(shù)目，當(dāng)訓(xùn)練樣本數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于物理過程中固有的自由度時，問題就稱為超定的，插值矩陣求逆時可能導(dǎo)致不穩(wěn)定。

擬合函數(shù)F的重建問題滿足以下3個條件時，稱問題為適定的： 解的存在性 解的唯一性 解的連續(xù)性

不適定問題大量存在，為解決這個問題，就引入了正則化理論。正則化理論

正則化的基本思想是通過加入一個含有解的先驗(yàn)知識的約束來控制映射函數(shù)的光滑性，這樣相似的輸入就對應(yīng)著相似的輸出。

尋找逼近函數(shù)F(x)通過最小化下面的目標(biāo)函數(shù)來實(shí)現(xiàn)：

加式的第一項(xiàng)好理解，這是均方誤差，尋找最優(yōu)的逼近函數(shù)，自然要使均方誤差最小。第二項(xiàng)是用來控制逼近函數(shù)光滑程度的，稱為正則化項(xiàng)，λ

是正則化參數(shù)，D是一個線性微分算子，代表了對F(x)的先驗(yàn)知識。曲率過大（光滑度過低）的F(x)通常具有較大的||DF||值，因此將受到較大的懲罰。

直接給出(1)式的解：

權(quán)向量

(2)G(X,Xp)稱為Green函數(shù)，G稱為Green矩陣。Green函數(shù)與算子D的形式有關(guān)，當(dāng)D具有旋轉(zhuǎn)不變性和平移不變性時，類Green函數(shù)的一個重要例子是多元Gauss函數(shù)：

。這

正則化RBF網(wǎng)絡(luò)

輸入樣本有P個時，隱藏層神經(jīng)元數(shù)目為P，且第p個神經(jīng)元采用的變換函數(shù)為G(X,Xp)，它們相同的擴(kuò)展常數(shù)σ。輸出層神經(jīng)元直接把凈輸入作為輸出。輸入層到隱藏層的權(quán)值全設(shè)為1,隱藏層到輸出層的權(quán)值是需要訓(xùn)練得到的：逐一輸入所有的樣本，計算隱藏層上所有的Green函數(shù)，根據(jù)(2)式計算權(quán)值。廣義RBF網(wǎng)絡(luò)

Cover定理指出：將復(fù)雜的模式分類問題非線性地映射到高維空間將比投影到低維空間更可能線性可分。

廣義RBF網(wǎng)絡(luò)：從輸入層到隱藏層相當(dāng)于是把低維空間的數(shù)據(jù)映射到高維空間，輸入層細(xì)胞個數(shù)為樣本的維度，所以隱藏層細(xì)胞個數(shù)一定要比輸入層細(xì)胞個數(shù)多。從隱藏層到輸出層是對高維空間的數(shù)據(jù)進(jìn)行線性分類的過程，可以采用單層感知器常用的那些學(xué)習(xí)規(guī)則，參見神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)和感知器。

注意廣義RBF網(wǎng)絡(luò)只要求隱藏層神經(jīng)元個數(shù)大于輸入層神經(jīng)元個數(shù)，并沒有要求等于輸入樣本個數(shù)，實(shí)際上它比樣本數(shù)目要少得多。因?yàn)樵跇?biāo)準(zhǔn)RBF網(wǎng)絡(luò)中，當(dāng)樣本數(shù)目很大時，就需要很多基函數(shù)，權(quán)值矩陣就會很大，計算復(fù)雜且容易產(chǎn)生病態(tài)問題。另外廣RBF網(wǎng)與傳統(tǒng)RBF網(wǎng)相比，還有以下不同：

徑向基函數(shù)的中心不再限制在輸入數(shù)據(jù)點(diǎn)上，而由訓(xùn)練算法確定。各徑向基函數(shù)的擴(kuò)展常數(shù)不再統(tǒng)一，而由訓(xùn)練算法確定。

輸出函數(shù)的線性變換中包含閾值參數(shù)，用于補(bǔ)償基函數(shù)在樣本集上的平均值與目標(biāo)值之間的差別。

因此廣義RBF網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計包括： 結(jié)構(gòu)設(shè)計--隱藏層含有幾個節(jié)點(diǎn)合適

參數(shù)設(shè)計--各基函數(shù)的數(shù)據(jù)中心及擴(kuò)展常數(shù)、輸出節(jié)點(diǎn)的權(quán)值。下面給出計算數(shù)據(jù)中心的兩種方法：

數(shù)據(jù)中心從樣本中選取。樣本密集的地方多采集一些。各基函數(shù)采用統(tǒng)一的偏擴(kuò)展常數(shù)：

dmax是所選數(shù)據(jù)中心之間的最大距離，M是數(shù)據(jù)中心的個數(shù)。擴(kuò)展常數(shù)這么計算是為了避免徑向基函數(shù)太尖或太平。

自組織選擇法，比如對樣本進(jìn)行聚類、梯度訓(xùn)練法、資源分配網(wǎng)絡(luò)等。各聚類中心確定以后，根據(jù)各中心之間的距離確定對應(yīng)徑向基函數(shù)的擴(kuò)展常數(shù)。

λ是重疊系數(shù)。

接下來求權(quán)值W時就不能再用行數(shù)大于列數(shù)，此時可以求Φ偽逆。

了，因?yàn)閷τ趶V義RBF網(wǎng)絡(luò)，其

數(shù)據(jù)中心的監(jiān)督學(xué)習(xí)算法

最一般的情況，RBF函數(shù)中心、擴(kuò)展常數(shù)、輸出權(quán)值都應(yīng)該采用監(jiān)督學(xué)習(xí)算法進(jìn)行訓(xùn)練，經(jīng)歷一個誤差修正學(xué)習(xí)的過程，與BP網(wǎng)絡(luò)的學(xué)習(xí)原理一樣。同樣采用梯度下降法，定義目標(biāo)函數(shù)為

ei為輸入第i個樣本時的誤差信號。

上式的輸出函數(shù)中忽略了閾值。

為使目標(biāo)函數(shù)最小化，各參數(shù)的修正量應(yīng)與其負(fù)梯度成正比，即

具體計算式為

上述目標(biāo)函數(shù)是所有訓(xùn)練樣本引起的誤差總和，導(dǎo)出的參數(shù)修正公式是一種批處理式調(diào)整，即所有樣本輸入一輪后調(diào)整一次。目標(biāo)函數(shù)也可以為瞬時值形式，即當(dāng)前輸入引起的誤差

此時參數(shù)的修正值為：

四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果

RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)函數(shù)用于線性回歸，用exp（PI*0.1）作為訓(xùn)練數(shù)據(jù)，然后輸入的測試數(shù)是exp（PI*0.1），其實(shí)際的輸出結(jié)果與預(yù)測的輸出結(jié)果完全一致，預(yù)測效果很好，其圖如下圖所示。

RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)函數(shù)用于分類，其實(shí)際的輸出結(jié)果與預(yù)測的輸出結(jié)果如下圖所示。

第五篇：實(shí)驗(yàn)四 存儲器部件實(shí)驗(yàn)報告

實(shí)驗(yàn)四 存儲器部件實(shí)驗(yàn)

班級：通信111班 學(xué)號：201110324119 姓名：邵懷慷 成績：

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差異之處；學(xué)習(xí)用編程器設(shè)備向EEPROM芯片內(nèi)寫入一批數(shù)據(jù)的過程和方法。

2、理解并熟悉通過字、位擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲器系統(tǒng)容量的方案。

3、了解靜態(tài)存儲器系統(tǒng)使用的各種控制信號之間正常的時序關(guān)系。

4、了解如何通過讀、寫存儲器的指令實(shí)現(xiàn)對58C65 ROM芯片的讀、寫操作。

5、加深理解存儲器部件在計算機(jī)整機(jī)系統(tǒng)中的作用。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1、要完成存儲器容量擴(kuò)展的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，需為擴(kuò)展存儲器選擇一個地址，并注意讀寫和OE等控制信號的正確狀態(tài)。

2、用監(jiān)控程序的D、E命令對存儲器進(jìn)行讀寫，比較RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）、EPROM（27系列芯片）在讀寫上的異同。

3、用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對RAM（6116）進(jìn)行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確。

4、用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對擴(kuò)展存儲器EEPROM（28 系列芯片）進(jìn)行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確；如不正確，分析原因，改寫程序，重新運(yùn)行。

三、實(shí)驗(yàn)步驟

1、檢查擴(kuò)展芯片插座的下方的插針要按下列要求短接：標(biāo)有“/MWR”“RD”的插針左邊兩個短接，標(biāo)有“/MRD”“GND”的插針右邊兩個短接。

2、RAM（6116）支持即時讀寫，可直接用A、E 命令向擴(kuò)展的存儲器輸入程序或改變內(nèi)存單元的值。

(1)用E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。

1)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：

E 2020↙

屏幕將顯示： 2020 內(nèi)存單元原值:

按如下形式鍵入：

2020 原值：2222（空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 ↙（1）結(jié)果

2)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：

D 2020↙

屏幕將顯示從2020內(nèi)存單元開始的值，其中2020H~2023H的值為：

2222 3333 4444 5555

問題：斷電后重新啟動教學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)，用D命令觀察內(nèi)存單元2020~2023 的值。會發(fā)現(xiàn)

什么問題，為什么？

答：斷電結(jié)果：

斷電后重新啟動教學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)，用D命令觀察內(nèi)存單位2020~2023的值。會發(fā)現(xiàn)原來置入到這幾個內(nèi)存單位的值已經(jīng)改變，用戶在使用RAM時，必須每次斷電重啟后豆芽平重新輸入程序或修改內(nèi)存單位的值。(2)用A 命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察結(jié)果。

在命令行提示符狀態(tài)下輸入：

A 2000↙

屏幕將顯示： 2000：

按如下形式鍵入：

2000： MVRD R0，AAAA

MVRD R1，5555

AND R0，R1

RET

問題：采用單步和連續(xù)兩種方式執(zhí)行這段程序，察看結(jié)果，斷電后發(fā)生什么情況？ 答：輸出結(jié)果

分析：從采用但不和連續(xù)兩種方式執(zhí)行這段程序，察看結(jié)果，斷電后發(fā)生什么情況R1的數(shù)據(jù)改變了。

3、將擴(kuò)展的ROM芯片（27或28系列或28的替代產(chǎn)品58C65芯片）插入標(biāo)有“EXTROMH”和“EXTROML”的自鎖緊插座，要注意芯片插入的方向，帶有半圓形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不對，會導(dǎo)致芯片燒毀。然后鎖緊插座。

4、將擴(kuò)展的ROM 芯片（27或28系列或28的替代產(chǎn)品58C65芯片）插入標(biāo)有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座，要注意芯片插入的方向，帶有半圓形缺口的一方朝左插入。如果芯 片插入方向不對，會導(dǎo)致芯片燒毀。然后鎖緊插座。

5、將擴(kuò)展芯片下方的插針按下列方式短接：將標(biāo)有“/MWR”“ PGM”和“RD”的三個插針左面兩個短接，將標(biāo)有“/MWR”“/OE”“GND”的三個插針左邊兩個短接。

6、將擴(kuò)展芯片上方標(biāo)有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信號用自鎖緊線短接，然后短接到MEMDC 138 芯片的上方的標(biāo)有“4000－5fff”地址單元。

注意：標(biāo)有/CS 的圓孔針與標(biāo)有MEM/CS 的一排圓孔針中的任意一個都可以用導(dǎo)線相連；連接的地址范圍是多少，用戶可用的地址空間就是多少。

下面以2764A 為例，進(jìn)行擴(kuò)展EPROM 實(shí)驗(yàn)。

7、EPROM 是紫外線可擦除的電可改寫的只讀存儲器芯片。在對EPROM 進(jìn)行重寫前必須先擦除并判斷芯片是否為空，再通過編程器進(jìn)行編程。

(1)將芯片0000~001F 的內(nèi)存單元的值置成01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F(2)將編程好的芯片插在擴(kuò)展芯片的高位，低位不插，按上面的提示插好插針。問題：

(1)用D命令查看內(nèi)存單元0000~001F的值，結(jié)果是什么？

(2)用E命令向芯片的內(nèi)存單元置入數(shù)值，再用D命令察看，原來的值是否發(fā)生改變？(3)用A命令向芯片所在的地址鍵入程序，用U命令反匯編，發(fā)現(xiàn)什么？為什么會出現(xiàn)這種

情況？

(4)將教學(xué)機(jī)斷電后重啟，用D命令看內(nèi)存單元0000~001F的內(nèi)容，數(shù)值是否發(fā)生變化？ 下面以AT28C64B（或其替代產(chǎn)品58C65 芯片）為例，進(jìn)行擴(kuò)展EEPROM實(shí)驗(yàn)。

8、AT28C64B的讀操作和一般的RAM一樣，而其寫操作，需要一定的時間，大約為1 毫秒。因此，需要編寫一延遲子程序，在對EEPROM進(jìn)行寫操作時，調(diào)用該子程序，以完成正確的讀寫。(1)用E 命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。1)在命令行提示符狀態(tài)下輸入： E 5000↙

屏幕將顯示： 5000 內(nèi)存單元原值： 按如下形式鍵入：

5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：5050↙ 2)在命令行提示符狀態(tài)下輸入： D 5000↙

屏幕將顯示5000H~507FH 內(nèi)存單元的值，從5000 開始的連續(xù)四個內(nèi)存單元的值依次 為2424 3636 4848 5050。

3)斷電后重新啟動，用D命令察看內(nèi)存單元5000~5003的值，會發(fā)現(xiàn)這幾個單元的值沒有發(fā)生改變，說明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。輸出結(jié)果：

分析：從輸出的結(jié)果來看斷電后重新啟動，用D命令察看內(nèi)存單位500~5003的值，會發(fā)現(xiàn)這幾個單位的值沒有發(fā)生改變，說明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。

(2)AT28C64B存儲器不能直接用A 命令輸入程序，單字節(jié)的指令可能會寫進(jìn)去，雙字節(jié)指令的低位會出錯（建議試一試），可將編寫好的程序用編程器寫入片內(nèi)；也可將程序放到RAM（6116）中，調(diào)用延時子程序，訪問AT28C64B 中的內(nèi)存地址。

下面給出的程序，在5000H~500FH 單元中依次寫入數(shù)據(jù)0000H、0001H、...000FH。從2000H單元開始輸入主程序：（2000）MVRD R0，0000 MVRD R2，0010 ；R2記錄循環(huán)次數(shù)

MVRD R3，5000 ；R3的內(nèi)容為16 位內(nèi)存地址

（2006）STRR [R3]，R0 ；將R0寄存器的內(nèi)容放到R3 給出的內(nèi)存單元中

CALA 2200 ；調(diào)用程序地址為2200的延時子程序 INC R0 ；R0加1 INC R3 ；R3加1 DEC R2 ；R2減1 JRNZ 2006 ；R2不為0跳轉(zhuǎn)到2006H RET 從2200H 單元開始輸入延時子程序：（2200）PUSH R3 MVRD R3，F(xiàn)FFF（2203）DEC R3 JRNZ 2203 POP R3 RET 運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入：G 2000↙。輸出結(jié)果：

注意：運(yùn)行G命令的時候，必須要將將標(biāo)有“/MWR”“/OE”“GND”的三個插針右邊兩個短接。程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入：D 5000↙； 可看到從5000H開始的內(nèi)存單元的值變?yōu)?5000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 0007 5008：0008 0009 000A 000B 000C 000D 000E 000F。

四、思考題

1)為何能用E 命令直接寫AT28C64B的存儲單元，而A命令則有時不正確；

答：E命令是儲存寄存器指令A(yù)時監(jiān)控器指令，而E直接多個程序?qū)懭階T28C64B的存儲單元，寫入的速度快，A命令只能是一次寫入執(zhí)行一條程序，是延遲指令、所以用E命令直接寫A。T28C64B的存儲單元，而A命令則有時不正確。

2)修改延時子程序，將其延時改短，可將延時子程序中R3的內(nèi)容賦成00FF或0FFF等，再看運(yùn)行結(jié)果。

五、實(shí)驗(yàn)心得與體會

通過本次試驗(yàn)的難度在于怎樣弄清楚ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的同和差異之處：學(xué)習(xí)編程器設(shè)備向EEPROM芯片內(nèi)寫入一批數(shù)據(jù)的過程跟方法的工作原理，我在我預(yù)習(xí)做試驗(yàn)的時候，閱讀到計算機(jī)存儲器系統(tǒng)由ROM和RAM兩個存儲區(qū)組成，分別由EPROM芯片（或EEPROM芯片）和RAM芯片構(gòu)成。TEC-XP教學(xué)極端及中還了另外幾個存儲器器件插座，可以插上相應(yīng)儲存器芯片成存儲器容量擴(kuò)展的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，為此必須比較清楚的了解：是我們做實(shí)驗(yàn)的一大難點(diǎn)，同時也是我們計算機(jī)組成原理 的重點(diǎn)。同時在做實(shí)驗(yàn)的時候也遇到一些相應(yīng)的疑問，RAM和EPROM、EEPROM存儲器芯片在讀寫控制跟寫入時間等方面的同異之處，并正確建立連接關(guān)系和在過程中完成正確的讀寫過程。