第一篇：利用PS223設(shè)計(jì)的ATX開(kāi)關(guān)電源技術(shù)

利用PS223設(shè)計(jì)的ATX開(kāi)關(guān)電源技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源以安全、可靠為第一原則，高性能大功率ATX電源設(shè)計(jì)中應(yīng)用電源管理監(jiān)控芯片實(shí)現(xiàn)防浪涌軟啟動(dòng)以及防過(guò)壓、欠壓、過(guò)熱、過(guò)流、短路、過(guò)溫等保護(hù)功能。

開(kāi)關(guān)電源SPS(Switching Power Supply)利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，以小型、節(jié)能、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于以電子計(jì)算機(jī)為主導(dǎo)的各種終端設(shè)備、通信設(shè)備等幾乎所有的電子設(shè)備。ATX電源概述與電源管理監(jiān)控保護(hù)功能

Intel制定的大功率(350～900 W)ATX電源規(guī)范版本是ATXl2V 2．2，+12 V采用雙路輸出，其中一路+12 V(A)專(zhuān)為CPU供電，而另一路+12 V(B)則為其他設(shè)備供電，輸出到主板的接頭為24針腳，以輸出兩組+12 V。

高性能開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)為主動(dòng)式功率因素校正PFC(Power Factor Correction)，采用諸如Champion公司出品的CM6800G整合型PFC／PWM控制器，為電源提供PFC及PWM功率級(jí)電路整合控制，使用諸如PS223等電源管理監(jiān)控芯片提供過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)功率、低電壓和短路等多重保護(hù)。溫度是影響電源設(shè)備可靠性的最重要因素，根據(jù)有關(guān)資料分析表明，過(guò)熱會(huì)導(dǎo)致功率器件造成損壞，需要設(shè)置過(guò)熱保護(hù)電路。保護(hù)設(shè)計(jì)中的短路保護(hù)(SCP)、過(guò)載保護(hù)(OPP)是ATXl2V強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)，在短路和各路總負(fù)載過(guò)載時(shí)觸發(fā)以保護(hù)電源；過(guò)電流保護(hù)(OCP)防止電源某路輸出過(guò)載；過(guò)溫保護(hù)(OTP)防止電源內(nèi)部過(guò)熱；過(guò)壓／欠壓保護(hù)(OVP／UVP)用于當(dāng)輸出電壓超過(guò)／低于標(biāo)準(zhǔn)值20～25％時(shí)觸發(fā)，電源若有異常便會(huì)立刻切斷輸出，各路電壓全部沒(méi)有輸出。在接通電源的瞬間，風(fēng)扇動(dòng)一下就停，電源即處于保護(hù)狀態(tài)。

圖l為開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換流程方框圖，開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換流程為交流輸入→EMI濾波電路→整流電路→功率因子修正電路→功率級(jí)一次側(cè)(高壓側(cè))開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換成脈流→主要變壓器→功率級(jí)二次側(cè)(低壓側(cè))整流電路→電壓調(diào)整電路(DC-DC轉(zhuǎn)換電路)→濾波電路→電源管理監(jiān)控→輸出。2 PS223的功能特點(diǎn)

SiTI出品的PS223是專(zhuān)門(mén)為高性能、大功率開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的電源管理監(jiān)控芯片，具有控制、產(chǎn)生PG以及同時(shí)穩(wěn)定+3．3 V、+5 V、+12 V(A)、+12 V(B)3種電壓，實(shí)現(xiàn)各路輸出的UVP(低電壓保護(hù))、OVP(過(guò)電壓保護(hù))、OCP(過(guò)電流保護(hù))、SCP(短路保護(hù))，并提供一路具有自恢復(fù)功能的控制輸入端，可作為OTP(過(guò)溫度保護(hù))或-12 V UVP(低電壓保護(hù))，當(dāng)超出片內(nèi)設(shè)定值后，會(huì)關(guān)閉并鎖定控制電路，停止電源供應(yīng)器輸出，待故障排除后才可重新啟動(dòng)，內(nèi)部設(shè)計(jì)有過(guò)載保護(hù)以及防雷擊功能，可保證整個(gè)電源穩(wěn)定工作。2．1 PS223主要性能指標(biāo)

1)過(guò)壓／欠壓保護(hù)和鎖定；2)過(guò)電流保護(hù)和鎖定；3)故障保護(hù)，關(guān)閉輸出；4)電源良好輸出及信號(hào)保護(hù)；5)內(nèi)置300 ms電源良好輸出延時(shí)；6)75 ms低電壓／過(guò)電壓延遲保護(hù)；7)38 ms抗沖擊保護(hù)；8)73μs抗噪聲保護(hù)；9)寬電源電壓范圍(90～270 V)；lO)交流電源關(guān)閉特別保護(hù)。

2．2 PS223引腳功能說(shuō)明

PS223采用16引腳DIP封裝，各引腳功能如下：PGI為MAIN POWER信號(hào)輸出端；VSS為接地端；為OVP／UVP／OCP保護(hù)信號(hào)輸出端；為REMOTE CONTROL輸出端，用于開(kāi)關(guān)SPS；ISl2A為12 V(A)OCP比較器V+輸入端，內(nèi)建Sink電流源，用于OCP保護(hù)工作點(diǎn)調(diào)整；RI用于通過(guò)接地電阻產(chǎn)生OCP電流源(R1：20～80 kΩ)；ISl2B用于12 V(B)OCP比較器V+輸入端，內(nèi)建Sink電流源，用于OCP保護(hù)工作點(diǎn)調(diào)整；VSl2B用于12 V(B)OCP比較器V-輸入端，12 V(B)OVP／UVP檢測(cè)；OTP為附加保護(hù)功能，可用于OTP(溫度異常保護(hù))；IS5為5 V OCP比較器V+輸入，內(nèi)建Sink電流源，用于OCP保護(hù)工作點(diǎn)調(diào)整；IS33為3．3 V OCP比較器V+輸入，內(nèi)建Sink電流源，用于OCP保護(hù)工作點(diǎn)調(diào)整；VSl2A為12 V OCP比較器V-輸入，12 V OVP／UVP檢測(cè)：VS33為3．3 V OCP比較器V-輸入，3．3 V OVP／UVP檢測(cè)：VS5為5 V OCP比較器V-輸入，5 V OVP／UVP檢測(cè)；VCC為工作電源3．8～15 V；PGO用于PW-OK，電源SPS輸出正常狀態(tài)信號(hào)。2．3 主要控制信號(hào)說(shuō)明

ATX開(kāi)關(guān)電源依靠PGI(+5 VSB)、控制信號(hào)的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)電源的開(kāi)啟和關(guān)閉。

PGI(+5 VSB)是供主機(jī)系統(tǒng)在ATX待機(jī)狀態(tài)時(shí)的電源，用于網(wǎng)絡(luò)喚醒WOL(Wake-up On Lan)和開(kāi)機(jī)電路、USB接口等以及開(kāi)閉自動(dòng)管理的工作電源，在待機(jī)及受控啟動(dòng)狀態(tài)下，其輸出電壓均為5 V高電平，使用紫色線由ATX插頭9腳引出。

為主機(jī)啟閉電源或網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程喚醒電源的控制信號(hào)，當(dāng)按下主機(jī)面板的POWER開(kāi)關(guān)或網(wǎng)絡(luò)喚醒遠(yuǎn)程開(kāi)機(jī)，受控啟動(dòng)后PSON由主板的電子開(kāi)關(guān)接地，當(dāng)該端口的信號(hào)電平大于1．8 V時(shí)，主電源為關(guān)；信號(hào)電平低于1．8 V時(shí)，主電源為開(kāi)。使用綠色線從ATX插頭14腳輸入。PGO(PW_OK)是供主板檢測(cè)電源好壞的輸出信號(hào)，輸出在2 V以上時(shí)，電源正常，輸出在1 V以下時(shí)，電源故障。通常待機(jī)狀態(tài)為零電平，受控啟動(dòng)電壓輸出穩(wěn)定后為5 V高電平。使用灰色線由ATX插頭8腳引出，該信號(hào)是判斷電源壽命及質(zhì)量是否合格的主要依據(jù)之一。是UVP(低電壓保護(hù))、OVP(過(guò)電壓保護(hù))、OCP(過(guò)電流保護(hù))保護(hù)控制信號(hào)輸出端。3 應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)

3．1 PS223典型應(yīng)用電路 PS223典型應(yīng)用電路。

對(duì)圖2說(shuō)明如下：1)元件X為齊納二極管、電阻或兩者串聯(lián)使用；2)旁路電容器Cby選定值為0．1～10μF，布局時(shí)盡可能靠近VCC引腳；3)Rs12(1)、Rs12(2)、Rs5和Rs33≥0．002 Ω；4)過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)計(jì)算：①I(mǎi)ref=20μA，；②Rss=0．002Ω，△V5v=0．002I+5v=8Rcc5Iref③如+5 V輸出為最大20A，則；5)溫度保護(hù)設(shè)計(jì)計(jì)算：①NTC(25℃～10K)，(70℃～2．2 K)②如過(guò)熱控制溫度(OTP)不超過(guò)70℃，則 3．2 PS223典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì) 3．2．1 各針腳輔助電路 1)PGI：如果輸入電壓過(guò)高可用齊納二極管箝壓，如有必要用電阻或者串聯(lián)電阻，阻值為10～100 Ω，選定值10 Ω。CPGI-1為濾波電容，取值范圍為0．1～1．0μF，選定值O．1μF。CPGI-2為濾波電容，取值范圍為0.01～1．OμF，選定值O．1μF。2)PSON：可與地并聯(lián)0．1～1．O μF濾波電容，抑制干擾，選定值0．1μF。如需與地串聯(lián)電阻，則R<1 kΩ。3)PGO：可與地并聯(lián)0．1～1．0 μF濾波電容或齊納二極管(Vz=6．5 V)，或兩者并用抑制干擾。

3．2．2 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) 1)OCP應(yīng)用：OCPRs為電阻或扼流圈，使用電阻(精度1％)比扼流圈(精度20％)更好，雜波?。籓CP保護(hù)點(diǎn)準(zhǔn)確度補(bǔ)償使用容量大于0．01μF電容并聯(lián)以提高抗干擾能力，選定值為0．1 μF。

2)使用OTP針腳作為OTP(過(guò)溫度保護(hù))或-12 V UVP(低電壓保護(hù))，也可使用VS33搭配電路實(shí)現(xiàn)相同功能，如不使用OTP針腳，可直接接地或與電阻(R>1 kΩ)串聯(lián)接地。3)如某IS針腳不使用，可以開(kāi)路，但最好是接1 kΩ電阻至對(duì)應(yīng)的VS針腳。4)電源管理監(jiān)控電路設(shè)計(jì)不良會(huì)因靜電釋放、浪涌等原因產(chǎn)生誤動(dòng)作導(dǎo)致主機(jī)自動(dòng)關(guān)機(jī)重啟，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)在芯片VCC引腳串聯(lián)200 Ω電阻，及與GND并聯(lián)0．1μF電容。3．2．3 調(diào)試流程圖 調(diào)試流程。

3．2．4 測(cè)試平臺(tái)及數(shù)據(jù) 硬件部分：處理器為Intel Core 2。Extreme QX6700 3．6GHz 1．45 V；主板為華碩P5K Premium／WiFi(P35+ICH9R)；內(nèi)存為創(chuàng)見(jiàn)l GB DDR2-667 D9GMHx2：顯示為鴻海8800GTS(G80)320 M；硬盤(pán)為Seagate Cheetah 36 Gx2、WD萬(wàn)轉(zhuǎn)小暴龍36 Gxl、WD2000JD 200Gxl；12 cm風(fēng)扇6個(gè)，MCP-650直流水冷1套。

軟件部分為WINDOWS XP SP3、SP2004(Stress Prime2004)超頻檢測(cè)軟件，能使CPU達(dá)到接近最大功耗和發(fā)熱量，從而測(cè)試CPU的穩(wěn)定性。測(cè)試數(shù)據(jù)如表1所列。產(chǎn)品特色與典型應(yīng)用

應(yīng)用PS223電源管理監(jiān)控芯片設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)終極電路保護(hù)UCP(Ultimate Circuit Protection)功能，運(yùn)行安全可靠，在典型負(fù)載下的轉(zhuǎn)換效率高達(dá)89％以上，超過(guò)80PLUS銀牌認(rèn)證要求，符合EPSl2V 2．92和NVIDIA SLI規(guī)范，是目前市面上最具節(jié)能、安全特色的高性能、大功率ATX電源。目前，全漢第五元素700 W電源、多彩超霸節(jié)能版DLP500A、全漢黑旋風(fēng)450、七盟V-Force750 W等都使用PS223電源管理監(jiān)控芯片的高端ATX產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)UCP功能，嚴(yán)格符合Intel ATXl2V V2．2規(guī)范，能很好地支持最新的雙核CPU和Sli顯卡，產(chǎn)品定位在服務(wù)器用戶(hù)和發(fā)燒級(jí)玩家層次。5 結(jié)束語(yǔ)

臺(tái)灣SiTI(點(diǎn)晶科技)出品的PS223電源管理監(jiān)控芯片是目前市面上保護(hù)功能最齊全且通用的IC，提供過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)功率、低電壓和短路和過(guò)熱保護(hù)等多重保護(hù)，實(shí)現(xiàn)UCP功能，不僅可廣泛應(yīng)用于高檔次ATX 12V 2．2版開(kāi)關(guān)電源，也可用于各種高性能、大功率開(kāi)關(guān)電源保護(hù)設(shè)計(jì)。

第二篇：高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)方案

高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)方案 客戶(hù)需求

技術(shù)參數(shù)30929003.pdf 技術(shù)方案 2.1 概述

現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際應(yīng)用情況：12臺(tái)15V/12000A的電源配1臺(tái)90V/2000A的電源，每6臺(tái)15V/12000A 的電源配一臺(tái)6kV/380V/1MW的變壓器，其中90V/2000A電源由于只是用于去除氧化膜，并不需要長(zhǎng)時(shí)間工作。

電源關(guān)注核心指標(biāo)是可靠性和系統(tǒng)效率。

電源可以考慮采用3種主回路方式，每種方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。

2.2主回路原理圖方案1 2.2.1方案1 總體思想為輸入36脈波移相變壓器，6組功率模塊并聯(lián)的方式，具體電路如下： 15V/12000A開(kāi)關(guān)電源最大輸出功率180kW，90V/2000A開(kāi)關(guān)電源最大輸出功率180kW，功率等級(jí)一樣，考慮采用同樣的主回路原理，如下：

整流器整流器36脈移相變壓器整流器整流器整流器整流器功率模塊1輸出15V/12000A或90V/2000A功率模塊2輸入380V/50Hz功率模塊3功率模塊4功率模塊5功率模塊6功率模塊原理如下：

高頻變壓器及整流

輸入端配置36脈波移相變壓器，可有效擬制輸入電流諧波，基本能滿(mǎn)足3%的要求； 每臺(tái)開(kāi)關(guān)電源采用6個(gè)功率模塊并聯(lián)的方式，如1個(gè)模塊出現(xiàn)異常，其他模塊還能繼續(xù)降額工作，提高了工作可靠性；模塊之間的均流精度可達(dá)5%以?xún)?nèi)，因此15V/12000A的開(kāi)關(guān)電源每個(gè)模塊的等級(jí)設(shè)計(jì)為15V/2200A，90V/2000A的開(kāi)關(guān)電源每個(gè)模塊的等級(jí)設(shè)計(jì)為90V/360A。

逆變采用移相全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，效率高，比普通硬開(kāi)關(guān)技術(shù)效率平均多2%左右； 二次整流采用同步整流技術(shù)，效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于采用一般二極管整流的方式，一般同步整流比普通二極管整流效率高出5%～6%。

輸出加LC濾波，如不加LC濾波，輸出導(dǎo)電排由于高頻肌膚效應(yīng)的緣故，導(dǎo)電排發(fā)熱嚴(yán)重。

90V/2000A電源由于只是用于去除氧化膜，并不需要長(zhǎng)時(shí)間工作，從降低成本角度考慮，可以不加36脈波移相變壓器，輸出也不需要LC濾波，直流輸出高頻方波電壓。2.2.2方案2 總體思想為輸入PWM整流器，4組功率模塊并聯(lián)的方式，具體電路如下：

6脈波整流器功率模塊1輸出15V/12000A或90V/2000A輸入380V/50Hz功率模塊2PWM整流器功率模塊3功率模塊4

輸入端配置PWM整流器，可有效擬制輸入電流諧波，基本能滿(mǎn)足3%的要求；PWM整流器再備份一組6脈波整流器，只是在PWM整流器出故障時(shí)投入運(yùn)行；

每臺(tái)開(kāi)關(guān)電源采用4個(gè)功率模塊并聯(lián)的方式，如1個(gè)模塊出現(xiàn)異常，其他模塊還能繼續(xù)降額工作，提高了工作可靠性；模塊之間的均流精度可達(dá)5%以?xún)?nèi)，因此15V/12000A的開(kāi)關(guān)電源每個(gè)模塊的等級(jí)設(shè)計(jì)為15V/3000A，90V/2000A的開(kāi)關(guān)電源每個(gè)模塊的等級(jí)設(shè)計(jì)為90V/500A。

逆變采用移相全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，效率高，比普通硬開(kāi)關(guān)技術(shù)效率平均多2%左右； 二次整流采用同步整流技術(shù)，效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于采用一般二極管整流的方式，一般同步整流比普通二極管整流效率高出5%～6%。

輸出加LC濾波，如不加LC濾波，輸出導(dǎo)電排由于高頻肌膚效應(yīng)的緣故，導(dǎo)電排發(fā)熱嚴(yán)重。

90V/2000A電源由于只是用于去除氧化膜，并不需要長(zhǎng)時(shí)間工作，從降低成本角度考慮，可以不加PWM，輸出也不需要LC濾波，直流輸出高頻方波電壓。

2.2.3方案3 總體思想為綜合6kV高壓配電，系統(tǒng)設(shè)計(jì)，利用6kV高壓變壓器直接做成36脈波移相變壓器，具體電路如下：

開(kāi)關(guān)電源1輸出15V/12000A或90V/2000A輸入6kV/50Hz36脈波移相變壓器開(kāi)關(guān)電源6輸出15V/12000A或90V/2000A

輸出15V/12000A或90V/2000A功率模塊1380V/50Hz功率模塊26脈波整流器功率模塊3功率模塊4

6kV變壓器直接設(shè)計(jì)為36脈波移相變壓器，高壓側(cè)幾乎沒(méi)有諧波，每一組輸出接入一臺(tái)開(kāi)關(guān)電源。開(kāi)關(guān)電源就采用普通6脈波整流；

每臺(tái)開(kāi)關(guān)電源采用4個(gè)功率模塊并聯(lián)的方式，如1個(gè)模塊出現(xiàn)異常，其他模塊還能繼續(xù)降額工作，提高了工作可靠性；模塊之間的均流精度可達(dá)5%以?xún)?nèi)，因此15V/12000A的開(kāi)關(guān)電源每個(gè)模塊的等級(jí)設(shè)計(jì)為15V/3000A，90V/2000A的開(kāi)關(guān)電源每個(gè)模塊的等級(jí)設(shè)計(jì)為90V/500A。

逆變采用移相全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，效率高，比普通硬開(kāi)關(guān)技術(shù)效率平均多2%左右； 二次整流采用同步整流技術(shù)，效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于采用一般二極管整流的方式，一般同步整流比普通二極管整流效率高出5%～6%。

輸出加LC濾波，如不加LC濾波，輸出導(dǎo)電排由于高頻肌膚效應(yīng)的緣故，導(dǎo)電排發(fā)熱嚴(yán)重。

90V/2000A電源由于只是用于去除氧化膜，并不需要長(zhǎng)時(shí)間工作，從降低成本角度考慮，可以不加PWM，輸出也不需要LC濾波，直流輸出高頻方波電壓。

2.2.4方案比較

從系統(tǒng)可靠性、系統(tǒng)效率這兩個(gè)主要關(guān)心的方面進(jìn)行比較。

本方案的逆變、二次整流、輸出濾波采用的最先進(jìn)的技術(shù)，在前面的方案敘述中已經(jīng)提出，逆變采用全軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，比硬開(kāi)關(guān)的效率高出2%左右；二次整流采用同步整流技術(shù)，比普通二極管的效率高出5%～6%左右；輸出經(jīng)過(guò)LC后為平滑的直流，不會(huì)引起后級(jí)導(dǎo)電排高頻發(fā)熱；電源內(nèi)部輸出的直流匯流排全部采用銅排，比采用鋁排的效率高出1%左右；

方案選擇主要針對(duì)輸入采用哪一種方式更合理進(jìn)行比較分析?？煽啃苑治觯?/p>

36脈波移相變壓器的可靠性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出PWM整流器，而且方案1采用6個(gè)模塊并聯(lián)，及時(shí)2個(gè)模塊出現(xiàn)故障，也不會(huì)影響系統(tǒng)使用，方案1的可靠性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出方案2的可靠性；

方案3把高壓變壓器引入，作為電源設(shè)計(jì)的一部分，相當(dāng)于減少了一個(gè)變壓器的可靠性影響，因此方案3比方案1的可靠性更高。

系統(tǒng)效率分析：

方案1中變壓器損耗約為1.5%，整流器約為0.5%，前級(jí)總和約為2%；方案2中PWM整流器的損耗約為3%；方案1比方案2的效率略微高出一些；

方案3中比方案1只有一級(jí)變壓器的損耗，效率自然多出1.5%左右。綜合比較：方案排序?yàn)榉桨?/p>

3、方案

1、方案2。

2.2控制系統(tǒng)

功率模塊1模擬控制板Ig+-If1Io1IoUoK13875驅(qū)動(dòng)電路IGBTK2集中控制板GV+-UfIfPI功率模塊6K5K6Ig+-If1K13875驅(qū)動(dòng)電路IGBTIo1模擬控制板K

2控制方式：

雙環(huán)控制：電壓或電流外環(huán)，PI環(huán)； 每模塊電流內(nèi)環(huán)，比例環(huán) 2.3監(jiān)控單元

采用8寸觸摸屏；

功能：本地、遠(yuǎn)程操作切換；電源設(shè)置、啟停操作；顯示輸出等參數(shù)，電源故障信息等；RS485上位機(jī)通訊等。2.4結(jié)構(gòu)外形

見(jiàn)附件。

第三篇：高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)教學(xué)要點(diǎn)

《高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)》教學(xué)要點(diǎn)

一、課堂講授

1、電力電子器件

電力半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)；電力MOSFET與IGBT器件簡(jiǎn)介。

2、DC/DC變換

Buck，Boost，Buck/Boost，Cuk，Sepic，Zeta，forword，flyback，F(xiàn)ull-bridge原理介紹。開(kāi)關(guān)的旋轉(zhuǎn)與拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的關(guān)系。

3、軟開(kāi)關(guān)變換電路

ZVS-QRC，ZCS-QRC，ZVS-PWM，ZCS-PWM，ZVT，ZCT，F(xiàn)ull-bridge，Phase-shift原理介紹。RDCLI。

4、基于3842的反激式變換電路設(shè)計(jì)，基于TOPSWITCH的電源電路設(shè)計(jì)，基于3852的單相功率因數(shù)校正電路的設(shè)計(jì)，基于3875的移相式全橋電路的設(shè)計(jì)。

5、電源電路的計(jì)算機(jī)仿真。

二、實(shí)驗(yàn) 1、3842單端反激電路實(shí)驗(yàn) 2、3875仿真實(shí)驗(yàn)

三、學(xué)時(shí)數(shù)

每次3學(xué)時(shí)，10次，總共30學(xué)時(shí)

中國(guó)礦業(yè)大學(xué)（北京）信電系 2006-7-17

第四篇：開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)筆記

1.開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)前各參數(shù)

以NXP的TEA1832圖紙做說(shuō)明。分析電路參數(shù)設(shè)計(jì)與優(yōu)化并到認(rèn)證至量產(chǎn)。所有元器件盡量選擇公司現(xiàn)有的或者量大的元件，方便后續(xù)降成本。

1、輸入端：FUSE選擇需要考慮到I^2T參數(shù)。保險(xiǎn)絲的分類(lèi)，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險(xiǎn)絲的認(rèn)證是否齊全。保險(xiǎn)絲前的安規(guī)距離2.5mm以上。設(shè)計(jì)時(shí)盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時(shí)，保險(xiǎn)絲I2T是否有余量，會(huì)不會(huì)打掛掉。

2、壓敏電阻：圖中可以增加一個(gè)壓敏電阻，一般采用14D471,也可采用561，直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強(qiáng)版的10S471,14S471等，一般14D471打1KV,2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT。有必要時(shí)，壓敏電阻外包個(gè)熱縮套管。

3、NTC：圖中可以增加個(gè)NTC,有的客戶(hù)有限制冷啟動(dòng)浪涌電流不超過(guò)60A,30A，NTC的另一個(gè)目的還可以在雷擊時(shí)扛部分電壓，減下MOSFET的壓力。選型時(shí)注意NTC的電壓，電流，溫度等參數(shù)。

4、共模電感：傳導(dǎo)與輻射很重要的一個(gè)濾波元件，共模電感有環(huán)形的高導(dǎo)材料5K,7K,0K,12K,15K，常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個(gè)槽的ET型。這個(gè)如果能共用老機(jī)種的最好，成本考慮，傳導(dǎo)輻射測(cè)試完成后才能定型。

5、X電容選擇：需要與共模電感配合測(cè)試傳導(dǎo)與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。

6、如果認(rèn)證有輸入L,N的放電時(shí)間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。

7、橋堆的選擇：一般需要考慮橋堆能過(guò)得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時(shí)壞掉。

8、VCC啟動(dòng)電阻：注意啟動(dòng)電阻的功耗，主要是耐壓值，1206一般耐壓200V,0805一般耐壓150V，能多留余量比較好。

9、輸入濾波電解電容：一般看成本的考慮，輸出保持時(shí)間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80%容值設(shè)計(jì)，不同廠家和不同的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)有點(diǎn)出入，有一點(diǎn)要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關(guān)系到電容壽命，這個(gè)看品牌和具體的系列。

10、輸入電解電容上有并聯(lián)一個(gè)小瓷片電容，這個(gè)平時(shí)體現(xiàn)不出來(lái)用處，在做傳導(dǎo)抗擾度時(shí)有效果。

11、RCD吸收部分：R的取值對(duì)應(yīng)MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時(shí)也有可能會(huì)改為薄膜電容效果好。D一般用FR107,FR207，整改輻射時(shí)也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A,K5C等材質(zhì)）。小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。

12、MOSFET的選擇，起機(jī)和短路情況需要注意SOA。高溫時(shí)的電流降額，低溫時(shí)的電壓降額。一般600V 2-12A足夠用與100W以?xún)?nèi)的反激，根據(jù)成本來(lái)權(quán)衡選型。整改輻射時(shí)很多方法沒(méi)有效果的時(shí)候，換個(gè)MOSFET就過(guò)了的情況經(jīng)常有。

13、MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻一般采用10R+20R，阻值大小對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)速度，效率，溫升。這個(gè)參數(shù)需要整改輻射時(shí)調(diào)整。

14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個(gè)10K-100K的電阻放電。

15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個(gè)Isense電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無(wú)感電阻。功率小，或者有感電阻短路時(shí)有遇到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象。

16、Isense電阻到IC的Isense增加1個(gè)RC，取值1K,331，調(diào)試時(shí)可能有作用，如果采用這個(gè)TEA1832電路為參考，增加一個(gè)C并聯(lián)到GND。

17、不同的IC外圍引腳參考設(shè)計(jì)手冊(cè)即可，根據(jù)自己的經(jīng)驗(yàn)在IC引腳處放濾波電容。

18、變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多，不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算delta B值，防止高溫時(shí)磁芯飽和。delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級(jí)砸數(shù)（T）,Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，所以ΔB值一般取330mT以?xún)?nèi)，出現(xiàn)異常情況不飽和，一般取值小于300mT以?xún)?nèi)。我之前做反激變壓器取值都是小于0.3的）附，學(xué)習(xí)zhangyiping的經(jīng)驗(yàn)（所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過(guò)有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過(guò)壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。

附注：有興趣驗(yàn)證這個(gè)公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計(jì)算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右（25℃時(shí)，飽和磁通密度510mT）。

借鑒TDG的磁芯基本特征圖。

19、輸出二極管效率要求高時(shí)，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時(shí)可以用超快恢復(fù)二極管。

20、輸出二極管并聯(lián)的RC用于抑制電壓尖峰，同時(shí)也對(duì)輻射有抑制。

21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個(gè)1K-3K左右的電阻，Vout串聯(lián)到光耦的電阻取值一般在100歐姆-1K之間。431上的C與RC用于調(diào)整環(huán)路穩(wěn)定，動(dòng)態(tài)響應(yīng)等。

22、Vout的檢測(cè)電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機(jī)功耗。

23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時(shí)紋波電流放大1.2倍以上考慮。24、2個(gè)輸出電容之間可以增加一個(gè)小電感，有助于抑制輻射干擾，有了小電感后，第一個(gè)輸出電容的紋波電流就會(huì)比第二個(gè)輸出電容的紋波電流大很多，所以很多電路里面第一個(gè)電容容量大，第二個(gè)電容容量較小。

25、輸出Vout端可以增加一個(gè)共模電感與104電容并聯(lián)，有助于傳導(dǎo)與輻射，還能降低紋波峰峰值。

26、需要做恒流的情況可以采用專(zhuān)業(yè)芯片，AP4310或者TSM103等類(lèi)似芯片做，用431+358都行，注意VCC的電壓范圍，環(huán)路調(diào)節(jié)也差不多。

27、有多路輸出負(fù)載情況的話，電源的主反饋電路一定要有固定輸出，或者假負(fù)載，否則會(huì)因?yàn)轳詈?，burst模式等問(wèn)題導(dǎo)致其他路輸出電壓不穩(wěn)定。

28、初級(jí)次級(jí)的大地之間有接個(gè)Y電容，一般容量小于或等于222，則漏電流小于0.25mA，不同的產(chǎn)品認(rèn)證對(duì)漏電流是有要求的，需注意。算下來(lái)這么多，電子元器件基本能定型了，整個(gè)初略的BOM可以評(píng)審并參考報(bào)價(jià)了。BOM中元器件可以多放幾個(gè)品牌方便核成本。如客戶(hù)有特殊要求，可以在電路里面增加功能電路實(shí)現(xiàn)。如不能實(shí)現(xiàn)，尋找新的IC來(lái)完成，相等功率和頻率下，IC的更改對(duì)外圍器件影響不大。如客戶(hù)溫度范圍的要求比較高，對(duì)應(yīng)元器件的選項(xiàng)需要參考元器件使用溫度和降額使用。

2開(kāi)關(guān)電源PCB設(shè)計(jì)

1、PCB對(duì)應(yīng)的SCH網(wǎng)絡(luò)要對(duì)應(yīng)，方便后續(xù)更新，花不了多少時(shí)間的。

2、PCB的元器件封裝，標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改，貼片元件焊盤(pán)加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm，焊盤(pán)直徑大于孔0.8mm以上，焊盤(pán)大些方便焊接，元器件過(guò)波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來(lái)也不容易破孔。還有很多細(xì)節(jié)的東西多了解些對(duì)生產(chǎn)是很大的功勞啊。

3、安規(guī)的要求在PCB上的體現(xiàn)，保險(xiǎn)絲的安規(guī)輸入到輸出距離3mm以上，保險(xiǎn)絲帶型號(hào)需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規(guī)要求，對(duì)應(yīng)需要做的認(rèn)證與***商溝通能否滿(mǎn)足要求。相應(yīng)的認(rèn)證編號(hào)需印到PCB上。初級(jí)到次級(jí)的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級(jí)與次級(jí)，用擋墻或者次級(jí)用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。

4、橋堆前L,N走線距離2.5mm以上，橋堆后高壓+，-距離2.5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號(hào)線遠(yuǎn)離大電流走線，避免干擾，IC信號(hào)檢測(cè)部分的濾波電容靠近IC，信號(hào)地與功率地分開(kāi)走，星形接地，或者單點(diǎn)接地，最后匯總到大電容的“-”引腳，避免調(diào)試時(shí)信號(hào)受干擾，或者抗擾度出狀況。

5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過(guò)波峰焊上錫，提高產(chǎn)線效率，避免陰影效應(yīng)，連錫，虛焊等問(wèn)題出現(xiàn)。

6、打AI的元器件需要根據(jù)相應(yīng)的規(guī)則放置元器件，之前看過(guò)一個(gè)日本的PCB，焊盤(pán)做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤(pán)上，漂亮。

7、PCB上的走線對(duì)輻射影響比較大，可以參考相關(guān)書(shū)籍。還有1種情況，PCB當(dāng)單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導(dǎo)和輻射很有效果。

8、布線時(shí)，還需要考慮雷擊，ESD時(shí)或其他干擾的電流路徑，會(huì)不會(huì)影響IC。

3開(kāi)關(guān)電源調(diào)試

1、萬(wàn)用表先測(cè)試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒(méi)有短路，有沒(méi)有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測(cè)試，變壓器同名端有沒(méi)有繞錯(cuò)。

2、開(kāi)始上電，我的習(xí)慣是先上100V的低壓，PWM沒(méi)有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動(dòng)電壓，PWM沒(méi)有輸出。檢查各引腳的保護(hù)功能是否被觸發(fā)，或者參數(shù)不對(duì)。找不到問(wèn)題，查看IC的上電時(shí)序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動(dòng)的條件。示波器使用時(shí)需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機(jī)的都不知道。用2個(gè)以上的探頭時(shí)，2根探頭的COM端接同1個(gè)點(diǎn)，避免影響電路，或者夾錯(cuò)位置燒東西。

3、IC啟動(dòng)問(wèn)題解決了，PWM有輸出，發(fā)現(xiàn)啟動(dòng)時(shí)變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯(cuò)位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問(wèn)題，甚至還碰到過(guò)TVS壞了短路的情況。

4、輸出有了，但是輸出電壓不對(duì)，或者高了，或者低了。這個(gè)需要判斷是初級(jí)到問(wèn)題，還是次級(jí)的問(wèn)題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對(duì)，估計(jì)就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩(wěn)壓管+1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過(guò)載保護(hù)等保護(hù)的動(dòng)作。常見(jiàn)問(wèn)題，光耦腳位畫(huà)錯(cuò)，導(dǎo)致反饋到不了前級(jí)。431封裝弄錯(cuò)，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致輸出電壓不對(duì)。

5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個(gè)時(shí)候一般采用2個(gè)電阻并聯(lián)的方式來(lái)調(diào)節(jié)到精確電壓。采樣電阻必須是1%或者0.5%。

6、輸出能帶載了，帶滿(mǎn)載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開(kāi)幾十個(gè)周期，停幾十個(gè)周期，這樣的情況調(diào)節(jié)環(huán)路。431上的C與RC，現(xiàn)在的很多IC內(nèi)部都已經(jīng)集成了補(bǔ)償，環(huán)路都比較好調(diào)整。環(huán)路調(diào)節(jié)沒(méi)有效果，可以計(jì)算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經(jīng)認(rèn)為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode。可以更改Isense電阻阻值測(cè)試。

7、高低壓都能帶滿(mǎn)載了，波形也正常了。測(cè)試電源效率，輸入90V與264V時(shí)效率盡量做到一致(改占空比，匝比)，方便后續(xù)安規(guī)測(cè)試溫升。電源效率一般參考老機(jī)種效率，或者查能效等級(jí)里面的標(biāo)準(zhǔn)參考。

8、輸出紋波測(cè)試，一般都有要求用47uF+104,或者10uF+104電容測(cè)試。這個(gè)電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會(huì)影響紋波電壓。示波器測(cè)試紋波時(shí)探頭上用彈簧測(cè)試探頭測(cè)試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態(tài)電容。

9、輸出過(guò)流保護(hù)，客戶(hù)要求精度高的，要在次級(jí)放電流保護(hù)電路，要求精度不高的，一般初級(jí)做過(guò)流保護(hù)，大部分IC都有集成過(guò)流或者過(guò)功率保護(hù)。過(guò)流保護(hù)一般放大1.1-1.5倍輸出電流。最大輸出電流時(shí)，元器件的應(yīng)力都需要測(cè)試，并留有余量。電流保護(hù)如增加反饋環(huán)路可以做成恒流模式，無(wú)反饋環(huán)路一般為打嗝保護(hù)模式。做好過(guò)流保護(hù)還需要測(cè)試滿(mǎn)載+電解電容的測(cè)試，客戶(hù)端有時(shí)提出的要求并未給出是否是容性負(fù)載，能帶多大的電容起機(jī)測(cè)試了后心里比較有底。

10、輸出過(guò)壓保護(hù)，穩(wěn)定性要求高的客戶(hù)會(huì)要求放2個(gè)光耦，1個(gè)正常工作的，一個(gè)是做過(guò)壓保護(hù)的。無(wú)要求的，在VCC的輔助繞組處增加過(guò)壓保護(hù)電路，或者IC里面已經(jīng)有集成的過(guò)壓保護(hù)，外圍器件很少。

11、過(guò)溫保護(hù)一般要看具體情況添加的，安規(guī)做高溫測(cè)試時(shí)對(duì)溫度都有要求，能滿(mǎn)足安規(guī)要求溫度都還可以，除非環(huán)境復(fù)雜或者異常情況，需要增加過(guò)溫保護(hù)電路。

12、啟動(dòng)時(shí)間，一般要求為2S,或者3S內(nèi)起機(jī)，都比較好做，待機(jī)功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒(méi)有什么問(wèn)題。

13、上升時(shí)間和過(guò)沖，這個(gè)通過(guò)調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)和環(huán)路響應(yīng)實(shí)現(xiàn)。

14、負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率都是通過(guò)調(diào)節(jié)環(huán)路響應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

15、保持時(shí)間，更改輸入大電容容量即可。

16、輸出短路保護(hù)，現(xiàn)在IC的短路保護(hù)越做越好，一般短路時(shí)，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動(dòng)電阻供電，IC啟動(dòng)后，Isense腳檢測(cè)過(guò)流會(huì)做短路保護(hù)，停止PWM輸出。一般在264V輸入時(shí)短路功率最大，短路功率控制住2W以?xún)?nèi)比較安全。短路時(shí)需要測(cè)試MOSFET的電流與電壓，并通過(guò)查看MOSFET的SOA圖（安全工作區(qū)）對(duì)應(yīng)短路是否超出設(shè)計(jì)范圍。

17、空載起機(jī)后，輸出電壓跳。有可能是輕載時(shí)VCC的輔助繞組感應(yīng)電壓低導(dǎo)致，增加VCC繞組匝數(shù)，還有可能是輸出反饋環(huán)路不穩(wěn)定，需要更新環(huán)路參數(shù)。

18、帶載起機(jī)或者空載切重載時(shí)電壓起不來(lái)。重載時(shí)，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過(guò)壓，或者是過(guò)流保護(hù)動(dòng)作。

還有變壓器設(shè)計(jì)時(shí)按照正常輸出帶載設(shè)計(jì)，導(dǎo)致重載或者過(guò)流保護(hù)前變壓器飽和。

19、元器件的應(yīng)力都應(yīng)測(cè)試，滿(mǎn)載、過(guò)載、異常測(cè)試時(shí)元器件應(yīng)力都應(yīng)有余量，余量大小看公司規(guī)定和成本考慮。性能測(cè)試與調(diào)試基本完成。調(diào)試時(shí)把自己想成是設(shè)計(jì)這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問(wèn)題。這些全都按記憶寫(xiě)的，有點(diǎn)亂，有些沒(méi)有記錄到，后續(xù)想到了再補(bǔ)上。

4EMC等測(cè)試之前

1、溫升測(cè)試，45℃烤箱環(huán)境，輸入90，264時(shí)變壓器磁芯，線包不超過(guò)110℃，PCB在130℃以?xún)?nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī)要求，溫度最難整的一般都是變壓器。

2、絕緣耐壓測(cè)試DC500V，阻值大于100MΩ，初次級(jí)打AC3000V時(shí)間60S,小于10mA，產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA，測(cè)試過(guò)程中測(cè)試儀器報(bào)警，要檢查初次級(jí)距離，初級(jí)到外殼，次級(jí)到外殼距離，能把測(cè)試室拉上窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。

3、對(duì)地阻抗，一般要小于0.1Ω，測(cè)試條件電流40A。

4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K，有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì)把等級(jí)提高了打，打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時(shí)，共模電感底下有放電針的話，放電針會(huì)放電。電源的ESD還會(huì)在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問(wèn)題和PCB的layout問(wèn)題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規(guī)認(rèn)證時(shí)，心里有底。如果客戶(hù)有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000-4-2。

5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題2KV。參考EN61000-4-4。

6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471，有輸入大電解，走線沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS。碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況，小功率5W,10W的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián)，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。

EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級(jí)。一般要A等級(jí)：干擾對(duì)電源無(wú)影響。

7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源，溫度范圍是0-45℃，貴的，工業(yè)類(lèi)，或者LED什么的有要求-40℃-60℃，甚至到85℃。-40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的（低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量，改小NTC,增加VCC電容，軟啟動(dòng)時(shí)間加長(zhǎng)，初級(jí)限流（輸入容量不夠，導(dǎo)致電壓很低，電流很大，觸發(fā)保護(hù)）從1.2倍放大到1.5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高；查找保護(hù)線路是否太極限，低溫被觸發(fā)（如PFC過(guò)壓易被觸發(fā)）。

5傳導(dǎo)整改

基本性能和安規(guī)基本問(wèn)題解決掉，剩下個(gè)傳導(dǎo)和輻射問(wèn)題。這個(gè)時(shí)候可以跟客戶(hù)談后續(xù)價(jià)格，自己優(yōu)化下線路。跟安規(guī)工程師確認(rèn)安規(guī)問(wèn)題，跟產(chǎn)線的工程師確認(rèn)后續(xù)PCB上元器件是否需要做位置的更改，產(chǎn)線是否方便操作等問(wèn)題。或者有打AI，過(guò)回流焊波峰焊的問(wèn)題，及時(shí)對(duì)元器件調(diào)整。

1、傳導(dǎo)和輻射測(cè)試大家看得比較多，論壇里面也講的多，實(shí)際上這個(gè)是個(gè)砸錢(qián)的事情。砸錢(qián)砸多了，自然就會(huì)了，整改也就快了。能改的地方就那么幾個(gè)。

1、這個(gè)里面看不見(jiàn)的，特別重要的就算是PCB了，有厲害的可以找到PCB上的線，割斷，換個(gè)走線方式就可以搞掉3個(gè)dB,余量就有了。

2、一般看到筆記本電源適配器，接電腦的部分就有個(gè)很丑的砣，這個(gè)就是個(gè)EMI濾波器，從適配器出線的部分到筆記本電腦這么長(zhǎng)的距離，可以看成是1條天線，增加一個(gè)濾波器，就可以濾除損耗。所以一般開(kāi)關(guān)電源的輸出端有一個(gè)濾波電感，效果也是一樣的。

3、輸入濾波電感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用環(huán)型和ET型。公司有傳導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室或者傳導(dǎo)儀器的倒是可以有想法了就去折騰下。要是要去第三方實(shí)驗(yàn)室的就比較痛苦了，光整改材料都要帶一堆。濾波電感用高導(dǎo)的10K材料比較好，對(duì)傳導(dǎo)輻射抑制效果都不錯(cuò)，如果傳導(dǎo)差的話，可以改12K,15K的，輻射差的話可以改5K,7K的材質(zhì)。

4、輸入X電容，能用小就用小，主要是占地方。這個(gè)要配合濾波電感調(diào)整的。

5、Y電容，初次級(jí)沒(méi)有裝Y電容，或者Y電容很小的話一般從150K-30M都是飄的，或者飛出限值了的，裝個(gè)471-222就差不多了。Y電容的接法直接影響傳導(dǎo)與輻射的測(cè)試數(shù)據(jù)，一般為初級(jí)地接次級(jí)的地，也有初級(jí)高壓，接次級(jí)地，或者放2個(gè)Y電容初級(jí)高壓和初級(jí)地都接次級(jí)的地，沒(méi)有調(diào)好之前誰(shuí)也說(shuō)不準(zhǔn)的。Y電容上串磁珠，對(duì)10MHz以上有效果，但也不全是。每個(gè)人調(diào)試傳導(dǎo)輻射的方法和方式都有差異機(jī)種也不同，問(wèn)題也不同，所以也許我的方法只適合我自己用。無(wú)Y方案大部分是靠改變變壓器來(lái)做的，而且功率不好做大。

6、MOSFET吸收，DS直接頂多能接個(gè)221，要不溫度就太高了，一般47pF，100pF。RCD吸收，可以在C上串個(gè)10-47Ω電阻吸收尖峰。還可以在D上串10-100Ω的電阻，MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻也可以改為100Ω以?xún)?nèi)。

7、輸出二極管的吸收，一般采用RC吸收足夠了。

8、變壓器，變壓器有銅箔屏蔽和線屏蔽，銅箔屏蔽對(duì)傳導(dǎo)效果好，線屏蔽對(duì)輻射效果好。至于初包次，次包初，還有些其他的繞法都是為了好過(guò)傳導(dǎo)輻射。

9、對(duì)于PFC做反激電源的，輸入部分還需要增加差模電感。一般用棒形電感，或者鐵粉芯的黃白環(huán)做。

10、整改傳導(dǎo)的時(shí)候在10-30MHz部分盡量壓低到有15-20dB余量，那樣輻射比較好整改。

開(kāi)關(guān)頻率一般在65KHz，看傳導(dǎo)的時(shí)候可以看到65K的倍頻位置，一般都有很高的值?？傊簜鲗?dǎo)的現(xiàn)象可以看成是功率器件的開(kāi)關(guān)引起的振蕩在輸入線上被放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號(hào)出去就要避免高頻振蕩，或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)的時(shí)候不超標(biāo)。

6輻射整改

1、PCB的走線按照布線規(guī)則來(lái)做即可。當(dāng)PCB有空間的時(shí)候可以放2個(gè)Y電容的位置：初級(jí)大電容的+到次級(jí)地；初級(jí)大電容-到次級(jí)地，整改輻射的時(shí)候可以調(diào)整。

2、對(duì)于2芯輸入的，Y電容除了上述接法還可以在L,N輸入端，保險(xiǎn)絲之后接成Y型，再接次級(jí)的地，3芯輸入時(shí)，Y電容可以從輸入輸出地接到輸入大地來(lái)測(cè)試。

3、磁珠在輻射中間很重要，以前用過(guò)的材料是K5A,K5C，磁珠的阻抗曲線與磁芯大小和尺寸有關(guān)。如圖所示，不同的磁珠對(duì)不同的頻率阻抗曲線不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MHz-500MHz）。一般MOSFET,輸出二極管，RCD吸收的D，橋堆，Y電容都可以套磁珠來(lái)做測(cè)試。

4、輸入共模電感：如果是2級(jí)濾波，第一級(jí)的濾波電感可以考慮用0.5-5mH左右的感量，蝶形繞法，5K-10K材質(zhì)繞制，第一級(jí)對(duì)輻射壓制效果好。如果是3芯輸入，可以在輸入端進(jìn)線處用三層絕緣線在K5A等同材質(zhì)繞3-10圈，效果巨好。

5、輸出共模電感，一般采用高導(dǎo)磁芯5K-10K的材料，特殊情況輻射搞不定也可以改為K5A等同材質(zhì)。

6、MOSFET，漏極上串入磁珠，輸入電阻加大，DS直接并聯(lián)22-220pF高壓瓷片電容可以改善輻射能量，也可以換不同電流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET測(cè)試。

7、輸出二極管，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的RC吸收也對(duì)輻射有影響。也可以換不同電流值來(lái)測(cè)試，或者更換品牌

8、RCD吸收，C更改容量，R改阻值，D可以用FR107，F(xiàn)R207改為慢管，但是需要注意慢管的溫度。RCD里面的C可以串小阻值電阻。

9、VCC的繞組上也有二極管，這個(gè)二極管也對(duì)輻射影響大，一般采取套磁珠，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。

10、最關(guān)鍵的變壓器。能少加屏蔽就少加屏蔽，沒(méi)辦法的情況也只能改變壓器了。變壓器里面的銅箔屏蔽對(duì)輻射影響大，線屏蔽是最有效果的。一般改不動(dòng)的時(shí)候才去改變壓器。

11、輻射整改時(shí)的效率。套滿(mǎn)磁珠的電源先做測(cè)試，PASS的情況，再逐個(gè)剪掉磁珠。fail的情況，在輸入輸出端來(lái)套磁環(huán)，判斷輻射信號(hào)是從輸入還是輸出發(fā)射出來(lái)的。套了磁環(huán)還是fail的話，證明輻射能量是從板子上出來(lái)的。這個(gè)時(shí)候要找實(shí)驗(yàn)室的兄弟搞個(gè)探頭來(lái)測(cè)試，看看是哪個(gè)元器件輻射的能量最大，哪個(gè)原件在超出限值的頻率點(diǎn)能量最高，再對(duì)對(duì)應(yīng)的元件整改。輻射的現(xiàn)象可以看成是功率器件在高速開(kāi)關(guān)情況下，寄生參數(shù)引起的振蕩在不同的天線上發(fā)射出去，被天線接收放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號(hào)出去就要避免高頻振蕩，改變振蕩頻率或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)值的時(shí)候不超標(biāo)。磁珠的運(yùn)用有個(gè)需要注意的地方，套住MOSFET的時(shí)候，MOSFET最好是要打K腳，套入磁珠后點(diǎn)膠固定，如果磁珠松動(dòng)，可能導(dǎo)電引起MOSFET短路。有空間的情況下盡量采用帶線磁珠。

7PCB改版定型與試產(chǎn)

傳導(dǎo)輻射整改完成后，PCB可以定型了，最好按照生產(chǎn)的工藝要求來(lái)做改善，更新一版PCB，避免生產(chǎn)時(shí)碰到問(wèn)題。

1、驗(yàn)證電源的時(shí)刻到了，客戶(hù)要求，規(guī)格書(shū)。電源樣品拿給測(cè)試驗(yàn)證組做測(cè)試驗(yàn)證了。之前問(wèn)題都解決了的話，驗(yàn)證組是沒(méi)問(wèn)題的，到時(shí)間拿報(bào)告就可以了。

2、準(zhǔn)備小批量試產(chǎn)，走流程，準(zhǔn)備物料，整理BOM與提供樣機(jī)給生產(chǎn)部同事。

3、準(zhǔn)備做認(rèn)證的材料（保險(xiǎn)絲，MOSFET等元器件）與樣機(jī)以及做認(rèn)證的關(guān)鍵元器件清單等文檔性材料。關(guān)鍵元器件清單里面的元件一般寫(xiě)3個(gè)以上的***商。認(rèn)證號(hào)一定要對(duì)準(zhǔn)，錯(cuò)了的話，后續(xù)審廠會(huì)有不必要的麻煩。剩下的都是一些基本的溝通問(wèn)題了。

做認(rèn)證時(shí)碰到過(guò)做認(rèn)證的時(shí)候溫升超標(biāo)了的，只能加導(dǎo)熱膠導(dǎo)出去?；蛘咛岣咝剩褌鲗?dǎo)與輻射的余量放小。這種問(wèn)題一般是自己做測(cè)試時(shí)余量留得太少，很難碰到的。

4、一般認(rèn)證2個(gè)月左右能拿到的。2個(gè)月的時(shí)間足夠把試產(chǎn)做好了。

5、試產(chǎn)問(wèn)題：基本上都是要改大焊盤(pán)，插件的孔大小更改，絲印位置的更改等。

6、試產(chǎn)的測(cè)試按IPS和產(chǎn)線測(cè)試的規(guī)章制度完成。碰到過(guò)裸板耐壓打不過(guò)的，原因竟然是把裸板放在綠色的靜電皮上操作；也有是麥拉片折痕處貼的膠帶磨損了。

7、輸入有大電容的電源，需要要求測(cè)試的工序里面增加一條，測(cè)試完畢給大電容放電的一個(gè)操作流程。

8、試產(chǎn)完成后開(kāi)個(gè)試產(chǎn)總結(jié)會(huì)，試產(chǎn)PASS，PCB可以開(kāi)模了。量產(chǎn)基本上是不會(huì)找到研發(fā)工程師了，頂多就是替代料的事宜。

9、做完一個(gè)產(chǎn)品，給自己寫(xiě)點(diǎn)總結(jié)什么的，其中的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，或者是有點(diǎn)失敗的地方，或者是不同IC的特點(diǎn)。項(xiàng)目做多了，自然就會(huì)了。整個(gè)開(kāi)發(fā)過(guò)程中都是一個(gè)團(tuán)隊(duì)的協(xié)作，所以很厲害的工程師，溝通能力也是很強(qiáng)的，研發(fā)一個(gè)產(chǎn)品要跟很多部門(mén)打交道，技術(shù)類(lèi)的書(shū)要看，技術(shù)問(wèn)題也要探討，同時(shí)溝通與禮儀方面的知識(shí)也要學(xué)習(xí)，有這些前提條件，開(kāi)發(fā)起來(lái)也就容易多了。

第五篇：開(kāi)關(guān)電源電磁干擾抑制技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源電磁干擾抑制技術(shù)

0 引言

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)和功率器件的發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源以其體積小，重量輕，高性能，高可靠性等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備通信、自動(dòng)控制、家用電器等領(lǐng)域，為人們的生產(chǎn)生活和社會(huì)的建設(shè)提供了很大幫助。但是，隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的快速發(fā)展，電子電氣設(shè)備的廣泛應(yīng)用，處于同一工作環(huán)境的各種電子、電氣設(shè)備的距離越來(lái)越近，電子電路工作的外部環(huán)境進(jìn)一步惡化。由于開(kāi)關(guān)電源工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生很高的電流、電壓變化率，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁干擾。電磁干擾信號(hào)不僅對(duì)電網(wǎng)造成污染，還直接影響到其他用電設(shè)備甚至電源本身的正常工作，而且作為輻射干擾闖入空間，造成電磁污染，制約著人們的生產(chǎn)和生活。國(guó)內(nèi)在20世紀(jì)80一90年代，為了加強(qiáng)對(duì)當(dāng)前國(guó)內(nèi)電磁污染的治理，制定了一些與CISPR標(biāo)準(zhǔn)、IEC801等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)。自從2003年8月1日中國(guó)強(qiáng)制實(shí)施3C認(rèn)證(china compulsory certification)工作以來(lái)，掀起了“電磁兼容熱”，近距離的電磁干擾研究與控制愈來(lái)愈引起電子研究人員們的關(guān)注，當(dāng)前已成為當(dāng)前研究領(lǐng)域的一個(gè)新熱點(diǎn)。本文將針對(duì)開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理系統(tǒng)地論述相關(guān)的抑制技術(shù)。

l 開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的抑制 形成電磁干擾的三要素是干擾源、傳播途徑和受擾設(shè)備。因而，抑制電磁干擾應(yīng)從這三方面人手。抑制干擾源、消除干擾源和受擾設(shè)備之間的耦合和輻射、提高受擾設(shè)備的抗擾能力，從而改善開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性能的目的。1．1 采用濾波器抑制電磁干擾 濾波是抑制電磁干擾的重要方法，它能有效地抑制電網(wǎng)中的電磁干擾進(jìn)入設(shè)備，還可以抑制設(shè)備內(nèi)的電磁干擾進(jìn)入電網(wǎng)。在開(kāi)關(guān)電源輸入和輸出電路中安裝開(kāi)關(guān)電源濾波器，不但可以解決傳導(dǎo)干擾問(wèn)題，同時(shí)也是解決輻射干擾的重要武器。濾波抑制技術(shù)分為無(wú)源濾波和有源濾波2種方式。

1．1．1 無(wú)源濾波技術(shù) 無(wú)源濾波電路簡(jiǎn)單，成本低廉，工作性能可靠，是抑制電磁干擾的有效方式。無(wú)源濾波器由電感、電容、電阻元件組成，其直接作用是解決傳導(dǎo)發(fā)射。開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的無(wú)源濾波器的原理結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。

由于原電源電路中濾波電容容量大，整流電路中會(huì)產(chǎn)生脈沖尖峰電流，這個(gè)電流由非常多的高次諧波電流組成，對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾；另外電路中開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通或截止、變壓器的初級(jí)線圈都會(huì)產(chǎn)生脈動(dòng)電流。由于電流變化率很高，對(duì)周?chē)娐窌?huì)產(chǎn)生出不同頻率的感應(yīng)電流，其中包括差模和共模干擾信號(hào)，這些干擾信號(hào)可以通過(guò)2根電源線傳導(dǎo)到電網(wǎng)其他線路和干擾其他的電子設(shè)備。圖中差模濾波部分可以減少開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的差模干擾信號(hào)，又能大大衰減設(shè)備本身工作時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾信號(hào)傳向電網(wǎng)。又根據(jù)電磁感應(yīng)定律，得E=Ldi／dt，其中：E為L(zhǎng)兩端的電壓降；L為電感量；di／dt為電流變化率。顯然要求電流變化率越小，則要求電感量就越大。脈沖電流回路通過(guò)電磁感應(yīng)其他電路與大地或機(jī)殼組成的回路產(chǎn)生的干擾信號(hào)為共模信號(hào)；開(kāi)關(guān)電源電路中開(kāi)關(guān)管的集電極與其他電路之間產(chǎn)生很強(qiáng)的電場(chǎng)，電路會(huì)產(chǎn)生位移電流，而這個(gè)位移電流也屬于共模干擾信號(hào)。圖1中共模濾波器就是用來(lái)抑制共模干擾，使之受到衰減。1．1．2 有源濾波技術(shù)

有源濾波技術(shù)是抑制共模干擾的一種有效方法。該方法從噪聲源出發(fā)而采取的措施(如圖2所示)，其基本思想是設(shè)法從主回路中取出一個(gè)與電磁干擾信號(hào)大小相等、相位相反的補(bǔ)償信號(hào)去平衡原來(lái)的干擾信號(hào)，以達(dá)到降低干擾水平的目的。如圖2所示，利用晶體管的電流放大作用，通過(guò)把發(fā)射極的電流折合到基極，在基極回路來(lái)濾波。R1，C2組成的濾波器使基極紋波很小，這樣射極的紋波也很小。由于C2的容量小于C3，減小了電容的體積。這種方式僅適合低壓小功率電源的情況。另外，在設(shè)計(jì)和選用濾波器時(shí)應(yīng)注意頻率特性、耐壓性能、額定電流、阻抗特性、屏蔽和可靠性。濾波器的安裝位置要恰當(dāng)，安裝方法要正確，才能對(duì)干擾起到預(yù)期的濾波作用。1．2 屏蔽技術(shù)和接地技術(shù) 采用屏蔽技術(shù)可以有效地抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁輻射干擾。屏蔽一般分為2種：一種是靜電屏蔽，主要用于防止靜電場(chǎng)和恒定磁場(chǎng)的影響；另一種是電磁屏蔽，主要用于防止交變電場(chǎng)、磁場(chǎng)以及交變電磁場(chǎng)的影響。屏蔽技術(shù)分為對(duì)發(fā)出電磁波部位的屏蔽和受電磁波影響的元器件的屏蔽。在開(kāi)關(guān)電源中，可發(fā)出電磁波的元器件是指變壓器、電感器、功率器件等，通常在其周?chē)捎勉~板或鐵板作為屏蔽，以使電磁波產(chǎn)生衰減。此外，為了抑制開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的輻射向外部發(fā)散，為了減少電磁干擾對(duì)其他電子設(shè)備的影響，應(yīng)采取整體屏蔽?？赏耆凑諏?duì)磁場(chǎng)屏蔽的方法來(lái)加工屏蔽罩，然后將整個(gè)屏蔽罩與系統(tǒng)的機(jī)殼和地連接為一體，就能對(duì)電磁場(chǎng)進(jìn)行有效的屏蔽。然而在使用整體屏蔽時(shí)應(yīng)充分考慮屏蔽材料的接縫、電線的輸入／輸出端子和電線的引出口等處的電磁泄露，且不易散熱，結(jié)構(gòu)成本大幅度增加等因素。為使電磁屏蔽能同時(shí)發(fā)揮靜電屏蔽的作用，加強(qiáng)屏蔽效果，同時(shí)保障人身和設(shè)備的安全，應(yīng)將系統(tǒng)與大地相連，即為接地技術(shù)。接地是指在系統(tǒng)的某個(gè)選定點(diǎn)與某個(gè)接地面之間建立導(dǎo)電的通路設(shè)計(jì)。這一過(guò)程是至關(guān)重要的，將接地和屏蔽正確結(jié)合起來(lái)可以更好地解決電磁干擾問(wèn)題，又可提高電子產(chǎn)品的抗干擾能力。1．3 PCB設(shè)計(jì)技術(shù) 為更好地抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾，其印制電路板(PCB)的抗干擾技術(shù)尤為重要。為減少PCB的電磁輻射和PCB上電路間的串?dāng)_，要非常注意PCB布局、布線和接地。如減少輻射干擾是減小通路面積，減小干擾源和敏感電路的環(huán)路面積，采用靜電屏蔽。而抑制電場(chǎng)與磁場(chǎng)的耦合，應(yīng)盡量增大線間距離。在開(kāi)關(guān)電源中接地是抑制干擾的重要方法。接地有安全接地、工作接地和屏蔽接地等3種基本類(lèi)型。地線設(shè)計(jì)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：交流電源地與直流電源地分開(kāi)；功率地與弱電地分開(kāi)；模擬電路與數(shù)字電路的電源地分開(kāi)；盡量加粗地線。1．4 擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù) 對(duì)于一個(gè)周期信號(hào)尤其是方波來(lái)說(shuō)，其能量主要分布在基頻信號(hào)和諧波分量中，諧波能量隨頻率的增加呈級(jí)數(shù)降低。由于n次諧波的帶寬是基頻帶寬的n倍，通過(guò)擴(kuò)頻技術(shù)將諧波能量分布在一個(gè)更寬的頻率范圍上。由于基頻和各次諧波能量減少，其發(fā)射強(qiáng)度也應(yīng)該相應(yīng)降低。要在開(kāi)關(guān)電源中采用擴(kuò)頻時(shí)鐘信號(hào)，需要對(duì)該電源開(kāi)關(guān)脈沖控制電路輸出的脈沖信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，形成擴(kuò)頻時(shí)鐘(如圖3所示)。與傳統(tǒng)的方法相比，采用擴(kuò)頻技術(shù)優(yōu)化開(kāi)關(guān)電源EMI既高效又可靠，無(wú)需增加體積龐大的濾波器件和繁瑣的屏蔽處理，也不會(huì)對(duì)電源的效率帶來(lái)任何負(fù)面影響。

1．5 一次整流電路中加功率因數(shù)校正(PFC)網(wǎng)絡(luò) 對(duì)于直流穩(wěn)壓電源，電網(wǎng)電壓通過(guò)變壓器降壓后直接通過(guò)整流電路進(jìn)行整流，所以整流過(guò)程中產(chǎn)生的諧波分量作為干擾直接影響交流電網(wǎng)的波形，使波形畸變，功率因數(shù)偏低。為了解決輸入電流波形畸變和降低電流諧波含量，將功率因數(shù)校正(PFC)技術(shù)應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中是非常必要的。PFC技術(shù)使得電流波形跟隨電壓波形，將電流波形校正成近似的正弦波，從而降低了電流諧波含量，改善了橋式整流電容濾波電路的輸入特性，提高了開(kāi)關(guān)電源的功率因數(shù)。其中無(wú)源功率因數(shù)校正電路是利用電感和電容等元件組成濾波器，將輸入電流波形進(jìn)行移相和整形過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)提高功率因數(shù)的。而有源功率因數(shù)校正電路是依據(jù)控制電路強(qiáng)迫輸入交流電流波形跟蹤輸入交流電壓波形的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)交流輸入電流正弦化，并與交流輸入電壓同步。兩種方法均使功率因數(shù)提高，后者效果更加明顯，但電路復(fù)雜。結(jié)語(yǔ) 本文的設(shè)計(jì)方法正確，仿真結(jié)果正常，克服了傳統(tǒng)方案中所存在的一些問(wèn)題，使電磁干擾的抑制技術(shù)得到進(jìn)一步優(yōu)化。從開(kāi)關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生的機(jī)理來(lái)看，有多種方式可抑制電磁干擾，除本文中分析的幾種主要方法外，還可以采用光電隔離器、LSA系列浪涌吸收器、軟開(kāi)關(guān)技術(shù)等。抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾，目的是使其能在各領(lǐng)域得到有效應(yīng)用的同時(shí)，盡量減少電磁污染，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電磁污染問(wèn)題的有效治理。而在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)全面考慮開(kāi)關(guān)電源的各種電磁干擾，選用多種抑制電磁干擾的方法加以綜合利用，使電磁干擾降到最低，從而提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。