第一篇：半導(dǎo)體封裝模具模盒內(nèi)主要部件材料選型

半導(dǎo)體封裝模具模盒內(nèi)主要部件材料選型

摘 要：通過對半導(dǎo)體封裝模具模盒內(nèi)的零件在不同工作環(huán)境和不同受力情況的分析，來合理的選用各零部件的材料，以達(dá)到模具的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和提高模具的使用壽命。

關(guān)鍵詞：環(huán)氧樹脂；耐磨性；脫模性

中圖分類號：TP391.72 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1671-2064（2018）10-0050-01

半導(dǎo)體的封裝模具是將芯片、金線以及引線框架一起用熱固性環(huán)氧樹脂保護(hù)起來的一種設(shè)備，該類模具一般250秒左右為一個開合模周期，每個周期根據(jù)封裝制品類型的不同，可封裝出幾十甚至數(shù)千只成品，且模具上設(shè)置有加熱裝置，使模具長期處在180度左右的高溫下工作，合模時的壓力也根據(jù)封裝制品的種類和數(shù)量的不同而有差異，一般合模工作壓力在150噸至350噸之間，由于半導(dǎo)體元器件的特殊工作環(huán)境，要求其具有良好的電性能和散熱能力，同時抗老化性、焊接性、抗壓性等都要較高的要求，因此引線框架、環(huán)氧樹脂等選型有較大的局限性，而半導(dǎo)體封裝模具是一種低溫?zé)嶙?、多腔位、熱固性擠塑模具，其結(jié)構(gòu)和材料選型等需要在滿足模具相對狹窄的條件下使用，既要保證其穩(wěn)定性，又要達(dá)到一定的使用壽命，還要結(jié)構(gòu)輕巧，操作方便。MGP模和AUTO模是目前市場上使用最為廣泛的封裝模具結(jié)構(gòu)，本文主要針對其中的模盒部分的材料選型和熱處理來做部分闡述。半導(dǎo)體封裝模具的工作環(huán)境及狀態(tài)

模盒部分是模具的核心部分，環(huán)氧樹脂在這里完成軟化，流動，成型，固化，制品脫模等過程，由于環(huán)氧樹脂內(nèi)含有硅粉等填料，流動的過程中對模具摩擦，產(chǎn)生熱能，使模具表面慢慢磨損、氧化，特別是流道、澆口等狹窄的進(jìn)料部位，磨損尤為嚴(yán)重，同時，模具為上下合模的方式運(yùn)動，為保證合模的精度，每個模盒一般都設(shè)計(jì)四個方向的定位導(dǎo)向機(jī)構(gòu)，用來防止上下模錯位而導(dǎo)致的模面受損和制品上下腔體錯位等缺陷，且模具長期在180度左右的高溫和較高的壓力下工作，模盒部分的零件需要滿足以下的技術(shù)特點(diǎn)：

1.1 加工特性良好

半導(dǎo)體產(chǎn)品對外觀要求非常嚴(yán)格，亞光面的產(chǎn)品需要外形粗糙度均勻一致，無表面異常凸起、花斑等現(xiàn)象，光面的產(chǎn)品需要產(chǎn)品表面平整無色差，這樣在后續(xù)激光打標(biāo)的步驟中才會使制品表面字跡清晰，不易擦花，因此對于封裝模具，必須提高鋼材純凈度和保證組織均勻，一般通過電渣重熔鋼（ESR）或真空弧溶解法（VAR）的冶煉方法來實(shí)現(xiàn)，粉末冶金也可實(shí)現(xiàn)，但成本會提高，一般用在較為重要的鑲件上。

1.2 基體剛性和耐壓性能

模具長期在高壓環(huán)境下工作，從而需要一定的剛性，如果剛性和耐壓強(qiáng)度不夠，會造成零件變形甚至開裂，成型部分和澆口部分的鑲條由于尺寸較小，剛性和韌性更為重要，要求材料硬度在HRC60以上，其余承壓部件的基體硬度要求HRC55以上。

1.3 耐磨損性

模具在工作當(dāng)中，澆道、澆口、腔體不斷與含有硅粉、玻璃纖維等填料的樹脂接觸，不斷摩擦并產(chǎn)生大量熱量，會使鑲條的流道的表面磨損，脫模斜度變小，澆口尺寸變大，增加樹脂用量的同時還不易制品脫模，影響了產(chǎn)品質(zhì)量，因此鑲件部分必須具有高耐磨性、超硬性等。

1.4 尺寸穩(wěn)定性

模具上核心零部件的尺寸公差一般在0.005mm以內(nèi)，且模具不一定24小時一直在工作，停機(jī)的時候加熱裝置不加熱，模具會冷卻至室溫狀態(tài)，需要工作的時候再重新加熱，為保證模具在反復(fù)加熱冷卻后尺寸不能發(fā)生變化，工作過程中還要保持零件尺寸穩(wěn)定，最少要求30萬模次內(nèi)鑲條長度變化小于0.02mm。

1.5 良好的脫模性和耐腐蝕性

優(yōu)良的脫模性可以保證產(chǎn)品品質(zhì)和生產(chǎn)效率，模具工作溫度在180℃附近，與環(huán)氧樹脂接觸，內(nèi)中解腐的塑料分子會對零件有腐蝕，洗模和脫模膠條也對鑲條有腐蝕作用，一般通過選用耐腐蝕性材料和對零件表面處理實(shí)現(xiàn)。

1.6 運(yùn)動軸類件需要有一定的耐磨性和抗拉強(qiáng)度

大部分軸類零件主要承受拉力和摩擦力，且受產(chǎn)品外形和模盒大小的限制，部分軸類零件（例如頂桿）的直徑尺寸較小，目前常用的頂桿直徑從0.5mm到3不等，所以要選用基體韌性強(qiáng)，表面硬度高的材料?；瘜W(xué)成分對材料的特性的影響

材料所具有的性能是由其化學(xué)成分組成所決定的，一般來講各種不同的合金元素決定和組合決定了鋼材的性能，盡管這些性能可能需要通過熱處理工藝實(shí)現(xiàn)，但本質(zhì)上還是其成份決定，合金元素的添加對材料的物理性能、化學(xué)性能、組織結(jié)構(gòu)的影響非常重要，例如碳的作用是提高鋼材淬透性，增加鋼材基體強(qiáng)度和耐磨性，但對鋼的韌性有一定的損失；鉻的作用可以極大程度提高鋼材淬透性，增加耐磨性、耐腐蝕性，資料表明含鉻12%以上的鋼材均具有良好的耐蝕性，同時鉻的存在與碳作用形成合金碳化物，進(jìn)一步提高了耐磨性；鉬（Mo）、鎢（W）、釩（V）、鈷（Co）等元素的添加有效地提高了鋼材在高溫下的搞回火穩(wěn)定性，保持組織穩(wěn)定，制約了鋼材在高溫加熱時晶粒長大的趨勢，降低了鋼材的過熱敏感性，從而提高了鋼材的韌性。模盒內(nèi)不同部位零件的材料選型：

3.1 成型鑲條、澆口鑲條的材料選型

模盒內(nèi)的成型鑲條、澆口鑲條一般選用耐磨性好、硬度高、加工性能良好的粉末冶金鋼，如ASP23，ASP30等，此等材料要求在熱處理工藝中通過多次深冷處理與高溫回火來保證，并要求在200℃*72h時效后，前后尺寸變化值（RCD）為±10*10-6范圍內(nèi)，工件需要在真空狀態(tài)下回火，脫碳氧化，且采用多段不同溫度回火，保證了材料的光亮和表面潔凈度，深冷處理需要在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行，避免了水氣泄露對工件外觀成色的損害，對于特殊要求的產(chǎn)品澆口部位可以采用拼裝硬質(zhì)合金材料，例如F20、CD650等。

3.2 起支撐作用的零部件材料選型

對于支撐基體零件，例如鑲件座、支撐柱、頂針推板等，一般選用淬火硬度HRC57-HRC60左右、材料熱膨脹系數(shù)與鑲條接近的冷作模具鋼，例如Cr12Mo1V1，SLD等；而對于模盒墊板這類經(jīng)常拆卸模盒時來回運(yùn)動的零件，考慮其剛性摩擦的工作環(huán)境，一般選用SUS440C，此類材料作為墊板使用，表面可不用電鍍，避免摩擦引起的鉻層脫落導(dǎo)致厚度尺寸變化。

3.3 軸類零件的材料選型

模盒內(nèi)的軸類零件分為兩類，一類是參與注射成型的pot和plunger，該零件是向樹脂傳遞壓力的主要零件，且兩個零件之間一直在做往復(fù)的軸類運(yùn)動，兩者之間的間隙中還有樹脂粉末隨著一起運(yùn)動，受到的擠壓力和摩擦力非常大，不管是與樹脂接觸的斷面，還是兩個零件之間相互摩擦的面，都特別容易磨損，所以該零件的選材一般選用硬質(zhì)合金，例如F10，同時表面和內(nèi)壁需要研磨至鏡面，或者選用淬火后韌性較強(qiáng)的工具鋼M2，加工成品后表面做納米涂層處理，增加摩擦面的表面硬度和耐磨性，另一類軸類零件是起頂出作用的頂桿和復(fù)位桿，該類零件主要起封裝制品的頂出脫模作用，且數(shù)量眾多，單個零件受壓力不大，主要是復(fù)位的時候受拉力和運(yùn)動時與孔的摩擦力，所以一般選用淬火后硬度HRC60左右的材料，列如SKH51，該類材料基體韌性較強(qiáng)，特別是尾端做部分退火處理，降低肩部硬度，可以避免回退的時候拉斷。

3.4 定位及導(dǎo)向類零部件材料選型

起上下模定位和導(dǎo)向作用的零件一般稱之為精定位塊，該類零件是使模具對模準(zhǔn)確以及保證封裝制品偏錯位的重要零件，其主要承受上下運(yùn)動的摩擦力和橫向的剪切力，且一般四個方向均設(shè)計(jì)有精定位塊，所以該類零件一般選用硬度HRC68以上的粉末冶金鋼，例如ASP60，或者硬質(zhì)合金，例如CD650、F10等，表面需要精磨或者拋光處理，減小摩擦阻力。結(jié)語

半導(dǎo)體封裝模具的發(fā)展也有很長一段時間，而目前使用綠色環(huán)保樹脂已經(jīng)是行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)，樹脂的牌號也在不斷更新，其流動性、粘度、電性能都在不斷的變化，為適應(yīng)不同牌號的樹脂，模具的材料?x型也在不斷變化，但不管選用何種材料，最終的目的是能在封裝出合格制品的前提下提高模具壽命，降低維護(hù)成本，提升加工性能。

第二篇：半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)可行性研究報(bào)告2

半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)可行性研究報(bào)告2.txt不要放棄自己！-------（媽媽曾經(jīng)這樣對我說，轉(zhuǎn)身出門的一剎那，我淚流滿面，卻不想讓任何人看見?。┛吹竭@一句 小編也心有感觸，想起當(dāng)初離家前往幾千里外的地方的時候，媽媽也說過類似的話，但是身為男兒，必須創(chuàng)出一片天，才能報(bào)答父母的養(yǎng)育之恩！

半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)可行性研究報(bào)告 用于投資者前期的市場調(diào)查、項(xiàng)目預(yù)可研。第一章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)計(jì)劃

一、項(xiàng)目建設(shè)目標(biāo)

二、項(xiàng)目建設(shè)計(jì)劃的構(gòu)成

第二章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目行業(yè)背景分析

一、中國宏觀經(jīng)濟(jì)形勢分析

二、行業(yè)發(fā)展分析

（一）行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

（二）金融危機(jī)對半導(dǎo)體封裝行業(yè)發(fā)展的影響

（三）行業(yè)發(fā)展趨勢

第三章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目市場分析

一、供需分析

二、價格分析

三、產(chǎn)業(yè)鏈分析

四、競爭分析

（一）行業(yè)核心競爭力分析

（二）競爭策略分析

（三）替代性分析

第四章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目業(yè)務(wù)發(fā)展

一、發(fā)展戰(zhàn)略

（一）戰(zhàn)略定位

（二）發(fā)展策略

二、經(jīng)營目標(biāo)及其實(shí)現(xiàn)模式

三、業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃

（一）人員擴(kuò)充計(jì)劃

（二）市場開發(fā)戰(zhàn)略

第五章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投資估算與資金籌措

一、投資估算依據(jù)

二、投資估算

第六章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度

一、項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃

二、項(xiàng)目進(jìn)度及施工期測算

第七章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)分析

一、項(xiàng)目收益期及折現(xiàn)率的測算

（一）財(cái)務(wù)預(yù)測說明

（二）項(xiàng)目收益期的確定

（三）折現(xiàn)率的選取

二、項(xiàng)目收益測算

（一）營業(yè)收入測算與銷售稅金及附加估算

（二）項(xiàng)目主營業(yè)務(wù)成本測算

（三）項(xiàng)目期間費(fèi)用估算

（四）項(xiàng)目利潤測算

（五）項(xiàng)目還款資金測算

三、項(xiàng)目凈現(xiàn)金流的測算

四、項(xiàng)目財(cái)務(wù)指標(biāo)分析

五、財(cái)務(wù)預(yù)測假設(shè)條件

六、經(jīng)濟(jì)效益分析結(jié)果

第八章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目風(fēng)險分析

一、政策風(fēng)險

二、產(chǎn)業(yè)鏈風(fēng)險

三、市場風(fēng)險

四、其他風(fēng)險

第九章 結(jié)論與建議

一、結(jié)論

二、項(xiàng)目建議

編制機(jī)構(gòu)：千訊（北京）信息咨詢有限公司 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 政府立項(xiàng)、申請土地、銀行貸款、招商引資、投資合作等。第一章 總論

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目背景 1．項(xiàng)目名稱 2．承辦單位概況

3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目可行性研究報(bào)告編制依據(jù) 4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目提出的理由與過程

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目概況

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目擬建地點(diǎn)

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模與目的 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要建設(shè)條件

4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投入總資金及效益情況 5．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)

三、項(xiàng)目可行性與必要性

四、問題與建議

第二章 市場預(yù)測

一、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品市場供應(yīng)預(yù)測

1．國內(nèi)外半導(dǎo)體封裝市場供應(yīng)現(xiàn)狀 2．國內(nèi)外半導(dǎo)體封裝市場供應(yīng)預(yù)測

二、產(chǎn)品市場需求預(yù)測

1．國內(nèi)外半導(dǎo)體封裝市場需求現(xiàn)狀 2．國內(nèi)外半導(dǎo)體封裝市場需求預(yù)測

三、產(chǎn)品目標(biāo)市場分析

1．半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品目標(biāo)市場界定 2．市場占有份額分析

四、價格現(xiàn)狀與預(yù)測

1．半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品國內(nèi)市場銷售價格 2．半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品國際市場銷售價格

五、市場競爭力分析

1．主要競爭對手情況

2．產(chǎn)品市場競爭力優(yōu)勢、劣勢 3．營銷策略

六、市場風(fēng)險

第三章 資源條件評價

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資源可利用量

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資源品質(zhì)情況

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資源賦存條件

四、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資源開發(fā)價值

第四章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案

一、建設(shè)規(guī)模

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模方案比選 2．推薦方案及其理由

二、產(chǎn)品方案

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目產(chǎn)品方案構(gòu)成 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目產(chǎn)品方案比選 3．推薦方案及其理由

第五章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址選擇

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址所在位置現(xiàn)狀 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目地點(diǎn)與地理位置

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址土地權(quán)所屬類別及占地面積 3．土地利用現(xiàn)狀

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址建設(shè)條件 1．地形、地貌、地震情況 2．工程地質(zhì)與水文地質(zhì) 3．氣候條件

4．城鎮(zhèn)規(guī)劃及社會環(huán)境條件 5．交通運(yùn)輸條件

6．公用設(shè)施社會依托條件（水、電、氣、生活福利）7．防洪、防潮、排澇設(shè)施條件 8．環(huán)境保護(hù)條件 9．法律支持條件

10．征地、拆遷、移民安置條件 11．施工條件

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址條件比選 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)條件比選 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)投資比選 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目運(yùn)營費(fèi)用比選 4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目推薦場址方案 5．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址地理位置圖

第六章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目技術(shù)方案、設(shè)備方案和工程方案

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目技術(shù)方案

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目生產(chǎn)方法（包括原料路線）2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目工藝流程 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目工藝技術(shù)來源

4．推薦方案的主要工藝（生產(chǎn)裝置）流程圖、物料平衡圖，物料消耗定額表

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要設(shè)備方案 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要設(shè)備選型

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要設(shè)備來源（進(jìn)口設(shè)備應(yīng)提出供應(yīng)方式）3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目推薦方案的主要設(shè)備清單

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目工程方案

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要建、構(gòu)筑物的建筑特征、結(jié)構(gòu)及面積方案 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目礦建工程方案 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目特殊基礎(chǔ)工程方案

4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建筑安裝工程量及“三材”用量估算 5．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要建、構(gòu)筑物工程一覽表

第七章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要原材料、燃料供應(yīng)

一、主要原材料供應(yīng)

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要原材料品種、質(zhì)量與年需要量 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要輔助材料品種、質(zhì)量與年需要量 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目原材料、輔助材料來源與運(yùn)輸方式

二、燃料供應(yīng)

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目燃料品種、質(zhì)量與年需要量 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目燃料供應(yīng)來源與運(yùn)輸方式

三、主要原材料、燃料價格

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目原材料、燃料價格現(xiàn)狀 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要原材料、燃料價格預(yù)測

四、編制主要原材料、燃料年需要量表

第八章 總圖、運(yùn)輸與公用輔助工程

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目總圖布置 1．平面布置 2．豎向布置

（1）場區(qū)地形條件

（2）豎向布置方案

（3）場地標(biāo)高及土石方工程量 3．總平面布置圖

4．總平面布置主要指標(biāo)表

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場內(nèi)外運(yùn)輸 1．場外運(yùn)輸量及運(yùn)輸方式 2．場內(nèi)運(yùn)輸量及運(yùn)輸方式 3．場內(nèi)運(yùn)輸設(shè)施及設(shè)備

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目公用輔助工程 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目給排水工程

（1）給水工程。用水負(fù)荷、水質(zhì)要求、給水方案

（2）排水工程。排水總量、排水水質(zhì)、排放方式和泵站管網(wǎng)設(shè)施 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目供電工程

（1）供電負(fù)荷（年用電量、最大用電負(fù)荷）

（2）供電回路及電壓等級的確定

（3）電源選擇

（4）場內(nèi)供電輸變電方式及設(shè)備設(shè)施 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目通信設(shè)施

（1）通信方式

（2）通信線路及設(shè)施 4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目供熱設(shè)施

5．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目空分、空壓及制冷設(shè)施 6．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目維修設(shè)施 7．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目倉儲設(shè)施

第九章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目節(jié)能措施

一、節(jié)能措施

二、能耗指標(biāo)分析

第十章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目節(jié)水措施

一、節(jié)水措施

二、水耗指標(biāo)分析

第十一章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目環(huán)境影響評價

一、場址環(huán)境條件

二、項(xiàng)目建設(shè)和生產(chǎn)對環(huán)境的影響

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)對環(huán)境的影響

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目生產(chǎn)過程產(chǎn)生的污染物對環(huán)境的影響

三、環(huán)境保護(hù)措施方案

四、環(huán)境保護(hù)投資

五、環(huán)境影響評價 第十二章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目勞動安全衛(wèi)生與消防

一、危害因素和危害程度 1．有毒有害物品的危害 2．危險性作業(yè)的危害

二、安全措施方案

1．采用安全生產(chǎn)和無危害的工藝和設(shè)備 2．對危害部位和危險作業(yè)的保護(hù)措施 3．危險場所的防護(hù)措施

4．職業(yè)病防護(hù)和衛(wèi)生保健措施

三、消防設(shè)施

1．火災(zāi)隱患分析 2．防火等級 3．消防設(shè)施

第十三章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目組織機(jī)構(gòu)

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目法人組建方案

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目管理機(jī)構(gòu)組織方案和體系圖 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目機(jī)構(gòu)適應(yīng)性分析

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目人力資源配置 1．生產(chǎn)作業(yè)班次

2．勞動定員數(shù)量及技能素質(zhì)要求 3．職工工資福利

4．勞動生產(chǎn)率水平分析 5．員工來源及招聘方案 6．員工培訓(xùn)計(jì)劃

第十四章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)工期

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度安排

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度表（橫線圖）

第十五章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投資估算

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投資估算依據(jù)

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)投資估算 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建筑工程費(fèi)

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目設(shè)備及工器具購置費(fèi) 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目安裝工程費(fèi)

4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目工程建設(shè)其他費(fèi)用 5．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目基本預(yù)備費(fèi) 6．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目漲價預(yù)備費(fèi) 7．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目建設(shè)期利息

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目流動資金估算

四、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投資估算表 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投入總資金估算匯總表 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目單項(xiàng)工程投資估算表 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目分年投資計(jì)劃表 4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目流動資金估算表

第十六章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目融資方案

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資本金籌措

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目債務(wù)資金籌措

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目融資方案分析

第十七章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)評價

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)評價基礎(chǔ)數(shù)據(jù)與參數(shù)選取 1．財(cái)務(wù)價格

2．計(jì)算期與生產(chǎn)負(fù)荷 3．財(cái)務(wù)基準(zhǔn)收益率設(shè)定 4．其他計(jì)算參數(shù)

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目銷售收入估算（編制銷售收入估算表）

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目成本費(fèi)用估算（編制總成本費(fèi)用估算表和分項(xiàng)成本估算表）

四、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)評價報(bào)表

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)現(xiàn)金流量表 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目損益和利潤分配表 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資金來源與運(yùn)用表 4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目借款償還計(jì)劃表

五、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)評價指標(biāo) 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目盈利能力分析

（1）項(xiàng)目財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率

（2）資本金收益率

（3）投資各方收益率

（4）財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值（5）投資回收期

（6）投資利潤率

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目償債能力分析（借款償還期或利息備付率和償債備付率）

六、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目不確定性分析

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目敏感性分析（編制敏感性分析表，繪制敏感性分析圖）2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目盈虧平衡分析（繪制盈虧平衡分析圖）

七、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)評價結(jié)論

第十八章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)評價

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目影子價格及通用參數(shù)選取

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目效益費(fèi)用范圍調(diào)整 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目轉(zhuǎn)移支付處理

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目間接效益和間接費(fèi)用計(jì)算

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目效益費(fèi)用數(shù)值調(diào)整 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投資調(diào)整 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目流動資金調(diào)整 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目銷售收入調(diào)整 4．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目經(jīng)營費(fèi)用調(diào)整

四、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)效益費(fèi)用流量表 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)效益費(fèi)用流量表

2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國內(nèi)投資國民經(jīng)濟(jì)效益費(fèi)用流量表

五、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)評價指標(biāo) 1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)內(nèi)部收益率 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)凈現(xiàn)值

六、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)評價結(jié)論

第十九章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目社會評價

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目對社會的影響分析

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目與所在地互適性分析

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目利益群體對項(xiàng)目的態(tài)度及參與程度 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目各級組織對項(xiàng)目的態(tài)度及支持程度 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目地區(qū)文化狀況對項(xiàng)目的適應(yīng)程度

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目社會風(fēng)險分析

四、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目社會評價結(jié)論

第二十章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目風(fēng)險分析

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要風(fēng)險因素識別

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目風(fēng)險程度分析

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目風(fēng)險防范和降低風(fēng)險對策

第二十一章 半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目可行性研究結(jié)論與建議

一、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目推薦方案的總體描述

二、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目推薦方案的優(yōu)缺點(diǎn)描述 1．優(yōu)點(diǎn) 2．存在問題

3．主要爭論與分歧意見

三、半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要對比方案 1．方案描述

2．未被采納的理由

四、結(jié)論與建議

第二十二章 附圖、附表、附件

一、附圖

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目場址位置圖 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目工藝流程圖 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目總平面布置圖

二、附表

1．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投資估算表

（1）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目投入總資金估算匯總表（2）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目主要單項(xiàng)工程投資估算表（3）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目流動資金估算表 2．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)評價報(bào)表

（1）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目銷售收入、銷售稅金及附加估算表

（2）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目總成本費(fèi)用估算表

（3）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目財(cái)務(wù)現(xiàn)金流量表

（4）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目損益和利潤分配表

（5）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目資金來源與運(yùn)用表

（6）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目借款償還計(jì)劃表 3．半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)評價報(bào)表

（1）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國民經(jīng)濟(jì)效益費(fèi)用流量表

（2）半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目國內(nèi)投資國民經(jīng)濟(jì)效益費(fèi)用流量表

第三篇：晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程.txt-兩個人同時犯了錯，站出來承擔(dān)的那一方叫寬容，另一方欠下的債，早晚都要還。-不愛就不愛,別他媽的說我們合不來。A.晶圓封裝測試工序

一、IC檢測

1.缺陷檢查Defect Inspection 2.DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。3.CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。

二、IC封裝

1.構(gòu)裝（Packaging）

IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿╠ie saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗(yàn)（inspection）等。(1 晶片切割（die saw）

晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M微量。

欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。(2 黏晶（die mount / die bond）

黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置于導(dǎo)線架上并以銀膠（epoxy）粘著固定。黏晶完成后之導(dǎo)線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至彈匣（magazine）內(nèi)，以送至下一制程進(jìn)行焊線。(3 焊線（wire bond）

IC構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（Integrated Circuit；簡稱IC），此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。(4 封膠（mold）

封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導(dǎo)線架置于框架上并預(yù)熱，再將框架置于壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填并待硬化。(5 剪切/成形（trim / form）

剪切之目的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨(dú)立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機(jī)配上多套不同制程之模具，加上進(jìn)料及出料機(jī)構(gòu)所組成。

(6 印字（mark）及電鍍（plating）

印字乃將字體印于構(gòu)裝完的膠體之上，其目的在于注明商品之規(guī)格及制造者等資訊。(7 檢驗(yàn)（inspection）

晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合與使用。其中項(xiàng)目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗(yàn)。(8 封裝

制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導(dǎo)線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。2.測試制程（Initial Test and Final Test）(1 芯片測試（wafer sort）(2 芯片目檢（die visual）(3 芯片粘貼測試（die attach）(4 壓焊強(qiáng)度測試（lead bond strength）(5 穩(wěn)定性烘焙（stabilization bake）(6 溫度循環(huán)測試（temperature cycle）(7 離心測試（constant acceleration）(8 滲漏測試（leak test）(9 高低溫電測試(10 高溫老化（burn-in）

(11 老化后測試（post-burn-in electrical test B.半導(dǎo)體制造工藝流程

NPN高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：

外延片——編批——清洗——水汽氧化——一次光刻——檢查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗—— UDO淀積——清洗——硼再擴(kuò)散——二次光刻——檢查——單結(jié)測試——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——鋁下CVD——清洗——發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散——三次光刻——檢查——雙結(jié)測試——清洗——鋁蒸發(fā)——四次光刻——檢查——?dú)錃夂辖稹驕y試——清洗——鋁上CVD——檢查——五次光刻——檢查——氮?dú)夂姹骸獧z查——中測——中測檢查——粘片——減薄——減薄后處理——檢查——清洗——背面蒸發(fā)——貼膜——劃片——檢查——裂片——外觀檢查——綜合檢查——入中間庫。PNP小功率晶體管制造的工藝流程為：

外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查（tox）——一次光刻——QC檢查——前處理——基區(qū)CSD涂覆——CSD預(yù)淀積——后處理——QC檢查（R□）——前處理——基區(qū)氧化擴(kuò)散——QC檢查（tox、R□）——二次光刻——QC檢查——單結(jié)測試——前處理——POCl3預(yù)淀積——后處理（P液）——QC檢查——前處理——發(fā)射區(qū)氧化——QC 檢查（tox）——前處理——發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散（R□）——前處理——鋁下CVD——QC檢查（tox、R□）——前處理——HCl氧化——前處理——?dú)錃馓幚怼喂饪獭猀C檢查——追擴(kuò)散——雙結(jié)測試——前處理——鋁蒸發(fā)——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮?dú)夂辖稹獨(dú)夂姹骸猀C檢查（ts）——五次光刻——QC檢查——大片測試——中測——中測檢查（——粘片——減薄——減薄后處理——檢查——清洗——背面蒸發(fā)—— 貼膜——劃片——檢查——裂片——外觀檢查）——綜合檢查——入中間庫。GR平面品種（小功率三極管）工藝流程為：

編批——擦片 ——前處理——一次氧化——QC檢查（tox）——一次光刻——QC檢查——前處理——基區(qū)干氧氧化——QC檢查（tox）——一GR光刻（不腐蝕）—— GR硼注入——濕法去膠——前處理——GR基區(qū)擴(kuò)散——QC檢查（Xj、R□）——硼注入——前處理——基區(qū)擴(kuò)散與氧化——QC檢查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC檢查——單結(jié)測試——前處理——發(fā)射區(qū)干氧氧化——QC檢查（tox）——磷注入——前處理——發(fā)射區(qū)氧化和再擴(kuò)散——前處理 ——POCl3預(yù)淀積（R□）——后處理——前處理——鋁下CVD——QC檢查（tox）——前處理——氮?dú)馔嘶稹喂饪獭猀C檢查——雙結(jié)測試 ——前處理——鋁蒸發(fā)——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮?dú)夂辖稹獨(dú)夂姹骸驕y試——五次光刻——QC檢查——大片測試——中測編批——中測——中測檢查——入中間庫。雙基區(qū)節(jié)能燈品種工藝流程為：

編批——擦片——前處理——一次氧化——QC 檢查（tox）——一次光刻——QC檢查——前處理——基區(qū)干氧氧化——QC檢查（tox）——一硼注入——前處理——基區(qū)擴(kuò)散——后處理——QC檢查（Xj、R□）——前處理——基區(qū)CSD涂覆——CSD預(yù)淀積——后處理——QC檢查（R□）——前處理——基區(qū)氧化與擴(kuò)散——QC檢查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC檢查——單結(jié)測試——磷注入——前處理——發(fā)射區(qū)氧化——前處理——發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散——前處理——POCl3預(yù)淀積（R□）—— 后處理——前處理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC檢查——雙結(jié)測試——前處理——鋁蒸發(fā)——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查 ——前處理——氮?dú)浜辖稹獨(dú)夂姹骸驕y試（ts）——外協(xié)作（ts）——前處理——五次光刻——QC檢查——大片測試——測試ts——中測編批 ——中測——中測檢查——入中間庫。

變?nèi)莨苤圃斓墓に嚵鞒虨椋?/p>

外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查—— N+光刻——QC檢查——前處理——干氧氧化——QC檢查——P+注入——前處理——N+擴(kuò)散——P+光刻——QC檢查——硼注入1——前處理—— CVD（LTO）——QC檢查——硼注入2——前處理——LPCVD——QC檢查——前處理——P+擴(kuò)散——特性光刻——電容測試——是否再加擴(kuò)——電容測試——......（直到達(dá)到電容測試要求）——三次光刻——QC檢查——前處理——鋁蒸發(fā)——QC檢查（tAl）——鋁反刻——QC檢查——前處理 ——?dú)錃夂辖稹獨(dú)夂姹骸笃瑴y試——中測——電容測試——粘片——減薄——QC檢查——前處理——背面蒸發(fā)——綜合檢查——入中間庫。

P+擴(kuò)散時間越長，相同條件下電容越小。穩(wěn)壓管（N襯底）制造的工藝流程為：

外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查——P+光刻——QC檢查——前處理——干氧氧化——QC檢查——硼注入——前處理——鋁下 UDO——QC檢查——前處理——P+擴(kuò)散——特性光刻——擴(kuò)散測試（反向測試）——前處理——是否要P+追擴(kuò)——三次光刻——QC檢查——前處理——鋁蒸發(fā)——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮?dú)夂辖稹獨(dú)夂姹骸笃瑴y試——中測。P+擴(kuò)散時間越長，相同條件下反向擊穿電壓越高。肖特基二極管基本的制造工藝流程為：

編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查（tox）——P+光刻——QC檢查——硼注入——前處理——P+擴(kuò)散與氧化——QC檢查（Xj，R□，tox）——三次光刻——QC檢查——前處理——鉻濺射前泡酸——鉻濺射——QC檢查（tcr）——先行片熱處理——先行片后處理——特性檢測（先行片：VBR，IR）——熱處理——后處理——特性測試（VBR，IR）——前處理——鈦/鋁蒸發(fā)——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮?dú)夂辖鹣刃校╒BR，IR）——氮?dú)夂辖稹匦詼y試（VBR，IR）——大片測試——中測——反向測試（抗靜電測試）——中測檢驗(yàn) ——如中轉(zhuǎn)庫。

第四篇：第一章 半導(dǎo)體器件 模電教師教案

模擬電子技術(shù)

教案

授課人：王旭東

第一章 半導(dǎo)體器件

課時分配: 6學(xué)時

目的要求：了解半導(dǎo)體二極管；穩(wěn)壓管；晶體管和MOS場效應(yīng)管的工作原理和主要參數(shù)。

重 點(diǎn)：PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?；二極管的伏安特性曲線；三極管的電流分配方式和電流放大作用。

難 點(diǎn)：二極管的基本電路及分析方法；二極管的伏安特性曲線；三極管的電流分配方式和電流放大作用。

教 學(xué)

方法手段: 結(jié)合多媒體電子課件, 啟發(fā)式、互動式講解；屏幕投影、黑板、模型實(shí)物及實(shí)物投影四體合一課堂教學(xué)手段；理論講解和電路仿真同步。

教 具： 電子課件、計(jì)算機(jī)、投影、電子展臺。

新 授： 0 引言

模擬電子電路的核心是半導(dǎo)體器件，而半導(dǎo)體器件是由半導(dǎo)體材料制成的。因此，我們必須首先了解半導(dǎo)體的有關(guān)知識，尤其應(yīng)當(dāng)了解半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。1.1 半導(dǎo)體的特性

物質(zhì)按其導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱，可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。

一、導(dǎo)體

導(dǎo)電能力很強(qiáng)的物質(zhì)，叫導(dǎo)體。如低價元素銅、鐵、鋁等。

二、絕緣體

導(dǎo)電能力很弱，基本上不導(dǎo)電的物質(zhì),叫絕緣體.如高價惰性氣體和橡膠、陶瓷、塑料等高分子材料等.三、半導(dǎo)體

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，叫半導(dǎo)體。如硅、鍺等四價元素，其簡化原子結(jié)構(gòu)模型如圖1.1.1所示。

為什么物質(zhì)的導(dǎo)電能力有如此大的差別呢？這與它們的原子結(jié)構(gòu)有關(guān)，即與它們的原子最外層的電子受其原子核束縛力的強(qiáng)弱有關(guān)。1.1.1 本征半導(dǎo)體

純凈且呈現(xiàn)晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，叫本征半導(dǎo)體。

一、本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

通過特殊工藝加工，可以使硅或鍺元素的原子之間靠共有電子對—共價鍵，形成非常規(guī)則的晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。結(jié)果每個原子外層相對排滿８個電子，形成相對穩(wěn)定的狀態(tài)。這種結(jié)構(gòu)整齊且單一的純凈半導(dǎo)體，叫本征半導(dǎo)體。如圖1.1.3所示

二.本征激發(fā)

在常溫下，由于熱能的激發(fā)，使本征半導(dǎo)體共價鍵中的價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子。同時，在共價鍵中留下一個空位，叫空穴。這種產(chǎn)生自由電子和空穴對的現(xiàn)象，叫本征激發(fā)。溫度一定，自由電子和空穴對的濃度也一定。

由于本征激發(fā)而在本征半導(dǎo)體中存在一定濃度的自由電子（帶負(fù)電荷）和空穴（帶正電荷）對，故其具有導(dǎo)電能力，但其導(dǎo)電能力有限。1.1.3 雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入適量且適當(dāng)?shù)钠渌兀ń须s質(zhì)元素），就形成雜質(zhì)半導(dǎo)體，其導(dǎo)電能力將大大增強(qiáng)。

一、Ｎ型半導(dǎo)體

在硅或鍺本征半導(dǎo)體中摻入適量的五價元素（如磷），則磷原子與其周圍相鄰的四個硅或鍺原子之間形成共價鍵后，還多出一個電子，這個多出的電子極易成為自由電子參與導(dǎo)電。同時,因本征激發(fā)還產(chǎn)生自由電子和空穴對。結(jié)果,自由電子成為多數(shù)載流子(稱多子),空穴成為少數(shù)載流子(稱少子)。這種主要依靠多數(shù)載流子自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體，叫N型半導(dǎo)體，如圖1.1.4所示。

二、P型半導(dǎo)體

在硅或鍺本征半導(dǎo)體中，摻入適量的三價元素（如硼），則硼原子與周圍的四個硅或鍺原子形成共價鍵后，還留有一個空穴。同時，因本征激發(fā) 還產(chǎn)生自由電子和空穴對。結(jié)果，空穴成為多子，自由電子成為少子。這種主要依靠多子空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體，叫P型半導(dǎo)體。如圖1.1.5所示。

無外電場作用時，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體對外均呈現(xiàn)電中性，其內(nèi)部無電流。

本征半導(dǎo)體、P型和N型半導(dǎo)體都不能單獨(dú)構(gòu)成半導(dǎo)體器件，PN結(jié)才是構(gòu)成半導(dǎo)體器件的基本單元。1.2 半導(dǎo)體二極管

半導(dǎo)體二極管是利用雜質(zhì)半導(dǎo)體做成的。1.2.1 PN結(jié)的形成

一、多數(shù)載流子的擴(kuò)散

在P型和N型半導(dǎo)體交界面兩側(cè),電子和空穴的濃度差很大。在濃度差的作用下，P區(qū)中的多子空穴向N區(qū)擴(kuò)散,在P區(qū)一側(cè)留下雜質(zhì)負(fù)離子,在N區(qū)一側(cè)集中正電荷;同時，N區(qū)中的多子自由電子向P區(qū)擴(kuò)散，在N區(qū)一側(cè)留下雜質(zhì)正離子，在P區(qū)一側(cè)集中負(fù)電荷。結(jié)果，在P型和N型半導(dǎo)體交界面處形成空間電荷區(qū)，自建內(nèi)電場ε內(nèi)（從N區(qū)指向P區(qū)），如圖1-6所示。

二、少數(shù)載流子的漂移

在內(nèi)電場的作用下，P區(qū)中的少子自由電子向N區(qū)漂移，而N區(qū)中的少子空穴向P區(qū)飄移，使內(nèi)電場削弱。

三、擴(kuò)散與漂移的動態(tài)平衡 當(dāng)內(nèi)電場達(dá)到一定值時，多子的擴(kuò)散運(yùn)動與少子的漂移運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)不再變化，這個空間電荷區(qū)，就稱為PN結(jié)。

空間電荷區(qū)無載流子停留，故曰耗盡層，又叫阻擋層或勢壘層。無外電場作用時，PN結(jié)內(nèi)部雖有載流子運(yùn)動，但無定向電流形成。1.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?/p>

一、PN結(jié)加正向電壓

PN結(jié)加正向電壓（正偏）時，外電場與內(nèi)電場反方向，使空間電荷區(qū)變窄，多子的擴(kuò)散運(yùn)動遠(yuǎn)大于少子的漂移運(yùn)動，由濃度大的多子擴(kuò)散形成較大的正向電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時，其正向通態(tài)電阻很小，正向通態(tài)管壓降也很小。

二、PN結(jié)加反向電壓

PN結(jié)加反向電壓（反偏）時，外電場與內(nèi)電場同方向，使空間電荷區(qū)變寬，多子擴(kuò)散運(yùn)動大大減弱，而少子的漂移運(yùn)動相對加強(qiáng)，由濃度很小的少子漂移形成很小的反向飽和電流IS,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。此時，反向電阻很大。

PN結(jié)正偏時導(dǎo)通，反偏時截止，故具有單向?qū)щ娞匦?。其特性曲線如 圖1-8所示，電壓U與電流I的關(guān)系式為

ID=IS（e?1）

三、反向擊穿

當(dāng)PN結(jié)所加反向電壓達(dá)到UB時，其反向電流急劇增加，叫反向擊穿，UB叫擊穿電壓。

PN結(jié)有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種擊穿狀態(tài)。無論處于何種擊穿時，反向電流只要不超過允許值，去掉反向電源后，仍能恢復(fù)單向?qū)щ娦浴?/p>

四、PN結(jié)的電容效應(yīng) 1.勢壘電容CT 當(dāng)PN結(jié)的反偏電壓變化時，空間電荷區(qū)隨之變寬（相當(dāng)于充入電荷）或變窄（相當(dāng)于放出電荷），故具有電容效應(yīng)，叫勢壘電容，用CT表示。2.擴(kuò)散電容CD 當(dāng)PN結(jié)的正偏電壓變化時，P區(qū)和N 區(qū)中多子的濃度和濃度梯度均隨之變化，也具有一定的電容效應(yīng)，叫擴(kuò)散電容，用CD表示 3.PN結(jié)的結(jié)電容CJ CJ=CT+CD

正偏時，CD起主要作用；反偏時，CT起主要作用。1.2.3 半導(dǎo)體二極管 一、二極管的結(jié)構(gòu)

給PN結(jié)加上兩個引線（管腳）和管殼即成二極管，接P區(qū)的管腳稱陽極，接N區(qū)的管腳稱陰極。二、二極管的類型 1.按結(jié)構(gòu)區(qū)分

點(diǎn)接觸型：PN結(jié)面積小，工作電流小，PN結(jié)電容小，工作頻率高。面接觸型：PN結(jié)面積大，工作電流大，PN結(jié)電容大，工作頻率低。2.按工作頻率區(qū)分 有高頻管和低頻管。3.按功率區(qū)分

有大功率管和小功率管。4.按用途區(qū)分

有普通管、整流管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管等等。三、二極管的特性

1.正向特性，與PN結(jié)相同 UPUT2.反向特性，與PN結(jié)相同 3.擊穿特性，與PN結(jié)相同

4.溫度特性，溫度升高時，二極管的正反向特性曲線均向縱軸靠近。

四、主要參數(shù)

1.最大整流電流IF，又叫額定電流。2.最大反向工作電壓UR，又叫額定電壓。3.反向飽和電流IS。

4.反向電流IR，二極管未擊穿時的電流值。5.最高工作頻率fM。

6.直流電阻RD：RD=UD/IF，如圖1-14所示。

7.交流電阻rd：RD=ΔUD/ΔID=dud/did,如圖1-15所示。

rd系指某一工作點(diǎn)的動態(tài)電阻。常溫下，rd=UT/ID=26(mv)/IDQ IDQ為直流工作點(diǎn)的電流，單位為mA 1.2.4 穩(wěn)壓二極管

一、結(jié)構(gòu)

結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，只是摻雜濃度比普通二極管大得多，通常為硅材料穩(wěn)壓二極管。

二、特性

正向特性曲線與普通二極管的正向特性曲線相似；反響未擊穿的特性曲線與普通二極管的反向擊穿時的特性曲線相似。但穩(wěn)壓二極管的反向擊穿特性曲線很陡。如圖1-16所示。

三、參數(shù)

1.穩(wěn)定電壓UZ 2.穩(wěn)定電流IZ 3.額定功率PZ

4.動態(tài)電阻rZ，rZ=ΔUZ/ΔIZ，rZ很小。

5.電壓溫度系數(shù)α。α=ΔUZ/Ut × 100%。UZ>7V時，α為正溫度系數(shù)；UZ<5V時，α為負(fù)溫度系數(shù)；5V

一、發(fā)光二極管

將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。正偏時，有正向電流通過而發(fā)光，其正向通態(tài)管壓降為1.8—2.2V.二、光電二極管

將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。反向偏置下，當(dāng)光線強(qiáng)弱改變時，光電二極管的反向電流隨之改變。

三、光電耦合器

光電耦合器由光電二極管和發(fā)光二極管組合封裝而成。發(fā)光二極管為輸入端，光電二極管輸出端。

四、變?nèi)荻O管

變?nèi)荻O管的勢壘電容隨外加反向電壓變化而變化。1.3 雙極型三極管

半導(dǎo)體三極管又稱為晶體管或雙極性三極管，是組成各種電子電路的核心器件。

1.3.1 三級管的結(jié)構(gòu)和類型

一、結(jié)構(gòu)

三極管有兩個結(jié)，三個電極，三個區(qū)組成。

兩個結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)

三個極：發(fā)射極E，基極B，和集電極C 三個區(qū)：發(fā)射區(qū)；參雜濃度大。

基區(qū)；很薄，參雜濃度很小。

集電區(qū):參雜濃度小，但面積大。

這種特殊結(jié)構(gòu)是三極管具有電流放大作用的內(nèi)部依據(jù)。

二、類型

1.按結(jié)構(gòu)區(qū)分：有NPN型和PNP型。2.按材料區(qū)分：有硅三極管和鍺三極管。

3.按工作頻率區(qū)分：有高頻三極管和低頻三極管。4.按功率大小區(qū)分：有大功率三極管和小功率三極管。

三、工作條件 三極管有電流放大作用大外部條件。

1.NPN型三極管：VC>VB>VE

2.PNP型三極管：VC

1.共發(fā)射極接法：發(fā)射極為交流輸入和輸出信號的公共端。2.共集電極接法：集電極為交流輸入和輸出信號的公共端。3.共基極接法： 基極為交流輸入和輸出信號的公共端。1.3.3 三極管的電流放大原理

一、載流子傳輸過程

以NPN型三極管為例進(jìn)行分析。

1.發(fā)射。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)中的多子電子大量地向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流。

2.復(fù)合。從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子，很少一部分與基區(qū)中的空穴相復(fù)合，形成基極電流的主要部分ICN。

3.收集。從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子，除很少部分被復(fù)合掉外，絕大部分電子向集電結(jié)擴(kuò)散，且在集電結(jié)反偏電壓的作用下，迅速漂移過集電結(jié)被集電區(qū)所收集，形成集電極電流的主要部分。同時，集電區(qū)少子空穴在集電結(jié)反偏電壓的作用下向基區(qū)漂移，形成集電結(jié)反向飽和電流ICBO，它是集電極電流的極小部分，也是基極電流的一部分。如圖1-32所示。

二、各極電流的關(guān)系

IC=ICN+ICBO ICN=IC-ICBO IB=IBN-ICBO IBN=IB+ICBO IE≈ICN+IBN=IC-ICBO+IB+ICBO IE=IC+IB

三、電流放大系數(shù) 1.直流電流放大系數(shù)β

β=ICN/IBN=(IC-ICBO)/(IB+ICBO)≈IC/IB(IC>>IB>>ICBO)2.交流電流放大系數(shù)β β≈ΔIC/ΔIB

3.穿透電流ICEO ICEO=(1+β)ICBO

1.3.4 三極管的特性曲線

一、輸入特性

iB=f(ube)∣UCE=常數(shù)

1.UCE =0V時

三極管的輸入特性曲線，相當(dāng)于二級管的正向特性曲線，如圖1-34所示。2.UCE =1V時

三極管的輸入特性曲線將向右移。3.UCE >1V時

三極管的特性曲線幾乎與UCE =1V時的輸入特性曲線重合。

二、輸出特性

iC=f(uCE)∣IB=常數(shù)

輸出特性曲線有三個主要區(qū)域。如圖1-35所示。1.截止區(qū)

UBE≤0V,IB≤0,IC=ICEO,三極管幾乎不導(dǎo)通，叫截止?fàn)顟B(tài)。2.放大區(qū)

UBE>0.5—0.7（硅管）,UBE>0.1—0.3V(鍺管)，UCE>>UBE,當(dāng)UCE不變時，IC=βIB 3.飽和區(qū)

UBE>0.5—0.7（硅管）,UBE>0.1—0.3V(鍺管)，UCE0 , UCES=0.3v(硅管), UCES =0.1v(鍺管).1.3.5 三極管的主要參數(shù)

一、電流放大系數(shù)

β=ΔIC/ΔIB∣UCE=常數(shù)

二、極間反向電流

ICBO

ICEO=(1+β)ICBO

三、極限參數(shù)

1.集電極最大允許電流ICM 2.集電極最大允許功率損耗PCM

PCM=UCEIC 3.反向擊穿電壓

BUCBO>BUCEO>BUEBO

為了安全起見，應(yīng)使三極管的UCE

四、溫度對三極管參數(shù)的影響

1.對VBE有影響

2.對ICBO和ICEO有影響 3.對β有影響

如溫度升高時，VBE↓,ICBO↑,ICEO↑,β↑；反之，亦反之。1.4 場效應(yīng)三極管

場效應(yīng)管(簡稱FET)是一種電壓控制(電場效應(yīng)控制)器件(uGS~ iD)，工作時，只有一種(多數(shù))載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。

場效應(yīng)管分為兩大類：絕緣柵場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管。1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管

一、結(jié)構(gòu)

在一塊N型半導(dǎo)體的兩邊利用雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的P型區(qū)域,用P+表示,形成兩個P+N結(jié)。

N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。

二、工作原理

首先，假如在G—S間加上反向電壓VGS，則PN結(jié)反向偏置。顯然,改變VGS將改變耗盡層的寬度。

其次，由于PN結(jié)兩邊，P區(qū)摻雜濃度很高，N區(qū)摻雜濃度相對較低；PN結(jié)中N區(qū)一側(cè)的正離子數(shù)與P區(qū)一側(cè)的負(fù)離子數(shù)相等，因而交界面兩側(cè)的寬度并不相等。摻雜程度低的N溝道層寬比P區(qū)層寬大很多。

故此,可以認(rèn)為,當(dāng)耗盡層展寬時主要向著導(dǎo)電溝道的一側(cè)。

UGS、UDS影響ID電流的大小。VGS越負(fù)，溝道越窄，VGD越負(fù)，溝道越窄。

三、特性曲線

JFET的特性曲線有兩條：轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線。

轉(zhuǎn)移特性描述柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制作用。轉(zhuǎn)移特性有兩個重要參數(shù)：夾斷電壓UP和飽和漏極電流IDSS。

輸出特性描述當(dāng)柵源電壓UGS不變時，漏極電流ID與漏源電壓UDS的關(guān)系。

1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)分為：

增強(qiáng)型 ? N溝道、P溝道 耗盡型 ? N溝道、P溝道

一、N溝道增強(qiáng)型MOS管

1.結(jié)構(gòu)

四個電極：漏極D，源極S, 柵極G和 襯底B。

2.工作原理

①柵源電壓UGS的控制作用

②漏源電壓UDS對漏極電流ID的控制作用 3.特性曲線

①輸出特性曲線： ID=f(UDS)?UGS=const ②轉(zhuǎn)移特性曲線： ID=f(UGS)?UDS=const 4．重要參數(shù)--跨導(dǎo)gm gm=?iD/?uGS?uDS=const(單位mS)gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用.在轉(zhuǎn)移特性曲線上，gm為的曲線的斜率。

二、N溝道耗盡型MOSFET 在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)UGS=0時，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。特點(diǎn)：當(dāng)UGS=0時,就有溝道，加入UDS，就有ID。

三、P溝道MOSFET P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。

四、例題

例1.4.1 絕緣柵場效應(yīng)管工作狀態(tài)分析 1.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

二、交流參數(shù)

三、極限參數(shù)

課堂討論：

1.何謂本征半導(dǎo)體？其導(dǎo)電能力由什么因素決定。2.P型和N型半導(dǎo)體的特點(diǎn)？

3.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力與哪些因素有關(guān)？ 4.三極管如何實(shí)現(xiàn)放大功能？ 5.場效應(yīng)管與三極管如何區(qū)分？

小

結(jié)：

1．半導(dǎo)體材料中有兩種載流子：電子和空穴。電子帶負(fù)電，空穴帶正電。在純凈半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)，可以得到N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。

2．采用一定的工藝措施，使P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，就形成了PN結(jié)。PN結(jié)的基本特點(diǎn)是單向?qū)щ娦浴?/p>

3．二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的。其特性可以用伏安特性和一系列參數(shù)來描述。在研究二極管電路時，可根據(jù)不同情況，使用不同的二極管模型。

4．BJT是由兩個PN結(jié)構(gòu)成的。工作時,有兩種載流子參與導(dǎo)電，稱為雙極性晶體管。BJT是一種電流控制電流型的器件,改變基極電流就可以控制集電極電流。BJT的特性可用輸入特性曲線和輸出特性曲線來描述。其性能可以用一系列參數(shù)來表征。BJT有三個工作區(qū)：飽和區(qū)、放大器和截止區(qū)。

5．FET分為JFET和MOSFET兩種。工作時只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此稱為單極性晶體管。FET是一種電壓控制電流型器件。改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流。FET的特性可用轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線來描述。其性能可以用一系列參數(shù)來表征。

布置作業(yè):P45-1.3 P46-1.4；1.5；1.8 P47-1.12；1.13 P48-1.15 P49-1.19

第五篇：模具快速換模改善方案

模具的快速定位安裝整改報(bào)告

由于產(chǎn)品種類較多，模具更換頻繁，換模時間又長，嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率，而且公司在人員和設(shè)備的配備上存在一定的弱勢，如果看見哪臺沖床空閑就裝哪臺的話就勢必會影響車間的整個流程（每個產(chǎn)品多有不少工序），從而影響公司的整個生產(chǎn)計(jì)劃，進(jìn)而影響公司的效益。以下有幾種方法可供參考：

1、每臺沖床加裝一套夾模器(舉模、上夾模、下夾模都是油壓鎖固)

2、沖床床臺后側(cè)安裝兩個定位肖(定位肖固定的位置要根據(jù)生產(chǎn)事先計(jì)算好的)

3、模具的下模座加工兩個V型曹

架模過程:將模具放在舉模器上,模具的V曹對準(zhǔn)床臺的定位肖推入定位,放下舉模器,上夾模、下夾模鎖固模座,完成架模.下模與上模相反

同噸位的機(jī)臺全部安裝定位肖,模具的下模座同樣根據(jù)(模具的中心線對準(zhǔn)床臺的中心線,沖壓的左右負(fù)荷也最好較平均)全部加工V型曹這樣每套模只要推進(jìn)定位肖定位就好.安裝夾模器也是為了快速鎖模

裂紋和破裂產(chǎn)生的原因主要是由于大型曲面制件局部毛坯受到的拉應(yīng)力超過了強(qiáng)度極限所致。具體影響的原因有：

1.材料的沖壓性能不符合工藝要求。

2.板料厚度超差－當(dāng)板料厚度超過上偏差時，局部間隙小的 區(qū)域進(jìn)料時卡死，沖壓變形困難，材料不易通過該處凹模內(nèi)而被拉斷。當(dāng)板料厚度超過下偏差時，材料變薄了，橫剖面單位面積上的壓應(yīng)力增大，或者由于材料變薄，阻力減小，流入凹模內(nèi)的板料過多而先形成皺紋，這時，材料不易流動而被拉裂。

3.沖壓件材料表面質(zhì)量差－劃痕引起應(yīng)力集中、銹蝕增大后阻力。

4.壓料面的進(jìn)料阻力過大－毛坯外形大、壓料筋槽間隙小、凹模圓角半徑過小、外滑塊調(diào)的過深、拉深筋過高、壓料面和凹模圓角半徑光潔度差。

5.局部拉深量太大，拉深變形超過了材料變形極限。

6.在操作中，把毛坯放偏，造成一邊壓料過大，一邊壓料過小。過大的一邊則進(jìn)料困難，造成開裂；過小的一邊，進(jìn)料過多，易起皺，皺后進(jìn)料困難，引起破裂。7.不按工藝規(guī)定涂潤滑劑，后阻力增大，造成進(jìn)料困難而開裂。8.沖模安裝不當(dāng)或壓力機(jī)精度差，引起間隙偏斜，造成進(jìn)料阻力不均。

這里講到是的生產(chǎn)中經(jīng)常會遇到的問題，還有其他很多不可能預(yù)見的現(xiàn)象等待大家來挖掘，希望大家能多提寶貴的意見和多方交流。坤順公司是專業(yè)生產(chǎn)和經(jīng)營沖壓件的企業(yè)，模具師傅也是從廣東請來的元老泰斗，經(jīng)驗(yàn)雄厚，技術(shù)先進(jìn)，為大家提供更多完善的服務(wù)。