第一篇：半導(dǎo)體問答

影響工廠成本的主要因素有哪些？

答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片

Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力

Fixed Manufacturing機(jī)器折舊,維修,研究費(fèi)用……等

Production Support其它相關(guān)單位所花費(fèi)的費(fèi)用

在FAB內(nèi)，間接物料指哪些？

答：Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學(xué)液 PHOTO Chemical 光阻,顯影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨墊 Container 晶舟盒(用來放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer測(cè)試,實(shí)驗(yàn)用的蕊片

什幺是變動(dòng)成本(Variable Cost)?

答：成本隨生產(chǎn)量之增減而增減.例如:直接材料,間接材料

什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此種成本與產(chǎn)量無關(guān),而與每一期間保持一固定數(shù)額.例如:設(shè)備租金,房屋折舊及檵器折舊

Yield(良率)會(huì)影響成本嗎?如何影響?

答：Fab yield= 若無報(bào)廢產(chǎn)生,投入完全等于產(chǎn)出,則成本耗費(fèi)最小

CP Yield:CP Yield 指測(cè)試一片芯片上所得到的有效的IC數(shù)目。當(dāng)產(chǎn)出芯片上的有效IC數(shù)目越多,即表示用相同制造時(shí)間所得到的效益愈大.生產(chǎn)周期(Cycle Time)對(duì)成本(Cost)的影響是什幺?

答：生產(chǎn)周期愈短,則工廠制造成本愈低。正面效益如下:(1)積存在生產(chǎn)線上的在制品愈少(2)生產(chǎn)材料積存愈少(3)節(jié)省管理成本(4)產(chǎn)品交期短,贏得客戶信賴,建立公司信譽(yù)

FAC

根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)? 答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機(jī)排氣（Solvent）四個(gè)系統(tǒng)。

高架地板分有孔和無孔作用?

答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，保證潔凈房內(nèi)的潔凈度;防靜電；便于HOOK-UP。

離子發(fā)射系統(tǒng)作用

答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電

SMIC潔凈等級(jí)區(qū)域劃分

答：Mask Shop class 1 & 100

Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100

Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)

答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測(cè)試機(jī)臺(tái)在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小時(shí)運(yùn)行

什幺是MAU(Make Up Air Unit),新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用

答：提供潔凈室所需之新風(fēng)，對(duì)新風(fēng)濕度，溫度，及潔凈度進(jìn)行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。

House Vacuum System 作用

答：HV(House Vacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。

Filter Fan Unit System(FFU)作用

答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度，由Fan和Filter(ULPA)組成。

什幺是Clean Room 潔凈室系統(tǒng)

答：潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺(tái)設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境要求。

Clean room spec:標(biāo)準(zhǔn)

答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)

Class 100

Overpressure +15pa

Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s

Fab 內(nèi)的safety shower的日常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰來負(fù)責(zé)

答：Fab 內(nèi)的 Area Owner（若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請(qǐng)廠務(wù)水課（19105）協(xié)助）

工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機(jī)臺(tái)維護(hù)時(shí)，要注意不能有酸或有機(jī)溶劑（如IPA等）進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是因?yàn)椋?/p>

答：酸會(huì)導(dǎo)致conductivity(導(dǎo)電率)升高，有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致TOC升高。兩者均會(huì)影響并降低純水回收率。

若在Fab 內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何處理或通報(bào)

答：先檢查是否為機(jī)臺(tái)漏水或做PM所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室（12222）

機(jī)臺(tái)若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應(yīng)首先如何通報(bào)

答：通知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班（19105）

廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?

答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管(SUS)

若機(jī)臺(tái)內(nèi)的drain管有接錯(cuò)或排放成分分類有誤，將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題? 答：將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格，從而可能導(dǎo)致公司排放口超標(biāo)排放的事故。

公司做水回收的意義如何?

答：(1)節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。(2)符合ISO可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境保護(hù)暨安全衛(wèi)生政策。

何種氣體歸類為特氣(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2

何種氣體由VMB Stick點(diǎn)供到機(jī)臺(tái)? 答：H2

何種氣體有自燃性? 答：SiH4

何種氣體具有腐蝕性? 答：ClF3

當(dāng)機(jī)臺(tái)用到何種氣體時(shí)，須安裝氣體偵測(cè)器? 答：PH3

名詞解釋 GC, VMB, VMP

答：GC-Gas Cabinet 氣瓶柜VMB-Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險(xiǎn)性氣體。VMP-Valve Manifold Panel 閥件盤面，適用于惰性氣體。

標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時(shí)人體會(huì)感覺不適？

答：21%

19%

什幺是氣體的 LEL? H2的LEL 為多少？

答：LEL-Low Explosive Level 氣體爆炸下限H2 LEL-4%.當(dāng)FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級(jí)警報(bào)（既Leak HiHi），氣體警報(bào)燈（LAU）會(huì)如何動(dòng)作？FAB內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變？

答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散。

化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為何?

答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2)Solvent有機(jī)溶劑(3)Slurry研磨液

有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為何?

答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測(cè)器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器

中芯有那幾類研磨液(slurry)系統(tǒng)?

答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭

設(shè)備機(jī)臺(tái)總電源是幾伏特? 答：208V OR 380V

欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎? 答：不可以

如何選用電器器材?

答：使用電器器材需采用通過認(rèn)證之正規(guī)品牌

機(jī)臺(tái)開關(guān)可以任意分/合嗎?

答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機(jī)臺(tái)開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對(duì)嗎? 答：對(duì)

假設(shè)斷路器啟斷容量為16安培導(dǎo)線線徑2.5mm2,電源供應(yīng)電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生何種情況? 答：斷路器跳閘

當(dāng)供電局供電中斷時(shí),人員仍可安心待在FAB中嗎?

答：當(dāng)供電局供電中斷時(shí),本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.MFG

什幺是WPH?

答：WPH(wafer per hour)機(jī)臺(tái)每小時(shí)之芯片產(chǎn)出量

如何衡量 WPH ?

答：WPH 值愈大,表示其機(jī)臺(tái)每小時(shí)之芯片產(chǎn)出量高,速度快

什幺是 Move?

答：芯片的制程步驟移動(dòng)數(shù)量.什幺是 Stage Move?

答：一片芯片完成一個(gè)Stage之制程,稱為一個(gè)Stage Move 什幺是Step Move?

答：一片芯片完成一個(gè)Step 之制程, 稱為一個(gè)Step Move.Stage 和 step 的關(guān)系?

答：同一制程目的的step合起來稱為一個(gè)stage;例如爐管制程長oxide的stage, 通常要經(jīng)過清洗,進(jìn)爐管,出爐管量測(cè)厚度3道step AMHS名詞解釋? 答：Automation Material Handling System;生產(chǎn)線大部份的lot是透過此種自動(dòng)傳輸系統(tǒng)來運(yùn)送

SMIF名詞解釋?

答：Standard Mechanic InterFace(確保芯片在操作過程中;不會(huì)曝露在無塵室的大環(huán)境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;為什幺SMIF可以節(jié)省廠務(wù)的成本? 答：只需將這些wafer run貨過程中會(huì)停留的小區(qū)域控制在class 1 下即可,而其它大環(huán)境潔凈度只要維持在class 100 或較低的等級(jí));在此種界面下可簡稱為“包貨包機(jī)臺(tái)不包人”;對(duì)于維持潔凈度的成本是較低的;操作人員穿的無塵衣可以較高透氣性為優(yōu)先考量,舒適性較佳

為什幺SMIF可以提高產(chǎn)品的良率?

答：因?yàn)闊o塵室中的微塵不易進(jìn)入wafer的制程環(huán)境中

Non-SMIF名詞解釋

答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的過程中會(huì)裸露在無塵室的大環(huán)境中,所以整個(gè)無塵室潔凈度要維持在class1的等級(jí);所以廠務(wù)的成本較高且操作人員的無塵衣要以過濾性為優(yōu)先考量,因此是較不舒適的SMIF FOUP名詞解釋?

答：符合SMIF標(biāo)準(zhǔn)之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名詞解釋?

答：Manfaucture Execution System;即制造執(zhí)行系統(tǒng);該系統(tǒng)掌握生產(chǎn)有關(guān)的信息,簡述幾項(xiàng)重點(diǎn)如下(1)每一類產(chǎn)品的生產(chǎn)step內(nèi)容/規(guī)格/限制(2)生產(chǎn)線上所有機(jī)臺(tái)的可使用狀況;如可run那些程序,實(shí)時(shí)的機(jī)臺(tái)狀態(tài)(可用/不可用)(3)每一產(chǎn)品批的基本資料與制造過程中的所有數(shù)據(jù)(在那些機(jī)臺(tái)上run過/量測(cè)結(jié)果值/各step的時(shí)間點(diǎn)/誰處理過/過程有否工程問題批注…等(4)每一產(chǎn)品批現(xiàn)在與未來要執(zhí)行的step等資料

EAP名詞解釋?

答：(1)Equpiment Automation Program;機(jī)臺(tái)自動(dòng)化程序;(2)一旦機(jī)臺(tái)有了EAP,此系統(tǒng)即會(huì)依據(jù)LOT ID來和MES與機(jī)臺(tái)做溝通反饋及檢查, 完成機(jī)臺(tái)進(jìn)貨生產(chǎn)與出貨的動(dòng)作;另外大部份量測(cè)機(jī)臺(tái)亦可做到自動(dòng)收集量測(cè)資料與反饋至后端計(jì)算機(jī)的自動(dòng)化作業(yè)

EAP的好處

答：(1)減少人為誤操作(2)改善生產(chǎn)作業(yè)的生產(chǎn)力(3)改善產(chǎn)品的良率

為什幺EAP可以減少人為操作的錯(cuò)誤

答：(1)避免機(jī)臺(tái)RUN錯(cuò)貨(2)避免RUN錯(cuò)機(jī)臺(tái)程序

為什幺EAP可以改善機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)力?

答：(1)機(jī)臺(tái)可以自動(dòng)Download程式不需人為操作(2)系統(tǒng)可以自動(dòng)出入帳,減少人為作帳錯(cuò)誤(3)系統(tǒng)可以自動(dòng)收集資料減少人為輸入錯(cuò)誤

為什幺EAP可以改善產(chǎn)品的良率?

答：(1)在Phot/etch/CMP區(qū)中,可自動(dòng)微調(diào)制程參數(shù)(2)當(dāng)機(jī)臺(tái)alarm時(shí),可以自動(dòng)hold 住貨(3)當(dāng)lot內(nèi)片數(shù)與MES系統(tǒng)內(nèi)的片數(shù)帳不符合時(shí),可自動(dòng)hold 住貨

GUI名詞解釋? 答：Graphical User Interface of MES;將MES中各項(xiàng)功能以圖形界面的呈現(xiàn)方式使得user可以方便執(zhí)行

EUI名詞解釋?功能是什麼? 答：EAP User Interface;機(jī)臺(tái)自動(dòng)化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機(jī)臺(tái)目前的狀態(tài)及貨在機(jī)臺(tái)內(nèi)的情形

SORTER 分片機(jī)的功能?

答：可對(duì)晶舟內(nèi)的wafer(1)進(jìn)行讀刻號(hào)(2)可將wafer的定位點(diǎn)(notch/flat)調(diào)整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer號(hào)碼重新排列在晶舟內(nèi)相對(duì)應(yīng)的槽位號(hào)碼上(4)執(zhí)行不同晶舟內(nèi)wafer的合并(5)將晶舟內(nèi)的wafer分批至多個(gè)晶舟內(nèi)

OHS名詞解釋?

答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS軌道上傳送FOUP的小車)FAB內(nèi)的主要生產(chǎn)區(qū)域有那些?（有7個(gè)）

答：黃光, 蝕刻, 離子植入, 化學(xué)氣象沉積, 金屬濺鍍, 擴(kuò)散, 化學(xué)機(jī)械研磨

Wafer Scrap規(guī)定?

答：Wafer由工程部人員判定機(jī)臺(tái)、制程、制造問題，已無法或無必要再進(jìn)行后續(xù)制程時(shí)，則于當(dāng)站予以報(bào)廢繳庫，Wafer Scrap時(shí)請(qǐng)?zhí)顚憽癢afer Scrap處理單” Wafer經(jīng)由工程部人員判定機(jī)臺(tái)、制程、制造問題已無法或無必要再進(jìn)行后續(xù)制程時(shí)應(yīng)采取何種措施?

答：SCRAP（報(bào)廢，定義請(qǐng)參照Wafer Scrap規(guī)定）

TERMINATE規(guī)定？

答：工程試驗(yàn)產(chǎn)品已完成試驗(yàn)或已無法或無必要再進(jìn)行后續(xù)制程時(shí)，則需終止試驗(yàn)產(chǎn)品此時(shí)就需將產(chǎn)品終止制程，稱之為TERMINATE

WAFER經(jīng)由客戶通知不需再進(jìn)行后續(xù)制程時(shí)應(yīng)采取何種措施? 答：TERMINATE

FAB疏散演練規(guī)定一年需執(zhí)行幾次?

答：為確保FAB內(nèi)所有工作人員了解并熟悉逃生路徑及方式，MFG將不定期舉行疏散演練。演習(xí)次數(shù)之要求為每班每半年一次。

何時(shí)應(yīng)該填機(jī)臺(tái)留言單及生產(chǎn)管理留言單？

答：機(jī)臺(tái)留言單：機(jī)臺(tái)有部分異常需暫時(shí)停止部分程序待澄清而要通知線上人員時(shí)生產(chǎn)留言單：有特殊規(guī)定需提醒線上人員注意時(shí)

填寫完成的機(jī)臺(tái)臨時(shí)留言單應(yīng)置放于那里?

答：使用機(jī)臺(tái)臨時(shí)留言單應(yīng)將留言單置放于LOGSHEET或粘貼于機(jī)臺(tái)上

機(jī)臺(tái)臨時(shí)留言單過期后應(yīng)如何處理?

答：機(jī)臺(tái)臨時(shí)留言單過期后應(yīng)由MFG On-line人員清除回收, 訊息若需長期保存則請(qǐng)改用生產(chǎn)管理留言單。

生產(chǎn)管理留言單的有效期限是多久? 答：三個(gè)月

何時(shí)該填寫芯片留言單？

答：芯片有問題時(shí)或是芯片有特殊交待事項(xiàng)需讓線上人員知道則可使用芯片留言單

芯片留言單的有效期限是多久? 答：三個(gè)月

填寫完成的芯片留言單應(yīng)置放于何處? 答：FOUP 上之套子內(nèi) 芯片留言單需何人簽名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何謂Hold Lot? 答：芯片需要停下來做實(shí)驗(yàn)或產(chǎn)品有問題需工程師判斷時(shí)的短暫停止則需HOLD LOT;帳點(diǎn)上的狀態(tài)為Hold,如此除非解決hold住的原因否則無法繼續(xù)run貨

PN（Production Note，制造通報(bào)）的目的?

答：(1)為公布FAB內(nèi)生產(chǎn)管理的條例。(2)闡述不清楚和不完善的操作規(guī)則。

PN的范圍?

答：(1)強(qiáng)調(diào)O.I.或TECN之規(guī)定, 未改變(2)更新制造通報(bào)內(nèi)容(3)請(qǐng)生產(chǎn)線協(xié)助搜集數(shù)據(jù)(4)O.I.未規(guī)定或未限制, 且不改變RECIPE、SPEC及操作程序

何謂MONITOR?

答：對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行定期的檢測(cè)或是隨產(chǎn)品出機(jī)臺(tái)時(shí)的檢測(cè)稱之為MONITOR，如測(cè)微粒子、厚度等

機(jī)臺(tái)的MONITOR項(xiàng)目暫時(shí)變更時(shí)要填何種文件?

答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暫時(shí)工程變更）

暫時(shí)性的MONITOR頻率增加時(shí)可用何種表格發(fā)布至線上? 答：Production Note（PN，制造通知）

新機(jī)臺(tái)RELEASE但是OI尚未生效時(shí)應(yīng)填具何種表格發(fā)布線上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暫時(shí)工程變更）

控片的目的是什幺?(Control wafer)答：為了解機(jī)臺(tái)未來的run貨結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi),必須使用控片去試run,并量測(cè)所得結(jié)果如厚度,平坦度,微粒數(shù)…控片使用一次就要進(jìn)入回收流程。

擋片(Dummy wafer)的目的是什幺?

答：用途有2種：(1)暖機(jī)(2)補(bǔ)足機(jī)臺(tái)內(nèi)應(yīng)擺芯片而未擺的空位置。擋片可重復(fù)使用到限定的時(shí)間﹝RUN數(shù)、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同時(shí)run150片wafer的爐管,若不足150片時(shí)必須以擋片補(bǔ)足,否則可能影響制程平坦度等…;High current 機(jī)臺(tái)每次可同時(shí)run17片,若不足亦須以擋片補(bǔ)足擋片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范圍嗎?

答：是的;阻值范圍愈緊的,成本愈貴;例如8~12歐姆用于當(dāng)產(chǎn)品的原物料,0~100的可能只能用當(dāng)監(jiān)控機(jī)臺(tái)微塵的控片

機(jī)臺(tái)狀態(tài)的作用?

答：為能清楚地評(píng)量機(jī)臺(tái)效率,並告訴線上人員機(jī)臺(tái)當(dāng)時(shí)的狀況

機(jī)臺(tái)狀態(tài)可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down

機(jī)臺(tái)狀態(tài)定義為availabe可用的狀態(tài)有那些?

答：RUN : 機(jī)臺(tái)正常,正在使用中BKUP : 機(jī)臺(tái)正常,幫其它廠RUN貨IDLE : 機(jī)臺(tái)正常,待料或缺人手TEST : 機(jī)臺(tái)正常,借工程師做工程實(shí)驗(yàn)或調(diào)整RECIPETEST_CW : 機(jī)臺(tái)正常,正在RUN 控檔片

機(jī)臺(tái)狀態(tài)定義為SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 機(jī)臺(tái)正常,依據(jù)OI規(guī)定進(jìn)行檢查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 機(jī)臺(tái)正常,機(jī)臺(tái)定期維護(hù)后的檢查PM : OI規(guī)定之例行維修時(shí)機(jī)及項(xiàng)目;如汽車5000KM保養(yǎng)HOLD_ENG : 機(jī)臺(tái)正常,制程工程師澄清與確認(rèn)產(chǎn)品異常原因,停止機(jī)臺(tái)RUN LOT

在機(jī)臺(tái)當(dāng)機(jī)處理完后;交回制造部時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：WAIT_MFG

在工程師借機(jī)檢查機(jī)臺(tái)調(diào)整RECIPE時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：TEST

若是機(jī)臺(tái)MONITOR異常工程師借機(jī)檢查機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：DOWN

線上發(fā)現(xiàn)機(jī)臺(tái)異常時(shí)通知工程師時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：WAIT_ENG

線上在要將機(jī)臺(tái)交給工程師做PM前等待工程師的時(shí)間應(yīng)掛何種STATUS? 答：WAIT_ENG

工程在將機(jī)臺(tái)修復(fù)后交給制造部等制造部處的這段時(shí)間應(yīng)掛何種STATUS? 答：WAIT_MFG

年度維修時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：OFF

Muti-Chamber的機(jī)臺(tái)有一個(gè)Chamber異常時(shí)制造部因?yàn)榕晒SSUE無法交出Chamber該掛何種STATUS? 答：HOLD_MFG

制程工程師澄清或確認(rèn)產(chǎn)品異常原因停止機(jī)臺(tái)RUN貨時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：HOLD_ENG

因工程部ISSUE而成機(jī)臺(tái)不能正常RUN貨時(shí)應(yīng)掛何種STATUS? 答：HOLD_ENG

MES或電腦等自動(dòng)化系統(tǒng)相關(guān)問題造成死機(jī)要掛何種STATUS? 答：CIM

因?yàn)閺S務(wù)水電氣的問題而造成機(jī)臺(tái)死機(jī)的問題要掛何種STATUS? 答：FAC

生產(chǎn)線因電力壓降、不穩(wěn)定造成生產(chǎn)中斷時(shí),機(jī)臺(tái)狀態(tài)應(yīng)掛為? 答：FAC

生產(chǎn)線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產(chǎn)停止,此時(shí)機(jī)臺(tái)將態(tài)為何? 答：CIM

機(jī)臺(tái)狀態(tài)EQ status定義的真正用意何在?

答：(1)機(jī)臺(tái)非常貴重,所以必須知道時(shí)間都用到何處了,最好是24小時(shí)都用來生產(chǎn)賣錢的產(chǎn)品;能清楚知道時(shí)間用到何處,就能進(jìn)行改善(2)責(zé)任區(qū)分,各個(gè)狀態(tài)都有不同的責(zé)任單位,如制造部/設(shè)備工程師/制程工程師…等

什幺是 T/R?

答：Turn Ratio, 芯片之移動(dòng)速度;即1天內(nèi)移動(dòng)了幾個(gè)制程stage 如何衡量 T/R ?

答：一片芯片在1天內(nèi)完成一個(gè)Stage Move,其 T/R值為 1.T/R 值愈大,表示其移動(dòng)速度愈快,意謂能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?

答：Engineer Abnormal Report(工程異常報(bào)告);通常發(fā)生系統(tǒng)性工程問題或大量的報(bào)廢時(shí),必須issue EAR.異常事件是否issue EAR 主要依據(jù)EAR OI 定義

EAR 之目的為何 ?

答：在于記錄Wafer生產(chǎn)過程中異常現(xiàn)象的發(fā)生與解決對(duì)策，及探討異常事件的真正原因進(jìn)而建立有效的預(yù)防及防止再發(fā)措施，以確保生產(chǎn)線之生產(chǎn)品質(zhì)能持續(xù)改善 什幺是 MO ?

答：MO(Mis-Operation)指未依工作準(zhǔn)則之作業(yè),而造成的生產(chǎn)損失.MO 有何之可能影響?

答：(1)產(chǎn)品制程重做(REWORK)。(2)產(chǎn)品報(bào)廢。(3)客戶要求退還產(chǎn)品，并要求賠償.如何防止 MO 之產(chǎn)生 ? 答：依工作準(zhǔn)則作業(yè).什幺是 Waferout ?

答：完成所有制程后并可當(dāng)成產(chǎn)品賣出之芯片.什幺是 clean room(潔凈室)?

答：指空氣中浮塵被隔離之操作空間

為何要有 clean room ?

答：避免空氣中的微浮塵掉入產(chǎn)品,進(jìn)而破壞產(chǎn)品的品質(zhì)

clean room 有何等級(jí) ?

答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等級(jí)愈高(class 1)則表示要求環(huán)境之潔凈度就愈高.如醫(yī)院開刀房之環(huán)境為 class 1000.FOUP回收清洗流程?

答：(1)線上各大區(qū)將所使用過的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下線MA將回收待清洗的FOUP.底盤逐一拆下。(3)Cassette 須量測(cè)有無問題.(全新的也須量測(cè))。(4)拆下的Door& 底盤須用IPA擦拭干凈。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。

FOUP回收清洗時(shí)間?

答：回收清洗時(shí)間為每三個(gè)月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue時(shí)會(huì)同時(shí)將下一次清洗的時(shí)間Updata上。

FOUP各部門領(lǐng)用流程? 答：各部門的領(lǐng)用人至W/S領(lǐng)取物品時(shí),須填寫”FOUP & 塑料封套 領(lǐng)料記錄表”填上領(lǐng)取的件數(shù)以及部門.名字.工號(hào)即可

FAB 制造通報(bào)(Production Notice)responsibility?

答：(1)制造部負(fù)責(zé)通報(bào)的管理與執(zhí)行，F(xiàn)ab相關(guān)部門因工程與生產(chǎn)需要可制作制造通報(bào)經(jīng)單位主管及制造部同意后進(jìn)線執(zhí)行。(2)制造通報(bào)涉及工程限制（Constrain）時(shí)需由工程部門負(fù)責(zé)工程師在MES上設(shè)定/修改完成后交由制造部審核確認(rèn)及生效后，此通報(bào)才能進(jìn)線執(zhí)行。

FAB 制造通報(bào)(Production Notice)規(guī)定和禁令?

答：(1)通報(bào)被取消則此通報(bào)將視為無效.(2)通報(bào)內(nèi)容新舊版本相沖突時(shí)以新版本為主，initiator 需告知前份作廢PN ,以便MA立取出(3)通報(bào)最長期限為一個(gè)月.如果通報(bào)想延長期限,必須重新提出申請(qǐng)與簽核,但以一次為限.(4)至截止期后通報(bào)將自動(dòng)失效.FAB 制造通報(bào)(Production Notice)管理?

答：(1)如果此通報(bào)由制造部主管直接公布,簽署過程即省略(2)通報(bào)內(nèi)容應(yīng)盡量言簡意賅,避免繁瑣冗長的陳述(3)制造部各區(qū)文件管理人負(fù)責(zé)將取消或無效之生產(chǎn)通告?zhèn)骰豄ey-in Center 以避免被錯(cuò)誤使用(4)通報(bào)應(yīng)蓋上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部門依據(jù)規(guī)定執(zhí)行Hold 貨或設(shè)Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，貨到站后由當(dāng)區(qū)MA/LL負(fù)責(zé)于MES作帳，Wafer存入Stocker。

WHAT’S “Bank Out”?

答：各部門于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知當(dāng)區(qū)主管，于MFG確認(rèn)Hold Comment無誤后，于MES作帳，Wafer依Comment處理。

WHAT’S ’Bank Period“?

答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累積之時(shí)間

Bank 適用時(shí)機(jī)?

答：(1)客戶通知暫停流程/放行之Wafer。(2)新制程開發(fā)，于重點(diǎn)層次預(yù)留/放行之Wafer。(3)經(jīng)WAT檢查后，有問題之Wafer。(4)經(jīng)QE檢查后，有問題之Wafer。(5)FAB預(yù)先生產(chǎn)，且需暫存之Wafer。(6)特殊原因且經(jīng)MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?

答：(1)各部門申請(qǐng)的Bank有一定數(shù)量限制，依制造部與各部門討論而定(2)PC部門則由PC與客戶協(xié)議，依PC相關(guān)規(guī)定處理

Bank period規(guī)定?

答：(1)PC要求之Bank最長可存放六個(gè)月；但若Customer有特殊需求，且經(jīng)PC與MFG P&Q Manager同意者，則不在此限。(2)Lot Type 為L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限為60天。(3)Lot Type 為P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，則存放期限為7天且申請(qǐng)時(shí)需PC 同意。

FAB內(nèi)空的FOUP應(yīng)存放在那些指定位置上?

答：(1)放在指定的暫存貨架上。(2)放在機(jī)臺(tái)旁的待Run Wip貨架上(3)Stocker內(nèi)

為什幺FOUP 放在STOCK 入口而長時(shí)間不進(jìn)去？

答：Stocker 已滿，或不能讀取RF ID。

為什幺FOUP會(huì)被送至WaferStart出口?

答：RF ID上的FOUP Clean Time 過期，或格式不正確。

何謂Bullet lot?

答：(1)就是優(yōu)先權(quán)最高的lot(priority 1);(2)lot本身帶有特別重要的目的;如客戶大量投產(chǎn)前的試run產(chǎn)品,工程部特別重要的實(shí)驗(yàn)貨,與其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?

答：(1)Priority 皆為1(2)面交下一站，不得用AMHS System傳送。(3)需提前通知下一站備妥機(jī)臺(tái)。(4)有工程問題工程部必須優(yōu)先解決此種lot 列出所有的Lot Priority，并說明其代表的含義

答：Priority 等級(jí)從1~5 優(yōu)先權(quán)以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字義”子彈般快的lot“;此lot擁有特殊目的如重要實(shí)驗(yàn),客戶大量投片前試run貨等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定義而定;通常為試run貨pilot lot, 驗(yàn)證光罩設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把勁否則無法準(zhǔn)時(shí)交給客戶的lot)priority 4 : normal lot(按預(yù)定進(jìn)度進(jìn)行的lot)priority 5 : control wafer(生產(chǎn)線上的控片面)將Lot 分pirority 優(yōu)先權(quán)的生產(chǎn)管理意義? 答：生產(chǎn)線上眾多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期與目的,透過操控每批LOT的優(yōu)先權(quán)數(shù)字設(shè)定來讓所有MA知道產(chǎn)品安排的優(yōu)先級(jí)

什幺是RF ID?

答：用來記錄FOUP ID與MES對(duì)應(yīng)的芯片ID、刻號(hào)、機(jī)臺(tái)的EAP亦是透過RF ID 來和MES溝通了解當(dāng)站該RUN那一種程序

什幺是stocker?

答：生產(chǎn)線上用來存放FOUP容器的倉儲(chǔ)(FOUP有裝載芯片和光罩兩種)

為什幺FOUP 放在stocker 入口而長時(shí)間不進(jìn)去？

答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 會(huì)被自動(dòng)傳輸系統(tǒng)HOLD?

答：有同名的Lot.可根據(jù)Hold Reason 找出兩個(gè)同名Lot 的位置。

當(dāng)GUI顯示說Mapping的片數(shù)和MES上的片數(shù)不匹配時(shí)如何處理？

答：請(qǐng)檢查MES上LOT的片數(shù)和機(jī)臺(tái)內(nèi)Mapping出來的片數(shù)，若兩者不同，請(qǐng)找PE/EE解決；若兩者相同，請(qǐng)CALL EAP ENGINEER。

Process完成后GUI顯示實(shí)際RUN的片數(shù)和MES上的數(shù)量不匹配時(shí)如何處理？

答：請(qǐng)檢查MES上LOT的片數(shù)和機(jī)臺(tái)內(nèi)Process完成的片數(shù)，若兩者不同，請(qǐng)找PE/EE解決；若兩者相同，請(qǐng)CALL EAP ENGINEER

GUI顯示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“時(shí)如何處理？

答：檢查SmartRF ID中清洗FOUP的時(shí)間是否已經(jīng)過期或時(shí)間是空值：若已過期，請(qǐng)換一個(gè)FOUP。若是空值，請(qǐng)先做IssueRF ID，何謂Bank Lot?

答：若芯片有客戶要求需要長時(shí)間的停止時(shí)則需使用BANK LOT;即帳點(diǎn)上的狀態(tài)為BANK;除非客戶再次通知后解除,否則無法往下RUN貨

何謂future hold?

答：MES 上的一個(gè)功能;對(duì)于未來制程中的某一歩驟,若需要停下來執(zhí)行實(shí)驗(yàn)或檢查..等目的時(shí),可預(yù)先提早下future hold

生產(chǎn)線那些地方,可以感測(cè)FOUP上的RF ID并回傳此FOUP的位置? 答：Stocker 與機(jī)臺(tái)

HOLD住待處理的問題芯片;必須放在何處? 答：放置在指定之HOLD LOT貨架上

工程師使用的芯片、控?fù)跗?必須放在何處? 答：放置在工程師芯片專用貨架上

待run產(chǎn)品 ,必須放在何處?

答：放入STOCKER內(nèi)或放置在機(jī)臺(tái)旁之貨架（推車上）

Fab通常如何定義產(chǎn)品的復(fù)雜度?

答：必須經(jīng)過幾道photo layer,有幾層poly, 有幾層metal越多層越復(fù)雜

假設(shè)一種產(chǎn)品的制程共有20次photo layer,103個(gè)stage 的產(chǎn)品,從投片到出貨的周期時(shí)間(cycle time)為22天;試問此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7

假設(shè)一種產(chǎn)品的制程共有20次photo layer,103個(gè)stage 的產(chǎn)品,從投片到出貨的周期時(shí)間(cycle time)為22天;試問平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?

答：22天/20=1.1

Signal Tower 的功能為何?

答：用以提醒操作者,機(jī)臺(tái)的實(shí)時(shí)狀況,實(shí)時(shí)處理,增加機(jī)臺(tái)的使用率 Signal Tower有那幾種燈號(hào)顏色? 答：紅/黃/綠三種顏色

Signal Tower的紅燈亮(ON)起來時(shí),代表何意義? 答：機(jī)臺(tái)的主要功能當(dāng)?shù)粲嵪⒊霈F(xiàn)時(shí)

Signal Tower的紅燈閃爍(flash)時(shí),代表何意義? 答：機(jī)臺(tái)有任何Alarm的訊息出現(xiàn)時(shí)

Signal Tower的綠燈亮(ON)起來時(shí),代表何意義? 答：機(jī)臺(tái)是在run貨狀態(tài);且所有進(jìn)貨端都擺滿了貨

Signal Tower的綠燈閃爍(flash)時(shí),代表何意義?

答：機(jī)臺(tái)是在run貨狀態(tài);但有某一個(gè)以上的進(jìn)貨端有空檔,用以提醒操作人員進(jìn)貨(MIR;move in request)

Signal Tower的黃燈閃爍(flash)時(shí),代表何意義?

答：機(jī)臺(tái)是在可使用狀態(tài);但有某一個(gè)以上的出貨端有貨run完,等著出貨,用以提醒操作人員把貨拿走(MOR;move Out request)光罩產(chǎn)品有哪兩種材料組成?

答：(1)BLANK;玻璃主體;使得光容易透過(2)PELLICLE;一種高分子材料,用來保護(hù)玻璃上的電路圖,避免particle影響

簡單分類光罩可分為哪兩種？

答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄線寬或某幾個(gè)最重要的PHOTO 層如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 現(xiàn)行工廠內(nèi)有哪兩種PELLICLE(光罩的鉻膜)？

答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）

I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光機(jī)?

答：不能;因?yàn)镈UV光源的能量Energy較強(qiáng),會(huì)將pellicle 燒焦

DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光機(jī)? 答：可以

光罩上PATTERN或玻璃面有刮傷可否修補(bǔ)? 答：不能

PELLICLE毀損能否修補(bǔ)?

答：若沒傷到pellicle下的電路圖形，可撕除pellicle,重新貼上新的PELLICLE 何謂cycle time,周期時(shí)間?

答：wafer 從投片wafer start 到WAT電性測(cè)試結(jié)束這段生產(chǎn)時(shí)間(如早上出門.搭車到達(dá)公司所需經(jīng)過的時(shí)間)

cycle time 周期時(shí)間是由那些時(shí)間所構(gòu)成答：(1)Process time 所有步驟的制程時(shí)間總和(2)waiting time : 所有步驟中所耗費(fèi)的等待時(shí)間,如等人或等機(jī)臺(tái)有空(3)hold time:所有步驟因?yàn)楫惓５仍?被扣留下來檢查的時(shí)間

如何降低cycle time 周期時(shí)間?

答：cycle time是process time(機(jī)臺(tái)run貨時(shí)間),waiting time(等候時(shí)間), hold time(等待澄清問題時(shí)間);所以任何有助于降低三者的活動(dòng)皆有幫助

如何減少process time 總和? 答：(1)由制程整合工程師檢討流程中是否有步驟可以去除不做;如一些檢查站點(diǎn)或清洗站點(diǎn)等(2)由工程部制程工程師研究改善縮短每一步驟的制程時(shí)間(需經(jīng)過實(shí)驗(yàn)測(cè)試是否影響品質(zhì),此項(xiàng)達(dá)成度較難)如何減少waiting time總和?

答：waiting time 是因?yàn)樯偃松贆C(jī)臺(tái)所造成;所以有下列幾種方法(1)加人買機(jī)臺(tái)(此方法必須說服老板人和機(jī)臺(tái)都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多種操作技能,加強(qiáng)派貨能力等(3)改善機(jī)臺(tái)的能力;如增加WPH每小時(shí)的產(chǎn)出量,設(shè)備工程師將機(jī)臺(tái)維持在高的UP time等(4)檢討減少生產(chǎn)線上的wafer 數(shù)目;檢討是否有太早下線的wafer或不必要的實(shí)驗(yàn)貨,過多少片數(shù)的LOT(例如透過公運(yùn)輸或多人共乘減少)路上的車輛

如何減少hold time 總和? 答：hold time 來自制程不穩(wěn)定與機(jī)臺(tái)不穩(wěn)定和實(shí)驗(yàn)測(cè)試所致;與發(fā)生hold time后的后續(xù)處理時(shí)間;所以必須針對(duì)這幾項(xiàng)來著手

如何簡單地評(píng)定一個(gè)代工廠的能力?

答：(1)良率維持在穩(wěn)定的高點(diǎn)(2)周期時(shí)間cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好

工廠準(zhǔn)時(shí)交貨率(On-Time Delivery Order)

答：值越高表示工廠準(zhǔn)時(shí)交貨的能力越好，對(duì)于客戶的服務(wù)也越佳

工廠產(chǎn)量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工廠滿足客戶需求的能力是否良好，但并不評(píng)估是否按照預(yù)定日程交貨，值越高越好

控/擋片使用率(Control/Dummy Usage)

答：平均每生產(chǎn)一片芯片所需使用的控/擋片數(shù)量由于控/擋片可以重復(fù)使用，因此當(dāng)生產(chǎn)線系統(tǒng)越穩(wěn)定，技術(shù)員操作越熟練，則控/擋片壽命也越長，生產(chǎn)成本也因而降低。

何謂OI?

答：Operation Instruction操作指導(dǎo)手冊(cè)；每一型號(hào)的機(jī)臺(tái)都有一份OI。OI含括制程參數(shù)、機(jī)臺(tái)程序、機(jī)器簡介、操作步驟與注意事項(xiàng)。其中操作步驟與注意事項(xiàng)是我們?cè)撌煊浀牟糠?/p>

何謂Discipline

答：簡單稱之為『紀(jì)律』。泛指經(jīng)由訓(xùn)練與思考，對(duì)群體的價(jià)值觀產(chǎn)生認(rèn)同而自我約束，使群體能在既定的規(guī)范內(nèi)達(dá)成目標(biāo)，與一般的盲從不同。

如何看制造部的紀(jì)律好不好?

答：制造部整體紀(jì)律的表現(xiàn)，可以由FAB執(zhí)行6S夠不夠徹底和操作錯(cuò)誤多寡作為衡量標(biāo)準(zhǔn)！

如何看整個(gè)FAB紀(jì)律好不好?

答：FAB內(nèi)整體的紀(jì)律表現(xiàn)，可以反應(yīng)在Yield上。

公司的企業(yè)文化為何? 答：重操守（integrity）誠實(shí)（honesty）團(tuán)隊(duì)合作（team work）注重效能（effectiveness）永續(xù)經(jīng)營和不斷改進(jìn)（PDCA——plan/do/check/action）

那些是對(duì)外不可說的事?

答：(1)產(chǎn)品良率(Yield)(2)訂單數(shù)量(3)客戶名字(4)公司組織(5)主管手機(jī)號(hào)碼(6)公司人數(shù)(7)其它廠商Vendor的資料(8)生產(chǎn)線的機(jī)臺(tái)臺(tái)數(shù)及種類。

那些是對(duì)外不可做的事? 答：(1)與Vendor聚餐,需經(jīng)過部門主管的同意(2)收傭金,有價(jià)證券(3)收受禮物(禮物價(jià)值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正當(dāng)場所

Fab4的工作精神為何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何謂Ownership? 答：主人翁精神;對(duì)待處理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完

何謂Hands On ?

答：親力親為;總裁Richard要求所有人尤其是主管必須對(duì)自己的業(yè)務(wù)了若指掌

何謂Call for help ?

答：請(qǐng)求支持;任務(wù)過程中遇困難,必須尋求同事或主管幫忙,否則會(huì)誤了大事

為什幺溝通時(shí)必須使用”精準(zhǔn)“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼

答：因?yàn)閳F(tuán)隊(duì)的其它人必須根據(jù)你的話來下決定與做判斷,一旦用了模糊字眼,就必須一來一往才能澄清問題,泿費(fèi)時(shí)間,所以不了解的事,就直接回答不清楚

為什幺開會(huì)描述問題時(shí),必須先講結(jié)果或別人必須配合的AR(action request),然后再講問題發(fā)生的原因? 答：因?yàn)殚_會(huì)時(shí)間有限,參與的人太多(如全廠的生產(chǎn)晨會(huì));先講結(jié)果或AR可以讓人快速抓住重點(diǎn),如果時(shí)間不足原因可以簡略說明即可

為什幺會(huì)議中要避免某些人”開小會(huì)“(小組自行討論)的現(xiàn)象? 答：因?yàn)槟悴皇侵鞒秩?開小會(huì)使得議程被打斷,討論主題發(fā)散,會(huì)議時(shí)間冗長,泿費(fèi)大家時(shí)間

為什幺開會(huì),上臺(tái)進(jìn)行演示文稿時(shí),要力求大聲?

答：因?yàn)樗腥吮仨毟鷵?jù)你的說明下判斷或決定,而且小聲講也顯得自己沒有自信

什幺是6S運(yùn)動(dòng)?

答：在自己的工作區(qū)內(nèi)徹底執(zhí)行整理/整頓/清掃/清潔/紀(jì)律/安全6項(xiàng)作業(yè)準(zhǔn)則標(biāo)準(zhǔn)

整理與整頓的意含差異?

答：整理為保管要的東西,丟掉不要的東西,整頓為針對(duì)要的東西進(jìn)行定位/標(biāo)示/歸位的動(dòng)作

清掃與清潔的意含差異?

答：清除為清除臟亂污垢,清潔為保持整理/整頓/清掃的成果

6S運(yùn)動(dòng)推廣重點(diǎn)區(qū)域?

答：辦公區(qū)與潔凈室是兩大重點(diǎn)

為何無塵室中的任何地板開孔都必須以警示圍籬區(qū)隔?

答：為了安全考量;任何小洞都可能造成人員拌倒,芯片摔破

為何無塵室中的中間走道高架地板上要鋪設(shè)鋼板? 答：為防止move-in 機(jī)臺(tái)所用的拖板車刮傷地板

無塵室中間走道高架地板上的鋼板,如何鋪設(shè)?

答：先鋪設(shè)塑料墊,再鋪設(shè)鋼板,每一片鋼板的接鏠邊必須以膠帶貼合,避免人員或芯片推車拌倒

無塵室中有那些地板必須以顏色膠帶做定位?

答：中間走道,各Bay信道,機(jī)臺(tái)安裝前的定位標(biāo)示,逃生信道,貨架定位,零附件暫存區(qū)定位

無塵室中的最大發(fā)塵源為何? 答：無塵室中走動(dòng)的人

那些會(huì)發(fā)塵的物品不得帶入無塵室? 答：通常屬于天然類的物質(zhì)都會(huì)發(fā)塵,如一般紙張,木箱,鉛筆,等

無塵室中施工時(shí)必須參考的layout 圖,如何帶入無塵室? 答：請(qǐng)以無塵紙影印人后帶入

可在無塵室中做地板切割作業(yè)?

答：不行,因?yàn)闀?huì)產(chǎn)生微塵,所以請(qǐng)將地板攜出進(jìn)行作業(yè)

可在無塵室中做地板鉆孔作業(yè)?

答：可以,但鉆孔時(shí)必須同時(shí)以吸塵器清除這些鐵屑(必須2人同時(shí)作業(yè))貨架不能擋住那些緊急設(shè)施?

答：沖身洗眼器,滅火器,機(jī)臺(tái)的緊急按鈕(EMO)手套上寫字記事情,為什幺違反6S規(guī)定? 答：因?yàn)楣P墨會(huì)到處沾粘;是微塵的來源

口罩必須如何戴才不違反6S規(guī)定?

答：完全蓋住口鼻;且全程保持標(biāo)準(zhǔn),不得拉下口罩,露出鼻子

制程或設(shè)備工程師review 完問題貨,如果不放回定位,hold lot 貨架或stocker內(nèi)會(huì)有何影響? 答：制造部MA,將大海撈針式地搜索此LOT,因?yàn)橹挥性赟tocker和機(jī)臺(tái)上才能感測(cè)RFID,回傳該LOT的位置

如何從自身執(zhí)行公司的機(jī)密文件管制?

答：機(jī)密文件檔案嚴(yán)禁任意放置在檔案柜內(nèi)或桌面上,必須放入有鎖的抽里。

辦公區(qū)域內(nèi)不可吃飲料類以外的食物屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的工作紀(jì)律

辦公區(qū)域內(nèi)不得任意喧嘩屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的工作紀(jì)律

辦公區(qū)域內(nèi)嚴(yán)禁打電子游戲?qū)儆谀且环N要求? 答：辦公區(qū)的工作紀(jì)律

有獨(dú)立辦公室的同仁在離開辦公室時(shí)，必須關(guān)上門屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的工作紀(jì)律

下班時(shí)請(qǐng)將桌面上所有文件清除屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的整理整頓

桌面下方物品堆放整齊，不可有雜物屬于那一種要求? 答：辦公區(qū)的整理整頓

何謂OCAP?

答：Out of Control Action Plan, 即產(chǎn)品制程結(jié)果量測(cè)值或機(jī)臺(tái)監(jiān)控monitor量測(cè)值,違反統(tǒng)計(jì)制程管制規(guī)則后的因應(yīng)對(duì)策

制造部人員如何執(zhí)行品質(zhì)監(jiān)控系統(tǒng)OCAP?

答：遇產(chǎn)品或機(jī)臺(tái)monitor量測(cè)值OOC或OOS時(shí),必須Follow 相對(duì)應(yīng)的檢查流程(有厚度/微塵/CD/Overlay…等OCAP 窗體);并通知工程師檢查工程上的問題

工程部人員(制程或設(shè)備工程師)如何執(zhí)行品質(zhì)監(jiān)控系統(tǒng)OCAP?

答：制造部MA通知必須Follow的OCAP;必須依流程判斷LOT或機(jī)臺(tái)有工程間題

什幺是OOS?

答：out of spec;制程結(jié)果超出允收規(guī)格

什幺是OOC?

答：out of control;制程結(jié)果在允收規(guī)格內(nèi)但是違反統(tǒng)計(jì)制程管制規(guī)則;用以警訊機(jī)臺(tái)或制程潛在可能的問題

發(fā)現(xiàn)Fab內(nèi)地板有如水的不明液體要如何處理?

答：請(qǐng)先假設(shè)它可能為強(qiáng)酸強(qiáng)堿, 以酸堿試紙檢測(cè)PH值后再以無塵布或吸酸棉吸收后丟入分類垃圾桶中

Fab內(nèi)的滅火器為那一類? 答：CO2 類

為什幺FAB必須使用CO2類的滅火器? 答：因?yàn)镃O2無干粉滅火器產(chǎn)塵的顧忌

如果不依垃圾分類原則來丟垃圾會(huì)有什幺后果?

答：可能造成無塵室的火災(zāi)危機(jī),因?yàn)樗釅A中和,產(chǎn)生熱后可能引起火災(zāi)

無塵室的正下方我們稱為什幺? 答：sub-fab

Sub-fab的功能主要為何?

答：生產(chǎn)機(jī)臺(tái)所需的供酸供氣等需求,主要由此處來供應(yīng)上來

Fab內(nèi)的空氣和外界進(jìn)行交換的比例為何? 答：約20%~25%

Fab生產(chǎn)區(qū)域內(nèi)最在意靜電(ESD)效應(yīng)的區(qū)域?yàn)楹? 答：PHOTO 黃光區(qū)(低能量靜電放電導(dǎo)致光罩的破壞)PHOTO 區(qū)如何消除靜電效應(yīng)

答：(1)機(jī)臺(tái)接地(2)使用導(dǎo)電或防靜電的材質(zhì)(3)使用靜電消除裝置

PHOTO 區(qū)的靜電消除器安置在那些地方?

答：(1)天花板(2)機(jī)臺(tái)scanner上方(3)Stocker內(nèi)

靜電效應(yīng)主要造成那些破壞? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆積的靜電荷一旦有放電作用,即會(huì)因產(chǎn)生的電流造成組件的破壞

何謂沖身洗眼器?/何處可以找到?

答：無塵室中各區(qū)域皆會(huì)有;是一可緊急使用沖淋身體與眼睛的地方

遇到什幺狀況時(shí),需要使用沖身洗眼器

答：當(dāng)碰到酸堿或任何其它溶劑時(shí),請(qǐng)立即進(jìn)入沖淋間,以大量清水沖淋15分鐘,然后趕急至醫(yī)護(hù)室進(jìn)行下一步處理

為何要配合海關(guān)進(jìn)行資產(chǎn)盤點(diǎn)?(機(jī)臺(tái)/芯片/原物料)

答：因?yàn)檫M(jìn)口的大部份資產(chǎn)都有關(guān)稅優(yōu)惠;海關(guān)為了解企業(yè)確實(shí)將這些進(jìn)口的材料加工成品后賣錢;而不是轉(zhuǎn)手賣掉.這一盤點(diǎn)對(duì)公司來說是非常重要的

PHOTO區(qū)域若發(fā)生miss operaton;可進(jìn)行rework將光阻去除后重新來過;所以不用太緊張對(duì)嗎?

答：錯(cuò)!重做多次將影響良率

PEL-STEL(short term exposure limit)短時(shí)間(15分鐘)時(shí)量平均容許濃度

答：勞工在短時(shí)間之內(nèi)可以連續(xù)暴露，而不會(huì)遭受刺激，慢性或不可逆的組織損害，或在每天之暴露沒有超過工作日時(shí)量平均容許濃度時(shí)不致因昏迷以致于會(huì)增加意外事故，損害自我救援能力，或?qū)嵸|(zhì)地降低工作效率。

PEL-Ceiling最高容許濃度：

答：在工作期間之任何時(shí)間暴露，均不可以超過的濃度。

LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)

答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性氣體分子在空氣中混合后的氣體百分率,達(dá)爆炸范圍時(shí)，可引起燃燒或爆炸，此爆炸范圍的下限及上限稱為LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%

TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)國際標(biāo)準(zhǔn)閾限值、恕限量

答：空氣中的物質(zhì)濃度，在此情況下認(rèn)為大多數(shù)人員每天重復(fù)暴露，不致有不良效應(yīng)。在此濃度每天呼吸暴露8小時(shí)不致有健康危害。但因每人體質(zhì)感受性差異很大，因此，有時(shí)即使低于TLV之濃度方可能導(dǎo)致某些人之不舒服、生病或使原有情況加劇。

PEL-TWA(time-weighted average)工作日時(shí)量平均容許濃度：各國家對(duì)同要物質(zhì)可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb

答：正常8小時(shí)一個(gè)工作天,40小時(shí)一工作周之時(shí)間加權(quán)的平均濃度下，大部份的勞工都重復(fù)一天又一天的曝露，而無不良的反應(yīng)。

PHOTO

PHOTO 流程?

答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測(cè)→Overlay量測(cè)

何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？

答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。

何為正光阻?

答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會(huì)改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。

何為負(fù)光阻?

答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會(huì)被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。

什幺是曝光？什幺是顯影？

答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。

何謂 Photo?

答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

Photo主要流程為何?

答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等。

何謂PHOTO區(qū)之前處理?

答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對(duì)Wafer表面進(jìn)行一系列的處理工作，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進(jìn)行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結(jié)合。

何謂上光阻? 答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。何謂Soft Bake?

答：上完光阻之后，要進(jìn)行Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。

何謂曝光?

答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時(shí)將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。

何謂PEB(Post Exposure Bake)?

答：PEB是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。

何謂顯影? 答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進(jìn)行成象的過程，通過這個(gè)過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。

何謂Hard Bake?

答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。

何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？

答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

何謂 I-line？

答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp(汞燈)產(chǎn)生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。

何謂 DUV？

答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。

I-line與DUV主要不同處為何?

答：光源不同，波長不同，因此應(yīng)用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進(jìn)制程的Critical layer上。

何為Exposure Field?

答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域

何謂 Stepper? 其功能為何?

答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Step by step形式,一次曝整個(gè)exposure field,一個(gè)一個(gè)曝過去

何謂 Scanner? 其功能為何?

答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Scanning and step形式, 在一個(gè)exposure field曝光時(shí), 先Scan完整個(gè)field, Scan完後再移到下一個(gè)field.何為象差？

答：代表透鏡成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper優(yōu)點(diǎn)為何？

答：Exposure Field大，象差較小

曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距，這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。

何為Reticle?

答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。

何為Pellicle?

答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。

何為OPC光罩？

答：OPC(Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。

何為PSM光罩？

答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。

何為CR Mask？

答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應(yīng)用在較不Critical 的layer

光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺？

答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表產(chǎn)品號(hào)，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，后一個(gè)A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,則代表I-line),A代表ASML機(jī)臺(tái)（如果是C，則代表Canon機(jī)臺(tái)）

光罩室同時(shí)不能超過多少人在其中？

答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。

存取光罩的基本原則是什幺？

答：(1)光罩盒打開的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出Mask Room,最多只準(zhǔn)保持2個(gè)人(2)戴上手套(3)輕拿輕放

如何避免靜電破壞Mask？

答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。

光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？

答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動(dòng)FOUP時(shí)碰撞光罩Pod而損壞光罩。

何謂 Track?

答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。

In-line Track機(jī)臺(tái)有幾個(gè)Coater槽，幾個(gè)Developer槽？

答：均為4個(gè)

機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程？

答：機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)該及時(shí)Call E.E進(jìn)行處理。若EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機(jī)臺(tái)掛DOWN。

何謂 WEE? 其功能為何?

答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ?，這樣便可以消除影響。

何為PEB？其功能為何？

答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standing waves）

PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻

答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。

RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject？

答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有Reject記錄。

何謂 Overlay? 其功能為何?

答：迭對(duì)測(cè)量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度，如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個(gè)電路不能完成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對(duì)其與前層的對(duì)準(zhǔn)精度進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè)量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整process condition.何謂 ADI CD?

答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測(cè)量CD的值來確定process的條件是否合適。

何謂 CD-SEM? 其功能為何?

答：掃描電子顯微鏡。是一種測(cè)量用的儀器，通常可以用于測(cè)量CD以及觀察圖案。

PRS的制程目的為何？

答：PRS(Process Release Standard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對(duì)Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。

何為ADI？ADI需檢查的項(xiàng)目有哪些？

答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何為OOC, OOS，OCAP？

答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將ETCH沒有下機(jī)臺(tái)的貨追回來？

答：需要。因?yàn)橥ǔＪ莗rocess出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回?fù)p失。

PHOTO ADI檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？

答：5點(diǎn)，Wafer中間一點(diǎn)，周圍四點(diǎn)。

PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？

答：20

PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？

答：#1，#6，#15，#24;統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量 何謂RTMS，其主要功能是什幺？

答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理

PHOTO區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行PM的周期？

答：一周一次

PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型

答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測(cè)前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測(cè)試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區(qū)daily monitor CD穩(wěn)定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測(cè)量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer

當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？

答：有少量光阻

當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？

答：有少量光阻

WAFER SORTER有讀WAFER刻號(hào)的功能嗎？

答：有

光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺? 它們的作用是什幺?

答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是: TRACK(涂膠顯影機(jī)), Sanner(掃描曝光機(jī))為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)

答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的照相機(jī).光罩上的電路圖形就是”人物“.通過對(duì)準(zhǔn),對(duì)焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現(xiàn)出來了.光刻技術(shù)的英文是什幺

答：Photo Lithography

常聽說的.18 或點(diǎn)13 技術(shù)是指什幺?

答：它是指某個(gè)產(chǎn)品,它的最小”CD" 的大小為0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).從點(diǎn)18工藝到點(diǎn)13 工藝到點(diǎn)零9.難度在哪里?

答：難度在光刻部, 因?yàn)閳D形越來越小, 曝光機(jī)分辨率有限.曝光機(jī)的NA 是什幺?

答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開的角度的正玹值.最大是1;先進(jìn)的曝光機(jī)的NA 在0.5---0.85之間.曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;k1是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù), 通常在0.4--0.7之間.如何提高曝光機(jī)的分辨率呢?

答：減短曝光的光波長, 選擇新的光源;把透鏡做大,提高NA.現(xiàn)在的生產(chǎn)線上, 曝光機(jī)的光源有幾種, 波長多少?

答：有三種: 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線, 我們也稱其為I-line;KrF 激光器, 產(chǎn)生248 nm 的光;ArF 激光器, 產(chǎn)生193 nm 的光;下一代曝光機(jī)光源是什幺? 答：F2 激光器.波長157nm

我們可否一直把波長縮短,以提高分辨率? 困難在哪里?

答：不可以.困難在透鏡材料.能透過157nm 的材料是CaF2, 其晶體很難生長.還未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？

答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光,所以采用黃光;就象洗像的暗房采用暗紅光照明.什幺是SEM

答：掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道CD SEM.用它來測(cè)量CD

如何做Overlay 測(cè)量呢?

答：芯片(Wafer)被送進(jìn)Overlay 機(jī)臺(tái)中.先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK.這個(gè)MARK 是一個(gè)方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu).大方塊是前層, 小方塊是當(dāng)層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺

答：曝光機(jī);5-15 百萬美金/臺(tái)

曝光機(jī)貴在哪里?

答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15 到20 個(gè)直徑在200 300MM 的透鏡組成.波面相位差只有最好象機(jī)的5%.它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺(tái))

激光工作臺(tái)的定位精度有多高?

答：現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺(tái)定位的重復(fù)精度小于10nm 曝光機(jī)是如何保證Overlay<50nm

答：曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對(duì)準(zhǔn)精度<50nm.它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激光工作臺(tái), 它把wafer移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置.再就是成像系統(tǒng),它帶來的圖像變形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一個(gè)Field?

答：光罩上圖形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一塊(這一塊就叫一個(gè)Field),激光工作臺(tái)把WAFER 移動(dòng)一個(gè)Field的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片WAFER 上有約100左右Field.什幺叫一個(gè)Die?

答：一個(gè)Die也叫一個(gè)Chip;它是一個(gè)功能完整的芯片。一個(gè)Field可包含多個(gè)Die;

為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)”

答：曝光機(jī) 很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。

Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer：

答：機(jī)器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)來吸住WAFER.TRACK的ROBOT 設(shè)計(jì)獨(dú)特, 用邊緣HOLD WAFER.可否用肉眼直接觀察測(cè)量Scanner曝光光源輸出的光

答：絕對(duì)禁止;強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害

為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation(底座)答：Scanner曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求(減震)近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段?

答：從80’S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.35um 以上的圖層(LAYER)KrF scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.13um 以上的圖層(LAYER)ArF scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.08um 以上的圖層(LAYER)什幺是DUV SCANNER

答：DUV SCANNER 是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外線．即現(xiàn)用的248nm,193nm Scanner

Scanner在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解：

答：Scanner 是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運(yùn)動(dòng)要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位置<10nm．相當(dāng)于兩架時(shí)速1000公里／小時(shí)的波音747飛機(jī)前后飛行，相距小于10微米

光罩的結(jié)構(gòu)如何？

答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時(shí)，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護(hù)鉻膜不受外界污染.在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙

答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃（particle）．進(jìn)cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.如何做CD 測(cè)量呢? 答：芯片(Wafer)被送進(jìn)CD SEM 中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同;處理此信號(hào)可的圖像.對(duì)圖像進(jìn)行測(cè)量得CD.什幺是DOF

答：DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一側(cè)的某個(gè)平面成像, 我們稱之為像平面(Image Plan), 只有將像平面與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形.當(dāng)離開一段距離后, 圖像模糊.這一可清晰成像的距離叫DOF

曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？

答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉．去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當(dāng)例子注入的模板．

光阻種類有多少？

答：光阻種類有很多．可根據(jù)它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻

光阻層的厚度大約為多少？

答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？

答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)．

哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)．

當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療

第二篇：半導(dǎo)體論文

半導(dǎo)體器件論文試題（任選5題）

《1月7號(hào)前交給班長，要求手寫》

1、闡述本征半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體的概念并給出其能帶圖。

2、論述PN結(jié)的構(gòu)成及其能帶圖的成因。

3、論述PN結(jié)單向?qū)щ姷某梢颉?/p>

4、論述PN結(jié)被擊穿的機(jī)理。

5、論述PN結(jié)電容的分類及內(nèi)在機(jī)制。

6、以NPN型晶體管為例論晶體管的基本結(jié)構(gòu)及其放大原理。

7、以NPN型晶體管為例論述晶體管反向電流的種類及其成因。

8、論述P-N結(jié)模型伏安特性偏離理想方程的原因。

9、推導(dǎo)證明本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)Ei基本在禁帶中間。

10、論述MIS結(jié)構(gòu)表面積累、表面耗盡、表面反型的形成機(jī)理。

第三篇：初三物理教案 半導(dǎo)體（精選）

初三物理教案 半導(dǎo)體

初三物理教案 半導(dǎo)體

教學(xué)目標(biāo)

知識(shí)目標(biāo)

了解半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中的應(yīng)用.能力目標(biāo)

通過半導(dǎo)體知識(shí)的學(xué)習(xí)，擴(kuò)展知識(shí)面.情感目標(biāo)

知道半導(dǎo)體在現(xiàn)代科技中的重要性，樹立科技強(qiáng)國的觀念.教學(xué)建議

教材分析 教材從分析導(dǎo)體和絕緣體的區(qū)別入手，進(jìn)一步引入另一種介乎導(dǎo)體和絕緣體之間的材料--半導(dǎo)體.接著分析了半導(dǎo)體的特點(diǎn)并提出問題.教材又結(jié)合實(shí)例，介紹幾種半導(dǎo)體的特性，說明了半導(dǎo)體地重要性.教法建議

本節(jié)的教學(xué)要注重科技的聯(lián)系，避免孤立的學(xué)習(xí)，要注意聯(lián)系實(shí)際.可以提出問題學(xué)生自主學(xué)習(xí)，學(xué)生根據(jù)提出的問題，可以利用教材和教師提供的一些資料進(jìn)行學(xué)習(xí).也可以教師提出課題，學(xué)生查閱資料，從收集資料、信息的過程中學(xué)習(xí)，提高收集信息和處理信息的能力.教學(xué)設(shè)計(jì)方案

【教學(xué)過程設(shè)計(jì)】 方法

1、學(xué)生閱讀教材，教師提供一些半導(dǎo)體的材料，教師提出一些問題，學(xué)生閱讀時(shí)思考，例如：半導(dǎo)體和導(dǎo)體、絕緣體的有什么不同?你知道那些半導(dǎo)體元件?半導(dǎo)體都在哪些地方有應(yīng)用?

方法

2、對(duì)于基礎(chǔ)較好的班級(jí)，可以采用實(shí)驗(yàn)探究和信息學(xué)習(xí)的方法.實(shí)例如下

實(shí)驗(yàn)探究：可以組織學(xué)生小組，圖書館、互聯(lián)網(wǎng)查閱有關(guān)半導(dǎo)體方面的資料，小組討論，總結(jié)半導(dǎo)體和導(dǎo)體、絕緣體的區(qū)別.【板書設(shè)計(jì)】

1．半導(dǎo)體

概念

與導(dǎo)體、絕緣體的區(qū)別

2．半導(dǎo)體材料

3.半導(dǎo)體的電學(xué)性能 探究活動(dòng)

【課題】探究二極管的特性

【組織形式】學(xué)習(xí)小組

【活動(dòng)方式】查閱有關(guān)資料，總結(jié)、討論

【活動(dòng)內(nèi)容】查找、總結(jié)

1、二極管的四個(gè)特性.2、判斷二極管的方法.3、二極管的有關(guān)參數(shù)..

第四篇：說課稿-半導(dǎo)體器件

尊敬的各位領(lǐng)導(dǎo)、各位老師下午好，我今天說課的題目是：平衡PN結(jié)

一、分析教材

首先我對(duì)本節(jié)的教材內(nèi)容進(jìn)行分析：

《半導(dǎo)體器件物理》是應(yīng)用物理學(xué)專業(yè)的一門重要專業(yè)方向課程。通過本課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生能夠結(jié)合各種半導(dǎo)體的物理效應(yīng)掌握常用和特殊半導(dǎo)體器件的工作原理，從物理角度深入了解各種半導(dǎo)體器件的基本規(guī)律。PN結(jié)是構(gòu)成各類半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)，如雙極型晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、可控硅等，都是由PN結(jié)構(gòu)成的。PN結(jié)的性質(zhì)集中反映了半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的特點(diǎn)，如存在兩種載流子、載流子有漂移運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、產(chǎn)生與復(fù)合三種基本運(yùn)動(dòng)形式等。獲得在本課程領(lǐng)域內(nèi)分析和處理一些最基本問題的初步能力，為進(jìn)一步深入學(xué)習(xí)和獨(dú)立解決實(shí)際工作中的有關(guān)問題奠定一定的基礎(chǔ)。

根據(jù)以上分析，結(jié)合本節(jié)教學(xué)要求，再聯(lián)系學(xué)生實(shí)際，我確立了以下教學(xué)目標(biāo)：

1、知識(shí)目標(biāo)

(1)了解PN結(jié)的結(jié)構(gòu)、制備方法；

(2)掌握平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)和能帶圖；

(3)掌握平衡PN結(jié)的載流子濃度分布。

2、能力目標(biāo)

(1)通過典型圖例，指導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行觀察和認(rèn)識(shí)PN結(jié)，培養(yǎng)學(xué)生的觀察現(xiàn)象、分析問題以及理論聯(lián)系實(shí)際的能力；

(2)指導(dǎo)學(xué)生自己分析，借助教材和圖例，培養(yǎng)學(xué)生的動(dòng)手能力以及通過實(shí)驗(yàn)研究問題的習(xí)慣；

3、情感目標(biāo)

(1)培養(yǎng)學(xué)生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的興趣，進(jìn)而激發(fā)學(xué)生對(duì)本專業(yè)熱愛的激情；

(2)培養(yǎng)學(xué)生科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)習(xí)態(tài)度。

考慮到一方面學(xué)生的文化基礎(chǔ)比較薄弱，綜合解決問題的能力有待提高，另一方面，對(duì)于高職類學(xué)校的學(xué)生而言，要求有較強(qiáng)的動(dòng)手能力，我把教學(xué)的重點(diǎn)和難點(diǎn)設(shè)置如下：

1、教學(xué)重點(diǎn)

平衡p–n結(jié)空間電荷區(qū)的形成；平衡p–n結(jié)的能帶圖

2、教學(xué)難點(diǎn)

平衡p–n結(jié)中載流子的分布

二、說教法

興趣是推動(dòng)學(xué)生求知欲的強(qiáng)大動(dòng)力，在教學(xué)中把握學(xué)生好奇心的特點(diǎn)至關(guān)重要。另一方面，在教學(xué)課堂中，不僅要求傳授書本的理論知識(shí)，更要注重培養(yǎng)學(xué)生的思維判斷能力、依據(jù)理論解決實(shí)際問題的能力以及自學(xué)探索的能力。據(jù)此，我準(zhǔn)備以演示法和引導(dǎo)式教學(xué)為主，遵循學(xué)生為學(xué)生為主體，教師為主導(dǎo)的原則，通過講授理論知識(shí)，使學(xué)生獲得必要的感性認(rèn)識(shí)，讓疑問激起他們的學(xué)習(xí)研究興趣，然后再引導(dǎo)學(xué)生掌握必要的基礎(chǔ)知識(shí)，最后在開放的課堂上提供學(xué)生進(jìn)一步研究的機(jī)會(huì)，滿足他們的好奇心，開發(fā)他們的創(chuàng)新潛力。

三、說學(xué)法

學(xué)生是教學(xué)活動(dòng)的主體，教學(xué)活動(dòng)中要注意學(xué)生學(xué)法的指導(dǎo)，使學(xué)生從“學(xué)會(huì)”轉(zhuǎn)化為“會(huì)學(xué)”。根據(jù)教學(xué)內(nèi)容，本節(jié)采用觀察、分析的學(xué)習(xí)方法，在做好演示圖例的同時(shí)，引導(dǎo)學(xué)生合作討論，進(jìn)而獲取知識(shí)。

另外，在教學(xué)過程中，我還會(huì)鼓勵(lì)學(xué)生運(yùn)用探究性的學(xué)習(xí)方法，培養(yǎng)他們發(fā)現(xiàn)、探究、解決問題的能力。

四、說教學(xué)過程

為了完成教學(xué)目標(biāo)，解決教學(xué)重點(diǎn)，突破教學(xué)難點(diǎn)，課堂教學(xué)我準(zhǔn)備按以下幾個(gè)環(huán)節(jié)展開：

1、新課導(dǎo)入

通過半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)的學(xué)習(xí)，分析了P型和N型半導(dǎo)體中的載流子濃度分布和運(yùn)動(dòng)情況，如果將P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，在二者的交界處就形成了PN結(jié)。首先學(xué)習(xí)PN結(jié)。引出問題：什么是PN結(jié)？

設(shè)計(jì)意圖：通過問題的提出，引導(dǎo)學(xué)生形成對(duì)所學(xué)事物的輪廓，豐富他們的感性認(rèn)識(shí)，吸引學(xué)生的注意力和好奇心。

2、講解新課

通過講解在本征半導(dǎo)體中參入不同雜質(zhì)，引出半導(dǎo)體的一個(gè)特殊結(jié)構(gòu)：PN結(jié)。

(1)講解PN結(jié)

用圖示演示PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)，兩種不同類型的半導(dǎo)體：P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。為了加深學(xué)生的理解，可以采用情景教學(xué)的方式，讓學(xué)生在輕松有趣的互動(dòng)游戲中掌握枯燥的概念。

(2)平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)和能帶圖

通過圖例展示，教師講解平衡PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成和能帶圖，然后讓學(xué)生復(fù)述，傾聽學(xué)生自己的理解，在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步分析，講解各名詞的概念：擴(kuò)散、漂移、空間電荷區(qū)、自建電場、勢(shì)壘、勢(shì)壘區(qū)。

(3)平衡PN結(jié)的接觸電勢(shì)差

由此，也進(jìn)一步引出N區(qū)和P區(qū)之間存在電勢(shì)差，稱為PN結(jié)的接觸電勢(shì)差。給出n區(qū)電子濃度、p區(qū)空穴濃度的公式，引導(dǎo)學(xué)生推導(dǎo)接觸電勢(shì)差。

(4)平衡PN結(jié)的載流子濃度分布

通過圖示回顧上課過程中提到的空間電荷區(qū)、自建電場、擴(kuò)散、漂移、載流子的耗盡等概念，總結(jié)平衡PN結(jié)的載流子濃度分布并給出示意圖。

3、歸納總結(jié)，布置作業(yè)

設(shè)計(jì)問題，由學(xué)生回答問題,通過設(shè)問回答補(bǔ)充的方式小結(jié)，學(xué)生自主回答三個(gè)問題，教師關(guān)注全體學(xué)生對(duì)本節(jié)課知識(shí)的掌握程度，學(xué)生是否愿意表達(dá)自己的觀點(diǎn)。

(1)什么是PN結(jié)？

(2)PN結(jié)的制備方法有哪些？

(3)平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)是如何形成的？

(4)平衡PN結(jié)的能帶圖中費(fèi)米能級(jí)的作用？

(5)平衡PN結(jié)接觸電勢(shì)差的推導(dǎo)過程？

設(shè)計(jì)意圖：通過提問方式引導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行小結(jié)，養(yǎng)成學(xué)習(xí)——總結(jié)——再學(xué)習(xí)的良好習(xí)慣，發(fā)揮自我評(píng)價(jià)作用，同時(shí)可培養(yǎng)學(xué)生的語言表達(dá)能力。作業(yè)分層要求，做到面向全體學(xué)生，給基礎(chǔ)好的學(xué)生充分的空間，滿足他們的求知欲。

五、板書設(shè)計(jì)

采用三欄式

以上，我從教材、教法、學(xué)法、教學(xué)過程和板書設(shè)計(jì)五個(gè)方面對(duì)本課進(jìn)行了說明，我的說課到此結(jié)束，謝謝各位評(píng)委老師。

第五篇：半導(dǎo)體材料測(cè)試技術(shù)

常規(guī)材料測(cè)試技術(shù)

一、適用客戶：

半導(dǎo)體，建筑業(yè)，輕金屬業(yè)，新材料，包裝業(yè)，模具業(yè)，科研機(jī)構(gòu)，高校，電鍍，化工，能源，生物制藥，光電子，顯示器。

二、金相實(shí)驗(yàn)室

? Leica DM/RM 光學(xué)顯微鏡

主要特性：用于金相顯微分析，可直觀檢測(cè)金屬材料的微觀組織，如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脫碳層、氮化層及焊接、冷加工、鑄造、鍛造、熱處理等等不同狀態(tài)下的組織組成，從而判斷材質(zhì)優(yōu)劣。須進(jìn)行樣品制備工作，最大放大倍數(shù)約1400倍。

? Leica 體視顯微鏡

主要特性：

1、用于觀察材料的表面低倍形貌，初步判斷材質(zhì)缺陷；

2、觀察斷口的宏觀斷裂形貌，初步判斷裂紋起源。

? 熱振光模擬顯微鏡

? 圖象分析儀

? 萊卡DM/RM 顯微鏡附 CCD數(shù)碼 照相裝置

三、電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室

? 掃描電子顯微鏡(附電子探針)(JEOL JSM5200，JOEL JSM820，JEOL JSM6335)

主要特性：

1、用于斷裂分析、斷口的高倍顯微形貌分析，如解理斷裂、疲勞斷裂（疲勞輝紋）、晶間斷裂（氫脆、應(yīng)力腐蝕、蠕變、高溫回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等）、侵蝕形貌、侵蝕產(chǎn)物分析及焊縫分析。

2、附帶能譜，用于微區(qū)成分分析及較小樣品的成分分析、晶體學(xué)分析，測(cè)量點(diǎn)陣參數(shù)/合金相、夾雜物分析、濃度梯度測(cè)定等。

3、用于金屬、半導(dǎo)體、電子陶瓷、電容器的失效分析及材質(zhì)檢驗(yàn)、放大倍率：10X—300,000X；樣品尺寸：0.1mm—10cm；分辯率:1—50nm。

? 透射電子顯微鏡（菲利蒲 CM-20,CM-200）

主要特性：

1、需進(jìn)行試樣制備為金屬薄膜，試樣厚度須<200nm。用于薄膜表面科學(xué)分析，帶能譜，可進(jìn)行化學(xué)成分分析。

2、有三種衍射花樣：斑點(diǎn)花樣、菊池線花樣、會(huì)聚束花樣。斑點(diǎn)花樣用于確定第二相、孿晶、有序化、調(diào)幅結(jié)構(gòu)、取向關(guān)系、成象衍射條件。菊池線花樣用于襯度分析、結(jié)構(gòu)分析、相變分析以及晶體精確取向、布拉格位移矢量、電子波長測(cè)定。會(huì)聚束花樣用于測(cè)定晶體試樣厚度、強(qiáng)度分布、取向、點(diǎn)群

? XRD-Siemens500—X射線衍射儀

主要特性：

1、專用于測(cè)定粉末樣品的晶體結(jié)構(gòu)（如密排六方，體心立方，面心立方等），晶型，點(diǎn)陣類型，晶面指數(shù)，衍射角，布拉格位移矢量，已及用于各組成相的含量及類型的測(cè)定。測(cè)試時(shí)間約需1小時(shí)。

2、可升溫（加熱）使用。

? XRD-Philips X’Pert MRD—X射線衍射儀

主要特性：

1、分辨率衍射儀，主要用于材料科學(xué)的研究工作，如半導(dǎo)體材料等，其重現(xiàn)性精度達(dá)萬分之一度。

2、具備物相分析（定性、定量、物相晶粒度測(cè)定；點(diǎn)陣參數(shù)測(cè)定），殘余應(yīng)力及織構(gòu)的測(cè)定；薄膜物相鑒定、薄膜厚度、粗糙度測(cè)定；非平整樣品物相分析、小角度散射分析等功能。

3、用于快速定性定量測(cè)定各類材料（包括金屬、陶瓷、半導(dǎo)體材料）的化學(xué)成分組成及元素含量。如：Si、P、S、Mn、Cr、Mo、Ni、V、Fe、Co、W等等，精確度為0.1%。

4、同時(shí)可觀察樣品的顯微形貌，進(jìn)行顯微選區(qū)成分分析。

5、可測(cè)尺寸由φ 10 × 10mm至φ280×120mm；最大探測(cè)深度：10μm

? XRD-Bruker—X射線衍射儀

主要特點(diǎn) ：

1、有二維探測(cè)系統(tǒng)，用于快速測(cè)定金屬及粉末樣品的晶體結(jié)構(gòu)（如密排六方、體心立方、面心立方等）、晶型、點(diǎn)陣類型、晶面指數(shù)、衍射角、布拉格位移矢量。

2、用于表面的殘余應(yīng)力測(cè)定、相變分析、晶體織構(gòu)及各組成相的含量及類型的測(cè)定。

3、測(cè)試樣品的最大尺寸為100×100×10(mm)。

? 能量散射X-射線熒光光譜儀(EDXRF)主要特點(diǎn)：

1、用于快速定性定量測(cè)定各類材料（包括金屬、陶瓷、半導(dǎo)體材料）的化學(xué)成分組成及元素含量。如：Si、P、S、Mn、Cr、Mo、Ni、V、Fe、Co、W等等。

2、同時(shí)可觀察樣品的顯微形貌，進(jìn)行顯微選區(qū)成分分析。

3、最大可測(cè)尺寸為：φ280×120mm

四、光子/激光光譜實(shí)驗(yàn)室

? 傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀(Perkin Elmer 1600)主要特點(diǎn)：

1、通過不同的紅外光譜來區(qū)分不同塑膠等聚合物材料的種類。

2、用于古董的鑒別，譬如：可以分辨翡翠等玉器的真?zhèn)巍?/p>

3、樣品的尺寸范圍：φ25mm – φ0.1mm

? 紫外可見光譜儀(UV-VIS)主要特性：

1、測(cè)試物質(zhì)對(duì)光線的敏感性。譬如：薄膜、電子晶片、透明塑料、化工涂料的透光性或吸光性。

2、測(cè)試液體的濃度。波長范圍：190nm—1100nm ? 拉曼光譜儀(Spex Rama Log 1403)

? 拉曼顯微鏡光譜儀(T64000)

? 布里淵光譜儀(Sanderock 前后干涉計(jì))

五、表面科學(xué)實(shí)驗(yàn)室

? 原子發(fā)射光譜儀, 俄歇能譜儀(PHI Model 5802)? 原子力顯微鏡，掃描隧道顯微鏡(Park 科技)? 高分辨率電子能量損耗能譜儀(LK技術(shù))

? 低能量電子衍射, 原子發(fā)射光譜&紫外電子能譜儀(Micron)? 熒光光譜儀

? XPS+AES 電子表面能譜儀

主要特點(diǎn)：

用于表面科學(xué)10-12材料跡量，樣品表面層的化學(xué)成分分析（1μm）以內(nèi)，超輕元素分析，所測(cè)成分是原子數(shù)的百分比（He及H除外）；并可分析晶界富集有害雜質(zhì)原子引起的脆斷。

六、熱學(xué)分析實(shí)驗(yàn)室

? 示差掃描熱量計(jì)（DSC）（Perkin Elmer DSC7,TA MDSC2910）

主要特點(diǎn)：

1、將樣品及標(biāo)樣升高相同的溫度，通過測(cè)試熱量（吸熱及放熱）的變化，來尋找樣品相變開始及結(jié)束的溫度。

2、用于形狀記憶合金及多組分材料Tg的測(cè)量。

? 差熱分析儀DTA/DSC（Setaram Setsys DSC16/ DTA18）

主要特性：

用于熱重量分析，利用熱效應(yīng)分析材料及合金的組織、狀態(tài)轉(zhuǎn)變；可用于研究合金及聚合物的熔化及凝固溫度、多型性轉(zhuǎn)變、固溶體分解、晶態(tài)與非晶態(tài)轉(zhuǎn)變、聚合物的各組份含量分析。

? 動(dòng)態(tài)機(jī)械分析儀（DMA）/熱機(jī)械分析儀（TMA）

主要特點(diǎn)：

1、用于低溫合金和低熔點(diǎn)合金材料的熱力學(xué)及熱機(jī)械性能分析。

2、用于測(cè)定材料的熱膨脹系數(shù)（包括體膨脹系數(shù)和線膨脹系數(shù)）、內(nèi)耗、彈性模量。材料的熱膨脹系數(shù)受到材料的化學(xué)成分，冷加工變形量，熱處理工藝等因素的影響。

七、薄膜加工實(shí)驗(yàn)室

（一）物理氣相沉積(PVD)設(shè)備 ? 射頻和直流源磁控濺射系統(tǒng)。? 離子束沉積系統(tǒng)

? 電子槍沉積系統(tǒng) ? 熱蒸發(fā)沉積系統(tǒng) ? 脈沖激光沉積系統(tǒng)

? 閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍

主要特性：

制備高品質(zhì)的表面涂層，賦予產(chǎn)品新的性能(譬如：提高表面硬度，抗磨損性及抗刮擦質(zhì)量，減低摩擦系數(shù)等)。在苛刻的工作環(huán)境中提高產(chǎn)品的使用壽命，并且改善產(chǎn)品的外觀。例如在工業(yè)生產(chǎn)涂層的種類：

1、氮化鈦膜(TiN)：常用于大多數(shù)工具的涂層，包括模具、鉆頭、沖頭、切割刀片等。

2、類金剛石涂層(DLC)---Ti+DLC涂層具有良好硬度及低摩擦系數(shù)，適用于耐磨性表面、鑄模、沖模、沖頭及電機(jī)原件；Cr+DLC涂層為不含氫的固體潤滑濺射涂層，適用于汽車部件、紡織工業(yè)、訊息儲(chǔ)存及潮濕環(huán)境。

３、含MoS2的金屬復(fù)合固體潤滑涂層—適用于銑刀、鉆頭、軸承、及極低磨擦需求的環(huán)境、如航空及航天科技的應(yīng)用

（二）化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備 ? 熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

? 射頻和直流源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) ? 金屬有機(jī)分解及熔解凝固沉積系統(tǒng)

? 電子回旋共振-微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

1、等離子體化學(xué)氣相沉積是一種新型的等離子體輔助沉積技術(shù)。在一定壓力、溫度（大于500℃）及脈沖電壓作用下，在產(chǎn)品表面形成各種硬質(zhì)膜如TiN,TiC,TiCN,(Ti、Si)CN及多層復(fù)合膜，顯微硬度高達(dá)HV2000-2500。

2、PCVD技術(shù)可實(shí)現(xiàn)離子滲氮、滲碳和鍍膜依次滲透復(fù)合，可提高產(chǎn)品表面的耐磨損、耐腐蝕及抗熱疲勞等性能。適用于鈦合金，硬質(zhì)合金，不銹鋼，高速鋼及一些模具材料的表面涂層處理。

（三）PIII等離子實(shí)驗(yàn)室

1、PIII等離子實(shí)驗(yàn)室由一個(gè)半導(dǎo)體等離子注入裝置和一個(gè)多源球形等離子浸沒離子注入裝置組成，通過將高速等離子體注入工件表面，改變表面層的結(jié)構(gòu)及性能，提高產(chǎn)品的硬度，耐蝕性，減少磨擦力以達(dá)到表面強(qiáng)化，延長產(chǎn)品的使用壽命及靈敏度的目的。

2、PIII球形等離子注入技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、生物、材料、航空航天關(guān)鍵組件等各個(gè)領(lǐng)域，是一種綜合技術(shù)，用于合成薄膜及修正強(qiáng)化材料的表面性能。與傳統(tǒng)的平面線性等離子注入技術(shù)相比，PIII技術(shù)可從內(nèi)壁注入作表面強(qiáng)化處理，極適用于體積龐大而形狀不規(guī)則的工業(yè)產(chǎn)品。

八、材料加工實(shí)驗(yàn)室

（一）金屬及合金加工實(shí)驗(yàn)室 ? 行星球磨機(jī)

? 激光粒度分析儀(Coulter LS100)

? 比表面積分析儀(NOVA1000)? 滾動(dòng)磨床 ? 水銀孔隙率計(jì) ? 交流磁化率計(jì) ? 振動(dòng)磁力計(jì)

（二）聚合物加工實(shí)驗(yàn)室

? 加工成型設(shè)備（注塑模、比利時(shí)塑料擠出機(jī)、壓塑模、擠壓機(jī)）

? 性能測(cè)試設(shè)備(霍普金森壓力系統(tǒng)、FTIR、掃描電鏡、透射電鏡、光學(xué)顯微鏡及所有來自熱學(xué)實(shí)驗(yàn)室的儀器)

（三）高級(jí)陶瓷實(shí)驗(yàn)室 ? 陶瓷加工成形設(shè)備

? 微平衡系統(tǒng)、球磨機(jī)與等靜壓系統(tǒng)(ABB QIH-3)? 電子陶瓷性能測(cè)試儀器

標(biāo)準(zhǔn)精度鐵電測(cè)試系統(tǒng)(鐳射技術(shù))，MTI2000 鍵盤薄膜傳感器，壓電尺，精密電阻分析儀(HP4294A)，Pico-Amp Meter，直流電壓環(huán)境。

? 超聲波測(cè)試系統(tǒng)

先進(jìn)電子陶瓷--標(biāo)準(zhǔn)化電性能測(cè)試系統(tǒng)Signatone Model S106R 用于測(cè)試先進(jìn)電子陶瓷材料（包括片狀樣品和薄膜樣品）的鐵電和壓電及熱釋電性能。測(cè)試不同溫度下電容、電阻的變化曲線及頻譜曲線。

九、機(jī)械性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

? 單一拉伸實(shí)驗(yàn)機(jī)（型號(hào)為Instron 4206和5567）

主要特性：

1、拉伸試驗(yàn)是最常規(guī)的塑性材料準(zhǔn)靜載試驗(yàn)。

2、用于測(cè)量各類材料（包括Cu,Al,鋼鐵，聚合物等）的屈服強(qiáng)度，抗拉（壓）強(qiáng)度，剪切強(qiáng)度，斷面收縮率，屈服點(diǎn)及制定應(yīng)力—應(yīng)變曲線。

3負(fù)荷由30KN—1KN。

? 金屬疲勞強(qiáng)度測(cè)試儀（型號(hào)為Instron 8801）? 沖擊性能測(cè)試機(jī)：

（懸臂梁式?jīng)_擊測(cè)試儀（Ceast），落錘式重力沖擊測(cè)試儀（Ceast））

主要特性：

1、用于測(cè)定塑膠及電子材料的沖擊韌性σk、應(yīng)力應(yīng)變曲線，對(duì)材料品質(zhì)、宏觀缺陷、顯微組織十分敏感，故常成為材質(zhì)優(yōu)劣的度量。

2、最大負(fù)荷為19KN，溫度變化范圍為-50℃—150 ℃，能測(cè)出百萬分之一秒內(nèi)時(shí)間與力的變化。

? 蠕變測(cè)試儀（Creep Testers ESH）

主要特性：

1、用于測(cè)定高溫和持續(xù)載荷作用下金屬產(chǎn)生隨時(shí)間發(fā)展的塑性變形量及金屬材料在高溫下發(fā)生蠕變的強(qiáng)度極限。

2、試驗(yàn)使用溫度與合金熔點(diǎn)的比值大于0.5，能精確測(cè)定微小變形量，試驗(yàn)時(shí)間在幾萬小時(shí)以內(nèi)。

? 維氏顯微硬度測(cè)試儀Vickers FV-700 主要特性：

1、用于測(cè)量顯微組織硬度，不同相的硬度，滲層（如氮化層，滲碳層，脫碳層等）及鍍層的硬度分布和厚度。

2、硬度—材料對(duì)外部物體給予的變形所表現(xiàn)出的抵抗能力的度量，與強(qiáng)度成正比。