第一篇：半導(dǎo)體術(shù)語解釋小結(jié)
第一章 固體晶體結(jié)構(gòu)
小結(jié)
1.硅是最普遍的半導(dǎo)體材料
2.半導(dǎo)體和其他材料的屬性很大程度上由其單晶的晶格結(jié)構(gòu)決定。晶胞是晶體中的一小塊體積，用它可以重構(gòu)出整個(gè)晶體。三種基本的晶胞是簡(jiǎn)立方、體心立方和面心立方。3.硅具有金剛石晶體結(jié)構(gòu)。原子都被由4個(gè)緊鄰原子構(gòu)成的四面體包在中間。二元半導(dǎo)體具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它與金剛石晶格基本相同。
4.引用米勒系數(shù)來描述晶面。這些晶面可以用于描述半導(dǎo)體材料的表面。密勒系數(shù)也可以用來描述晶向。
5.半導(dǎo)體材料中存在缺陷，如空位、替位雜質(zhì)和填隙雜質(zhì)。少量可控的替位雜質(zhì)有益于改變半導(dǎo)體的特性。
6.給出了一些半導(dǎo)體生長(zhǎng)技術(shù)的簡(jiǎn)單描述。體生長(zhǎng)生成了基礎(chǔ)半導(dǎo)體材料，即襯底。外延生長(zhǎng)可以用來控制半導(dǎo)體的表面特性。大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在外延層上制作的。重要術(shù)語解釋
1.二元半導(dǎo)體：兩元素化合物半導(dǎo)體，如GaAs。2.共價(jià)鍵：共享價(jià)電子的原子間鍵合。3.金剛石晶格：硅的院子晶體結(jié)構(gòu)，亦即每個(gè)原子有四個(gè)緊鄰原子，形成一個(gè)四面體組態(tài)。4.摻雜：為了有效地改變電學(xué)特性，往半導(dǎo)體中加入特定類型的原子的工藝。5.元素半導(dǎo)體：?jiǎn)我辉貥?gòu)成的半導(dǎo)體，比如硅、鍺。6.外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。7.離子注入：一種半導(dǎo)體摻雜工藝。8.晶格：晶體中原子的周期性排列
9.密勒系數(shù)：用以描述晶面的一組整數(shù)。10.原胞：可復(fù)制以得到整個(gè)晶格的最小單元。
11.襯底：用于更多半導(dǎo)體工藝比如外延或擴(kuò)散的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體硅片或其他原材料。12.三元半導(dǎo)體：三元素化合物半導(dǎo)體，如AlGaAs。13.晶胞：可以重構(gòu)出整個(gè)晶體的一小部分晶體。
14.鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子而非一種。
第二章 量子力學(xué)初步 小結(jié)
1.我們討論了一些量子力學(xué)的概念，這些概念可以用于描述不同勢(shì)場(chǎng)中的電子狀態(tài)。了解電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)對(duì)于研究半導(dǎo)體物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力學(xué)的重要部分。粒子可以有波動(dòng)態(tài)，波也可以具有粒子態(tài)。3.薛定諤波動(dòng)方程式描述和判斷電子狀態(tài)的基礎(chǔ)。4.馬克思·玻恩提出了概率密度函數(shù)|fai（x）|2.5.對(duì)束縛態(tài)粒子應(yīng)用薛定諤方程得出的結(jié)論是，束縛態(tài)粒子的能量也是量子化的。6.利用單電子原子的薛定諤方程推導(dǎo)出周期表的基本結(jié)構(gòu)。重要術(shù)語解釋
1.德布羅意波長(zhǎng)：普朗克常數(shù)與粒子動(dòng)量的比值所得的波長(zhǎng)。
2.海森堡不確定原理：該原理指出我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態(tài)，如動(dòng)量和坐標(biāo)。
3.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個(gè)電子都不會(huì)處在同一量子態(tài)。4.光子：電磁能量的粒子狀態(tài)。5.量子：熱輻射的粒子形態(tài)。
6.量子化能量：束縛態(tài)粒子所處的分立能量級(jí)。
7.量子數(shù)：描述粒子狀態(tài)的一組數(shù)，例如原子中的電子。8.量子態(tài)：可以通過量子數(shù)描述的粒子狀態(tài)。9.隧道效應(yīng)：粒子穿過薄層勢(shì)壘的量子力學(xué)現(xiàn)象。
10.波粒二象性：電磁波有時(shí)表現(xiàn)為粒子狀態(tài)，而粒子有時(shí)表現(xiàn)為波動(dòng)狀態(tài)的特性。
第三章 固體量子理論初步 小結(jié)
1.當(dāng)原子聚集在一起形成晶體時(shí)，電子的分立能量也就隨之分裂為能帶。
2.對(duì)表征單晶材料勢(shì)函數(shù)的克龍克尼-潘納模型進(jìn)行嚴(yán)格的量子力學(xué)分析和薛定諤波動(dòng)方程推導(dǎo)，從而得出 了允帶和禁帶的概念。
3.有效質(zhì)量的概念將粒子在晶體中的運(yùn)動(dòng)與外加作用力聯(lián)系起來，而且涉及到晶格對(duì)粒子運(yùn)動(dòng)的作用。
4.半導(dǎo)體中存在兩種帶點(diǎn)粒子。其中電子是具有正有效質(zhì)量的正電荷粒子，一般存在于允帶的頂部。
5.給出了硅和砷化鎵的E-k關(guān)系曲線，并討論了直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體的概念。6.允帶中的能量實(shí)際上是由許多的分立能級(jí)組成的，而每個(gè)能級(jí)都包含有限數(shù)量的量子態(tài)。單位能量的量子態(tài)密度可以根據(jù)三維無限深勢(shì)阱模型確定。7.在涉及大量的電子和空穴時(shí)，就需要研究這些粒子的統(tǒng)計(jì)特征。本章討論了費(fèi)米-狄拉克概率函數(shù)，它代表的是能量為E的量子態(tài)被電子占據(jù)的幾章。重要術(shù)語解釋
1.允帶：在量子力學(xué)理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級(jí)。
2.狀態(tài)密度函數(shù)：有效量子態(tài)的密度。它是能量的函數(shù)，表示為單位體積單位能量中的量子態(tài)數(shù)量。
3.電子的有效質(zhì)量：該參數(shù)將晶體導(dǎo)帶中電子的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，該參數(shù)包含了晶體中的內(nèi)力。4.費(fèi)米-狄拉克概率函數(shù)：該函數(shù)描述了電子在有效能級(jí)中的分布，代表了一個(gè)允許能量狀態(tài)被電子占據(jù)的概率。5.費(fèi)米能級(jí)：用最簡(jiǎn)單的話說，該能量在T=0K時(shí)高于所有被電子填充的狀態(tài)的能量，而低于所有空狀態(tài)能量。
6.禁帶：在量子力學(xué)理論中，晶體中不可以容納電子的一系列能級(jí)。7.空穴：與價(jià)帶頂部的空狀態(tài)相關(guān)的帶正電“粒子”。
8.空穴的有效質(zhì)量：該參數(shù)同樣將晶體價(jià)帶中空穴的加速度與外加作用力聯(lián)系起來，而且包含了晶體中的內(nèi)力。
9.k空間能帶圖：以k為坐標(biāo)的晶體能連曲線，其中k為與運(yùn)動(dòng)常量有關(guān)的動(dòng)量，該運(yùn)動(dòng)常量結(jié)合了晶體內(nèi)部的相互作用。10.克龍尼克-潘納模型：由一系列周期性階躍函數(shù)組成，是代表一維單晶晶格周期性勢(shì)函數(shù)的數(shù)學(xué)模型。
11.麥克斯韋-波爾茲曼近似：為了用簡(jiǎn)單的指數(shù)函數(shù)近似費(fèi)米-狄拉克函數(shù)，從而規(guī)定滿足費(fèi)米能級(jí)上下若干kT的約束條件。
12.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個(gè)電子都不會(huì)處在同一量子態(tài)。
第四章平衡半導(dǎo)體 小結(jié)
1.導(dǎo)帶電子濃度是在整個(gè)導(dǎo)帶能量范圍上，對(duì)導(dǎo)帶狀態(tài)密度與費(fèi)米-狄拉克概率分布函數(shù)的乘積進(jìn)行積分得到的
2.價(jià)帶空穴濃度是在整個(gè)價(jià)帶能量范圍上，對(duì)價(jià)帶狀態(tài)密度與某狀態(tài)為空的概率【1-fF（E）】的乘積進(jìn)行積分得到的。
3.本章討論了對(duì)半導(dǎo)體滲入施主雜質(zhì)（V族元素）和受主雜質(zhì)（111族元素）形成n型和p型非本征半導(dǎo)體的概念。4.推導(dǎo)出了基本關(guān)系式ni2=n0p0。
5.引入了雜質(zhì)完全電離與電中性的概念，推導(dǎo)出了電子與空穴濃度關(guān)于摻雜濃度的函數(shù)表達(dá)式。
6.推導(dǎo)出了費(fèi)米能級(jí)位置關(guān)于摻雜濃度的表達(dá)式。
7.討論了費(fèi)米能級(jí)的應(yīng)用。在熱平衡態(tài)下，半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)處處相等。重要術(shù)語解釋
1.受主原子：為了形成p型材料而加入半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)原子。2.載流子電荷：在半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)并形成電流的電子和（或）空穴。
3.雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體：同一半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)既含有施主雜質(zhì)又含有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體。4.完全電離：所有施主雜質(zhì)原子因失去電子而帶正電，所有受主雜質(zhì)原子因獲得電子而帶負(fù)電的情況。
5.簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶中（n型）或價(jià)帶中（p型）的半導(dǎo)體。
6.施主原子：為了形成n型材料而加入半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)原子。
7.有效狀態(tài)密度：即在導(dǎo)帶能量范圍內(nèi)對(duì)量子態(tài)密度函數(shù)gc（E）與費(fèi)米函數(shù)fF（E）的乘積進(jìn)行積分得到的參數(shù)Nc；在價(jià)帶能量范圍內(nèi)對(duì)量子態(tài)密度函數(shù)gv（E）與【1-fF（E）】的乘積進(jìn)行積分得到的參數(shù)N。
8.非本征半導(dǎo)體：進(jìn)行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子（n型）或多數(shù)載流子空穴（p型）的半導(dǎo)體。9.束縛態(tài)：低溫下半導(dǎo)體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小。
10.本征載流子濃度ni：本征半導(dǎo)體內(nèi)導(dǎo)帶電子的濃度和價(jià)帶空穴的濃度（數(shù)值相等）。11.本征費(fèi)米能級(jí)Efi：本征半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)位置。
12.本征半導(dǎo)體：沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體材料。
13.非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：參入相對(duì)少量的施主和（或）受主雜質(zhì)，使得施主和（或）受主能級(jí)分立、無相互作用的半導(dǎo)體。
第五章 載流子運(yùn)輸現(xiàn)象 小結(jié)
1半導(dǎo)體中的兩種基本疏運(yùn)機(jī)構(gòu)：電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和濃度梯度作用下的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。2 存在外加電場(chǎng)時(shí)，在散射作用下載流子達(dá)到平均漂移速度。半導(dǎo)體存在兩種散射過程，即晶格散射和電離雜質(zhì)散射 在弱電場(chǎng)下，平均漂移速度是電場(chǎng)強(qiáng)度的線性函數(shù)；而在強(qiáng)力場(chǎng)下，漂移速度達(dá)到飽和，其數(shù)量級(jí)為107cm/s。載流子遷移率為平均漂移速度與外加電場(chǎng)之比。電子和空穴遷移率是溫度以及電離雜質(zhì)濃度的函數(shù)。
5漂移電流密度為電導(dǎo)率和電場(chǎng)強(qiáng)度的乘積（歐姆定律的一種表示）。電導(dǎo)率是載流子濃度和遷移率的函數(shù)。電阻率等于電導(dǎo)率的倒數(shù)。
6擴(kuò)散電流密度與載流子擴(kuò)散系數(shù)和載流子濃度梯度成正比。7 擴(kuò)散系數(shù)和遷移率的關(guān)系成為愛因斯坦關(guān)系 霍爾效應(yīng)是載流子電荷在相互垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。載流子風(fēng)生偏轉(zhuǎn)，干生出霍爾效應(yīng)?；魻栯妷旱恼?fù)反映了半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型。還可以由霍爾電壓確定多數(shù)載流子濃度和遷移率。重要術(shù)語解釋
電導(dǎo)率：關(guān)于載流子漂移的材料參數(shù)；可量化為漂移電流密度和電場(chǎng)強(qiáng)度之比。擴(kuò)散：粒子從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)運(yùn)動(dòng)的過程。
擴(kuò)散系數(shù)：關(guān)于粒子流動(dòng)與粒子濃度梯度之間的參數(shù)。擴(kuò)散電流：載流子擴(kuò)散形成的電流。
漂移：在電場(chǎng)作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)過程。漂移電流：載流子漂移形成的電流
漂移速度：電場(chǎng)中載流子的平均漂移速度 愛因斯坦關(guān)系：擴(kuò)散系數(shù)和遷移率的關(guān)系
霍爾電壓：在霍爾效應(yīng)測(cè)量中，半導(dǎo)體上產(chǎn)生的橫向壓降 電離雜質(zhì)散射：載流子和電離雜質(zhì)原子之間的相互作用 晶格散射：載流子和熱震動(dòng)晶格原子之間的相互作用 遷移率：關(guān)于載流子漂移和電場(chǎng)強(qiáng)度的參數(shù) 電阻率：電導(dǎo)率的倒數(shù)；計(jì)算電阻的材料參數(shù)
飽和速度：電場(chǎng)強(qiáng)度增加時(shí)，載流子漂移速度的飽和值。半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子
第六章 半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子 小結(jié) 討論了過剩電子和空穴產(chǎn)生與復(fù)合的過程，定義了過剩載流子的產(chǎn)生率和復(fù)合率 2 過剩電子和空穴是一起運(yùn)動(dòng)的，而不是互相獨(dú)立的。這種現(xiàn)象稱為雙極疏運(yùn) 3 推導(dǎo)了雙極疏運(yùn)方程，并討論了其中系數(shù)的小注入和非本征摻雜約束條件。在這些條件下，過剩電子和空穴的共同漂移和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)取決于少子的特性，這個(gè)結(jié)果就是半導(dǎo)體器件狀態(tài)的基本原理 討論了過剩載流子壽命的概念 分別分析了過剩載流子狀態(tài)作為時(shí)間的函數(shù) 作為空間的函數(shù)和同事作為實(shí)踐與空間的函數(shù)的情況 定義了電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。這些參數(shù)用于描述非平衡狀態(tài)下，電子和空穴的總濃度 8 半導(dǎo)體表面效應(yīng)對(duì)過剩電子和空穴的狀態(tài)產(chǎn)生影響。定義了表面復(fù)合速度 重要術(shù)語解釋 雙極擴(kuò)散系數(shù)：過剩載流子的有效擴(kuò)散系數(shù) 2 雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率 雙極疏運(yùn)：具有相同擴(kuò)散系數(shù)，遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴(kuò)散，遷移和復(fù)合過程 雙極輸運(yùn)方程：用時(shí)間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程 5 載流子的產(chǎn)生：電子從價(jià)帶躍入導(dǎo)帶，形成電子-空穴對(duì)的過程 載流子的復(fù)合：電子落入價(jià)帶中的空能態(tài)（空穴）導(dǎo)致電子-空穴對(duì)消滅的過程 7 過剩載流子：過剩電子和空穴的過程 過剩電子：導(dǎo)帶中超出熱平衡狀態(tài)濃度的電子濃度 9 過?？昭ǎ簝r(jià)帶中超出熱平衡狀態(tài)濃度的空穴濃度 10 過剩少子壽命：過剩少子在復(fù)合前存在的平均時(shí)間 11 產(chǎn)生率：電子-空穴對(duì)產(chǎn)生的速率（#/cm3-ms）小注入：過剩載流子濃度遠(yuǎn)小于熱平衡多子濃度的情況 少子擴(kuò)散長(zhǎng)度：少子在復(fù)合前的平均擴(kuò)散距離：數(shù)學(xué)表示為D?，其中D和?分別為少子的擴(kuò)散系數(shù)和壽命 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分別將電子和空穴的非平衡狀態(tài)濃度與本征載流子濃度以及本征費(fèi)米能級(jí)聯(lián)系起來 復(fù)合率：電子－空穴對(duì)復(fù)合的速率（#/cm3-s）16 表面態(tài)：半導(dǎo)體表面禁帶中存在的電子能態(tài)。
第七章
pn結(jié) 首先介紹了均勻摻雜的pn結(jié)。均勻摻雜pn結(jié)是指：半導(dǎo)體的一個(gè)區(qū)均勻摻雜了受主雜質(zhì)，而相鄰的區(qū)域均勻摻雜了施主雜質(zhì)。這種由同一種材料但導(dǎo)電類型相反的半導(dǎo)體組成的pn結(jié)稱為同質(zhì)結(jié) 在冶金結(jié)兩邊的p區(qū)與n區(qū)內(nèi)分別形成了空間電荷區(qū)或耗盡區(qū)。該區(qū)內(nèi)不存在任何可以移動(dòng)的電子或空穴，因而得名。由于n區(qū)內(nèi)的施主雜質(zhì)離子的存在，n區(qū)帶正電；同樣，由于p區(qū)內(nèi)受主雜質(zhì)離子存在，p區(qū)帶負(fù)電。由于耗盡區(qū)內(nèi)存在凈空間電荷密度，耗盡區(qū)內(nèi)有一個(gè)電場(chǎng)。電場(chǎng)的方向?yàn)橛蒼區(qū)指向p區(qū) 空間電荷區(qū)內(nèi)部存在電勢(shì)差。在零偏壓的條件下，該電勢(shì)差即內(nèi)建電勢(shì)差維持熱平衡狀態(tài)，并且在阻止n區(qū)內(nèi)多子電子向p區(qū)擴(kuò)散的同時(shí)，阻止p區(qū)內(nèi)多子空穴向n區(qū)擴(kuò)散。反偏電壓（n區(qū)相對(duì)于p區(qū)為正）增加了勢(shì)壘的高度，增加了空間電荷區(qū)的寬度，并且增強(qiáng)了電場(chǎng)。隨著反偏電壓的改變，耗盡區(qū)內(nèi)的電荷數(shù)量也改變。這個(gè)隨電壓改變的電荷量可以用來描述pn結(jié)的勢(shì)壘電容。線性緩變結(jié)是非均勻摻雜結(jié)的典型代表。本章我們推導(dǎo)出了有關(guān)線性緩變結(jié)的電場(chǎng)，內(nèi)建電勢(shì)差，勢(shì)壘電容的表達(dá)式。這些函數(shù)表達(dá)式與均勻摻雜結(jié)的情況是不同的 8 特定的摻雜曲線可以用來實(shí)現(xiàn)特定的電容特性。超突變結(jié)是一種摻雜濃度從冶金結(jié)處開始下降的特殊pn結(jié)。這種結(jié)非常適用于制作諧振電路中的變?nèi)荻O管。重要術(shù)語解釋
突變結(jié)近似：認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù) 內(nèi)建電勢(shì)差：熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢(shì)差。耗盡層電容：勢(shì)壘電容的另一種表達(dá)式 耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達(dá)
超變突結(jié)：一種為了實(shí)現(xiàn)特殊電容－電壓特性而進(jìn)行冶金結(jié)處高摻雜的pn結(jié)，其特點(diǎn)為pn結(jié)一側(cè)的摻雜濃度由冶金結(jié)處開始下降 勢(shì)壘電容（結(jié)電容）：反向偏置下pn結(jié)的電容
線性緩變結(jié)：冶金結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結(jié) 冶金結(jié)：pn結(jié)內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。
單邊突變結(jié)：冶金結(jié)一側(cè)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于另一側(cè)的摻雜濃度的pn結(jié)
反偏：pn結(jié)的n區(qū)相對(duì)于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢(shì)壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時(shí)勢(shì)壘的大小
空間電荷區(qū)：冶金結(jié)兩側(cè)由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負(fù)電的區(qū)域
空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù)
變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。
第八章 pn結(jié)二極管 小結(jié) 當(dāng)pn結(jié)外加正偏電壓時(shí)（p區(qū)相對(duì)與n區(qū)為正），pn結(jié)內(nèi)部的勢(shì)壘就會(huì)降低，于是p區(qū)空穴與n區(qū)電子就會(huì)穿過空間電荷區(qū)流向相應(yīng)的區(qū)域 本章推導(dǎo)出了與n區(qū)空間電荷區(qū)邊緣處的少子空穴濃度和p區(qū)空間電荷區(qū)邊緣處的少子濃度相關(guān)的邊界條件 注入到n區(qū)內(nèi)的空穴與注入到p區(qū)內(nèi)的電子成為相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的過剩少子。過剩少子的行為由第六章中推導(dǎo)的雙極輸運(yùn)方程來描述。求出雙極輸運(yùn)方程的解并將邊界條件代入，就可以求出n區(qū)與p區(qū)內(nèi)穩(wěn)態(tài)少數(shù)載流子的濃度分布 由于少子濃度梯度的存在，pn結(jié)內(nèi)存在少子擴(kuò)散電流。少子擴(kuò)散電流產(chǎn)生了pn結(jié)二極管的理想電流－電壓關(guān)系 本章得出了pn結(jié)二極管的小信號(hào)模型。最重要的兩個(gè)參數(shù)是擴(kuò)散電阻與擴(kuò)散電容 反偏pn結(jié)的空間電荷區(qū)內(nèi)產(chǎn)生了過剩載流子。在電場(chǎng)的作用下，這些載流子被掃處了空間電荷區(qū)，形成反偏產(chǎn)生電流。產(chǎn)生電流是二極管反偏電流的一個(gè)組成部分。Pn結(jié)正偏時(shí)，穿過空間電荷區(qū)的過剩載流子可能發(fā)生復(fù)合，產(chǎn)生正偏復(fù)合電流。復(fù)合電流是pn結(jié)正偏電流的另一個(gè)組成部分 當(dāng)pn結(jié)的外加反偏電壓足夠大時(shí)，就會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。此時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)較大的反偏電流。擊穿電壓為pn結(jié)摻雜濃度的函數(shù)。在單邊pn結(jié)中，擊穿電壓是低摻雜一側(cè)摻雜濃度的函數(shù) 當(dāng)pn結(jié)由正偏狀態(tài)轉(zhuǎn)換到反偏狀態(tài)時(shí)，pn結(jié)內(nèi)存儲(chǔ)的過剩少數(shù)載流子會(huì)被移走，即電容放電。放電時(shí)間稱為存儲(chǔ)時(shí)間，它是二極管 開關(guān)速度的一個(gè)限制因素 重要術(shù)語解釋
雪崩擊穿：電子和空穴穿越空間電荷區(qū)時(shí)，與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，在pn結(jié)內(nèi)形成一股很大的反偏電流，這個(gè)過程就稱為雪崩擊穿。齊納擊穿：重?fù)诫s的PN結(jié)由于隧穿效應(yīng)發(fā)生的PN結(jié)擊穿機(jī)制
載流子注入：外加偏壓時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過空間電荷區(qū)進(jìn)入p區(qū)或n區(qū)的過程 臨界電場(chǎng)：發(fā)生擊穿時(shí)pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度 擴(kuò)散電容：正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容 擴(kuò)散電導(dǎo)：正偏pn結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電流與電壓的比值 擴(kuò)散電阻：擴(kuò)散電導(dǎo)的倒數(shù) 正偏：p區(qū)相對(duì)于n區(qū)加正電壓。此時(shí)結(jié)兩側(cè)的電勢(shì)差要低于熱平衡時(shí)的值 產(chǎn)生電流：pn結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)由于電子－空穴對(duì)熱產(chǎn)生效應(yīng)形成的反偏電流 長(zhǎng)二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)的長(zhǎng)度大于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的二極管。
復(fù)合電流：穿越空間電荷區(qū)時(shí)發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流 反向飽和電流：電中性p區(qū)與n區(qū)中至少有一個(gè)區(qū)的長(zhǎng)度小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的pn結(jié)二極管。存儲(chǔ)時(shí)間：當(dāng)pn結(jié)二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r(shí)，空間電荷區(qū)邊緣的過剩少子濃度由穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時(shí)間 第九章
小結(jié)：輕摻雜半導(dǎo)體上的金屬可以和半導(dǎo)體形成整流接觸，這種接觸稱為肖特基勢(shì)壘二極管。金屬與半導(dǎo)體間的理想勢(shì)壘高度會(huì)因金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體的電子親和能的不同而不同。了解功函數(shù)和電子親和能的定義。
當(dāng)在n型半導(dǎo)體和金屬之間加上一個(gè)正電壓是（即反偏），半導(dǎo)體與金屬之間的勢(shì)壘增加，因此基本上沒有載流子的流動(dòng)。當(dāng)金屬與n型半導(dǎo)體間加上一個(gè)正電壓時(shí)（即正偏），半導(dǎo)體與金屬間的勢(shì)壘降低，因此電子很容易從半導(dǎo)體流向金屬，這種現(xiàn)象稱為熱電子發(fā)射。肖特基勢(shì)壘二極管的理想i-v關(guān)系與pn結(jié)二極管的相同。然而，電流值的數(shù)量級(jí)與pn結(jié)二極管的不同，肖特基二極管的開關(guān)速度要快一些。另外，肖特基二極管的反向飽和電流比pn結(jié)的大，所以在達(dá)到與pn結(jié)二極管一樣的電流時(shí)，肖特基二極管需要的正的偏壓要低。金屬-半導(dǎo)體也可能想成歐姆接觸，這種接觸的接觸電阻很低，使得結(jié)兩邊導(dǎo)通時(shí)的壓降很小，是一種非整流接觸。
兩種不同能帶系的半導(dǎo)體材料可以形成半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)一個(gè)有用的特性就是能在表面形成勢(shì)壘。在與表面垂直的方向上，電子的活動(dòng)會(huì)受到勢(shì)肼的限制，但電子在其他的兩個(gè)方向可以自由的流動(dòng)。重要術(shù)語解釋：
反型異質(zhì)結(jié)：參雜劑在冶金結(jié)處變化的異質(zhì)結(jié)。
電子親和規(guī)則：這個(gè)規(guī)則是指，在一個(gè)理想的異質(zhì)結(jié)中，導(dǎo)帶處的不連續(xù)性是由于兩種半導(dǎo)體材料的電子親和能是不同的引起的。
異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。
鏡像力降低效應(yīng)：由于電場(chǎng)引起的金屬-半導(dǎo)體接觸處勢(shì)壘峰值降低的現(xiàn)象。同型異質(zhì)結(jié)：參雜劑在冶金結(jié)處不變的異質(zhì)結(jié)。
歐姆接觸：金屬半導(dǎo)體接觸電阻很低，且在結(jié)兩邊都能形成電流的接觸。理查德森常數(shù)：肖特基二極管中的I-V關(guān)系中的一個(gè)參數(shù)A*。肖特基勢(shì)壘高度：金屬-半導(dǎo)體結(jié)中從金屬到半導(dǎo)體的勢(shì)壘Φbn。肖特基效應(yīng)：鏡像力降低效應(yīng)的另一種形式。
單位接觸電阻：金屬半導(dǎo)體接觸的J-V曲線在V=0是的斜率的倒數(shù)。熱電子發(fā)射效應(yīng)：載流子具有足夠的熱能時(shí)，電荷流過勢(shì)壘的過程。隧道勢(shì)壘：一個(gè)薄勢(shì)壘，在勢(shì)壘中，其主要作用的電流是隧道電流。
二維電子氣：電子堆積在異質(zhì)結(jié)表面的勢(shì)肼中，但可以沿著其他兩個(gè)方向自由流動(dòng)。第十章 小結(jié)：
有兩種類型的的雙極晶體管，即npn和pnp型。每一個(gè)晶體管都有三個(gè)不同的參雜區(qū)和兩個(gè)pn結(jié)。中心區(qū)域（基區(qū)）非常窄，所以這兩個(gè)結(jié)成為相互作用結(jié)。晶體管工作于正向有源區(qū)時(shí)，B-E結(jié)正偏，B-C結(jié)反偏。發(fā)射區(qū)中的多子注入基區(qū)，在那里，他們變成少子。少子擴(kuò)散過基區(qū)進(jìn)入B-C結(jié)空間電荷區(qū)，在那里，他們被掃入集電區(qū)。當(dāng)晶體管工作再正向有源區(qū)時(shí)，晶體管一端的電流（集電極電流）受另外兩個(gè)端點(diǎn)所施加的電壓（B-E結(jié)電壓）的控制。這就是其基本的工作原理。
晶體管的三個(gè)擴(kuò)散區(qū)有不同的少子濃度分布。器件中主要的電流由這些少子的擴(kuò)散決定。共基極電流增益是三個(gè)因子的函數(shù)----發(fā)射極注入效率系數(shù)，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)和復(fù)合系數(shù)。發(fā)射極注入效率考慮了從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的載流子，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)反映了載流子在基區(qū)的復(fù)合，復(fù)合系數(shù)反映了載流子在正偏發(fā)射結(jié)內(nèi)部的復(fù)合?？紤]了幾個(gè)非理想效應(yīng)：
1.基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，說著說是厄爾利效應(yīng)----中性基區(qū)寬度隨B-C結(jié)電壓變化而發(fā)生變化，于是集電極電流隨B-C結(jié)或C-E結(jié)電壓變化而變化。
2.大注入效應(yīng)使得集電極電流隨C-E結(jié)電壓增加而以低速率增加。3.發(fā)射區(qū)禁帶變窄效應(yīng)是的發(fā)射區(qū)參雜濃度非常高時(shí)發(fā)射效率變小。4.電流集邊效應(yīng)使得發(fā)射極邊界的電流密度大于中心位置的電流密度。5.基區(qū)非均勻摻雜在基區(qū)中感生出靜電場(chǎng)，有助于少子度越基區(qū)。6.兩種擊穿機(jī)制----穿通和雪崩擊穿。
晶體管的三種等效電路或者數(shù)學(xué)模型。E-M模型和等效電路對(duì)于晶體管的所有工作模式均適用?；鶇^(qū)為非均勻摻雜時(shí)使用G-P模型很方便。小信號(hào)H-P模型適用于線性放大電路的正向有源晶體管。
晶體管的截止頻率是表征晶體管品質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)，他是共發(fā)射極電流增益的幅值變?yōu)?時(shí)的頻率。頻率響應(yīng)是E-B結(jié)電容充電時(shí)間、基區(qū)度越時(shí)間、集電結(jié)耗盡區(qū)度越時(shí)間和集電結(jié)電容充電時(shí)間的函數(shù)。
雖然開關(guān)應(yīng)用涉及到電流和電壓較大的變化，但晶體管的開關(guān)特性和頻率上限直接相關(guān)，開關(guān)特性的一個(gè)重要的參數(shù)是點(diǎn)和存儲(chǔ)時(shí)間，它反映了晶體管有飽和態(tài)轉(zhuǎn)變變成截止態(tài)的快慢。
重要術(shù)語解釋：
1、a截止頻率：共基極電流增益幅值變?yōu)槠涞皖l值的1根號(hào)2時(shí)的頻率，就是截止頻率。
2、禁帶變窄：隨著發(fā)射區(qū)中摻雜，禁帶的寬度減小。
3、基區(qū)渡越時(shí)間：少子通過中性基區(qū)所用的時(shí)間。
4、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)：共基極電流增益中的一個(gè)系數(shù)，體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復(fù)合。
5、基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：隨C-E結(jié)電壓或C-B結(jié)電壓的變化，中性基區(qū)寬度的變化。
6、B截止效率：共發(fā)射極電流增益幅值下降到其頻值的1根號(hào)2時(shí)的頻率。
7、集電結(jié)電容充電時(shí)間：隨發(fā)射極電流變化，B-C結(jié)空間電荷區(qū)和急電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時(shí)間常數(shù)。
8、集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間：載流子被掃過B-C結(jié)空間電荷區(qū)所需的時(shí)間。
9、共基極電流增益：集電極電流與發(fā)射極電流之比。
10、共發(fā)射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。
11、電流集邊：基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射結(jié)電流為非均勻值。
12、截止：晶體管兩個(gè)結(jié)均加零偏或反偏時(shí)，晶體管電流為零的工作狀態(tài)。
13、截止頻率：共發(fā)射極電流增益的幅值為1時(shí)的頻率。
14、厄爾利電壓：反向延長(zhǎng)晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點(diǎn)的電壓的絕對(duì)值。
15、E-B結(jié)電容充電時(shí)間：發(fā)射極電流的變化引起B(yǎng)-E結(jié)空間電荷區(qū)寬度變化所需的時(shí)間。
16、發(fā)射極注入效率系數(shù)：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。
17、正向有源：B-E結(jié)正偏、B-C結(jié)反偏時(shí)的工作模式。
18、反向有源：B-E結(jié)反偏、B-C結(jié)正偏時(shí)的工作模式。
19、飽和：B-E結(jié)正偏、B-C結(jié)正偏時(shí)的工作模式。20、截止：B-E結(jié)反偏、B-C結(jié)反偏時(shí)的工作模式。
21、輸出電導(dǎo)：集電極電流對(duì)C-E兩端電壓的微分之比。
這一章討論了MOSFET的基本物理結(jié)構(gòu)和特性
MOSFET的核心為MOS電容器。與氧化物-半導(dǎo)體界面相鄰的半導(dǎo)體能帶是彎曲的，他由加載MOS電容器上的電壓決定。表面處導(dǎo)帶和價(jià)帶相對(duì)于費(fèi)米能級(jí)的位置是MOS電容器電壓的函數(shù)。
氧化層-半導(dǎo)體界面處的半導(dǎo)體表面可通過施加正偏柵壓由到發(fā)生反型，或者通過施加負(fù)柵壓由n型到p型發(fā)生發(fā)型。因此在于氧化層相鄰處產(chǎn)生了反型層流動(dòng)電荷?；綧OS場(chǎng)效應(yīng)原理是有反型層電荷密度的調(diào)制作用體現(xiàn)的
討論了MOS電容器的C-V特性。例如，等價(jià)氧化層陷阱電荷密度和界面態(tài)密度可由C-V測(cè)量方法決定
兩類基本的MOSFET為n溝和p溝，n溝中的電流由反型層電子的流動(dòng)形成，p溝中的電流由反型層空穴流動(dòng)形成。這兩類器件都可以是增強(qiáng)型的，通常情況下器件是關(guān)的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件開啟；也可以是耗盡型的，此時(shí)在通常情況下器件是開的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件關(guān)閉
平帶電壓是滿足條件時(shí)所加的柵壓，這時(shí)導(dǎo)帶和價(jià)帶不發(fā)生彎曲，并且半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。平帶電壓時(shí)金屬-氧化層勢(shì)壘的高度、半導(dǎo)體-氧化層勢(shì)壘高度以及固定氧化層陷阱電荷數(shù)量的函數(shù)
閾值電壓是指半導(dǎo)體表面達(dá)到閾值反型點(diǎn)時(shí)所加的柵壓，此時(shí)反型層電荷密度的大小等于半導(dǎo)體摻雜濃度。閾值電壓是平帶電壓、半導(dǎo)體摻雜濃度和氧化層厚度的函數(shù)。
MOSFET中的電流是由反型層載流子在漏源之間的流動(dòng)形成的。反型層電荷密度和溝道電導(dǎo)是由柵壓控制，這意味著溝道電流被柵壓控制
當(dāng)晶體管偏置在非飽和區(qū)（VDS
實(shí)際的MOSFET是一個(gè)四端器件，在襯底或體為第四端。隨著反偏源-襯底電壓的增加，閾值電壓增大。在源端和襯底不存在電學(xué)連接的集成電路中，襯底偏置效應(yīng)變得很重要。討論了含有電容的MOSFET小信號(hào)等效電路。分析了影響頻率限制的MOSFET的一些物理因素。特別的，由于密勒效應(yīng)，漏源交替電容成為了MOSFET頻率響應(yīng)的一個(gè)制約罌粟。作為器件頻率響應(yīng)的一個(gè)特點(diǎn)，截止頻率反比于溝道長(zhǎng)度，因此，溝道長(zhǎng)度的減小將導(dǎo)致MOSFET頻率性能的提高
簡(jiǎn)要討論了n溝和p溝器件制作在同一塊芯片上的CMOS技術(shù)。被電學(xué)絕緣的p型和n型襯底區(qū)時(shí)電容兩類晶體管的必要條件。有不同的工藝來實(shí)現(xiàn)這一結(jié)構(gòu)。CMOS結(jié)構(gòu)中遇到的一個(gè)潛在問題是閂鎖現(xiàn)象，即可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流、低電壓情況 MOSFET可以分為：n溝道和p溝道（導(dǎo)電類型不同），增強(qiáng)型和耗盡型（零柵壓時(shí)反型層是否存在）。重要術(shù)語解釋
對(duì)基層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產(chǎn)生的電荷 體電荷效應(yīng)：由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長(zhǎng)度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況
溝道電導(dǎo)：當(dāng)VDS?0時(shí)漏電流與漏源電壓改變的過程
CMOS：互補(bǔ)MOS；將p溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝 截至頻率：輸入交流柵電流等于輸處交流漏電流時(shí)的信號(hào)頻率 耗盡型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荜P(guān)閉的一類MOSFET 增強(qiáng)型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荛_啟的一類MOSFET
等價(jià)固定氧化層電荷：與氧化層－半導(dǎo)體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q'SS表示。
平帶電壓：平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓，此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒有空閑電荷區(qū) 柵電容充電時(shí)間：由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間 界面態(tài)：氧化層－半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許的電子能態(tài)
反型層電荷：氧化層下面產(chǎn)生的電荷，它們與半導(dǎo)體摻雜的類型是相反的 反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率
閂鎖：比如在CMOS電路中那樣，可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流 低電壓現(xiàn)象 最大空間電荷區(qū)寬度：閾值反型時(shí)氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度
金屬－半導(dǎo)體功函數(shù)差：金屬功函數(shù)和電子親和能之差的函數(shù)，用?ms表示
臨界反型：當(dāng)柵壓接近或等于閾值電壓時(shí)空間電荷寬度的微弱改變，并且反型層電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形
柵氧化層電容：氧化層介電常數(shù)與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox 飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數(shù)的情形 強(qiáng)反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時(shí)的情形 閾值反型點(diǎn)：反型電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形 閾值電壓：達(dá)到閾值反型點(diǎn)所需的柵壓
跨導(dǎo)：漏電流的改變量與其對(duì)應(yīng)的柵壓該變量之比 弱反型：反型電流密度小于摻雜濃度時(shí)的情形
第二篇：術(shù)語解釋
《語言學(xué)》術(shù)語解釋： 1.語系：
（1）語系是按照“譜系分類”的方法，根據(jù)語言間親屬關(guān)系的有無，把世界上的語言所分成的不同的類，凡是有親屬關(guān)系的語言都屬于同一語系，反之則屬于不同的語系。
（2）比如漢語、藏語、壯語、傣語、苗語等是親屬語言。它們都屬于漢藏語系。
（3）世界上的諸語言按其親屬關(guān)系大致可以分為漢藏語系、印歐語系、烏拉爾語系、阿爾泰語系、閃含語系、高加索語系、達(dá)羅毘語系、馬來—玻利尼西亞語系、南亞語系九大語系。2.歧義：
歧義句是在理解上會(huì)產(chǎn)生兩種可能的句子,換句話說,就是可以這樣理解也可以那樣理解的句子。也就是謂語言文字的意義不明確，有兩種或幾種可能的解釋。
一個(gè)句子有兩種或兩種以上的解釋，就會(huì)產(chǎn)生歧義，歧義產(chǎn)生的原因：詞義不明確、句法不固定、層次不分明、指代不明
歧義有主要由口語與書面的差別造成的，有主要由多義詞造成的，還有語言組合造成的。組合的歧義中又有語法組合的歧義和語義組合的歧義。3符號(hào)
1． 符號(hào)就是由一定的形式構(gòu)成的表示一定意義的記號(hào)或標(biāo)記，它包括形式和意義兩個(gè)方面，指稱現(xiàn)實(shí)現(xiàn)象。例如紅綠燈就是一種符號(hào)，紅燈表示“停止“的意義。
符號(hào)是人們共同約定用來指稱一定對(duì)象的標(biāo)志物，它可以包括以任何形式通過感覺來顯示意義的全部現(xiàn)象。在這些現(xiàn)象中某種可以感覺的東西就是對(duì)象及其意義的體現(xiàn)者 它有兩個(gè)方面的內(nèi)涵：一方面它是意義的載體，是精神外化的呈現(xiàn)；另一方面它具有能被感知的客觀形式。3.字母：
拼音文字或注音符號(hào)的最小書寫單位。如：英文字母；漢語拼音字母。
4.基礎(chǔ)方言：
（1）一種語言的共同語并不是憑空產(chǎn)生的，而是在某一個(gè)方言的基礎(chǔ)上形成的，這種作為共同語基礎(chǔ)的方言叫做“基礎(chǔ)方言”。
（2）所謂作為共同語的基礎(chǔ)指共同語的語音、語匯和語法系統(tǒng)主要來自基礎(chǔ)方言。
（3）例如，意大利共同語的基礎(chǔ)方言是多斯崗方言，現(xiàn)代漢民族共同語的基礎(chǔ)方言是北方方言。
5.共同語：
指一個(gè)部落或民族內(nèi)部大多數(shù)成員所共同掌握和使用的語言。它是在某個(gè)區(qū)域的人們?cè)谌粘Ｉ钪幸钥谡Z的形式逐漸形成的。這個(gè)地方通常是政治、經(jīng)濟(jì)、文化中心的地區(qū)，在這個(gè)基礎(chǔ)上有了語言而后有形成方言。
如普通話
共同語是在一種方言的基礎(chǔ)上建立起來的一個(gè)民族或一個(gè)國(guó)家通用的語言，例如普通話就是現(xiàn)代漢民族的共同語。
6.音位：
音位是具體語言中有區(qū)別詞的語音形式作用的最小語音單位。
7.混合語：
兩種或幾種語言，在一定社會(huì)條件下，互相接觸而產(chǎn)生的混雜語言。洋涇浜
8.語法手段：
根據(jù)語法形式的共同特點(diǎn)所歸并的語法形式的基本類別叫做語法手段。語法手段可分為詞法
手段和句法手段兩大類。2 詞法手段包括詞形變化，詞的輕重音和詞的重疊；句法手段包括虛詞，詞類選擇，語序和語調(diào)。9.語流音變：
在語言的組合過程中，一個(gè)音位受到鄰近音位的影響或語流的影響而可能產(chǎn)生的變化，叫語流音變。常見的語流音變現(xiàn)象主要有同化、異化、換位、弱化和脫落。
10.語言符號(hào)的線條性：
語言符號(hào)只能一個(gè)跟著一個(gè)依次出現(xiàn)，在時(shí)間線條上綿延，不能在空間的面上鋪開，這就是語言符號(hào)的線條性，它是語言符號(hào)的一個(gè)重要特征。
語言符號(hào)具有線條性的特點(diǎn)。不能把“我看書”說成“書看我”，這是因?yàn)榉?hào)和符號(hào)的組合不是任意的，而是有條件的。符號(hào)和符號(hào)的組合條件就是語言里的各種結(jié)構(gòu)的規(guī)則
11.語法的組合規(guī)則：
語法的組合規(guī)則包括語素組合成詞的規(guī)則和詞組合成句子的規(guī)則，前者叫構(gòu)詞法，它和詞的變化規(guī)則合在一起叫做詞法，后者叫做句法。
語法的組合規(guī)則包括構(gòu)詞法和句法。語法的組合規(guī)則存在話語中，是現(xiàn)實(shí)的12.語法的聚合規(guī)則：
具有相同語法特征的單位總是聚合成類，供組合選擇。語法的聚合是多種多樣的，最普遍的是詞類和詞形變化：語言里的詞按語法作用的不同而分成名詞、動(dòng)詞等等的詞類；在好多語言里，名詞動(dòng)詞又有格、位等等的變化。語法的聚合規(guī)則就是語法單位的分類和變化規(guī)則。
13.仿譯詞：
用本族語言的材料逐一翻譯原詞的語素，不但把它的意義，而且把它的內(nèi)部構(gòu)成形式也轉(zhuǎn)植過來。仿譯詞屬于意譯詞。如漢語詞“黑板”的構(gòu)詞材料是“黑”（形容詞性，表顏色）和“板”（名詞性，表厚度小而面積大的較硬的事物），以“修飾+中心語”次序的定中關(guān)系組織起來，而它所源自的外語詞是英語的blackboard，含有的構(gòu)詞材料也是兩個(gè)：black（形容詞性，表黑顏色），board（名詞性，表厚度小而面積大的較硬的事物），兩成分的關(guān)系也是“修飾+中心語”次序的定中
仿譯詞是意譯詞的一種，用本族語言的構(gòu)詞材料對(duì)譯外語詞
14.音位變體：
處于互補(bǔ)關(guān)系中的各個(gè)音素就被看成為同一個(gè)音位在不同位置上的代表，是同一個(gè)音位的不同的變異形式，所以我們把它們叫做音位變體。
處于互補(bǔ)關(guān)系之中而在音質(zhì)上又比較相似的各個(gè)不同的音素是同一音位的不同的變體式，音位變體是音位在特定語音環(huán)境下的具體體現(xiàn)或具體代表。
15.語義指向：
語義指向指的是句法結(jié)構(gòu)的某一成分在語義上和其他成分（一個(gè)或幾個(gè)）相匹配的可能性。語義指向研究的是句子成分之間在語義上的搭配關(guān)系，句法結(jié)構(gòu)研究的是句子成分的組合關(guān)系。
語義指向是指句子中某個(gè)成分在語義上指向哪兒，或者說同哪個(gè)或哪些成分發(fā)生語義聯(lián)系。例如，補(bǔ)語位置上的成分，在語義上既可能指向主語，如“我吃飽了”中的“我”；也可能指向賓語，如“我吃光了碗里的飯”中的“碗里的飯”。
16.意音文字：
意音文字，或稱語素-音節(jié)文字、語詞-音節(jié)文字，是一種圖形符號(hào)既代表語素，又代表音節(jié)的文字系統(tǒng)。這種文字系統(tǒng)是音節(jié)文字（如日文）、字母文字、輔音文字等以外的文字系統(tǒng)。意音文字代表人類文字史走出原始時(shí)期，進(jìn)入古典時(shí)期。
意音文字指一部分字符是意符，一部分字符是音符的文字。如漢字就是意音文字，漢字中許多字符是直接表意的，而假借字則是假借意符直接表音、間接表意的音符
17.聚合關(guān)系：
聚合關(guān)系在語言學(xué)上聚合關(guān)系指在結(jié)構(gòu)的某個(gè)特殊位置上可以相互替代的成分之間的關(guān)系或者是共現(xiàn)的成分和非共現(xiàn)的成分之間的關(guān)系，同一聚合關(guān)系語句只受句法關(guān)系限制語義因素不在考慮范圍處于聚合關(guān)系中的語句與共同的句法特征但在語義上不能互相替換聚合關(guān)系就是語言結(jié)構(gòu)某一位置上能夠互相替換的具有某種相同作用的單位（如音位、詞）之間的關(guān)系，簡(jiǎn)單說就是符號(hào)與符號(hào)之間的替換關(guān)系。
聚合關(guān)系——在語言結(jié)構(gòu)的某一環(huán)節(jié)上能夠互相替換、具有某種相同作用的各個(gè)單位之間所形成的關(guān)系叫聚合關(guān)系
18.音標(biāo)：
音標(biāo)是記錄音素的符號(hào)，是音素的標(biāo)寫符號(hào)。它的制定原則是：一個(gè)音素只用一個(gè)音標(biāo)表示，而一個(gè)音標(biāo)并不只表示一個(gè)音素（雙元音就是由2個(gè)音素組成的，相對(duì)于單元音來說。由2個(gè)音素構(gòu)成的音標(biāo)我們稱之為雙元音）。如漢語拼音字母、英語的韋氏音標(biāo)和國(guó)際音標(biāo)等。
19.詞法范疇：
由詞的變化形式所表示的意義方面的聚合。
詞法范疇——由綜合手段（詞形變化）表現(xiàn)的語法意義概括起來就是詞法范疇。
20.語言的類型分類：
我們把世界語言一般分為屈折語、孤立語、粘著語和復(fù)綜語。
語言的類型分類——根據(jù)詞的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)對(duì)世界的語言進(jìn)行的分類叫語言的類型分類。
第三篇：術(shù)語解釋
1.Sonnet: A fourteen-line lyric poem, usually written in rhymed iambic pentameter.A sonnet generally expresses a single theme or idea.2.Ballad: A story told in verse and usually meant to be sung.In many countries, the folk ballad was one of the earliest forms of literature.Folk ballads have no known authors.They were transmitted orally from generation to generation and were not set down in writing until centuries after they were first sung.The subject matter of folk ballads stems from the everyday life of the common people.Devices commonly used in ballads are the refrain, incremental repetition, and code language.A later form of ballad is the literary ballad, which imitates the style of the folk ballad.3.Rhyme: It’s one of the three basic elements of traditional poetry.It is the repetition of sounds in two or more words or phrases that appear close to each other in a poem.If the rhyme occurs at the ends of lines, it is called end rhyme.If the rhyme occurs within a line, it is called internal rhyme.4.Heroic couplet: Couplet: Two consecutive lines of poetry that rhyme.Heroic couplet is a rhymed couplet of iambic pentameter.It is Chaucer who used it for the first time in English in his work The Legend of Good Woman.5.Iambic抑揚(yáng)格: It is the most commonly used foot in English poetry, in which an unstressed syllable comes first, followed by a stressed syllable.6.Free Verse: Free verse has no regular rhythm or line length and depends on natural speech rhythms and the counterpoint(對(duì)照法)of stressed and unstressed syllables.7.Romanticism: it is a reaction against the Enlightenment and rationalism in 18th century, and a rejection of the precepts of order, calm, harmony, balance, idealization, and rationality that typified in classicism and neoclassicism.Authors in this period advocate return to nature and the innate goodness of humans(善良的本性).They emphasize the individual, the subjective, the irrational, the imaginative, the personal, the spontaneous, the emotional, the visionary and the transcendental(超驗(yàn)).8.Critical Realism: The critical realism of the 19th century flourished in the forties and in the beginning of fifties.The realists first and foremost set themselves the task of criticizing capitalist society from a democratic viewpoint and delineated the crying contradictions of bourgeois reality.But they did not find a way to eradicate social evils.9.Enlightenment: The Enlightenment refers to a progressive intellectual movement throughout Western Europe that spans approximately one hundred years from 1680s to 1789.It celebrates reason(rationality), equality, science.Everything should be put under scrutiny, to be measured by reason.This is the “eternal truth”, “eternal justice” and “natural equality”.It on the whole, was an expression of struggle of the then progressive class of bourgeois against feudalism.They aim to enlighten the whole world with the light of modern philosophical and artistic ideas.10.Imagism: It’s a poetic movement of England and the U.S.flourished from 1909 to 1917.The movement insists on the creation of images in poetry by “the direct treatment of the thing” and the economy of wording.The leaders of this movement were Ezra Pound and Amy Lowell.11.Stream of consciousness: “Stream-of-Consciousness” or “interior monologue” is one of the modern literary techniques.It is the style of writing that attempts to imitate
the natural flow of a character’s thoughts, feelings, reflections, memories, and mental images as the character experiences them.It was first used in 1922 by the Irish novelist James Joyce.Those novels broke through the bounds of time and space, and depicted vividly and skillfully the unconscious activity of the mind fast changing and flowing incessantly, particularly the hesitant, misted, distracted and illusory psychology people had when they faced reality.The modern American writer William Faulkner successfully advanced this technique.In his stories, action and plots were less important than the reactions and inner musings of the narrators.Time sequences were often dislocated.The reader feels himself to be a participant in the stories, rather than an observer.A high degree of emotion can be achieved by this technique.12.Puritanism:Puritanism is the practices and beliefs of the Puritans.The Puritans were originally members of a division of the Protestant Church.The first settlers who became the founding fathers of the American nation were quite a few of them.They were a group of serious, religious people, advocating highly religious and moral principles.As the word itself hints, Puritans wanted to purity their religious beliefs and practices.They accepted the doctrine of predestination, original sin and total depravity, and limited atonement through a special infusion of grace form God.As a culture heritage, Puritanism did have a profound influence on the early American mind.American Puritanism also had an enduring influence on American literature.13.Transcendentalism: A broad, philosophical movement in New England during the Romantic era(peaking between 1835 and 1845).It appeared after1830s, marked the maturity of American Romanticism and the first renaissance in the American literary history.The term was derived from Latin, meaning to rise above or to pass beyond the limits.It laid emphasis on spirit and individual and nature.Transcendentalism has been defined philosophically as “the recognition in man of the capacity of knowing truth intuitively, or of attaining knowledge transcending the reach of the senses”.It stressed the role of divinity in nature and the individual’s intuition, and exalted feeling over reason.They spoke for cultural rejuvenation(復(fù)興)and against the materialism of American society.14.Lost Generation: This term has been used again and again to describe the people of the postwar years.The Lost Generation writers were dissatisfied with the oppressive materialism and cultural narrowness of the American society, so they went abroad to search for a more congenial, artistic locale and produced a great number of the best works in the American literary history.They cast away all past concepts and values in order to create new types of writing, which was characterized by disillusionment with ideals and further with civilization the capitalist society advocated.They painted the post-war western world as a waste land, lifeless and hopeless due to ethical degradation and disillusionment with dreams.They had cut themselves off from their past and old values in America and yet unable to come to terms with the new era when civilization had gone mad.15.Naturalism: An extreme form of realism.Naturalistic writers usually depict the sordid side of life and show characters who are severely, if not hopelessly, limited by their environment or heredity.Naturalists are inevitably pessimistic in their view because firstly, they accept the negative implication of Darwin’s theory of evolution,and believe that society is a “jungle” where survival struggles go on.Secondly, they believe that man’s instinct, the environment and other social and economic forces play an overwhelming role and man’s fate is “determined” by such forces beyond his control.16.Black Humor(黑色幽默): It also known as Black Comedy, writing that places grotesque elements side by side with humorous ones in an attempt to shock the reader, forcing him or her to laugh at the horrifying reality of a disordered world.17.Gothic novel: It is a type of romantic fiction that predominated in the late 18th century and was one phase of the Romantic Movement.Its principal elements are violence, horror and the supernatural, which strongly appeal to the reader’s emotion.With its descriptions of the dark, irrational side of human nature, the Gothic form has exerted a great influence over the writer of the Romantic period.
第四篇：【半導(dǎo)體物理與器件】【尼曼】【課后小結(jié)與重要術(shù)語解釋】匯總(精)
第一章 固體晶體結(jié)構(gòu) 小結(jié)
1.硅是最普遍的半導(dǎo)體材料
2.半導(dǎo)體和其他材料的屬性很大程度上由其單晶的晶格結(jié)構(gòu)決定。晶胞是晶體中的一小塊體積，用它可以重構(gòu)出整個(gè)晶體。三種基本的晶胞是簡(jiǎn)立方、體心立方和面心立方。3.硅具有金剛石晶體結(jié)構(gòu)。原子都被由4個(gè)緊鄰原子構(gòu)成的四面體包在中間。二元半導(dǎo)體具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它與金剛石晶格基本相同。
4.引用米勒系數(shù)來描述晶面。這些晶面可以用于描述半導(dǎo)體材料的表面。密勒系數(shù)也可以用來描述晶向。
5.半導(dǎo)體材料中存在缺陷，如空位、替位雜質(zhì)和填隙雜質(zhì)。少量可控的替位雜質(zhì)有益于改變半導(dǎo)體的特性。
6.給出了一些半導(dǎo)體生長(zhǎng)技術(shù)的簡(jiǎn)單描述。體生長(zhǎng)生成了基礎(chǔ)半導(dǎo)體材料，即襯底。外延生長(zhǎng)可以用來控制半導(dǎo)體的表面特性。大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在外延層上制作的。重要術(shù)語解釋
1.二元半導(dǎo)體：兩元素化合物半導(dǎo)體，如GaAs。2.共價(jià)鍵：共享價(jià)電子的原子間鍵合。3.金剛石晶格：硅的院子晶體結(jié)構(gòu)，亦即每個(gè)原子有四個(gè)緊鄰原子，形成一個(gè)四面體組態(tài)。4.摻雜：為了有效地改變電學(xué)特性，往半導(dǎo)體中加入特定類型的原子的工藝。5.元素半導(dǎo)體：?jiǎn)我辉貥?gòu)成的半導(dǎo)體，比如硅、鍺。6.外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。7.離子注入：一種半導(dǎo)體摻雜工藝。8.晶格：晶體中原子的周期性排列
9.密勒系數(shù)：用以描述晶面的一組整數(shù)。10.原胞：可復(fù)制以得到整個(gè)晶格的最小單元。
11.襯底：用于更多半導(dǎo)體工藝比如外延或擴(kuò)散的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體硅片或其他原材料。12.三元半導(dǎo)體：三元素化合物半導(dǎo)體，如AlGaAs。13.晶胞：可以重構(gòu)出整個(gè)晶體的一小部分晶體。
14.鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子而非一種。
第二章 量子力學(xué)初步 小結(jié)
1.我們討論了一些量子力學(xué)的概念，這些概念可以用于描述不同勢(shì)場(chǎng)中的電子狀態(tài)。了解電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)對(duì)于研究半導(dǎo)體物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力學(xué)的重要部分。粒子可以有波動(dòng)態(tài)，波也可以具有粒子態(tài)。3.薛定諤波動(dòng)方程式描述和判斷電子狀態(tài)的基礎(chǔ)。4.馬克思·玻恩提出了概率密度函數(shù)|fai（x）|2.5.對(duì)束縛態(tài)粒子應(yīng)用薛定諤方程得出的結(jié)論是，束縛態(tài)粒子的能量也是量子化的。6.利用單電子原子的薛定諤方程推導(dǎo)出周期表的基本結(jié)構(gòu)。重要術(shù)語解釋
1.德布羅意波長(zhǎng)：普朗克常數(shù)與粒子動(dòng)量的比值所得的波長(zhǎng)。
2.海森堡不確定原理：該原理指出我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態(tài)，如動(dòng)量和坐標(biāo)。
3.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個(gè)電子都不會(huì)處在同一量子態(tài)。4.光子：電磁能量的粒子狀態(tài)。5.量子：熱輻射的粒子形態(tài)。
6.量子化能量：束縛態(tài)粒子所處的分立能量級(jí)。
7.量子數(shù)：描述粒子狀態(tài)的一組數(shù)，例如原子中的電子。8.量子態(tài)：可以通過量子數(shù)描述的粒子狀態(tài)。9.隧道效應(yīng)：粒子穿過薄層勢(shì)壘的量子力學(xué)現(xiàn)象。
10.波粒二象性：電磁波有時(shí)表現(xiàn)為粒子狀態(tài)，而粒子有時(shí)表現(xiàn)為波動(dòng)狀態(tài)的特性。
第三章 固體量子理論初步 小結(jié)
1.當(dāng)原子聚集在一起形成晶體時(shí)，電子的分立能量也就隨之分裂為能帶。
2.對(duì)表征單晶材料勢(shì)函數(shù)的克龍克尼-潘納模型進(jìn)行嚴(yán)格的量子力學(xué)分析和薛定諤波動(dòng)方程推導(dǎo)，從而得出 了允帶和禁帶的概念。
3.有效質(zhì)量的概念將粒子在晶體中的運(yùn)動(dòng)與外加作用力聯(lián)系起來，而且涉及到晶格對(duì)粒子運(yùn)動(dòng)的作用。
4.半導(dǎo)體中存在兩種帶點(diǎn)粒子。其中電子是具有正有效質(zhì)量的正電荷粒子，一般存在于允帶的頂部。
5.給出了硅和砷化鎵的E-k關(guān)系曲線，并討論了直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體的概念。6.允帶中的能量實(shí)際上是由許多的分立能級(jí)組成的，而每個(gè)能級(jí)都包含有限數(shù)量的量子態(tài)。單位能量的量子態(tài)密度可以根據(jù)三維無限深勢(shì)阱模型確定。7.在涉及大量的電子和空穴時(shí)，就需要研究這些粒子的統(tǒng)計(jì)特征。本章討論了費(fèi)米-狄拉克概率函數(shù)，它代表的是能量為E的量子態(tài)被電子占據(jù)的幾章。重要術(shù)語解釋
1.允帶：在量子力學(xué)理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級(jí)。
2.狀態(tài)密度函數(shù)：有效量子態(tài)的密度。它是能量的函數(shù)，表示為單位體積單位能量中的量子態(tài)數(shù)量。
3.電子的有效質(zhì)量：該參數(shù)將晶體導(dǎo)帶中電子的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，該參數(shù)包含了晶體中的內(nèi)力。4.費(fèi)米-狄拉克概率函數(shù)：該函數(shù)描述了電子在有效能級(jí)中的分布，代表了一個(gè)允許能量狀態(tài)被電子占據(jù)的概率。5.費(fèi)米能級(jí)：用最簡(jiǎn)單的話說，該能量在T=0K時(shí)高于所有被電子填充的狀態(tài)的能量，而低于所有空狀態(tài)能量。
6.禁帶：在量子力學(xué)理論中，晶體中不可以容納電子的一系列能級(jí)。7.空穴：與價(jià)帶頂部的空狀態(tài)相關(guān)的帶正電“粒子”。
8.空穴的有效質(zhì)量：該參數(shù)同樣將晶體價(jià)帶中空穴的加速度與外加作用力聯(lián)系起來，而且包含了晶體中的內(nèi)力。
9.k空間能帶圖：以k為坐標(biāo)的晶體能連曲線，其中k為與運(yùn)動(dòng)常量有關(guān)的動(dòng)量，該運(yùn)動(dòng)常量結(jié)合了晶體內(nèi)部的相互作用。10.克龍尼克-潘納模型：由一系列周期性階躍函數(shù)組成，是代表一維單晶晶格周期性勢(shì)函數(shù)的數(shù)學(xué)模型。
11.麥克斯韋-波爾茲曼近似：為了用簡(jiǎn)單的指數(shù)函數(shù)近似費(fèi)米-狄拉克函數(shù)，從而規(guī)定滿足費(fèi)米能級(jí)上下若干kT的約束條件。
12.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個(gè)電子都不會(huì)處在同一量子態(tài)。
第四章平衡半導(dǎo)體 小結(jié)
1.導(dǎo)帶電子濃度是在整個(gè)導(dǎo)帶能量范圍上，對(duì)導(dǎo)帶狀態(tài)密度與費(fèi)米-狄拉克概率分布函數(shù)的乘積進(jìn)行積分得到的
2.價(jià)帶空穴濃度是在整個(gè)價(jià)帶能量范圍上，對(duì)價(jià)帶狀態(tài)密度與某狀態(tài)為空的概率【1-fF（E）】的乘積進(jìn)行積分得到的。
3.本章討論了對(duì)半導(dǎo)體滲入施主雜質(zhì)（V族元素）和受主雜質(zhì)（111族元素）形成n型和p型非本征半導(dǎo)體的概念。4.推導(dǎo)出了基本關(guān)系式ni2=n0p0。
5.引入了雜質(zhì)完全電離與電中性的概念，推導(dǎo)出了電子與空穴濃度關(guān)于摻雜濃度的函數(shù)表達(dá)式。
6.推導(dǎo)出了費(fèi)米能級(jí)位置關(guān)于摻雜濃度的表達(dá)式。
7.討論了費(fèi)米能級(jí)的應(yīng)用。在熱平衡態(tài)下，半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)處處相等。重要術(shù)語解釋
1.受主原子：為了形成p型材料而加入半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)原子。2.載流子電荷：在半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)并形成電流的電子和（或）空穴。
3.雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體：同一半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)既含有施主雜質(zhì)又含有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體。4.完全電離：所有施主雜質(zhì)原子因失去電子而帶正電，所有受主雜質(zhì)原子因獲得電子而帶負(fù)電的情況。
5.簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶中（n型）或價(jià)帶中（p型）的半導(dǎo)體。
6.施主原子：為了形成n型材料而加入半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)原子。
7.有效狀態(tài)密度：即在導(dǎo)帶能量范圍內(nèi)對(duì)量子態(tài)密度函數(shù)gc（E）與費(fèi)米函數(shù)fF（E）的乘積進(jìn)行積分得到的參數(shù)Nc；在價(jià)帶能量范圍內(nèi)對(duì)量子態(tài)密度函數(shù)gv（E）與【1-fF（E）】的乘積進(jìn)行積分得到的參數(shù)N。
8.非本征半導(dǎo)體：進(jìn)行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子（n型）或多數(shù)載流子空穴（p型）的半導(dǎo)體。9.束縛態(tài)：低溫下半導(dǎo)體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小。
10.本征載流子濃度ni：本征半導(dǎo)體內(nèi)導(dǎo)帶電子的濃度和價(jià)帶空穴的濃度（數(shù)值相等）。11.本征費(fèi)米能級(jí)Efi：本征半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)位置。
12.本征半導(dǎo)體：沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體材料。
13.非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：參入相對(duì)少量的施主和（或）受主雜質(zhì)，使得施主和（或）受主能級(jí)分立、無相互作用的半導(dǎo)體。14.載流子輸運(yùn)現(xiàn)象 第五章 載流子運(yùn)輸現(xiàn)象 小結(jié)
1半導(dǎo)體中的兩種基本疏運(yùn)機(jī)構(gòu)：電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和濃度梯度作用下的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。2 存在外加電場(chǎng)時(shí)，在散射作用下載流子達(dá)到平均漂移速度。半導(dǎo)體存在兩種散射過程，即晶格散射和電離雜質(zhì)散射 在若電場(chǎng)下，平均漂移速度是電場(chǎng)強(qiáng)度的線性函數(shù)；而在強(qiáng)力場(chǎng)下，漂移速度達(dá)到飽和，其數(shù)量級(jí)為107cm/s。載流子遷移率為平均漂移速度與外加電場(chǎng)之比。電子和空穴遷移率是溫度以及電離雜質(zhì)濃度的函數(shù)。
5漂移電流密度為電導(dǎo)率和電場(chǎng)強(qiáng)度的乘積（歐姆定律的一種表示）。電導(dǎo)率是載流子濃度和遷移率的函數(shù)。電阻率等于電導(dǎo)率的倒數(shù)。
6擴(kuò)散電流密度與載流子擴(kuò)散系數(shù)和載流子濃度梯度成正比。7 擴(kuò)散系數(shù)和遷移率的關(guān)系成為愛因斯坦關(guān)系 霍爾效應(yīng)是載流子電荷在相互垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。載流子風(fēng)生偏轉(zhuǎn)，干生出霍爾效應(yīng)。霍爾電壓的正負(fù)反映了半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型。還可以由霍爾電壓確定多數(shù)載流子濃度和遷移率。重要術(shù)語解釋
電導(dǎo)率：關(guān)于載流子漂移的材料參數(shù)；可量化為漂移電流密度和電場(chǎng)強(qiáng)度之比。擴(kuò)散：粒子從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)運(yùn)動(dòng)的過程。
擴(kuò)散系數(shù)：關(guān)于粒子流動(dòng)與粒子濃度梯度之間的參數(shù)。擴(kuò)散電流：載流子擴(kuò)散形成的電流。
漂移：在電場(chǎng)作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)過程。漂移電流：載流子漂移形成的電流
漂移速度：電場(chǎng)中載流子的平均漂移速度 愛因斯坦關(guān)系：擴(kuò)散系數(shù)和遷移率的關(guān)系
霍爾電壓：在霍爾效應(yīng)測(cè)量中，半導(dǎo)體上產(chǎn)生的橫向壓降 電離雜質(zhì)散射：載流子和電離雜質(zhì)原子之間的相互作用 晶格散射：載流子和熱震動(dòng)晶格原子之間的相互作用 遷移率：關(guān)于載流子漂移和電場(chǎng)強(qiáng)度的參數(shù) 電阻率：電導(dǎo)率的倒數(shù)；計(jì)算電阻的材料參數(shù)
飽和速度：電場(chǎng)強(qiáng)度增加時(shí)，載流子漂移速度的飽和值。
15.半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子 第六章 半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子 小結(jié) 討論了過剩電子和空穴產(chǎn)生與復(fù)合的過程，定義了過剩載流子的產(chǎn)生率和復(fù)合率 2 過剩電子和空穴是一起運(yùn)動(dòng)的，而不是互相獨(dú)立的。這種現(xiàn)象稱為雙極疏運(yùn) 3 推導(dǎo)了雙極疏運(yùn)方程，并討論了其中系數(shù)的小注入和非本征摻雜約束條件。在這些條件下，過剩電子和空穴的共同漂移和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)取決于少子的特性，這個(gè)結(jié)果就是半導(dǎo)體器件狀態(tài)的基本原理 討論了過剩載流子壽命的概念 分別分析了過剩載流子狀態(tài)作為時(shí)間的函數(shù) 作為空間的函數(shù)和同事作為實(shí)踐與空間的函數(shù)的情況 定義了電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。這些參數(shù)用于描述非平衡狀態(tài)下，電子和空穴的總濃度 8 半導(dǎo)體表面效應(yīng)對(duì)過剩電子和空穴的狀態(tài)產(chǎn)生影響。定義了表面復(fù)合速度 重要術(shù)語解釋 雙極擴(kuò)散系數(shù)：過剩載流子的有效擴(kuò)散系數(shù) 2 雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率 雙極疏運(yùn)：具有相同擴(kuò)散系數(shù)，遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴(kuò)散，遷移和復(fù)合過程 4 雙極輸運(yùn)方程：用時(shí)間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程 5 載流子的產(chǎn)生：電子從價(jià)帶躍入導(dǎo)帶，形成電子-空穴對(duì)的過程 載流子的復(fù)合：電子落入價(jià)帶中的空能態(tài)（空穴）導(dǎo)致電子-空穴對(duì)消滅的過程 7 過剩載流子：過剩電子和空穴的過程 過剩電子：導(dǎo)帶中超出熱平衡狀態(tài)濃度的電子濃度 9 過?？昭ǎ簝r(jià)帶中超出熱平衡狀態(tài)濃度的空穴濃度 10 過剩少子壽命：過剩少子在復(fù)合前存在的平均時(shí)間 11 產(chǎn)生率：電子-空穴對(duì)產(chǎn)生的速率（#/cm3-ms）小注入：過剩載流子濃度遠(yuǎn)小于熱平衡多子濃度的情況 少子擴(kuò)散長(zhǎng)度：少子在復(fù)合前的平均擴(kuò)散距離：數(shù)學(xué)表示為D?，其中D和?分別為少子的擴(kuò)散系數(shù)和壽命 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分別將電子和空穴的非平衡狀態(tài)濃度與本征載流子濃度以及本征費(fèi)米能級(jí)聯(lián)系起來 復(fù)合率：電子－空穴對(duì)復(fù)合的速率（#/cm3-s）16 表面態(tài)：半導(dǎo)體表面禁帶中存在的電子能態(tài)。
第七章
pn結(jié) 首先介紹了均勻摻雜的pn結(jié)。均勻摻雜pn結(jié)是指：半導(dǎo)體的一個(gè)區(qū)均勻摻雜了受主雜質(zhì)，而相鄰的區(qū)域均勻摻雜了施主雜質(zhì)。這種pn結(jié)稱為同質(zhì)結(jié) 在冶金結(jié)兩邊的p區(qū)與n區(qū)內(nèi)分別形成了空間電荷區(qū)或耗盡區(qū)。該區(qū)內(nèi)不存在任何可以移動(dòng)的電子或空穴，因而得名。由于n區(qū)內(nèi)的施主雜質(zhì)離子的存在，n區(qū)帶正電；同樣，由于p區(qū)內(nèi)受主雜質(zhì)離子存在，p區(qū)帶負(fù)電。由于耗盡區(qū)內(nèi)存在凈空間電荷密度，耗盡區(qū)內(nèi)有一個(gè)電場(chǎng)。電場(chǎng)的方向?yàn)橛蒼區(qū)指向p區(qū) 空間電荷區(qū)內(nèi)部存在電勢(shì)差。在零偏壓的條件下，該電勢(shì)差即內(nèi)建電勢(shì)差維持熱平衡狀態(tài)，并且在阻止n區(qū)內(nèi)多子電子向p區(qū)擴(kuò)散的同時(shí)，阻止p區(qū)內(nèi)多子空穴向n區(qū)擴(kuò)散。反騙電壓（n區(qū)相對(duì)于p區(qū)為正）增加了勢(shì)壘的高度，增加了空間電荷區(qū)的寬度，并且增強(qiáng)了電場(chǎng)。隨著反偏電壓的改變，耗盡區(qū)內(nèi)的電荷數(shù)量也改變。這個(gè)隨電壓改變的電荷量可以用來描述pn結(jié)的勢(shì)壘電容。線性緩變結(jié)是非均勻摻雜結(jié)的典型代表。本章我們推導(dǎo)出了有關(guān)線性緩變結(jié)的電場(chǎng)，內(nèi)建電勢(shì)差，勢(shì)壘電容的表達(dá)式。這些函數(shù)表達(dá)式與均勻摻雜結(jié)的情況是不同的 8 特定的摻雜曲線可以用來實(shí)現(xiàn)特定的電容特性。超突變結(jié)是一種摻雜濃度從冶金結(jié)處開始下降的特殊pn結(jié)。這種結(jié)非常適用于制作諧振電路中的變?nèi)荻O管。重要術(shù)語解釋
突變結(jié)近似：認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù) 內(nèi)建電勢(shì)差：熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢(shì)差。耗盡層電容：勢(shì)壘電容的另一種表達(dá)式 耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達(dá)
超變突結(jié)：一種為了實(shí)現(xiàn)特殊電容－電壓特性而進(jìn)行冶金結(jié)處高摻雜的pn結(jié)，其特點(diǎn)為pn結(jié)一側(cè)的摻雜濃度由冶金結(jié)處開始下降 勢(shì)壘電容（結(jié)電容）：反向偏置下pn結(jié)的電容
線性緩變結(jié)：冶金結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結(jié) 冶金結(jié)：pn結(jié)內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。
單邊突變結(jié)：冶金結(jié)一側(cè)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于另一側(cè)的摻雜濃度的pn結(jié)
反偏：pn結(jié)的n區(qū)相對(duì)于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢(shì)壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時(shí)勢(shì)壘的大小 空間電荷區(qū)：冶金結(jié)兩側(cè)由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負(fù)電的區(qū)域
空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù) 變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。
第八章 pn結(jié)二極管 小結(jié) 當(dāng)pn結(jié)外加正偏電壓時(shí)（p區(qū)相對(duì)與n區(qū)為正），pn結(jié)內(nèi)部的勢(shì)壘就會(huì)降低，于是p區(qū)空穴與n區(qū)電子就會(huì)穿過空間電荷區(qū)流向相應(yīng)的區(qū)域 本章推導(dǎo)出了與n區(qū)空間電荷區(qū)邊緣處的少子空穴濃度和p區(qū)空間電荷區(qū)邊緣處的少子濃度相關(guān)的邊界條件 注入到n區(qū)內(nèi)的空穴與注入到p區(qū)內(nèi)的電子成為相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的過剩少子。過剩少子的行為由第六章中推導(dǎo)的雙極輸運(yùn)方程來描述。求出雙極輸運(yùn)方程的解并將邊界條件代入，就可以求出n區(qū)與p區(qū)內(nèi)穩(wěn)態(tài)少數(shù)載流子的濃度分布 由于少子濃度梯度的存在，pn結(jié)內(nèi)存在少子擴(kuò)散電流。少子擴(kuò)散電流產(chǎn)生了pn結(jié)二極管的理想電流－電壓關(guān)系 本章得出了pn結(jié)二極管的小信號(hào)模型。最重要的兩個(gè)參數(shù)是擴(kuò)散電阻與擴(kuò)散電容 反偏pn結(jié)的空間電荷區(qū)內(nèi)產(chǎn)生了過剩載流子。在電場(chǎng)的作用下，這些載流子被掃處了空間電荷區(qū)，形成反偏產(chǎn)生電流。產(chǎn)生電流是二極管反偏電流的一個(gè)組成部分。Pn結(jié)正偏時(shí)，穿過空間電荷區(qū)的過剩載流子可能發(fā)生復(fù)合，產(chǎn)生正偏復(fù)合電流。復(fù)合電流是pn結(jié)正偏電流的另一個(gè)組成部分 當(dāng)pn結(jié)的外加反偏電壓足夠大時(shí)，就會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。此時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)較大的反偏電流。擊穿電壓為pn結(jié)摻雜濃度的函數(shù)。在單邊pn結(jié)中，擊穿電壓是低摻雜一側(cè)摻雜濃度的函數(shù) 當(dāng)pn結(jié)由正偏狀態(tài)轉(zhuǎn)換到反偏狀態(tài)時(shí)，pn結(jié)內(nèi)存儲(chǔ)的過剩少數(shù)載流子會(huì)被移走，即電容放電。放電時(shí)間稱為存儲(chǔ)時(shí)間，它是二極管 開關(guān)速度的一個(gè)限制因素 重要術(shù)語解釋 雪崩擊穿：電子和空穴穿越空間電荷區(qū)時(shí)，與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，在pn結(jié)內(nèi)形成一股很大的反偏電流，這個(gè)過程就稱為雪崩擊穿。
載流子注入：外加偏壓時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過空間電荷區(qū)進(jìn)入p區(qū)或n區(qū)的過程 臨界電場(chǎng)：發(fā)生擊穿時(shí)pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度 擴(kuò)散電容：正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容 擴(kuò)散電導(dǎo)：正偏pn結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電流與電壓的比值 擴(kuò)散電阻：擴(kuò)散電導(dǎo)的倒數(shù)
正偏：p區(qū)相對(duì)于n區(qū)加正電壓。此時(shí)結(jié)兩側(cè)的電勢(shì)差要低于熱平衡時(shí)的值 產(chǎn)生電流：pn結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)由于電子－空穴對(duì)熱產(chǎn)生效應(yīng)形成的反偏電流 場(chǎng)二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)的長(zhǎng)度大于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的二極管。
復(fù)合電流：穿越空間電荷區(qū)時(shí)發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流 反向飽和電流：電中性p區(qū)與n區(qū)中至少有一個(gè)區(qū)的長(zhǎng)度小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的pn結(jié)二極管。存儲(chǔ)時(shí)間：當(dāng)pn結(jié)二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r(shí)，空間電荷區(qū)邊緣的過剩少子濃度由穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時(shí)間 第九章 小結(jié)：輕參雜半導(dǎo)體上的金屬可以和半導(dǎo)體形成整流接觸，這種接觸稱為肖特基勢(shì)壘二極管。金屬與半導(dǎo)體間的理想勢(shì)壘高度會(huì)因金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體的電子親和能的不同而不同。當(dāng)在n型半導(dǎo)體和金屬之間加上一個(gè)正電壓是（即反偏），半導(dǎo)體與金屬之間的勢(shì)壘增加，因此基本上沒有載流子的流動(dòng)。當(dāng)金屬與n型半導(dǎo)體間加上一個(gè)正電壓時(shí)（即正偏），半導(dǎo)體與金屬間的勢(shì)壘降低，因此電子很容易從半導(dǎo)體流向金屬，這種現(xiàn)象稱為熱電子發(fā)射。肖特基勢(shì)壘二極管的理想i-v關(guān)系與pn結(jié)二極管的相同。然而，電流值的數(shù)量級(jí)與pn結(jié)二極管的不同，肖特基二極管的開關(guān)速度要快一些。另外，肖特基二極管的反向飽和電流比pn結(jié)的大，所以在達(dá)到與pn結(jié)二極管一樣的電流時(shí)，肖特基二極管需要的正的偏壓要低。金屬-半導(dǎo)體也可能想成歐姆接觸，這種接觸的接觸電阻很低，是的結(jié)兩邊導(dǎo)通時(shí)結(jié)兩邊的壓降很小。
兩種不同能帶系的半導(dǎo)體材料可以形成半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)一個(gè)有用的特性就是能在表面形成勢(shì)壘。在與表面垂直的方向上，電子的活動(dòng)會(huì)受到勢(shì)肼的限制，但電子在其他的兩個(gè)方向可以自由的流動(dòng)。重要術(shù)語解釋：
反型異質(zhì)結(jié)：參雜劑在冶金結(jié)處變化的異質(zhì)結(jié)。
電子親和規(guī)則：這個(gè)規(guī)則是指，在一個(gè)理想的異質(zhì)結(jié)中，導(dǎo)帶處的不連續(xù)性是由于兩種半導(dǎo)體材料的電子親和能是不同的引起的。
異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。
鏡像力降低效應(yīng)：由于電場(chǎng)引起的金屬-半導(dǎo)體接觸處勢(shì)壘峰值降低的現(xiàn)象。同型異質(zhì)結(jié)：參雜劑在冶金結(jié)處不變的異質(zhì)結(jié)。
歐姆接觸：金屬半導(dǎo)體接觸電阻很低，且在結(jié)兩邊都能形成電流的接觸。理查德森常數(shù)：肖特基二極管中的I-V關(guān)系中的一個(gè)參數(shù)A*。肖特基勢(shì)壘高度：金屬-半導(dǎo)體結(jié)中從金屬到半導(dǎo)體的勢(shì)壘Φbn。肖特基效應(yīng)：鏡像力降低效應(yīng)的另一種形式。
單位接觸電阻：金屬半導(dǎo)體接觸的J-V曲線在V=0是的斜率的倒數(shù)。熱電子發(fā)射效應(yīng)：載流子具有足夠的熱能時(shí)，電荷流過勢(shì)壘的過程。隧道勢(shì)壘：一個(gè)薄勢(shì)壘，在勢(shì)壘中，其主要作用的電流是隧道電流。
二維電子氣：電子堆積在異質(zhì)結(jié)表面的勢(shì)肼中，但可以沿著其他兩個(gè)方向自由流動(dòng)。第十章 小結(jié)：
有兩種類型的的雙極晶體管，即npn和pnp型。每一個(gè)晶體管都有三個(gè)不同的參雜區(qū)和兩個(gè)pn結(jié)。中心區(qū)域（基區(qū)）非常窄，所以這兩個(gè)結(jié)成為相互作用結(jié)。
晶體管工作于正向有源區(qū)時(shí)，B-E結(jié)正偏，B-C結(jié)反偏。發(fā)射區(qū)中的多子注入基區(qū)，在那里，他們變成少子。少子擴(kuò)散過基區(qū)進(jìn)入B-C結(jié)空間電荷區(qū)，在那里，他們被掃入集電區(qū)。當(dāng)晶體管工作再正向有源區(qū)時(shí)，晶體管一端的電流（集電極電流）受另外兩個(gè)端點(diǎn)所施加的電壓（B-E結(jié)電壓）的控制。這就是其基本的工作原理。
晶體管的三個(gè)擴(kuò)散區(qū)有不同的少子濃度分布。器件中主要的電流由這些少子的擴(kuò)散決定。共發(fā)射極電流增益是三個(gè)因子的函數(shù)----發(fā)射極注入效率系數(shù)，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)和復(fù)合系數(shù)。發(fā)射極注入效率考慮了從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的載流子，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)反映了載流子在基區(qū)的復(fù)合，復(fù)合系數(shù)反映了載流子在正偏發(fā)射結(jié)內(nèi)部的復(fù)合?？紤]了幾個(gè)非理想效應(yīng)：
1.基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，說著說是厄爾利效應(yīng)----中性基區(qū)寬度隨B-C結(jié)電壓變化而發(fā)生變化，于是集電極電流隨B-C結(jié)或C-E結(jié)電壓變化而變化。
2.大注入效應(yīng)使得集電極電流隨C-E結(jié)電壓增加而以低速率增加。3.發(fā)射區(qū)禁帶變窄效應(yīng)是的發(fā)射區(qū)參雜濃度非常高時(shí)發(fā)射效率變小。4.電流集邊效應(yīng)使得發(fā)射極邊界的電流密度大于中心位置的電流密度。5.基區(qū)非均勻摻雜在基區(qū)中感生出靜電場(chǎng)，有助于少子度越基區(qū)。6.兩種擊穿機(jī)制----穿通和雪崩擊穿。
晶體管的三種等效電路或者數(shù)學(xué)模型。E-M模型和等效電路對(duì)于晶體管的所有工作模式均適用?；鶇^(qū)為非均勻摻雜時(shí)使用G-P模型很方便。小信號(hào)H-P模型適用于線性放大電路的正向有源晶體管。
晶體管的截止頻率是表征晶體管品質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)，他是共發(fā)射極電流增益的幅值變?yōu)?時(shí)的頻率。頻率響應(yīng)是E-B結(jié)電容充電時(shí)間、基區(qū)度越時(shí)間、集電結(jié)耗盡區(qū)度越時(shí)間和集電結(jié)電容充電時(shí)間的函數(shù)。
雖然開關(guān)應(yīng)用涉及到電流和電壓較大的變化，但晶體管的開關(guān)特性和頻率上限直接相關(guān)，開關(guān)特性的一個(gè)重要的參數(shù)是點(diǎn)和存儲(chǔ)時(shí)間，它反映了晶體管有飽和態(tài)轉(zhuǎn)變變成截止態(tài)的快慢。
重要術(shù)語解釋：
1、a截止頻率：共基極電流增益幅值變?yōu)槠涞皖l值的1根號(hào)2時(shí)的頻率，就是截止頻率。
2、禁帶變窄：隨著發(fā)射區(qū)中摻雜，禁帶的寬度減小。
3、基區(qū)渡越時(shí)間：少子通過中性基區(qū)所用的時(shí)間。
4、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)：共基極電流增益中的一個(gè)系數(shù)，體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復(fù)合。
5、基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：隨C-E結(jié)電壓或C-B結(jié)電壓的變化，中性基區(qū)寬度的變化。
6、B截止效率：共發(fā)射極電流增益幅值下降到其頻值的1根號(hào)2時(shí)的頻率。
7、集電結(jié)電容充電時(shí)間：隨發(fā)射極電流變化，B-C結(jié)空間電荷區(qū)和急電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時(shí)間常數(shù)。
8、集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間：載流子被掃過B-C結(jié)空間電荷區(qū)所需的時(shí)間。
9、共基極電流增益：集電極電流與發(fā)射極電流之比。
10、共發(fā)射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。
11、電流集邊：基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射結(jié)電流為非均勻值。
12、截止：晶體管兩個(gè)結(jié)均加零偏或反偏時(shí)，晶體管電流為零的工作狀態(tài)。
13、截止頻率：共發(fā)射極電流增益的幅值為1時(shí)的頻率。
14、厄爾利電壓：反向延長(zhǎng)晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點(diǎn)的電壓的絕對(duì)值。
15、E-B結(jié)電容充電時(shí)間：發(fā)射極電流的變化引起B(yǎng)-E結(jié)空間電荷區(qū)寬度變化所需的時(shí)間。
16、發(fā)射極注入效率系數(shù)：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。
17、正向有源：B-E結(jié)正偏、B-C結(jié)反偏時(shí)的工作模式。
18、反向有源：B-E結(jié)反偏、B-C結(jié)正偏時(shí)的工作模式。
19、輸出電導(dǎo)：集電極電流對(duì)C-E兩端電壓的微分之比。
這一章討論了MOSFET的基本物理結(jié)構(gòu)和特性
MOSFET的核心為MOS電容器。與氧化物-半導(dǎo)體界面相鄰的半導(dǎo)體能帶是玩去的，他由加載MOS電容器上的電壓決定。表面處導(dǎo)帶和價(jià)帶相對(duì)于費(fèi)米能級(jí)的位置是MOS電容器電壓的函數(shù)。
氧化層-半導(dǎo)體界面處的半導(dǎo)體表面可通過施加正偏柵壓由到發(fā)生反型，或者通過施加負(fù)柵壓由n型到p型發(fā)生發(fā)型。因此在于氧化層相鄰處產(chǎn)生了反型層流動(dòng)電荷?；綧OS場(chǎng)效應(yīng)原理是有反型層電荷密度的調(diào)制作用體現(xiàn)的
討論了MOS電容器的C-V特性。例如，等價(jià)氧化層陷阱電荷密度和界面態(tài)密度可由C-V測(cè)量方法決定
兩類基本的MOSFET為n溝和p溝，n溝中的電流由反型層電子的流動(dòng)形成，p溝中的電流由反型層空穴流動(dòng)形成。這兩類器件都可以是增強(qiáng)型的，通常情況下器件是關(guān)的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件開啟；也可以是耗盡型的，此時(shí)在通常情況下器件是開的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件關(guān)閉
平帶電壓是滿足條件時(shí)所加的柵壓，這時(shí)導(dǎo)帶和價(jià)帶不發(fā)生彎曲，并且半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。平帶電壓時(shí)金屬-氧化層勢(shì)壘的高度、半導(dǎo)體-氧化層勢(shì)壘高度以及固定氧化層陷阱電荷數(shù)量的函數(shù)
閾值電壓是指半導(dǎo)體表面達(dá)到閾值反型點(diǎn)時(shí)所加的柵壓，此時(shí)反型層電荷密度的大小等于半導(dǎo)體摻雜濃度。閾值電壓是平帶電壓、半導(dǎo)體摻雜濃度和氧化層厚度的函數(shù)。
MOSFET中的電流是由反型層載流子在漏源之間的流動(dòng)形成的。反型層電荷密度和溝道電導(dǎo)是由柵壓控制，這意味著溝道電流被柵壓控制
當(dāng)晶體管偏置在非飽和區(qū)（VDS
實(shí)際的MOSFET是一個(gè)四端器件，在襯底或體為第四端。隨著反偏源-襯底電壓的增加，閾值電壓增大。在源端和襯底不存在電學(xué)連接的集成電路中，襯底偏置效應(yīng)變得很重要。討論了含有電容的MOSFET小信號(hào)等效電路。分析了影響頻率限制的MOSFET的一些物理因素。特別的，由于密勒效應(yīng)，漏源交替電容成為了MOSFET頻率響應(yīng)的一個(gè)制約罌粟。作為器件頻率響應(yīng)的一個(gè)特點(diǎn)，截止頻率反比于溝道長(zhǎng)度，因此，溝道長(zhǎng)度的減小將導(dǎo)致MOSFET頻率性能的提高
簡(jiǎn)要討論了n溝和p溝器件制作在同一塊芯片上的CMOS技術(shù)。被電學(xué)絕緣的p型和n型襯底區(qū)時(shí)電容兩類晶體管的必要條件。有不同的工藝來實(shí)現(xiàn)這一結(jié)構(gòu)。CMOS結(jié)構(gòu)中遇到的一個(gè)潛在問題是閂鎖現(xiàn)象，即可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流、低電壓情況
重要術(shù)語解釋
對(duì)基層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產(chǎn)生的電荷 體電荷效應(yīng)：由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長(zhǎng)度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況
溝道電導(dǎo)：當(dāng)VDS?0時(shí)漏電流與漏源電壓改變的過程
CMOS：互補(bǔ)MOS；將p溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝 截至頻率：輸入交流柵電流等于輸處交流漏電流時(shí)的信號(hào)頻率 耗盡型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荜P(guān)閉的一類MOSFET 增強(qiáng)型MOSFET：鼻血施加?xùn)烹妷翰拍荛_啟的一類MOSFET 等價(jià)固定氧化層電荷：與氧化層－半導(dǎo)體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q'SS表示。
平帶電壓：平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓，此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒有空閑電荷區(qū) 柵電容充電時(shí)間：由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間 界面態(tài)：氧化層－半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許的電子能態(tài)
反型層電荷：氧化層下面產(chǎn)生的電荷，它們與半導(dǎo)體摻雜的類型是相反的 反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率
閂鎖：比如在CMOS電路中那樣，可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流 低電壓現(xiàn)象 最大空間電荷區(qū)寬度：閾值反型時(shí)氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度
金屬－半導(dǎo)體功函數(shù)差：金屬功函數(shù)和電子親和能之差的函數(shù)，用?ms表示
臨界反型：當(dāng)柵壓接近或等于閾值電壓時(shí)空間電荷寬度的微弱改變，并且反型層電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形
柵氧化層電容：氧化層介電常數(shù)與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox 飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數(shù)的情形 強(qiáng)反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時(shí)的情形 閾值反型點(diǎn)：反型電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形 閾值電壓：達(dá)到閾值反型點(diǎn)所需的柵壓
跨導(dǎo)：漏電流ude該變量與其對(duì)應(yīng)的柵壓該變量之比 弱反型：反型電流密度小于摻雜濃度時(shí)的情形
第十二章
小結(jié)：1.、亞閾值電導(dǎo)是指在MOSFET中當(dāng)柵-源電壓小于閾值電壓時(shí)漏電流不為零。這種情況下，晶體管被偏置在弱反型模式下，漏電流有擴(kuò)散機(jī)制而非漂移機(jī)制控制。亞閾值電導(dǎo)可以在集成電路中產(chǎn)生一個(gè)較明顯的靜態(tài)偏置電流。
2、當(dāng)MOSEFT工作于飽和區(qū)時(shí)，由于漏極處的耗盡區(qū)進(jìn)入溝道區(qū)，有效溝道長(zhǎng)度會(huì)隨著漏電壓的增大而減小。漏電流與溝道長(zhǎng)度成反比，成為漏-源函數(shù)。該效應(yīng)稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。
3、反型層中的載流子遷移率不是常數(shù)。當(dāng)柵壓增大時(shí)，氧化層界面處的電場(chǎng)增大，引起附加的表面散射。這些散射的載流子導(dǎo)致遷移率的下降，使其偏離理想的電流-電壓曲線。
4、隨著溝道長(zhǎng)度的減小，橫向電場(chǎng)增大。溝道中流動(dòng)的載流子可以達(dá)到飽和速度；從而在較低的漏極電壓下漏電流就會(huì)飽和。此時(shí)，漏電流成為柵-源電壓的線性函數(shù)。
5、MOSEFT設(shè)計(jì)的趨勢(shì)是使器件尺寸越來越小。我們討論了恒定電場(chǎng)等比例縮小理論。該理論是指溝道長(zhǎng)度、溝道寬度、氧化層厚度和工作電壓按照相同的比例因子縮小，而襯底摻雜濃度按照相同的比例因子增大。
6、討論了隨著器件尺寸的縮小閾值電壓的修正。由于襯底的電荷分享效應(yīng)，隨著溝道長(zhǎng)度的縮小，閾值電壓也減?。浑S著溝道寬度的減小，閾值電壓會(huì)增大。
7、討論了各種電壓擊穿機(jī)制。包括柵氧化層擊穿、溝道雪崩擊穿、寄生晶體管擊穿以及漏源穿通效應(yīng)。這些機(jī)制都可以事器件更快的衰退。輕摻雜漏可以吧漏極擊穿效應(yīng)降到最小。
8、離子注入可以改變和調(diào)整溝道區(qū)中的襯底摻雜濃度，從而得到滿意的閾值電壓，他可以作為調(diào)整閾值電壓的最后一步。這個(gè)過程成為通過離子注入調(diào)整閾值電壓。
重要術(shù)語解釋：
1、溝道長(zhǎng)度調(diào)制：當(dāng)MOSEFT進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)有效溝道長(zhǎng)度隨漏-源電壓的改變。
2、熱電子：由于在高場(chǎng)強(qiáng)中被加速，能量遠(yuǎn)大于熱平衡時(shí)的值的電子。
3、輕摻雜漏（LDD）:為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處建造一輕摻雜漏區(qū)的MOSEFT。
4、窄溝道效應(yīng)：溝道寬度變窄后的閾值電壓的偏移。
5、源漏穿通：由于漏-源電壓引起的漏極和襯底之間的勢(shì)壘高度降低，從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。
6、短溝道效應(yīng)：溝道長(zhǎng)度變短引起的閾值電壓的偏移。
7、寄生晶體管擊穿：寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSEFT擊穿過程中出現(xiàn)的負(fù)阻效應(yīng)。
8、亞閾值導(dǎo)電：當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí)，MOSEFT中的導(dǎo)電過程。
9、表面散射：當(dāng)載流子在源極與漏極漂移時(shí)，氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場(chǎng)吸收作用和庫侖排斥作用。
10、閾值調(diào)整：通過離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度，從而改變閾值電壓的過程。
第十三章
小結(jié)：
1、三種普通的JEFT是pn JEFT、MESFET、以及HEMT。
2、JFET中的電流由垂直于電流方向的電場(chǎng)控制，電流存在于源極和漏極家畜之間的溝道區(qū)中。在pn JFET中，溝道形成了pn結(jié)的一邊，用于調(diào)制溝道電導(dǎo)。
3、JFET的兩個(gè)主要參數(shù)是內(nèi)建夾斷電壓Vpo和夾斷電壓Vp（閾電壓）。內(nèi)建夾斷電壓定義為正值，它是引起結(jié)的空間電荷層完全填滿溝道區(qū)的柵極與溝道之間的總電勢(shì)。夾斷電壓（閾電壓）定義成形成夾斷是所需加的柵極電壓。
4、跨導(dǎo)即晶體管增益，是漏電流隨著柵極電壓的變化率。
5、三種非理想的因素：溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)、飽和速度和亞閾值電流，這些效應(yīng)將改變理想的I-V關(guān)系。
6、小信號(hào)等效電路，等效電路中包含等效電容；兩個(gè)物理因素影響到頻率限制，即溝道輸運(yùn)時(shí)間與電容電荷存儲(chǔ)時(shí)間。電容電荷存儲(chǔ)時(shí)間常數(shù)通常在短溝道器件中起作用。
7、在異質(zhì)結(jié)表面，二維電子氣被限制在勢(shì)阱中。電子可以平行于表面運(yùn)動(dòng)。這些電子與電離了的空穴分離，以減小電離雜質(zhì)散射效應(yīng)，形成高的遷移率。重要術(shù)語解釋：1電容電荷存儲(chǔ)時(shí)間：柵極輸入信號(hào)改變時(shí)柵極輸入電容存儲(chǔ)或釋放電荷的時(shí)間。
2、溝道電導(dǎo)：當(dāng)漏源電壓趨近于極限值零時(shí)，漏電源隨著漏源電壓的變化率。
3、溝道電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)：溝道電導(dǎo)隨柵極電壓的變化過程。
4、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)：JFET處于飽和區(qū)是，有效溝道長(zhǎng)度隨漏源電壓的變化。
5、電導(dǎo)參數(shù)：增強(qiáng)型MESFET的漏電源與柵源電壓的表達(dá)式中的倍數(shù)因子k。
6、截止頻率：小信號(hào)柵極輸入電流值與小信號(hào)漏極電流值一致時(shí)的頻率。
7、耗盡型JFET：必須加以柵極電壓才能形成溝道夾斷是器件截止的JFET。
8、增強(qiáng)型JFET:柵極電壓為零時(shí)已經(jīng)夾斷，必須加以柵源電壓以形成溝道，以是器件開啟的JFET。
9、內(nèi)建夾斷電壓：溝道夾斷是柵結(jié)上的總電壓降。
10、輸出電阻：柵源電壓隨漏極電流的變化率。
11、夾斷：柵結(jié)空間電荷區(qū)完全擴(kuò)展進(jìn)溝道，以至于溝道被耗盡的自由載流子充滿的現(xiàn)象。
第十四章
小結(jié)：
1、太陽能電池將光能裝換成電能。轉(zhuǎn)換系數(shù)要考慮能量小于禁帶寬度的入射光子以及能量小于禁帶寬度的入射光子，能量小的不能被吸收，能量大的可以被吸收，并且多余的能量會(huì)形成熱量。轉(zhuǎn)換系數(shù)一般小于30%。
2、異質(zhì)結(jié)電池可以增大轉(zhuǎn)換系數(shù)并形成相對(duì)大的開路電壓。無定型硅太陽能電池提供了生產(chǎn)低成本大面積電池的可能性。
3、光電探測(cè)器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。光電導(dǎo)體是最簡(jiǎn)單的光電探測(cè)器。入射光子會(huì)引起過剩載流子電子和空穴，從而引起半導(dǎo)體導(dǎo)電性的變化。
4、光電二極管是加反偏電壓的二極管。入射光子在空間電荷區(qū)產(chǎn)生的過剩載流子被電場(chǎng)掃過形成電場(chǎng)。光電流正比于入射光子強(qiáng)度。PIN和雪崩光電二極管是基本的光電二極管。光電晶體管產(chǎn)生的光電流是晶體管增益的倍數(shù)。由于密勒效應(yīng)和密勒電容，光電晶體管的頻率響應(yīng)比光電二極管的慢很多。
5、在pn結(jié)中光子吸收的反轉(zhuǎn)就是注入電致發(fā)光。在直接帶隙半導(dǎo)體中，過剩電子和空穴的復(fù)合會(huì)導(dǎo)致光子的發(fā)射。輸出的光信號(hào)波長(zhǎng)取決于禁帶寬度。但是，為了輸出波長(zhǎng)限定在某個(gè)范圍內(nèi)，可以采用化合物半導(dǎo)體，禁帶寬度由組分決定。
6、發(fā)光二極管（LED）是一種pn結(jié)二極管，其光子的輸出時(shí)過剩電子和空穴自發(fā)復(fù)合的結(jié)果。輸出信號(hào)中相對(duì)較寬的寬度（30cm）是自發(fā)過程的結(jié)果。
7、激光二極管的輸出時(shí)受激發(fā)射的結(jié)果。光學(xué)腔即法里布-柏羅共振腔用來連接二極管，以便使光子輸出是同相或一致的。多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)可用來連接二極管，以便使光子輸出時(shí)同相或一致的。多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)可用來提高激光二極管的性能。
重要術(shù)語解釋：
1、吸收系數(shù)：在半導(dǎo)體材料中，單位距離吸收的相對(duì)光子數(shù)，用a表示。
2、俄歇復(fù)合：電子和空穴的復(fù)合伴隨著吸收其他粒子所釋放的能量，是一個(gè)非輻射復(fù)合過程。
3、轉(zhuǎn)換系數(shù)：在太陽能電池中，輸出的電功率和入射的光功率之比。
4、延遲光電流：半導(dǎo)體器件中由于擴(kuò)散電流引起的光電流成分。
5、外量子效率：在半導(dǎo)體器件中，發(fā)射的光子數(shù)和總光子數(shù)的比率。
6、填充系數(shù)：ImVm與IscVoc的比率，是太陽能電池有效輸出能量的度量。Im和Vm是在最大功率點(diǎn)的電流和電壓值。Isc和Voc是短路電流和開路電壓。
7、菲涅爾損耗：由于折射系數(shù)的變化，在界面處入射光子被反射的部分。
8、內(nèi)量子效率：能夠產(chǎn)生發(fā)光的二極管電流部分。
9、發(fā)光二極管（LED）：在正偏pn結(jié)中，由于電子-空穴復(fù)合而產(chǎn)生的自發(fā)光子發(fā)射。
10、發(fā)光：光發(fā)射的總性質(zhì)。
11、非輻射復(fù)合：不產(chǎn)生光子的電子和空穴的復(fù)合過程，例如硅中在導(dǎo)帶和價(jià)帶間的間接躍遷。
12、開路電壓：太陽能電池的外電路開路時(shí)的電壓。
13、光電流：由于吸收光子而在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生過剩載流子，從而形成的電流。
14、分布反轉(zhuǎn)：處于高能級(jí)的電子濃度比處于低能級(jí)的電子濃度大的情況，是一個(gè)非平衡狀態(tài)。
15、瞬時(shí)光電流：半導(dǎo)體器件的空間電荷區(qū)產(chǎn)生的光電流成分。
16、輻射復(fù)合：電子和空穴的復(fù)合過程能夠產(chǎn)生光子，例如砷化鎵中的帶與帶之間的直接復(fù)合。
17、肖克萊-里德-霍爾復(fù)合：通過深能級(jí)陷阱而進(jìn)行的電子-空穴對(duì)的復(fù)合，是非輻射復(fù)合過程。
18、短路電流：太陽能電池兩端直接相連時(shí)的電流。
19、受激發(fā)射：有個(gè)電子被入射光子激發(fā)，躍遷到低能級(jí)，同時(shí)發(fā)射第二個(gè)光子的過程。
第五篇：飯店術(shù)語解釋
飯店術(shù)語解釋
Skipper 意思是故意逃賬者；
其特征是：無行李或少行李者，使用假信用卡或假支票等； 對(duì)于無行李或少行李者都要留意其消費(fèi)情況，使用假信用卡或假支票者，要收取其消費(fèi)保證金。Register 意思是入住登記，指要入住飯店的客人需要辦理手續(xù)，如填寫登記表等； 登記的意義在于可以確?？腿松矸莸恼鎸?shí)性，便于查詢、聯(lián)絡(luò)和溝通；
登記的內(nèi)容包括客人的姓名、出生年月、國(guó)籍、證件號(hào)碼、簽發(fā)機(jī)關(guān)、有效期等。Upgrade 意思是將高價(jià)格種類的房間按低價(jià)格的出售；
用途：A、用于房間緊張時(shí)，給有預(yù)訂的客人；B、提高接待規(guī)格給重要客人。Early arrival 意思是提前到達(dá)。指客人在預(yù)訂時(shí)間之前到達(dá)。
提前到達(dá)有兩種情況：A、是指在預(yù)訂日期之前到達(dá)。B、在飯店規(guī)定的入住時(shí)間之前到達(dá)。無論以上哪種情況，都要妥善安排好客人。Connecting room 意思是相連房。指相鄰且相通的房間； 適于安排關(guān)系密切及需互相照顧的客人； 不宜安排敵對(duì)或不同種類的客人。
Room change 指為客人轉(zhuǎn)換房間；
客人轉(zhuǎn)房的兩種主要原因是客人休息受到影響及房間設(shè)備出現(xiàn)問題； 轉(zhuǎn)房的手續(xù)是：叫行李生拿新的房間鑰匙及歡迎卡到客人的房間換舊的房匙及歡迎卡，請(qǐng)客人在新的歡迎卡上簽名。最后通知相關(guān)部門，更改有關(guān)資料。
Sleep out
“店外住宿”簡(jiǎn)稱“外宿” House use 指飯店人員用房；
飯店提供一部分房間給管理人員休息用，以便于工作； 要控制好飯店人員用房的數(shù)量 Guest history 意思是客史檔案；
客人離店后，前臺(tái)人員將客人的有關(guān)資料記錄下來并加以保存； 客史檔案是飯店極富價(jià)值的資料，有利于對(duì)客提供針對(duì)性、個(gè)性化的服務(wù)以及開展市場(chǎng)調(diào)研，以鞏固和穩(wěn)定客源市場(chǎng)。Sleep out 是“館外住宿”，簡(jiǎn)稱“外宿”。Tips 意思是小費(fèi)，指客人為感謝服務(wù)員所提供的服務(wù)而給予的賞金。按規(guī)定不能收）取小費(fèi)，應(yīng)婉言謝絕。
如盛情難卻，應(yīng)將小費(fèi)上交上級(jí)部門統(tǒng)一處理。Walk-in 指沒有預(yù)先訂房而前來入住的客人，簡(jiǎn)稱“無預(yù)訂散客”。Commercial rate 商務(wù)房?jī)r(jià)：指飯店為爭(zhēng)取更多的客人而與一些公司簽訂合同，給予他們優(yōu)惠的房間價(jià)格。Pressing 預(yù)先分房：指客人抵達(dá)前預(yù)先安排所需房間。Net rate 凈房?jī)r(jià)。指房?jī)r(jià)中除去傭金、稅收、付加費(fèi)等剩下的純房間收入。Waiting list 意思是等候名單。當(dāng)飯店房間已滿，仍有客人要求訂房或入住，可做等候名單。Adjoining room 相鄰房。指導(dǎo)相鄰而不相通的房間。
適于安排相互熟識(shí)的客人，不宜安排敵對(duì)或不同種類的客人。Tariff 價(jià)目表，是一種向客人提供飯店的房間類型及房間價(jià)格等信息的資料。Day use 半天用房，指客人要求租用客房半天，不過夜。
一般租用時(shí)間為六小時(shí)以內(nèi)，退房時(shí)間為下午六點(diǎn)鐘以前，房?jī)r(jià)是全價(jià)的一半。Average room rate平均房?jī)r(jià)。計(jì)算方法：客房總收入除以總住房數(shù)。Guaranteed booking 保證性訂房。指客人通過使用信用卡、預(yù)付定金、訂立合同等方法，來確保飯店應(yīng)有的收入。飯店必須保證為這類客人提供所需的客房，它使雙方建立起了一種更為牢靠的關(guān)系。DND（do not disturb的縮寫）
請(qǐng)勿打擾，客人避免外界打擾而出示的標(biāo)志。IDD（international direct dial的縮寫）意思是直拔國(guó)際長(zhǎng)途電話。No-show 指沒有預(yù)先通知取消又無預(yù)期抵達(dá)的訂房。Package 指包價(jià)服務(wù)。指賓館將幾個(gè)項(xiàng)目組成一個(gè)整體，一個(gè)性出售給客人。Message 意思是留言服務(wù)，它是一項(xiàng)飯店幫助客人傳遞口信的服務(wù)。Night audit 意思是夜間稽核，主要負(fù)責(zé)復(fù)核各營(yíng)業(yè)點(diǎn)的營(yíng)業(yè)收入報(bào)表、單據(jù)、客人房租是否正確，各類特殊價(jià)格的審批是否符合規(guī)定，發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤應(yīng)立即更改，以保證飯店?duì)I業(yè)收入賬目的準(zhǔn)確。Cancellation 指客人取消預(yù)訂的要求。簡(jiǎn)稱取消預(yù)訂。、Pick up service 意思是接車服務(wù)，飯店派人或車到車站、機(jī)場(chǎng)、碼頭把客人接回飯店。Wake-up call 意思是叫醒服務(wù)。Hotel chain 意思是旅館連鎖。擁有、經(jīng)營(yíng)兩個(gè)以上旅館的公司或系統(tǒng)。連鎖旅館使用統(tǒng)一名稱，同樣的標(biāo)志，實(shí)行統(tǒng)一的經(jīng)營(yíng)。管理規(guī)范服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)。House credit limit 指賒賬限額。指飯店允許要客人在飯店內(nèi)消費(fèi)賒賬的最高數(shù)額。Rooming list 意思是團(tuán)體名單，它作為旅行團(tuán)預(yù)訂和入住登記時(shí)分房之用。Rollaway bed 意思是摺疊床，又叫“加床”。Rack rate 門市價(jià)格，是指客人直接在飯店購買客房商品的價(jià)格。Out of order 意思是壞房，指那些由于需要維修而不能出租的房間。Over booking 意思是超額預(yù)訂。Double Occupancy 指兩人占用房比例。客房同時(shí)有兩位客人入住，稱兩人占用房，兩人占用房在出租房中所占的比例，叫兩人占用房比例。Emergency exit 意思是緊急出口。飯店專門設(shè)置的，供館內(nèi)人員在發(fā)生火災(zāi)等緊急情況時(shí)逃生用的出口。Executive floor 行政樓層
飯店將一層或幾層的客房相對(duì)劃分出來，用以接待高級(jí)商務(wù)行政人員，這些樓層稱為行政樓層。它設(shè)有自己的總臺(tái)、收款處、餐廳、休息室等，為客人提供細(xì)致周到的服務(wù)，其房間也比一般客房豪華。Lost & found 意思是失物招領(lǐng)處。Late checkout 意思是愈時(shí)退房。Log book 意思是工作日記本。
FIT（free individual tourist的簡(jiǎn)稱）意思是散客。Room type 意思是房間種類。
常見的房間種類有：?jiǎn)稳朔俊㈦p人房、三人房、標(biāo)準(zhǔn)房、豪華房、套房、相連房和公寓等。不同種類的房間適于不同種類的客人。Group 意思是團(tuán)體，指那些有組織地進(jìn)行旅游活動(dòng)的群體。Settlement 意思是付賬或清賬。將賒欠飯店的款項(xiàng)付清或簽報(bào)。付賬的方式有幾種：現(xiàn)金、信用卡、支票、報(bào)賬等。Full house 意思是房間客滿。Room status 意思是房間狀態(tài)。
一般房間狀態(tài)分為：住房已清潔、住房未清潔、空房已清潔、維修房等。Check in 指客人入住飯店辦理登記手續(xù)的過程。Pre registration 預(yù)先登記。
在客人到達(dá)前，根據(jù)客人歷史資料幫客人填好登記表。Coupon 意思是客人已支付費(fèi)用的住宿憑證。Master folio 總賬戶。兩人或兩間房以上發(fā)生的所有費(fèi)用有一個(gè)特定賬戶來記錄，結(jié)賬時(shí)統(tǒng)一結(jié)算，此賬戶稱總賬戶。
Confirmed reservation 意思是確認(rèn)訂房。它是指飯店對(duì)客人的預(yù)訂要求予于以接受的答復(fù)。Room change 指為客轉(zhuǎn)換房間。Advanced deposit 意思是預(yù)付訂金。指客人在訂房時(shí)所交納的訂金。Up selling 意思是根據(jù)客人特點(diǎn)，推銷更高價(jià)格的客房。Check out 意思是指客人辦理結(jié)賬離館手續(xù)。Concierge 意思是委托代辦。Arrival departure time Arrival:指客人到賓館的時(shí)間。
Departure:指客人離開賓館的時(shí)間。VIP：（very important person 的縮寫）意思是重要客人之意。
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