第一篇：天然氣處理與加工工藝總結(jié)

—.填空

1．天然氣的分類:

（1）按產(chǎn)狀分類，游離氣和溶解氣

（2）按經(jīng)濟(jì)價(jià)值分類，常規(guī)天然氣和非常規(guī)天然氣

（3）按來源分類，與油有關(guān)的氣，與煤有關(guān)的氣，天然沼氣，深源氣，化合物氣

（4）按組成分類，a，以天然氣中烴類組成:干氣，濕氣，貧氣，富氣.b,以天然氣中硫化氫、二氧化硫含量分類：凈氣，酸氣。

（5）我國(guó)習(xí)慣分法，伴生氣，氣藏氣和凝析氣

2．天然氣的主要產(chǎn)品：液化天然氣，液化石油氣，天然氣凝液，天然氣油，壓縮天然氣

3.冷卻脫水的方法：直接冷卻法，加壓冷卻法，膨脹制冷冷卻法，機(jī)械制冷冷卻法

天然氣脫水的方法：冷卻法，吸收法和吸附法

4.常用的脫水吸附劑：活性鋁土、活性氧化鋁、硅膠和分子篩

5.固體吸附劑的吸附容量與被吸附氣體的特性和分壓，固體吸附劑的特性，比表面積和空隙

率以及吸附溫度等有關(guān)。

6.天然氣液回收方法：吸附法、油吸收法、冷凝分離法。

目的:生產(chǎn)管輸氣、滿足商品氣的質(zhì)量要求、最大程度的回收天然氣液。

7.尾氣處理方法：從類型上可分為干法、濕法和直接灼燒法三類。除灼燒法外，按其基本原

理又可分為延續(xù)反應(yīng)法、H2S回收法和SO2回收法三類。SO2回收率不可能超過100%。

8.吸附劑/催化劑需要再生：Sulfreen法

還原---吸收法：SCOT法

氧化---吸收法：Wellman-Lord

二.選擇

1.天然氣的主要成分是甲烷，此外還有乙烷，丙烷，丁烷，戊烷及己烷以上的烴類

2.天然氣處理與加工含義：

（1）天然氣加工是指從天然氣中分離，回收某些組分，使之成為產(chǎn)品的那些工藝過程

（2）天然氣處理是指使天然氣符合商品質(zhì)量和管道運(yùn)輸要求所采取的工藝過程

3.烴露點(diǎn)：在一定壓力下，天然氣中烴類開始冷凝的溫度

水露點(diǎn)：在一定壓力下，天然氣中水蒸氣開始冷凝的溫度

4.華白指數(shù)：是代表燃?xì)馓匦缘囊粋€(gè)參數(shù)，是燃?xì)饣Q性的一個(gè)判定指數(shù)

5.預(yù)測(cè)天然氣水含量的方法：圖解法和狀態(tài)方程法

6.引起水合物形成的主要條件：（1）天然氣的溫度等于或低于露點(diǎn)溫度，有液態(tài)水存在（2）

在一定壓力和氣體組成下，天然氣溫度低于水合物形成的溫度（3）壓力增加，形成水合物的溫度相應(yīng)增加

7.水合物形成的條件預(yù)測(cè)：相對(duì)密度法、平衡常數(shù)法、Baillie和Wichert法、分子熱力學(xué)模

型法、實(shí)驗(yàn)法

8.天然氣水合物的結(jié)構(gòu)：體心立方晶體結(jié)構(gòu)、金剛石型結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)H型水合物

在形成水合物的氣體混合物體系中，可能出現(xiàn)平衡共存的相有氣相，冰相，富水液相，富

烴液相和固態(tài)水合物相

9.吸附負(fù)荷曲線（吸附波）：在吸附床層中，吸附質(zhì)沿不同床層高度的濃度變化曲線，稱為

吸附曲線

10.復(fù)合固體吸附劑的特點(diǎn)：

（1）既可以減少投資，又可以保證干氣露點(diǎn)

（2）活性氧化鋁可以作為分子篩的保護(hù)層

（3）活性氧化鋁再生時(shí)能耗比分子篩低

（4）活性氧化鋁的價(jià)格較低

三.判斷

1.破點(diǎn)：床層出口氣體中水的濃度剛剛開始發(fā)生變化的點(diǎn)，為破點(diǎn)

2.透過（穿透）曲線：從破點(diǎn)到整個(gè)床層達(dá)到飽和時(shí)，床層出口端流體中吸附質(zhì)的濃度隨時(shí)間的變化曲線

3.吸附劑平衡吸附量：當(dāng)床層達(dá)到飽和時(shí)，吸附劑的吸附量

4.動(dòng)態(tài)（有效）吸附（濕容）量：吸附過程達(dá)到破點(diǎn)時(shí)，吸附劑的吸附量

5.天然氣絕對(duì)含水量：每標(biāo)準(zhǔn)立方米天然氣的實(shí)際含水量

6.天然氣飽和含水量：在一定溫度壓力下，天然氣與液態(tài)水達(dá)到平衡時(shí)氣體的絕對(duì)含水量

7.天然氣的相對(duì)濕度：天然氣中實(shí)際含水量與飽和含水量之比

8.天然氣的水露點(diǎn)：在一定壓力下，天然氣中的水蒸汽開始冷凝的溫度

9.甘醇在使用過程中將會(huì)受到的污染：氧氣串氣系統(tǒng)、降解、PH值降低、鹽污染、液烴、淤渣、起泡

10.吸附法脫水是指氣體采用固體吸附劑脫水，固也稱為固體吸附劑脫水

11.物理吸附是由液體中吸附質(zhì)分子與固體吸附劑表面之間的范德華力引起的12.化學(xué)吸附是吸附質(zhì)與固體吸附劑表面的未飽和化學(xué)鍵力作用的結(jié)果

13.分子篩類型為A型X型和Y型

14.固體吸附劑工藝參數(shù)的選擇：吸附周期、濕氣進(jìn)干燥器溫度、再生加熱與冷卻溫度、加熱與冷卻時(shí)間分配

15.吸附劑床層由吸附飽和區(qū)、吸附傳質(zhì)區(qū)和未吸附區(qū)三部分組成16.按照提供冷量的制冷系統(tǒng)不同，冷凝分離法可分為：冷劑制冷法，直接膨脹制冷法和聯(lián)合制冷法三種

17.根據(jù)天然氣在冷凍分離系統(tǒng)中的最低冷凍溫度，又將冷凝分離法分為：淺冷凝分離與深冷凝分離

四.了解

1.制冷方法，（1）階式制冷系統(tǒng)：由幾個(gè)單獨(dú)而又相互聯(lián)系的不同溫度等級(jí)冷劑壓縮制冷循環(huán)組成（2）混合冷劑：是指由甲烷至戊烷等烴類混合物組成的冷劑

2.節(jié)流膨脹與透平膨脹的區(qū)別：

（1）節(jié)流過程用節(jié)流閥，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，等熵膨脹過程用膨脹機(jī)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜

（2）膨脹機(jī)中實(shí)際上為多變過程，因而所得到的溫度效應(yīng)及制冷量比等熵過程的理論值小

（3）節(jié)流閥可以氣液兩相內(nèi)工作，即節(jié)流閥出口可以允許有很大的帶液量，而膨脹機(jī)出口允許的帶液量有一定的限度

3天然氣回收工藝方法主要由原料氣預(yù)處理、壓縮、冷凝分離、凝液分餾、干氣再壓縮以及制冷等部分組成。

原料氣預(yù)處理的目的是：脫除原料氣中攜帶的油、游離水和泥沙等雜質(zhì)、以及脫除原料氣中的水蒸氣和酸性組分等

原料氣壓縮的目的是：為了提高天然氣的冷凝率

4.二氧化碳含量過高，會(huì)降低天然氣的熱值

5.從天然氣中脫除酸性組分的工藝過程稱為脫硫，脫碳，習(xí)慣上統(tǒng)稱為天然氣脫硫

6.天然氣脫硫的方法：間歇法、化學(xué)吸收法、物理吸收法、聯(lián)合吸收法（化學(xué)-物理吸收法）、直接轉(zhuǎn)化法、膜分離法

7.克勞斯法硫磺回收常用的工藝方法有：直通法、分流法、硫循環(huán)法、直接氧化法

8.克勞斯法硫磺回收裝置的主要設(shè)備有反應(yīng)爐、余熱鍋爐、轉(zhuǎn)化器、冷凝器

9.液硫脫氣工藝有循環(huán)噴灑法和氣提法兩種

10.天然氣液化一般包括天然氣凈化（也稱預(yù)處理）過程和天然氣液化過程兩部分

11.LNG工廠按照LNG的使用情況主要分成兩種類型：基本負(fù)荷型（基地型）和調(diào)峰型

12.天然氣液化工藝過程原料氣預(yù)處理：原料氣中的CO HS COS 采用醇胺法或其它方法脫

除，水采用分子篩吸附法脫除，汞采用可再生的HgSIV吸附劑脫除，N采用閃蒸分離法脫除

13.天然氣液化原理及工藝 ：天然氣液化的實(shí)質(zhì)就是通過換熱不斷從天然氣中取走熱量最終

達(dá)到液化的目的。因此天然氣液化的核心是制冷系統(tǒng)

14.LNG裝置實(shí)質(zhì)上是壓縮機(jī)，換熱器，膨脹機(jī)或節(jié)流閥等的組合體

LNG裝置工藝流程采用的制冷循環(huán)可分為下述幾種

1）節(jié)流制冷循環(huán)

2）膨脹劑制冷循環(huán)

3）階式制冷循環(huán)

4）混合冷劑制冷循環(huán)

5）有冷劑預(yù)冷的混合冷劑制冷循

6）以低溫制冷機(jī)為冷源的制冷循環(huán)

15.天然氣液化工藝中的主要設(shè)備是壓縮機(jī)組及換熱器等

16.常用的壓縮機(jī)有兩種類型：離心式壓縮機(jī)和軸流式壓縮機(jī)

17.大中型LNG裝置的壓縮機(jī)采用的驅(qū)動(dòng)機(jī)有兩種：蒸汽輪機(jī)和燃?xì)廨啓C(jī)

18.LNG裝置中采用的換熱器主要有兩種、繞管式換熱器和板翹式換熱器

第二篇：微電子加工工藝總結(jié)資料

1、分立器件和集成電路的區(qū)別

分立元件：每個(gè)芯片只含有一個(gè)器件；集成電路：每個(gè)芯片含有多個(gè)元件。

2、平面工藝的特點(diǎn)

平面工藝是由Hoerni于1960年提出的。在這項(xiàng)技術(shù)中，整個(gè)半導(dǎo)體表面先形成一層氧化層，再借助平板印刷技術(shù)，通過刻蝕去除部分氧化層，從而形成一個(gè)窗口。P-N結(jié)形成的方法： ① 合金結(jié)方法

A、接觸加熱：將一個(gè)p型小球放在一個(gè)n型半導(dǎo)體上，加熱到小球熔融。

B、冷卻：p型小球以合金的形式摻入半導(dǎo)體底片，冷卻后，小球下面形成一個(gè)再分布結(jié)晶區(qū)，這樣就得到了一個(gè)pn結(jié)。

合金結(jié)的缺點(diǎn)：不能準(zhǔn)確控制pn結(jié)的位置。

②生長(zhǎng)結(jié)方法

半導(dǎo)體單晶是由摻有某種雜質(zhì)（例如P型）的半導(dǎo)體熔液中生長(zhǎng)出來的。生長(zhǎng)結(jié)的缺點(diǎn)：不適宜大批量生產(chǎn)。擴(kuò)散結(jié)的形成方式 與合金結(jié)相似點(diǎn)：

表面表露在高濃度相反類型的雜質(zhì)源之中 與合金結(jié)區(qū)別點(diǎn)：

不發(fā)生相變，雜質(zhì)靠固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體晶體內(nèi)部 擴(kuò)散結(jié)的優(yōu)點(diǎn)

擴(kuò)散結(jié)結(jié)深能夠精確控制。平面工藝制作二極管的基本流程：

襯底制備——氧化——一次光刻（刻擴(kuò)散窗口）——硼預(yù)沉積——硼再沉積——二次光刻（刻引線孔）——蒸鋁——三次光刻（反刻鋁電極）——P-N結(jié)特性測(cè)試

3、微電子工藝的特點(diǎn)

高技術(shù)含量 設(shè)備先進(jìn)、技術(shù)先進(jìn)。

高精度 光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級(jí)，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級(jí)，而精度更在上述尺度之上。超純 指工藝材料方面，如襯底材料Si、Ge單晶純度達(dá)11個(gè)9。

超凈 環(huán)境、操作者、工藝三個(gè)方面的超凈，如 VLSI在100級(jí)超凈室10級(jí)超凈臺(tái)中制作。大批量、低成本 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)使之得以實(shí)現(xiàn)。

高溫 多數(shù)關(guān)鍵工藝是在高溫下實(shí)現(xiàn)，如：熱氧化、擴(kuò)散、退火。

4、芯片制造的四個(gè)階段

固態(tài)器件的制造分為4個(gè)大的階段（粗線條）： ① ② ③ ④

晶圓制備：（1）獲取多晶

（2）晶體生長(zhǎng)----制備出單晶，包含可以摻雜（元素?fù)诫s和母金摻雜）（3）硅片制備----制備出空白硅片 硅片制備工藝流程（從晶棒到空白硅片）：

晶體準(zhǔn)備（直徑滾磨、晶體定向、導(dǎo)電類型檢查和電阻率檢查）→

切片→研磨→化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）→背處理→雙面拋光→邊緣倒角→拋光→檢驗(yàn)→氧化或外延工藝→打包封裝 芯片制造的基礎(chǔ)工藝

增層——光刻——摻雜——熱處理 材料制備

晶體生長(zhǎng)/晶圓準(zhǔn)備 晶圓制造、芯片生成 封裝

5、high-k技術(shù)

High—K技術(shù)是在集成電路上使用高介電常數(shù)材料的技術(shù)，主要用于降低金屬化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管柵極泄漏電流的問題。集成電路技術(shù)的發(fā)展是伴隨著電路的元器件（如MOS晶體管）結(jié)構(gòu)尺寸持續(xù)縮小實(shí)現(xiàn)的。隨著MOS晶體管結(jié)構(gòu)尺寸的縮小，為了保持棚極對(duì)MOS晶體管溝道電流的調(diào)控能力，需要在尺寸縮小的同時(shí)維持柵極電容的容量，這通常需要通過減小棚極和溝道之間的絕緣介質(zhì)層厚度來實(shí)現(xiàn)，但由此引起的棚極和溝道之間的漏電流問題越來越突出。High—K技術(shù)便是解決這一問題的優(yōu)選技術(shù)方案。因?yàn)?，MOS器件柵極電容類似于一個(gè)平板電容，由于MOS器件面積、絕緣介質(zhì)層厚度和介電常數(shù)共同決定，因此MOS器件柵極電容在器件面積減小的前提下，采用了High—K材料后，可以在不減小介質(zhì)層厚度（因此柵極泄漏電流而不增加）的前提下，實(shí)現(xiàn)維護(hù)柵極電容容量不減小的目標(biāo)。High—K材料技術(shù)已被英特爾和IBM應(yīng)用到其新開發(fā)的45mm量產(chǎn)技術(shù)中。目前業(yè)界常用的High—K材料主要是包括HfO2在內(nèi)的Hf基介質(zhì)材料。

6、拉單晶的過程

裝料——融化——種晶——引晶——放肩——等徑——收尾——完成

7、外延技術(shù)的特點(diǎn)和應(yīng)用 外延特點(diǎn)： 生成的晶體結(jié)構(gòu)良好 摻入的雜質(zhì)濃度易控制 可形成接近突變pn結(jié)的特點(diǎn) 外延分類： 按工藝分類

A 氣相外延（VPE）利用硅的氣態(tài)化合物或者液態(tài)化合物的蒸汽，在加熱的硅襯底表面和氫發(fā)生反應(yīng)或自身發(fā)生分解還原出硅。B 液相外延（LPE）襯底在液相中，液相中析出的物質(zhì)并以單晶形式淀積在襯底表面的過程。此法廣泛應(yīng)用于III-V族化合半導(dǎo)體的生長(zhǎng)。原因是化合物在高溫下易分解，液相外延可以在較低的溫度下完成。C 固相外延（SPE）

D 分子束外延（MBE）在超高真空條件下，利用薄膜組分元素受熱蒸發(fā)所形成的原子或分子束，以很高的速度直接射到襯底表面，并在其上形成外延層的技術(shù)。特點(diǎn)：生長(zhǎng)時(shí)襯底溫度低，外延膜的組分、摻雜濃度以及分布可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的精確控制。按導(dǎo)電類型分類

n型外延：n/n, n/p外延 p型外延：p/n, p/p外延 按材料異同分類

同質(zhì)外延：外延層和襯底為同種材料，例如硅上外延硅。

異質(zhì)外延：外延層和襯底為不同種材料，例如SOI((絕緣體上硅)是一種特殊的硅片，其結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是在有源層和襯底層之間插入絕緣層——— 埋氧層來隔斷有源層和襯底之間的電氣連接)按電阻率高低分類

正外延：低阻襯底上外延高阻層n/n+ 反外延：高阻襯底上外延低阻層

硅的氣相外延的原理：在氣相外延生長(zhǎng)過程中，有兩步： 質(zhì)量輸運(yùn)過程－－反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面

表面反應(yīng)過程－－在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)釋放出硅原子

摻雜

有意摻雜：按器件對(duì)外延導(dǎo)電性和電阻率的要求，在外延的同時(shí)摻入適量的雜質(zhì)，這稱為有意摻雜。自摻雜：襯底中的雜質(zhì)因揮發(fā)等而進(jìn)入氣流，然后重新返回外延層。雜質(zhì)外擴(kuò)散:重?fù)诫s襯底中的雜質(zhì)通過熱擴(kuò)散進(jìn)入外延層。外延的應(yīng)用

1、雙極型電路：n/n外延,在n型外延層上制作高頻功率晶體管。+ 外延：雙極型傳統(tǒng)工藝在p襯底上進(jìn)行n型外延通過簡(jiǎn)單的p型雜質(zhì)隔離擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)雙極型集成電路元器件的隔離。

2、MOS電路:外延膜的主要應(yīng)用是作為雙極型晶體管的集電極。

外延膜在MOS集成電路中的較新應(yīng)用是利用重?fù)诫s外延減小閂鎖效應(yīng)（寄生閘流管效應(yīng)）。

8、分子束外延（MBE）的原理及其應(yīng)用

在超高真空下，熱分子束由噴射爐噴出，射到襯底表面，外延生長(zhǎng)出外延層。

9、二氧化硅膜的用途

表面鈍化：保護(hù)器件的表面及內(nèi)部，禁錮污染物。

摻雜阻擋層：作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜，雜質(zhì)在二氧化硅中的運(yùn)行速度低于在硅中的運(yùn)行速度。絕緣介質(zhì)：IC器件的隔離和多層布線的電隔離，MOSFET的柵電極，MOS電容的絕緣介質(zhì)。

10、二氧化硅膜的獲得方法 A：熱氧化工藝 B：化學(xué)氣相淀積工藝 C：濺射工藝 D：陽(yáng)極氧化工藝

11、熱氧化機(jī)制

① 線性階段，② 拋物線階段（生長(zhǎng)逐漸變慢，直至不可忍受）

影響氧化速率的因素有：氧化劑、晶向、摻雜類型和濃度、氧化劑的分壓。熱氧化生長(zhǎng)方法：

（1）干氧氧化：干燥氧氣，不能有水分；隨著氧化層的增厚，氧氣擴(kuò)散時(shí)間延長(zhǎng)，生長(zhǎng)速率減慢；適合較薄的氧化層的生長(zhǎng)。氧化劑擴(kuò)散到SiO2/Si界面與硅反應(yīng)。

（2）水汽氧化:氣泡發(fā)生器或氫氧合成氣源；原理：

（3）濕氧氧化：濕氧氧化的各種性能都是介于干氧氧化和水汽氧化之間，其掩蔽能力和氧化質(zhì)量都能夠滿足一般器件的要求。（4）摻氯氧化：薄的MOS柵極氧化要求非常潔凈的膜層，如果在氧化中加入氯，器件的性能和潔凈度都會(huì)得到改善。減

+弱二氧化硅中的移動(dòng)離子（主要是鈉離子）的沾污影響，固定Na離子；減少硅表面及氧化層的結(jié)構(gòu)缺陷

12、SiO2/Si界面特性： 熱氧化薄膜是由硅表面生長(zhǎng)得到的二氧化硅薄膜。高溫生長(zhǎng)工藝將使SiO2/Si界面雜質(zhì)發(fā)生再分布，與二氧化硅接觸的硅界面的電學(xué)特性也將發(fā)生變化。雜質(zhì)再分布：有三個(gè)因素： ① 分凝效應(yīng)② 擴(kuò)散速率 ③ 界面移動(dòng)

水汽氧化速率遠(yuǎn)大于干氧氧化速率，水汽氧化SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布就遠(yuǎn)小于干氧氧化；濕氧氧化速率介于水汽、干氧之間，SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布也介于水汽、干氧之間。二氧化硅層中存在著與制備工藝有關(guān)的正電荷，這種正電荷將引起SiO2/Si界面P-Si的反型層，以及MOS器件閾值電壓不穩(wěn)定等現(xiàn)象?？蓜?dòng)離子或可動(dòng)電荷

主要是Na、K、H等，這些離子在二氧化硅中都是網(wǎng)絡(luò)修正雜質(zhì)，為快擴(kuò)散雜質(zhì)。其中主要是Na。在人體與環(huán)境中大++++量存在Na，熱氧化時(shí)容易發(fā)生Na沾污。加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na沾污；也可采用摻氯氧化，固定Na離子。固定離子或固定電荷

主要是氧空位。一般認(rèn)為：固定電荷與界面一個(gè)很薄的（約30?）過渡區(qū)有關(guān)，過渡區(qū)有過剩的硅離子，過剩的硅在氧化過程中與晶格脫開，但未與氧完全反應(yīng)。干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。熱氧化時(shí)，首先采用干氧氧化方法可以減小這一現(xiàn)象。氧化后，高溫惰性氣體中退火也能降低固定電荷。

13、氧化膜厚度的檢測(cè)

劈尖干涉和雙光干涉：利用干涉條紋進(jìn)行測(cè)量，因?yàn)橐圃炫_(tái)階，所以為破壞性測(cè)量。

比色法：以一定角度觀察SiO2膜，SiO2膜呈現(xiàn)干涉色彩，顏色與厚度存在相應(yīng)關(guān)系。比色法方便迅速，但只是粗略估計(jì)。橢圓儀法：入射的橢圓偏振光經(jīng)氧化膜的多次反射和折射以后，得到了改變橢圓率的反射橢圓偏振光，其改變量和膜厚與折射率相關(guān)。高頻MOS結(jié)構(gòu)C-V法：測(cè)量金屬柵極的電容，利用公式測(cè)量氧化膜層的厚度。

14、化學(xué)氣相沉積定義

化學(xué)氣相淀積（Chemical Vapor Deposition）是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積薄膜的工藝方法。與之對(duì)應(yīng)的是：PVD（蒸發(fā)和濺射），它主要應(yīng)用于導(dǎo)體薄膜。

15、淀積技術(shù)包括哪兩種？CVD和PVD

16、LPCVD和APCVD的主要區(qū)別？LPCVD有何優(yōu)勢(shì)？

APCVD：原料以氣相方式被輸送到反應(yīng)器內(nèi)，原料氣體向襯底基片表面擴(kuò)散，被基片吸附，由于基片的溫度高或其它能量提供給原料氣體，使其發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)，生成物在基片表面形成薄膜，而生成物中的其它物質(zhì)是氣相物質(zhì)，擴(kuò)散到氣相中被帶走。LPCVD：低壓情況下，分子自由程較長(zhǎng)，薄膜電極的均勻性較高。LPCVD相對(duì)APCVD的特點(diǎn)：

增加了真空系統(tǒng)，氣壓在1-10Torr之間；壓下分子自由程長(zhǎng)，可以豎放基片；熱系統(tǒng)一般是電阻熱壁式。

17、PECVD的機(jī)理？PECVD有何優(yōu)勢(shì)？

優(yōu)勢(shì)：采用等離子體把電能耦合到氣體中，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行,由此淀積薄膜；因此該法可以在較低溫度下淀積薄膜。PECVD常常是低溫和低壓的結(jié)合。-2+++

+機(jī)理：反應(yīng)器的射頻功率使低壓氣體（真空度1-10Torr）產(chǎn)生非平衡輝光放電，雪崩電離激發(fā)出的高能電子通過碰撞激活氣體形成等離子體。襯底基片（具有一定溫度，約300℃）吸附活潑的中性原子團(tuán)與游離基即高能的等離子體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的薄膜物質(zhì)被襯底吸附、重排進(jìn)而形成淀積薄膜，襯底溫度越高形成的薄膜質(zhì)量越好。

18、多晶硅淀積和外延淀積的主要區(qū)別。淀積多晶硅薄膜的方法：主要采用LPCVD的方法。摻雜則采用：離子注入；化學(xué)氣相淀積；擴(kuò)散。多晶硅的淀積和外延淀積的主要區(qū)別：硅烷的使用

19、金屬薄膜的用途？金屬化的作用?

（1）在微電子器件與電路中金屬薄膜最重要的用途是作為內(nèi)電極（MOS柵極和電容器極板）和各元件之間的電連接。（2）在某些存儲(chǔ)電路中作為熔斷絲。

（3）用于晶圓的背面（通常是金），提高芯片和封裝材料的黏合力。

金屬化的作用：集成電路中金屬化的作用是將有源器件按設(shè)計(jì)的要求連接起來，形成一個(gè)完整的電路與系統(tǒng)。20、說明為什么鋁作為通常使用的金屬薄膜，說明銅作為新一代金屬薄膜的原因。鋁膜：用途: 大多數(shù)微電子器件或集成電路是采用鋁膜做金屬化材料

優(yōu)點(diǎn)：導(dǎo)電性較好；與p-Si，n-Si（>5*10）能形成良好的歐姆接觸；光刻性好；與二氧化硅黏合性好；易鍵合。缺點(diǎn)：抗電遷移性差；耐腐蝕性、穩(wěn)定性差 ；臺(tái)階覆蓋性較差。工藝：蒸發(fā)，濺射 銅膜：用途：新一代的金屬化材料，超大規(guī)模集成電路的內(nèi)連線；缺點(diǎn)：與硅的接觸電阻高，不能直接使用；銅在硅中是快擴(kuò)散雜質(zhì)，能使硅中毒，銅進(jìn)入硅內(nèi)改變器件性能；與硅、二氧化硅粘附性差。優(yōu)點(diǎn)：電阻率低（只有鋁的40-45%），導(dǎo)電性較好；抗電遷移性好于鋁兩個(gè)數(shù)量級(jí)； 工藝：濺射

21、VLSI對(duì)金屬化的要求是什么？

① 對(duì)n+硅和p+硅或多晶硅形成低阻歐姆接觸，即金屬/硅接觸電阻小 ② 能提供低電阻的互連引線，從而提高電路速度 ③ 抗電遷移性能要好

④ 與絕緣體（如二氧化硅）有良好的附著性 ⑤ 耐腐蝕 ⑥ 易于淀積和刻蝕

⑦ 易鍵合，且鍵合點(diǎn)能經(jīng)受長(zhǎng)期工作

⑧ 層與層之間絕緣要好，不互相滲透和擴(kuò)散，即要求有一個(gè)擴(kuò)散阻擋層

22、Al-Si接觸的常見問題及解決辦法？

Al和Si之間不能合成硅化物，但是可以形成合金。Al在Si中溶解度很小，但是相反Si在Al中溶解度很大，這樣就形成尖楔現(xiàn)象，從而使P-N結(jié)失效。解決尖楔問題： +（1）一般采用Al-Si合金代替Al作為Al/Si的接觸和互連材料。但是又引入了硅的分凝問題。

（2）由于銅的抗電遷移性好，鋁-銅（0.5-4%）或鋁-鈦（0.1-0.5%）合金結(jié)構(gòu)防止電遷移，結(jié)合Al-Si合金，在實(shí)際應(yīng)用中人們經(jīng)常使用既含有銅又含有硅的Al-Si-Cu合金以防止合金化（即共熔）問題和電遷移問題。（3）（4）Al-摻雜多晶硅雙層金屬化結(jié)構(gòu)：在多晶硅中摻雜重磷或重砷，構(gòu)成摻雜多晶的結(jié)構(gòu)。鋁-隔離層結(jié)構(gòu)：在Al-Si之間沉積一層薄的金屬層，替代磷摻雜多晶硅，成為阻擋層。

23、說明難熔金屬在金屬連線中的作用？

難熔金屬及其硅化物有較低的電阻率和接觸電阻。難熔金屬的一個(gè)廣泛應(yīng)用是在多層金屬結(jié)構(gòu)中填充連接孔，這個(gè)工序叫作過孔填充，填補(bǔ)好的過孔叫做接線柱。

24、金屬化的實(shí)現(xiàn)方法有幾種？請(qǐng)論述真空濺射方法 金屬化的實(shí)現(xiàn)主要通過兩種方式來實(shí)現(xiàn)： ① 物理淀積

A：真空蒸發(fā)淀積（較早，金屬鋁線）

B：真空濺射淀積（Al-Si合金或Al-Si-Cu合金）2LPCVD（難熔金屬）○真空蒸發(fā)淀積 ：被蒸物質(zhì)從凝聚相轉(zhuǎn)化為氣相；氣相物質(zhì)在真空系統(tǒng)中的輸運(yùn)；氣相分子在襯底上淀積和生長(zhǎng)。分為電阻、電子束等蒸發(fā)沉積。真空濺射沉積：濺射淀積是用核能離子轟擊靶材，使靶材原子從靶表面逸出，淀積在襯底材料上的過程。

25、說明金屬CVD的優(yōu)勢(shì)和主要用途。金屬CVD ： LPCVD可以應(yīng)用于制作金屬薄膜。

優(yōu)勢(shì)：不需要昂貴的高真空泵；臺(tái)階覆蓋性好；生產(chǎn)效率較高。用途：難控制金屬；難熔金屬，主要是鎢。

26、什么叫做光刻，光刻有何目的？

光刻是圖形復(fù)印與腐蝕作用相結(jié)合，在晶片表面薄膜上制備圖形的精密表面工藝技術(shù)。

光刻的目的就是：在介質(zhì)薄膜、金屬薄膜或金屬合金薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。

27、光刻技術(shù)的圖形轉(zhuǎn)移分為哪兩個(gè)階段？ 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層；圖形從光刻膠層轉(zhuǎn)移到晶圓層

28、列出光刻工藝的十個(gè)步驟，并簡(jiǎn)述每一步的目的。表面準(zhǔn)備：微粒清除，保持襯底的憎水性。

涂光刻膠：與襯底薄膜粘附性好，膠膜均勻，是光刻工藝的核心材料。

前烘：使膠膜體內(nèi)的溶劑充分揮發(fā)使膠膜干燥；增加膠膜和襯底的粘附性以及膠膜的耐磨性 對(duì)準(zhǔn)和曝光：把所需圖形在晶圓表面上定位或?qū)?zhǔn)；通過曝光燈或其他輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上

后烘：減少駐波效應(yīng)，激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。顯影：將掩膜板上的圖形顯示在光刻膠上。

堅(jiān)膜：除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對(duì)襯底的附著力。

刻蝕：把顯影后的光刻膠微圖形下層材料的裸露部分去掉，將光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到下層材料上去的工藝叫作刻蝕。去膠：刻蝕完成以后將光刻膠去除掉。

29、光刻膠的分類，談?wù)務(wù)z和負(fù)膠的區(qū)別。

正膠：膠的曝光區(qū)在顯影中除去。正膠曝光時(shí)發(fā)生光分解反應(yīng)變成可溶的。使用這種光刻膠時(shí)，能夠得到與掩膜版遮光圖案相同的圖形，故稱之為正膠。負(fù)膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，用的較多。具體說來負(fù)膠在曝光前對(duì)某些有機(jī)溶劑是可溶的，而曝光后發(fā)生光聚合反應(yīng)變成不可溶的。使用這種光刻膠時(shí)，能夠得到與掩膜版遮光圖案相反的圖形，故稱之為負(fù)膠。30、刻蝕的方法分類，刻蝕常見有哪些問題？ 分類：刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

濕法刻蝕：化學(xué)腐蝕，在腐蝕液中通過化學(xué)反應(yīng)去除窗口薄膜，得到薄膜圖形。優(yōu)點(diǎn)：工藝簡(jiǎn)單，無需復(fù)雜設(shè)備，選擇比高；均勻性好。缺點(diǎn)：各向同性腐蝕；分辨率低，自動(dòng)化難。干法刻蝕：使用氣體和等離子體能量來進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)工藝。

常見問題：不完全刻蝕、刻蝕和底切、各向同性刻蝕。優(yōu)點(diǎn)：刻蝕非常有方向性（各向異性），導(dǎo)致良好的小開口區(qū)域的精密度。缺點(diǎn)：選擇性差。

31、摻雜技術(shù)實(shí)現(xiàn)的兩種方式以及摻雜的目的 方式：擴(kuò)散和離子注入

目的：在晶圓表面下的特定位置處形成PN結(jié)；在晶圓表面下得到所需的摻雜濃度。

32、擴(kuò)散的基本原理、離子注入的基本原理及其比較

微電子工藝中的擴(kuò)散是雜質(zhì)在晶體內(nèi)的擴(kuò)散，因此是一種固相擴(kuò)散。晶體內(nèi)擴(kuò)散有多種形式：填隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散、填隙-替位式擴(kuò)散。離子注入技術(shù)：離子注入是將含所需雜質(zhì)的化合物分子（如BCl3、BF3）電離為雜質(zhì)離子后，聚集成束用強(qiáng)電場(chǎng)加速，使其成為高能離子束，直接轟擊半導(dǎo)體材料，當(dāng)離子進(jìn)入其中時(shí)，受半導(dǎo)體材料原子阻擋，而停留在其中，成為半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)。離子注入時(shí)可采用熱退火工藝，修復(fù)晶格損傷，注入雜質(zhì)電激活。離子注入技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：① 離子注入克服熱擴(kuò)散的幾個(gè)問題：

A 橫向擴(kuò)散，沒有側(cè)向擴(kuò)散 B 淺結(jié)

C 粗略的摻雜控制 D 表面污染的阻礙 ② 離子注入引入的額外的優(yōu)勢(shì)：

A 在接近常溫下進(jìn)行 B 使寬范圍濃度的摻雜成為可能

33、集成電路的形成

集成電路的制造工藝與分立器件的制造工藝一樣都是在硅平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，有很多相同之處，同時(shí)又有所不同。相同點(diǎn)：?jiǎn)雾?xiàng)工藝相同的方法外延，氧化，光刻，擴(kuò)散，離子注入，淀積等。不同點(diǎn)：主要有電隔離，電連接，局部氧化，平整化以及吸雜等。

電隔離：

（1）PN結(jié)隔離：雙極型集成電路多采用PN結(jié)隔離，是在硅片襯底上通過擴(kuò)散與外延等工藝制作出隔離島，元件就做在隔離島上。（2）介質(zhì)隔離：SOS集成電路（Silicon on Sapphire）是最早的介質(zhì)隔離薄膜電路，新材料SOI（Silicon on Insulator）有很大發(fā)展，SOI集成電路也是采用介質(zhì)隔離工藝的電路。

電連接：集成電路各元件之間構(gòu)成電路必須進(jìn)行電連接，這多是采用淀積金屬薄膜，經(jīng)光刻工藝形成電連接圖形，電路復(fù)雜的集成電路一般是多層金屬布線，構(gòu)成電連接。局部氧化：分離器件的氧化工藝是在整個(gè)硅片表面制備二氧化硅薄膜，而集成電路工藝中的氧化有時(shí)是在局部進(jìn)行，如MOS型電路中以氮化硅作為掩蔽膜的局部氧化技術(shù)。平整化：超大規(guī)模集成電路的制備經(jīng)過多次光刻、氧化等工藝，使得硅片表面不平整，臺(tái)階高，這樣在進(jìn)行電連接時(shí)，臺(tái)階處的金屬薄膜連線易斷裂，因此，有時(shí)通過平面化技術(shù)來解決這一問題，如在金屬布線進(jìn)行電連接之前，采用在硅片表面涂附聚酰亞胺膜的方法達(dá)到平面化的工藝技術(shù)。

吸雜：硅單晶本身的缺欠以及電路制備工藝中的誘生缺欠，對(duì)電路性能影響很大，有源元件附近的缺欠，通過吸雜技術(shù)可以消除或減少缺欠，如通過在硅片背面造成機(jī)械損傷，噴沙或研磨，這種背損傷可以吸收雜質(zhì)與缺欠。

34、封裝的工藝流程

底部準(zhǔn)備：底部準(zhǔn)備通常包括磨薄和鍍金。劃片：用劃片法或鋸片法將晶片分離成單個(gè)芯片

取片和承載：在挑選機(jī)上選出良品芯片，放于承載托盤中。

粘片：用金硅熔點(diǎn)技術(shù)或銀漿粘貼材料粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域。

打線：A：芯片上的打線點(diǎn)與封裝體引腳的內(nèi)部端點(diǎn)之間用很細(xì)的線連接起來（線壓焊）；B：在芯片的打線點(diǎn)上安裝半球型的金屬突起物（反面球形壓焊）；C：TAB壓焊技術(shù)； 封裝前檢查 有無污染物；芯片粘貼質(zhì)量；金屬連接點(diǎn)的好壞 電鍍、切割筋成和印字 最終測(cè)試

35、封裝設(shè)計(jì)

金屬罐法；雙列直插封裝；雙列直插封裝；針形柵格陣列封裝 球形柵格陣列封裝；薄形封裝；四面引腳封裝 ；板上芯片（COB）

第三篇：數(shù)控加工工藝一人總結(jié)

為期一周的課程設(shè)計(jì)即將結(jié)束了。在這七天的學(xué)習(xí)中，我學(xué)到了很多，也找到了自己身上的不足。感受良多，獲益匪淺。

我們這次所做的課程設(shè)計(jì)是由六個(gè)可選的大題目中選出的一個(gè)，該零件屬于軸類零件，由圓柱面、順逆圓弧面和螺紋等幾部分組成，是數(shù)控加工可選擇的內(nèi)容。在數(shù)控加工工藝課程設(shè)計(jì)指導(dǎo)書對(duì)加工內(nèi)容的選擇做了要求，其中適宜內(nèi)容為：普通機(jī)床無法加工的內(nèi)容宜作為優(yōu)選內(nèi)容；普通機(jī)床難加工、質(zhì)量難以保證的內(nèi)容作為重點(diǎn)選擇內(nèi)容；普通機(jī)床加工效率低、工人勞動(dòng)強(qiáng)度大，在數(shù)控機(jī)床還有加工能力充裕時(shí)進(jìn)行選擇。我們小組針對(duì)適宜內(nèi)容中所說的一二兩條，再根據(jù)自身的情況選擇了第一個(gè)零件圖來進(jìn)行課程設(shè)計(jì)。

因?yàn)槲覀冃〗M所選擇的第一個(gè)圖形未做特殊的表面粗糙度要求，而一般零件取表面精度為七級(jí)精度，所以我們決定使用中等精度數(shù)控CAK6140機(jī)床即可保證零件的加工要求。毛壞的選擇也很重要，零件村料的工藝特性和力學(xué)性能大致決定了毛坯的種類。零件的結(jié)構(gòu)形狀與外形尺寸也是重要因素。大型且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的零件毛坯多用砂型鑄造或自由鍛；軸類零件的毛坯，若臺(tái)階直徑相差不大，可用棒料；若各臺(tái)階尺寸相差較大，則宜選擇鍛件。但是根據(jù)我們現(xiàn)在的實(shí)際情況是做課程設(shè)計(jì)及現(xiàn)在的我們自身所具備的條件（因

為能否上數(shù)控機(jī)車實(shí)驗(yàn)尚未可知），且為符合加工要求，毛坯熱扎45#鋼是最好的選擇。數(shù)控加工前先在普床上完成外圓的準(zhǔn)備加工：先使之獲得的外圓。接下來就是確定基準(zhǔn)與夾具了。因?yàn)閿?shù)控加工對(duì)所選用的夾具有兩個(gè)基本要求：一是保證其主要定位方向與機(jī)床的坐標(biāo)方向相對(duì)固定；二是要便于協(xié)調(diào)零件與坐標(biāo)系的尺寸對(duì)應(yīng)關(guān)系。工件的裝卸也要快速、方便、可靠，這幾點(diǎn)跟普通車床也是基本一樣的，不過數(shù)控車床是為了減少停機(jī)時(shí)間。所以我們加工這個(gè)輪盤類外輪廓時(shí)，為保證一次安裝加工出全部外輪廓，需設(shè)一圓錐心軸裝置，用三爪卡盤夾持心軸左端，心軸右端留有中心孔并用尾座頂尖頂緊以提高工藝系統(tǒng)的剛性。

由于數(shù)控機(jī)床具有孔加工固定循環(huán)功能，使得孔加工動(dòng)作比較容易實(shí)現(xiàn)。因此，確定孔加工路線時(shí)重點(diǎn)要考慮孔定位的問題。確定進(jìn)給路線的原則是，應(yīng)能保證零件的加工精主和表面粗糙度要求，應(yīng)使走刀路線最短，減少刀具空行程時(shí)間，還應(yīng)充分考慮所確定的工步順序，安排進(jìn)給路線。零件加工路線原則是由粗到精,由內(nèi)到外，基面先行的加工原則。在一次裝夾中盡可能加工出較多的工件表面。結(jié)合本零件的結(jié)構(gòu)特征，可先加工內(nèi)孔各表面，然后加工外輪廓。而CAK6140車床具有粗車循環(huán)及螺紋循環(huán)的自動(dòng)加工功能，加工時(shí)能按程序去自動(dòng)完成循環(huán)。

在編寫程序中一些基本的指令代碼是不可或缺的。數(shù)控程序所用的代碼，主要有準(zhǔn)備功能G代碼、輔助功能代碼、進(jìn)給功能F代碼、主軸速度功能S代碼和刀具功能T代碼。因?yàn)楸敬芜x來做課程設(shè)計(jì)的這個(gè)零件在數(shù)控機(jī)床上加工是分兩次裝夾的，所以程序的編寫在兩端時(shí)也是不一樣的，不是用單純的循環(huán)指令。

在本次設(shè)計(jì)中，個(gè)人認(rèn)為在數(shù)控工藝設(shè)計(jì)的過程中，對(duì)工藝措施的選擇與加工路線制定還是比較成功的，但還存在的未解決的問題:，如設(shè)計(jì)進(jìn)度與質(zhì)量不能達(dá)到較好的水平、設(shè)計(jì)方法不是很如人意、沒有一個(gè)學(xué)習(xí)這門課很系統(tǒng)的人來指導(dǎo)。

這次課程設(shè)計(jì)讓我們對(duì)以往學(xué)習(xí)過的知識(shí)進(jìn)行了再學(xué)習(xí)和鞏固。其中涉及到多門專業(yè)課。如《機(jī)械制造》、《數(shù)控工藝》、《數(shù)控編程》等。通過這次課程設(shè)計(jì)我們真正學(xué)會(huì)了自主學(xué)習(xí)，獨(dú)立完成作業(yè)，如何學(xué)會(huì)與自己的團(tuán)隊(duì)做好協(xié)調(diào)。因?yàn)檎n程設(shè)計(jì)具有實(shí)踐性、綜合性、探索性、應(yīng)用性等特點(diǎn)。本次選題的目的是數(shù)控專業(yè)教學(xué)體系中構(gòu)成數(shù)控技術(shù)專業(yè)知識(shí)及專業(yè)技能的重要組成部分，是運(yùn)用數(shù)控機(jī)床實(shí)際操 作的一次綜合練習(xí)。隨著課程設(shè)計(jì)的逐漸完成，使我對(duì)《數(shù)控加工工藝與裝備》這門課程以及對(duì)數(shù)控加工技術(shù)都有了更深入的理解和掌握。在這段時(shí)間里，我們這個(gè)小組，就是新

建的團(tuán)隊(duì)，每個(gè)人都是一樣，盡著自己最大的努力學(xué)習(xí)，來學(xué)習(xí)和創(chuàng)新。為了解決技術(shù)上的問題，我也不斷地去翻閱所學(xué)的專業(yè)書籍和各種相關(guān)的資料。這使我真正體會(huì)到了很多，也感受到了很多，當(dāng)然更重要的是學(xué)習(xí)到了以前書本上沒學(xué)到的知識(shí)。

通過這次課程設(shè)計(jì),我覺得自己要對(duì)刀具的切削用量等方面的計(jì)算多下功夫?qū)W習(xí),這些方面的知識(shí)對(duì)我們以前從事的專業(yè)工作都有很大用處。這次課程設(shè)計(jì)讓我們?cè)谠O(shè)計(jì)工藝規(guī)程和編寫加工程序的時(shí)候大腦中形成了一種可以快速反應(yīng)的模式，我想這也是一種收獲，是在對(duì)我們一周在課設(shè)上所花時(shí)間的回報(bào)。因?yàn)檫@種模式將讓我更好地學(xué)習(xí)以后的課程，將其他專業(yè)課程系統(tǒng)的組合在一起。

在這次課程設(shè)計(jì)中，對(duì)加工程序的編寫是最讓人感到棘手的，因?yàn)閷?duì)數(shù)控加工程序指令不是很熟悉，在編寫上也費(fèi)了不少的功夫，雖然編寫程序這一塊占用了整個(gè)時(shí)間的相當(dāng)一部分，但我依然感到欣慰，因?yàn)楝F(xiàn)在的我已經(jīng)基本上掌握了基本程序的編寫，而且對(duì)一些特殊指令也可以應(yīng)用到實(shí)例中了。我想如要加快編程速度，除了對(duì)各編程指令的熟練掌握之外，還需要我們掌握零件工藝方面的知識(shí)。對(duì)于夾具的選擇、切削參數(shù)的設(shè)定我們必須要十分清楚。在以后的上機(jī)操作時(shí)，我們只有不斷地練習(xí)各個(gè)功能指令的作用，才能在編程時(shí)得心應(yīng)手。

這次數(shù)控加工工藝課程設(shè)計(jì)的指導(dǎo)書是由我們的工藝?yán)蠋?，是由我們?shù)控原理劉老師執(zhí)筆的，無疑指導(dǎo)書在我們這次設(shè)計(jì)中起了很大的作用，它指導(dǎo)我們按什么的步驟去完成這個(gè)設(shè)計(jì)。其實(shí)在對(duì)指導(dǎo)書的閱讀過程中也是一種學(xué)習(xí)，一些關(guān)于加工工藝上的問題和所要注意的事項(xiàng)，使我們大家在做課程設(shè)計(jì)時(shí)思路更加清晰，不會(huì)走太多彎路。

通過這次課程設(shè)計(jì)，我的第一感受就是團(tuán)隊(duì)精神的重要性。當(dāng)?shù)谝惶扉_始課程設(shè)計(jì)要分組的時(shí)候，老師就給我們大家心里埋下了一股高昂的基調(diào)。在這讓人覺得枯燥又充實(shí)的幾天中，我們大家都按照自己所分工所要做的事性在埋頭苦干，給人的感覺好像將面臨考試時(shí)候，讓人心潮澎湃，激情更加高漲。

寫完這篇總結(jié)后，我知道了在制造工件時(shí)我們需要注意的東西非常多，制作一個(gè)工件要到圖紙上的要求時(shí)，我們必須在從拿到圖紙時(shí)就注意制作工件時(shí)的各個(gè)部分，例如圖紙的分析，毛坯的選擇，程序的編制，切削速度的設(shè)定，切削量的給定……而且我知道了要注意一個(gè)工件的工藝必須有清晰的思路，必須從頭到尾都考慮到。以往做一件事情的時(shí)候，個(gè)人可能都會(huì)有精神分散的情況，而當(dāng)一個(gè)人真正面對(duì)一件難做而又不得不做的事情時(shí)，覺得拿下它就是一種勝利，這是對(duì)自己的一種最起碼的要求，精神集中也是對(duì)你在做的一件事情負(fù)責(zé)，對(duì)自己負(fù)責(zé)。這是我們?cè)谝院蟮墓ぷ髦校瑧?yīng)該具備的一種本質(zhì)，現(xiàn)在學(xué)會(huì)或者說是養(yǎng)成是非常有必要的。不管怎么說，這次課設(shè)是帶給了我很大的收獲的，在即將臨近畢業(yè)的時(shí)候，我想我會(huì)繼續(xù)以高昴的心態(tài)去面對(duì)將要走上的社會(huì)中的工作崗位帶給我的無限挑戰(zhàn)。

第四篇：01材料加工工藝

《材料加工工藝》課程教學(xué)大綱

一、課程基本信息

課程編號(hào)：13106106

課程類別：專業(yè)核心課程

適應(yīng)專業(yè)：材料科學(xué)與工程

總學(xué)時(shí)：64

總學(xué)分:3

課程簡(jiǎn)介：本門課程是材料加工工程學(xué)科的主要專業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)課，是研究金屬和非金屬工程材料成形工藝的技術(shù)基礎(chǔ)課。尤其在培養(yǎng)學(xué)生的工程意識(shí)、創(chuàng)新思想、運(yùn)用規(guī)范的工程語言和解決工程實(shí)際問題的能力方面，具有其他課程不能替代的重要作用。

授課教材：《材料成形工藝基礎(chǔ)》，翟封祥 尹志華編，哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社，2002年。參考書目：

[1]《材料成形技術(shù)基礎(chǔ)》，陳金德 邢建東編，機(jī)械工業(yè)出版社，2000年。

[2]《工程材料與材料成形工藝》，王紀(jì)安主編，高等教育出版社，2000年。

二、課程教育目標(biāo)

通過教學(xué)使學(xué)生掌握金屬液態(tài)成形加工工藝，包括液態(tài)成形理論基礎(chǔ)、了解常用鑄造合金、掌握成形方法及其發(fā)展、工藝設(shè)計(jì)；了解金屬的塑性成形加工工藝，自由鍛與胎模鍛、掌握模鍛、鍛件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、軋制、擠壓與拉拔、板料沖壓和了解金屬塑性成形新技術(shù)；掌握非金屬材料的成形加工工藝，工程塑料及橡膠成形工藝與工程陶瓷及復(fù)合材料的成形工藝；了解熱噴涂與氣相沉積技術(shù)；了解材料成形方法的選擇，掌握工程材料的選擇與材料成形方法的選擇。

三、教學(xué)內(nèi)容與要求

1．金屬液態(tài)成形加工工藝

教學(xué)重點(diǎn)：液態(tài)成形理論基礎(chǔ).教學(xué)難點(diǎn)：液態(tài)成形理論基礎(chǔ)；鑄件結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計(jì).教學(xué)時(shí)數(shù)：20學(xué)時(shí)

教學(xué)內(nèi)容：包括液態(tài)成形理論基礎(chǔ)、常用鑄造合金、成形方法及其發(fā)展、工藝設(shè)計(jì)。教學(xué)方式：課堂講授

教學(xué)要求：（1）掌握金屬液態(tài)成形加工工藝，包括液態(tài)成形理論基礎(chǔ)；

（2）了解常用鑄造合金；

（3）掌握成形方法及其發(fā)展、工藝設(shè)計(jì)。

2.金屬的塑性成形加工工藝

教學(xué)重點(diǎn)：金屬塑性變形的實(shí)質(zhì)；金屬塑性變形后的組織和性能.教學(xué)難點(diǎn)：金屬塑性變形的實(shí)質(zhì)；金屬塑性變形后的組織和性能；板料沖壓.教學(xué)時(shí)數(shù)：20學(xué)時(shí)

教學(xué)內(nèi)容：自由鍛與胎模鍛、模鍛、鍛件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、軋制、擠壓與拉拔、板料沖壓和金屬塑性成形新技術(shù)。

教學(xué)方式：課堂講授

教學(xué)要求：（1）了解金屬的塑性成形加工工藝，自由鍛與胎模鍛；

（2）掌握模鍛、鍛件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、軋制、擠壓與拉拔、板料沖壓；

（3）了解金屬塑性成形新技術(shù)

3.非金屬材料的成形加工工藝

教學(xué)重點(diǎn)：工程塑料及橡膠成形工藝；工程陶瓷及復(fù)合材料的成形工藝.教學(xué)難點(diǎn)：工程塑料及橡膠成形工藝；工程陶瓷及復(fù)合材料的成形工藝.教學(xué)時(shí)數(shù)：14學(xué)時(shí)

教學(xué)內(nèi)容：工程塑料及橡膠成形工藝與工程陶瓷及復(fù)合材料的成形工藝。

教學(xué)方式：課堂講授

教學(xué)要求：（1）掌握工程塑料及橡膠成形工藝；

（2）掌握工程陶瓷及復(fù)合材料的成形工藝。

4.熱噴涂與氣相沉積技術(shù)

教學(xué)重點(diǎn)：熱噴涂技術(shù)、氣相沉積技術(shù).教學(xué)難點(diǎn)：熱噴涂技術(shù)、氣相沉積技術(shù).教學(xué)時(shí)數(shù)：4學(xué)時(shí)

教學(xué)內(nèi)容：熱噴涂技術(shù)、氣相沉積技術(shù)。

教學(xué)方式：課堂講授

教學(xué)要求：了解熱噴涂與氣相沉積技術(shù)。

5.材料成形方法的選擇

教學(xué)重點(diǎn)：工程材料的選擇、材料成形方法的選擇.教學(xué)難點(diǎn)：工程材料的選擇、材料成形方法的選擇.教學(xué)時(shí)數(shù)：6學(xué)時(shí)

教學(xué)內(nèi)容：工程材料的選擇、材料成形方法的選擇。

教學(xué)方式：課堂講授

教學(xué)要求：（1）了解材料成形方法的選擇；

（2）掌握工程材料的選擇與材料成形方法的選擇.四、作業(yè)

該課程原則上每次課都布置作業(yè)，除了教材中的習(xí)題，也可以補(bǔ)充一些典型習(xí)題。

五、考核方式與成績(jī)?cè)u(píng)定

考核方式：考試

成績(jī)?cè)u(píng)定：總評(píng)成績(jī)＝平時(shí)成績(jī)（30%）+期末考試（70%），其中平時(shí)成績(jī)是平時(shí)作業(yè)與出勤情況，視具體情況而定。

執(zhí)筆人：

責(zé)任人：

2013年8月

第五篇：編織袋及其加工工藝（推薦）

塑料編織袋是以聚丙烯（PP）為主要原料，經(jīng)過擠出、拉絲，再經(jīng)織造、編織、制袋而成。PP是一種半透明、半晶體的熱塑性塑料，具有高強(qiáng)度、絕緣性好、吸水率低、熱就形溫度高、密度小、結(jié)晶度高等特點(diǎn)，是制成編織袋的主要原料。改性填充物通常有玻璃纖維、礦物填料、熱塑性橡膠等。塑料編織袋的使用范圍很廣。就目前來說，塑料編織袋的主要用于農(nóng)產(chǎn)品包裝、水泥袋包裝、食品包裝、巖土工程、旅游運(yùn)輸、抗洪物資等。編織袋主要有塑料編織袋（無復(fù)膜編織袋）、復(fù)合塑料編織袋以及各種編織布等三類。塑料編織袋的生產(chǎn)工藝流程是:編織布通過印刷，切割，縫制，成為編織袋。依據(jù)所用的設(shè)備不同，可先切割后印刷，也可先印刷后切割。自動(dòng)切割縫紉可連續(xù)完成印刷，切割，縫紉等工序，也可制成閥口袋，放底袋等，對(duì)于平織布可進(jìn)行中縫粘合后制袋。

復(fù)合塑料編織袋的生產(chǎn)工藝流程是將編織布,涂復(fù)料和紙或膜，進(jìn)行復(fù)合或涂復(fù)。得到的筒布或片布，筒布可以進(jìn)行切割、印刷、縫合、制成普通的縫底袋，也可以打孔、折邊、切割、印刷、縫合，制成水泥袋，得到的片布，可以中縫粘合，印刷，切割，糊底，制成糊底袋。也可以焊接，卷取，制成篷布、土工布。平織布可以涂復(fù)或不涂復(fù)生產(chǎn)篷布，土工布等，圓筒布也可以破幅后涂復(fù)或是不涂復(fù)生產(chǎn)篷布或是土工布等

扁絲生產(chǎn)工藝技術(shù)指標(biāo)主要分四類：

⑴..物化改性指標(biāo)。主要有共混改性、混配比、功能助劑添加比、廢舊再生料摻混比；

⑵.物性流變指標(biāo)。主要有牽伸比、吹脹比、牽伸比、回縮比； ⑶.機(jī)械性能指標(biāo)。主要有拉斷力、相對(duì)拉斷力、斷裂伸長(zhǎng)率、線速度、線密度偏差；

⑷.公差尺寸指標(biāo)。主要有扁絲厚、扁絲寬等

內(nèi)襯袋工藝 聚乙烯物料經(jīng)擠出機(jī)加熱，熔融塑化穩(wěn)定擠出；通過機(jī)頭擠出成圓筒型薄膜；通入壓縮氣吹脹，形成管泡；由冷卻風(fēng)環(huán)冷卻定型，牽引入人字夾板折合；經(jīng)牽引輥、傳動(dòng)輥至收卷輥；最后進(jìn)行切割、熱合工序完成內(nèi)襯袋的生產(chǎn)，最后進(jìn)行套袋。生產(chǎn)扁絲用純聚丙烯是不能滿足要求的，還必須加入一定比例的高壓聚乙烯、碳酸鈣和色母料等。加入少量的高壓聚乙烯，可以降低擠出過程中料流的黏度和熔化速度，流動(dòng)性增加，改善扁絲和編織袋的韌性、柔軟性，保持一定的斷裂伸長(zhǎng)率，使之改善聚丙烯的低溫沖擊性。

接枝聚丙烯加入，可以降低加工溫度、壓力。提高材料的流動(dòng)和粘接性，更可以提高拉伸強(qiáng)度。碳酸鈣的加入，可以改變透明、不透光的缺陷，在減少在拉伸、編織過程中因摩擦產(chǎn)生的有害靜電，增加印刷商標(biāo)圖案的油墨附著力，降低成品在存放過程中的自然收縮和降低成本。