第一篇：模電設(shè)計(jì)論文

一、.設(shè)計(jì)方案：

音頻功率放大器要求：

輸入信號(hào)為50mv，50~15KHz的音頻信號(hào)，負(fù)載為8Ω揚(yáng)聲器的情況下，輸出Pom≥5W。

本方案分兩級(jí)設(shè)計(jì)，第一級(jí)采用集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的比例放大器做為激勵(lì)，主要完成對(duì)小信號(hào)的放大。要求放大倍數(shù)大，輸出阻抗低，頻帶寬度寬，噪音低。第二級(jí)采用雙電源的OCL電路做為功放輸出級(jí)，功率放大器決定了整機(jī)的輸出功率、非線性失真系數(shù)等指標(biāo)，要求效率高、失真盡可能小、輸出功率大。

二、.各部分電路分析：

1、電源部分

由于設(shè)計(jì)要求Pom為(VCC?UCES)

2om?5W，根據(jù)P2RL（其中RL

為8Ω，UCES一般取3V以上），所以有：

即VCC?12V

本方案選用了±15V的VCC電壓。

2．功放部分：

由兩部分構(gòu)成，前級(jí)采用集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的比例放大電路，對(duì)輸入的信號(hào)進(jìn)行電壓放大，輸出級(jí)采用OCL互補(bǔ)輸出結(jié)構(gòu)的功率放大電路，對(duì)經(jīng)過(guò)前級(jí)放大的信號(hào)進(jìn)行功率放大。

晶體管Q1～Q4組成復(fù)合式晶體管互補(bǔ)對(duì)稱電路。Q1、Q2為相同類型的NPN管，組成復(fù)合式的NPN管；Q3、Q4為不同類型的晶體管，組成復(fù)合式的PNP管，用于多級(jí)放大。

1.對(duì)于集成運(yùn)放電壓放大倍數(shù)的選?。?/p>

放大倍數(shù)決定于R9、R10和R11的選取。由公式 VCC?UCES?2Pom?RL

A?1?(R11?R10)R9

決定。

mV，其放輸入為有效值為50mV的信號(hào)，其峰-峰值為22?50mV?1

41大后的峰-峰值不能超過(guò)正負(fù)電壓差值，即： V，22?50mV?Au?30

所以，放大倍數(shù)不得大于213。

Urms輸出功率要不小于5W，因?yàn)閃?，所以 8RL

2UOPP?RLW?22?17.9V 決定了運(yùn)放的輸出電壓需不小于17.9V

22?50mV?127

接入電位器R11以便于對(duì)放大倍數(shù)進(jìn)行適當(dāng)?shù)奈⒄{(diào)，電路中放大倍數(shù)的調(diào)節(jié)68K68K?200K范圍為（1?，1?），即69≤Au≤269。1K1K

選取集成運(yùn)放時(shí)，GBW需不小于Au??f?127?15k?2MHz

本方案選用NE5534，其GBW為10MHz，足以滿足要求。

2.OCL兩功率管的選?。?/p>

功率放大管的選擇決定于管子的極間反向擊穿電壓，集電極最大電流與集電極最大功耗。

1)極間反向擊穿電壓UCBO=2VCC=30V。

2)集電極最大電流ICmax?IEmax(VCC?UCES)?，考慮留有一定余地，RL

VCCI?一般取CmaxL，即所選功放管ICmax應(yīng)大于1.5A。

3)集電極最大耗散功率PCM?

因此選擇的功放管應(yīng)滿足：

1.UCBO>30V；

2.ICM>1.5A；

3.PCM>1W； 2Pom2?0.2Pom?1W

本方案選用TIP41C，它的UCBO=100V，ICM=6A，PCM=65W。足已滿足要求。采用復(fù)合管可以保證一定的放大倍數(shù)更重要的是可以使用兩個(gè)相同的功放管，以使兩管參數(shù)更為一致。

3.用于消除交越失真的偏置電路：

R1、R15、R5和二極管D1、D2組成的支路是兩對(duì)符合管的偏置電路，用于消除交越失真，設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)，使兩個(gè)晶體管均工作在臨界導(dǎo)通狀態(tài)或微導(dǎo)通狀態(tài)。UAB＝URp3＋UD1＋UD2，各大于Q1、Q3發(fā)射結(jié)開(kāi)啟電壓之和，有微小電

流通過(guò)，靜態(tài)調(diào)節(jié)R5，使

UR6?IE1R6??IBR6?0.7V（1）

Q2也臨界導(dǎo)通。由于IE1?IE2，R6?R12，所以Q4也臨界導(dǎo)通。Q1、Q3Q4提供激勵(lì)電流，為Q2、這個(gè)電流不需要太大，Q1、Q3只需一般的8050和8850就可以了。但這對(duì)管的?值一定要接近。本人選到一對(duì)?都等于234的管。本方案試取R6、R12=220Ω。根據(jù)（1）式可得IB1?IB2?0.136mA。因?yàn)榱鬟^(guò)二極管D1、D2的電流遠(yuǎn)大于IB1、IB2，可認(rèn)為大一個(gè)數(shù)量級(jí)，即ID1?ID2?10IB1?1.36mA。由此可確定R1?R15?R5?2VCC?UD1?UD2。ID

1UD2取決于二極管的材質(zhì)，其中UD1、硅管為0.7V，鍺管為0.2V。這里要與8050

和8550的材質(zhì)一樣，才能做靜態(tài)偏置電壓。而8050和8550都是硅管，所以二極管選用硅管N4148。這樣可計(jì)算出R1?R15?R5?21K。其中R5用于調(diào)整復(fù)合管的微導(dǎo)通狀態(tài)，調(diào)節(jié)范圍不需太大，幾百歐或1KΩ的電位器，由此可確定R1?R15?10K。焊接電路應(yīng)使R5＝0，在調(diào)整輸出級(jí)靜態(tài)工作電流或輸出波形的交越失真時(shí)再逐漸增大阻值。

Rp1控制音量調(diào)節(jié)取47KΩ，以保證功放的輸入阻抗大于前級(jí)的輸出阻抗；因?yàn)閁i＝0時(shí)要求Uo≈0，所以Rp1須接地。

R2、R7用于減小復(fù)合管的穿透電流，提高電路的穩(wěn)定性，一般為幾十至幾百歐。本方案取100Ω。R8、R13為負(fù)反饋電阻，可改善功放的性能，并能觀測(cè)功放管的靜態(tài)電流，但不宜太大。一般為幾歐。本方案取0.5Ω。因?yàn)槟┘?jí)電流較大，所以此電阻應(yīng)用大功率水泥電阻。

電容C1起隔直作用，只有很小時(shí)，在交流通路中才可視為短路，所以取值：C1＝10μF。

實(shí)驗(yàn)證明，?VCC大電壓輸入會(huì)對(duì)輸入小信號(hào)造成很嚴(yán)重的干擾，所以應(yīng)在?VCC輸入端各接一個(gè)100μF電解電容和一個(gè)0.1μF瓷片電容，用于電源的去耦。

三．個(gè)人心得

剛開(kāi)始做一個(gè)電路板，首先要接觸的就是protel這個(gè)軟件。因?yàn)樾枰@個(gè)軟件來(lái)進(jìn)行電路原理圖的設(shè)計(jì)以及pcb圖的繪制。當(dāng)我們拿到這次課程設(shè)計(jì)的要求后，我就馬上著手準(zhǔn)備設(shè)計(jì)所需要的電路，由于自己之前沒(méi)有接觸過(guò)protel這個(gè)軟件，所以在開(kāi)始那段時(shí)間很是糾結(jié)，后來(lái)在請(qǐng)教了一些學(xué)長(zhǎng)以及上網(wǎng)找到了一

些視頻教程之后有所進(jìn)展，根據(jù)設(shè)計(jì)要求把原理圖畫出來(lái)了。這只是一小步，當(dāng)我開(kāi)始要封裝，還有布線的時(shí)候，才發(fā)現(xiàn)原來(lái)這個(gè)才是最有難度的。在參考了很多學(xué)長(zhǎng)的資料后，我自己一點(diǎn)進(jìn)展都沒(méi)有。不管怎樣布線，最后還是會(huì)交叉重疊，出現(xiàn)錯(cuò)誤。眼看時(shí)間有點(diǎn)緊了，所以就決定舍棄自己布線的念頭。于是我就把學(xué)長(zhǎng)們的PCB圖進(jìn)行修改。這個(gè)修改主要有兩方面：一是由于我們班買的散熱器比學(xué)長(zhǎng)們?cè)O(shè)計(jì)的大，所以在PCB圖上放散熱器的空間是不夠的，所以要對(duì)PCB圖進(jìn)行一些移動(dòng)調(diào)整。二是原始的PCB圖的線是布出來(lái)了，但是在某些連接以及轉(zhuǎn)角位置有點(diǎn)瑕疵，我也對(duì)它們進(jìn)行了一些修改。就這樣，PCB圖這一步就弄好了。

接下來(lái)就是將PCB圖打印出來(lái)，這時(shí)候又遇到了一個(gè)問(wèn)題：就是我在打印預(yù)覽的時(shí)候看到的過(guò)孔都是灰色的，以及過(guò)孔的孔沒(méi)有顯示出來(lái)。于是自己就上網(wǎng)去找了一些資料了解了一下，但是網(wǎng)上的資料有點(diǎn)不全，沒(méi)能把這個(gè)問(wèn)題解決。后來(lái)我就在打印預(yù)覽頁(yè)面每個(gè)功能選項(xiàng)都看了一遍。后來(lái)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題出在打印頁(yè)面的屬性設(shè)置，要把屬性“顯示孔”“黑色&白色”選上，還有把“multilayer”圖層移到第一位。這樣的設(shè)置就沒(méi)問(wèn)題了。

當(dāng)PCB圖打印出來(lái)之后，印版腐蝕焊接方面就沒(méi)什么問(wèn)題了，最后一次測(cè)試通過(guò)。

第二篇：模電實(shí)驗(yàn)報(bào)告（范文模版）

模擬電子技術(shù)

實(shí)驗(yàn)報(bào)告

學(xué)院：電子信息工程學(xué)院 專業(yè)： 姓名： 學(xué)號(hào)： 指導(dǎo)教師：

2017年】實(shí)驗(yàn)題目：放大電路的失真研究

【

目錄

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康呐c知識(shí)背景..................................................................3 1.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?......................................................................................3 1.2知識(shí)背景.......................................................................................3

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及要求..........................................................................3 2.1基本要求.......................................................................................3 2.2發(fā)揮部分.......................................................................................4

三、實(shí)驗(yàn)方案比較及論證..................................................................5 3.1理論分析電路的失真產(chǎn)生及消除................................................5 3.2具體電路設(shè)計(jì)及仿真....................................................................8

四、電路制作及測(cè)試........................................................................12 4.1正常放大、截止失真、飽和失真及雙向失真...........................12 4.2交越失真.....................................................................................13 4.3非對(duì)稱失真.................................................................................13

五、失真研究思考題........................................................................13

六、感想與體會(huì)...............................................................................16 6.1小組分工.....................................................................................16 6.2收獲與體會(huì).................................................................................16 6.3對(duì)課程的建議.............................................................................17

七、參考文獻(xiàn)...................................................................................17

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康呐c知識(shí)背景

1.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1.掌握失真放大電路的設(shè)計(jì)和解決電路的失真問(wèn)題——針對(duì)工程問(wèn)題，收集信息、查閱文獻(xiàn)、分析現(xiàn)有技術(shù)的特點(diǎn)與局限性。提高系統(tǒng)地構(gòu)思問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。

2.掌握消除放大電路各種失真技術(shù)——依據(jù)解決方案，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)或模塊，在設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)環(huán)節(jié)上體現(xiàn)創(chuàng)造性。系統(tǒng)地歸納模擬電子技術(shù)中失真現(xiàn)象。

3.具備通過(guò)現(xiàn)象分析電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)——對(duì)設(shè)計(jì)系統(tǒng)進(jìn)行功能和性能測(cè)試，進(jìn)行必要的方案改進(jìn)，提高改善電路的能力。

1.2知識(shí)背景

1.輸出波形失真可發(fā)生在基本放大、功率放大和負(fù)反饋放大等放大電路中，輸出波形失真有截止失真、飽和失真、雙向失真、交越失真，以及輸出產(chǎn)生的諧波失真和不對(duì)稱失真等。

2.基本放大電路的研究、乙類功率放大器、負(fù)反饋消除不對(duì)稱失真以及集成運(yùn)放的研究與應(yīng)用。

3.射極偏置電路、乙類、甲乙類功率放大電路和負(fù)反饋電路。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及要求

2.1基本要求

1.輸入一標(biāo)準(zhǔn)正弦波，頻率2kHz，幅度50mV，輸出正弦波頻率2kHz，幅度1V。

2．a(chǎn).輸出以下各種類型的波形：（1）標(biāo)準(zhǔn)正弦波

（2）頂部、底部、雙向失真（3）交越失真 b.設(shè)計(jì)電路并改進(jìn)。

c.討論產(chǎn)生失真的機(jī)理，闡述解決問(wèn)題的辦法。2.2發(fā)揮部分

a.輸出不對(duì)稱失真的波形。b.設(shè)計(jì)電路并改進(jìn)。

c.討論產(chǎn)生失真的機(jī)理，闡述解決問(wèn)題的辦法。

三、實(shí)驗(yàn)方案比較及論證

3.1理論分析電路的失真產(chǎn)生及消除

a.正常放大、截止失真、飽和失真及雙向失真

（1）飽和失真

產(chǎn)生原因：靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)高

如圖3-1-1，當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)太高時(shí)，放大器能對(duì)輸入的負(fù)半周信號(hào)實(shí)施正常的放大，而當(dāng)輸入信號(hào)為正半周時(shí),因太大了，使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，ic=βib的關(guān)系將不成立,輸出電流將不隨輸入電流而變化，輸出電壓也不隨輸入信號(hào)而變化，產(chǎn)生輸出波形的失真。這種失真是因工作點(diǎn)取的太高,輸入正半周信號(hào)時(shí)，三極管進(jìn)入飽和區(qū)而產(chǎn)生的失真，所以稱為飽和失真。

（2）截止失真

產(chǎn)生原因：靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)低

如圖3-1-1所示為工作點(diǎn)太低的情況,由圖可見(jiàn),當(dāng)工作點(diǎn)太低時(shí),放大器能對(duì)輸入的正半周信號(hào)實(shí)施正常的放大,而當(dāng)輸入信號(hào)為負(fù)半周時(shí),因?qū)⑿∮谌龢O管的開(kāi)啟電壓,三極管將進(jìn)入截止區(qū),ib=0,ic=0,輸出電壓u0=uCE=Vcc將不隨輸入信號(hào)而變化,產(chǎn)生輸出波形的失真。

（3）雙向失真

產(chǎn)生原因：輸入信號(hào)過(guò)大、電路放大倍數(shù)太大、直流偏置太小。

工作點(diǎn)偏高,輸出波形易產(chǎn)生飽和失真；工作點(diǎn)偏低,輸出波形易產(chǎn)生截止失真。但當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)大時(shí),管子將工作在非線性區(qū),輸出波形會(huì)產(chǎn)生雙向失真。此時(shí)靜態(tài)工作點(diǎn)合適，但輸入波形的幅度超過(guò)了直流的最大幅度，當(dāng)輸出信號(hào)過(guò)大時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)飽和失真與截止失真一塊兒出現(xiàn)的失真現(xiàn)象，稱之為雙向失真。

消除方法：

頂部或底部失真：調(diào)節(jié)電位器，變化靜態(tài)工作點(diǎn)； 雙向失真：適當(dāng)減小輸入電壓

b.交越失真

產(chǎn)生原因：

交越失真是乙類推挽放大器所特

有的失真。在推挽放大器中，由兩只晶體管分別在輸入信號(hào)的正、負(fù)半周導(dǎo)通，對(duì)正、負(fù)半周信號(hào)進(jìn)行放大。而乙類放大器的特點(diǎn)是不給晶體管建立靜態(tài)偏置，使其導(dǎo)通的時(shí)間恰好為信號(hào)的半個(gè)周期。但是，由于晶體管的輸入特性曲線在Ube較小時(shí)是彎曲的，晶體管基本上不導(dǎo)通，即存在死區(qū)電壓V r。當(dāng)輸入信號(hào)電壓小于死區(qū)電壓時(shí)，兩只晶體管基本上都不導(dǎo)通。這樣，當(dāng)輸入信號(hào)為正弦波時(shí)，輸出信號(hào)將不再是正弦波，即產(chǎn)生了失真。這種失真是由于兩只晶體管在交替工 克服交越失真：

作時(shí)“交接”不好而產(chǎn)生的,稱為交越失真。

為了克服交越失真的影響，可以通過(guò)改進(jìn)電路的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。采用甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱電路法和甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱電路。甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱法電路原理如下圖1所示。由圖1可見(jiàn)，T3組成前置放大級(jí)，T1和T2組成互補(bǔ)輸出級(jí)。靜態(tài)時(shí)，在D1，D2上產(chǎn)生的壓降為T1，T2提供了一個(gè)適當(dāng)?shù)钠珘?，使之處于微?dǎo)通狀態(tài)。由于電路的對(duì)稱，靜態(tài)時(shí) icl=ic2，iL=0，vo=0。有信號(hào)時(shí)，由于電路工作在甲乙類，即使Vi很小，基本上也可以進(jìn)行線性放大。但是圖1的缺點(diǎn)就是其偏置電壓不易調(diào)整，改進(jìn)電路如圖2所示，在圖2中流人T4的基極電流遠(yuǎn)小于流過(guò)R1、R2的電流，則由圖可以求出Vce=VBE?(R1+R2)/R2，因此，利用T4管的VBE基本為一固定值，只要調(diào)整R1、R2的比值，就可以改變T1、T2的偏壓值。

圖1圖2

c.非對(duì)稱失真

輸出

產(chǎn)生原因：

不對(duì)稱失真也是推挽放大器所特有的失真。它是由于推挽管特性不對(duì)稱,而使輸入信號(hào)的正、負(fù)半周不對(duì)稱。

消除辦法：

加入負(fù)反饋，利用失真減小失真。

3.2具體電路設(shè)計(jì)及仿真

a.正常放大、截止失真、飽和失真及雙向失真

（1）仿真電路

VCCR3500kΩKey=A12VR215kΩC2+50 %XSC1_+AC1XFG110μFR115kΩQ110μFR5100kΩR41kΩ+Ext Trig2N2222A__B（2）仿真波形

靜態(tài)工作點(diǎn)居中時(shí)，輸出正常波形；適當(dāng)調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器使得阻值變大，出現(xiàn)頂部失真；適當(dāng)調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器使得阻值變小，出現(xiàn)底部失真。輸入：

輸出：

正常正弦波形 雙向失真

頂部失真 底部失真

b.交越失真

（1）仿真電路

VCC12VR110kΩ+Ext Trig+_A_+B_XSC1XFG1Q1S1鍵 = A D11N40012N2222D21N4001Q4R215kΩR310kΩ2N4403VEE-12V（2）仿真波形 輸入：

輸出：

交越失真 改善后波形

c.非對(duì)稱失真

（1）仿真電路

（2）仿真波形 輸入：

輸出：

不對(duì)稱失真波形 改善后波形

四、電路制作及測(cè)試

4.1正常放大、截止失真、飽和失真及雙向失真

頂部失真（截止失真）雙向失真

底部失真（飽和失真）正常放大 4.2交越失真

交越失真 消除交越失真

4.3非對(duì)稱失真

非對(duì)稱失真 減小非對(duì)稱失真 實(shí)驗(yàn)得，非對(duì)稱失真時(shí)，失真率為：（2.26-1.87）/4.13=9.44% 引入負(fù)反饋之后，失真率為：（240-238）/478=0.42% 故可見(jiàn)，引入反饋后，失真得到明顯改善。

五、失真研究思考題

1、NPN型組成的共射放大電路和PNP型組成的共射放大電路在截止和飽和失真方面的不同。

答：NPN型：頂部失真屬于截止失真，底部失真屬于飽和失真。

PNP型：頂部失真屬于飽和失真，底部失真屬于截止失真。

2、共基放大電路、共集放大電路與共射放大電路在截止和飽和失真方面的不同。答：共射電路及共集電路都既有飽和失真又有截止失真：截止失真是因?yàn)槿龢O管直流工作點(diǎn)過(guò)低產(chǎn)生的失真，而飽和失真為直流工作點(diǎn)過(guò)高產(chǎn)生的失真。

共基電路有飽和失真，無(wú)截止失真，因?yàn)楣不娐返慕夥ú挥每紤]三極管的截止電壓，故不存在截止失真。

3、改變下圖射極偏置電路電路哪些參數(shù)可解決上述失真。

答：解決飽和失真：通過(guò)調(diào)大Rb1或調(diào)小Rb2，使得Rb2分壓減小，Ube減小，則發(fā)射極電流減小，直流工作點(diǎn)降低，飽和失真得到解決。

解決截止失真：通過(guò)調(diào)小Rb1或調(diào)大Rb2，使得Rb2分壓增大，Ube增大，則發(fā)射極電流增大，直流工作點(diǎn)升高，截止失真得到解決。

解決雙向失真：調(diào)整直流工作點(diǎn)使其位于中間位置或減小輸入信號(hào)。

4、雙電源供電的功率放大器改成單電源供電會(huì)出現(xiàn)哪種失真？ 如何使單電源供電的功率放大器不失真？

答：?jiǎn)坞娫垂╇娪绊懥溯斎胼敵鲭妷悍秶?，進(jìn)而限制了電路的動(dòng)態(tài)范圍，導(dǎo)致信號(hào)失真。解決單電源供電失真的辦法為給回路中串聯(lián)一個(gè)儲(chǔ)能電容。

5、造成單級(jí)放大電路失真的器件有哪些？Re的作用是什么？

答：造成單級(jí)放大電路失真的器件有基極電阻、直流偏置電壓電源等；Re是電路的負(fù)反饋電阻，能夠穩(wěn)定放大電路的直流工作點(diǎn)。

6、負(fù)反饋可解決波形失真，解決的是哪類失真？

答：負(fù)反饋能在一定程度上抑制管子的非線性失真，但不對(duì)反饋環(huán)外的失真起作用。非線性失真包括交越失真、不對(duì)稱失真等。

7、消除交越失真為什么要用二極管？

答：二極管靜態(tài)時(shí)需要導(dǎo)通，所以產(chǎn)生兩個(gè)0.7V的壓降（硅管），而這兩個(gè)壓降剛好為T1與T2提供兩個(gè)適當(dāng)?shù)钠秒妷?，使T1和T2處于微導(dǎo)通狀態(tài)，這樣就克服了因門限電壓產(chǎn)生的交越失真。

8、放大電路加入負(fù)載后會(huì)出現(xiàn)失真嗎？為什么？

答：會(huì)。因?yàn)樨?fù)載電阻越大,放大倍數(shù)就越高，輸出的信號(hào)幅度也就越大，越容易進(jìn)入飽和或截止區(qū)，越容易失真。

9、如何測(cè)量放大電路的輸入電阻、輸出電阻和通頻帶。

答：測(cè)量輸入電阻：分別測(cè)量出電路的輸入端電壓Ui和輸入端的電流Ii，則輸入電阻Ri＝ui/Ii，這個(gè)輸入電阻可能是動(dòng)態(tài)的，不同的電壓下可能不相同。

測(cè)量輸出電阻：分別接入不同的輸出負(fù)載R1和R2，分別測(cè)量出電路的輸出端電壓Uo1、Uo2，則由于輸出電流I1和I2分別等于I1＝Uo1/R1、I2＝Uo2/R2，輸出電動(dòng)勢(shì)E＝I1×Ro＋Uo1＝I2×Ro＋Uo2，所以得到方程：Uo1/R1×Ro＋Uo1＝Uo2/R2×Ro＋Uo2。則解出輸出電阻：Ro＝（Uo2+Uo1）×（R1＋R2）/（Uo1×R2－Uo2×R1）

測(cè)量通頻帶：

幅頻特性及通頻帶的測(cè)試能使用儀器的條件下通常用掃頻法：利用掃頻儀直接在屏幕上顯示出放大器的輸出信號(hào)幅度隨頻率變化的曲線，即Au-f曲線。在屏幕顯示的幅頻特性曲線上測(cè)出通頻帶BW。

10、用場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路或運(yùn)算放大器同樣會(huì)產(chǎn)生所研究的失真嗎？ 答：不一定。

11、當(dāng)溫度升高，晶體管組成的電路剛剛產(chǎn)生靜態(tài)工作點(diǎn)漂移，使電路產(chǎn)生某種失真，此時(shí)由場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路也同樣失真嗎？為什么？

答：場(chǎng)效應(yīng)管不會(huì)形成波形失真，但放大倍數(shù)同樣會(huì)因?yàn)闇囟鹊淖兓l(fā)生變化。三極管的溫度漂移是由于溫度上升時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)向上漂移，形成飽和失真。而場(chǎng)效應(yīng)管不同，隨著溫度的上升，靜態(tài)工作點(diǎn)不會(huì)上移反而會(huì)下移，飽和失真不可能形成。另一方面，溫度的上升會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的門限電壓進(jìn)一步下降，因此原電路的一定能保持場(chǎng)效應(yīng)管處于打開(kāi)狀態(tài)，因此也不會(huì)產(chǎn)生截止失真。綜上所述，雖然溫度漂移會(huì)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)和放大倍數(shù)造成影響，但場(chǎng)效應(yīng)管本身的特性決定了溫度的升高并不會(huì)引起失真。

12、歸納失真現(xiàn)象，并闡述解決失真的技術(shù)。答：失真現(xiàn)象歸納見(jiàn)3.1 解決失真的核心技術(shù)：調(diào)節(jié)直流工作點(diǎn)使其合適、利用二極管抬高電平、引入負(fù)反饋。

六、感想與體會(huì)

6.1小組分工

本人在該實(shí)驗(yàn)中負(fù)責(zé)基本部分和發(fā)揮部分的板子焊接制作，以及參與板子的測(cè)試。

6.2收獲與體會(huì)

這門基于模擬電子技術(shù)的實(shí)踐課雖然時(shí)間很短，但是收獲頗豐，我覺(jué)得相比于理論知識(shí)的鉆研，更重要的是鍛煉了實(shí)踐動(dòng)手能力，提升了自己分析解決問(wèn)題的能力。

將近七周的時(shí)間里，我們小組完成了關(guān)于非線性失真的電路設(shè)計(jì)及焊接，對(duì)于放大電路飽和、截止、雙向、不對(duì)稱等非線性失真的電路結(jié)構(gòu)、產(chǎn)生原因及失真現(xiàn)象的改善有了相當(dāng)?shù)恼J(rèn)識(shí)，同時(shí)對(duì)于晶體管的型號(hào)、引腳等參數(shù)特性也有了一定的認(rèn)識(shí)。

這之外的收獲是，真正通過(guò)不斷地實(shí)驗(yàn)、不斷地檢查糾錯(cuò)，擁有了不斷查找板子無(wú)法調(diào)試出波形甚至三極管冒煙燒壞的錯(cuò)誤原因。一方面是初次接觸，不懂得三極管的放置也是有規(guī)律的；另一方面，焊接過(guò)程中容易犯低級(jí)錯(cuò)誤，比如最后一個(gè)發(fā)揮部分，焊好了電路之后檢查了三遍，調(diào)試了兩邊出現(xiàn)的都是亂波，冷靜下來(lái)仔細(xì)分析結(jié)果，猜想應(yīng)該還是焊接出錯(cuò)了。果不其然，再次檢查發(fā)現(xiàn)輸入引腳根本沒(méi)有接入電路。所以通過(guò)這樣的教訓(xùn)，我們也意識(shí)到平時(shí)不應(yīng)該只關(guān)注理論知識(shí)的學(xué)習(xí)，還需要培養(yǎng)鍛煉我們的實(shí)踐能力、動(dòng)手操作能力。

6.3對(duì)課程的建議

建議發(fā)揮部分可以多給出幾個(gè)參考題目。另外感覺(jué)這門課很有價(jià)值，可以適當(dāng)增加教學(xué)深度。

七、參考文獻(xiàn)

[1]路勇，劉穎.模擬集成電路基礎(chǔ)[M].北京:中國(guó)鐵道出版社, 2016 [2]劉貴棟，電子電路的 Multisim 仿真實(shí)踐，哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社，2008

第三篇：模電復(fù)習(xí)資料

模擬電路復(fù)習(xí)提綱

第一章 半導(dǎo)體二極管

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)

* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽(yáng)

該式與伏安特性曲線 的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

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2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽(yáng)

? 微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章 三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

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2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件

式子3.共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線---同二極管。

稱為穿透電流。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）

hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

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1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開(kāi)路。*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。

*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析 *概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號(hào)被放大的過(guò)程。

*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍

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*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法

1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。

2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

* 放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

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七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射

放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析

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2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章

場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

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轉(zhuǎn)移特性曲線

UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

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注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。

三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開(kāi)啟電壓UT 4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS 的跨

導(dǎo)

gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

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若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

* 動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析

或

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* 動(dòng)態(tài)分析

第四章 多級(jí)放大電路

一.級(jí)間耦合方式

1.阻容耦合----各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。

2.變壓器耦合---各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。

3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。

*零點(diǎn)漂移----當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。二.單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段(fL≤f≤fH)

波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-180o。

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2．低頻段(f ≤fL)

‘

3．高頻段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大電路的頻率特性

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三.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻率1．下限頻率的估算

2．上限頻率的估算

響應(yīng)

四.多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)

1.頻響表達(dá)式

2.波特圖

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第五章 功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài) 1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360，ICQ大，管耗大，效率低。

2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180~360，效率較高，失真較大。

二.乙類功放電路的指標(biāo)估算 1.工作狀態(tài)

? 任意狀態(tài)：Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態(tài)：Uom≈VCC oo

oo2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

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5.效率

三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路

1.問(wèn)題的提出

理想時(shí)為78.5%

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

? 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)

1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

第六章 集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成

1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。

3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。

二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn) 1.抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程----

當(dāng)T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。

2靜態(tài)分析 1)計(jì)算差放電路IC

設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得 2)計(jì)算差放電路UCE ? ? ? 雙端輸出時(shí)

單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)

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對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

? ? 雙端輸出

單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻

? ? 雙端輸出：?jiǎn)味溯敵?

三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ：

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 * 開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運(yùn)放的分析方法 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋

* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”:

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“虛短”---

“虛斷”---2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)

* 電路特征——開(kāi)環(huán)或引入正反饋

* 電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):

當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

i+=i-=0

第七章 放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。

2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。

2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端）

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串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓

的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端）5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)

的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號(hào)的極性。

（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid 減小為負(fù)反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響

1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性

2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件

1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。

2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理 分析依據(jù)------“虛斷”和“虛短”

一.基本運(yùn)算電路 1.反相比例運(yùn)算電路 R2 =R1//Rf

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2.同相比例運(yùn)算電路

R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路 1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

第九章 信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)

自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2.起振條件:

幅值條件 ：相位條件:3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

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(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。二.RC正弦波振蕩電路 1.RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路

2.RC移相式正弦波振蕩電路

三.LC正弦波振蕩電路

1.變壓器耦合式LC振蕩電路

判斷相位的方法：

斷回路、引輸入、看相位

2.三點(diǎn)式LC振蕩器 *相位條件的判

斷

------“

射

同

基

反

”

或

“

三

步曲法”

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(1)電感反饋三點(diǎn)式振蕩器(哈特萊電路)

(2)電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(考畢茲電路)

(3)串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）

(4)并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）

(5)四.石英晶體振蕩電路 1.并聯(lián)型石英晶體振蕩器

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2.串聯(lián)型石英晶體振蕩器

第十章 直流電源

一.直流電源的組成框圖

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? ? ? ? ? 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。二.單相半波整流電路

1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

三.單相全波整流電路 1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

四.單相橋式整流電路

UO(AV)、S、ID(AV)

與全波整流電路相同，08自動(dòng)化一班

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URM與半波整流電路相同。

五.電容濾波電路 1． 放電時(shí)間常數(shù)的取值

2.輸出電壓的平均值UO(AV)

3.輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S.整流二極管的平均電流I D(AV)

六.三種單相整流電容濾波電路的比較

七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路 1.穩(wěn)壓電路及其工作原理 *當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓

變化時(shí)的穩(wěn)壓過(guò)程:

*當(dāng)電網(wǎng)電壓不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過(guò)程 :

2.電路參數(shù)的計(jì)算 * 穩(wěn)壓管的選擇

常取UZ=UO；IZM=(1.5~3)IOmax * 輸入電壓的確定

一般取UI(AV)=(2~3)UO * 限流電阻R的計(jì)算

R的選用原則是：IZmin

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第四篇：模電課程設(shè)計(jì)

河南理工大學(xué)萬(wàn)方科技學(xué)院

模擬電子課程設(shè)計(jì)

對(duì)講機(jī)放大電路的設(shè)計(jì)

專業(yè)班級(jí) ：電氣13-3 姓

名 ：何水源

學(xué)

號(hào) ：1316301140

一 設(shè)計(jì)方案

1．確定前置級(jí)電路方案：

①根據(jù)總的電壓放大倍數(shù)，確定放大電路的級(jí)數(shù)，實(shí)際電路中，為使放大電路的性能穩(wěn)定，都引入了一定深度的負(fù)反饋，所以，放大倍數(shù)應(yīng)留有一定余量。②．根據(jù)輸入，輸出阻抗及頻率響應(yīng)等方面的要求，確定晶體管的組態(tài)（共射，共基，共基）及靜態(tài)偏置電路。

③．根據(jù)三種耦合方式（阻容耦合，變壓器耦合，直接耦合）的不同特點(diǎn)，選用合適的耦合方式。本電路級(jí)間耦合采用阻容耦合方式。

本電路電壓增益為100倍，考慮到電路的輸入電阻不很高（ri>15K）,輸出阻抗也不太低，負(fù)載取得電流也不太大（RL=2K）,因此前置級(jí)電路采用共射極電路。由于單級(jí)放大器的電壓增益為35db左右，兩級(jí)放大器的增益為65db左右，考慮到要引入一定深度的負(fù)反饋（一般為1+AF=10左右），而電路的增益要求為100倍，所以前置級(jí)用兩級(jí)共射極電路組成。靜態(tài)偏置采用典型的工作點(diǎn)穩(wěn)定電路。

2.確定功率放大器電路方案：

功率放大器的電路形式很多，有雙電源的OTL互補(bǔ)對(duì)稱功放電路、單電源供電的OTL功放電路、BTL橋式推勉功放電路和變壓器耦合功放電路等。這些電路各有特點(diǎn)，可根據(jù)要求和具備的實(shí)驗(yàn)條件綜合考慮，做出選擇。

本方案的輸出功率較小，可采用單電源供電的OCL功放電路，OTL功率放大器由推動(dòng)級(jí)、輸出級(jí)組成。推動(dòng)級(jí)采用普通的共射極放大電路，輸出級(jí)由互補(bǔ)推動(dòng)輸出，工作在甲乙類狀態(tài)下，得到較大的輸出功率。

圖1-4是一個(gè)OTL功放電路，T4是前置放大級(jí)，只要適當(dāng)調(diào)節(jié)Rp，就可以使IRH、UB5和UB6達(dá)到所需數(shù)值，給T5、T6 提供一個(gè)合適的偏置，從而使A點(diǎn)電位UA=UC6=VCC/2。

當(dāng)Ui=Uimsinwt時(shí)，在信號(hào)的負(fù)半周，經(jīng)T4放大反相后加到T5、T6基極，使T6截止、T5導(dǎo)通，這時(shí)有電流通過(guò)RL，同時(shí)電容C5被充電，形成輸出電壓Uo的正半周波形，在信號(hào)的正半周，經(jīng)T4放大反相后加到T5、T6基極，使T5導(dǎo)通、T6截止，則已充電的電容C5起著電源的作用，并通過(guò)RL，和T5放電，形成輸出電壓Uo的負(fù)半周波形。當(dāng)Ui周而復(fù)始變化時(shí)，T5、T6交替工作，負(fù)載RL上就可以得到完整的正弦波。

為使輸出電壓達(dá)到最大峰值UCC/2，采用自舉電路的OTL功放電路。

當(dāng)Ui=0時(shí)，UA=VCC/2，UB=VCC-iR11R2，電容C3兩端電壓UC3=UB-UA=VCC/2-iR11R2。當(dāng)R11C4乘積足夠大時(shí)，則可以認(rèn)為UC4基本為常數(shù)，不隨Ui而變化。這樣，當(dāng)Ui為負(fù)半周時(shí)，T5導(dǎo)通，UA向更正的方向變化。由于B點(diǎn)電位UB=UC4+UA，B點(diǎn)電位也將自動(dòng)隨著A點(diǎn)電位升高。因而，即使輸出電壓Uo幅度升的很高也有足夠的電流通過(guò)T5基極，使T5充分導(dǎo)電。這種工作方式叫“自舉“，意思是電路本身把UB提高了。

四、計(jì)算原件參數(shù)

依據(jù)基本設(shè)計(jì)方案計(jì)算元件參數(shù)

電路方案確定以后，要根據(jù)給定的技術(shù)要求進(jìn)行元件參數(shù)的選擇。在確定元件參數(shù)時(shí)，可以先從后級(jí)開(kāi)始，根據(jù)負(fù)載條件確定后級(jí)的偏置電路，然后再計(jì)算前級(jí)的偏置電路，進(jìn)一步由放大電路的頻率特性確定耦合電容和旁路電容的電量，最后由電壓放大倍數(shù)確定負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)。1).確定電源電壓 Vcc應(yīng)滿足要求：

Vcc 〉2Vom+VE+VCES Vom= 1.4V VE為三極管發(fā)射極電壓，一般取1~3V，VCES為晶體管飽和壓降，一般取1V。

2．前置放大級(jí)參數(shù)確定 a）確定T2級(jí)的參數(shù)

集電極電阻R8，發(fā)射極電阻R9，T3型號(hào)，基極偏置電阻R6、R7。

Vcc-VCEQ2=ICQ2 R8+VE2 VCEQ2= ICQ2 VCEQ2 > Vom+VCES R9=VE2/ICQ2 指標(biāo)中，RL=2KΩ，取VE2=3V，VCES=1V； 確定R8=3.5KΩ，R9=1.5KΩ，取標(biāo)稱值，R8=3.3KΩ，R9=1.5KΩ，則靜態(tài)值ICQ=2mA，VCEQ2=2.4V。確定T2級(jí)三極管參數(shù)：

晶體管的選取主要依據(jù)晶體管的三個(gè)極限參數(shù)： BVCEO > 三極管c-e間最大電壓VCEmax ICM>三極管工作時(shí)的最大電流ICmax PCM > 三極管工作時(shí)的最大功耗PCmax VCE最大值為: VCE2max=Vcc IC2的最大值為: IC2max =2ICQ2 T2的最大功耗為：PCmax= VCEQ2 · ICQ 因此T2的參數(shù)應(yīng)滿足： BVCEO > 12V ICM>2ICQ2 = 4mA PCM > VCEQ2 · ICQ2 = 4.8mW 選用3DG系列小功率三極管，β2=80。確定T2級(jí)基極電阻參數(shù)： 選取原則：

1.基極電壓VB2越穩(wěn)定，則電路的穩(wěn)定性越好，需滿足IR ＞ ＞ IB 2.IR不能過(guò)大，否則R6、R7的值太小。會(huì)增加電源的消耗；使第二級(jí)的輸入電阻降低，從而使第一級(jí)的放大倍數(shù)降低。

為了使VB2穩(wěn)定同時(shí)第二級(jí)的輸入電阻又不致太小，按下式選取IR的值： IR=（5 ~ 10）IBQ 硅管 IR=（10 ~ 15）IBQ 鍺管

本電路選用硅管，取 IR= 5 IBQ，則：

T1級(jí)發(fā)射極、集電極電阻及靜態(tài)工作點(diǎn)：

因?yàn)門1級(jí)是放大器的輸入級(jí)，其輸入信號(hào)比較小，放大后的輸出電壓也不大，所以對(duì)于第一級(jí)失真度和輸出幅度的要求比較容易實(shí)現(xiàn)，主要考慮如何減小噪聲，三極管的噪聲大小與工作點(diǎn)的選取有很大關(guān)系，減小靜態(tài)電流對(duì)降低噪聲是有利的，但對(duì)提高放大倍數(shù)不利，所以靜態(tài)電流不能太小。在工程計(jì)算中，一般對(duì)小信號(hào)的輸入級(jí)都不詳細(xì)計(jì)算，而是憑經(jīng)驗(yàn)直接選?。?I CQ1 = 0.1~1 mA 硅管

I CQ1 = 0.1~2 mA 鍺管 本電路選用硅管，取IR=5IBQ

取標(biāo)稱值R1=12K，R4=56，R5=5.6K。T1級(jí)三極管參數(shù)：

BVCEO > 12V，ICM > 0.5 mA，PCM > 1.5 mW 選用3DG—三極管可以滿足要求。確定T1級(jí)基極電阻參數(shù)： 取IR= 10 IBQ1，VE1 = 3V

耦 合 電 容 ： 2 ～ 10 μF 發(fā)射極旁路電容： 150 ～ 200 μF

d）反饋網(wǎng)絡(luò)的計(jì)算 Rf = 100R4-R4=5.5K 取Rf = 5.6K，Cf=10μF

根據(jù)上述的計(jì)算結(jié)果，得到電路圖1-6，可將電路仿真，如不能達(dá)到設(shè)計(jì)要求，修改電路使其達(dá)到設(shè)計(jì)要求。然后將仿真后的電路實(shí)際安裝調(diào)試。

五、對(duì)講機(jī)的安裝

(1)熟悉電路元件，發(fā)對(duì)講機(jī)裝配零件，檢查和熟悉各種零件 周二，老師首先讓我們熟悉對(duì)講機(jī)的電路圖和熟悉電路元件，這一天的工作是相對(duì)輕松的，僅僅是熟悉電路圖和學(xué)習(xí)使用常用電子儀器儀表，和識(shí)別檢測(cè)常用的電子元件。

這一天最重要的就是常用電子元件的識(shí)別和檢測(cè)。我們常見(jiàn)的電子元件就是電阻、電容、二極管和三極管。電阻上的色帶是就是電阻的色環(huán)標(biāo)記法，通過(guò)色環(huán)來(lái)表示電阻的大小，有效數(shù)字、倍率和允許誤差?，F(xiàn)在見(jiàn)到的電阻的色環(huán)有四道和五道的，四道環(huán)的有效數(shù)字是前兩道環(huán)所代表，而五道環(huán)是由前三道所代表。接著識(shí)別電容器，電容用于交流耦合、濾波、隔斷直流、交流旁路和組成振蕩電路等，電容的標(biāo)注分為直接標(biāo)注和色標(biāo)法。通過(guò)學(xué)習(xí)，我明白了直接標(biāo)注的電容是用數(shù)字直接表示電容量，不標(biāo)單位。標(biāo)注1～4位整數(shù)時(shí)，其單位是pF，標(biāo)注為小數(shù)時(shí)，其單位是μF。也有用三位數(shù)字表示容量大小，默認(rèn)單位是pF，前兩位是有效數(shù)字，第三位是有效倍率（10m），當(dāng)?shù)谌皇?時(shí)，則對(duì)有效數(shù)字乘以0.1。而色標(biāo)法則同電阻器的標(biāo)注。檢測(cè)電容的方法是利用電容的充放電特性，一般用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)試電容的充放電現(xiàn)象，兩只表筆觸及被測(cè)電容的兩條引線時(shí)，電容將被充電，表針偏轉(zhuǎn)后返回，再將兩表筆調(diào)換一次測(cè)量，表針將再次偏轉(zhuǎn)并返回。用相同的量程測(cè)不同的電容器時(shí)，表針偏轉(zhuǎn)幅度越大說(shuō)明容量越大。測(cè)試過(guò)程中，萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)表示充放電正常，指針能回到∞，說(shuō)明電容沒(méi)短路，可視為電容完好?，F(xiàn)在說(shuō)明在模擬電路中常見(jiàn)的二極管，通常二極管有整流、檢波、穩(wěn)壓、發(fā)光、發(fā)電、變?nèi)荨⒑烷_(kāi)關(guān)二極管等。檢測(cè)二極管我們利用的是二極管的正向?qū)щ娦裕驅(qū)ǚ聪蚪刂?，可以判斷管子的好壞。最后說(shuō)明三極管的識(shí)別和檢測(cè)，很明顯，一般的三極管就是三個(gè)管腳，很容易識(shí)別，所以識(shí)別三極管重要的是識(shí)別三極管是NPN或PNP型，以及各管腳所代表的極性。而這些的判斷都需要使用萬(wàn)用表。判斷極性：對(duì)圓柱型三極管，若管腳處接頭有突出物，則將管腳沖上，順時(shí)針依次為EBC極若沒(méi)有突出物，則管腳根處間隙較大的兩跟管腳對(duì)向自己，順時(shí)針依次為EBC極。對(duì)半圓型三極管，將管腳向上，半圓向自己，順時(shí)針為EBC極。判斷三極管的類型：在基于以上極性判斷的前提下，NPN管，基極接黑表筆，測(cè)得電阻較小。PNP管正好相反。以上就是我對(duì)常用電子元件的識(shí)別和檢測(cè)方法。

(2)焊接各種零件并交對(duì)講機(jī)

周二下午，我們就真正進(jìn)入到電子技術(shù)實(shí)習(xí)的操作中去了，以前雖然接觸過(guò)電烙鐵，但畢竟很少有實(shí)際操作過(guò)，總是懷有幾分敬畏之心。而電子電路主要是基于電路板的，元器件的連接都需要焊接在電路板上，所以焊接質(zhì)量的好壞直接關(guān)系到以后制作對(duì)講機(jī)的成敗。因此對(duì)電烙鐵這一關(guān)我們是不敢掉以輕心的。

最終我們?cè)谶@一天的實(shí)習(xí)中，焊接了十幾個(gè)元件，起初沒(méi)經(jīng)驗(yàn)，將電阻立得老高，這樣既不美觀也不牢靠容易形成虛焊，之后有了經(jīng)驗(yàn)就采取臥式法，既美觀又牢靠，只是拆卸時(shí)稍微麻煩，需要?jiǎng)e人幫忙。焊接時(shí)雖然膽戰(zhàn)心驚，但還是總結(jié)出了心得，就是焊錫要用一點(diǎn)點(diǎn)下去，電烙鐵要在錫水熔化后產(chǎn)生光亮就拿開(kāi)，這樣就能焊出光亮圓滑的焊點(diǎn)了。將他們插好后就依次拆卸下來(lái)，先焊接電阻，再焊接電容，焊接電容時(shí)一定要特別注意電容的正負(fù)極。然后是三極管，焊接時(shí)注意三極管的極性，管腳要放入相應(yīng)位置。另外，由于這次課程設(shè)計(jì)使用的電路板并不是印刷好的電路板，所已焊接時(shí)電路板上元件的連接要用導(dǎo)線來(lái)連接，這就要求我們?cè)诤附又熬鸵劝言季趾?。焊接完電路板的電子元件后，就要處理電源同電路板的連接，這需要我們引出導(dǎo)線以方便接下來(lái)的調(diào)試和數(shù)據(jù)測(cè)量。

六、調(diào)試方法

1．仿真調(diào)試步驟：通過(guò)仿真測(cè)試，如不能達(dá)到設(shè)計(jì)要求，則應(yīng)修改電路，使其滿足要求。

⑴使用仿真軟件畫出電路原理圖，標(biāo)出節(jié)點(diǎn)。

⑵對(duì)電路進(jìn)行直流分析，判斷放大電路及功放級(jí)的電路狀態(tài)。⑶對(duì)電路進(jìn)行交流分析，通過(guò)對(duì)不同節(jié)點(diǎn)的分析觀察其幅頻特性和相頻特性是否滿足設(shè)計(jì)要求。

⑷對(duì)電路進(jìn)行瞬態(tài)分析（示波器），觀察放大級(jí)輸出的波形，波形不失真，輸出電壓、失真度、帶寬等指標(biāo)達(dá)到要求。

2．實(shí)際電路調(diào)試

在仿真的基礎(chǔ)上，焊好電路并檢查無(wú)誤后，即可進(jìn)行調(diào)試。如果設(shè)計(jì)正確，前置放大級(jí)一般不必調(diào)整就可以正常工作。3．OTL輸出級(jí)的簡(jiǎn)單調(diào)整方法： ①調(diào)解Rp使A點(diǎn)電位為Vcc/2。②調(diào)解R13使ICQ4、5 =（5 ~ 10）m A 其中 1）、2）兩步要反復(fù)調(diào)解，直到達(dá)到要求為止。經(jīng)上述調(diào)試后，放大器就能正常工作。按圖1-1 接好線路，K撥在圖中位置，對(duì)著Y2講話時(shí)，Y1處應(yīng)能聽(tīng)到Y(jié)1放出的清晰、宏亮的聲音。當(dāng)K撥到另一位置時(shí)，對(duì)著Y1講話時(shí)，Y2處應(yīng)能聽(tīng)到Y(jié)1放出的清晰、宏亮的聲音。

最后需要說(shuō)明的是，如按圖1-1 接好線路后，揚(yáng)聲器中有廣播電臺(tái)的聲音，則應(yīng)放在放大器的輸入端與地之間接一電容，其容量為0.01μF，也可由試驗(yàn)確定。

七、實(shí)際電路測(cè)量數(shù)據(jù)： 信號(hào)源電壓：Us=10mV 輸入電壓：Ui=9.66mV

輸入電阻：Ri=[Ui/（Us-Ui）]R=34.7K 前置級(jí)輸出電壓：Uo1=0.975V 放大倍數(shù)：Av=Vo1/Ui=97.5 頻寬：29Hz~~2.03MHz 輸出電壓：Uo=2.43V 三極管各極電壓：

T1：VEQ=2.8V;VBQ=3.4V;VCQ=6V T2：VEQ=2.7V;VBQ=3.3V;VCQ=5.6V T3：VEQ=5V;VBQ=5.7V;VCQ=12V T4：VEQ=2.1V;VBQ=2.8V;VCQ=5.8V T5：VEQ=6.2V;VBQ=6.8V;VCQ=12V T6：VEQ=6.4V;VBQ=5.8V;VCQ=0V

八、所用儀器設(shè)備 1.計(jì)算機(jī)及電路仿真軟件。2.信號(hào)發(fā)生器。3.示波器。4.穩(wěn)壓電源。5.穩(wěn)壓電源。6.晶體管毫伏表。7.萬(wàn)用表。

九、心得體會(huì)

一周的課程設(shè)計(jì)在充忙的生活中很快過(guò)去了，經(jīng)過(guò)一周的課程設(shè)計(jì)的學(xué)習(xí)，我已經(jīng)自己能制作一個(gè)對(duì)講機(jī)，這其中的興奮是無(wú)法用言語(yǔ)表達(dá)的。學(xué)習(xí)模電這段時(shí)間也是我們一學(xué)期最忙的日子，不僅面臨著期末考試，而且中間還有一些其他科目的實(shí)驗(yàn)，本周必須完成模電的課程設(shè)計(jì)。任務(wù)對(duì)我們來(lái)說(shuō)，顯得很重。為了較好的完成模電的課程設(shè)計(jì)，我經(jīng)常放學(xué)好在實(shí)驗(yàn)室加班。相關(guān)知識(shí)缺乏給學(xué)習(xí)它帶來(lái)很大困難，為了盡快掌握它的用法，我照著原理圖學(xué)習(xí)視頻一步一步做，終于知道了如何操作。通過(guò)這次設(shè)計(jì)，我懂得了學(xué)習(xí)的重要性，了解到理論知識(shí)與實(shí)踐相結(jié)合的重要意義，學(xué)會(huì)了堅(jiān)持、耐心和努力，這將為自己今后的學(xué)習(xí)和工作鋪展了道路。另外，課堂上也有部分知識(shí)不太清楚，于是我又不得不邊學(xué)邊用，時(shí)刻鞏固所學(xué)知識(shí)，這也是我作本次課程設(shè)計(jì)的一大收獲。

十、參考資料： 電子技術(shù)基礎(chǔ)（模擬部分）康華光 高等教育出版社 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 童詩(shī)白 華成英 高等教育出版社 模擬電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 電氣工程系 中原工學(xué)院電子電工教研室

電子線路課程設(shè)計(jì) 華永平華南大學(xué)出版社 電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)與課程設(shè)計(jì) 高吉祥 電子工業(yè)出版社 電工電子技術(shù)實(shí)習(xí)與課程設(shè)計(jì) 華榮茂 電子工業(yè)出版社

第五篇：模電學(xué)習(xí)心得

姓名: 王凱 年級(jí)專業(yè): 06物理 備注: 量子力學(xué)/電子線路1導(dǎo)生

姓名：王凱 年級(jí)專業(yè)：06應(yīng)用物理學(xué) 備注：電子線路1

模擬電子線路學(xué)習(xí)心得

首先，可以說(shuō)，模電是一門稍微難學(xué)的課程；但是，在培養(yǎng)理工科學(xué)生學(xué)習(xí)專業(yè)知識(shí)的過(guò)程中，它起到了非常重要的作用。它不僅要為今后學(xué)習(xí)有關(guān)的后續(xù)課程打下基礎(chǔ)，而且模電課程本身涉及的一些基本概念、基本原理和基本分析方法，對(duì)于培養(yǎng)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力也十分重要。因此，本課程通常被列為有關(guān)專業(yè)的重要技術(shù)基礎(chǔ)課。

這門課程的性質(zhì)和特點(diǎn)。

首先，作為一門技術(shù)基礎(chǔ)課，模擬電子技術(shù)既不同于專業(yè)課——本課程強(qiáng)調(diào)基本概念、基本原理和基本分析方法，為將來(lái)在工作中應(yīng)用電子技術(shù)解決實(shí)際問(wèn)題打下牢固的基礎(chǔ)；又不同于某些基礎(chǔ)理論課——本課程的內(nèi)容更接近工程實(shí)際。在學(xué)習(xí)電子電路的工作原理時(shí)要緊緊抓住基本概念和基本分析方法；在分析和計(jì)算時(shí)又常常需要從實(shí)際情況出發(fā)，抓住主要矛盾，忽略次要矛盾。

其次，大家要時(shí)刻記住，今天的學(xué)習(xí)是為今后的工作和進(jìn)一步學(xué)習(xí)打下基礎(chǔ)，所以，在本課程的學(xué)習(xí)中，一方面要抓住基本，另一方面要注意能力的培養(yǎng)，包括學(xué)習(xí)新知識(shí)、新技術(shù)的能力。

最后，電子技術(shù)是一門實(shí)踐性很強(qiáng)的課程。因此，實(shí)踐環(huán)節(jié)和動(dòng)手能力的培養(yǎng)在課程中占有重要的地位。通過(guò)實(shí)驗(yàn)，不僅固化和深化書本上學(xué)到的知識(shí)，而且倡導(dǎo)理論聯(lián)系實(shí)際的精神，提高電子技術(shù)方面的動(dòng)手能力，培養(yǎng)嚴(yán)謹(jǐn)踏實(shí)的科學(xué)作風(fēng)。

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)應(yīng)注意的幾個(gè)問(wèn)題

第一，注意正確理解和掌握模擬電路的基本概念和重要術(shù)語(yǔ)，例如，PN結(jié)，單項(xiàng)導(dǎo)電性，放大作用，截止、放大和飽和，直流通路和交流通路等等。

第二，注意掌握模擬電路常用的分析方法，例如，分析放大電路靜態(tài)工作情況和分析波形失真常用的圖解法，分析放大電路動(dòng)態(tài)性能；

第三，注意通過(guò)模擬電子技術(shù)課程的學(xué)習(xí)，培養(yǎng)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力，例如，初步的電子電路讀圖能力，估算基本電路主要性能指標(biāo)的初步能力。

個(gè)人一些學(xué)習(xí)方法和技巧

接下來(lái)，說(shuō)一下本人的一些學(xué)習(xí)方法，對(duì)于我來(lái)說(shuō)，初次接觸這門課程也還是有點(diǎn)困難的，但困難總是暫時(shí)的，你必須通過(guò)努力去戰(zhàn)勝困難。學(xué)習(xí)這門課，有一本好的輔導(dǎo)資料，是非常重要的，利用好圖書館資源，也是你大學(xué)學(xué)習(xí)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。除了圖書館的資源外，網(wǎng)絡(luò)上還有很多有用的資源，你大可利用好這些很好的補(bǔ)充材料。有了這些資料外，關(guān)鍵還是在于你自己肯不肯去學(xué)，課前預(yù)習(xí)，上課時(shí)認(rèn)真聽(tīng)講，課后認(rèn)真復(fù)習(xí)也不可少。我可能重點(diǎn)放在課后復(fù)習(xí)上，如果有什么不懂的，我會(huì)在課后去詢問(wèn)老師，或者去問(wèn)一些同學(xué)，不要把問(wèn)題留到考試時(shí)才解決，那已太晚了。

以上是本人的一些建議和心得，希望對(duì)學(xué)習(xí)者有所幫助。