第一篇：MOS管與bipolar優(yōu)缺點比較（范文）

]功率MOSFET與雙極性晶體管的性能比較及優(yōu)勢

當(dāng)前，功率MOSFET較雙極性晶體管(BJT)器件更受歡迎。如果把功率MOSFET和BJT作一番比較，可以發(fā)現(xiàn)功率MOSFET是一種高輸入阻抗、電壓控制的器件。而BJT則是一種低阻抗、電流控制的器件。在功率應(yīng)用中采用MOSFET具有眾多好處。

我 們可以通過下列幾個方面來比較一下這兩種器件的優(yōu)劣，首先是驅(qū)動電路，功率MOSFET的驅(qū)動電路比較簡單。BJT可能需要多達(dá)20%的額定集電極電流以 保證飽和度，而MOSFET需要的驅(qū)動電流則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動。其次，MOSFET的開關(guān)速度比較迅 速，MOSFET是一種多數(shù)載流子器件，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應(yīng)。

其三，MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在 溫度越高時往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。它們還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的電阻 溫度系數(shù)。溫度較高的器件往往把電流導(dǎo)向其它MOSFET，允許并行電路配置。而且還有一個好處是，MOSFET的漏電極和源極之間形成的寄生二極管可以 充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。

使用功率MOSFET時需要考慮的因素功率MOSFET可以被看作接近理 想的器件，沒有BJT的某些局限性，因此功率MOSFET比前者更受歡迎。但是，盡管功率MOSFET比BJT有所進(jìn)步，但在應(yīng)用時仍然需要特別注意其功 率耗散管理、開關(guān)損失最小化和MOSFET門驅(qū)動的優(yōu)化。MOSFET實質(zhì)上有兩種工作模式，即開關(guān)模式或線性模式。

所謂開關(guān)模式，就 是器件充當(dāng)一個簡單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個狀態(tài)之間切換。線性工作模式一般是指，器件工作在某個特性曲線中的線性部分，但也未必如此。此處的“線性”是指 MOSFET保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。它的線性工作模式與開關(guān)工作模式之間的區(qū)別是，在開關(guān)電路 中，MOSFET的漏電流是由外部元件確定的，而在線性電路設(shè)計中卻并非如此。

功率MOSFET可以用于多種應(yīng)用之中，包括馬達(dá)控制、電源和鎮(zhèn)流器等的開關(guān)電路，每種類型的電路都利用了MOSFET的某些獨(dú)特的電氣特性。當(dāng)為某個具體應(yīng)用選擇功率MOSFET時，設(shè)計人員不僅要考慮最大 漏極到源極電壓和器件的漏電流，而且需要考慮其它參數(shù)會對應(yīng)用產(chǎn)生什么影響。目標(biāo)是確保所選擇的器件不僅是最佳的技術(shù)選擇，而且也是性價比最高的選擇。

由于在許多設(shè)計中電路板空間非常有限，所以通常需要首先確定可以選用哪些封裝類型，這些封裝能夠在不超出確定的目標(biāo)成本的情況下支持設(shè)計的 電氣要求。功率MOSFET既有單器件也有雙器件形式，采用多種表面貼裝和通孔封裝類型，支持各種應(yīng)用。除了封裝技術(shù)以外，初步考慮還必須包括器件最大工 作電壓和電流，以及是否需要容忍某些應(yīng)用中可能發(fā)生的雪崩情形，即開關(guān)電感性負(fù)載。

雪崩情形可能發(fā)生在關(guān)斷過程中，此時在漏極和源極之 間可能因感生負(fù)載而出現(xiàn)高浪涌電壓。這些能量水平隨后可能超過MOSFET的最大額定值。為此，最高通道溫度150°C時的雪崩能量通常被列在制造商的數(shù) 據(jù)表之中。當(dāng)使用這些器件的時候，必須注意不要超過這個最大額定雪崩能量。特殊應(yīng)用中的功率水平將促使設(shè)計人員檢查器件的最大功率耗散，以及安裝在電路上 會對器件產(chǎn)生什么影響。

至于元件的額定功率，必須記住，它的散熱能力受到封裝以外的諸多因素影響。其中包括器件放置在電路板上其它器件 中間會耗散大量功率，封裝的周圍溫度水平，空氣流動情況，以及散熱器的容量(可以加到電路板上的額外的銅面積，用于冷卻較小的SO8或TSSOP類型的元 件)等。

一項具體設(shè)計的工作效率將突顯需要考慮的其它MOSFET參數(shù)，其中包括導(dǎo)通阻抗和柵-源電荷。設(shè)計人員經(jīng)常僅把導(dǎo)通阻抗看作 是MOSFET的質(zhì)量因數(shù)，其實如果利用導(dǎo)通阻抗和柵-源電荷的乘積作為選擇器件的指南可能會更有用處。因為這就需要考慮源電荷對于開關(guān)控制的影響，它可 能影響MOSFET在具體設(shè)計中的總體效率。

源電荷數(shù)量實際上由兩部分組成：柵-源電荷和柵-漏電荷，它們被列在數(shù)據(jù)表之中，用于確定 驅(qū)動MOSFET門電壓所需的電荷數(shù)量。多數(shù)高功率MOSFET的柵-漏電荷多于柵-源電荷，在選擇MOSFET的驅(qū)動方式時(即使用驅(qū)動IC的時候)必 須考慮這點。一旦選定了器件的驅(qū)動方法，就需要仔細(xì)研究設(shè)計的布局，它包括考慮驅(qū)動IC上單獨(dú)的源和返回路徑，用于功率和信號輸入，將有助于提高電路的總 體抗干擾性。在需要高速開關(guān)的應(yīng)用中，往往需要大驅(qū)動電流，由于電路設(shè)計及功率MOSFET本身中的電感效應(yīng)，流入電路的電流水平可能 導(dǎo)致?lián)p耗增加。這些額外的寄生效應(yīng)可能限制器件有效地開關(guān)的速度。通過重視電路布局使這些效應(yīng)降至最低，以及利用經(jīng)過優(yōu)化以降低電感的MOSFET，能夠 改善電路性能。

另外一個需要考慮的因素是，除了謹(jǐn)慎的電路布局以外，許多應(yīng)用也能因MOSFET門驅(qū)動信號的優(yōu)化而得益，因為它使信號 傳輸時間降至最短。這將使MOSFET在開通或者關(guān)閉時的功率損耗下降。根據(jù)不同的電路配置，經(jīng)常需要能夠以高轉(zhuǎn)換速度提供峰值電流的驅(qū)動器，以確保獲得 最佳可能電路效率。

雙極性晶體管VS MOSFET

自 從IR(INTERNATIONAL RECTIFIED國際整流器公司)發(fā)明了第一個MOSFET（METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）以來，MOSFET的性能的不斷提高，其在各種應(yīng)用領(lǐng)域得以大量使用；鑒于MOSFET的各種優(yōu)良特性和 良好的前景，各大電子元器件廠家紛紛投入大的人力研發(fā)自己的專利技術(shù)。IR的Direct FET?技術(shù)，Infineon Cool MOS的S-FET?技術(shù),AATI的TrenchDMOS??；伴隨之而來的專利的封裝技術(shù)。研發(fā)的重點依然在Rds(ON)的降低，柵極總電荷Qg的 減少等。

而雙極性晶體管“似乎”被人們越來越“看不起”，被很多人看作是“舊技術(shù)”；甚至有人斷言：不久的將來，MOSFET將完全取代BIPOLAR TRANSISTOR，尤其當(dāng)需要高速度，高效率的時候。這種觀點是站不住腳的；首先，我們可以理解新技術(shù)的產(chǎn)生對業(yè)界產(chǎn)生的推動以及帶來新的設(shè)計線路和 設(shè)計方法；但是沒有一種元器件、一種設(shè)計方法可以滿足所有的應(yīng)用。其次，需要看到雙極性晶體管也在向更高性能不斷發(fā)展，在某些領(lǐng)域同樣有著不可替代的作 用。比如ZETEX，不斷的推出新的高性能的BIPOLAR TRANSISTOR，每一種元器件和技術(shù)都有它的優(yōu)點和缺點,都有它的應(yīng)用領(lǐng)域，本文我們將從幾個大家關(guān)心的方面進(jìn)行討論。

1．擊穿電壓：

1)對于MOSFET來說，BVDSS（漏源擊穿電壓）在400V~1000V而言，到80年代末，已經(jīng)基本發(fā)展到極至，目前已經(jīng)缺乏技術(shù)飛躍的可能性，Rds(ON)的改善，往往 僅靠早期的大封裝（諸如TO-220,D-Pack等）增大硅晶片的面積來達(dá)到；我們知道PLANER技術(shù)的缺點就是Rds(ON)的迅速上 升，Rds(ON)∝BV2.6，功耗增大，這成為MOSFET向高壓發(fā)展的瓶頸。

2)而對雙極性晶體管來說，由于采用的是少子的PLANER導(dǎo)電，相對MOSFET來說，做到高壓容易多了。尤其是作為飽和開關(guān)的時候，集電極區(qū)阻抗的電 導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，極大的降低了Rce(sat),而MOSFET沒有類似的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。Rce(sat)∝BV2（圖1）

此主題相關(guān)圖片如下：

圖1 ZETEX 3rd 晶體管的Rce(on)vs BV 例： ZETEX的FMMT459，Bvces=450V,Ic=150mA,Rce(sat)typ=1.4ohm,SOT-23封裝；而同樣的參數(shù)的 MOSFET，需要DPAK這樣的大的封裝。下圖（圖2）是20V擊穿電壓條件下，晶體管和MOSFET的導(dǎo)通電阻比較：

此主題相關(guān)圖片如下：

圖2 20V器件的導(dǎo)通電阻比較 3)另一個值得關(guān)注的問題是雙極性晶體管擊穿電壓的雙向性;而MOSFET的擊穿電壓是單向的，這主要是由于體二極管造成的；對MOSFET來說，如果存在反 壓擊穿問題，就需要并聯(lián)反向二極管或者用兩個MOSFET形成MOSFET對，而這當(dāng)然會引起導(dǎo)通損耗增大。

2．大電流：

1）對MOSFET來說，高壓MOS由于受到Rds(ON)的影響，目前作大電流受到一定的限制；而在低壓MOSFET中，現(xiàn)在大多廠家均掌握 Trench MOSFET，縱向技術(shù)的發(fā)展，極低的Rds(ON)，使得Id很容易就達(dá)到幾十A，甚至上百A，各種利于散熱的專利封裝空前涌現(xiàn)。低壓大電流MOS已經(jīng) 在通訊、消費(fèi)、汽車、工控、便攜等電子設(shè)備里廣泛使用；同時涌現(xiàn)出一批專攻低壓大電流MOS的公司，比如臺系排行第三的ANPEC（茂達(dá)電子），低壓(<100V)MOS竟然連續(xù)幾年占其業(yè)績的50％以上！

2）對于雙極性晶體管來說，根據(jù)Ic=B*Ib來看，其增大電流Ic的方法就是增大發(fā)達(dá)倍數(shù)B。第一種方法就是用達(dá)林頓管，通過幾個晶體管的放大倍數(shù)相 乘，達(dá)到小的基極電流控制大的集電極電流的目的。其次就是開發(fā)大的放大倍數(shù)（B）的晶體管，諸如ZETEX的Super-B Transistor,單個晶體管就可以達(dá)到Ic=10A.（continuous）

3．驅(qū)動電壓：

1）對于電壓型的MOSFET來說，近年來很多廠家推出了許多Vgs(th)低于1V的MOSFET；但是這僅僅是開門電壓，并不意味著它們可以在 Vgs＝Vgs(th)下穩(wěn)定良好的工作，因為要真正達(dá)到全增強(qiáng)（FULL ENHANCEMENT），達(dá)到象規(guī)格書上標(biāo)注的Rds(ON),大多標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET需要10V左右的Vgs，低Vgs(th)的器件也差不多要 3－5V左右。由此看，大多MOSFET不能用MCU或DSP直接輸出控制。尤其是當(dāng)耐壓增大的時候，絕緣層變厚，需要的導(dǎo)通閥值電壓迅速上升。此 外，Vth受溫度影響較大，4－6mV/度。

第二篇：MOS管的分類簡介

MOS管的分類簡介

場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。5.1 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）

1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。

結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?/p>

2、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應(yīng)管是電壓控制元件。5.2 絕緣柵場效應(yīng)管

1、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。

3、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。

第三篇：MOS管驅(qū)動電路總結(jié)doc要點

MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。

下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。

1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制100//造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

2，MOS管導(dǎo)通特性

導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

3，MOS開關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

4，MOS管驅(qū)動

跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計時當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。

MOS管的驅(qū)動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細(xì)，所以不打算多寫了。

5，MOS管應(yīng)用電路

MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動，也有照明調(diào)光。

這三種應(yīng)用在各個領(lǐng)域都有詳細(xì)的介紹，這里暫時不多寫了。以后有時間再總結(jié) 問題提出：

現(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的需求，1，低壓應(yīng)用

當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2，寬電壓應(yīng)用

輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。

3，雙電壓應(yīng)用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。

在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。

于是我設(shè)計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。

電路圖如下：

圖1 用于NMOS的驅(qū)動電路

圖2 用于PMOS的驅(qū)動電路

這里我只針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析：

Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。

Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。

R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn)，通過改變這個基準(zhǔn)，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。

Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流，由于導(dǎo)通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進(jìn)行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強(qiáng)烈的負(fù)反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。

這個電路提供了如下的特性：

1，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。

3，gate電壓的峰值限制

4，輸入和輸出的電流限制

5，通過使用合適的電阻，可以達(dá)到很低的功耗。

6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。

一種低電壓高頻率采用自舉電路的BiCMOS驅(qū)動電路 西安電子科技大學(xué) CAD所 潘華兵 來新泉 賈立剛 引言 在設(shè)計便攜式設(shè)備和無線產(chǎn)品時，提高產(chǎn)品性能、延長電池工作時間是設(shè)計人員需要面對的兩個問題。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高、輸出電流大、靜態(tài)電流小等優(yōu)點，非常適用于為便攜式設(shè)備供電。目前DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計技術(shù)發(fā)展主要趨勢有：（1）高頻化技術(shù)：隨著開關(guān)頻率的提高，開關(guān)變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升，動態(tài)響應(yīng)得到改善。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率將上升到兆赫級。（2）低輸出電壓技術(shù)：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來越低，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。

這些技術(shù)的發(fā)展對電源芯片電路的設(shè)計提出了更高的要求。首先，隨著開關(guān)頻率的不斷提高，對于開關(guān)元件的性能提出了很高的要求，同時必須具有相應(yīng)的開關(guān)元件驅(qū)動電路以保證開關(guān)元件在高達(dá)兆赫級的開關(guān)頻率下正常工作。其次，對于電池供電的便攜式電子設(shè)備來說，電路的工作電壓低（以鋰電池為例，工作電壓2.5～3.6V），因此，電源芯片的工作電壓較低。

MOS管具有很低的導(dǎo)通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān)。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達(dá)幾十皮法。這對于設(shè)計高工作頻率DC－DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計提出了更高的要求。

在低電壓ULSI設(shè)計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負(fù)載的驅(qū)動電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作，并且能夠在負(fù)載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達(dá)到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是采用了自舉升壓電路，設(shè)計了一種具有大負(fù)載電容驅(qū)動能力的，適合于低電壓、高開關(guān)頻率升壓型DC－DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路。電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證，在供電電壓1.5V，負(fù)載電容為60pF時，工作頻率能夠達(dá)到5MHz以上。

自舉升壓電路

自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下。

當(dāng)VIN為高電平時，NMOS管N1導(dǎo)通，PMOS管P1截止，C點電位為低電平。同時N2導(dǎo)通，P2的柵極電位為低電平，則P2導(dǎo)通。這就使得此時A點電位約為VDD，電容Cboot兩端電壓UC≈VDD。由于N3導(dǎo)通，P4截止，所以B點的電位為低電平。這段時間稱為預(yù)充電周期。

當(dāng)VIN變?yōu)榈碗娖綍r，NMOS管N1截止，PMOS管P1導(dǎo)通，C點電位為高電平，約為VDD。同時N2、N3截止，P3導(dǎo)通。這使得P2的柵極電位升高，P2截止。此時A點電位等于C點電位加上電容Cboot兩端電壓，約為2VDD。而且P4導(dǎo)通，因此B點輸出高電平，且高于VDD。這段時間稱為自舉升壓周期。

實際上，B點電位與負(fù)載電容和電容Cboot的大小有關(guān)，可以根據(jù)設(shè)計需要調(diào)整。具體關(guān)系將在介紹電路具體設(shè)計時詳細(xì)討論。在圖2中給出了輸入端IN電位與A、B兩點電位關(guān)系的示意圖。

驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)

圖3中給出了驅(qū)動電路的電路圖。驅(qū)動電路采用Totem輸出結(jié)構(gòu)設(shè)計，上拉驅(qū)動管為NMOS管N4、晶體管Q1和PMOS管P5。下拉驅(qū)動管為NMOS管N5。圖中CL為負(fù)載電容，Cpar為B點的寄生電容。虛線框內(nèi)的電路為自舉升壓電路。

本驅(qū)動電路的設(shè)計思想是，利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB>VDD+VTH，則NMOS管N4工作在線性區(qū)，使得VDSN4 大大減小，最終可以實現(xiàn)驅(qū)動輸出高電平達(dá)到VDD。而在輸出低電平時，下拉驅(qū)動管本身就工作在線性區(qū)，可以保證輸出低電平位GND。因此無需增加自舉電路也能達(dá)到設(shè)計要求。

考慮到此驅(qū)動電路應(yīng)用于升壓型DC－DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管驅(qū)動，負(fù)載電容CL很大，一般能達(dá)到幾十皮法，還需要進(jìn)一步增加輸出電流能力，因此增加了晶體管Q1作為上拉驅(qū)動管。這樣在輸入端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，Q1導(dǎo)通，由N4、Q1同時提供電流，OUT端電位迅速上升，當(dāng)OUT端電位上升到VDD－VBE時，Q1截止，N4繼續(xù)提供電流對負(fù)載電容充電，直到OUT端電壓達(dá)到VDD。

在OUT端為高電平期間，A點電位會由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會使得B點電位下降，N4的導(dǎo)通性下降。同時由于同樣的原因，OUT端電位也會有所下降，使輸出高電平不能保持在VDD。為了防止這種現(xiàn)象的出現(xiàn)，又增加了PMOS管P5作為上拉驅(qū)動管，用來補(bǔ)充OUT端CL的泄漏電荷，維持OUT端在整個導(dǎo)通周期內(nèi)為高電平。

驅(qū)動電路的傳輸特性瞬態(tài)響應(yīng)在圖4中給出。其中（a）為上升沿瞬態(tài)響應(yīng)，（b）為下降沿瞬態(tài)響應(yīng)。從圖4中可以看出，驅(qū)動電路上升沿明顯分為了三個部分，分別對應(yīng)三個上拉驅(qū)動管起主導(dǎo)作用的時期。1階段為Q1、N4共同作用，輸出電壓迅速抬升，2階段為N4起主導(dǎo)作，使輸出電平達(dá)到VDD，3階段為P5起主導(dǎo)作用，維持輸出高電平為VDD。而且還可以縮短上升時間，下降時間滿足工作頻率在兆赫茲級以上的要求。

需要注意的問題及仿真結(jié)果

電容Cboot的大小的確定

Cboot的最小值可以按照以下方法確定。在預(yù)充電周期內(nèi)，電容Cboot 上的電荷為VDDCboot。在A點的寄生電容（計為CA）上的電荷為VDDCA。因此在預(yù)充電周期內(nèi)，A點的總電荷為

Q_{A1}=V_{DD}C_{boot}+V_{DD}C_{A}（1）B點電位為GND，因此在B點的寄生電容Cpar上的電荷為0。

在自舉升壓周期，為了使OUT端電壓達(dá)到VDD，B點電位最低為VB＝VDD+Vthn。因此在B點的寄生電容Cpar上的電荷為

Q_{B}=(V_{DD}+V_{thn})Cpar（2）

忽略MOS管P4源漏兩端壓降，此時Cboot上的電荷為VthnCboot，A點寄生電容CA的電荷為（VDD+Vthn）CA。A點的總電荷為

QA2=V_{thn}C_{BOOT}+(V_{DD}+V_{thn})C_{A}（3）

同時根據(jù)電荷守恒又有

Q_{B}=Q_{A}-Q_{A2}（4）

綜合式（1）～（4）可得

C_{boot}=frac{V_{DD}+V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{v_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}=frac{V_{B}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}（5）從式（5）中可以看出，Cboot隨輸入電壓變小而變大，并且隨B點電壓VB變大而變大。而B點電壓直接影響N4的導(dǎo)通電阻，也就影響驅(qū)動電路的上升時間。因此在實際設(shè)計時，Cboot的取值要大于式（5）的計算結(jié)果，這樣可以提高B點電壓，降低N4導(dǎo)通電阻，減小驅(qū)動電路的上升時間。

P2、P4的尺寸問題

將公式（5）重新整理后得：

V_{B}=({V_{DD}-V_{thn})frac{C_{boot}}{Cpar}-V_{thn}frac{C_{A}}{Cpar}（6）

從式（6）中可以看出在自舉升壓周期內(nèi)，A、B兩點的寄生電容使得B點電位降低。在實際設(shè)計時為了得到合適的B點電位，除了增加Cboot大小外，要盡量減小A、B兩點的寄生電容。在設(shè)計時，預(yù)充電PMOS管P2的尺寸盡可能的取小，以減小寄生電容CA。而對于B點的寄生電容Cpar來說，主要是上拉驅(qū)動管N4的柵極寄生電容，MOS管P4、N3的源漏極寄生電容只占一小部分。我們在前面的分析中忽略了P4的源漏電壓，因此設(shè)計時就要盡量的加大P4的寬長比，使其在自舉升壓周期內(nèi)的源漏電壓很小可以忽略。但是P4的尺寸以不能太大，要保證P4的源極寄生電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于上拉驅(qū)動管N4的柵極寄生電容。

阱電位問題

如圖3所示，PMOS器件P2、P3、P4的N-well連接到了自舉升壓節(jié)點A上。這樣做的目的是，在自舉升壓周期內(nèi)，防止他們的源/漏--阱結(jié)導(dǎo)通。而且這還可以防止在源/漏--阱正偏時產(chǎn)生由寄生SRC引起的閂鎖現(xiàn)象。

上拉驅(qū)動管N4的阱偏置電位要接到它的源極，最好不要直接接地。這樣做的目的是消除襯底偏置效應(yīng)對N4的影響。

Hspice仿真驗證結(jié)果

驅(qū)動電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證。在表1中給出了電路在不同工作電壓、不同負(fù)載條件下的上升時間tr和下降時間tf 的仿真結(jié)果。在圖5中給了電路工作在輸入電壓1.5V、工作頻率為5MHz、負(fù)載電容60pF條件下的輸出波形。

結(jié)合表1和圖5可以看出，此驅(qū)動電路能夠在工作電壓為1.5V，工作頻率為5MHz，并且負(fù)載電容高達(dá)60pF的條件下正常工作。它可以應(yīng)用于低電壓、高工作頻率的DC－DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)管的驅(qū)動電路。

結(jié)論

本文采用自舉升壓電路，設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計，可在1.5V電壓供電條件下正常工作，而且在負(fù)載電容為60pF的條件下，工作頻率可達(dá)5MHz以上。該電路已應(yīng)用于某種高性能壓型DC－DC芯片，并已投片。

第四篇：財管優(yōu)缺點總結(jié)

1.公司制企業(yè)的優(yōu)缺點：

優(yōu)點：（1）無限存續(xù)；（2）容易轉(zhuǎn)讓所有權(quán)；（3）有限債務(wù)責(zé)任。缺點：（1）雙重課稅；（2）組建公司的成本高；（3）存在代理問題。

2.營運(yùn)資本管理的目標(biāo)有以下三個：

（1）有效地運(yùn)用流動資產(chǎn)，力求其邊際收益大于邊際成本；（2）選擇最合理的籌資方式，最大限度的流動資金的資本成本；（3）加速流動資金周轉(zhuǎn)，以盡可能少的流動資金支持同樣的營業(yè)收入并保持公司支付債務(wù)的能力。

3.股東財富最大化的優(yōu)點：

（1）股東財富最大化目標(biāo)考慮了現(xiàn)金流量的時間價值和風(fēng)險因素。（2）股東財富最大化在一定程度上能夠克服企業(yè)在追求利潤上的短期行為。

（3）股東財富最大化反映了資本與收益的關(guān)系。

4.增強(qiáng)短期償債能力的表外因素：

（1）可運(yùn)用的銀行貸款指標(biāo)；（2）準(zhǔn)備很快變現(xiàn)的非流動資產(chǎn)；（3）償債能力的聲譽(yù)。

5.降低短期償債能力的表外因素：

（1）與擔(dān)保有關(guān)的或有負(fù)債；（2）經(jīng)營租賃合同中的承諾付款；（3）建造合同、長期資產(chǎn)購置合同中的分期付款。

6.影響長期償債能力的其他因素：

（1）長期租賃；（2）債務(wù)擔(dān)保；（3）未決訴訟。

7.相對價值法市盈率模型的優(yōu)缺點：

優(yōu)點：（1）計算市盈率數(shù)據(jù)容易取得，并且計算簡單；

（2）市盈率把價格和收益聯(lián)系起來，直觀地反映投入和產(chǎn)出的關(guān)系；（3）市盈率涵蓋了風(fēng)險補(bǔ)償率、增長率、股利支付率的影響，具有很高的綜合性。

局限性：（1）如果收益是負(fù)值，市盈率就失去了意義；

（2）市盈率除了受企業(yè)本身基本面的影響以外，還受到整個經(jīng)濟(jì)景氣程度的影響。β值顯著大于1的企業(yè)，經(jīng)濟(jì)繁榮時評估價值被夸大，經(jīng)濟(jì)衰退時評估價值被縮小；β值顯著小于1的企業(yè)，經(jīng)濟(jì)繁榮時評估價值偏低，經(jīng)濟(jì)衰退時評估價值偏高；周期性的企業(yè)，企業(yè)價值可能被歪曲。

適用范圍：市盈率模型最適合連續(xù)盈利，并且β值接近于1的企業(yè)。

8.市價/凈資產(chǎn)比率模型(市凈率模型)的適用性 優(yōu)點：（1）市凈率極少為負(fù)值，可用于大多數(shù)企業(yè)；（2）凈資產(chǎn)賬面價值的數(shù)據(jù)容易取得，并且容易理解；

（3）凈資產(chǎn)賬面價值比凈利穩(wěn)定，也不像利潤那樣經(jīng)常被人為操縱；（4）如果會計標(biāo)準(zhǔn)合理并且各企業(yè)會計政策一致，市凈率的變化可以反映企業(yè)價值的變化。

局限性：（1）賬面價值受會計政策選擇的影響，如果各企業(yè)執(zhí)行不同的會計標(biāo)準(zhǔn)或會計政策，市凈率會失去可比性；

（2）固定資產(chǎn)很少的服務(wù)性企業(yè)和高科技企業(yè)，凈資產(chǎn)與企業(yè)價值的關(guān)系不大，其市凈率比較沒有實際意義；

（3）少數(shù)企業(yè)的凈資產(chǎn)是負(fù)值，市凈率沒有意義，無法用于比較。適用范圍：這種方法主要適用于需要擁有大量資產(chǎn)、凈資產(chǎn)為正值的企業(yè)。

9.市價/收入比率模型(收入乘數(shù)模型)的適用性

優(yōu)點：（1）它不會出現(xiàn)負(fù)值，對于虧損企業(yè)和資不抵債的企業(yè)，也可以計算出一個有意義的價值乘數(shù)；

（2）它比較穩(wěn)定、可靠，不容易被操縱；

（3）收入乘數(shù)對價格政策和企業(yè)戰(zhàn)略變化敏感，可以反映這種變化的后果。

局限性：不能反映成本的變化，而成本是影響企業(yè)現(xiàn)金流量和價值的重要因素之一。

適用范圍：主要適用于銷售成本率較低的服務(wù)類企業(yè)，或者銷售成本率趨同的傳統(tǒng)行業(yè)的企 業(yè)。

10.項目評價的凈現(xiàn)值法優(yōu)缺點：

優(yōu)點：具有廣泛的適用性，在理論上也比其他方法更完善。

缺點：凈現(xiàn)值是個金額的絕對值，在比較投資額不同的項目時有一定的局限性。

11.現(xiàn)值指數(shù)與凈現(xiàn)值的比較：

現(xiàn)值指數(shù)是一個相對數(shù)指標(biāo)，反映投資的效率；而凈現(xiàn)值指標(biāo)是絕對數(shù)指標(biāo)，反映投資的效益。

12.回收期法的優(yōu)缺點：

優(yōu)點：回收期法計算簡便，并且容易為決策人所理解,可以大體上衡量項目的流動性和風(fēng)險。

缺點：不僅忽視了時間價值，而且沒有考慮回收期以后的收益。

13.會計報酬率法的優(yōu)缺點：

優(yōu)點：它是一種衡量盈利性的簡單方法，使用的概念易于理解；使用財務(wù)報告的數(shù)據(jù)，容易取得；考慮了整個項目壽命期的全部利潤。缺點：使用賬面收益而非現(xiàn)金流量，忽視了折舊對現(xiàn)金流量的影響；忽視了凈收益的時間分布對于項目經(jīng)濟(jì)價值的影響。

14.共同年限法和等額年金法的比較：

共同年限法比較直觀，易于理解，但是預(yù)計現(xiàn)金流量的工作很難。等額年金法應(yīng)用簡單，但不便于理解。

兩種方法存在共同的缺點：（1）有的領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步快，目前就可以預(yù)期升級換代不可避免，不可能原樣復(fù)制；（2）如果通貨膨脹比較嚴(yán)重，必須要考慮重置成本的上升，這是一個非常具有挑戰(zhàn)的任務(wù)，對此兩種方法都沒有考慮；（3）從長期來看，競爭會使項目凈利潤下降，甚至被淘汰，對此分析時沒有考慮。

15.固定或持續(xù)增長的股利政策

優(yōu)點：① 穩(wěn)定的股利向市場傳遞公司正常發(fā)展的信息，有利于樹立公司良好的形象，增強(qiáng)投資者對公司的信心，穩(wěn)定股票的價格。② 有利于投資者安排股利收入和支出。

缺點：①股利支付與盈余脫節(jié)。②不能像剩余股利政策那樣保持較低的資本成本。

16.固定股利支付率政策 優(yōu)點：能使股利與公司盈余緊密地配合，以體現(xiàn)多盈多分，少盈少分，無盈不分的原則。

缺點：各年的股利變動較大，極易造成公司不穩(wěn)定的感覺，對穩(wěn)定股票價格不利。

17.低正常股利加額外股利政策

優(yōu)點：（1）這種股利政策使公司具有圈套的靈活性。當(dāng)公司盈余較少或投資需要較多資金時，可維持設(shè)定的較低但正常的股利，股東不會有股利跌落感；而當(dāng)盈余有較大幅度的增加時，則可適度增發(fā)股利，把經(jīng)濟(jì)繁榮的部分利益分配給股東，使他們增強(qiáng)對公司的信心，這有利于穩(wěn)定股票的價格。

（2）這種股利政策可使那些依靠股利度日的股東每年至少可以得到較低、但比較穩(wěn)定的股利收入，從而吸引住這部分股東。

18.股票的各種發(fā)行方式優(yōu)缺點： 公開間接發(fā)行

優(yōu)點：發(fā)行范圍廣，發(fā)行對象多，易于足額籌集資本；股票的變現(xiàn)性強(qiáng)，流通性好；還有助于提高發(fā)行公司的知名度和擴(kuò)大影響力 缺點：手續(xù)繁雜，發(fā)行成本高。不公開直接發(fā)行

優(yōu)點：彈性較大，發(fā)行成本低。缺點：發(fā)行范圍小，股票變現(xiàn)性差

19.股票的不同銷售方式優(yōu)缺點 自行銷售方式

優(yōu)點：發(fā)行公司可直接控制發(fā)行過程，實現(xiàn)發(fā)行意圖，并節(jié)省發(fā)行費(fèi)用 缺點：籌資時間較長，發(fā)行公司要承擔(dān)全部發(fā)行風(fēng)險，并需要發(fā)行公司有較高的知名度、信譽(yù)和實力 委托銷售方式――包銷

優(yōu)點：可及時籌足資本，免于承擔(dān)發(fā)行風(fēng)險 缺點：損失部分溢價，發(fā)行成本高 委托銷售方式――代銷

優(yōu)點：可獲部分溢價收入；降低發(fā)行費(fèi)用。缺點：承擔(dān)發(fā)行風(fēng)險。

20.普通股融資的優(yōu)缺點: 優(yōu)點：（1）沒有固定利息負(fù)擔(dān)；（2）沒有固定到期日；（3）籌資風(fēng)險小；（4）能增加公司的信譽(yù)；（5）籌資限制較少；

（6）在通貨膨脹時普通股籌資容易吸收資金。缺點：（1）普通股的資本成本較高；（2）可能會分散公司的控制權(quán)；

（3）信息披露成本大，也增加了公司保護(hù)商業(yè)秘密的難度；（4）股票上市會增加公司被收購的風(fēng)險；

（5）會降低普通股的每股收益，從而可能引起股價的下跌。

21.長期貸款籌資的特點： 優(yōu)點：籌資速度快，借款彈性好 缺點：財務(wù)風(fēng)險較大，限制條款較多

22.債券的優(yōu)缺點

優(yōu)點：籌資規(guī)模較大，具有長期性和穩(wěn)定性的特點，有利于資源優(yōu)化配置；

缺點：發(fā)行成本高，信息披露成本高，限制條件多。

23.優(yōu)先股籌資的優(yōu)缺點

優(yōu)點：①與債券相比，股利的支付不是一種硬約束，即使不支付股利也不會導(dǎo)致公司破產(chǎn)；

②與普通股相比，發(fā)行優(yōu)先股一般不會稀釋股東權(quán)益；

③優(yōu)先股沒有到期期限，不會減少公司的現(xiàn)金流，不需要償還本金。缺點：①優(yōu)先股股利不可以在稅前扣除，其稅后資本成本高于負(fù)債籌資成本。

②優(yōu)先股股利支付雖然沒有法律約束，但是經(jīng)濟(jì)上的約束使公司傾向于按時支付其股利。因此，優(yōu)先股的股利通常被視為固定成本，從普通股的角度來看，與負(fù)債籌資沒有什么差別，均會增加公司的財務(wù)風(fēng)險并進(jìn)而增加普通股的成本。

24.認(rèn)股權(quán)證籌資的優(yōu)缺點

優(yōu)點：可以降低相應(yīng)債券的利率；

缺點：（1）稀釋每股收益和每股股價；（2）靈活性較差；（3）附帶認(rèn)股權(quán)證債券的承銷費(fèi)用高于普通的債務(wù)融資。

25.可轉(zhuǎn)換債券籌資的優(yōu)缺點

優(yōu)點：①與普通債券相比，可轉(zhuǎn)換債券使得公司能夠以較低的利率取得資金；

②與普通股相比，可轉(zhuǎn)換債券使得公司取得了以高于當(dāng)前股價出售普通股的可能性；③有利于穩(wěn)定股價。

缺點：①股價上漲風(fēng)險；②股價低迷風(fēng)險；③籌資成本高于純債券。

26.平行結(jié)轉(zhuǎn)分步法的優(yōu)缺點：

優(yōu)點：①各步驟可以同時計算產(chǎn)品成本，簡化和加速了成本計算工作； ②能夠直接提供按原始成本項目反映的產(chǎn)成品成本資料，無需進(jìn)行成本還原。

缺點： ①不能提供各個步驟的半成品成本資料；②不能為各個生產(chǎn)步驟在產(chǎn)品的實物和資金管理提供資料；③各生產(chǎn)步驟的產(chǎn)品成本不包括所耗半成品費(fèi)用，不能全面地反映該步驟產(chǎn)品的生產(chǎn)耗費(fèi)水平。

27.逐步結(jié)轉(zhuǎn)分步法的優(yōu)缺點：

優(yōu)點：（1）能夠提供各生產(chǎn)步驟的半成品成本資料；（2）為各生產(chǎn)步驟的在產(chǎn)品實物管理和資金管理提供資料；（3）能夠全面地反映各生產(chǎn)步驟的生產(chǎn)耗費(fèi)水平。

缺點：（1）使用綜合結(jié)轉(zhuǎn)分步法時不能按原始成本項目反映產(chǎn)品成本；（2）各生產(chǎn)步驟不能同時計算產(chǎn)品成本；（3）成本結(jié)轉(zhuǎn)工作量大，特別是采用綜合結(jié)轉(zhuǎn)時，對成本進(jìn)行還原增加了成本核算工作。

第五篇：自我鑒定與優(yōu)缺點

工作自我鑒定

進(jìn)入公司參加工作已經(jīng)有幾個月的時間了，短短的幾個月試用期經(jīng)已接近尾聲。工作以來，在單位領(lǐng)導(dǎo)的精心培育和教導(dǎo)下，通過自身的不斷努力，無論是思想上、學(xué)習(xí)上還是工作上，都取得了長足的發(fā)展和巨大的收獲，下面就是我試用期自我鑒定，也是對自己的工作的表現(xiàn)。

回復(fù)1：工作自我鑒定工作上，無論在總臺、還是在客服部門，都是以客人為先，盡量滿足客人的要求。那時候是學(xué)習(xí)GPS的操作技能，不管在哪個部門，都嚴(yán)格要求自己，刻苦鉆研業(yè)務(wù)，就是憑著這樣一種堅定的信念，爭當(dāng)行家里手。為我以后的工作順利開展打下了良好的基礎(chǔ)。

在學(xué)習(xí)上，嚴(yán)格要求自己，端正工作態(tài)度，作到了理論聯(lián)理實際；從而提高了自身的一專多能的長處及思想文化素質(zhì)，包括生活中也學(xué)到了養(yǎng)成良好的生活習(xí)慣，生活充實而有條理，有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)纳顟B(tài)度和良好的生活作風(fēng)，為人熱情大方，誠實守信，樂于助人，擁有自己的良好做事原則，能與同事們和睦相處。思想上，自覺遵守公司的的規(guī)章制度，堅持參加公司的每次的培訓(xùn)。要求積極上進(jìn)，愛護(hù)公司的一磚一瓦，一直嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度和積極的熱情投身于學(xué)習(xí)和工作中，雖然有成功的淚水，也有失敗的辛酸，然而日益激烈的社會竟?fàn)幰彩刮页浞值卣J(rèn)識到成為一名德智體全面發(fā)展的優(yōu)秀工作者的重要性。

在這段時間里我雖然是學(xué)校那學(xué)習(xí)了一些理論知識，但這一現(xiàn)狀不能滿足工作的需求。為了盡快掌握服務(wù)行業(yè)，每天堅持來到公司學(xué)習(xí)公司制度及理論知識等等，到了工作時間，就和那些前輩們學(xué)習(xí)實際操作及幫忙做點小事情，到了晚上思家的心情與日俱增，那時臺長知道后常給我們開會，聊聊工作的不便及心中的不滿加上自身不足，以給予工作上支持精神上的鼓勵，經(jīng)過較長時間的鍛煉、克服和努力,使我慢慢成為一名合格的員工,就樣度過這幾個月的工作，讓我收獲最多的也就是在服務(wù)的時候，它讓我了解到了人們最基本的交際禮儀，對待客人要熱情、友好、耐心。

雖然只有短短的幾個月，但中間的收獲是不可磨滅的，這與單位的領(lǐng)導(dǎo)和同事們的幫助是分不開的。我始終堅信一句話“一根火柴再亮，也只有豆大的光。但倘若用一根火柴去點燃一堆火柴，則會熊熊燃燒”。我希望用我亮麗的青春，去點燃每一位客人，感召激勵著同事們一起為我們的事業(yè)奉獻(xiàn)、進(jìn)取、創(chuàng)下美好明天。

以下是一份企業(yè)在職員工的工作自我鑒定范文，如果你需要實習(xí)自我鑒定范文，那么請點擊這里。工作以來，在單位領(lǐng)導(dǎo)的精心培育和教導(dǎo)下，通過自身的不斷努力，無論是思想上、學(xué)習(xí)上還是工作上，都取得了長足的發(fā)展和巨大的收獲，現(xiàn)將工作總結(jié)如下：思想上，積極參加政治學(xué)習(xí)，堅持四項基本原則，擁護(hù)黨的各項方針政策，自覺遵守各項法規(guī)。工作上，本人自xxxx年工作以來，先后在某某部門、某某科室、會計科等科室工作過，不管走到哪里，都嚴(yán)格要求自己，刻苦鉆研業(yè)務(wù)，爭當(dāng)行家里手。就是憑著這樣一種堅定的信念，我已熟練掌握儲蓄、會計、計劃、信用卡、個貸等業(yè)務(wù)，成為XX行業(yè)務(wù)的行家里手。記得，剛進(jìn)XX行，為了盡快掌握XX行業(yè)務(wù)，我每天都提前一個多小時到崗，練習(xí)點鈔、打算盤、儲蓄業(yè)務(wù)，雖然那時住處離工作單位要坐車1個多小時，但我每天都風(fēng)雨無阻，特別是冬天，冰天雪地，怕擠不上車，我常常要提前兩、三個小時上班，就是那時起我養(yǎng)成了早到單位的習(xí)慣，現(xiàn)在每天都是第一個到行里，先打掃衛(wèi)生，再看看業(yè)務(wù)書或準(zhǔn)備準(zhǔn)備一天的工作，也是這個習(xí)慣，給了我充足的時間學(xué)習(xí)到更多的業(yè)務(wù)知識，為我?guī)啄陙砉ぷ鞯捻樌_展打下了良好的基礎(chǔ)。我工作過的崗位大部分在前臺，為了能更好的服務(wù)客戶，針對不同層次、不同需求的客戶，我給予不同的幫助和服務(wù)，記得有一位第一次到我行客戶，當(dāng)我了解到他要貸款買二手房時，由于他不知該怎么辦，只是有個想法，我便詳細(xì)地向他介紹了個貸的所有手續(xù)。除了在服務(wù)客戶上我盡心盡力，在行里組織的各項活動中我也積極響應(yīng)，經(jīng)常參加單位組織的各項競賽，展示自我，并取得了優(yōu)異的成績，受到了單位的嘉獎。學(xué)習(xí)上，自從參加工作以來，我從沒有放棄學(xué)習(xí)理論知識和業(yè)務(wù)知識。由于我畢業(yè)財校屬于中專，剛工作我就利用業(yè)余時間自學(xué)大專，并于xx年畢業(yè)，但我沒有滿足于現(xiàn)狀，又于xx年自修東北大學(xué)金融本科，由于學(xué)習(xí)勤奮刻苦，成績優(yōu)良，學(xué)習(xí)中受到老師

當(dāng)你已滿公司規(guī)定的一段時間的試用期后，當(dāng)你已達(dá)到公司試用期的標(biāo)準(zhǔn)時，緊接著便是要轉(zhuǎn)正的工作了。這時給自己最好的總結(jié)就是要進(jìn)行這段時間的工作自我鑒定。如何寫好工作轉(zhuǎn)正自我鑒定呢？以下是試用期轉(zhuǎn)正自我鑒定范文。

時間匆匆轉(zhuǎn)走，現(xiàn)在的工作已經(jīng)漸漸變得順其自然了，這或許應(yīng)該是一種慶幸，是讓我值得留戀的一段經(jīng)歷。一個多月的試用期下來，自己努力了，也進(jìn)步了不少，學(xué)到了很多以前沒有的東西，我想這不僅是工作，更重要的是給了我一個學(xué)習(xí)和鍛煉的機(jī)會。

在各部門的幫助和支持下，我做好統(tǒng)籌及上傳下達(dá)工作，把工作想在前，做在前，無論是工作能力，還是思想素質(zhì)都有了進(jìn)一步的提高，較好地完成了公司宣傳、人事管理、職工培訓(xùn)、檔案管理、后勤服務(wù)及公司保衛(wèi)等多方面的任務(wù)。為了加強(qiáng)對人、財、物的管理，我完善了過去的各種管理制度，突出制度管理，嚴(yán)格照章辦事，進(jìn)一步明確了工作職責(zé)，完善了公章使用、紙張使用、電腦使用、請假、值班等各種常規(guī)管理，充分體現(xiàn)了對事不對人的管理思想，各項工作井然有序。

做好辦公室工作，有較高的理論素質(zhì)和分析解決問題的能力。通過各種途徑進(jìn)行學(xué)習(xí)，為此各辦公室都配備了電腦，利用網(wǎng)上資源學(xué)習(xí)與工作有關(guān)的知識，不斷開闊視野，豐富頭腦，增強(qiáng)能力，以便跟上形勢的發(fā)展，適應(yīng)工作的需要。提高了理論水平、業(yè)務(wù)素質(zhì)和工作能力。

工作上我認(rèn)真、細(xì)心且具有較強(qiáng)的責(zé)任心和進(jìn)取心，勤勉不懈，具有工作熱情；性格開朗，樂于與他人溝通，有很強(qiáng)的團(tuán)隊協(xié)作能力；責(zé)任感強(qiáng)，確實完成領(lǐng)導(dǎo)交付的工作，和公司同事之間能夠通力合作，關(guān)系相處融洽而和睦，配合各部門負(fù)責(zé)人成功地完成各項工作。

在xxx上班的日子里，我漸漸喜歡上了這個地方，喜歡上了這份工作，想在這里慢慢成長成材，成為一名合格的正式xxx里的職工，一個月的學(xué)習(xí)與工作，讓我成長了很多，今后我會繼續(xù)努力，一如既往地保持著優(yōu)良的作風(fēng)，不斷地完善自己，作出一番成績。

如何巧妙介紹自己的優(yōu)缺點

評析：“關(guān)于考生自己”是公務(wù)員面試常見題材?！叭速F有自知之明”。一個人對自己的看法能不能體現(xiàn)出真實性、準(zhǔn)確性、客觀性、全面性，是素質(zhì)能力體現(xiàn)的一個重要因素。在對自己的評價中，首先要充分肯定自己，這樣可以充分突出自己的競爭能力和競爭優(yōu)勢，也給考官們一個堅定、自信的良好印象。但是，要切記：在對自己評價的表述中要真實，不能虛假?？脊僖话愣际侨肆Y源或人事組織部門的專家。在面試之前或面試之中，根據(jù)掌握的信息基本上可以歸納出應(yīng)試者的能力特征。如果應(yīng)試者忽略了這一點，為了達(dá)到求職目標(biāo)而夸夸其談，可能會適得其反。在任何一場面試中，品格特征是考官們最為看重的。如果失去了真實，應(yīng)試者努力也不會取得理想的結(jié)果。在對自己的評價中，要注意運(yùn)用非語言交流技巧，最主要的是把肯定和炫耀區(qū)別開來。人不可能沒有缺點，在談及缺點的時候要概括集中，不要出現(xiàn)過多的缺點描述，過多的否定自己，明明是謙虛，也會影響考官的判斷。談及缺點時，除了說明現(xiàn)已清醒地認(rèn)識到了不足，要特別著重表明有改變?nèi)秉c的信心和方法。在對自己的評價中，不要泛泛而談，最好用事實說明問題。

常見問題解答：

1、你認(rèn)為你自己有哪些優(yōu)點，你認(rèn)為你比較適合做哪些工作？

參考答案：該題沒有標(biāo)準(zhǔn)答案，考生要根據(jù)自己的情況應(yīng)答，以下是幾種優(yōu)點與其所對應(yīng)的工作，供考生參考。

第一，性格內(nèi)向，辦事認(rèn)真，適合做文秘、財會工作；

第二，性格外向，善于交際，適合做公關(guān)、營銷工作；

第三，勤奮好學(xué)，善于總結(jié)，適合做教學(xué)、科研工作；

第四，責(zé)任心強(qiáng)，善于助人，適合做服務(wù)、保障工作；

第五，公正無私，處事公道，適合做執(zhí)法、行管工作；

第六，吃苦耐勞，愛崗敬業(yè)，是做好一切工作的基礎(chǔ)；

第七，和諧處人，服從領(lǐng)導(dǎo)，是做好一切工作的前提；

第八，專業(yè)過硬，學(xué)用結(jié)合，是做好一切工作的條件；

第九，適應(yīng)環(huán)境，虛心好學(xué)，是做好一切工作的要素。

2、你有何特長？

參考答案：該題沒有標(biāo)準(zhǔn)答案，考生要根據(jù)自己的情況應(yīng)答，以下是幾種特長的描述，供考生參考。

第一，我的性格較偏向文靜，待人熱情，彬彬有禮，辦事穩(wěn)重認(rèn)真，有事業(yè)心。我覺得這個特長為做辦公室、文秘等工作打下了基礎(chǔ)；

第二，我的計算機(jī)操作能力較強(qiáng)，通過了計算機(jī)二級（或其它級別）等級考試，喜歡編程，對計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、辦公自動化知識有所了解，我覺得這個特長是做好公務(wù)員工作必備的技能之一；

第三，我善于寫作，文字寫作基礎(chǔ)扎實（如果發(fā)表過文章可以列出），寫作是公務(wù)的基本功之一；

第四，我在文體方面有特長（有什么特長，取得過什么級別及證書），車輛駕駛有什么級別的駕駛證，我覺得幾個特長對做好公務(wù)員工作有所幫助；

第五，外語（或其它語種）有特長（取得過什么級別及證書），隨著改革開放的進(jìn)展，我的這個特長將來會有用武之地；

第六，我的語言表達(dá)能力強(qiáng)，普通話說的好，我覺得這個特長是做好公務(wù)員工作必備的基本功之一。

3、能談?wù)勀愕娜秉c嗎？

參考答案：該題沒有標(biāo)準(zhǔn)答案，考生要根據(jù)自己的情況應(yīng)答，關(guān)鍵是回答缺點既要要結(jié)合本人實際，又要回避本崗位的特點，把缺點轉(zhuǎn)化為優(yōu)點，以下是幾種供缺點的回答，考生參考。

第一，我不太善于過多的交際，尤其是和陌生人交往有一定的難度。這雖然是缺點，但是說明你交友慎重；

第二，我辦事比較死板，有時容易和人較真。這雖然是缺點，但是說明你比較遵守單位既定的工作規(guī)范，有一定的原則性；

第三，我什么知識或?qū)I(yè)都想學(xué)，什么也沒學(xué)精。這雖然是缺點，但是說明你比較愛學(xué)習(xí)，知識面比較廣；

第四，我對社會上新興的生活方式或流行的東西接受比較慢。這雖然是缺點，但是說明你比較傳統(tǒng)，不盲目跟隨潮流；

第五，我對我認(rèn)為不對的人或事，容易提出不同意見，導(dǎo)致經(jīng)常得罪人。這雖然是缺點，但是說明你比較有主見，有一定的原則性；

第六，我辦事比較急，準(zhǔn)確性有時不夠。這雖然是缺點，但是說明你完成工作速度較快；

第七，對自己從事工作存在的困難，自己琢磨的多，向同事或領(lǐng)導(dǎo)請教的少。這雖然是缺點，但是說明你獨(dú)立完成工作任務(wù)的能力較強(qiáng)；

4、如果你遇到了挫折你將怎么辦？

參考答案：第一，對挫折要有一個正確的認(rèn)識。事業(yè)有成一帆風(fēng)順時許多人的美好想法,其實很難做到一帆風(fēng)順,要接受這樣一個現(xiàn)實,人的一生不可能是一帆風(fēng)順的,成功的背后會有許許多多的艱辛,痛苦甚至挫折.在人生的一段時期遇到一些挫折是很正常的.只有經(jīng)驗知識和經(jīng)歷的積累才能塑造出一個成功者，許多偉大的成功者，都經(jīng)受過挫折的磨難（舉例說明）；

第二，要敢于面對.哪里跌倒要從哪里爬起來,不要懼怕困難,要敢于向困難挑戰(zhàn)；

第三，要認(rèn)真分析失敗的原因,尋根究源,俗話說失敗乃成功之母,在挫折中掌握教訓(xùn),為下一次奮起提供經(jīng)驗.還有在平時的工作生化中要加強(qiáng)學(xué)習(xí),人的一生是有限的,不可能經(jīng)歷所有的事,要在別人的經(jīng)驗吸取教訓(xùn).最后可能由于當(dāng)局者迷或者知識經(jīng)歷的不足,自己對于挫折并沒有特別好的處理方法,這是可以求教自己的親人朋友,群策群力渡過難關(guān)。