第一篇：真空鍍膜工藝的原理與實踐實驗報告

實驗報告

實驗名稱：真空鍍膜工藝的原理與實踐

實驗目的：了解真空鍍膜的工藝原理和過程，拓展學生視野鍛煉其動手能力。實驗裝置：本實驗采用北京中科科儀生產(chǎn)的SBC-2型多功能試樣表面處理機，該處理機是為掃描電鏡和電子探針等進行試樣制備的設(shè)備，可進行真空蒸碳、真空鍍膜和離子濺射，它也可以在高純氬氣的保護之下進行多種離子處理。用本設(shè)備處理的試樣既可用于樣品的外貌觀察又可以進行成分分析，尤其是成分的定量分析更為適宜。本儀器裝有分子泵，分子泵系統(tǒng)特別適用于對真空要求高、真空環(huán)境好的用戶選用。

實驗方案及操作：

1.按真空鍍膜零部件圖（圖1）安裝所需零部件，其中試樣放在樣品杯上

2.在金屬蒸發(fā)頭電極上接上鎢絲加熱器，將鎢絲做成Ⅴ型。

3.將待蒸發(fā)物纏到鎢絲上。

4.接金屬蒸發(fā)頭引線，蓋上鐘罩，對鐘罩抽真空使其真空度達到 7×10-1 ―1.0×10-2Pa。

5.把“蒸發(fā)電極選擇開關(guān)”（8）選取在鎢絲所置的電極序號上。

6.按動“檔板按鈕開關(guān)”（12），當擋板處于擋住位置時，立即松開。

7.打開“試樣旋轉(zhuǎn)開關(guān)”（10），調(diào)節(jié)“試樣轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)”旋鈕（11），使它以適當?shù)乃俣刃D(zhuǎn)。

8.旋轉(zhuǎn) “加熱電流調(diào)節(jié)” 旋鈕（9），使鎢絲加熱呈赤紅狀態(tài)，鍍膜物質(zhì)開始熔融后，退去加熱電流。

9.按動“檔板開關(guān)按鈕”（12），使擋板打開。

10.進一步旋轉(zhuǎn) “加熱電流調(diào)節(jié)” 旋鈕（9），使加熱器呈發(fā)光狀態(tài)。

11.當鍍膜物質(zhì)全部蒸發(fā)完后，使“蒸發(fā)電極選擇開關(guān)”（8）、“加熱電流調(diào)節(jié)”（9）、“試樣旋轉(zhuǎn)開關(guān)”（10）、“檔板開關(guān)按鈕”（12）等復位到 “0” 處或關(guān)閉。

12.按“放氣按鍵”（4），對鐘罩內(nèi)放氣，取出試樣。

※ 每次蒸鍍金屬完畢，一定將零件墊片、墊塊、墊柱、有機玻璃螺釘、玻璃罩等上的殘余金屬膜完全清洗干凈，或者在蒸鍍時對其進行遮蓋保護，使其不被蒸上金屬，否則金屬膜將影響離子處理時加高壓

實驗結(jié)果：

1樣品被鍍上被蒸發(fā)金屬，并且樣品表面的金屬光澤隨鍍層厚度的增加而逐漸呈現(xiàn)出鍍層j金屬的光澤。

2玻璃罩，電極柱，墊片和墊柱等因被鍍上金屬而呈現(xiàn)黑色。

實驗感想：通過這次實驗，我了解了相關(guān)技術(shù)，見識了許多高科技儀器，增長知識，了解科技前沿相關(guān)領(lǐng)域。這對我日后專業(yè)研究方向有指導作用。實驗中，我了解到有關(guān)真空鍍膜的相關(guān)工藝，實驗外部條件的重要性。

第二篇：11180131真空鍍膜實驗報告

郝樂彬 物理111近代物理實驗 11180131 真空鍍膜

預習報告

摘要：真空鍍膜也叫物理氣相沉積（PVD：physics vaporous deposit），它是利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)或在受到粒子束轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實現(xiàn)物質(zhì)從源物質(zhì)到薄膜的可控的原子轉(zhuǎn)移過程。物理氣相沉積技術(shù)中最為基礎(chǔ)的兩種方法就是蒸發(fā)法和濺射法。本實驗中用到的是蒸發(fā)鍍膜法來進行真空鍍膜。從而了解真空鍍膜的原理和操作。

關(guān)鍵詞：真空鍍膜

原子轉(zhuǎn)移

氣象沉積技術(shù)

蒸發(fā)法

引

言：真空鍍膜也叫物理氣相沉積（PVD：physics vaporous deposit），它是利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)或在受到粒子束轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實現(xiàn)物質(zhì)從源物質(zhì)到薄膜的可控的原子轉(zhuǎn)移過程。物理氣相沉積技術(shù)中最為基礎(chǔ)的兩種方法就是蒸發(fā)法和濺射法。在薄膜沉積技術(shù)發(fā)展的最初階段，由于蒸發(fā)法相對濺射法具有一些明顯的優(yōu)點，包括較高的沉積速度，相對較高的真空度以及由此導致的較高的薄膜質(zhì)量等，因此蒸發(fā)法受到了相對較大程度的重視。但另一方面，濺射法也具有自己的一些優(yōu)勢，包括在沉積多元合金薄膜時化學成分容易控制，沉積層對襯底的附著力較好等。同時，現(xiàn)代技術(shù)對于合金薄膜材料的需求也促進了各種高速濺射方法以及高鈍靶材，高鈍氣體制備技術(shù)的發(fā)展，這些都使得濺射法制備的薄膜質(zhì)量得到了很大的改善。如今，由于氣相中各組分能夠充分的均勻混合，制備的材料組分均勻，易于摻雜，制備溫度低，適合大尺寸薄膜的制備，并且能夠在形狀不規(guī)則的襯底上生長薄膜等優(yōu)點，不僅上述兩種物理氣相沉積方法已經(jīng)大量應用于各個技術(shù)領(lǐng)域之中，而且為了充分利用這兩種方法各自的優(yōu)點，還開發(fā)出了許多介于上述兩種方法之間的新的薄膜沉積技術(shù)。

? 基本原理

真空鍍膜是在真空室中進行的（一般氣壓低于1.3×10-2Pa），當需要蒸發(fā)的材料（金屬或電介質(zhì)）加熱到一定溫度時，材料中分子或原子的熱振動能量可增大到足以克服表面的束縛能，于是大量分子或原子從液態(tài)或直接從固態(tài)（如SiO2、ZnS）汽化。當蒸汽粒子遇到溫度較低的工件表面時，就會在被鍍工件表面沉積一層薄膜。

以下僅就源加熱方式、真空度對膜層質(zhì)量的影響及蒸發(fā)源位置對薄膜均勻性的影響等問題作簡要說明。

(a)(b)為電阻型源加熱器，它們由高熔點的金屬做成線圈狀（稱為絲源）或舟狀（稱為舟源）。加熱源上可承載被蒸發(fā)材料。由于掛在絲源上的被蒸發(fā)物質(zhì)（如鋁絲）可形成向各個方面發(fā)射的蒸汽流，因此絲源可用為點源，而舟源則可近似圍內(nèi)發(fā)射的面源。對于不同的被蒸材料，可選取由不同材料做成，形狀各異的加熱器。其 郝樂彬 物理111近代物理實驗 11180131 選取原則為：

a.加熱器所用材料有良好的熱穩(wěn)定性，其化學性質(zhì)不活潑，在達到蒸發(fā)溫度時，加熱器材料本身的蒸汽壓要足夠低。

b.加熱器材料的熔點要高于被蒸發(fā)物的蒸發(fā)溫度，加熱器要有足夠大的熱容量。c.要求線圈裝加熱器所用材料熱能與蒸發(fā)物有良好的浸潤，有較大的表面張力。d.被蒸發(fā)物與加熱器材料的互溶性必須很低，不產(chǎn)生合金。

e.對于不易制成絲狀，或被蒸發(fā)物與絲狀加熱器的表面張力較小時，可采用舟狀加熱器。日前常用鎢絲加熱器蒸發(fā)鋁，用鉬舟加熱器蒸發(fā)銀、金、硫化鋅、氟化鎂等材料，與電阻器配合的關(guān)鍵部件是低壓大電流變壓器，對不同的蒸發(fā)材料及加熱器可將電流分配塞置于相應位置，以保證獲得合適的功率。電阻源加熱器具有簡便、設(shè)備成本低等優(yōu)點，但由于加熱器與蒸發(fā)物在電阻加熱器上的裝載量不能太多，因此所蒸膜厚也將受到限制。圖1(c)是一種電子束蒸發(fā)源的示意圖。它是利用高電壓加速并聚焦的電子束經(jīng)磁偏轉(zhuǎn)，在真空中直接打到蒸發(fā)源表面，使蒸發(fā)物表面的局部溫度升高并溶化來實現(xiàn)真空沉積的。電子束可使熔點高達3000℃以上的材料熔化。電子束蒸發(fā)時，蒸發(fā)物中心局部熔融并為汽化時，其邊緣部分仍處于固體狀態(tài)，這樣就可避免蒸發(fā)物與坩堝的反映，保證蒸發(fā)物不受沾污。（2）物質(zhì)的蒸發(fā)速度

在一定的溫度下，每種液體或固體物質(zhì)都有特定的平衡蒸氣壓。只有當環(huán)境中被蒸發(fā)物 質(zhì)的分壓降低到它們的平衡蒸氣壓以下時，才可能有物質(zhì)的凈蒸發(fā)。單位源物質(zhì)表面上物質(zhì) 的凈蒸發(fā)速率為（詳細推導見參考文獻2，P4）：

其中，Γ為單位物質(zhì)表面的質(zhì)量蒸發(fā)速度，M為分子或原子的相對原子質(zhì)量，T 是氣體的熱力學溫度，R 為氣體常數(shù)，NA 為阿伏伽德羅（Avogadro）常數(shù)。由于物質(zhì)的平衡蒸氣壓隨著溫度的上升增加很快，因而對物質(zhì)蒸發(fā)速度影響最大的因素是蒸發(fā)源的溫度。（3）真空度對膜層質(zhì)量的影響。

真空鍍膜對真空度的要求是出于以下兩方面的考慮：

a.真空度足夠高，可以使蒸汽分子以射線狀從蒸發(fā)源向基體發(fā)射。這樣可以使蒸發(fā)材料的利用率及沉積速率大大提高。在正常工作時要求真空室內(nèi)氣體分子的平均自由程比蒸發(fā)源到被鍍基體的距離大得多。真空室內(nèi)殘余氣體分子的平均自由程可以由下式表示：

其中，n 為單位體積內(nèi)氣本分子數(shù)，σ為氣體分子的有效直徑。此式表明，氣體分子平均自 由程決定于單位體積內(nèi)的分子數(shù)n，由于n 正比于氣體壓強P，因此λ與P 成反比，或者說，氣體分子自由程與真空度成正比。一般要求氣體分子平均自由程是源到基體距離（h）的2～3倍，因此對于h =20cm的真空鍍膜機，要求其真空度為10帕至10帕。b.如果沒有足夠高度的真空度，真空室內(nèi)的殘余氣體分子可能是很可觀的。由空氣動力學可

?2?3郝樂彬 物理111近代物理實驗 11180131 知，當氣壓為1.3×10帕時,每平方厘米基體表面，每秒鐘內(nèi)，可有5×10個氣體分子與其發(fā)生碰撞。由于殘余氣體中包含各種氣體成份，尤其是氧等氣體分子容易被基體吸附后改變膜層的結(jié)構(gòu)和成份，因此在真空鍍膜時必須保持一足夠高的真空度。（4）蒸發(fā)源位置與薄膜的均勻性。

由理論分析可知，當一個點源放在一個半徑為r 的球心位置時，則在整個球面上得到的沉積層厚度是均勻的。實際的蒸發(fā)源總有一定線度，不能看成理想的點源，因此球面上的淀積量不可能很均勻，線度越大，均勻性越差。此外，基體也不可能恰好是半徑為r的球面，它們常常是一些平面或有特定曲率半徑的曲面，這也影響了鍍層的均勻性。為了使鍍層有良好的均勻性，目前常用的方法是使載工件的平面繞圖2 所示的oo'軸轉(zhuǎn)動，把一小面源置于距中心為R 的位置上，這樣可使均勻性得到改善。更精良的設(shè)計是將工件盤做成既能自轉(zhuǎn)（繞o'軸），又能公轉(zhuǎn)（繞o 軸）的行星盤結(jié)構(gòu)（如圖3 所示），這種結(jié)構(gòu)對膜層的均勻性是更為有利的。

? 實驗部分

動手操作前認真學習講義及有關(guān)資料，熟悉鍍膜機和有關(guān)儀器的結(jié)構(gòu)及功能、操作程序與注意事項。

（1）準備基底：清洗載玻片，在潔凈的載玻片上均勻涂上硅油。（2）鍍膜室的清理與準備。先向鐘罩內(nèi)充氣一段時間，然后升鐘罩，裝好基片、電極鎢絲和鋁絲，清理鍍膜室（壁上的沉積物可以用丙酮清洗），降下鐘罩。

（3）把需要蒸鍍的材料銀放入真空室中的鉬舟中，并在真空室頂部裝好基底，關(guān)好真空室。（4）開機械泵，開啟復合真空計中的電偶計（注意電離計保持關(guān)閉狀態(tài)）（5）間隔的拉動三通閥，使得儲氣桶和真空室的真空度底于6.7pa。

（6）打開冷卻水，加熱油擴散泵越為40分鐘。（在保證4、5隨即正常進行的前提下，4、6可以同時進行，以節(jié)省時間。否則必須在5進行后才能進行6。（7）將三通閥推至死點，開啟高真空碟閥。?315郝樂彬 物理111近代物理實驗 11180131（8）當熱偶計示數(shù)小于0。1pa時，開啟電離計，轉(zhuǎn)向高真空測量。

（9）注意電離計示數(shù)的變化，同時電離計轉(zhuǎn)換測量檔。直到達到所需的壓強為止（約為10?2?10?3pa）。

（10）開啟版面上的“鍍膜”逐漸轉(zhuǎn)動“燈絲—鍍膜調(diào)節(jié)”加大電流，給鉬舟電，鉬舟漸漸發(fā)紅，舟中的蒸發(fā)物開始液化，逐漸蒸發(fā)完。過幾秒時間，關(guān)掉電流和鍍膜開關(guān)。（11）關(guān)掉電離計，關(guān)碟閥。

（12）停止油擴散泵加熱，關(guān)復合真空計。

（13）冷卻數(shù)分鐘之后，對真空室沖氣，打開真空室，取出被鍍樣品。（14）關(guān)好真空室，對容器抽低真空3—5分鐘。（15）在顯微鏡下觀察液面薄膜。

（16）油擴散泵冷卻至室溫后，停止機械泵，切斷水源和電源，全部工作完成。

? 實驗結(jié)果處理（實驗數(shù)據(jù)

實驗中最后得到的鍍膜電流為40A，由于鍍膜過程中包含金屬錫絲熔化過程，且肉眼無法直接觀察真空室內(nèi)金屬錫絲,只能定性的觀察紅光或者從側(cè)面已成膜的地方觀察,因而40A可能并不是真正的鍍膜電流，是靠主觀定性觀察所得。

下面為實驗鍍膜情況 實驗結(jié)論

實驗中完成真空的獲得后，開始鍍膜，慢慢調(diào)大鍍膜電流，發(fā)現(xiàn)真空室慢慢出現(xiàn)紅光，觀察到紅光被部分遮擋或者從側(cè)面看出現(xiàn)類似鏡子側(cè)面的紫光時，鍍膜完成。第一次實驗失敗，發(fā)現(xiàn)玻片上只有很薄的鍍膜痕跡，經(jīng)過分析，原因在控制鍍膜電流時操之過急，導致金屬錫絲沒有全部熔化，熔斷后掉落在真空室中。第兩次實驗大致成功，分析鍍膜成果（見實驗數(shù)據(jù)中的圖片），發(fā)現(xiàn)鍍膜比較清晰，厚度可以，只是出現(xiàn)不均勻現(xiàn)象。經(jīng)分析我認為，原因是在放置金屬錫絲的使用，鎢絲一側(cè)較多，一側(cè)比較少，加之金屬錫絲是線性的，導致鍍膜出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象。郝樂彬 物理111近代物理實驗 11180131 實驗所得鍍膜電流為40A，由于鍍膜過程中包含金屬錫絲熔化過程，且肉眼無法直接觀察真空室內(nèi)金屬錫絲,只能定性的觀察因而40A可能并不是真正的鍍膜電流，是靠主觀定性觀察所得。

本實驗在上個學期的實驗基礎(chǔ)上，加上了鍍膜部分，總體思想是學習一種方法，見識一項工藝，領(lǐng)會一門技術(shù)。通過實驗，我們大致了解了實驗中的各項操作，明白了各步實驗操作的目的，對于實驗理論的理解也更加深刻了。

第三篇：涂料與涂裝工藝綜合實踐(實驗報告)

涂料與涂裝工藝綜合實踐

——學生實驗報告

1.實驗一 —— 碳鋼表面的噴砂試驗 2.實驗二 —— 碳鋼表面的噴涂試驗 3.實驗三 —— 漆膜性能檢測試驗

上海海事大學 陳燕瓏 材料科學與工程

第四篇：數(shù)據(jù)庫原理實驗報告

南 京 曉 莊 學 院

《數(shù)據(jù)庫原理與應用》

課程實驗報告

實驗一 SQL Server 2005常用服務(wù)與實用工具實驗

所在院(系): 數(shù)學與信息技術(shù)學院 班級：

學號：

姓名：

１.實驗目的

(1)了解Microsoft 關(guān)系數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)SQL Server的發(fā)展歷史及其特性。(2)了解SQL Server 2005的主要組件、常用服務(wù)和系統(tǒng)配置。

(3)掌握Microsoft SQL Server Management Studio 圖形環(huán)境的基本操作方法。了解使用“SQL Server 2005 聯(lián)機從書”獲取幫助信息的方法；了解“查詢編輯器”的使用方法；了解模板的使用方法。

2.實驗要求

(1)收集整理Microsoft關(guān)系數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)SQL Server的相關(guān)資料，總結(jié)其發(fā)展歷史及SQL Server 2005主要版本類別和主要功能特性。

(2)使用SQL Server配置管理器查看和管理SQL Server 2005服務(wù)。

(3)使用Microsoft SQL Server Management Studio連接數(shù)據(jù)庫；使用SQL Server幫助系統(tǒng)獲得所感興趣的相關(guān)產(chǎn)品主題/技術(shù)文檔。

(4)使用Microsoft SQL Server Management Studio“查詢編輯器”編輯并執(zhí)行Transact-SQL查詢語句。

(5)查看Microsoft SQL Server 2005模板，了解模板的使用方法。(6)按要求完成實驗報告。

3.實驗步驟、結(jié)果和總結(jié)實驗步驟/結(jié)果

(1)簡要總結(jié)SQL Server系統(tǒng)發(fā)展歷史及SQL Server 2005主要版本類別與主要功能特性。

(2)總結(jié)SQL Server Management Studio的主要操作方法。

(3)總結(jié)查詢編輯器的功能和主要操作方法,并舉例說明。

(4)總結(jié)“模板”的使用方法，并舉例說明。

4．實驗思考：

查詢相關(guān)資料，簡要描述SQL Server 2005的主要服務(wù)。

第五篇：通信原理實驗報告

一、設(shè)計目的和意義1、2、3、熟練地掌握matlab在數(shù)字通信工程方面的應用。了解信號處理系統(tǒng)的設(shè)計方法和步驟。

理解2FSK調(diào)制解調(diào)的具體實現(xiàn)方法，加深對理論的理解，并實現(xiàn)2FSK的調(diào)制解調(diào)，畫出各個階段的波形。

4、5、學習信號調(diào)制與解調(diào)的相關(guān)知識。

通過編程、調(diào)試掌握matlab軟件的一些應用，掌握2FSK調(diào)制解調(diào)的方法，激發(fā)學習和研究的興趣；

二、設(shè)計原理

1．2FSK介紹：

數(shù)字頻率調(diào)制又稱頻移鍵控（FSK），二進制頻移鍵控記作2FSK。數(shù)字頻移鍵控是用載波的頻率來傳送數(shù)字消息，即用所傳送的數(shù)字消息控制的頻率。

2．2FSK調(diào)制原理

2FSK調(diào)制就是使用兩個不同的頻率的載波信號來傳輸一個二進制信息序列。可以用二進制“1”來對應于載頻f1，而“0”用來對應于另一相載頻w2的已調(diào)波形，而這個可以用受矩形脈沖序列控制的開關(guān)電路對兩個不同的獨立的頻率源w1、f2進行選擇通。本次課程設(shè)計采用的是前面一種方法。如下原理圖：

圖2 調(diào)制原理框圖 3．2FSK解調(diào)原理

2FSK的解調(diào)方式有兩種:相干解調(diào)方式和非相干解調(diào)方式，本次課程設(shè)計采用的是相干解調(diào)方式。根據(jù)已調(diào)信號由兩個載波f1、f2調(diào)制而成，相干解調(diào)先用兩個分別對f1、f2帶通的濾波器對已調(diào)信號進行濾波，然后再分別將濾波后的信號與相應的載波f1、f2相乘進行相干解調(diào)，再分別低通濾波、用抽樣信號進行抽樣判決器即可其原理如下：

圖3 相干解調(diào)原理框圖

三、詳細設(shè)計步驟

本試驗采用兩種方式實現(xiàn)FSK的調(diào)制 方式一：

產(chǎn)生二進制隨機的矩形基帶信號，再對基帶信號進行取反，得到反基帶信號。分別用不同頻率的載頻對它們進行調(diào)制。2FSK信號便是符號“1”對應于載頻f1，而符號“0”對應于載頻f2（與f1不同的另一載頻）的已調(diào)波形，而且f1與f2之間的改變是瞬間完成的。

其表達式為：

e2FSK(t)?{Acos(?1t??n)Acos(?2t??n)

典型波形如下圖所示。由圖可見,2FSK信號可以看作兩個不同載頻的ASK信號的疊加。因此2FSK信號的時域表達式又可以寫成：s2FSK(t)?[?ang(t?nTs)]cos(?1t??n)?[?ang(t?nTs)]cos(?2t??n)nn_

zak s1(t)1011001t s2(t)tcos(w1t+θn)tcos(w2t+φn)ts1(t)cos(w1t+θn)t s2(t)cos(w2t+φn)t2FSK信號t

圖1 原理框圖 方式一源代碼與實驗結(jié)果： clear all close all Fc=10;%載頻

Fs=100;%系統(tǒng)采樣頻率 Fd=1;%碼速率 N=Fs/Fd;df=10;M=2;i=10;%基帶信號碼元數(shù) j=5000;a=round(rand(1,i));%產(chǎn)生隨機序列 t=linspace(0,5,j);f1=10;%載波1頻率 f2=5;%載波2頻率 fm=i/5;%基帶信號頻率 B1=2*f1;%載波1帶寬 B2=2*f2;%載波2帶寬

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%產(chǎn)生基帶信號 st1=t;for n=1:10 if a(n)<1;for m=j/i*(n-1)+1:j/i*n st1(m)=0;end else for m=j/i*(n-1)+1:j/i*n st1(m)=1;end end end st2=t;%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%基帶信號求反 for n=1:j;if st1(n)>=1;st2(n)=0;else st2(n)=1;end end;figure(1);subplot(411);plot(t,st1);title('基帶信號');axis([0,5,-1,2]);subplot(412);plot(t,st2);title('基帶信號反碼');axis([0,5,-1,2]);%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%載波信號 s1=cos(2*pi*f1*t);s2=cos(2*pi*f2*t);subplot(413)plot(s1);title('載波信號1');subplot(414), plot(s2);title('載波信號2');%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%調(diào)制 F1=st1.*s1;%加入載波1 F2=st2.*s2;%加入載波2 figure(2);subplot(311);plot(t,F1);title('s1*st1');subplot(312);plot(t,F2);title('s2*st2');e_fsk=F1+F2;%合成調(diào)制信號 subplot(313);plot(t,e_fsk);%畫出調(diào)制信號 title('2FSK信號')figure(3)title('加噪后的信號')xlabel('Time');ylabel('Amplitude');e_fsk=awgn(e_fsk,60);%對調(diào)制信號加入噪聲 plot(t,e_fsk);

方式二：

直接用2FSK的調(diào)制與解調(diào)函數(shù)dmod與ddemod函數(shù)對信號進行調(diào)制與解調(diào)，用加噪函數(shù)awgn對已調(diào)信號進行加噪，再用求誤碼率函數(shù)symerr 和simbasebandex求出誤碼率和信噪比并畫出其圖像。方式二源代碼與實驗結(jié)果：

Fc=10;

%載頻

Fs=100;

%系統(tǒng)采樣頻率

Fd=1;

%碼速率

N=Fs/Fd;

df=10;

numSymb=25;%進行仿真的信息代碼個數(shù) M=2;

%進制數(shù)

SNRpBit=60;%信噪比

SNR=SNRpBit/log2(M);

seed=[12345 54321];

numPlot=25;

%產(chǎn)生25個二進制隨機碼

x=randsrc(numSymb,1,[0:M-1]);%產(chǎn)生25個二進制隨機碼

figure(1)

stem([0:numPlot-1],x(1:numPlot),'bx');

title('二進制隨機序列')

xlabel('Time');

ylabel('Amplitude');

y=dmod(x,Fc,Fd,Fs,'fsk',M,df);%產(chǎn)生調(diào)制信號 numModPlot=numPlot*Fs;

t=[0:numModPlot-1]./Fs;

figure(2)

plot(t,y(1:length(t)),'b-');%畫出調(diào)制信號 axis([min(t)max(t)-1.5 1.5]);

title('調(diào)制后的信號')

xlabel('Time');

ylabel('Amplitude');

randn('state',seed(2));

y=awgn(y,SNR-10*log10(0.5)-10*log10(N),'measured',[],'dB');%在已調(diào)信號中加入高斯白噪聲

figure(3)

plot(t,y(1:length(t)),'b-');%畫出經(jīng)過信道的實際信號

axis([min(t)max(t)-1.5 1.5]);

title('加入高斯白噪聲后的已調(diào)信號')

xlabel('Time');

ylabel('Amplitude');%相干解調(diào)

z1=ddemod(y,Fc,Fd,Fs,'fsk',M,df);

%帶輸出波形的相干M元頻移鍵控解調(diào)

figure(4)stem([0:numPlot-1],z1(1:numPlot),'ro')axis([0 numPlot-0.5 1.5]);title('相干解調(diào)后的信號')xlabel('Time');

ylabel('Amplitude');figure(5)

stem([0:numPlot-1],x(1:numPlot),'bx');

hold on;

stem([0:numPlot-1],z1(1:numPlot),'ro');

hold off;

axis([0 numPlot-0.5 1.5]);

title('相干解調(diào)后的信號原序列比較')legend('原輸入二進制隨機序列','相干解調(diào)后的信號')

xlabel('Time');

ylabel('Amplitude');%誤碼率統(tǒng)計

[errorSym ratioSym]=symerr(x,z1);figure(6)

simbasebandex([0:1:5]);

title('相干解調(diào)后誤碼率統(tǒng)計')

實驗總結(jié)：