第一篇：電子元器件供應(yīng)與采購習慣趨勢分析

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電子元器件供應(yīng)與采購習慣趨勢分析劉杰博士：謝謝李先生，特別是臺灣方言講零組件，以后發(fā)展組件的概念將會更突出。我們今天下午最后一個發(fā)言是我跟大家分享一下，我們有關(guān)采購行為的一個調(diào) 查。我在這里把我們主要的研究發(fā)現(xiàn)跟大家分享一下，因為過去在集成電路做過比較的分析，我們電子元件做的比較少，所以這次我們做了一下。

我們這個調(diào)查主要是去研究一下大家對供應(yīng)商的選擇是什么樣的標準，對國內(nèi)的供應(yīng)商和國際的供應(yīng)商的情況做一些分析。一方面我們幫助電子元件需求一方，就是 設(shè)計工程師采購工程師跟我們分享一下采購的經(jīng)驗，不單單是價錢。另外一方面我也非常想幫助電子元件的制造商在制定市場策略的時候有一些幫助。我想了解一下 這里有多少是來自于電子元件制造商的？來自分銷商的呢？來自整機廠的呢？

我們這是一個采購需求的調(diào)查，我們希望能夠幫助設(shè)計工程師采購工程師去改善采購的效率。我們所有的元件問卷來自于制造商比較多，然后研發(fā)工程師占一半，采 購占四分之一，還有生產(chǎn)管理這樣一些環(huán)節(jié)。從大家從事的產(chǎn)品來看，有一半是3C的產(chǎn)品，然后有二分之一是高新技術(shù)產(chǎn)品，這些人對價錢不是特別敏感。我們做 高新產(chǎn)品的多一些。我們基本的問題就是你在過去12個月里面跟哪些電子元件公司采購產(chǎn)品。第一個在我們八個要素里面，供應(yīng)商的供貨能力和技術(shù)支持是得分比 較高的，供應(yīng)商的品牌知名度和產(chǎn)品組合滿意度給的分數(shù)是最低的，在這五類公司里面做連接器的平均得分高，我們有一個完整的報告，等一下我這個講演結(jié)束以 后，我們會有一個領(lǐng)軍企業(yè)的頒獎活動，為了感謝大家我們有一個精密演講報告的研究結(jié)束會發(fā)給大家。

接下來我們看一組數(shù)據(jù)，一個我們問說，你們公司采購決策，那么是哪一些人參與決策？我把結(jié)果說一下?？偨?jīng)理和采購員一起決策，總經(jīng)理和設(shè)計口決策，還有設(shè) 計口單獨決策，這兩組數(shù)據(jù)比較，通過設(shè)計口和總經(jīng)理決策的占四成，總經(jīng)理和采購一起決策占到27%，而總經(jīng)理和設(shè)計工程師的決策是28%。第二個就是在選 擇合格供應(yīng)商的問題說，我們發(fā)現(xiàn)分銷商在里面的比例，如果一個產(chǎn)品有三分之二是通過分銷商買的，我們這次調(diào)查發(fā)現(xiàn)還是蠻符合國際的慣例。透過分銷商采購，各位作為原廠在推廣過程中授權(quán)分銷商受的效果更大一些。有關(guān)問到你喜歡跟國際公司買東西，還是喜歡跟本地公司買公司，大概60%的人說要么跟國際的廠商買 或者跟本地公司買。進口的比例也是有一個很有意思的，有60%的產(chǎn)品是透過進口的產(chǎn)品。

我們最關(guān)心的一些服務(wù)，我們把八個要素合在一起，本地的供應(yīng)能力和和本土化程度是最高的，我們在設(shè)計本土化程度這個概念上有一點模糊，再一個就是品牌知名 度這個事情，其實是以公司總體的，所以大家特別想知道的你到底有多少產(chǎn)品讓我買，是不是我所有的電路保護的方案都可以在這里買，這個跟品牌關(guān)聯(lián)的，所以比 較低。在我們電子元件里面誰是第一位，我們確實要分析一下。因為我們也去問過日系的兩個大公司，他們有什么不一樣，我自己以前做集成電路做了10多年，最近一年多在做電子元件。這是我們得分的情況，這是一個日本公司的得分情況，這是一個半導(dǎo)體公司的得分情況，臺灣的公司技術(shù)的組合，特別是產(chǎn)品的性價比。我 們經(jīng)常說臺灣的產(chǎn)品質(zhì)量不錯，性價比也高，這個我們也在進一步的分析。更有趣的是本地的公司，我們經(jīng)常本地的公司說我要做就做性價比高的，本地的性價比稍 微低一點，但是本地的公司品牌知名度反而比較高，我想這和政府的支持有關(guān)系。我們使用的一些要素可以跟大家分享一下。機電產(chǎn)品的性價比是很高的，技術(shù)支持也是，專業(yè)領(lǐng)域公司得分是最高的?；旧系内厔荻际沁@樣的。對產(chǎn)品的質(zhì)量，技 術(shù)領(lǐng)先性等等，我們還有一些操作圖表在我們報告里面都有反映。這是產(chǎn)品組合，從實際來看有些本地公司在產(chǎn)品組合方面得分是比國際公司高。我們把五大類產(chǎn)品 的滿意總體得分加在一起，其中

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機電產(chǎn)品是得分最高的，接下來是模塊電源和電池，我們?nèi)〉脭?shù)據(jù)全部是通過網(wǎng)上問卷，沒有進行電話采訪，全部是網(wǎng)上的調(diào)查。這 是機電產(chǎn)品的8個要素得分情況。這是海內(nèi)海外的分立半導(dǎo)體平均得分比較的，從品牌知名度來看國內(nèi)的公司是超過了海外的公司。

我們這里是把我們分析報告跟大家做的一些分享，在我們這個研究報告里面機電產(chǎn)品得分是平均比較高的。接下來我們在一號館有頒獎典禮，等一下你們可以把你們 公司的名字告訴我，我可以去數(shù)據(jù)庫里面幫你查看一下八個要素的平均得分情況。

謝謝大家！

杜堯生：歡迎參加這個基礎(chǔ)研討會，也感謝各位同仁，我們老朋友，新朋友來參加這個會議，我是來自 Littelfuse的杜堯生。

今天主要講的是電路保護，包括靜電，防雷技術(shù)的方案，以及Littelfuse新的產(chǎn)品在各種方案推廣使用中的情況。

說到電路保護，Littelfuse是一家提出整個電路保護領(lǐng)域解決方案，以及生產(chǎn)元器件的公司。它主要做器件類的保護，方案里面器件怎么去使 用，器件怎么在電路中發(fā)揮它最大的作用，保護一個是過壓保護，一個是過流保護。過壓保護是電壓的變化，我們看到這個波形就是電壓的損變，靜電、雷擊表現(xiàn)都 超過我們的承受值，需要把這個電壓限定在我們可以接受的安全范圍之內(nèi)。通常前面是保護器件，保護器件就像設(shè)備閘一樣，把這個波形抑制到一個我們能夠接受的 范圍。最終的目的是把這個電壓降下來，降電壓有兩種方式，Littelfuse是科瑞迪瓦依斯，一個是科瑞迪德阿斯，把電壓降到一個安全范圍之內(nèi)，并且不 能跌落，只是把電壓鉗在某一個值，另外一個科瓦德，以電連的形式把電壓和能量泄放掉，前面是閘流式，像水閘一樣，根據(jù)不同的信號有不同的應(yīng)用。

本次電路保護與電磁兼容研討會的主辦方 中國電子展()、電子元件技術(shù)網(wǎng)()和我愛方案網(wǎng)()謝謝！而下面我們來說說電壓，說到電壓就要講到波形，通常我們按照IEC標準來做，所有器件的特性研發(fā)設(shè)計也都是根據(jù)這些特定的波形，比如8*20的波 形，8*20設(shè)定一個上升時間，根據(jù)這個指定時間，我們可以設(shè)到11天，11天在通訊里用的是比較寬的波形，當然這個波壓最終有電流的波形，也有電壓的波 形。

最大的能量我們希望在哪里呢？半周期的能量能夠最大可能的泄放，頂峰值能抑制，以電流、熱的形式把它泄放掉，這就是保護器件能夠起到的一個作 用。因為82 微米感應(yīng)流波形的特色，82是感應(yīng)雷電的波形。還有11天可能在通訊里面出現(xiàn)的波形，這個波形針對不同的器件來滿足它不同的特性。我們按照

IEC61000-4-2標準，實際上我們可以觀察這個器件，它在很短的時間內(nèi)可以提升到一個比較大的值上，另外它有第二個波沖下來，從這個波形里面我們 看它的能量點，它第一個波形的電流值實際是30納米，一直到60納米。

通常八千伏、15千伏，這兩種放電模式是根據(jù)人體的模型定義出來的，人體的模型可能不是直接感應(yīng)，但是示波器可以牢牢抓住靜電的波形。它對靜電 的敏感，因為以前對靜電整個器件在敏感等級上有一些不同的要求。比如我們最常用的八千伏，或者15千伏的要求，因為這種情況是經(jīng)常出現(xiàn)，比如你的手機裝在 口袋里面，特別到北方去，無時無刻不會受到靜電的影響，從口袋把手機掏出來“啪”的一聲手機就壞了。最后的靜電反映在客觀上，我們用量化來看靜電的波

形，這個波形也是國際電工委員會，經(jīng)過非常嚴格的討論以后來定義的，我們的器件，如何實現(xiàn)保護，最基本的一點就是滿足一些安全的標準，當然也滿足電磁兼容的標 準，所有的器件根據(jù)這個波形的特性進行進一步的開發(fā)?

第二篇：電子元器件采購學(xué)習心得

電子元器件采購學(xué)習心得

怎么樣成為一名優(yōu)秀頂尖的電子元器件采購？

1.勤奮。很多行業(yè)內(nèi)大公司的 Top Buyer 都是很勤奮的，每天不斷的拜訪打電話開發(fā)新的供應(yīng)商，不斷的詢價，不斷的學(xué)習！

有的采購說我的渠道足夠用了，不需要新的供應(yīng)商，供應(yīng)商是會變化的，就像最近安富利一樣，也許有一天你的供應(yīng)商類似安富利一樣，ADI 代理權(quán)被取消了，給不了你 ADI產(chǎn)品好價格！原廠，代理商 市場策略以及人員不斷的變化，變化中我們需要的是不斷的更新我們的信息，才可以在萬變中不變！

2.良好的思維方式。成為行業(yè)TopBuyer 絕對不是那么簡單，但是也沒有

那么復(fù)雜，需要借力，怎么樣借力呢？ 你公司的資源有限，你個人的資源有限，可以借助某些人，某些公司，某些圈子。說到圈子，百威爾IC誠信圈就是一個典型的圈子，借助里面圈子的資源，可以加強渠道資源信息等。

任何一個圈子可以建立和發(fā)展 總有一些東西是可以幫助到圈子里面的人，這個是毋庸置疑的。百威爾IC誠信建立快三年了，我從事這個行業(yè)也是有快10年時間了，在代理商和貿(mào)易商也做過，所以十年來也積累了很多行業(yè)資源，原廠，代理商，貿(mào)易商等，發(fā)展建立這個圈子，幾乎傾

注了我十年來建立的資源和人脈以及行業(yè)思維。也就是說如果你加入這個圈子，你用僅僅的會員費用 就可以買到我十年來從事這個行業(yè)建立的一大部分資源和人脈，如果不是發(fā)展建立這個圈子，十年來積累的行業(yè)人脈資源和信息是不可能用一點會員費用可以買到的。

所以說一個好的采購，思維模式很重要，有很好的思維模式就會借力，把自己強大起來！行業(yè)人士經(jīng)常說到，我們需要擁抱電商，那么作為一名優(yōu)秀的采購，我們可以說是需要擁抱圈子！

3.良好的記憶。我遇到過行業(yè)大公司的采購總監(jiān)，他基本可以記住行業(yè)里面超過1000家貿(mào)易商公司的老總做事風格，全名，籍貫，大概年齡，公司主要經(jīng)營品牌，公司大概的架構(gòu)人數(shù)，公司大概地址，成立時間等，所以做一名優(yōu)秀的采購 每天要培養(yǎng)自己的記憶能力，記憶能力越好，你的信息越多。假設(shè)一下，如果一個頂尖采購 可以掌握10000家供應(yīng)商的詳細信息在大腦 那是什么樣子的情況了？ 也許你會說，他的大腦就是一個平臺了！

4.良好的溝通能力 談判能力。

5.細心。很多渠道其實就是在身邊，可是競爭對象就是找不到，但是因為你的細心，就在身邊被你發(fā)現(xiàn)了。

6.良好的心理素質(zhì)。電子元器件行業(yè)水很深，所以需要有良好的心理準備和素質(zhì)，面對所有的變化和挑戰(zhàn)。

7.相信運氣，相信偶然！電子元器件的產(chǎn)業(yè)太大了，很多時候 一個大客戶，大訂單的產(chǎn)生是有運氣和偶然成分的，所以你要自信，要樂觀，相信你自己會很幸運的，如果你足夠的努力，足夠的用心。

8.成為一名優(yōu)秀的銷售。好的銷售一定是一名好的采購，但是好的采購不一定是好的銷售，所以有機會采購可以去做一段時間銷售崗位。

小貓芯城只提供透明渠道的原裝正品，100%保證質(zhì)量。電子產(chǎn)品就找小貓芯城，小貓芯城高品質(zhì)助你快速成為優(yōu)秀的采購員!

第三篇：電子元器件失效分析

電子元器件失效分析

1.失效分析的目的和意義

電子元件失效分折的目的是借助各種測試分析技術(shù)和分析程序確認電子元器件的失效現(xiàn)象.分辨其失效模式和失效機理.確定其最終的失效原因，提出改進設(shè)計和制造工藝的建議。防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。失效分折是產(chǎn)品可靠性工程的一個重要組成部分，失效分析廣泛應(yīng)用于確定研制生產(chǎn)過程中產(chǎn)生問題的原因，鑒別測試過程中與可靠性相關(guān)的失效，確認使用過程中的現(xiàn)場失效機理。

在電子元器件的研制階段。失效分折可糾正設(shè)計和研制中的錯誤，縮短研制周期；在電子器件的生產(chǎn)，測試和試用階段，失效分析可找出電子元器件的失效原因和引起電子元件失效的責任方。根據(jù)失效分析結(jié)果。元器件生產(chǎn)廠改進器件的設(shè)計和生產(chǎn)工藝。元器件使用方改進電路板設(shè)汁。改進元器件和整機的測試，試驗條件及程序，甚至以此更換不合格的元器件供貨商。因而，失效分析對加快電子元器件的研制速度.提高器件和整機的成品率和可靠性有重要意義。

失效分折對元器件的生產(chǎn)和使用都有重要的意義.如圖所列。

元器件的失效可能發(fā)生在其生命周期的各個階段.發(fā)生在產(chǎn)品研制階段，生產(chǎn)階段到使用階段的各個環(huán)節(jié)，通過分析工藝廢次品，早期失效，實驗失效及現(xiàn)場失效的失效產(chǎn)品明確失效模式、分折失效機理，最終找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的選擇、整機計劃等方面，元器件生產(chǎn)方在產(chǎn)品的可靠性方案設(shè)計過程，都必須參考失效分折的結(jié)果。通過失效分折，可鑒別失效模式，弄清失效機理，提出改進措施，并反饋到使用、生產(chǎn)中，將提高元器件和設(shè)備的可靠性。

2.失效分析的基本內(nèi)容

對電子元器件失效機理，原因的診斷過程叫失效分析。進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。失效分析的任務(wù)是確定失效模式和失效機理.提出糾正措 施，防止這種失效模式和失效機理的重復(fù)出現(xiàn)。因此，失效分析的主要內(nèi)容包括：明確分析對象。確定失效模式，判斷失效原因，研究失效機理，提出預(yù)防措施（包括設(shè)計改進)。

2.1 明確分析對象

失效分析首先是要明確分析對象及失效發(fā)生的背景。失效分析人員應(yīng)該了解失效發(fā)生時的狀況.確定在設(shè)計，生產(chǎn)，檢測，儲存，傳送或使用哪個階段發(fā)生的失效，如有可能，要知道失效發(fā)生時的現(xiàn)象以及失效發(fā)生前后的操作過程。在條件許可的情況下.盡可能的復(fù)現(xiàn)失效。

2.2 確定失效模式

失效的表面現(xiàn)象或失效的表現(xiàn)形式就是失效模式。失效模式的確定通賞采用兩種方法，即電學(xué)測試和顯微鏡現(xiàn)察。根據(jù)測試、觀察到的現(xiàn)象與效應(yīng)進行初步分析，確定出現(xiàn)這些現(xiàn)象的可能原因，或者與失效樣品的哪一部分有關(guān)；同時通過立體顯微鏡檢查，觀察失效樣品的外觀標志是否完整，是否存在機械損傷，是否有腐蝕痕跡等；通過電特性試，判斷其電參數(shù)是否與原始數(shù)據(jù)相符.分析失效現(xiàn)象可能與失效樣品中的哪一部分有關(guān)；利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡等設(shè)備觀察失效部位的形狀，大小，位置，顏色，機械和物理結(jié)構(gòu)，物理特性等，準確的描述失效特征模式。

失效模式可以定位到電（如直流特性、漏電）或物理（如裂紋、侵蝕）失效特征，根據(jù)失效發(fā)生時的條件（如老化、靜電放電、環(huán)境），結(jié)合先驗知識，區(qū)分失效位置.減少診斷失效機理要求的工作量。

2.3 判斷失效原因

根據(jù)失效模式，失效元器件的材料性質(zhì)、制造工藝理論和經(jīng)驗，結(jié)合觀察到的相應(yīng)失效部位的形狀、大小、位置、顏色以及化學(xué)組成、物理結(jié)構(gòu)、物理特性等因素，參照失效發(fā)生的階段、失效發(fā)生時的應(yīng)力條件和環(huán)境條件，提出可能的導(dǎo)致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如設(shè)計缺陷，材料質(zhì)量問題，制造過程問題、運輸或儲藏條件不當，在操作時的過載等，而大多數(shù)的失效包括一系列串行發(fā)生的事件。對一個復(fù)雜的失效，需要根據(jù)失效元器件和失效模式列出所有可能導(dǎo)致失效的原因，確定正確的分析次序，并且指出哪里需要附加的數(shù)據(jù)來支撐某個潛在性因素。失效分析時根據(jù)不同的可能性，逐個分折，最終發(fā)現(xiàn)問題的根源。

2.4 研究失效機理

對于失效機理的研究是非常重要的，需要更多的技術(shù)支撐。

在確定失效機理時，需要選用有關(guān)的分析、試驗和觀測設(shè)備對失效樣品進行仔細分析，驗證失效原因的判斷是否屬實，并且能把整個失效的順序與原始的癥狀對照起來，有時需要用合格的同種元器件進行類似的破壞實驗，觀察是否產(chǎn)生相似的失效現(xiàn)象。通過反復(fù)驗證，確定真實的失效原因，以電子元器件失效機理的相關(guān)理論為指導(dǎo)。對失效模式、失效原因進行理論推理，并結(jié)合材枓性質(zhì)、有關(guān)設(shè) 計和工藝理論及經(jīng)驗，提出在可能的失效條件下導(dǎo)致該失效模式產(chǎn)生的內(nèi)在原因或具體物理化學(xué)過程。如存可能, 更應(yīng)以分子、原了學(xué)觀點加以闡明或解釋。

2.5提出預(yù)防措施及設(shè)計改進方法

根據(jù)分析判斷。提出消除產(chǎn)生失效的辦法和建議，及時地反饋到設(shè)計、工藝、使用單位等各個方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出現(xiàn)。失效分析要求

隨著科技水平的發(fā)展和工藝的進歩.電子產(chǎn)品越來越微型化、復(fù)雜化和系統(tǒng)化，而其功能卻越來越強大，集成度越來越高，體積越來越小。隨著科技的發(fā)展各種新材料、新器件也不斷出現(xiàn)，對失效分析的要求也越來越高；用于失效分析的新技術(shù)，新方法和新設(shè)備也越來越多。但在實際的失效分析過程中，遇到的樣品多種多樣，失效情況也各不相同。因此，根據(jù)失效分析的目的與實際，選擇合適的分析技術(shù)與方法，從大到小，從外到內(nèi)，從非破壞到破壞，從定性到定量，使失效分析迅速、準確、可靠。

電子元器件失效分析的就是要做到模式準確、原因明確、機理清楚、措施得力、模擬再現(xiàn)、舉一反三。

3.1 模式準確

如前所述，失效模式是指失效的外在直觀失效表現(xiàn)形式和過程規(guī)律，通常指測試或觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式。如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。模式準確，就是要將失效的性質(zhì)和類型判斷準確。

失效模式的判斷應(yīng)首先從失效環(huán)境的分析入手，細心收集失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)。失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)反映了失效的外部環(huán)境，對確定失效的責任方有重要意義。有些看來與現(xiàn)場無直接關(guān)系的東西可能是決定性的。例如,失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)表明，工作人操作無誤，供電系統(tǒng)正常，而整機上的器件出現(xiàn)了早期失效，說明元器件生產(chǎn)廠應(yīng)對元器件失效負責，應(yīng)負責整改，排除工藝缺陷，提高產(chǎn)品可靠性。

收集失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)主要包括：失效壞境、失效應(yīng)力、失效發(fā)生期、失效現(xiàn)象及過程和失效樣品在失效前后的電測量結(jié)果。

失效環(huán)境包括：溫度、濕度、電源環(huán)境，元器件在電路圖上的位置、作用，工作條件和偏置狀況。失效應(yīng)力包括：電應(yīng)力、溫度應(yīng)力、機械應(yīng)力、氣候應(yīng)力和輻射應(yīng)力。如樣品經(jīng)可靠性試驗而失效，需了解樣品經(jīng)受實驗的應(yīng)力種類和時間

失效發(fā)生期包括：失效樣品的經(jīng)歷、失效時間、失效發(fā)生的階段，如研制、生產(chǎn)、測試、試驗、儲存、使用等。

3.2

原因明確

失效原因的判斷通常是整個失效分析的核心和關(guān)鍵，對于確'定失效機理，提出預(yù)防措施具有總要的意義。

失效原因通常是指造成電子元器件失效的直接關(guān)鍵性因素，其判斷建立在失效模式判斷的基礎(chǔ)上。通過失效原因的分析判斷，確定造成失效的直接關(guān)鍵因素處于設(shè)汁、材料、制造工藝、使用及環(huán)境的哪―環(huán)節(jié)。

失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)為確定電子元器件的失效原因提供了重要線索。失效可分為早期失效、隨機尖效和磨損失效。而早期失效主要由工藝缺陷、原材料缺陷、篩選不充分引起。隨機失效主要由整機開關(guān)時的浪涌電流、靜電放電、過電損傷引起。磨損失效主要由電子元器件自然老化引起。根據(jù)失效發(fā)生期，可估計失效原因，加快失效分析的進度。此外，根據(jù)元器件失效前或失效時所受的應(yīng)力種類和強度，也可大致推測失效的原因，加快失效分析的進程。如表：

然而失效原因的確定是相當復(fù)雜的,其復(fù)雜性表現(xiàn)為失效原因具有的一些特點。如原因的必要性、多樣性、相關(guān)性、可變性和偶然性，需要綜合多方面情況及元器件特點進行。

3.3 機理清楚

失效機理是指失效的物理、化學(xué)變化過程。微觀過程可以追溯到原子、分子尺度和結(jié)構(gòu)的變化，但與此相對的是它遲早也要表現(xiàn)出一系列宏現(xiàn)（外在的）性能，性質(zhì)變化，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。失效機理是對失效的內(nèi)在本質(zhì)、必然性和規(guī)律性的研究，是人們對失效內(nèi)在本質(zhì)認識的理論提高和升華。

失效原因通常可以分為內(nèi)因和外因兩種.失效機理就是失效的內(nèi)因。它是導(dǎo)致電子元器件發(fā)生失效的物理、化字或機械損傷過程。失效機理研是失效的深層次內(nèi)因或內(nèi)在本質(zhì).即釀成失效的必然性和規(guī)律性的研究。要清楚地判斷元器件失效機理就必須對其失效機理有所了解和掌握。如在集成電路中金屬化互連系統(tǒng)可能存在著電遷移和應(yīng)力遷移失效，這兩種失效的物理機制是不同的，產(chǎn)生的應(yīng)力條件也是不同的。對于失效機理的研究和判斷需要可靠性物理方面的專業(yè)知識。

3.4 措施得力，模擬再現(xiàn)，舉一反三

措施得力，模擬再現(xiàn)，舉一反三是建立在前面對失效模式、失效原因和失效機理深入分折和準確把握的基礎(chǔ)上。當然制定預(yù)防措施也應(yīng)考慮長遠的手段和產(chǎn)品使用問題。以及工程上的可行性、經(jīng)濟性等方面。模擬再現(xiàn)則要分折模擬的可能性和必要性，同時，隨著計算機技術(shù)的高速發(fā)展，計算機模擬仿真也成為模擬再現(xiàn)的一個重要手段。

失效分析是一個復(fù)雜的、綜合性的過程.它不僅僅只是失效分析工程師的工作.而且需要設(shè)計工程師、制造工程師、使用工程師的密切配合。只有在各個方面的團結(jié)協(xié)作下，才能找到產(chǎn)品失效的真實原因，準確判斷其失效機理，揭示引起產(chǎn)品失效的過程，起到改進產(chǎn)品設(shè)計，提高產(chǎn)品固有可靠性和使用可靠性目的。

另外，為了得到一個成功的失效分析結(jié)果，避免犯一些常見的錯誤，所有可能涉及失效現(xiàn)象處理的人，都應(yīng)該具備—些處理故障現(xiàn)象的基本知識。

1.保護實物證據(jù) 2.避免過多的加電測試

3.保證失效元器件在到達失效分析工程師之前不再受到損傷 4.制定失效分析方案 5.確定失效現(xiàn)象 6.失效分析的基本

失效分析應(yīng)遵循先光學(xué)后電學(xué)、先面后點、先靜態(tài)后動態(tài)、先非破壞后破壞、先一般后特殊、先公用后專用、先簡單后復(fù)雜、先主要后次要的基本原則，反復(fù)測試、認真比較。同時結(jié)合電子元器件結(jié)構(gòu)、工藝特點進行分析，避免產(chǎn)生錯判、誤判。主要失效模式及其分布

電子元器件的種類很多，相應(yīng)的失效模式和失效機理也很多?？傮w來說，電子元器件的失效主要是在產(chǎn)品的制造，試驗，運輸，儲存和使用等過程中發(fā)生的。與原材料、設(shè)計、制造、使用密切相關(guān)。下圖給出了一些電子元器件現(xiàn)場使用失效模式及其分布的數(shù)據(jù)統(tǒng)計結(jié)果：

5.失效的主要機理及其定義

失效機理是指引起電子元器件失效的實質(zhì)原因，即引起電子元器件失效的物理或化學(xué)過程.通常是指由于設(shè)計上的弱點（容易變化和劣化的材料的組合）或制造工藝中形成的潛在缺陷，在某種應(yīng)力作用下發(fā)生的失效及其機理。

為了通過物理、化學(xué)的方法分析失效發(fā)生的現(xiàn)象，理解和解釋失效機理，需要提供模型或分析問題的思維方法，這就是失效物理模型。元器件的失效物理模型大致分為反應(yīng)論模型、應(yīng)力強度模型、界限模型、耐久模型、積累損傷（疲勞損傷）模型等.如下表所列。對于半導(dǎo)體元器件來說.失效機理通常有兩種失效物理模型：反應(yīng)論模型和應(yīng)力強度模型。

失效機理是電子元器件失效的物理或化學(xué)本質(zhì)，從研究原始缺陷或退化進入失效點的物理過程。進一步確定導(dǎo)致失效的表面缺陷、體缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷。確定電學(xué)、金屬學(xué)、化學(xué)及電磁學(xué)方面的機理。電子元器件種類繁多，導(dǎo)致失效的機理也很多，不同失效機理對應(yīng)的失效摸式不一樣。甚至相問的失效機在不同電子元器件導(dǎo)致的失效模式都不一樣，因此需要在失效分析時認真對待,嚴格區(qū)分。

5.1 機械損傷

機械損傷在電子元器件制備電極及電機系統(tǒng)工藝中經(jīng)常出現(xiàn)，如果在元器件的成品中，存在金屬膜的劃傷缺陷而末被剔除，則劃傷缺陷將是元器件失效的因素，必將影響元器件的長期可靠性。.2結(jié)穿刺（結(jié)尖峰）

結(jié)穿刺即指PN結(jié)界面處為一導(dǎo)電物所穿透。在硅上制作歐姆接觸時，鋁-硅接觸系統(tǒng)為形成良好的歐姆接觸必須進行熱處理，這時鋁與硅相連接是通過450-550攝氏度熱處理后在分立的點上合金化形 成的。在該合金化溫度范圍內(nèi)，硅在鋁的固溶度很大，但鋁在硅中的固溶度要低很多，固溶度之差導(dǎo)致界面上的硅原子凈溶解在鋁中，同時界面上的鋁也擴散到硅中填充硅中的空位。這就是在鋁膜加工過程中，發(fā)生由于硅的局部溶解而產(chǎn)生的鋁“穿刺”透入硅襯底問題的問題。結(jié)穿刺經(jīng)常導(dǎo)致PN結(jié)短路失效。

5.3 鋁金屬化再結(jié)構(gòu)

由于鋁與二氧化硅或硅的熱膨脹系數(shù)不匹配，鋁膜的熱膨脹系數(shù)比二氧化硅或者硅大，黨元器件在間歇工作過程中，溫度變化或者高低溫循環(huán)試驗時，鋁膜要受到張應(yīng)力和壓應(yīng)力的影響，會導(dǎo)致鋁金屬化層的再結(jié)構(gòu)。鋁金屬化層再結(jié)構(gòu)經(jīng)常表現(xiàn)為鋁金屬化層表面粗糙甚至表面發(fā)黑，顯微鏡下可見到表面小丘、晶須或皺紋等。

5.4 金屬化電遷移

當元器件工作時，金屬互連線的鋁條內(nèi)有一定強度的電流流過，在電流作用下，金屬離子沿導(dǎo)體移動，產(chǎn)生質(zhì)量的傳輸，導(dǎo)致導(dǎo)體內(nèi)某些部位產(chǎn)生空洞或晶須（小丘）這就是電遷移現(xiàn)象。在一定溫度下，金屬薄膜中存在一定的空位濃度，金屬離子熱振動下激發(fā)到相鄰的空位，形成自擴散。在外電場作用下.金屬離子受到兩種力的作用，一種是電場使金屬離子由正極向負扱移動，一種是導(dǎo)電電子和金屬離子間互相碰撞發(fā)生動量交換而使金屬離子受到與電子流方向一致的作用力，金屬離子由負極向正極移動，這種作用力俗稱“電子風”。對鋁、金等金屬膜，電場力很小，金屬離子主要受電子風的影響，結(jié)果使金屬離子與電子流一樣朝正極移動，在正極端形成金屬離子的堆積，形成晶須，而在負極端產(chǎn)生空洞，使金屬條斷開。

產(chǎn)生電遷移失效的內(nèi)因是薄膜導(dǎo)體內(nèi)結(jié)構(gòu)的非均勻性，外因是電流密度。

5.5 表面離子沾污

在電子元器件的制造和使用過程中，因芯片表面沾污了濕氣和導(dǎo)電物質(zhì)或由于輻射電離、靜電電荷積累等因素的影響，將會在二氧化硅氧化層表面產(chǎn)生正離子和負離子，這些離子在偏壓作用下能沿表面移動。正離子聚積在負電極周圍，負離子聚積在正電極周圍，沾污嚴重時足以使硅表面勢壘發(fā)生相'當程度的改變。這些外表面可動電荷的積累降低了表面電導(dǎo)，引起表面漏電和擊穿蠕變等；表面離子沾污還會造成金屬的腐濁，使電子元器件的電極和封裝系統(tǒng)生銹、斷裂。

5.6 金屬的腐蝕

當金屬與周圍的介質(zhì)接觸時，由于發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用而引起金屬的破壞叫做金屬的腐蝕。在電子元器件中，外引線及封裝殼內(nèi)的金屬因化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用引起電性能惡化直至失效，也是主要的失效機理。

根據(jù)金屬腐蝕過程的不同特點，可分為化學(xué)腐蝕和電化學(xué)腐蝕。金屬在干燥氣體或無導(dǎo)電性的非水溶液中，單純由化學(xué)作用而引起的腐蝕就叫做化學(xué)腐蝕，溫度對化學(xué)腐蝕的影響很大。當金屬與電解質(zhì)溶液接觸時，由電化學(xué)作用而引起的腐蝕叫做電化學(xué)腐蝕，其特點是形成腐蝕電池，電化學(xué)腐蝕過程的本質(zhì)是腐蝕電池放電的過程，在這個過程中，金屬通常作為陽極，被氧化而腐蝕，形成金屬氧化物，而陰極反應(yīng)則跟據(jù)腐蝕類型而異，可發(fā)生氫離子或氧氣的還原，析出氫氣或吸附氧氣。

5.7 金鋁化合物失效

金和鋁兩種金屬，在長期儲存和使用后，因它們的化學(xué)勢不同，它們之間能產(chǎn)生金屬間化合物，如生成AuAl2，AuAl，Au2Al等金屬間化合物。這幾種金屬間化合物的晶格常數(shù)、膨脹系數(shù)、形成過程中體積的變化、顏色和物理性質(zhì)是不同的，且電導(dǎo)率較低。AuAl3淺金黃色，AuAl2呈紫色，俗稱紫斑，Au2Al呈白色.稱白斑，是一種脆性的金屬間化合物，導(dǎo)電率低，所以在鍵合點處生成了Au-Al間化合物之后，嚴重影響相惡化鍵合界面狀態(tài)，使鍵合強度降低，變脆開裂，接觸電阻增大等，因而使元器件出現(xiàn)時好時壞不穩(wěn)定現(xiàn)象，最后表現(xiàn)為性能退化或引線從鍵合界面處脫落導(dǎo)致開路。

5.8 柯肯德爾效應(yīng)

在Au-Al鍵合系統(tǒng)中，若采用金絲熱壓焊工藝，由于在高溫（300攝氏度以上）下，金向鋁中迅速擴散。金的擴散速度大于鋁的擴散速度，結(jié)果出現(xiàn)了在金層—側(cè)留下部分原子空隙，這些原子空隙自發(fā)聚積，在金屬間化合物與金屬交界面上形成了空洞，這就是可肯德爾效應(yīng)，簡稱柯氏效應(yīng)。當可肯德爾空洞增大到一定程度后，將使鍵合界面強度急劇下降，接觸電阻增大，最終導(dǎo)致開路?？率峡斩葱纬蓷l件首先是Au-Al系統(tǒng)，其次是溫度和時間。

5.9 銀遷移

在電子元器件的貯存及使用中，由于存在濕氣、水分，導(dǎo)致其中相對活潑的金屬銀離子發(fā)生遷移，導(dǎo)致電子設(shè)備中出現(xiàn)短路，耐壓劣化及絕緣性能變壞等失效。銀遷移基本上市一種電化學(xué)現(xiàn)象，當具備水分和電壓的條件時，必定會發(fā)生銀遷移現(xiàn)象?？諝庵械乃指皆陔姌O的表面，如果加上電壓，銀就會在陽極處氧化成為帶有正電荷的銀離子，這些離子在電場作用下向陰極移動。在銀離子穿過介質(zhì)的途中，銀離子被存在的濕氣和離子沾污加速，通常在離子和水中的氫氧離子間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氫氧化銀，在導(dǎo)體之間出現(xiàn)乳白色的污跡，最后在陰極銀離子還原析出，形成指向陽極的細絲。

5.10 過電應(yīng)力

電子元器件都在其參數(shù)指標中設(shè)定了使用時所能承受的最大應(yīng)力，包括最高工作環(huán)境溫度或殼溫，最大額定功率，最大工作電壓、電流，峰值電壓，最大輸入、輸出電流、電壓等。如果在使用時所加的電應(yīng)力超過了元器件規(guī)定的最大應(yīng)力.即使是瞬間超過，也將造成電子元器件的損傷，這種電應(yīng)力就稱為過電應(yīng)力，其造成的損傷主要表現(xiàn)為元器件性能嚴重劣化或失去功能。過電應(yīng)力通常分為過壓應(yīng)力和 過流應(yīng)力。在過電應(yīng)力作用下，電子元器件局部形成熱點，當局部熱點溫度達到材料熔點時使材料熔化，形成開路或短路，導(dǎo)致元器件燒毀。

5.11 二次擊穿

二次擊穿是指當元器件被偏置在某一特殊工作點時（對于雙極型晶體管，是指V平面上的一點），電壓突然跌落，電流突然上升的物理現(xiàn)象，這時若無限流裝置及其它保護措施，元器件將被燒毀。凡是有雜質(zhì)濃度突變的元器件（如PN結(jié)等）都具有二次擊穿的現(xiàn)象，二次擊穿是一種體內(nèi)現(xiàn)象，對于雙極型器件，主要有熱不穩(wěn)定理論（熱模式）和雪崩注入理論（電流模式）兩種導(dǎo)致二次擊穿的機理。對于MOS元器件，誘發(fā)二次擊穿的機理是寄生的雙極晶體管作用。

5.12 閂鎖效應(yīng)

閂鎖效應(yīng)是CMOS電路中存在的一種特殊的失效機理。所謂閂鎖（latch-up）是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結(jié)構(gòu)被觸發(fā)導(dǎo)通，在電源和地之間形成低阻大電流通路的現(xiàn)象CMOS電路的基本邏輯單元是由一個P溝道MOS場效應(yīng)管和一個N溝道MOS場效應(yīng)管以互補形式連接構(gòu)成，為了實現(xiàn)N溝道MOS管與P溝道MOS管的隔離,必須在N型襯底內(nèi)加進一個P型區(qū)（P阱）或在P型襯底內(nèi)加進一個N型區(qū)（N阱），這樣構(gòu)成了CMOS電路內(nèi)與晶閘管類似的PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成了兩個寄生的NPN和PNP雙極晶體管。在CMOS電路正常工作狀態(tài)時，寄生晶體管處于截止狀態(tài)。對CMOS電路的工作沒有影響，如CMOS電路的輸入端、輸出瑞、電源端或者地端受到外來的浪涌電壓或電流，就有可能使兩只寄生晶體管都正向?qū)?，使得電源和地之間出現(xiàn)強電流。這種強電流一開始流動，即使除去外來觸發(fā)信號也不會中斷，只有關(guān)斷電源或?qū)㈦娫措妷航档侥硞€值以下才能解除，這種現(xiàn)象就是CMOS電路的閂鎖效應(yīng)。

5.13 靜電損傷

處于不同靜電電位的兩個物體間發(fā)生的靜電電荷轉(zhuǎn)移就形成了靜電放電，這種靜電放電將給電子元器件帶來損傷，引起產(chǎn)品失效。電子元器件由靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式，突發(fā)性失效是指元器件受到靜電放電損傷后，突然完全喪失其規(guī)定的功能，主要表現(xiàn)為開路、短路或參數(shù)嚴重漂移；潛在性失效是指靜電放電電能量較低，僅在元器件內(nèi)部造成輕微損傷，放電后元器件的電參數(shù)仍然合格或略有變化，但元器件的抗過電應(yīng)力能力已明顯削弱，或者使用壽命已明顯縮短，再受到工作應(yīng)力或經(jīng)過一段時間工作后將進一步退化，直至造成徹底失效。

靜電放電失效機理可分為過電壓場致失效和過電流熱致失效。過電壓場致失效是指高阻抗的靜電放電回路中，絕緣介質(zhì)兩端的電極因接受了高靜電放電電荷而呈現(xiàn)高電壓，有可能使電極之間的電場超過其介質(zhì)臨界擊穿電場，使電極之間的介質(zhì)發(fā)生擊穿失效，過電壓場致失效多發(fā)生于MOS元器件，包括含有MOS電容的雙極型電路和混合電路；過電流熱致失效是由于較低阻抗的放電回路中，由于靜電放電電流過大使局部區(qū)域溫升超過材料的熔點，導(dǎo)致材料發(fā)生局部熔融使元器件失效，過電流熱致失效多發(fā)生于雙極元器件，包括輸人用PN結(jié)二極管保護的MOS電路、肖特基二極管以及含有雙極元器件的混合電路。

5.14 介質(zhì)的擊穿機理

介質(zhì)擊穿，從應(yīng)用角度可分為自愈式擊穿和毀壞性擊穿。自愈式擊穿是局部點擊穿后，所產(chǎn)生的熱量將擊穿點處的金屬蒸發(fā)掉，使擊穿點自行與其他完好的介質(zhì)隔離；毀壞性擊穿是金屬原子徹底侵入介質(zhì)層，使其絕緣作用完全喪失。根據(jù)引起擊穿的原因之可將介質(zhì)擊穿分為非本征擊穿和本征擊穿兩種：前者是在介質(zhì)中的氣孔、微裂縫、灰塵、纖維絲等疵點附近，因氣體放電、等離子體、電孤、電熱分解等引起的擊穿；后者是外加電場超過了介質(zhì)材料的介電強度引起的擊穿。無論是非本征擊穿還圮本征擊穿，按其本質(zhì)來看，則均可能歸結(jié)于電擊穿、熱擊穿或熱點反饋造成的熱電擊穿。

5.15 與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB)TDDB是影響MOS元器件長期可靠性的一種重要的失效機理，當對二氧化硅薄膜施加低于本征擊穿場強的電場強度后，經(jīng)過一段時間后會發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，這就是與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿。它的擊穿機理，可以分為兩個階段：第一階段是建立階段，在高電場、高電流密度應(yīng)力的作用下，氧化層內(nèi)部發(fā)生電荷的積聚，積累的電荷達到某一程度后，使局部電場增高到某一臨界值；第二階段實在熱或電的正反饋作用下，迅速使氧化層擊穿，氧化層的壽命由第一階段中電荷的累計時間確定。

5.16 熱栽流子效應(yīng)

所謂熱載流子，是指其能量比費米能寄大幾個KT以上的載流子，這些載流子與晶格處于熱不平衡狀態(tài)，載流子的溫度超過了晶格溫度。熱載流子的能量達到或超過Si-SiO2界面勢壘的能量時，便會注入到SiO2中去，產(chǎn)生界面態(tài)、氧化層陷阱或被氧化層中陷阱所俘獲，由此產(chǎn)生的電荷積累引起元器件電參數(shù)不穩(wěn)定。表現(xiàn)為MOS元器件的閾值電壓漂移或跨導(dǎo)值降低，雙極元器件的電流增益下降，PN結(jié)擊穿電壓蠕變，使元器件性能受到影響，這就是熱載流子效應(yīng)。

5.17“爆米花效應(yīng)”

“爆米花效應(yīng)”是指塑封元器件塑封材料內(nèi)的水汽在高溫下受熱膨脹，是塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層效應(yīng)，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開路失效。塑封元器件是以樹脂類聚合物材料封裝的，其中的水汽包括封裝時殘留于元器件內(nèi)部、表面吸附，經(jīng)材料間的縫隙滲入及外界通過塑料本身擴散進入。

5.18軟誤差

電子元器件的封裝材料（如陶瓷管殼，作樹脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾等放射性物質(zhì)，它們衰變時會放出高能射線。當這些射線或宇宙射線照射到半導(dǎo)體存儲器上時，引起存儲數(shù)據(jù)位的丟失或變化，在下次寫入時存儲器又能正常工作，它完全是隨機的發(fā)生，隨意把這種數(shù)據(jù)位丟失叫軟誤差。引起軟誤差的根本原因是射線的電離效應(yīng)。

第四篇：電子元器件失效性分析

電子元器件失效性分析與應(yīng)用

趙春平

公安部第一研究所

摘要：

警用裝備作為國內(nèi)特種裝備制造業(yè)之一，其可靠性、精確性要求非一般企業(yè)及產(chǎn)品所能滿足，因其關(guān)系到現(xiàn)場使用者及人民的生命財產(chǎn)安全，故設(shè)備選材更是嚴之又嚴。電子元器件作為警用電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)及核心部件，它的失效及潛在缺陷都將對裝備的可靠性產(chǎn)生重要影響；電子器件失效分析的目的是通過確定失效模式和失效機理，提出對策、采取措施，防止問題出現(xiàn)，失效分析對于查明元器件的失效原因并及時向設(shè)計者反饋信息是必須的。隨著警用裝備制造水平的不斷進步，元器件的可靠性問題越來越受到重視，設(shè)備研制單位和器件生產(chǎn)廠家對失效分析技術(shù)及工程實踐經(jīng)驗的需求也越來越迫切。關(guān)鍵詞：警用裝備、可靠性、失效模式、失效機理。

一、失效分析的基本內(nèi)容，定義和意義

1．1 失效分析的基本內(nèi)容

電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術(shù)和分析程序認定器件的失效現(xiàn)象，判斷其失效模式和機理，從而確定失效原因，對后續(xù)設(shè)計提出建議，在生產(chǎn)過程中改進生產(chǎn)工藝，器件使用者在系統(tǒng)設(shè)計時改進電路設(shè)計，并對整機提出相應(yīng)測試要求、完成測試。因此，失效分析對元器件的研制速度、整機的可靠性有著重要意義。

1.2

失效的分類

在實際使用中，可以根據(jù)需要對失效做適當分類：按模式分為：開路、短路、無功能、特性退化、重測合格；按原因分為：誤用失效、本質(zhì)失效、早起失效、偶然失效、耗損失效、自然失效；按程度分為：完全失效、局部失效、按時間分為：突然失效、漸變失效、退化失效；按外部表現(xiàn)分為：明顯失效、隱蔽失效等。

二、失效的機理、模式

2.1失效的機理

由于電子器件的失效主要來自于產(chǎn)品制造、實驗、運輸、存儲、使用等一系列過程中發(fā)生的情況，與材料、設(shè)計、制造、使用密切相關(guān)。且電子元器件種類繁多，故失效機理也很多，失效機理是器件失效的實質(zhì)原因，在此說明器件是如何失效，相當于器件失效的物理和化學(xué)過程，從而表現(xiàn)出來性能、性質(zhì)（如腐蝕、疲勞、過應(yīng)力等）。元器件主要失效機理有： 2.1.1過應(yīng)力（EOS）：

指元器件承受的電流、電壓應(yīng)力或功率超過了其允許的最大范圍。2.1.2靜電損傷（ESD）

指電子器件在加工生產(chǎn)、組裝、貯存、運輸中與可能帶靜電的容器、測試及操作人員接觸，所帶經(jīng)典經(jīng)過器件引腳放電到地面，使器件收到損傷或失效。2.1.3閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）: MOS電路中由于寄生PNPN晶體管存在而呈現(xiàn)低阻狀態(tài)，這種低阻狀態(tài)在觸發(fā)條件去除或者終止后任然會存在。2.1.4電遷移（EM）: 當器件工作時，金屬互聯(lián)線內(nèi)有一定電流通過，金屬離子會沿著導(dǎo)體產(chǎn)生質(zhì)量的運輸，其結(jié)果會使導(dǎo)體的某些部位出現(xiàn)空洞或晶須。2.1.5熱載流子效應(yīng)（HC）: 熱載流子是指能量比費米能級大幾個KT以上的載流子。這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態(tài)，當其能量達到或者超過SI-SIO2界面勢壘時（對電子注入為3.2eV,對空穴注入為4.5eV）便會注入到氧化層中，產(chǎn)生界面態(tài)，氧化層陷阱或被陷阱所俘獲，是氧化層電荷增加或波動不穩(wěn)，這就是熱載流子效應(yīng)。2.1.6柵氧擊穿：

在MOS器件及其電路中，柵氧化層缺陷會導(dǎo)致柵氧漏電，漏電增加到一定程度即構(gòu)成擊穿。

2.1.7與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）：

施加的電場低于柵氧的本證擊穿強度，但經(jīng)歷一定的時間后仍然會擊穿，這是由于施加應(yīng)力過程中，氧化層內(nèi)產(chǎn)生并聚集了缺陷的原因。2.1.8 由于金-呂之間的化學(xué)勢不同，經(jīng)長期使用或200度以上的高溫存儲后，會產(chǎn)生多種金屬間化合物，如紫斑、白斑等。使鋁層變薄、接觸電阻增加，最后導(dǎo)致開路。300度高溫下還會產(chǎn)生空洞，即可肯德爾效應(yīng)，這種效應(yīng)是高溫下金向鋁迅速擴散并形成化合物，在鍵合點四周出現(xiàn)環(huán)形空間，是鋁膜部分或全部脫離，形成高祖或開路。2.1.9爆米花效應(yīng)：

塑封元器件塑封料內(nèi)的水汽在高溫下受熱膨脹，使塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層反映，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開路失效。

2.2失效模式

失效的模式指外在的表現(xiàn)形式和過程規(guī)律，通常指測試或觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。產(chǎn)品的失效依據(jù)其是否具有損傷的時間累積效應(yīng)而被分為過應(yīng)力失效和損耗性失效，所以與時間相關(guān)的失效模型定量地描述了產(chǎn)品隨時間的損傷積累狀況，在宏觀上表現(xiàn)為性能或是參數(shù)隨時間的退化。常用的失效模型有：

2.2.1 阿列尼烏茲模型：

列尼烏茲模型定量的給出化學(xué)反應(yīng)速率與溫度的關(guān)系，所以，如果一個產(chǎn)品的失效過程取決于這樣的一個化學(xué)，列尼烏茲模型就給出了產(chǎn)品的壽命。2.2.2艾林模型：

艾林模型與列尼烏茲模型相比可以考慮溫度以外的更多應(yīng)力的影響，同時潛在的可以考慮這些不同類型應(yīng)力之間的相互作用。

三、失效分析技術(shù)

失效分析技術(shù)是失效分析使用的手段和方法，主要包括六大方面：失效定位技術(shù)、樣品制備技術(shù)；顯微分析技術(shù)；應(yīng)力驗證技術(shù)；電子分析技術(shù)；成分分析技術(shù)。

3.1失效定位技術(shù)： 失效定位技術(shù)的主要目的是確定檢測目標的失效部位，隨著現(xiàn)代集成電路及電子器件的復(fù)雜化，失效定位技術(shù)就顯得尤為重要。失效定位技術(shù)有多種方法，其中無需開封即可進行的無損檢測有X-RAY,SAM等。X-RAY可用于觀察元器件及多層印刷電路板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)引線的是否開路或短路，粘接缺陷，焊點缺陷，封裝裂紋，空洞、橋連、立碑及器件漏裝等缺陷。這也是人工焊接操作時容易反生的問題，經(jīng)過這幾年在線上的學(xué)習和工作，對此類缺陷了如于心，這也從根本上排除了由于人工操作引起的失效。SAM則可觀察到內(nèi)部裂紋，分層缺陷，空洞，氣泡，空隙等，若X-RAY，SAM不能檢測到失效部位，則需要對元器件進行開封，而后用其他方法定位。例如顯微檢查。

3.2樣品制備技術(shù)

未解決大部分失效分析，都需要采用解剖分析技術(shù)，即對樣品的剖層分析，陰氣不對觀察和測試部分存在破壞。樣品的制備步驟一般包括：開發(fā)封裝、去鈍化層，對于多層結(jié)構(gòu)芯片來說，還要去除層間介質(zhì)。打開封裝可以使用機械和化學(xué)兩種方法，去鈍化層可使用化學(xué)腐蝕或等離子腐蝕。

3.3顯微分析技術(shù)

失效原因的分析，失效機理的確定及前文提到的失效定位都要用到現(xiàn)為分析技術(shù)?，F(xiàn)為分析技術(shù)一般采用各種顯微鏡，且它們個具有優(yōu)缺點，如景深大成像立體感強的體式顯微鏡；平面成像效果好的金相顯微鏡；放大倍數(shù)高的SEM；制樣要求高可觀察到晶格結(jié)構(gòu)的TEM；成像精度不高但操作方便的紅外顯微鏡；成像精度較高的光輻射顯微鏡等，要根據(jù)實際情況進行設(shè)備和方法的選擇。

3.4應(yīng)力驗證技術(shù)

電子器件在不同環(huán)境中可靠性存在差異，如不同溫度、濕度下產(chǎn)生的應(yīng)力，不通電流、電壓下產(chǎn)生的電應(yīng)力等，都會導(dǎo)致電子元器件性能的變化，或失效。因此，可以模擬各種環(huán)境參數(shù)，來驗證元器件各種應(yīng)力下的可靠性。

3.5電子分析技術(shù)

利用電子進行失效分析的方法很多，如EBT,EPMA,SEM,TEM,AES等。

3.6成分分析技術(shù)

需要確定元器件中某一部分的成分即需要用到成分分析技術(shù)，以判斷是否存在污染，或組份是否正確，而影響了元器件的性能。常用設(shè)備有EDS,EDAX,AES,SIMS等。

四、失效分析的應(yīng)用

以上是失效分析的概念問題，下面講講失效分析的實際應(yīng)用： 例如一個EPROM在使用后不能讀寫的分析 1）先不要相信使用者的話，進行一系列復(fù)判。

2）快速失效分析：失效定位分析，查找電源端開始測試，首先做待機電流測試，電源對地的待機電流下降；制備分析，進行開封測試。開封發(fā)現(xiàn)電源線中間斷（中間散熱慢，兩端散熱快），因為斷開，相當于并聯(lián)電阻少了一個電阻，電流減小。3）分析原因：閂鎖效應(yīng) 應(yīng)力大于產(chǎn)品本身強度。

4）責任：確定失效責任方：進行模擬實驗，測閂鎖的能力，看觸發(fā)的電流值，越大越好，至少要大于datasheet或近似良品的值在標準范圍內(nèi)的。接下來檢測維持電壓（第二拐點電壓），若大于標準指，則很難回到原值。若多片良品檢測沒問題，說明是使用者使用不當導(dǎo)致。

5）改善建議：改善供電措施，加電路保護措施。4.1常見電子器件失效分析方法及改正措施 4.1.1電阻器：

電阻器最容易失效于阻值增大；開路 原因：受潮，發(fā)生電腐蝕，過電應(yīng)力。4.1.2 電容器：

電解電容用于電源濾波，一旦短路后果很嚴重特點是容值大壽命短，如果漏液則導(dǎo)致電容減少，大點路燒壞電極造成短路放電；電源犯戒會產(chǎn)生強大電流燒壞電極；陰極氧化使絕緣膜增厚，導(dǎo)致電容下降；長期放置不通電，陽極氧化膜不斷脫落不能及時修補，漏電電流增大，可加直流電使之修復(fù)。4.1.3 繼電器：

觸點飛弧放電粘結(jié)

原因：鍵結(jié)合點外圍回路有線圈，線圈產(chǎn)生大的電動勢時，且當鍵間有水氣，會發(fā)生觸點飛弧放電，造成粘結(jié)。4.1.4 電路板：離子遷移

當線間有水分和雜質(zhì)，通電后使離子通電，短路。

五、失效分析在警用設(shè)備中應(yīng)用的重要性

作為保障警用設(shè)備可靠性、保證警用設(shè)備正常工作，防止設(shè)備失效而對社會和人身造成傷害，每一個設(shè)備生產(chǎn)工程師都應(yīng)具備一定素質(zhì)。而設(shè)備可靠性基本也可以歸結(jié)為元器件失效，換句話說產(chǎn)品出去，在客戶那里使用不良，很大程度是元器件失效引起的，所以失效分析的精華就是元器件失效分析，但是元器件失效，除了元器件本身可靠性，還有設(shè)計、工藝、人工、環(huán)境應(yīng)力等因素，或者綜合因素，至于元器件本身問題，按照供應(yīng)鏈管理的思路，追述到供應(yīng)商，同樣可以歸結(jié)為原材料的設(shè)計、工藝、人工、環(huán)境引起，所以，可靠性工程師必定要求對元器件的設(shè)計選用，測試，生產(chǎn)工藝熟悉，我個人角度，認為，可以多與供應(yīng)商溝通，對于不了解的元器件可以抽出時間去現(xiàn)場考察學(xué)習。更重要的，失效性分析離不開我們每個人的工作。

實事求是，數(shù)據(jù)真實可靠，是一切研究的根本。

參考文獻

1、王開建、李國良等，電子器件失效分析【J】.半導(dǎo)體學(xué)報，2006，27（1）:295-298

2、楊興、劉玉寶，微電子器件的失效分析【J】.LSI制造與測試，1999,11(4):56-59

第五篇：新型電子元器件項目可行性研究分析報告

新型電子元器件項目可行性研究分析報告

報告說明：

可研報告主要內(nèi)容是要求以全面、系統(tǒng)的分析為主要方法，經(jīng)濟效益為核心，圍繞影響項目的各種因素，運用大量的數(shù)據(jù)資料論證擬建項目是否可行。對整個可行性研究提出綜合分析評價，指出優(yōu)缺點和建議。為了結(jié)論的需要，往往還需要加上一些附件，如試驗數(shù)據(jù)、論證材料、計算圖表、附圖等，以增強可行性報告的說服力。

《新型電子元器件項目可行性研究報告》通過對新型電子元器件項目的市場需求、資源供應(yīng)、建設(shè)規(guī)模、工藝路線、設(shè)備選型、環(huán)境影響、資金籌措、盈利能力等方面的研究，從技術(shù)、經(jīng)濟、工程等角度對新型電子元器件項目進行調(diào)查研究和分析比較，并對新型電子元器件項目建成以后可能取得的經(jīng)濟效益和社會環(huán)境影響進行科學(xué)預(yù)測，為新型電子元器件項目決策提供公正、可靠、科學(xué)的投資咨詢意見。具體而言，本報告體現(xiàn)如下幾方面價值：

——作為向新型電子元器件項目建設(shè)所在地政府和規(guī)劃部門備案的依據(jù)；

——作為籌集資金向銀行申請貸款的依據(jù)； ——作為建設(shè)新型電子元器件項目投資決策的依據(jù)；

——作為新型電子元器件項目進行工程設(shè)計、設(shè)備訂貨、施工準備等基本建設(shè)前期工作的依據(jù)；

——作為新型電子元器件項目擬采用的新技術(shù)、新設(shè)備的研制和進行地形、地質(zhì)及工業(yè)性試驗的依據(jù)；

——作為環(huán)保部門審查新型電子元器件項目對環(huán)境影響的依據(jù)。泓域企劃機構(gòu)（簡稱“泓域企劃”）成立于2011年，是一家專注于產(chǎn)業(yè)規(guī)劃咨詢、項目管理咨詢、、商業(yè)品牌推廣，并提供全方位解決方案的項目戰(zhàn)略咨詢及營銷策劃機構(gòu)，在全行業(yè)中首創(chuàng)了“互聯(lián)網(wǎng)+咨詢策劃”的服務(wù)模式，通過信息資源整合，可為客戶定制提供“行業(yè)+項目+產(chǎn)品+品牌”的全案策劃方案。

泓域企劃是領(lǐng)先的信息咨詢服務(wù)機構(gòu)，主要針對企業(yè)單位、政府組織和金融機構(gòu)，在產(chǎn)業(yè)研究、投資分析、市場調(diào)研等方面提供專業(yè)、權(quán)威的研究報告、數(shù)據(jù)產(chǎn)品和解決方案。作為一家專業(yè)的投資信息咨詢機構(gòu)，泓域咨詢及其合作機構(gòu)擁有國家發(fā)展和改革委員會工程咨詢資格，其編寫的可行性報告以質(zhì)量高、速度快、分析詳細、財務(wù)預(yù)測準確、服務(wù)好而在國內(nèi)享有盛譽，已經(jīng)累計完成上千個項目可行性研究報告、項目申請報告、資金申請報告的編寫，可為企業(yè)快速推動投資項目提供專業(yè)服務(wù)。

泓域企劃機構(gòu)有國家工程咨詢甲級資質(zhì)，其新型電子元器件項目可行性研究服務(wù)的專家團隊均來自政府部門、設(shè)計研究院、科研高校、行業(yè)協(xié)會等權(quán)威機構(gòu)，團隊成員具有廣泛社會資源及豐富的實際新型電子元器件項目運作經(jīng)驗，能夠有效地為客戶提供新型電子元器件項目可研專項咨詢服務(wù)，研究員長期的新型電子元器件項目咨詢經(jīng)驗可以保障報告產(chǎn)品的質(zhì)量。

可行性研究是確定建設(shè)項目前具有決定性意義的工作，是在投資決策之

前，對擬建項目進行全面技術(shù)經(jīng)濟分析論證的科學(xué)方法，在投資管理中，可行性研究是指對擬建項目有關(guān)的自然、社會、經(jīng)濟、技術(shù)等進行調(diào)研、分析比較以及預(yù)測建成后的社會經(jīng)濟效益。在此基礎(chǔ)上，綜合論證項目建設(shè)的必要性，財務(wù)的盈利性，經(jīng)濟上的合理性，技術(shù)上的先進性和適應(yīng)性以及建設(shè)條件的可能性和可行性，從而為投資決策提供科學(xué)依據(jù)。

新型電子元器件項目可行性研究報告編寫大綱—— 第一部分 新型電子元器件項目總論

第二部分 新型電子元器件項目建設(shè)背景、必要性、可行性 第三部分 新型電子元器件項目產(chǎn)品市場分析 第四部分 新型電子元器件項目產(chǎn)品規(guī)劃方案 第五部分 新型電子元器件項目建設(shè)地與土建總規(guī) 第六部分 新型電子元器件項目環(huán)保、節(jié)能與勞動安全方案 第七部分 新型電子元器件項目組織和勞動定員 第八部分 新型電子元器件項目實施進度安排 第九部分 新型電子元器件項目財務(wù)評價分析

第十部分 新型電子元器件項目財務(wù)效益、經(jīng)濟和社會效益評價 第十一部分 新型電子元器件項目風險分析及風險防控 第十二部分 新型電子元器件項目可行性研究結(jié)論與建議

常州，是江蘇省地級市，地處長江之南、太湖之濱，處于長江三角洲中心地帶，是長江三角洲地區(qū)中心城市之

一、先進制造業(yè)基地和文化旅游名城，江蘇長江經(jīng)濟帶重要組成部分。與蘇州、無錫聯(lián)袂成片，構(gòu)成蘇錫常都市圈。常州是一座有3200多年左右歷史的歷史文化名城，曾有過延陵、毗陵、毗壇、晉陵、南蘭陵、長春、嘗州、武進等名稱，隋文帝開皇九年（589年）始有常州之稱。于1949年設(shè)市。截至2015年，常州轄天寧區(qū)、鐘樓區(qū)、新北區(qū)、武進區(qū)、金壇區(qū)五個行政區(qū)和一個縣級市溧陽市，21個街道辦事處、37個鎮(zhèn)、807個行政村、323個居委會，總面積4385平方公里。常州是長江文明和吳文化的發(fā)源地之一，也是南朝齊梁故里，被稱為“中吳要輔”。常州境內(nèi)風景名勝、歷史古跡較多，有中華恐龍園、嬉戲谷、春秋淹城等主題公園和天目湖、南山、太湖灣、滆湖等自然風景區(qū)。常州人屬江浙民系，使用吳語。常州有季札、展昭、陳濟、吳稚暉、瞿秋白、張?zhí)?、惲代英、趙元任等歷史名人，主要特產(chǎn)有蘿卜干、大麻糕、芝麻糖、溧陽風鵝、野山筍等。

新型電子元器件項目可行性研究報告目錄—— 第一部分 新型電子元器件項目總論

總論作為可行性研究報告的首要部分，要綜合敘述研究報告中各部分的主要問題和研究結(jié)論，并對新型電子元器件項目的可行與否提出最終建議，為可行性研究的審批提供方便。

一、新型電子元器件項目背景

（一）新型電子元器件項目名稱

（二）新型電子元器件項目的承辦單位

（三）承擔可行性研究工作的單位情況

（四）新型電子元器件項目的主管部門

（五）新型電子元器件項目建設(shè)內(nèi)容、規(guī)模、目標

（五）新型電子元器件項目建設(shè)地點

二、新型電子元器件項目可行性研究主要結(jié)論

在可行性研究中，對新型電子元器件項目的產(chǎn)品銷售、原料供應(yīng)、政策保障、技術(shù)方案、資金總額籌措、新型電子元器件項目的財務(wù)效益和國民經(jīng)濟、社會效益等重大問題，都應(yīng)得出明確的結(jié)論，主要包括：

（一）新型電子元器件項目產(chǎn)品市場前景

（二）新型電子元器件項目原料供應(yīng)問題

（三）新型電子元器件項目政策保障問題

（四）新型電子元器件項目資金保障問題

（五）新型電子元器件項目組織保障問題

（六）新型電子元器件項目技術(shù)保障問題

（七）新型電子元器件項目人力保障問題

（八）新型電子元器件項目風險控制問題

（九）新型電子元器件項目財務(wù)效益結(jié)論

（十）新型電子元器件項目社會效益結(jié)論

（十一）新型電子元器件項目可行性綜合評價

三、主要技術(shù)經(jīng)濟指標表

在總論部分中，可將研究報告中各部分的主要技術(shù)經(jīng)濟指標匯總，列出

主要技術(shù)經(jīng)濟指標表，使審批和決策者對新型電子元器件項目作全貌了解。

四、存在問題及建議

對可行性研究中提出的新型電子元器件項目的主要問題進行說明并提出解決的建議。

第二部分 新型電子元器件項目建設(shè)背景、必要性、可行性

這一部分主要應(yīng)說明新型電子元器件項目發(fā)起的背景、投資的必要性、投資理由及新型電子元器件項目開展的支撐性條件等等。

一、新型電子元器件項目建設(shè)背景

（一）國家或行業(yè)發(fā)展規(guī)劃

（二）新型電子元器件項目發(fā)起人以及發(fā)起緣由

二、新型電子元器件項目建設(shè)必要性

常州，是江蘇省地級市，地處長江之南、太湖之濱，處于長江三角洲中心地帶，是長江三角洲地區(qū)中心城市之

一、先進制造業(yè)基地和文化旅游名城，江蘇長江經(jīng)濟帶重要組成部分。與蘇州、無錫聯(lián)袂成片，構(gòu)成蘇錫常都市圈。常州是一座有3200多年左右歷史的歷史文化名城，曾有過延陵、毗陵、毗壇、晉陵、南蘭陵、長春、嘗州、武進等名稱，隋文帝開皇九年（589年）始有常州之稱。于1949年設(shè)市。截至2015年，常州轄天寧區(qū)、鐘樓區(qū)、新北區(qū)、武進區(qū)、金壇區(qū)五個行政區(qū)和一個縣級市溧陽市，21個街道辦事處、37個鎮(zhèn)、807個行政村、323個居委會，總面積4385平方公里。常州是長江文明和吳文化的發(fā)源地之一，也是南朝齊梁故里，被稱為“中吳要輔”。常州境內(nèi)風景名勝、歷史古跡較多，有中華恐龍園、嬉戲谷、春秋淹城等主題

公園和天目湖、南山、太湖灣、滆湖等自然風景區(qū)。常州人屬江浙民系，使用吳語。常州有季札、展昭、陳濟、吳稚暉、瞿秋白、張?zhí)住链?、趙元任等歷史名人，主要特產(chǎn)有蘿卜干、大麻糕、芝麻糖、溧陽風鵝、野山筍等。

“十二五”時期是不平凡的五年。國內(nèi)外經(jīng)濟形勢復(fù)雜多變，全面深化改革破局啟航，各種利益訴求明顯增多，發(fā)展、改革、穩(wěn)定前所未有的緊迫。在市委、市政府的堅強領(lǐng)導(dǎo)下，全市上下積極進取、頑強拼搏，克服重重困難，加快科學(xué)發(fā)展，在轉(zhuǎn)型升級中實現(xiàn)了經(jīng)濟社會持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。“十二五”以來的五年是常州發(fā)展史上綜合實力奮力提升的五年，也是轉(zhuǎn)型步伐明顯加快、城鄉(xiāng)面貌明顯變化、改革開放明顯突破的五年，更是人民群眾得到實惠最多的五年。預(yù)計全市地區(qū)生產(chǎn)總值超過5000億元，先后邁上3000億、4000億元、5000億元臺階，人均地區(qū)生產(chǎn)總值超過11萬元，三次產(chǎn)業(yè)比重調(diào)整為2.8：48.2：49?！叭灰惑w”提升工業(yè)經(jīng)濟。戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展，“十大產(chǎn)業(yè)鏈”占規(guī)模以上工業(yè)產(chǎn)值比重達到33.3%，汽車、航空、碳材料等產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)重大突破，高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占規(guī)模以上工業(yè)產(chǎn)值比重達到43.5%左右，傳統(tǒng)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)加大改造力度，轉(zhuǎn)型發(fā)展、集聚發(fā)展水平進一步提升?，F(xiàn)代服務(wù)業(yè)發(fā)展態(tài)勢良好。組織實施服務(wù)業(yè)優(yōu)勢企業(yè)培育、集聚區(qū)提升等重大工程。生產(chǎn)性服務(wù)業(yè)積極發(fā)展，金融商務(wù)區(qū)加快建設(shè)，上市企業(yè)數(shù)量增加到38家，新三板掛牌企業(yè)60家，物流布局優(yōu)化、服務(wù)能力提升；消費性服務(wù)業(yè)提升發(fā)展，旅游增加值突破340億元，天目湖成為國家級旅游度假區(qū)，國家智慧旅游公共服務(wù)平臺投入運營，獲批國家電子商務(wù)示范城市、中國“旅

游+互聯(lián)網(wǎng)”創(chuàng)新示范城市；民生性服務(wù)業(yè)起步良好，西太湖科技產(chǎn)業(yè)園獲批省國際醫(yī)療旅游先行區(qū)、蘇臺（常州）健康產(chǎn)業(yè)合作示范區(qū)。

三、新型電子元器件項目建設(shè)可行性

（一）經(jīng)濟可行性

促進中小企業(yè)成長壯大。加大對種子期、初創(chuàng)期成長型小微企業(yè)支持力度，培育壯大新生小微企業(yè)群體。支持一批潛力大、成長性好，積累了一定資金、技術(shù)和管理經(jīng)驗的中小企業(yè)，順應(yīng)消費結(jié)構(gòu)變化、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整帶來的發(fā)展機遇加快發(fā)展。支持老少邊窮地區(qū)、少數(shù)民族地區(qū)中小企業(yè)發(fā)展壯大。

（二）政策可行性

圍繞打造全國先進制造研發(fā)基地的定位目標，研究通過爭取中央財政出資，整合地方財政專項資金，吸納國有資本和社會資本等方式，建立支持制造業(yè)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)投資基金，積極對接京津冀產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整基金等大型基金，加大對先進制造業(yè)發(fā)展的政策支持。建立先進制造業(yè)統(tǒng)計評價體系，制定并發(fā)布發(fā)展先進制造業(yè)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向目錄，確定發(fā)展方向和發(fā)展目標，引導(dǎo)社會資源投向。運用政府和社會資本合作（PPP）模式，引導(dǎo)社會資本參與制造業(yè)重大項目建設(shè)、企業(yè)技術(shù)改造和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。積極推進先進制造業(yè)與金融融合發(fā)展，支持金融機構(gòu)研發(fā)推廣符合先進制造業(yè)發(fā)展實際需求的各類金融產(chǎn)品，支持企業(yè)通過融資租賃加快裝備改造升級，提升研發(fā)制造水平和市場競爭力。

（三）技術(shù)可行性

鼓勵支撐工業(yè)綠色發(fā)展的共性技術(shù)研發(fā)。按照產(chǎn)品全生命周期理念，以

提高工業(yè)綠色發(fā)展技術(shù)水平為目標，加大綠色設(shè)計技術(shù)、環(huán)保材料、綠色工藝與裝備、廢舊產(chǎn)品回收資源化與再制造等領(lǐng)域共性技術(shù)研發(fā)力度。重點突破產(chǎn)品輕量化、模塊化、集成化、智能化等綠色設(shè)計共性技術(shù)，研發(fā)推廣高性能、輕量化、綠色環(huán)保的新材料，突破廢舊金屬、廢塑料等產(chǎn)品智能分選與高值利用、固體廢物精細拆解與清潔再生等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，開展基于全生命周期的綠色評價技術(shù)研究。

（四）模式可行性

深化外商投資管理體制改革，建立外商投資準入前國民待遇加負面清單管理機制，落實備案為主、核準為輔的管理模式，營造穩(wěn)定、透明、可預(yù)期的營商環(huán)境。全面深化外匯管理、海關(guān)監(jiān)管、檢驗檢疫管理改革，提高貿(mào)易投資便利化水平。進一步放寬市場準入，修訂鋼鐵、化工、船舶等產(chǎn)業(yè)政策，支持制造業(yè)企業(yè)通過委托開發(fā)、專利授權(quán)、眾包眾創(chuàng)等方式引進先進技術(shù)和高端人才，推動利用外資由重點引進技術(shù)、資金、設(shè)備向合資合作開發(fā)、對外并購及引進領(lǐng)軍人才轉(zhuǎn)變。加強對外投資立法，強化制造業(yè)企業(yè)走出去法律保障，規(guī)范企業(yè)境外經(jīng)營行為，維護企業(yè)合法權(quán)益。探索利用產(chǎn)業(yè)基金、國有資本收益等渠道支持高鐵、電力裝備、汽車、工程施工等裝備和優(yōu)勢產(chǎn)能走出去，實施海外投資并購。加快制造業(yè)走出去支撐服務(wù)機構(gòu)建設(shè)和水平提升，建立制造業(yè)對外投資公共服務(wù)平臺和出口產(chǎn)品技術(shù)性貿(mào)易服務(wù)平臺，完善應(yīng)對貿(mào)易摩擦和境外投資重大事項預(yù)警協(xié)調(diào)機制。

（五）組織和人力資源可行性

第三部分 新型電子元器件項目產(chǎn)品市場分析

市場分析在可行性研究中的重要地位在于，任何一個新型電子元器件項目，其生產(chǎn)規(guī)模的確定、技術(shù)的選擇、投資估算甚至廠址的選擇，都必須在對市場需求情況有了充分了解以后才能決定。而且市場分析的結(jié)果，還可以決定產(chǎn)品的價格、銷售收入，最終影響到新型電子元器件項目的盈利性和可行性。在可行性研究報告中，要詳細研究當前市場現(xiàn)狀，以此作為后期決策的依據(jù)。

一、新型電子元器件項目產(chǎn)品市場調(diào)查

（一）新型電子元器件項目產(chǎn)品國際市場調(diào)查

（二）新型電子元器件項目產(chǎn)品國內(nèi)市場調(diào)查

（三）新型電子元器件項目產(chǎn)品價格調(diào)查

（四）新型電子元器件項目產(chǎn)品上游原料市場調(diào)查

（五）新型電子元器件項目產(chǎn)品下游消費市場調(diào)查

（六）新型電子元器件項目產(chǎn)品市場競爭調(diào)查

二、新型電子元器件項目產(chǎn)品市場預(yù)測

市場預(yù)測是市場調(diào)查在時間上和空間上的延續(xù)，利用市場調(diào)查所得到的信息資料，對本新型電子元器件項目產(chǎn)品未來市場需求量及相關(guān)因素進行定量與定性的判斷與分析，從而得出市場預(yù)測。在可行性研究工作報告中，市場預(yù)測的結(jié)論是制訂產(chǎn)品方案，確定新型電子元器件項目建設(shè)規(guī)模參考的重要根據(jù)。

（一）新型電子元器件項目產(chǎn)品國際市場預(yù)測

（二）新型電子元器件項目產(chǎn)品國內(nèi)市場預(yù)測

（三）新型電子元器件項目產(chǎn)品價格預(yù)測

（四）新型電子元器件項目產(chǎn)品上游原料市場預(yù)測

（五）新型電子元器件項目產(chǎn)品下游消費市場預(yù)測

（六）新型電子元器件項目發(fā)展前景綜述 第四部分 新型電子元器件項目產(chǎn)品規(guī)劃方案

一、新型電子元器件項目產(chǎn)品產(chǎn)能規(guī)劃方案

二、新型電子元器件項目產(chǎn)品工藝規(guī)劃方案

（一）工藝設(shè)備選型

（二）工藝說明

（三）工藝流程

三、新型電子元器件項目產(chǎn)品營銷規(guī)劃方案

（一）營銷戰(zhàn)略規(guī)劃

（二）營銷模式

在商品經(jīng)濟環(huán)境中，企業(yè)要根據(jù)市場情況，制定合格的銷售模式，爭取擴大市場份額，穩(wěn)定銷售價格，提高產(chǎn)品競爭能力。因此，在可行性研究報告中，要對市場營銷模式進行詳細研究。

1、投資者分成

2、企業(yè)自銷

3、國家部分收購

4、經(jīng)銷人代銷及代銷人情況分析

（三）促銷策略

第五部分 新型電子元器件項目建設(shè)地與土建總規(guī)

一、新型電子元器件項目建設(shè)地

（一）新型電子元器件項目建設(shè)地地理位置

（二）新型電子元器件項目建設(shè)地自然情況

（三）新型電子元器件項目建設(shè)地資源情況

（四）新型電子元器件項目建設(shè)地經(jīng)濟情況

（五）新型電子元器件項目建設(shè)地人口情況

二、新型電子元器件項目土建總規(guī)

（一）新型電子元器件項目廠址及廠房建設(shè)

1、廠址

2、廠房建設(shè)內(nèi)容

3、廠房建設(shè)造價

（二）土建總圖布置

1、平面布置。列出新型電子元器件項目主要單項工程的名稱、生產(chǎn)能力、占地面積、外形尺寸、流程順序和布置方案。

2、豎向布置（1）場址地形條件（2）豎向布置方案

（3）場地標高及土石方工程量

3、技術(shù)改造新型電子元器件項目原有建、構(gòu)筑物利用情況

4、總平面布置圖（技術(shù)改造新型電子元器件項目應(yīng)標明新建和原有以及

拆除的建、構(gòu)筑物的位置）

5、總平面布置主要指標表

（三）場內(nèi)外運輸

1、場外運輸量及運輸方式

2、場內(nèi)運輸量及運輸方式

3、場內(nèi)運輸設(shè)施及設(shè)備

（四）新型電子元器件項目土建及配套工程

1、新型電子元器件項目占地

2、新型電子元器件項目土建及配套工程內(nèi)容

（五）新型電子元器件項目土建及配套工程造價

（六）新型電子元器件項目其他輔助工程

1、供水工程

2、供電工程

3、供暖工程

4、通信工程

5、其他

第六部分 新型電子元器件項目環(huán)保、節(jié)能與勞動安全方案

在新型電子元器件項目建設(shè)中，必須貫徹執(zhí)行國家有關(guān)環(huán)境保護、能源節(jié)約和職業(yè)安全方面的法規(guī)、法律，對新型電子元器件項目可能造成周邊環(huán)境影響或勞動者健康和安全的因素，必須在可行性研究階段進行論證分析，提出防治措施，并對其進行評價，推薦技術(shù)可行、經(jīng)濟，且布局合理，對環(huán)

境有害影響較小的最佳方案。按照國家現(xiàn)行規(guī)定，凡從事對環(huán)境有影響的建設(shè)新型電子元器件項目都必須執(zhí)行環(huán)境影響報告書的審批制度，同時，在可行性研究報告中，對環(huán)境保護和勞動安全要有專門論述。

一、新型電子元器件項目環(huán)境保護

（一）新型電子元器件項目環(huán)境保護設(shè)計依據(jù)

（二）新型電子元器件項目環(huán)境保護措施

（三）新型電子元器件項目環(huán)境保護評價

二、新型電子元器件項目資源利用及能耗分析

（一）新型電子元器件項目資源利用及能耗標準

（二）新型電子元器件項目資源利用及能耗分析

三、新型電子元器件項目節(jié)能方案

（一）新型電子元器件項目節(jié)能設(shè)計依據(jù)

（二）新型電子元器件項目節(jié)能分析

四、新型電子元器件項目消防方案

（一）新型電子元器件項目消防設(shè)計依據(jù)

（二）新型電子元器件項目消防措施

（三）火災(zāi)報警系統(tǒng)

（四）滅火系統(tǒng)

（五）消防知識教育

五、新型電子元器件項目勞動安全衛(wèi)生方案

（一）新型電子元器件項目勞動安全設(shè)計依據(jù)

（二）新型電子元器件項目勞動安全保護措施 第七部分 新型電子元器件項目組織和勞動定員

在可行性研究報告中，根據(jù)新型電子元器件項目規(guī)模、新型電子元器件項目組成和工藝流程，研究提出相應(yīng)的企業(yè)組織機構(gòu)，勞動定員總數(shù)及勞動力來源及相應(yīng)的人員培訓(xùn)計劃。

一、新型電子元器件項目組織

（一）組織形式

（二）工作制度

二、新型電子元器件項目勞動定員和人員培訓(xùn)

（一）勞動定員

（二）年總工資和職工年平均工資估算

（三）人員培訓(xùn)及費用估算

第八部分 新型電子元器件項目實施進度安排

新型電子元器件項目實施時期的進度安排是可行性研究報告中的一個重要組成部分。新型電子元器件項目實施時期亦稱投資時間，是指從正式確定建設(shè)新型電子元器件項目到新型電子元器件項目達到正常生產(chǎn)這段時期，這一時期包括新型電子元器件項目實施準備，資金籌集安排，勘察設(shè)計和設(shè)備訂貨，施工準備，施工和生產(chǎn)準備，試運轉(zhuǎn)直到竣工驗收和交付使用等各個工作階段。這些階段的各項投資活動和各個工作環(huán)節(jié)，有些是相互影響的，前后緊密銜接的，也有同時開展，相互交叉進行的。因此，在可行性研究階段，需將新型電子元器件項目實施時期每個階段的工作環(huán)節(jié)進行統(tǒng)一規(guī)劃，綜合平衡，作出合理又切實可行的安排。

一、新型電子元器件項目實施的各階段

（一）建立新型電子元器件項目實施管理機構(gòu)

（二）資金籌集安排

（三）技術(shù)獲得與轉(zhuǎn)讓

（四）勘察設(shè)計和設(shè)備訂貨

（五）施工準備

（六）施工和生產(chǎn)準備

（七）竣工驗收

二、新型電子元器件項目實施進度表

三、劑新型電子元器件項目實施費用

（一）建設(shè)單位管理費

（二）生產(chǎn)籌備費

（三）生產(chǎn)職工培訓(xùn)費

（四）辦公和生活家具購置費

（五）其他應(yīng)支出的費用

第九部分 新型電子元器件項目財務(wù)評價分析

一、新型電子元器件項目總投資估算

二、新型電子元器件項目資金籌措

一個建設(shè)新型電子元器件項目所需要的投資資金，可以從多個來源渠道獲得。新型電子元器件項目可行性研究階段，資金籌措工作是根據(jù)對建設(shè)新

型電子元器件項目固定資產(chǎn)投資估算和流動資金估算的結(jié)果，研究落實資金的來源渠道和籌措方式，從中選擇條件優(yōu)惠的資金?？尚行匝芯繄蟾嬷校瑧?yīng)對每一種來源渠道的資金及其籌措方式逐一論述。并附有必要的計算表格和附件?？尚行匝芯恐校瑧?yīng)對下列內(nèi)容加以說明：

（一）資金來源

（二）新型電子元器件項目籌資方案

三、新型電子元器件項目投資使用計劃

（一）投資使用計劃

（二）借款償還計劃

四、新型電子元器件項目財務(wù)評價說明&財務(wù)測算假定

（一）計算依據(jù)及相關(guān)說明

（二）新型電子元器件項目測算基本設(shè)定

五、新型電子元器件項目總成本費用估算

（一）直接成本

（二）工資及福利費用

（三）折舊及攤銷

（四）工資及福利費用

（五）修理費

（六）財務(wù)費用

（七）其他費用

（八）財務(wù)費用

（九）總成本費用

六、銷售收入、銷售稅金及附加和增值稅估算

（一）銷售收入

（二）銷售稅金及附加

（三）增值稅

（四）銷售收入、銷售稅金及附加和增值稅估算

七、損益及利潤分配估算

八、現(xiàn)金流估算

（一）新型電子元器件項目投資現(xiàn)金流估算

（二）新型電子元器件項目資本金現(xiàn)金流估算

九、不確定性分析

在對建設(shè)新型電子元器件項目進行評價時，所采用的數(shù)據(jù)多數(shù)來自預(yù)測和估算。由于資料和信息的有限性，將來的實際情況可能與此有出入，這對新型電子元器件項目投資決策會帶來風險。為避免或盡可能減少風險，就要分析不確定性因素對新型電子元器件項目經(jīng)濟評價指標的影響，以確定新型電子元器件項目的可靠性，這就是不確定性分析。

根據(jù)分析內(nèi)容和側(cè)重面不同，不確定性分析可分為盈虧平衡分析、敏感性分析和概率分析。在可行性研究中，一般要進行的盈虧平衡平分析、敏感性分配和概率分析，可視新型電子元器件項目情況而定。

（一）盈虧平衡分析

（二）敏感性分析

第十部分 新型電子元器件項目財務(wù)效益、經(jīng)濟和社會效益評價 在建設(shè)新型電子元器件項目的技術(shù)路線確定以后，必須對不同的方案進行財務(wù)、經(jīng)濟效益評價，判斷新型電子元器件項目在經(jīng)濟上是否可行，并比選出優(yōu)秀方案。本部分的評價結(jié)論是建議方案取舍的主要依據(jù)之一，也是對建設(shè)新型電子元器件項目進行投資決策的重要依據(jù)。本部分就可行性研究報告中財務(wù)、經(jīng)濟與社會效益評價的主要內(nèi)容做一概要說明：

一、財務(wù)評價

財務(wù)評價是考察新型電子元器件項目建成后的獲利能力、債務(wù)償還能力及外匯平衡能力的財務(wù)狀況，以判斷建設(shè)新型電子元器件項目在財務(wù)上的可行性。財務(wù)評價多用靜態(tài)分析與動態(tài)分析相結(jié)合，以動態(tài)為主的辦法進行。并用財務(wù)評價指標分別和相應(yīng)的基準參數(shù)——財務(wù)基準收益率、行業(yè)平均投資回收期、平均投資利潤率、投資利稅率相比較，以判斷新型電子元器件項目在財務(wù)上是否可行。

（一）財務(wù)凈現(xiàn)值

財務(wù)凈現(xiàn)值是指把新型電子元器件項目計算期內(nèi)各年的財務(wù)凈現(xiàn)金流量，按照一個設(shè)定的標準折現(xiàn)率（基準收益率）折算到建設(shè)期初（新型電子元器件項目計算期第一年年初）的現(xiàn)值之和。財務(wù)凈現(xiàn)值是考察新型電子元器件項目在其計算期內(nèi)盈利能力的主要動態(tài)評價指標。如果新型電子元器件項目財務(wù)凈現(xiàn)值等于或大于零，表明新型電子元器件項目的盈利能力達到或超過了所要求的盈利水平，新型電子元器件項目財務(wù)上可行。

（二）財務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）

財務(wù)內(nèi)部收益率是指新型電子元器件項目在整個計算期內(nèi)各年財務(wù)凈現(xiàn)金流量的現(xiàn)值之和等于零時的折現(xiàn)率，也就是使新型電子元器件項目的財務(wù)凈現(xiàn)值等于零時的折現(xiàn)率。財務(wù)內(nèi)部收益率是反映新型電子元器件項目實際收益率的一個動態(tài)指標，該指標越大越好。一般情況下，財務(wù)內(nèi)部收益率大于等于基準收益率時，新型電子元器件項目可行。

（三）投資回收期Pt 投資回收期按照是否考慮資金時間價值可以分為靜態(tài)投資回收期和動態(tài)投資回收期。以動態(tài)回收期為例：

（l）計算公式

動態(tài)投資回收期的計算在實際應(yīng)用中根據(jù)新型電子元器件項目的現(xiàn)金流量表，用下列近似公式計算：Pt＝（累計凈現(xiàn)金流量現(xiàn)值出現(xiàn)正值的年數(shù)-1）+上一年累計凈現(xiàn)金流量現(xiàn)值的絕對值/出現(xiàn)正值年份凈現(xiàn)金流量的現(xiàn)值

（2）評價準則

1）Pt≤Pc（基準投資回收期）時，說明新型電子元器件項目（或方案）能在要求的時間內(nèi)收回投資，是可行的；

2）Pt＞Pc時，則新型電子元器件項目（或方案）不可行，應(yīng)予拒絕。

（四）新型電子元器件項目投資收益率ROI 新型電子元器件項目投資收益率是指新型電子元器件項目達到設(shè)計能力后正常年份的年息稅前利潤或營運期內(nèi)年平均息稅前利潤（EBIT)與新型電子元器件項目總投資（TI）的比率?？偼顿Y收益率高于同行業(yè)的收益率參考值，表明用總投資收益率表示的盈利能力滿足要求。

ROI≥部門（行業(yè)）平均投資利潤率（或基準投資利潤率）時，新型電子元器件項目在財務(wù)上可考慮接受。

（五）新型電子元器件項目投資利稅率

新型電子元器件項目投資利稅率是指新型電子元器件項目達到設(shè)計生產(chǎn)能力后的一個正常生產(chǎn)年份的年利潤總額或平均年利潤總額與銷售稅金及附加與新型電子元器件項目總投資的比率，計算公式為：投資利稅率=年利稅總額或年平均利稅總額/總投資×100%投資利稅率≥部門（行業(yè)）平均投資利稅率（或基準投資利稅率）時，新型電子元器件項目在財務(wù)上可考慮接受。

（六）新型電子元器件項目資本金凈利潤率（ROE）

新型電子元器件項目資本金凈利潤率是指新型電子元器件項目達到設(shè)計能力后正常年份的年凈利潤或運營期內(nèi)平均凈利潤(NP)與新型電子元器件項目資本金(EC)的比率。新型電子元器件項目資本金凈利潤率高于同行業(yè)的凈利潤率參考值，表明用新型電子元器件項目資本金凈利潤率表示的盈利能力滿足要求。

（七）新型電子元器件項目測算核心指標匯總表

二、國民經(jīng)濟評價

國民經(jīng)濟評價是新型電子元器件項目經(jīng)濟評價的核心部分，是決策部門考慮新型電子元器件項目取舍的重要依據(jù)。建設(shè)新型電子元器件項目國民經(jīng)濟評價采用費用與效益分析的方法，運用影子價格、影子匯率、影子工資和社會折現(xiàn)率等參數(shù)，計算新型電子元器件項目對國民經(jīng)濟的凈貢獻，評價新型電子元器件項目在經(jīng)濟上的合理性。國民經(jīng)濟評價采用國民經(jīng)濟盈利能力

分析和外匯效果分析，以經(jīng)濟內(nèi)部收益率（EIRR）作為主要的評價指標。根據(jù)新型電子元器件項目的具體特點和實際需要也可計算經(jīng)濟凈現(xiàn)值（ENPV）指標，涉及產(chǎn)品出口創(chuàng)匯或替代進口節(jié)匯的新型電子元器件項目，要計算經(jīng)濟外匯凈現(xiàn)值（ENPV），經(jīng)濟換匯成本或經(jīng)濟節(jié)匯成本。

三、社會效益和社會影響分析

在可行性研究中，除對以上各項指標進行計算和分析以外，還應(yīng)對新型電子元器件項目的社會效益和社會影響進行分析，也就是對不能定量的效益影響進行定性描述。

第十一部分 新型電子元器件項目風險分析及風險防控

一、建設(shè)風險分析及防控措施

二、法律政策風險及防控措施

三、市場風險及防控措施

四、籌資風險及防控措施

五、其他相關(guān)粉線及防控措施

第十二部分 新型電子元器件項目可行性研究結(jié)論與建議

一、結(jié)論與建議

根據(jù)前面各節(jié)的研究分析結(jié)果，對新型電子元器件項目在技術(shù)上、經(jīng)濟上進行全面的評價，對建設(shè)方案進行總結(jié)，提出結(jié)論性意見和建議。主要內(nèi)容有：

1、對推薦的擬建方案建設(shè)條件、產(chǎn)品方案、工藝技術(shù)、經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境影響的結(jié)論性意見

2、對主要的對比方案進行說明

3、對可行性研究中尚未解決的主要問題提出解決辦法和建議

4、對應(yīng)修改的主要問題進行說明，提出修改意見

5、對不可行的新型電子元器件項目，提出不可行的主要問題及處理意見

6、可行性研究中主要爭議問題的結(jié)論

二、附件

凡屬于新型電子元器件項目可行性研究范圍，但在研究報告以外單獨成冊的文件，均需列為可行性研究報告的附件，所列附件應(yīng)注明名稱、日期、編號。

1、新型電子元器件項目建議書（初步可行性研究報告）

2、新型電子元器件項目立項批文

3、廠址選擇報告書

4、資源勘探報告

5、貸款意向書

6、環(huán)境影響報告

7、需單獨進行可行性研究的單項或配套工程的可行性研究報告

8、需要的市場預(yù)測報告

9、引進技術(shù)新型電子元器件項目的考察報告

10、引進外資的名類協(xié)議文件

11、其他主要對比方案說明

12、其他

三、附圖

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