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      專題:氮化鎵基半導體材料

      • 氮化鎵半導體材料

        時間:2019-05-13 13:18:00 作者:會員上傳

        氮化鎵半導體研究
        一.物理背景
        自20世紀60年代,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)的發(fā)展非常迅速,它具有體積小、耐沖擊、壽命長、可靠度高與低電壓低電流操作等優(yōu)良的特性,

      • 氮化鎵項目可行性研究報告

        時間:2019-05-14 03:31:02 作者:會員上傳

        北京智博睿信息咨詢有限公司 004km.cn 氮化鎵項目可行性研究報告 總述 GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化

      • 半導體砷化鎵材料的分析(推薦閱讀)

        時間:2019-05-13 08:51:57 作者:會員上傳

        砷化鎵材料分析 摘要:本文主要介紹半導體材料GaAs的性質(zhì)、用途、制備工藝及國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀。半導體材料的性質(zhì)和結構參數(shù)決定了他的特征以及用途。GaAs在生活中也有著廣泛的

      • 半導體論文

        時間:2019-05-15 09:13:48 作者:會員上傳

        半導體器件論文試題(任選5題)
        《1月7號前交給班長,要求手寫》
        1、 闡述本征半導體、P型半導體、N型半導體的概念并給出其能帶圖。
        2、 論述PN結的構成及其能帶圖的成因。 3、

      • 半導體問答

        時間:2019-05-13 07:24:02 作者:會員上傳

        影響工廠成本的主要因素有哪些? 答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機器折舊,維修,研究費用……

      • 砷化鎵材料及其市場應用

        時間:2019-05-13 06:48:17 作者:會員上傳

        砷化鎵材料及其市場應用 1.砷化鎵是由砷和鎵二種元素合成并生長成的一種III-V族化合物半導體材料,是一種性能優(yōu)異的電子信息功能材料。GaAs 的微波大功率器件、低噪聲器件、

      • 38crmoal氮化處理技術要求(推薦閱讀)

        時間:2019-05-15 07:22:41 作者:會員上傳

        38crmoal氮化處理技術要求
        分模面表面硬度HV=1050,距表面0.03處HV≥900,距表面0.06處 HV≥800,滲透度深度大于0.50mm,脆性級別1~2級;全長變形量≤0.05mm。螺紋部分不允許有滲碳層

      • 初三物理教案 半導體(精選)

        時間:2019-05-12 19:27:14 作者:會員上傳

        初三物理教案 半導體 初三物理教案 半導體 教學目標 知識目標 了解半導體以及半導體在現(xiàn)代科學技術中的應用. 能力目標 通過半導體知識的學習,擴展知識面. 情感目標

      • 說課稿-半導體器件

        時間:2019-05-12 01:51:33 作者:會員上傳

        尊敬的各位領導、各位老師下午好,我今天說課的題目是:平衡PN結一、 分析教材
        首先我對本節(jié)的教材內(nèi)容進行分析:
        《半導體器件物理》是應用物理學專業(yè)的一門重要專業(yè)方向課程。

      • 半導體材料測試技術

        時間:2019-05-13 05:09:32 作者:會員上傳

        常規(guī)材料測試技術 一、適用客戶: 半導體,建筑業(yè),輕金屬業(yè),新材料,包裝業(yè),模具業(yè),科研機構,高校,電鍍,化工,能源,生物制藥,光電子,顯示器。 二、金相實驗室 ? Leica DM/RM 光學顯微鏡 主

      • 半導體實習報告

        時間:2019-05-15 09:18:40 作者:會員上傳

        實習報告 1.實習目的: 根據(jù)學院對??粕螅以谏钲谝夥ò雽w制造(深圳)有限公司,為期十個月的實習。畢業(yè)實習的目的是:接觸實際,了解社會,增強社會主義事業(yè)心,責任感,鞏固所學理

      • 半導體二極管說課稿

        時間:2019-05-15 04:59:33 作者:會員上傳

        《半導體二極管》說課稿 寧遠縣職業(yè)中專學校 何紹斌 一、教材分析 本節(jié)教材選自高等教育出版社《電子技術基礎》中第一章第一節(jié) “半導體二極管”。本節(jié)內(nèi)容是介紹和驗證二

      • 第八章 半導體發(fā)光(范文)

        時間:2019-05-15 04:59:33 作者:會員上傳

        第八章 半導體發(fā)光 研究一種新型半導體材料,首先是要對它的光電以及結晶品質(zhì)等進行研究。對于光電子材料。對它的發(fā)光性質(zhì)的研究是一個重大課題,有大量的工作可做??梢哉f每一

      • 半導體物理教學大綱(精選)

        時間:2019-05-15 07:30:37 作者:會員上傳

        《半導體物理》 課程編號:01500277 課程名稱:半導體物理 Semiconductor Physics 學分:3.5 學時: 56先修課程: 固體物理、量子力學、理論物理 一、目的與任務 《半導體物理學》

      • 常用半導體器件教案

        時間:2019-05-15 07:30:38 作者:會員上傳

        第一章常用半導體器件 1.1 半導體基礎知識 1.1.1 本征半導體 一、半導體 1. 概念:導電能力介于導體和絕緣體之間。 2. 本征半導體:純凈的具有晶體結構的半導體。 二、本征半導體

      • 半導體三極管教案

        時間:2019-05-15 07:30:38 作者:會員上傳

        半導體三極管 學科:電子技術基礎 班級:11秋電子技術應用9班 教師:胡明鋒 授課類型:講授 課時:一課時 一、教學目標: 知識目標 識記半導體三極管的定義、掌握三極管的結構、分類和

      • 半導體材料課程教學大綱

        時間:2019-05-15 07:30:39 作者:會員上傳

        半導體材料 課程教學大綱 一、課程說明 (一)課程名稱:半導體材料所屬專業(yè):微電子科學與工程課程性質(zhì):專業(yè)限選學 分: 3 (二)課程簡介:本課程重點介紹第一代和第二代半導體材料硅、鍺

      • 西氮化車間環(huán)境改善方案(大全五篇)

        時間:2019-05-15 13:39:19 作者:會員上傳

        西氮化車間環(huán)境改善方案
        西氮化車間是待氮化保持架集中存放的地點,我公司所有氮化產(chǎn)品在經(jīng)過拋光或創(chuàng)光處理后都需經(jīng)過這一地點,現(xiàn)在這一地點配有4名裝筐前挑揀整理人員。由于