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      第三周學(xué)習(xí)報(bào)告總結(jié)(王師錕)

      時(shí)間:2019-05-12 13:45:43下載本文作者:會(huì)員上傳
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      第一篇:第三周學(xué)習(xí)報(bào)告總結(jié)(王師錕)

      第三周學(xué)習(xí)報(bào)告總結(jié)

      (2017.9.11——2017.9.18)

      一、學(xué)習(xí)地點(diǎn)

      6—105.6—107.4—224.6—111

      二、學(xué)習(xí)主題

      1、課堂ppt的演講、設(shè)計(jì)心理學(xué)。

      2、閱讀設(shè)計(jì)類書(shū)籍。

      3、室內(nèi)手繪效果圖與方案。

      4、大學(xué)生就業(yè)指導(dǎo)的簡(jiǎn)歷詳細(xì)歸納。

      三、學(xué)習(xí)內(nèi)容

      1、進(jìn)行課堂ppt的演講,由老師同學(xué)指出不足之后有則改之無(wú)則加勉。

      2、閱讀設(shè)計(jì)類著作后歸納要點(diǎn)并整理為PPT。

      3、手繪一整幅簡(jiǎn)單完整的室內(nèi)效果簡(jiǎn)圖并說(shuō)明想法。

      4、制作一份合格、優(yōu)秀的符合自己實(shí)際情況的簡(jiǎn)歷。

      四、學(xué)習(xí)心得

      新學(xué)期新方向的開(kāi)始一切都不陌生,在原來(lái)的基礎(chǔ)知識(shí)上逐漸進(jìn)行更深刻理性的學(xué)習(xí)。學(xué)習(xí)過(guò)程不會(huì)枯燥乏味,學(xué)習(xí)心情也保持著愉悅輕松。同時(shí),面對(duì)大三也有說(shuō)不出 的緊張感。我會(huì)抱著一顆好學(xué)的心不斷充實(shí)自己。為以后的工作生活打好基礎(chǔ)。

      第二篇:第三周學(xué)習(xí)報(bào)告

      第三周學(xué)習(xí)報(bào)告

      時(shí)光飛逝,一周即將結(jié)束,這周學(xué)習(xí)的是A720機(jī)器人本體線路組裝,這周在上周的基礎(chǔ)上有以下改善:

      1、會(huì)熟練的使用熱風(fēng)槍、壓針機(jī)、剝線機(jī)等治工具。

      2、貼馬達(dá)線線標(biāo)的質(zhì)量提高了,位置正確,而且貼緊了。

      3、線路組裝的整體速度和效率提升了,上周一天只能做一臺(tái)機(jī),這周可以做兩臺(tái)機(jī)。

      存在以下問(wèn)題:

      1、忘插氣管

      2、冷壓針壓接不牢固

      3、電池連接器忘套號(hào)碼管

      4、插座蓋板1003螺絲漏鎖

      5、對(duì)機(jī)器人本體標(biāo)簽檢查還不熟悉

      6、將編碼器線冷壓針插入72回路公芯件時(shí),位置插錯(cuò),而且不會(huì)退針。

      下一周揚(yáng)長(zhǎng)避短,出錯(cuò)大多出在粗心上面,多多注意。按照SOP細(xì)心做好機(jī)器人本體線路組裝的每一步。進(jìn)一步加強(qiáng)自檢能力,主動(dòng)請(qǐng)師兄師姐互檢,多多請(qǐng)教。進(jìn)一步加強(qiáng)溝通能力,與他們打成一片。每天進(jìn)步一點(diǎn)點(diǎn)。感恩每一天。

      報(bào)告人:曹 江

      2014.07.19

      第三篇:第三周總結(jié)

      2012年7月19日

      第三周總結(jié)

      這周是不平凡的一周,在這周我對(duì)周圍的一切都加深了了解,我的老師,我的領(lǐng)導(dǎo),我的業(yè)務(wù),我們的產(chǎn)品...我知道把這些信息明白了以后我能更加容易的開(kāi)展我的業(yè)務(wù),這就是我去了解它們的目的。但是就這周來(lái)看,我還是沒(méi)能很好的完成領(lǐng)導(dǎo)交付的任務(wù),尤其是我們的工作總結(jié),每天我都想把它們寫(xiě)好,也許是我的寫(xiě)作功底太差了,總是不能把我想要表達(dá)的意思表達(dá)清楚,在這基礎(chǔ)上我更是沒(méi)能把每日的工作內(nèi)容匯報(bào)清楚,我很沮喪。但是從下周(也就是明天)開(kāi)始我決定每天花更多的時(shí)間在總結(jié)上,白天我會(huì)記更多的內(nèi)容,問(wèn)老師更多業(yè)務(wù)知識(shí),更認(rèn)真的去觀察,我想這樣在每天晚上我才能完成好我的任務(wù)。

      除此之外,這周我更加去注意競(jìng)品的信息以及動(dòng)態(tài)(是在我們部門李經(jīng)理的提醒下才開(kāi)始的,知己知彼方能百戰(zhàn)不殆)。如競(jìng)品的價(jià)格,競(jìng)品的活動(dòng)以及力度,我都會(huì)詳細(xì)記錄。以下列舉幾種競(jìng)品:

      品項(xiàng)價(jià)格容量度數(shù)活動(dòng)

      迎駕銀星98450ml40.3無(wú)

      宣酒五年92425ml40買2瓶宣酒特貢五年贈(zèng)硬中華1包 柔和種子酒98460ml40買1瓶柔和贈(zèng)通天干紅1瓶

      我們的產(chǎn)品:

      青花108450ml40.6買2瓶淡雅系列贈(zèng)250m小藍(lán)花一瓶 紅花78450ml42同上

      青花58450ml42同上

      新花38450ml42同上

      學(xué)習(xí)是永無(wú)止境的,我們上學(xué)的時(shí)候就知道一句話:活到老學(xué)到老。到公司以后我們得到了更平易近人的釋解,李經(jīng)理說(shuō)過(guò)要我們每天都要有收獲,每天都要有感悟。是的,如果我們每天上班都是渾渾噩噩,那么上班是為了什么呢?難道是混日子,我想這不是我想要的,所以每天都是新開(kāi)始,每天都必須要想,要悟。下周我會(huì)在本周工作的基礎(chǔ)上更加深入的去了解各個(gè)環(huán)節(jié)。希望下周我們會(huì)有更多的收獲。

      第四篇:第三周學(xué)習(xí)總結(jié)-CMOS反相器

      CMOS反相器

      靜態(tài)CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor反相器是目前最普遍的反相器,其電路圖如圖1所示,當(dāng)Vin為高并等于VDD時(shí),NMOS管導(dǎo)通而PMOS管截止,此時(shí)在Vout的接地節(jié)點(diǎn)之間存在直接通路,形成一個(gè)穩(wěn)態(tài)值0V。相反,當(dāng)輸入電壓為低(0V)時(shí),NMOS關(guān)斷而PMOS管導(dǎo)通,VDD和Vout之間存在一條通路,產(chǎn)生一個(gè)高電平輸出電壓。由此實(shí)現(xiàn)反相器的功能。

      圖1.靜態(tài)CMOS反相器電路

      靜態(tài)CMOS反相器具有以下許多特性:

      (1)輸出高電平和低電平分別為VDD和GND,擺幅為電源電壓,噪聲容限大;(2)邏輯電平與器件的相對(duì)尺寸無(wú)關(guān);

      (3)具有低的輸出阻抗,使它對(duì)噪聲和干擾不敏感;

      (4)輸入阻抗極高,緣于MOS管的柵實(shí)際上是一個(gè)絕緣體;

      (5)穩(wěn)態(tài)工作下的電源線和地線之間沒(méi)有直接的通路,在忽略漏電流的情況下意味著該門不消耗任何靜態(tài)功率。

      反相器的電壓傳輸特性(VTC)可以通過(guò)圖解法迭加NMOS管和PMOS管的電流特性來(lái)得到,最終如圖2所示。

      圖2.CMOS反相器的VTC 門的輸出電容CL事實(shí)上包括NMOS和PMOS管的漏擴(kuò)散電容、連線電容以及扇出門的輸入電容。門的響應(yīng)時(shí)間由通過(guò)管子的導(dǎo)通電阻Rp(或者Rn)充放電容CL所需要的時(shí)間決定,傳播延遲正比于RC。這意味著可以通過(guò)減少輸出電容或者減小晶體管的導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)。應(yīng)當(dāng)注意,NMOS和PMOS晶體管的導(dǎo)通電阻不是常數(shù),而是晶體管的兩端電壓的非線性函數(shù),確切決定傳播延時(shí)較為復(fù)雜。

      反相器穩(wěn)定性的評(píng)估,靜態(tài)特性: 1.開(kāi)關(guān)閾值VM

      VM定義為Vin=Vout的點(diǎn),在這一區(qū)域VDS=VGS,PMOS和NMOS總是飽和,使通過(guò)兩晶體管的電流相等,得到VM表達(dá)式如下(器件處于速度飽和狀態(tài)即VDSAT

      當(dāng)VDD較大時(shí)(大于閾值電壓及飽和電壓),上式簡(jiǎn)化為

      。為使低電平噪聲容限和高電平噪聲容限具有接近的值(對(duì)稱的特性),要求r接近1,即應(yīng)滿足

      。由上述關(guān)于開(kāi)關(guān)閾值的討論可以得到下面結(jié)果:

      (1)VM對(duì)器件比值的變化相對(duì)來(lái)說(shuō)是不敏感的;

      (2)改變Wp與Wn的比值的影響是使VTC的過(guò)渡區(qū)平移,有時(shí)不對(duì)稱的傳輸特性在某些設(shè)計(jì)中是所希望的。

      2.噪聲容限與中點(diǎn)增益

      VIH和VIL是dVout/dVin=-1時(shí)反相器的工作點(diǎn),對(duì)VTC采用逐段線性近似,如圖3,可以得到VIH,VIL以及噪聲容限NMH和NML如下:

      圖3.對(duì)VTC進(jìn)行逐段近似

      中點(diǎn)增益求取的過(guò)程中,再次假設(shè)PMOS與NMOS都處在速度飽和,并考慮溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng),得到電流公式:

      求解dVout/dVin,得

      忽略某些二次項(xiàng)簡(jiǎn)化,令Vin=VM,得

      ID(VM)是Vin=VM流過(guò)反相器的電流。這一增益幾乎完全取決于工藝參數(shù)。3.穩(wěn)定性

      主要討論兩個(gè)方面,包括器件參數(shù)、電源電壓變化對(duì)器件穩(wěn)定性的影響。靜態(tài)CMOS管對(duì)器件參數(shù)變化并不敏感,如前所述器件尺寸的變化對(duì)反相器的開(kāi)關(guān)閾值只產(chǎn)生很小影響。增益公式說(shuō)明在過(guò)渡區(qū)的增益實(shí)際上隨著電源電壓的降低而加大,且注意對(duì)于固定的晶體管尺寸比r,VM近似地正比于VDD,由此說(shuō)明反相器的在電源電壓接近晶體管的閾值電壓時(shí)仍能很好地工作。當(dāng)然電源電壓不是越低越好,主要受三個(gè)方面的限制:一是降低電源電壓會(huì)使門延時(shí)加大;二是當(dāng)電源電壓和與閾值電壓可以比擬時(shí),dc特性對(duì)器件參數(shù)變化越來(lái)越敏感;三降低電源電壓意味著減小信號(hào)擺幅,使反相器對(duì)外部噪聲敏感。

      反相器的動(dòng)態(tài)特性:

      圖4為一對(duì)串聯(lián)反相器的電路圖,其包括了影響節(jié)點(diǎn)Vout瞬態(tài)響應(yīng)的所有電容。只考慮連至輸出節(jié)點(diǎn)上的電容時(shí),包括以下幾個(gè)部分。

      圖4.影響一對(duì)串聯(lián)反相器動(dòng)態(tài)特性的寄生電容

      柵漏電容Cgd12:只考慮M1和M2的覆蓋電容,不考慮MOS管的溝道電容,得到計(jì)算公式為Cgd=2CGD0W,其中CGD0是SPICE模型中采用的每單位寬度的覆蓋電容。此處的推導(dǎo)應(yīng)用了密勒效應(yīng)(一個(gè)在其兩端經(jīng)歷大小相同但相位相反的電壓擺幅的電容可以用一個(gè)兩倍于該電容值的接地電容來(lái)代替)。

      擴(kuò)散電容Cdb1和Cdb2:在漏和體之間的電容來(lái)自反向偏置的pn結(jié)。此電容很大程度取決于所加的電壓,用線性電容來(lái)代替此非線性電容,引入乘數(shù)因子Keq,得到Ceq=KeqCj0,Cj0是零偏置條件下單位面積的結(jié)電容。

      連線電容Cw:由連線引起的電容取決于連線的長(zhǎng)度和寬度,且與扇出離開(kāi)驅(qū)動(dòng)門的距離和扇出門的數(shù)目有關(guān)。

      扇出的柵電容Cg3和Cg4:假設(shè)扇出電容等于負(fù)載門M3和M4總的柵電容,即

      計(jì)算傳播延時(shí)的一種方法是對(duì)電容的充(放)電電流積分,即,確切求解方程較為困難,簡(jiǎn)化的方法通常是用常數(shù)線性元件替代取決于電壓的導(dǎo)通電阻以及負(fù)載電容,常數(shù)線性元件的值取它在所關(guān)注時(shí)間間隔內(nèi)的平均值。電容前面已經(jīng)敘述,而對(duì)于MOS管的平均導(dǎo)通電阻表示為

      由此得到由高到低的電壓翻轉(zhuǎn)時(shí)的傳播延時(shí)為轉(zhuǎn)的傳播延時(shí)為,總的傳播延時(shí)定義為兩個(gè)值的平均。,由低到高翻減少傳播延時(shí)的方法無(wú)外乎減小R或者C,具體方法如減小漏擴(kuò)散區(qū)的面積以減小CL、增加晶體管的W/L比,提高VDD等。從前面推導(dǎo)出的延時(shí)表達(dá)式可以得出一些有意義的設(shè)計(jì)綜合考慮原則,最終形成確定晶體管尺寸的一般方法。

      功耗問(wèn)題

      反相器的功耗是由在充電和放電負(fù)載電容時(shí)消耗的動(dòng)態(tài)功耗決定的,它為功耗與電路的活動(dòng)性成正比,在開(kāi)關(guān)通斷期間發(fā)生的直接通路電流所引起的功耗可以通過(guò)對(duì)信號(hào)斜率的仔細(xì)修正限制。靜態(tài)功耗通??梢院雎?,但如果考慮亞閾值電流,它可能會(huì)成為一個(gè)主要因素。

      第五篇:539班第三周紀(jì)律學(xué)習(xí)情況總結(jié)

      539班第三周紀(jì)律學(xué)習(xí)情況總結(jié)

      相比上個(gè)星期,這個(gè)星期我們有所松懈,遲到的變得比較多了。但是有很多進(jìn)步的同學(xué)依然在堅(jiān)持,比如皮佳美、涂婷、歐陽(yáng)羚浠等人。而且以前遲到比較嚴(yán)重的鄒雅這個(gè)星期也堅(jiān)持做到了按時(shí)到校。而另一方面,我們眼保健操情況有了明顯的好轉(zhuǎn),大部分人都會(huì)自覺(jué)的在那里做,比如王老吉、肖勇、鄒雅、邵雨辰等等,但是還是有某些人不自覺(jué),我希望從現(xiàn)在起他們能夠改正過(guò)來(lái)。課堂上的紀(jì)律比上個(gè)星期有了很大的好轉(zhuǎn),大家的注意力都越來(lái)越集中,上甲課做乙事的越來(lái)越少。但是這些都有一個(gè)主要的原因,那就是聶老師犧牲了她的休息時(shí)間來(lái)監(jiān)督我們,所以我們要以最好最優(yōu)秀的表現(xiàn)展現(xiàn)給聶老師看,同時(shí)也應(yīng)該自覺(jué)起來(lái),我相信我們以后不需要聶老師的監(jiān)督也能夠保證良好的紀(jì)律,大家有沒(méi)有信心呢?

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