第一篇：核心芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)上市公司有哪些

核心芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)上市公司有哪些

來源：中國IC技術(shù)交易網(wǎng)

（一）、芯片設(shè)計(jì)

DSP與CPU被公認(rèn)為芯片工業(yè)的兩大核心技術(shù)。國內(nèi)CPU產(chǎn)品研發(fā)水平最高的以“龍芯”為代表，DSP以“漢芯為代表。專家指出，從2000年開始，我國每年就使用近100億元的國外DSP芯片，到2005年前我國DSP市場的需求量在30億美元以上，年增長將達(dá)到40%以上。[1]、綜藝股份（600770）：

公司參股49%的北京神州龍芯集成電路設(shè)計(jì)有限公司(和中科院計(jì)算技術(shù)研究所于02年8月共同設(shè)立，注冊資本1億元)，從事開發(fā)、銷售具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“龍芯”系列微處理器芯片等。龍芯1號、2號的推出，打破了我國長期依賴國外CPU產(chǎn)品的無“芯”的歷史。世界排名第五的集成電路生產(chǎn)廠商意法半導(dǎo)體公司已決定購買龍芯2E的生產(chǎn)和全球銷售權(quán)。目前龍芯課題組正進(jìn)行龍芯3號多核處理器的設(shè)計(jì)，具有突出的節(jié)能、高安全性等優(yōu)勢。

[2]、大唐電信（600198）：

公司控股95%的子公司大唐微電子是國內(nèi)EMV卡的真正龍頭，具有EMV卡芯片自主設(shè)計(jì)能力，具備完全的知識產(chǎn)權(quán)，芯片產(chǎn)品獲得EMV認(rèn)證的進(jìn)展至少領(lǐng)先國內(nèi)競爭對手1.5年。因此，一旦國內(nèi)EMV卡大規(guī)模遷移啟動，公司將最先受益，并有望隨市場一起爆發(fā)性增長，從而推動公司業(yè)績增長超出預(yù)期。

[3]、同方股份（600100）：

公司控股86%子公司北京同方微電子有限公司（簡稱“同方微電子”），是清華控股有限公司和同方股份有限公司共同組建的專業(yè)集成電路設(shè)計(jì)公司，同方微電子主要從事集成電路芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售，并提供系統(tǒng)解決方案。目前主要產(chǎn)品為智能卡芯片及配套系統(tǒng)，包括非接觸式存儲卡芯片、接觸和非接觸的CPU卡芯片及射頻讀寫模塊等。公司成功承擔(dān)了國家第二代居民身份證專用芯片開發(fā)及供貨任務(wù)，是主要供貨商之一。公司控股55%子公司清芯光電股份有限公司是一家生產(chǎn)高亮度GaN基LED外延片、芯片的高科技企業(yè)，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到世界先進(jìn)水平。公司以掌握高亮度LED最新核心技術(shù)的國際化團(tuán)隊(duì)為核心，以清華大學(xué)的技術(shù)力量及各種資源為依托，打造世界一流光電企業(yè)。公司具有自行設(shè)計(jì)、制造LED外延生長的關(guān)鍵設(shè)備－MOCVD的能力。[4]、ST滬科（600608）：

公司控股70.31%子公司蘇州國芯科技有限公司是中國信息產(chǎn)業(yè)部與摩托羅拉公司在中國合作的結(jié)晶，接受摩托羅拉先進(jìn)水平的低功耗、高性能32位RISC嵌入式CPU M*Core? 技術(shù)及其SoC設(shè)計(jì)方法;以高起點(diǎn)建立蘇州國芯自主產(chǎn)權(quán)的32位RISCC*Core?。在M*Core M210/M310的基礎(chǔ)上自主研發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的C*Core?系列32位CPU核C305/C310/CS320/C340/C340M；建立了以C*Core?為核心的C*SoC100/200/300設(shè)計(jì)平臺；并獲得多項(xiàng)國家專利和軟件著作權(quán)。公司控股75%子公司上海交大創(chuàng)奇微系統(tǒng)科技有限公司主營微電子集成電路芯片與系統(tǒng)，電子產(chǎn)品，通訊設(shè)備系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，研發(fā)，生產(chǎn)，銷售，系統(tǒng)集成，計(jì)算機(jī)軟件的開發(fā)，32位DSP是交大研究中心和交大創(chuàng)奇聯(lián)合開發(fā)，而16位DSP是由研究中心開發(fā)，交大創(chuàng)奇負(fù)責(zé)產(chǎn)業(yè)化。

（二）、芯片制造

[1]、張江高科（600895）： 2003年8月22日，張江高科發(fā)布公告稱公司已通過境外全資子公司W(wǎng)LT以1.1111美元/股的價(jià)格認(rèn)購了中芯國際4500萬股A系列優(yōu)先股，約占當(dāng)時(shí)中芯國際股份的5%。2004年3月5日，張江高科再次發(fā)布公告，披露公司全資子公司 WLT以每股3.50美元的價(jià)格再次認(rèn)購中芯國際3428571股 C系列優(yōu)先股，此次增資完成后公司共持有中芯國際A系列優(yōu)先股45000450股，C系列優(yōu)先股3428571股。中芯國際在內(nèi)地芯片代工市場中已占到 50%以上的份額，是目前國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路制造公司，它到2003年上半年已躍居全球第五大芯片代工廠商。[2]、上海貝嶺（600171）：

公司是我國集成電路行業(yè)的龍頭，主營集成電路的設(shè)計(jì)、制造和技術(shù)服務(wù)，并涉足硅片加工、電子標(biāo)簽及指紋認(rèn)證等領(lǐng)域。公司擁有較多自主知識產(chǎn)權(quán)，2002年以來至今申請和授權(quán)的知識產(chǎn)權(quán)超過220項(xiàng)。形成了芯片代工、設(shè)計(jì)、應(yīng)用，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的產(chǎn)業(yè)鏈。公司投入巨資建成8英寸0.25微米的集成電路生產(chǎn)線，并且還聯(lián)手大股東華虹集團(tuán)成立了上海集成電路研發(fā)中心，對提升公司競爭力有較好的幫助。上海華虹NEC是世界一流水平的集成電路制造企業(yè)，擁有目前國際上主流的 0.25及0.18微米芯片加工技術(shù)，是國家“909”工程的核心項(xiàng)目，具備相當(dāng)實(shí)力。[3]、士蘭微（600460）：

公司是國內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)的龍頭，僅次于大唐微電子排名第二，公司已掌握和擁有的技術(shù)可從事中高端產(chǎn)品的開發(fā)，核心技術(shù)在國內(nèi)同行業(yè)中處于較高水平，具有明顯的競爭優(yōu)勢。公司擁有集成電路領(lǐng)域利潤最為豐厚的兩塊業(yè)務(wù)-芯片設(shè)計(jì)與制造，具有設(shè)計(jì)與制造的協(xié)同優(yōu)勢。目前專業(yè)從事CMOS、BiCMOS以及雙極型民用消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和銷售。公司研發(fā)生產(chǎn)的集成電路有12大類100余種，年產(chǎn)集成電路近2億只。公司已具備了0.5-0.6微米的CMOS芯片的設(shè)計(jì)能力，有能力設(shè)計(jì)20萬門規(guī)模的邏輯芯片。[4]、方大A（000055）：

十五期間，方大承擔(dān)并完成國家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化重大科技攻關(guān)項(xiàng)目，開發(fā)并研制成功的Tiger系列半導(dǎo)體照明芯片被列為國家重點(diǎn)新產(chǎn)品。方大建有深圳市半導(dǎo)體照明工程研究和開發(fā)中心。十一五期間，承擔(dān)國家“863”半導(dǎo)體照明工程重大項(xiàng)目“高效大功率氮化鎵LED芯片及半導(dǎo)體照明白光源制造技術(shù)”、廣東省科技計(jì)劃項(xiàng)目“氮化鎵基藍(lán)光外延片表面粗化的金屬有機(jī)物氣相沉積生長技術(shù)”和深圳市科技計(jì)劃項(xiàng)目“80密耳半導(dǎo)體照明用藍(lán)光LED芯片的研制”等。[5]、華微電子（600360）：

公司是國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件的龍頭企業(yè)，通過自有品牌的運(yùn)作方式，公司已完成了從芯片制造、封裝、銷售的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的布局，公司目前的幾種主要器件產(chǎn)品均在國內(nèi)市場有較高的占有率，這些都將有助于公司較同行更能抵御行業(yè)整體波動的影響。節(jié)能燈替代白熾燈的步伐進(jìn)一步加快，公司作為國內(nèi)節(jié)能燈用功率器件主要供應(yīng)商，將受益于國內(nèi)節(jié)能燈行業(yè)的發(fā)展。同時(shí)，公司6英寸MOSFET生產(chǎn)線已通線試產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代的各種條件基本成熟。

（三）、芯片封裝測試

[1]、通富微電（002156）：

公司主要從事集成電路的封裝測試業(yè)務(wù)，是國內(nèi)目前實(shí)現(xiàn)高端封裝測試技術(shù)MCM、MEMS量化生產(chǎn)的封裝測試廠家，技術(shù)實(shí)力居領(lǐng)先地位。公司為IC封裝測試代工型企業(yè)，以來料加工形式接受芯片設(shè)計(jì)或制造企業(yè)的委托訂單，為其提供封裝測試服務(wù)，按照封裝量收取加工費(fèi)，其IC封測規(guī)模在內(nèi)資控股企業(yè)中居于前列。[2]、長電科技（600584）：

公司是我國半導(dǎo)體第一大封裝生產(chǎn)基地，國內(nèi)著名的晶體管和集成電路制造商，產(chǎn)品質(zhì)量處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。已擁有與國際先進(jìn)技術(shù)同步的IC三大核心技術(shù)研發(fā)平臺，形成年產(chǎn)集成電路75億塊、大中小功率晶體管250億只、分立器件芯片120萬片的生產(chǎn)能力，已成為中國最大的半導(dǎo)體封測企業(yè)，正全力擠身世界前五位，公司部分產(chǎn)品被國防科工委指定為軍工產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于航空、航天、軍事工程、電子信息、自動控制等領(lǐng)域。[3]、華天科技（002185）：

公司主要從事半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體元器件的封裝測試業(yè)務(wù)，是國內(nèi)重點(diǎn)集成電路封裝測試企業(yè)之一。公司的封裝能力和技術(shù)水平在內(nèi)資企業(yè)中位居第三，為我國西部地區(qū)最大的集成電路封裝基地和富有創(chuàng)新精神的現(xiàn)代化高新技術(shù)企業(yè)。公司被評為我國最具成長性封裝測試企業(yè)，受到了政策稅收的大力支持，自主開發(fā)一系列集成電路封裝技術(shù)，進(jìn)軍集成電路封裝高端領(lǐng)域。[4]、太極實(shí)業(yè)（600667）： 太極實(shí)業(yè)與韓國海力士的合作，通過組建合資公司將使公司進(jìn)入更具成長性和發(fā)展前景的半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)，也為公司未來的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型創(chuàng)造了契機(jī)。投資額為3.5億美元的海力士大規(guī)模集成電路封裝測試項(xiàng)目，建成后可形成每月12萬片12英寸晶圓測試和7500萬片12英寸晶圓封裝的生產(chǎn)配套能力。太極實(shí)業(yè)參與該項(xiàng)目，將由現(xiàn)在單一的業(yè)務(wù)模式轉(zhuǎn)變?yōu)榘呻娐贩庋b測試在內(nèi)的雙主業(yè)模式。[5]、蘇州固锝（002079）：

公司的主要產(chǎn)品為各類半導(dǎo)體二極管（不包括光電二極管），具備全面的二極管晶圓、芯片設(shè)計(jì)制造及二極管封裝、測試能力, 保持國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)前10名、二極管分行業(yè)領(lǐng)先地位。公司加大技術(shù)含量和毛利率更高的產(chǎn)品---QFN封裝產(chǎn)品的投入，使公司逐步從單純的半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)企業(yè)向集成電路封裝企業(yè)轉(zhuǎn)變。公司是國內(nèi)最早從事QFN封裝研究并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，目前能夠生產(chǎn)各種QFN/DFN封裝的集成電路產(chǎn)品，是國內(nèi)最大的QFN/DFN集成電路封裝企業(yè)。

（四）芯片相關(guān)

[1]、康強(qiáng)電子（002119）：

公司主要從事半導(dǎo)體封裝用引線框架和鍵合金絲的生產(chǎn)，公司引線框架的銷量行業(yè)第一，鍵合金絲銷量行業(yè)第二，全國的覆蓋率高達(dá)60%，是電子領(lǐng)域中細(xì)分龍頭。公司的集成電路框架及電力電子器件框架、表面貼裝元器件框架和TO-92、TO-3P等分立器件框架，產(chǎn)銷規(guī)模連續(xù)十一年居國內(nèi)同行第一，具業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位。[2]、三佳科技（600520）：

公司主營半導(dǎo)體集成電路專用模具和化學(xué)建材專用模具的設(shè)計(jì)、研發(fā)及生產(chǎn)，是兩市唯一的模具制造上市公司，具有獨(dú)特的行業(yè)優(yōu)勢。公司生產(chǎn)的集成電路塑封模具和塑料異型材擠出模具產(chǎn)銷量均為全國第一，國內(nèi)市場占有率分別為15%和30%以上。現(xiàn)擁有年產(chǎn)化學(xué)建材擠出模具1500套、擠出下游設(shè)備100套/臺、半導(dǎo)體塑封壓機(jī)200臺、半導(dǎo)體塑封模具200副、半導(dǎo)體自動化（切筋成型）封裝系統(tǒng)60臺、集成電路引線框架40億只的生產(chǎn)能力。

[3]、有研硅股（600206）：

公司是國內(nèi)具有國際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體材料研究、開發(fā)、生產(chǎn)重要基地，技術(shù)力量雄厚，公司先后研制出了我國第一根6英寸、8英寸和12英寸硅單晶，使我國成為世界上少數(shù)幾個(gè)具有拉制12英寸硅單晶技術(shù)的國家之一.

第二篇：AT89C52芯片

AT89C52 AT89C52是一個(gè)低電壓，高性能CMOS 8位單片機(jī)，片內(nèi)含8k bytes的可反復(fù)擦寫的Flash只讀程序存儲器和256 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲單元，AT89C52單片機(jī)在電子行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用。主要功能特性

1、兼容MCS51指令系統(tǒng) 2、8kB可反復(fù)擦寫(大于1000次）Flash ROM； 3、32個(gè)雙向I/O口； 4、256x8bit內(nèi)部RAM； 5、3個(gè)16位可編程定時(shí)/計(jì)數(shù)器中斷；

6、時(shí)鐘頻率0-24MHz； 7、2個(gè)串行中斷，可編程UART串行通道； 8、2個(gè)外部中斷源，共8個(gè)中斷源； 9、2個(gè)讀寫中斷口線，3級加密位；

10、低功耗空閑和掉電模式，軟件設(shè)置睡眠和喚醒功能；

11、有PDIP、PQFP、TQFP及PLCC等幾種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。引腳功能及管腳電壓

AT89C52為8 位通用微處理器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的C51內(nèi)核，在內(nèi)部功能及管腳

PDIP封裝的AT89C52引腳圖

排布上與通用的8xc52 相同，其主要用于會聚調(diào)整時(shí)的功能控制。功能包括對會聚主IC 內(nèi)部寄存器、數(shù)據(jù)RAM及外部接口等功能部件的初始化，會聚調(diào)整控制，會聚測試圖控制，紅外遙控信號IR的接收解碼及與主板CPU通信等。主要管腳有：XTAL1（19 腳）和XTAL2（18 腳）為振蕩器輸入輸出端口，外接12MHz 晶振。RST/Vpd（9 腳）為復(fù)位輸入端口，外接電阻電容組成的復(fù)位電路。VCC（40 腳）和VSS（20 腳）為供電端口，分別接+5V電源的正負(fù)端。P0~P3 為可編程通用I/O 腳，其功能用途由軟件定義，在本設(shè)計(jì)中，P0 端口（32~39 腳）被定義為N1 功能控制端口，分別與N1的相應(yīng)功能管腳相連接，13 腳定義為IR輸入端，10 腳和11腳定義為I2C總線控制端口，分別連接N1的SDAS（18腳）和SCLS（19腳）端口，12 腳、27 腳及28 腳定義為握手信號功能端口，連接主板CPU 的相應(yīng)功能端，用于當(dāng)前制式的檢測及會聚調(diào)整狀態(tài)進(jìn)入的控制功能。P0 口 P0 口是一組8 位漏極開路型雙向I/O 口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動8 個(gè)TTL邏輯門電路，對端口P0 寫“1”時(shí)，可作為高阻抗輸入端用。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低8 位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash 編程時(shí)，P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。P1 口

P1 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，P1 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4 個(gè)TTL 邏輯門電路。對端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉

電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流(IIL)。與AT89C51 不同之處是，P1.0 和P1.1 還可分別作為定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 的外部計(jì)數(shù)輸入（P1.0/T2）和輸入（P1.1/T2EX），F(xiàn)lash 編程和程序校驗(yàn)期間，P1 接收低8 位地址。表.P1.0和P1.1的第二功能 引腳號 功能特性

T2，時(shí)鐘P1.0 輸出 T2EX（定P1.1 時(shí)/計(jì)數(shù)器2）

P2 口

P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4 個(gè)TTL 邏輯門電路。對端口P2 寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流(IIL)。在訪問外部程序存儲器或16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（例如執(zhí)行MOVX @DPTR 指令）時(shí)，P2 口送出高8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行MOVX @RI 指令）時(shí)，P2 口輸出P2 鎖存器的內(nèi)容。Flash 編程或校驗(yàn)時(shí)，P2亦接收高位地址和一些控制信號。P3 口

P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口。P3 口輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4 個(gè)TTL 邏輯門電路。對P3 口寫入“1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時(shí)，被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流（IIL）。P3 口除了作為一般的I/O 口線外，更重要的用途是它的第二功能,P3 口還接收一些用于Flash 閃速存儲器編程和程序校驗(yàn)的控制信號。RST復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。ALE/PROG 當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時(shí)，ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低8 位字節(jié)。一般情況下，ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號，因此它可對外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)將跳過一個(gè)ALE 脈沖。對Flash 存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。如有必要，可通過對特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中的8EH 單元的D0 位置位，可禁止ALE 操作。該位置位后，只有一條MOVX 和MOVC指令才能將ALE 激活。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置ALE 禁止位無效。PSEN 程序儲存允許（PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng)AT89C52 由外部程序存儲器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，將跳過兩次PSEN信號。EA/VPP 外部訪問允許。欲使CPU 僅訪問外部程序存儲器（地址為0000H—FFFFH），EA 端必須保持低電平（接地）。需注意的是：如果加密位LB1 被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平（接Vcc端），CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。Flash 存儲器編程時(shí)，該引腳加上+12V 的編程允許電源Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V 編程電壓Vpp。XTAL1 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。XTAL2 振蕩器反相放大器的輸出端。特殊功能寄存器

在AT89C52 片內(nèi)存儲器中，80H-FFH 共128 個(gè)單元為特殊功能寄存器（SFR），SFR 的地址空間映象如表2 所示。并非所有的地址都被定義，從80H—FFH 共128 個(gè)字節(jié)只有一部分被定義，還有相當(dāng)一部分沒有定義。對沒有定義的單元讀寫將是無效的，讀出的數(shù)值將不確定，而寫入的數(shù)據(jù)也將丟失。不應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入未定義的單元，由于這些單元在將來的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，復(fù)位后這些單元數(shù)值總是“0”。

AT89C52除了有AT89C51所有的定時(shí)/計(jì)數(shù)器0 和定時(shí)/計(jì)數(shù)器1 外，還增加了一個(gè)定時(shí)/計(jì)數(shù)器2。定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 的控制和狀態(tài)位位于T2CON（參見表3）T2MOD（參見表4），寄存器對（RCAO2H、RCAP2L）是定時(shí)器2 在16 位捕獲方式或16 位自動重裝載方式下的捕獲/自動重裝載寄存器。編輯本段數(shù)據(jù)存儲器

AT89C52 有256 個(gè)字節(jié)的內(nèi)部RAM，80H-FFH 高128 個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器（SFR）地址是重疊的，也就是高128字節(jié)的RAM 和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上它們是分開的。

當(dāng)一條指令訪問7FH 以上的內(nèi)部地址單元時(shí)，指令中使用的尋址方式是不同的，也即尋址方式?jīng)Q定是訪問高128 字節(jié)RAM 還是訪問特殊功能寄存器。如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器。

例如，下面的直接尋址指令訪問特殊功能寄存器0A0H（即P2 口）地址單元。MOV 0A0H，#data 間接尋址指令訪問高128 字節(jié)RAM，例如，下面的間接尋址指令中，R0 的內(nèi)容為0A0H，則訪問數(shù)據(jù)字節(jié)地址為0A0H，而不是P2 口（0A0H）。MOV @R0，#data 堆棧操作也是間接尋址方式，所以，高128 位數(shù)據(jù)RAM 亦可作為堆棧區(qū)使用?！ざ〞r(shí)器0和定時(shí)器1：

AT89C52的定時(shí)器0和定時(shí)器1 的工作方式與AT89C51 相同。片上資源

定時(shí)器2基本特性： 定時(shí)器2 是一個(gè)16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器。它既可當(dāng)定時(shí)器使用，也可作為外部事件計(jì)數(shù)器使用，其工作方式由特殊功能寄存器T2CON（如表3）的C/T2 位選擇。定時(shí)器2 有三種工作方式：捕獲方式，自動重裝載（向上或向下計(jì)數(shù)）方式和波特率發(fā)生器方式，工作方式由T2CON 的控制位來選擇。定時(shí)器2 由兩個(gè)8 位寄存器TH2 和TL2 組成，在定時(shí)器工作方式中，每個(gè)機(jī)器周期TL2 寄存器的值加1，由于一個(gè)機(jī)器周期由12 個(gè)振蕩時(shí)鐘構(gòu)成，因此，計(jì)數(shù)速率為振蕩頻率的1/12。

在計(jì)數(shù)工作方式時(shí)，當(dāng)T2 引腳上外部輸入信號產(chǎn)生由1 至0 的下降沿時(shí)，寄存器的值加1，在這種工作方式下，每個(gè)機(jī)器周期的5SP2 期間，對外部輸入進(jìn)行采樣。若在第一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為1，而在下一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為0，則在緊跟著的下一個(gè)周期的S3P1 期間寄存器加1。由于識別1 至0 的跳變需要2 個(gè)機(jī)器周期（24 個(gè)振蕩周期），因此，最高計(jì)數(shù)速率為振蕩頻率的1/24。為確保采樣的正確性，要求輸入的電平在變化前至少保持一個(gè)完整周期的時(shí)間，以保證輸入信號至少被采樣一次。捕獲方式：

在捕獲方式下，通過T2CON 控制位EXEN2 來選擇兩種方式。如果EXEN2=0，定時(shí)器2 是一個(gè)16 位定時(shí)器或計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)溢出時(shí)，對T2CON 的溢出標(biāo)志TF2 置位，同時(shí)激活中斷。如果EXEN2=1，定時(shí)器2 完成相同的操作，而當(dāng)T2EX 引 腳外部輸入信號發(fā)生1 至0 負(fù)跳變時(shí)，也出現(xiàn)TH2 和TL2 中的值分別被捕獲到RCAP2H 和RCAP2L 中。另外，T2EX 引腳信號的跳變使得T2CON 中的EXF2 置位，與TF2 相仿，EXF2 也會激活中斷。

自動重裝載（向上或向下計(jì)數(shù)器）方式：

當(dāng)定時(shí)器2工作于16位自動重裝載方式時(shí)，能對其編程為向上或向下計(jì)數(shù)方式，這個(gè)功能可通過特殊功能寄存器T2CON（見表5）的DCEN 位（允許向下計(jì)數(shù)）來選擇的。復(fù)位時(shí)，DCEN 位置“0”，定時(shí)器2 默認(rèn)設(shè)置為向上計(jì)數(shù)。當(dāng)DCEN置位時(shí)，定時(shí)器2 既可向上計(jì)數(shù)也可向下計(jì)數(shù)，這取決于T2EX 引腳的值，當(dāng)DCEN=0 時(shí)，定時(shí)器2 自動設(shè)置為向上計(jì)數(shù)，在這種方式下，T2CON 中的EXEN2 控制位有兩種選擇，若EXEN2=0，定時(shí)器2 為向上計(jì)數(shù)至0FFFFH 溢出，置位TF2 激活中斷，同時(shí)把16 位計(jì)數(shù)寄存器RCAP2H 和RCAP2L重裝載，RCAP2H 和RCAP2L 的值可由軟件預(yù)置。若EXEN2=1，定時(shí)器2 的16 位重裝載由溢出或外部輸入端T2EX 從1 至0 的下降沿觸發(fā)。這個(gè)脈沖使EXF2 置位，如果中斷允許，同樣產(chǎn)生中斷。定時(shí)器2 的中斷入口地址是：002BH ——0032H。

當(dāng)DCEN=1 時(shí)，允許定時(shí)器2 向上或向下計(jì)數(shù)，如圖6 所示。這種方式下，T2EX 引腳控制計(jì)數(shù)器方向。T2EX 引腳為邏輯“1”時(shí)，定時(shí)器向上計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)0FFFFH 向上溢出時(shí)，置位TF2，同時(shí)把16 位計(jì)數(shù)寄存器RCAP2H 和RCAP2L 重裝載到TH2 和TL2 中。T2EX 引腳為邏輯“0”時(shí)，定時(shí)器2 向下計(jì)數(shù)，當(dāng)TH2 和TL2 中的數(shù)值等于RCAP2H 和RCAP2L中的值時(shí)，計(jì)數(shù)溢出，置位TF2，同時(shí)將0FFFFH 數(shù)值重新裝入定時(shí)寄存器中。

當(dāng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 向上溢出或向下溢出時(shí)，置位EXF2 位。波特率發(fā)生器：

當(dāng)T2CON（表3）中的TCLK 和RCLK 置位時(shí)，定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 作為波特率發(fā)生器使用。如果定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 作為發(fā)送器或接收器，其發(fā)送和接收的波特率可以是不同的，定時(shí)器1 用于其它功能，如圖7 所示。若RCLK 和TCLK 置位，則定時(shí)器2工作于波特率發(fā)生器方式。

波特率發(fā)生器的方式與自動重裝載方式相仿，在此方式下，TH2 翻轉(zhuǎn)使定時(shí)器2 的寄存器用RCAP2H 和RCAP2L 中的16位數(shù)值重新裝載，該數(shù)值由軟件設(shè)置。在方式1 和方式3 中，波特率由定時(shí)器2 的溢出速率根據(jù)下式確定：

方式1和3的波特率=定時(shí)器的溢出率/16定時(shí)器既能工作于定時(shí)方式也能工作于計(jì)數(shù)方式，在大多數(shù)的應(yīng)用中，是工作在定時(shí)方式（C/T2=0）。定時(shí)器2 作為波特率發(fā)生器時(shí)，與作為定時(shí)器的操作是不同的，通常作為定時(shí)器時(shí)，在每個(gè)機(jī)器周期（1/12 振蕩頻率）寄存器的值加1，而作為波特率發(fā)生器使用時(shí)，在每個(gè)狀態(tài)時(shí)間（1/2 振蕩頻率）寄存器的值加1。波特率的計(jì)算公式如下： 方式1和3的波特率=振蕩頻率/{32*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 式中（RCAP2H，RCAP2L）是RCAP2H 和RCAP2L中的16 位無符號數(shù)。

定時(shí)器2 作為波特率發(fā)生器使用的電路如圖7 所示。T2CON 中的RCLK 或TCLK=1 時(shí)，波特率工作方式才有效。在波特率發(fā)生器工作方式中，TH2 翻轉(zhuǎn)不能使TF2 置位，故而不產(chǎn)生中斷。但若EXEN2 置位，且T2EX 端產(chǎn)生由1 至0 的 負(fù)跳變，則會使EXF2 置位，此時(shí)并不能將（RCAP2H，RCAP2L）的內(nèi)容重新裝入TH2 和TL2 中。所以，當(dāng)定時(shí)器2 作為波特率發(fā)生器使用時(shí)，T2EX 可作為附加的外部中斷源來使用。需要注意的是，當(dāng)定時(shí)器2 工作于波特率器時(shí)，作為定 時(shí)器運(yùn)行（TR2=1）時(shí)，并不能訪問TH2 和TL2。因?yàn)榇藭r(shí)每個(gè)狀態(tài)時(shí)間定時(shí)器都會加1，對其讀寫將得到一個(gè)不確定的數(shù)值。

然而，對RCAP2 則可讀而不可寫，因?yàn)閷懭氩僮鲗⑹侵匦卵b載，寫入操作可能令寫和/或重裝載出錯(cuò)。在訪問定時(shí)器2或RCAP2 寄存器之前，應(yīng)將定時(shí)器關(guān)閉（清除TR2）?？删幊虝r(shí)鐘輸出：

定時(shí)器2 可通過編程從P1.0 輸出一個(gè)占空比為50%的時(shí)鐘信號，如圖8 所示。P1.0 引腳除了是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的I/O 口外，還可以通過編程使其作為定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 的外部時(shí)鐘輸入和輸出占空比50%的時(shí)鐘脈沖。當(dāng)時(shí)鐘振蕩頻率為16MHz 時(shí)，輸 出時(shí)鐘頻率范圍為61Hz—4MHz。

當(dāng)設(shè)置定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 為時(shí)鐘發(fā)生器時(shí)，C/T2（T2CON.1）=0，T2OE（T2MOD.1）=1，必須由TR2（T2CON.2）啟動或停止定時(shí)器。時(shí)鐘輸出頻率取決于振蕩頻率和定時(shí)器2 捕獲寄存器（RCAP2H，RCAP2L）的重新裝載值，公式如下： 輸出時(shí)鐘頻率=振蕩器頻率/{4*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 在時(shí)鐘輸出方式下，定時(shí)器2 的翻轉(zhuǎn)不會產(chǎn)生中斷，這個(gè)特性與作為波特率發(fā)生器使用時(shí)相仿。定時(shí)器2 作為波特率發(fā)生器使用時(shí)，還可作為時(shí)鐘發(fā)生器使用，但需要注意的是波特率和時(shí)鐘輸出頻率不能分開確定，這是因?yàn)樗鼈兺褂肦CAP2L和RCAP2L。UART串口

AT89C52的UART 工作方式與AT89C51 工作方式相同。時(shí)鐘振蕩器

AT89C52 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1 和XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。

這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖10。

外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容C1、C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對外接電容C1、C2 雖然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn) 定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用30pF±10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇40pF±10pF。

用戶也可以采用外部時(shí)鐘。采用外部時(shí)鐘的電路如圖10 右圖所示。這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到XTAL1 端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2 則懸空。由于外部時(shí)鐘信號是通過一個(gè)2 分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號的，所以對外部時(shí)鐘信號的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。中斷

AT89C52 共有6 個(gè)中斷向量：兩個(gè)外中斷（INT0 和INT1），3 個(gè)定時(shí)器中斷（定時(shí)器0、1、2）和串行口中斷。所有這些中斷源如圖9 所示。

這些中斷源可通過分別設(shè)置專用寄存器IE 的置位或清0 來控制每一個(gè)中斷的允許或禁止。IE 也有一個(gè)總禁止位EA，它能控制所有中斷的允許或禁止。注意表5 中的IE.6 為保留位，在AT89C51 中IE.5 也是保留位。程序員不應(yīng)將“1”寫入這些位，它們是將來AT89 系列產(chǎn)品作為擴(kuò)展用的。

定時(shí)器2 的中斷是由T2CON 中的TF2 和EXF2 邏輯或產(chǎn)生的，當(dāng)轉(zhuǎn)向中斷服務(wù)程序時(shí)，這些標(biāo)志位不能被硬件清除，事實(shí)上，服務(wù)程序需確定是TF2 或EXF2 產(chǎn)生中斷，而由軟件清除中斷標(biāo)志位。

定時(shí)器0 和定時(shí)器1 的標(biāo)志位TF0 和TF1 在定時(shí)器溢出那個(gè)機(jī)器周期的S5P2 狀態(tài)置位，而會在下一個(gè)機(jī)器周期才查詢到該中斷標(biāo)志。然而，定時(shí)器2 的標(biāo)志位TF2 在定時(shí)器溢出的那個(gè)機(jī)器周期的S2P2 狀態(tài)置位，并在同一個(gè)機(jī)器周期內(nèi)查詢到該標(biāo)志。低功耗模式

空閑節(jié)電模式

在空閑工作模式狀態(tài)，CPU 自身處于睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)，同時(shí)將片內(nèi)RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容凍結(jié)?？臻e模式可由任何允許的中斷請求或硬件復(fù)位終止。由硬件復(fù)位終止空閑狀態(tài)只需兩個(gè)機(jī)器周期有效復(fù)位信號，在此狀態(tài)下，片內(nèi)硬件禁止訪問內(nèi)部RAM，但可以訪問端口引腳，當(dāng)用復(fù)位終止空閑方式時(shí)，為避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對 端口或外部存儲器的寫入指令。掉電模式

在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi)RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器，但不改變RAM中的內(nèi)容，在Vcc恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作。編程和加密

Flash存儲器的編程

AT89C52單片機(jī)內(nèi)部有8k字節(jié)的Flash PEROM，這個(gè)Flash 存儲陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容均為FFH），用戶隨時(shí)可對其進(jìn)行編程。編程接口可接收高電壓（+12V）或低電壓（Vcc）的允許編程信號。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用EPROM 編程器兼容。AT89C52 單片機(jī)中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的簽名字節(jié)獲得該信息。

AT89C52 的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個(gè)字節(jié)，要對整個(gè)芯片內(nèi)的PEROM 程序存儲器寫入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲器的內(nèi)容清除。編程方法

編程前，須按表9 和圖11 所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號，AT89C52 編程方法如下：

1． 在地址線上加上要編程單元的地址信號。2． 在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。3． 激活相應(yīng)的控制信號。

4． 在高電壓編程方式時(shí)，將EA/Vpp 端加上+12V 編程電壓。

5． 每對Flash 存儲陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位，加上一個(gè)ALE/PROG 編程脈沖。每個(gè)字節(jié)寫入周期是自身定時(shí)的，通常約為1.5ms。重復(fù)1—5 步驟，改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，直到全部文件編程結(jié)束。程序存儲器的加密

AT89C52 有3 個(gè)程序加密位，可對芯片上的3 個(gè)加密位LB1、LB2、LB3 進(jìn)行編程（P）或不編程（U）來得到。

當(dāng)加密位LB1 被編程時(shí)，在復(fù)位期間，EA 端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會一直保存到真正復(fù)位為止。為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。數(shù)據(jù)查詢

AT89C52 單片機(jī)用Data Palling 表示一個(gè)寫周期結(jié)束為特征，在一個(gè)寫周期中，如需讀取最后寫入的一個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（P0.7）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。寫周期完成后，所輸出的數(shù)據(jù)是有效的數(shù)據(jù)，即可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，Data Palling 可能隨時(shí)有效。Ready/Busy：字節(jié)編程的進(jìn)度可通過“RDY/BSY 輸出信號監(jiān)測，編程期間，ALE 變?yōu)楦唠娖健癏”后，P3.4（RDY/BSY）端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。編程完成后，P3.4 變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài)。

程序校驗(yàn)：如果加密位LB1、LB2 沒有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)，采用如圖12的電路。加密位不可直接校驗(yàn)，加密位的校驗(yàn)可通過對存儲器的校驗(yàn)和寫入狀態(tài)來驗(yàn)證。

芯片擦除：利用控制信號的正確組合（表6）并保持ALE/PROG 引腳10mS 的低電平脈沖寬度即可將PEROM 陣列（4k字節(jié)）和三個(gè)加密位整片擦除，代碼陣列在片擦除操作中將任何非空單元寫入“1”，這步驟需再編程之前進(jìn)行。讀片內(nèi)簽名字節(jié)：AT89C52 單片機(jī)內(nèi)有3 個(gè)簽名字節(jié)，地址為030H、031H 和032H。用于聲明該器件的廠商、型號和編程電壓。讀AT89C52 簽名字節(jié)需將P3.6 和P3.7 置邏輯低電平，讀簽名字節(jié)的過程和單元030H、031H 及032H 的正常校驗(yàn)相仿，只返回值意義如下：

（030H）=1EH 聲明產(chǎn)品由ATMEL公司制造。（031H）=52H 聲明為AT89C52 單片機(jī)。（032H）=FFH 聲明為12V 編程電壓。（032H）=05H 聲明為5V 編程電壓。

第三篇：常用芯片總結(jié)

常用芯片總結(jié)

1.音頻pcm編碼DA轉(zhuǎn)換芯片cirrus logic的cs4344，cs4334

4334是老封裝，據(jù)說已經(jīng)停產(chǎn)，4344封裝比較小，非常好用。還有菲利譜的8211等。

2.音頻放大芯片4558，LM833，5532,此二芯片都是雙運(yùn)放。

3.244和245，由于244是單向a=b的所以只是單向驅(qū)動。而245是用于數(shù)據(jù)總線等雙向驅(qū)動選擇。同時(shí)245的封裝走線非常適合數(shù)據(jù)總線，它按照順序d7-d0。

4.373和374，地址鎖存器，5.max232和max202，max3232 TTL電平轉(zhuǎn)換

6.網(wǎng)絡(luò)接口變壓器。需要注意差分信號的等長和盡量短的規(guī)則。

7.amd29系列的flash，有bottom型和top型，主要區(qū)別是loader區(qū)域設(shè)置在哪里？bottom型的在開始地址空間，top型號的在末尾地址空間，我感覺有點(diǎn)反，但實(shí)際就是這么命名的。

8.74XX164，它是一個(gè)串并轉(zhuǎn)換芯片，可以把串行信號變?yōu)椴⑿行盘?，控制?shù)碼管顯示可以用到。

9.網(wǎng)卡控制芯片CS8900,ax88796，rtl8019as，dm9000ae當(dāng)然這些都是用在isa總線上的。24位AD：CS5532，LPC2413,ADS1240,ADS1241效果還可以儀表運(yùn)放：ITL114，不過據(jù)說功耗有點(diǎn)大

音頻功放：一般用LM368

音量控制IC： PT2257，Pt2259.PCM雙向解/編碼 ：/ CW6691.cirruslogic公司比較多

2.4G雙工通訊IC CC2500

1.cat809，max809，這些是電源監(jiān)控芯片，當(dāng)?shù)陀谀骋浑妷阂院蟊热?.07v等出現(xiàn)一個(gè)100ms的低電平，實(shí)現(xiàn)復(fù)位功能。當(dāng)然這個(gè)要求是低復(fù)位。max810，cat810等就是出現(xiàn)一個(gè)100ms的高電平。還有一些復(fù)位芯片，既有高又有低復(fù)位輸出，同時(shí)還有帶手動觸發(fā)復(fù)位功能，型號可以查找一下。

2.pericom的pt7v（pi6cx100-27）壓控振蕩器，脈沖帶寬調(diào)制。

1、語音編解碼TP3054/3057，串行接口，帶通濾波。

2、現(xiàn)在用漢仁的網(wǎng)卡變壓器HR61101G接在RTL8019AS上，兼容的有VALOR的FL1012、PTT的PM24-1006M。

3、驅(qū)動LED點(diǎn)陣用串行TPIC6B595，便宜的兼容型號HM6B59

5交換矩正： mt 88168*16

雙音頻譯碼器： 35300

我們原來使用單獨(dú)的網(wǎng)絡(luò)變壓器，如常用的8515等?，F(xiàn)在我們用YDS的一款帶網(wǎng)絡(luò)變壓器的RJ45接口。其優(yōu)點(diǎn)：1.體積僅比普通的RJ45稍微大一點(diǎn)。

2.價(jià)格單買就6元，我覺得量稍微大點(diǎn)應(yīng)該在4-5左右或者更低。

3.連接比較方便只要把差分信號注意就可以了。

缺點(diǎn)：用的人不多，不知道是因?yàn)槭切?，還是性能不好，我們用了倒沒什么問題。不過沒有做過抗雷擊等測試，我覺得既然YDS做了這樣的產(chǎn)品，性能應(yīng)該問題不大。我覺得最好再加一點(diǎn)典型電路的原理圖等。比如說網(wǎng)絡(luò)接口，串口232，485通訊，I2C級連，RAM連接，F(xiàn)LASH連接，電壓轉(zhuǎn)換，時(shí)鐘電路，打印接口電路，以及如何在沒有典型電路的時(shí)候，把芯片和已有系統(tǒng)有效連接等。首先要有開關(guān)電源需求，額定電流，功率，幾路輸出，主路設(shè)計(jì)等等如何測試其性能指標(biāo)達(dá)到要求。

便宜的液晶驅(qū)動芯片HT1621

要求一般的485芯片SN308

2CH375A USB主控芯片 南京沁恒的數(shù)據(jù)采集，我用tlc2543, AD7656,AD976

運(yùn)放OP27,很好用，經(jīng)受住時(shí)間考驗(yàn)，連續(xù)3年

我介紹一下我現(xiàn)在用的光耦,就是光電隔離:

TLP521-1 TLP521-2 TLP521-4 線性光耦hcr210不錯(cuò)

其實(shí)我只用過TLP521-1,很好用的,TLP521-2 的價(jià)格比 TLP521-1要貴兩倍多,不只為什么,恩 LED導(dǎo)通電流是小了一點(diǎn)，它們由于速率有點(diǎn)低所以推薦高速光耦

6N1361M

6N13710M

單通道HDLC協(xié)議控制器：MT8952；

音頻放大器LM2904；

512k*8帶軟件保護(hù)可段/整片擦除的flah28SF040；

關(guān)于電壓轉(zhuǎn)換芯片的一點(diǎn)體會：AD7865做電機(jī)控制的使用很不錯(cuò)，四路350K，14位精度，單電壓，＋/-10V輸入，推薦使用AD7864的升級用。掉電保存可以選擇NVRAM，帶電池的，maxim有很多

74ALVC164245，電平轉(zhuǎn)換芯片，3.3V電平和5V電平總線接口用

74HCT14：復(fù)位隔離緩沖

ULN2003：達(dá)林頓輸出的驅(qū)動芯片，帶繼電器滅弧的二極管，驅(qū)動繼電器不錯(cuò)

MAX708：復(fù)位芯片，帶高低電平和手動復(fù)位功能

CPU：雖然不推薦選用***貨，但是多一個(gè)選擇也不錯(cuò)，SuperH系列的CPU性能不錯(cuò)

1：usb控制器，cypress公司的cy7c63723，cy7c68013，63723是otp的建議初次搞usb接口的不要使用，調(diào)試起來很麻煩。

2：cpld，fpga用xilinx的型號很全

3：2.4g rf收發(fā)芯片nrf2401a

看門狗 813、705、706等

1、LI358/LM324 小信號放大器，通用型的當(dāng)然你要求太高就的另選了。

2、24C08/24C16 EEPROM 感覺還可以！

3、MPS3100

1，可做充電器的電壓升降的IC，SP34063,感覺使用起來還是聽方便的2，RF IC，NRF2401，NREF2402，還有功能更強(qiáng)的集成增強(qiáng)型8051內(nèi)核的好象是 NRF24E1，不過我沒用過

3，音頻功放TPA021

13.HT12D，是與“HT12E”對應(yīng)的解碼芯片。也有紅外的解碼芯片。

4.IRF640N，MOSFET,電力場效應(yīng)管

電能（ATT7022A、SA9904B）、壓力（PGA309）、溫度（DS18B20、K型熱電偶MAX6675）、濕度（SHT10）、液位(LM1042)、煙霧（NIS-09C+MC145018）、紅外（HS0001）、距離（TDC-GP1）、轉(zhuǎn)速（KM115-1),codec（AMBE-2000）、can（SJA1000）、gps（u-blox)、無線數(shù)傳(nRF905、nRF9e5)

cirruslogic--cs5460計(jì)量芯片，0.1級

ADE7758三相電力計(jì)量芯片0.5級

ATT7022三相電能計(jì)量芯片0.5級，可作多功能表

24bit的有AD7712AN

溫度傳感器：AD592CN，環(huán)境穩(wěn)定25度時(shí)精度，+/-0.5度

第四篇：IC芯片知識

IC基礎(chǔ)知識簡述

熔茗2010-09-14 14:42:36

我們通常所說的“芯片”是指集成電路,它是微電子技術(shù)的主要產(chǎn)品.所謂微電子是相對“強(qiáng)電”、“弱電”等概念而言,指它處理的電子信號極其微小.它是現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ),我們通常所接觸的電子產(chǎn)品,包括通訊、電腦、智能化系統(tǒng)、自動控制、空間技術(shù)、電臺、電視等等都是在微電子技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。

我國的信息通訊、電子終端設(shè)備產(chǎn)品這些年來有長足發(fā)展,但以加工裝配、組裝工藝、應(yīng)用工程見長,產(chǎn)品的核心技術(shù)自主開發(fā)的較少,這里所說的“核心技術(shù)”主要就是微電子技術(shù).就好像我們蓋房子的水平已經(jīng)不錯(cuò)了,但是,蓋房子所用的磚瓦還不能生產(chǎn).要命的是,“磚瓦”還很貴.一般來說,“芯片”成本最能影響整機(jī)的成本。微電子技術(shù)涉及的行業(yè)很多,包括化工、光電技術(shù)、半導(dǎo)體材料、精密設(shè)備制造、軟件等,其中又以集成電路技術(shù)為核心,包括集成電路的設(shè)計(jì)、制造。

集成電路(IC)常用基本概念有:

晶圓,多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導(dǎo)體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓片上可生產(chǎn)的IC就多,可降低成本;但要求材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)更高。

前、后工序:IC制造過程中, 晶圓光刻的工藝(即所謂流片),被稱為前工序,這是IC制造的最要害技術(shù);晶圓流片后,其切割、封裝等工序被稱為后工序。光刻:IC生產(chǎn)的主要工藝手段,指用光技術(shù)在晶圓上刻蝕電路。

線寬:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生產(chǎn)工藝可達(dá)到的最小導(dǎo)線寬度,是IC工藝先進(jìn)水平的主要指標(biāo).線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。

封裝:指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。存儲器:專門用于保存數(shù)據(jù)信息的IC。

邏輯電路:以二進(jìn)制為原理的數(shù)字電路。

1.IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展背景

隨著全球信息化,網(wǎng)絡(luò)化和知識化經(jīng)濟(jì)浪潮的到來,集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略地位越來越重要,它已成為事關(guān)國民經(jīng)濟(jì),國防建設(shè),人民生活和信息安全的基礎(chǔ)性,戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè).特別是近幾年來,在世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境不斷改善,集成電路的性能以驚人的速度向快速和微型方面發(fā)展,其發(fā)展?jié)摿?高技術(shù)含量和廣闊的市場都令人嘆為觀止.與此同時(shí),中國集成電路產(chǎn)業(yè)也已經(jīng)開始快速發(fā)展,正在努力向世界技術(shù)前沿靠攏.也就是說,我們中國的IC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)初具規(guī)模,并且正處在一個(gè)擺脫一味只是集中在制造和消費(fèi)方面而向核心技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型的一個(gè)關(guān)鍵階段,所有的IC精英們正在齊心協(xié)力打造中國自己的“中國芯”,爭取早日扭轉(zhuǎn)在內(nèi)核技術(shù)上受制于人的局面,這是每一個(gè)IC精英義不容辭的責(zé)任,同時(shí)也是這次產(chǎn)業(yè)調(diào)研的最大目的,希望能夠讓同學(xué)們領(lǐng)悟到這一點(diǎn).對于國內(nèi)一些IC企業(yè)的考察和調(diào)研,則主要集中在進(jìn)來的發(fā)展戰(zhàn)略與定位上.在當(dāng)前的市場競爭環(huán)境中,壓力主要來自于哪些方面 如何對自身以及同類的本土I

C企業(yè)定位 如何定位與國外IC企業(yè)的合作或者競爭關(guān)系 如何看待本土人才的流失及采取什么對策培養(yǎng)和建立人才儲備 是如何推進(jìn)本土企業(yè)國際化進(jìn)程的 ……我們希望通過調(diào)研能夠歸納得出一些關(guān)于中國IC企業(yè)界對自身的定位以及了解他們?nèi)绾闻c國際上IC企業(yè)合作或者競爭的模式,從而對中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的契機(jī)有一些更加接近實(shí)際,更加深入的思考.2.中國目前IC產(chǎn)業(yè)的一些發(fā)展

2.1 產(chǎn)業(yè)規(guī)模急劇擴(kuò)大

目前,我國已建和在建的8英寸,12英寸芯片生產(chǎn)線有17條,成為全球新的芯片代工基地.芯片設(shè)計(jì)公司從最初的幾十家增至400多家,特別是上海的中芯國際,宏力半導(dǎo)體,華虹NEC和蘇州的和艦等一批大型芯片制造企業(yè)的投產(chǎn),增強(qiáng)了我國芯片產(chǎn)業(yè)的整體實(shí)力.統(tǒng)計(jì)顯示,近年來,我國芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模年均增幅超過40%.2004年上半年,我國芯片市場總規(guī)模達(dá)1370億元,芯片總產(chǎn)量超過94億塊.近幾年中國集成電路產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展離不開市場需求的強(qiáng)勁拉動.中國電子信息制造業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,計(jì)算機(jī),消費(fèi)電子,網(wǎng)絡(luò)通信,汽車電子等主要需求領(lǐng)域都呈現(xiàn)出了高速增長的勢頭.2004年,中國電子信息產(chǎn)業(yè)銷售收入達(dá)到2.65萬億元,比2003年增長40%,集成電路市場規(guī)模已經(jīng)達(dá)到2908億元,同比增長40.2%,高于去年全球增幅12個(gè)百分點(diǎn).2004年正成為中國IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)由萌芽期進(jìn)入成長期的重要里程碑.到2004年底,中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)擁有421家企業(yè),從業(yè)人員上升到約1.65萬人,總銷售額達(dá)到了81.5億元人民幣,同比增長率達(dá)到41.5%,增長主要來自顯示驅(qū)動芯片,智能卡芯片,無線通信芯片和多媒體芯片.預(yù)計(jì)今后四年的年復(fù)合增長率將達(dá)到65%左右,2008年銷售額可望達(dá)到800億.2.2 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)日趨合理

芯片產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)日趨合理,芯片制造業(yè)成為產(chǎn)業(yè)增長的主引擎.在地區(qū)布局上,我國芯片產(chǎn)業(yè)形成了幾大重鎮(zhèn):

以上海為龍頭的長三角地區(qū),產(chǎn)業(yè)鏈最完整,產(chǎn)業(yè)集聚度最高.以北京,天津?yàn)楹诵牡沫h(huán)渤海區(qū),具有研發(fā),人才優(yōu)勢.中芯國際在此建成了我國第一條12英寸生產(chǎn)線,初步構(gòu)筑了產(chǎn)業(yè)高地.以廣州,深圳為中心的珠三角,是我國最大的信息產(chǎn)品制造和出口基地,依托巨大的市場需求,開始進(jìn)軍芯片產(chǎn)業(yè).以成都,西安為中心城市的中西部地區(qū),人力,電力,水資源豐富,并擁有傳統(tǒng)的電子工業(yè)基礎(chǔ),隨著英特爾,中芯國際的芯片封裝企業(yè)落戶成都,英飛凌研發(fā)中心落戶西安,該地區(qū)的芯片產(chǎn)業(yè)開始崛起.2.3 技術(shù)創(chuàng)新能力增強(qiáng)

芯片制造工藝和技術(shù)水準(zhǔn)迅速提升,特別是中芯國際北京12英寸生產(chǎn)廠的建成投產(chǎn),使我國芯片生產(chǎn)技術(shù)從0.25微米,0.18微米進(jìn)入到0.13微米,0.11微米的國際前沿水準(zhǔn).從“中國制造”到“中國創(chuàng)造”,隨著我國企業(yè)自主創(chuàng)新能力的增強(qiáng),催生了一批完全擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的“中國芯”,如方舟,龍芯,愛國者,星光,網(wǎng)芯,展訊,中視一號等.特別引人矚目的是,2004年上半年,位于上海張江高科技園區(qū)的展訊公司研制出我國第一塊完全擁有自主知識產(chǎn)權(quán),國際領(lǐng)先的第三代(3G)手機(jī)芯片,打破了手機(jī)芯片核心技術(shù)被國外通信公司壟斷的局面.2004年底,復(fù)旦大學(xué)微電子研究院研制出基于清華大學(xué)DMB-T標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng),擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的“中視一號”數(shù)字電視芯片,是我國數(shù)字電視產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的重大突破.2.4 出現(xiàn)領(lǐng)軍企業(yè)

權(quán)威預(yù)測顯示,作為全球芯片產(chǎn)業(yè)增長最快的地區(qū)和全球最具發(fā)展?jié)摿Φ氖袌?2010年前,中國將成為僅次于美國的全球第二大芯片市場.伴隨市場需求的擴(kuò)張,產(chǎn)業(yè)規(guī)模的升級,技術(shù)水準(zhǔn)的提高,中國有望出現(xiàn)一批具備較強(qiáng)國際競爭力的品牌產(chǎn)品和強(qiáng)勢企業(yè).我國的芯片產(chǎn)業(yè)體制和機(jī)制創(chuàng)新取得突破,政府引導(dǎo),企業(yè)參與,市場運(yùn)作的格局初步形成.除了國家的產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)資金,越來越多的海外資本,民間資本投入芯片產(chǎn)業(yè),資本運(yùn)營初步進(jìn)入良性循環(huán).目前,有近10家芯片企業(yè)在境內(nèi)外上市,其中在香港和紐約上市的中芯國際,使中國芯片產(chǎn)業(yè)開始牽動國際資本市場的神經(jīng).銷售額超過1億元的公司達(dá)到了16家,它們分別是晶門科技,大唐微電子,杭州士蘭,珠海炬力,中國華大,紹興芯谷科技,中星微,無錫華潤矽科,華大電子,希格瑪,展訊通信,國微電子,上海華虹,北京華虹,復(fù)旦微電子和深圳中興微電子,其中晶門科技和大唐微電子的銷售額超過了10億.2004年還初步形成了與IC設(shè)計(jì)業(yè)相關(guān)的上下游產(chǎn)業(yè)鏈.設(shè)計(jì)企業(yè)已與晶圓代工企業(yè)和封裝測試企業(yè)建立了相對固定的良好業(yè)務(wù)關(guān)系,中芯國際,華虹NEC,上海先進(jìn),上海貝嶺,無錫上華,首剛NEC,紹興華越,南通富士通,上海長豐等代工和封裝企業(yè)所提供的各種加工工藝和相應(yīng)技術(shù)服務(wù)已基本滿足了設(shè)計(jì)業(yè)的需求.3.中國IC產(chǎn)業(yè)存在的問題

3.1中國的IC產(chǎn)業(yè)缺乏核心技術(shù)

通過產(chǎn)業(yè)調(diào)研發(fā)現(xiàn),就目前來看,目前,由于西方國家的出口限制,我國在芯片技術(shù),設(shè)備上受制于人的局面尚未完全扭轉(zhuǎn).國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)公司規(guī)模偏小,技術(shù)落后,缺乏自主知識產(chǎn)權(quán).2003年,全國芯片設(shè)計(jì)公司前十強(qiáng)的產(chǎn)值之和僅..4億美元,而美國排名第十的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)產(chǎn)值為6.5億美元.國內(nèi)芯片制造企業(yè)幾乎都是“代工廠”,自主創(chuàng)新能力薄弱,擁有自主產(chǎn)品和自主品牌的公司鳳毛麟角.據(jù)了解,我國電子信息產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入超過銷售額10%的企業(yè)寥寥無幾,只有華為,中興通訊少數(shù)幾家.絕大多數(shù)企業(yè)的研發(fā)投入低于2%,與外國公司差距懸殊.如韓國三星2003年研發(fā)投入近30億美元,占銷售額的8%.真正能在IC設(shè)計(jì)市場上盈利的更多的是從事低端設(shè)計(jì)的公司.消費(fèi)類產(chǎn)品的訂單是國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司追逐的目標(biāo),但消費(fèi)類產(chǎn)品的技術(shù)含量往往不高.而事實(shí)上,國內(nèi)近年來盡管在高端產(chǎn)品如CPU取得了一些突破.但技術(shù)含量仍然有限.（轉(zhuǎn)）

第五篇：免費(fèi)芯片申請網(wǎng)站、

經(jīng)驗(yàn)表明,以下網(wǎng)址注冊成功后都可以申請,可以先上網(wǎng)頁熟悉一下各公司的產(chǎn)品線,以后做實(shí)驗(yàn)可以依自己需求申請,振興中大電子靠你們啦!注意不要abuse濫申請,不然拉你入黑名單!

//最慷慨成功注冊有可以申請一批芯片注意是一批好大方從國內(nèi)ti樣品中心寄過來

//種類多模擬數(shù)字一大堆也可以申請arm7系列的ADuC7027 等有個(gè)電視節(jié)目叫《任講吾嬲》這公司可以用任申吾嬲來形容芯片一般從東南亞某國寄過來菲律賓吧

//種類也很多.通常他網(wǎng)頁上用中文說明可以申請的就可以申請

//連arm9都可以申請但是是BGA封裝的焊不了嗯這公司不錯(cuò)提供了高檔處理器申請芯片從美國寄過來

//模擬的多點(diǎn) ad da吧

//電源轉(zhuǎn)換二級管放大器比較器多想當(dāng)年連1117都申請香港寄來

//電源管理北京寄過來

//國產(chǎn)芯片的好咚咚阿有usbusb-uart轉(zhuǎn)換pci接口等芯片從南京寄過來

//美國AD公司中文主頁//ATMEL公司中文主頁//美信公司中文主頁

//德州儀器公司中文主頁