第一篇：半導體技術對人類社會的影響

物理學與人類文明

任課老師：戴長建

班級：材化一班

姓名：余偉

學號：20114203 半導體技術對人類社會的影響

材化一班 余偉 20114203

半導體材料對20世紀的人類文明所起的巨大影響最令人驚訝。20世紀是科學技術突飛猛進的100年，原子能、半導體、激光和電子計算機被稱為20世紀的四大發(fā)明，后三大發(fā)明是緊密相關的。

半導體，指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

半導體電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質稱為半導體：室溫時電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間，溫度升高時電阻率則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。

半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。

★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。

★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。

半導體材料的制造

為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測并且穩(wěn)定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的錯位、雙晶面，或是堆棧錯誤都會影響半導體材料的特性。對于一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為裘可拉斯基制程。這種制程將一個單晶的晶種放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的接口固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。

最早的實用“半導體”是「電晶體（Transistor）/ 二極體（Diode）」。

一、在無線電收音機（Radio）及電視機（Television）中，作為“訊號放大器/整流器”用。

二、近來發(fā)展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。

三、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫(yī)療衛(wèi)生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的準確度和穩(wěn)定性，分辨率可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

半導體的發(fā)現(xiàn)實際上可以追溯到很久以前，1833年，英國巴拉迪最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。不久，1839年法國的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是后來人們熟知的光生伏特效應，這是被發(fā)現(xiàn)的半導體的第二個特征。1873年，英國的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應。為什么半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

1904年發(fā)明真空二極管，1920年無線電廣播便風靡全球;1931年半導體理論提出，1948年用半導體材料鍺制成了晶體管，從真空管到晶體管，使電子工業(yè)發(fā)生了質的飛躍，具有劃時代的意義;1959年硅半導體材料研制成功，為微電子工業(yè)奠定了基礎，事實上也是為計算機時代的到來提供了物質條件.1946年世界上第一臺電子計算機在美國問世，當時還沒有半導體材料，它是由18000支真空管組成的龐然大物，每秒鐘實現(xiàn)加法運算40000次;1948年半導體材料取得突破，隨即晶體管線路普及,1956年第一臺晶體管計算機問世，和第一代真空管計算機相比，體積減小上千倍，運算速度提高到每秒近100萬次;第三代計算機是在硅半導體材料發(fā)明以后，集成電路得以實現(xiàn)，1963年出現(xiàn)了硅半導體集成電路計算機，體積進一步縮小，運算速度達到每秒100萬一200萬次;隨著半導體材料質量的提高和制造技術的改進，1971年后超大規(guī)模集成電路得以實現(xiàn)，加上信息存儲材料和超微加工技術的發(fā)展，第四代超大規(guī)模集成電路計算機問世，計算機速度高達每秒千萬次。事實說明，沒有半導體材料就沒有微電子工業(yè)，就沒有計算機的時代。20世紀初(1905年)世界上第一個真空電子管的發(fā)明，標志著人類社會進入電子化時代，電子技術實現(xiàn)了第一次重大技術突破。這是控制電子在真空中的運動規(guī)律和特性而產生的技術成果。從此產生了無線電通信、雷達、導航、廣播、電視和各種真空管電子儀器及系統(tǒng)。經過第二次世界大戰(zhàn)后，人們感覺到真空管還存在許多不足，如儀器設備體積大、重量大、耗電大、可靠性和壽命受限制等。因此，研究新型電子管的迫切需求被提出來了。1947年美國貝爾實驗室兩位科學家巴丁和布拉坦在做鍺表面實驗過程中發(fā)明了世界上第一個點接觸鍺晶體管。兩年后被譽為電子時代先驅的科學家肖克萊發(fā)表了晶體管的理論基礎——P—N理論。此后，實驗型晶體管研制成功，使晶體管進人實用階段。品體管的發(fā)明是電子技術的第二次重大技術突破，為微電子技術揭開序幕。為表彰三位科學家的卓越貢獻，他們共同獲得1956年諾貝爾物理學獎。

晶體管發(fā)展初期是利用鍺單品材料進行研制的。實驗發(fā)現(xiàn)Pa笛單晶做的晶體管漏電流大，工作電壓低.表面性能不穩(wěn)定，隨溫度的升高，性能下降，可靠性和壽命不佳?？茖W的道路是沒有盡頭的，科學家通過大量的實驗分析，發(fā)現(xiàn)半導體硅比鍺有更多的優(yōu)點。在鉗晶體管中所表現(xiàn)出來的缺點，利用硅單晶材料將會產生不同程度的改進，硅晶體管的性能會有大的提高。特別是繼表面可以形成穩(wěn)定性好、結構致密、電學性能很好的二氧化硅保護層。這不僅使硅晶體管比鍺晶體管更加穩(wěn)定，性能更好，而且更重要的是在技術上大大前進一步，即發(fā)明了晶體管平面工藝，為20世紀50年代末集成電路的問世準備了可靠的基礎，這正是微電子技術的一大突破，也是電子技術的第三次重大技術突破。

1946年世界上第一臺電子計算機是由18000多只電子管組成的，后來b出現(xiàn)了單晶硅半導體，導致了大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展。雖然，單晶硅體積只有拇指大，但功能和速度的強大使世界電子科技在57年內發(fā)生翻天覆地的變化。在人們接受大量信息洗禮的時候，半導體的發(fā)展又開始從元素半導體向化合物半導體進化和演變了：鍺半導體一單晶硅半導體一超純單晶硅和拉制單品硅半導體i砷化綜半導體。第三代半導體的代表，化合物半導體砷化鑷可使運算速度提高10倍以上，耗電量僅為硅的1/10。

我們生活的時代是大科學時代，科學技術突飛猛進。IT技術的飛速發(fā)展，半導體技術已日益滲透到社會生活的各個領域，深刻影響著我們的衣食住行，在我們身邊無論是手機電腦還是家用電器，無一能離得開半導體的，離開了半導體技術我們就無從談起高質量的現(xiàn)代生活。可以說我們的世界就是半導體的世界，半導體已成為時代的“運籌者”。不容置疑，半導體在各個領域的應用不僅大大提高了生產效率，給人們帶來各種便利，同時也極大地推動著社會文明和進步。

第二篇：半導體材料測試技術

常規(guī)材料測試技術

一、適用客戶：

半導體，建筑業(yè)，輕金屬業(yè)，新材料，包裝業(yè)，模具業(yè)，科研機構，高校，電鍍，化工，能源，生物制藥，光電子，顯示器。

二、金相實驗室

? Leica DM/RM 光學顯微鏡

主要特性：用于金相顯微分析，可直觀檢測金屬材料的微觀組織，如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脫碳層、氮化層及焊接、冷加工、鑄造、鍛造、熱處理等等不同狀態(tài)下的組織組成，從而判斷材質優(yōu)劣。須進行樣品制備工作，最大放大倍數(shù)約1400倍。

? Leica 體視顯微鏡

主要特性：

1、用于觀察材料的表面低倍形貌，初步判斷材質缺陷；

2、觀察斷口的宏觀斷裂形貌，初步判斷裂紋起源。

? 熱振光模擬顯微鏡

? 圖象分析儀

? 萊卡DM/RM 顯微鏡附 CCD數(shù)碼 照相裝置

三、電子顯微鏡實驗室

? 掃描電子顯微鏡(附電子探針)(JEOL JSM5200，JOEL JSM820，JEOL JSM6335)

主要特性：

1、用于斷裂分析、斷口的高倍顯微形貌分析，如解理斷裂、疲勞斷裂（疲勞輝紋）、晶間斷裂（氫脆、應力腐蝕、蠕變、高溫回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等）、侵蝕形貌、侵蝕產物分析及焊縫分析。

2、附帶能譜，用于微區(qū)成分分析及較小樣品的成分分析、晶體學分析，測量點陣參數(shù)/合金相、夾雜物分析、濃度梯度測定等。

3、用于金屬、半導體、電子陶瓷、電容器的失效分析及材質檢驗、放大倍率：10X—300,000X；樣品尺寸：0.1mm—10cm；分辯率:1—50nm。

? 透射電子顯微鏡（菲利蒲 CM-20,CM-200）

主要特性：

1、需進行試樣制備為金屬薄膜，試樣厚度須<200nm。用于薄膜表面科學分析，帶能譜，可進行化學成分分析。

2、有三種衍射花樣：斑點花樣、菊池線花樣、會聚束花樣。斑點花樣用于確定第二相、孿晶、有序化、調幅結構、取向關系、成象衍射條件。菊池線花樣用于襯度分析、結構分析、相變分析以及晶體精確取向、布拉格位移矢量、電子波長測定。會聚束花樣用于測定晶體試樣厚度、強度分布、取向、點群

? XRD-Siemens500—X射線衍射儀

主要特性：

1、專用于測定粉末樣品的晶體結構（如密排六方，體心立方，面心立方等），晶型，點陣類型，晶面指數(shù)，衍射角，布拉格位移矢量，已及用于各組成相的含量及類型的測定。測試時間約需1小時。

2、可升溫（加熱）使用。

? XRD-Philips X’Pert MRD—X射線衍射儀

主要特性：

1、分辨率衍射儀，主要用于材料科學的研究工作，如半導體材料等，其重現(xiàn)性精度達萬分之一度。

2、具備物相分析（定性、定量、物相晶粒度測定；點陣參數(shù)測定），殘余應力及織構的測定；薄膜物相鑒定、薄膜厚度、粗糙度測定；非平整樣品物相分析、小角度散射分析等功能。

3、用于快速定性定量測定各類材料（包括金屬、陶瓷、半導體材料）的化學成分組成及元素含量。如：Si、P、S、Mn、Cr、Mo、Ni、V、Fe、Co、W等等，精確度為0.1%。

4、同時可觀察樣品的顯微形貌，進行顯微選區(qū)成分分析。

5、可測尺寸由φ 10 × 10mm至φ280×120mm；最大探測深度：10μm

? XRD-Bruker—X射線衍射儀

主要特點 ：

1、有二維探測系統(tǒng)，用于快速測定金屬及粉末樣品的晶體結構（如密排六方、體心立方、面心立方等）、晶型、點陣類型、晶面指數(shù)、衍射角、布拉格位移矢量。

2、用于表面的殘余應力測定、相變分析、晶體織構及各組成相的含量及類型的測定。

3、測試樣品的最大尺寸為100×100×10(mm)。

? 能量散射X-射線熒光光譜儀(EDXRF)主要特點：

1、用于快速定性定量測定各類材料（包括金屬、陶瓷、半導體材料）的化學成分組成及元素含量。如：Si、P、S、Mn、Cr、Mo、Ni、V、Fe、Co、W等等。

2、同時可觀察樣品的顯微形貌，進行顯微選區(qū)成分分析。

3、最大可測尺寸為：φ280×120mm

四、光子/激光光譜實驗室

? 傅里葉轉換紅外光譜儀(Perkin Elmer 1600)主要特點：

1、通過不同的紅外光譜來區(qū)分不同塑膠等聚合物材料的種類。

2、用于古董的鑒別，譬如：可以分辨翡翠等玉器的真?zhèn)巍?/p>

3、樣品的尺寸范圍：φ25mm – φ0.1mm

? 紫外可見光譜儀(UV-VIS)主要特性：

1、測試物質對光線的敏感性。譬如：薄膜、電子晶片、透明塑料、化工涂料的透光性或吸光性。

2、測試液體的濃度。波長范圍：190nm—1100nm ? 拉曼光譜儀(Spex Rama Log 1403)

? 拉曼顯微鏡光譜儀(T64000)

? 布里淵光譜儀(Sanderock 前后干涉計)

五、表面科學實驗室

? 原子發(fā)射光譜儀, 俄歇能譜儀(PHI Model 5802)? 原子力顯微鏡，掃描隧道顯微鏡(Park 科技)? 高分辨率電子能量損耗能譜儀(LK技術)

? 低能量電子衍射, 原子發(fā)射光譜&紫外電子能譜儀(Micron)? 熒光光譜儀

? XPS+AES 電子表面能譜儀

主要特點：

用于表面科學10-12材料跡量，樣品表面層的化學成分分析（1μm）以內，超輕元素分析，所測成分是原子數(shù)的百分比（He及H除外）；并可分析晶界富集有害雜質原子引起的脆斷。

六、熱學分析實驗室

? 示差掃描熱量計（DSC）（Perkin Elmer DSC7,TA MDSC2910）

主要特點：

1、將樣品及標樣升高相同的溫度，通過測試熱量（吸熱及放熱）的變化，來尋找樣品相變開始及結束的溫度。

2、用于形狀記憶合金及多組分材料Tg的測量。

? 差熱分析儀DTA/DSC（Setaram Setsys DSC16/ DTA18）

主要特性：

用于熱重量分析，利用熱效應分析材料及合金的組織、狀態(tài)轉變；可用于研究合金及聚合物的熔化及凝固溫度、多型性轉變、固溶體分解、晶態(tài)與非晶態(tài)轉變、聚合物的各組份含量分析。

? 動態(tài)機械分析儀（DMA）/熱機械分析儀（TMA）

主要特點：

1、用于低溫合金和低熔點合金材料的熱力學及熱機械性能分析。

2、用于測定材料的熱膨脹系數(shù)（包括體膨脹系數(shù)和線膨脹系數(shù)）、內耗、彈性模量。材料的熱膨脹系數(shù)受到材料的化學成分，冷加工變形量，熱處理工藝等因素的影響。

七、薄膜加工實驗室

（一）物理氣相沉積(PVD)設備 ? 射頻和直流源磁控濺射系統(tǒng)。? 離子束沉積系統(tǒng)

? 電子槍沉積系統(tǒng) ? 熱蒸發(fā)沉積系統(tǒng) ? 脈沖激光沉積系統(tǒng)

? 閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍

主要特性：

制備高品質的表面涂層，賦予產品新的性能(譬如：提高表面硬度，抗磨損性及抗刮擦質量，減低摩擦系數(shù)等)。在苛刻的工作環(huán)境中提高產品的使用壽命，并且改善產品的外觀。例如在工業(yè)生產涂層的種類：

1、氮化鈦膜(TiN)：常用于大多數(shù)工具的涂層，包括模具、鉆頭、沖頭、切割刀片等。

2、類金剛石涂層(DLC)---Ti+DLC涂層具有良好硬度及低摩擦系數(shù)，適用于耐磨性表面、鑄模、沖模、沖頭及電機原件；Cr+DLC涂層為不含氫的固體潤滑濺射涂層，適用于汽車部件、紡織工業(yè)、訊息儲存及潮濕環(huán)境。

３、含MoS2的金屬復合固體潤滑涂層—適用于銑刀、鉆頭、軸承、及極低磨擦需求的環(huán)境、如航空及航天科技的應用

（二）化學氣相沉積(CVD)設備 ? 熱絲化學氣相沉積系統(tǒng)

? 射頻和直流源化學氣相沉積系統(tǒng) ? 金屬有機分解及熔解凝固沉積系統(tǒng)

? 電子回旋共振-微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)

1、等離子體化學氣相沉積是一種新型的等離子體輔助沉積技術。在一定壓力、溫度（大于500℃）及脈沖電壓作用下，在產品表面形成各種硬質膜如TiN,TiC,TiCN,(Ti、Si)CN及多層復合膜，顯微硬度高達HV2000-2500。

2、PCVD技術可實現(xiàn)離子滲氮、滲碳和鍍膜依次滲透復合，可提高產品表面的耐磨損、耐腐蝕及抗熱疲勞等性能。適用于鈦合金，硬質合金，不銹鋼，高速鋼及一些模具材料的表面涂層處理。

（三）PIII等離子實驗室

1、PIII等離子實驗室由一個半導體等離子注入裝置和一個多源球形等離子浸沒離子注入裝置組成，通過將高速等離子體注入工件表面，改變表面層的結構及性能，提高產品的硬度，耐蝕性，減少磨擦力以達到表面強化，延長產品的使用壽命及靈敏度的目的。

2、PIII球形等離子注入技術廣泛應用于半導體、生物、材料、航空航天關鍵組件等各個領域，是一種綜合技術，用于合成薄膜及修正強化材料的表面性能。與傳統(tǒng)的平面線性等離子注入技術相比，PIII技術可從內壁注入作表面強化處理，極適用于體積龐大而形狀不規(guī)則的工業(yè)產品。

八、材料加工實驗室

（一）金屬及合金加工實驗室 ? 行星球磨機

? 激光粒度分析儀(Coulter LS100)

? 比表面積分析儀(NOVA1000)? 滾動磨床 ? 水銀孔隙率計 ? 交流磁化率計 ? 振動磁力計

（二）聚合物加工實驗室

? 加工成型設備（注塑模、比利時塑料擠出機、壓塑模、擠壓機）

? 性能測試設備(霍普金森壓力系統(tǒng)、FTIR、掃描電鏡、透射電鏡、光學顯微鏡及所有來自熱學實驗室的儀器)

（三）高級陶瓷實驗室 ? 陶瓷加工成形設備

? 微平衡系統(tǒng)、球磨機與等靜壓系統(tǒng)(ABB QIH-3)? 電子陶瓷性能測試儀器

標準精度鐵電測試系統(tǒng)(鐳射技術)，MTI2000 鍵盤薄膜傳感器，壓電尺，精密電阻分析儀(HP4294A)，Pico-Amp Meter，直流電壓環(huán)境。

? 超聲波測試系統(tǒng)

先進電子陶瓷--標準化電性能測試系統(tǒng)Signatone Model S106R 用于測試先進電子陶瓷材料（包括片狀樣品和薄膜樣品）的鐵電和壓電及熱釋電性能。測試不同溫度下電容、電阻的變化曲線及頻譜曲線。

九、機械性能測試實驗室

? 單一拉伸實驗機（型號為Instron 4206和5567）

主要特性：

1、拉伸試驗是最常規(guī)的塑性材料準靜載試驗。

2、用于測量各類材料（包括Cu,Al,鋼鐵，聚合物等）的屈服強度，抗拉（壓）強度，剪切強度，斷面收縮率，屈服點及制定應力—應變曲線。

3負荷由30KN—1KN。

? 金屬疲勞強度測試儀（型號為Instron 8801）? 沖擊性能測試機：

（懸臂梁式沖擊測試儀（Ceast），落錘式重力沖擊測試儀（Ceast））

主要特性：

1、用于測定塑膠及電子材料的沖擊韌性σk、應力應變曲線，對材料品質、宏觀缺陷、顯微組織十分敏感，故常成為材質優(yōu)劣的度量。

2、最大負荷為19KN，溫度變化范圍為-50℃—150 ℃，能測出百萬分之一秒內時間與力的變化。

? 蠕變測試儀（Creep Testers ESH）

主要特性：

1、用于測定高溫和持續(xù)載荷作用下金屬產生隨時間發(fā)展的塑性變形量及金屬材料在高溫下發(fā)生蠕變的強度極限。

2、試驗使用溫度與合金熔點的比值大于0.5，能精確測定微小變形量，試驗時間在幾萬小時以內。

? 維氏顯微硬度測試儀Vickers FV-700 主要特性：

1、用于測量顯微組織硬度，不同相的硬度，滲層（如氮化層，滲碳層，脫碳層等）及鍍層的硬度分布和厚度。

2、硬度—材料對外部物體給予的變形所表現(xiàn)出的抵抗能力的度量，與強度成正比。

第三篇：半導體制造技術總結

第一章

2、列出20世紀上半葉對半導體產業(yè)發(fā)展做出貢獻的4種不同產業(yè)。P2 答：真空管電子學、無線電通信、機械制表機及固體物理。答：高速、耐久性、功率控制能力。缺陷：功耗高。19.場效應晶體管（FET）有什么優(yōu)點？P49 答：利于提高集成度和節(jié)省電能。22.FET的最大優(yōu)勢是什么？P49

3、什么時間、什么地點、由誰發(fā)明了固體晶體管？P3 答：1947年12月16日在貝爾電話實驗室由威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明了固體晶體管。

5、列出5個集成時代，指出每個時代的時間段，并給出每個時代每個芯片上的元件數(shù)。P46、什么是硅片？什么是襯底？什么是芯片？

答：芯片也稱為管芯（單數(shù)和復數(shù)芯片或集成電路），硅圓片通常被稱為襯底

8、列出集成電路制造的5個重要步驟，簡要描述每個步驟。P410、列出提高微芯片制造技術相關的三個重要趨勢，簡要描述每個趨勢。P811、什么是芯片的關鍵尺寸？這種尺寸為何重要？P9

13、什么是摩爾定律？它預測了什么？這個定律正確嗎？P1014、自1947年以來靠什么因素使芯片價格降低？給出這種變化的兩個原因。

16、描述硅片技師和設備技師的職責。P16

第三章

11.解釋pn結反偏時發(fā)生的情況。P45

答：導致通過二極管的電流很小，甚至沒有電流。12.解釋pn結正偏時發(fā)生的情況。P45

答：將一正偏施加于pn結，電路中n區(qū)電子從偏壓電源負極被排斥。多余的電子從負極注入到充滿空穴的p區(qū)，使n區(qū)中留下電子的空穴。同時，p區(qū)的空穴從偏壓電源正極被排斥。由偏壓電源正極提供的空穴中和由偏壓電源負極提供的電子?？昭ê碗娮釉诮Y區(qū)復合以及克服勢壘電壓大大的減小了阻止電流的行為。只要偏壓對二極管能維持一個固定的空穴和電子注入，電流就將持續(xù)的通過電路。

13.雙極晶體管有多少個電極、結和類型？電極的名稱分別是什么？類型名稱分別是什么？P46

答：有三電極和兩個pn結、兩種類型。電極名稱：發(fā)射極、基極、集電極。類型名稱：pnp、npn.16．BJT是什么類型的放大器器件？它是怎么根據(jù)能量要求影響它的應用的？P47

答：驅動電流的電流放大器件。發(fā)射極和集電極都是n型的重摻雜，比如砷或磷?；鶚O是p型雜質硼的輕摻雜?；鶚O載流子減少，基極吸引的電流將明顯地比集電極吸引的電流小。這種差別說明了晶體管從輸入到輸出電流的增益。晶體管能線性地將小的輸入信號放大幾百倍來驅動輸出器件。

18.雙極技術有什么顯著特征？雙極技術的最大缺陷是什么？P48

答：低電壓和低功耗。

25.FET的兩種基本類型是什么？他們之間的主要區(qū)別是什么？P50

答：結型（JFET）和金屬-氧化物型（MOSFET）半導體。區(qū)別是：MOSFET作為場效應晶體管輸入端的柵極由一層薄介質與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實際上同晶體管其他電極形成物理的pn結。

26.MOSFET有哪兩種類型？它們怎么區(qū)分？P50 答：nMOS(n溝道)和pMOS（p溝道）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)分。

第四章

1.列舉得到半導體級硅的三個步驟。半導體級硅有多純？P64

4.描述非晶材料。為什么這種硅不能用于硅片？P65 9.為什么要用單晶進行硅片制造？P67 14.什么是CZ單晶生長法？P68

22.為什么要用區(qū)熔法生長硅晶體？P71 23.描述區(qū)熔法。P71

25.給出更大直徑硅片的三大好處。P72 26.什么是晶體缺陷？P73

37.在直徑為200mm及以上硅片中切片是怎么進行的？P77

41.為什么要對硅片表面進行化學機械平坦化？P78 43.列舉硅片的7種質量要求。P79

第五章

1.什么是物質的四種形態(tài)？試分別描述之。P87

6.描述三種溫標，哪一種是科學工作中最常用的溫標？P89

8.給出真空的定義。什么是最常用的真空單位，它是怎么定義的？P91

9.給出冷凝和蒸發(fā)的定義。吸收和吸附之間有什么不同？P91-92

11.給出升華和凝華的定義。P92 13.什么是表面張力？P93

14.給出材料的熱膨脹系數(shù)P94。

20.什么是酸？列出在硅片廠中常用的三種酸。P95 21.什么是堿？列出在硅片廠中常用的三種堿。P96 23.什么是溶劑？列出在硅片廠中常用的三種溶劑。P97 24.描述在硅片廠中使用的去離子水的概念。P97 31.什么是處理特殊氣體所面臨的最大挑戰(zhàn)？P99 38.描述三種特殊氣體并分別舉例。P101

第六章

4.說明五類凈化間沾污。P107

6.解釋半導體制造中可以接受的顆粒尺寸的粗略規(guī)則。P108

9.什么是MIC?P109

13.解釋自然氧化層。識別由自然氧化層引起的三種問題。27．為什么潮濕是工藝腔的一大問題.P183

28．列出減少設備維修中的沾污的必要步驟。P184

第九章

1．列出芯片廠中6個不同的生產區(qū)域并對每一個區(qū)域做P110

15.給出在硅片制造中由ESD引起的三種問題。P111 16.列舉硅片制造廠房中7種沾污源。P112 30.列舉并解釋ESD的三種控制方法。P117 34.描述反滲透(RO)過濾。什么是超過濾？P119 39.列舉并討論四類過濾器。P121 42.描述工藝氣體的過濾。P121

49.描述微環(huán)境，解釋為何這種環(huán)境在凈化間內改善了沾污控制。P125

53.描述RCA清洗工藝。P126

61.列出典型的硅片濕法清洗順序。什么是清洗槽？P127

第七章

1.什么是測量學？集成電路制造中測量學的目的是什么？P140

2.缺陷的定義。硅片缺陷密度是怎樣定義的？P140

6.半導體質量測量的定義。列出在集成電路制造中12種不同的質量測量。陳述使用不同質量測量的工藝。P142 10.解釋四探針法，并給出測方塊電阻四探針法的優(yōu)點。P144-145

12.解釋等值線圖。P145

13.解釋橢偏儀的基本原理。用橢偏儀測薄膜厚度有哪些優(yōu)點？P145-146

17.用X射線怎樣測薄膜厚度？XRF是什么的縮寫。什么是全反射XRF?P147

24.什么是亮場探測？什么是暗場探測？P151 28.解釋什么是每步每片上的顆粒數(shù)（PWP）。P153 29.哪些是硅片關鍵尺寸的主要測量工具。P154 30.解釋SEM的主要操作。P154

33.什么是套準精度？陳述并解釋測量套準精度的主要技術。P156

36.描述二次離子質譜儀（SMIS）。P160 38.解釋什么是原子加力顯微鏡。P162 41.解釋透射電子能顯微鏡。P163

43.描述聚焦離子束加工并解釋它的好處。P165

第八章

1．什么是工藝腔？它的五項功能是什么？P171 4．半導體制造業(yè)中的真空由有什么優(yōu)點？P173 7．什么是平均自由程？為什么它很重要？P173 12．描述冷凝泵的原理，并解釋其過程。P176

16．列出氣流控制中4個基本的對工藝腔的要求。P178 19．質量流量計的原理是什么？P178

23．什么是等離子體？它對工藝腔有什么益處？P181

簡單的描述。P188-189

3．舉出在高溫設備中進行的5步工藝。P189 4．光刻的目的是什么？P189

11．舉出薄膜區(qū)用到的4種不同的設備和工藝。P191 13．列出典型的CMOS工藝的14個主要生產步驟。P192 17．離子注入后進行退火工藝的原因是什么？P194 19．什么是淺槽隔離？它取代了什么工藝？P194 25．輕摻雜漏（LDD）注入是如何減少溝道漏電流效應的？P197

26．解釋側墻的目的。P198 29．什么是局部互連？P200

31．什么是通孔？什么是鎢塞？P201

第十章

1．生長氧化層與淀積氧化層間的區(qū)別是什么？P210 3．熱預算的定義，解釋為什么其不受歡迎。P211

11．列出熱氧化物在硅片制造的6種用途，并給出各種用途的目的。不懂這題。

14．如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么硅消耗多少？0

17．舉出氧化工藝中摻氯的兩個優(yōu)點。P217 24．解釋晶體晶向對氧化物生長的影響。P218

27．LOCOS是什么，熱氧化中如何使用？鳥嘴效應是什么，為什么它不受歡迎？P220 28．解釋淺槽隔離（STI）。P220 32．什么是熱壁爐？P222

33．列出臥式爐和立式爐的五個性能因素，判斷哪種爐體是最適合的。P223

47．什么是快速熱處理（RTP）？相比于傳統(tǒng)爐其6大優(yōu)點是什么？P228

第十一章

1． 什么是多層金屬化？它對芯片加工來說為什么是必

需的？P240

3． 解釋ILD層的作用。在芯片中，ILD-1層所在的位置

是哪里？P241

4． 什么是薄膜？列舉并描述可接受的薄膜的8個特征。

P242

5． 什么是深度比？為什么高深度比對ULSI器件很重

要？P243

6． 列舉并描述薄膜生長的三個階段。P244 7． 列舉淀積的5種主要技術。P245 8． 什么是CVD?P246

11．識別并描述CVD反應中的8個步驟。P247

20．為什么LPCVD較APCVD更普遍？描述LPCVD的工藝過程。P253

27．什么是PECVD?PECVD和LPCVD的主要差別是什么？P257

40．什么是外延？解釋自摻雜和外擴散。P267 41．列舉并討論外延的三種方法。P268

第十二章

9． 列出并討論引入銅金屬化的5大優(yōu)點。P283

17．描述鎢塞填充，并討論它是怎樣被用于多層金屬化的？P289

18．為什么蒸發(fā)作為金屬淀積系統(tǒng)被取代？P290 30．在高級IC中，什么是產生鎢填充的典型方法？ 32．解釋銅電鍍的基本過程。P299

35．列出雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。P302

第十三章

1． 什么是光刻？P310

2． 描述投影掩膜版和掩膜版的區(qū)別。P311 4，定義分辨率。P312

5．什么是套準精度？它對掩膜版的套準容差有什么作用？P313

6．討論工藝寬容度。P314

7．解釋負性和正性光刻的區(qū)別。P314 8．描述亮場掩膜版。P315 10．列出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。P316 14．HMDS是什么？起到什么作用？P317 17．給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。P322 28．列出并描述I線光刻膠的4種成分。P325 29．負膠的兩大缺點是什么？P326

34．給出I線正膠具有良好分辨率的原因。P327 35．為什么I線光刻膠不能用在深紫外波長？P328 42．列出并描述旋轉涂膠的4個基本步驟。P330 45．描述邊圈去除。P333

46．陳述軟烘的4個原因。P333

第十四章

3． 步進光刻機的三個基本目標是什么？P342 7．列出并解釋兩種形式的光波干涉。什么是濾波器？P344 8．什么是電磁波譜，什么是UV范圍？P345

9．列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源。P346 13．哪種激光器用做248nm的光源？193nm的光源是什么？P348

14．什么是空間想干？為什么在光刻中控制它？P348 24．什么是數(shù)值孔徑？陳述它的公式，包括近似公式。P353 26．列出并解釋硅片表面光反射引起的最主要的兩個問題。P354

27．什么是抗反射涂層，它是怎樣減小駐波的？P354 28．陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個參數(shù)是什么？P358

30．計算掃描光刻機的分辨率，假設波長是248nm，NA是0.65，k是0.6。P358

31．給出焦深和焦面的定義。寫出計算焦深的公式。P359 35．解釋接觸光刻機。它使用掩膜還是投影掩膜？P360 36．解釋接近光刻機是怎樣工作的。它要解決什么問題？P361

37．解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的。掃描投影光刻機努力解決什么問題？P361

38．解釋分步重復光刻機的基本功能。P363

39．光刻中采用步進掃描技術獲得了什么好處？P364

第十五章

1． 解釋光刻膠顯影，其目的是什么？P387第一段第一句 2． 為什么要對化學放大深紫外光刻膠進行后烘？簡述

去保護作用。P385

3． 為什么溫度均勻性對后烘很重要？P385

.5。簡述負膠顯影。負膠用于亞微米圖形的主要問題是什么？P386

6．為什么正膠是普遍使用的光刻膠？P88 9．最常用的正膠是指哪些光刻膠？P388 12．對化學放大深紫外光刻膠而言，PHS與顯影液之間是否發(fā)生了化學反應？P389

13．列舉兩種光刻膠顯影方法。P389 14．解釋連續(xù)噴霧顯影。P389 15．描述旋覆浸沒顯影。P390

17．解釋為什么要進行堅膜。P391 19．為什么要進行顯影后檢查？P392

21．列舉出下一代光刻技術中4種正在研究的光刻技術。P393

第十六章

1． 定義刻蝕，刻蝕的目的是什么？P404

2． 刻蝕工藝有哪兩種類型？簡要描述各類刻蝕工藝。

P405

3． 列出按資料分類的三種主要干法蝕刻。P405 4． 解釋有圖形和無圖形刻蝕的區(qū)別。P405 5． 列舉9個重要的刻蝕參數(shù)。P406

7．解釋負載效應以及它與刻蝕速率的關系。P406 10．什么是方向性？為什么在刻蝕中需要方向性？P407？（這個沒找到確切的答案）

12．定義選擇比。干法刻蝕有高的或低的選擇比？高選擇比意味著什么？描述并解釋選擇比公式。P409 13．什么是刻蝕均勻性？獲得均勻性刻蝕的難點是什么？解釋ARDE并討論它與刻蝕均勻性的關系。ARDE的另一個名字是什么？P409~410

14．討論刻蝕殘留物，他們?yōu)槭裁串a生以及要怎樣去除？P410

16．什么刻蝕中的等離子體誘導損傷，以及這些損傷帶來

什么問題?P411 18．干法刻蝕的目的是什么？列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？P411

19．列舉在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應的三種方法。P412 20．解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。P412 25．描述圓桶式等離子體刻蝕機。P414 26．描述平板反應器。P415

29．解釋離子束銑。他是用什么材料？P417 33．描述電子回旋共振。P419 37．什么是終點檢測？為什么在干法刻蝕中它是必需的？最常用的終點檢測類型是什么？P422

十七章

1、什么是摻雜？ P442

3、簡要描述熱擴散。P4434、簡要描述離子注入。P4435、請列舉用于硅片制造的5種常用雜質。

8、什么是結深？P44410、列舉并解釋擴散的三個步驟。P445

14、為什么雜質需要激活？P446

15、什么是雜質的固溶極限？P44616、解釋橫向擴散以及不希望有橫自擴散的原因。P447

21、給出離子注入機的概況、P44822、說明亞0.25微米工藝中摻雜的兩個主要目標。P448

23、列舉離子注入優(yōu)于擴散的7點。P44924、離子注入的主要缺點是什么？如何克服？P450

27、什么是射程？解釋能量與射程之間的關系。P450

28、如果電荷數(shù)為1的正離子在電勢差200keV的電場中運動，它的能量是多少？P45029、列舉離子注入機的4種類型，并簡要描述。P451

32、描述注入過程中的兩種主要能量損失機制。P451

34、列舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。P45335、離子源的目的是什么？最常用的離子源材料是什么？0N P45339、質量分析器磁鐵的作用是什么？描述質量分析器的功能。P45540、加速管是怎樣增加粒子束能量的？P456

45、解釋離子束擴散和空間電荷中和。P458

46、形成中性離子束陷阱的原因是什么？P458

47、列舉并簡要解釋4種掃描系統(tǒng)。P45950、討論硅片充電、二次電子噴淋和等離子電子噴淋。P46053、退火的目是什么？高溫爐退火和RTA哪一個更優(yōu)越？P46355、描述溝道效應。列舉并簡要解釋控制溝道效應的三種機制P464。

十八章

41、描述表面形貌，較高的芯片封裝密度會引起表面形貌的何種變化？ 4783、列舉和論述三種傳統(tǒng)的平坦化方法。4805、描述化學機械平坦化，CMP是在恩怨實現(xiàn)的平坦化的？4824、什么是平坦度？如果SHpre?10um,SHpost?1um，那么DP是多少？4835、解釋WIWNU和WTWNU之間的差別。484

6、列舉并解釋CMP的9個優(yōu)點。484

7、列舉并解釋CMP的4個缺點。4848、敘述用于解釋CMP平坦化表面方式的兩種機理484

2、解釋金屬拋光的原理。48536、定義磨料。為什么磨料對CMP很重要？487

22、描述拋光墊。48823、解釋表面平滑。修正的目的是什么？488~~489

54、CMP中為什么需要終點檢測？49111、列舉并描述在CMP中用的兩種終點檢測類型。電機電流終點檢測，光學終點監(jiān)測

36、CMP清洗的終點是什么？49340、列舉并簡單描述硅片制造中用到CMP的6個例子。495

十九章

1、定義硅片測試。硅片測試的目的是什么？ 506

2、列舉并描述IC生產過程中的5種不同電學測試。507

3、列出硅片制造過程中完成的兩種硅片級測試。507

6、在線參數(shù)測試的另一個名稱是什么？在線參數(shù)測試是直流測試還是交流測試？ 5097、列舉并解釋5個進行在線參數(shù)測試的理由。509

48、什么是劃片道監(jiān)控？50949、列舉并解釋在線參數(shù)測試中要做的5種不同測試。51030、解釋硅片級可靠性。給出一個硅片級可靠性測試的例子。51216、列舉在線參數(shù)測試的4個主要子系統(tǒng)。512

31、列舉并解釋硅片挑選測試的目標。51517、列舉并描述硅片挑選測試中的三種典型電學測試。51651、列出影響硅片挑選測試的4個要素。519

41、列舉并描述三種成品率模型。523

17-607宿舍終結版

第四篇：半導體二極管技術教案

教學課時安排：

本章教學為半導體封裝固晶流程的實操課程，教學課時安排為4個課時，本實驗流程為：擴晶—刷銀膠—固晶—烘烤（以數(shù)碼管為例）；對于單顆引腳式半導體封裝的實驗流程為擴晶—點銀膠—固晶—烘烤。

教學目標：

根據(jù)教材的結構與內容分析，依據(jù)課程的教學要求，考慮到學生的之前所學的知識結構，在之前已經掌握半導體封裝基礎知識的課程下進一步了解LED封裝技術中的固晶的原理和作用。掌握手動固晶流程的擴晶、刷銀膠、固晶、烘烤等工序。實驗工具儀器;擴晶機、4寸擴晶環(huán)、顯微鏡、紅光芯片、0.5寸電路板、涂膠機、臺燈、刷子、銀膠、剪刀、攪拌玻璃棒、玻璃容器、固晶筆

教學實驗過程;1.先介紹擴晶工序流程：（第一課時）

(1)接入220v電源，打開氣管電源，打開擴晶機電源開關和溫控開關，將調溫器調至70°C左右（冬天調至80°左右）。

(2)過10分鐘待擴晶機升溫到預設溫度時，輕輕點動紅色按鈕將加熱盤（下汽缸）緩慢升到合適的高度（調節(jié)下汽缸定位螺母調整發(fā)熱盤最大升起的高度并保證高度一樣，不同的高度擴開的芯片的距離不一樣）將子環(huán)套在發(fā)熱盤上。

(3)將晶片膜放在發(fā)熱盤正中央，注意芯片朝上；將母環(huán)套于子環(huán)上。

(4)用壓晶模（上汽缸）將母環(huán)壓到加熱盤底，將擴好的芯片取出，再按下綠色按鈕使發(fā)熱盤回復原位。(5)用剪刀將露出子母環(huán)外膠紙割掉，再在膜上注明具體芯片規(guī)格及數(shù)量等。

2.然后介紹銀膠的解凍，（第二課時）

使用前一天，由冷凍柜改放冷藏室保存。從冷凍冰箱內取出銀膠，置于室溫下進行解凍（常溫25°C，濕度85%以下），小罐解凍時間在90分鐘以上。在介紹銀膠攪拌：銀膠回溫后開罐，再用玻璃棒或不銹鋼棒進行攪拌；攪拌方式自下而上全方位攪拌，時間10分鐘以上，攪拌速度不宜過快，以免空氣混入。

涂銀膠過程，將攪拌好的銀膠均勻涂在涂膠機工作槽上；然后將擴晶膜（芯片朝下）小心置于刷膠機夾具上，輕輕提起工作槽并用刷子同一方向刷擴晶膜，使銀膠涂于芯片上。注意銀膠高度為芯片高度的1/3。3.固晶（第三課時）

(1)將涂好銀膠擴晶好的芯片膜放在固晶的框架上，并用手將其按到底且保持水平。

(2)將待固晶的電路板平整固定在拖板支架上。(3)通過固晶座的四個螺釘調節(jié)好電路板與芯片間的距離。

(4)調節(jié)顯微鏡觀察到清晰的芯片像和電路板。(5)左手抓住拖板，右手持點晶筆，在顯微鏡下將芯片輕輕的固定在電路板相應的位置上。4.烘烤（第四課時）

(1)開啟烤箱電源總開關、加熱開關、計時開關、風機開關。

(2)設定溫度表至所需溫度（LED標準設定溫度為150°C）。

(3)當升溫完成后再將烤箱超溫保護調至所需溫度（LED超溫設定溫度為152°C左右）。(4)烤箱先進行空箱烘烤10分鐘除濕。

(5)將固晶好的電路板整齊粘在裝料鋼盤（鋼盤貼有雙面膠），烘烤時間為90分鐘（烤箱具有計時功能），其中前30分鐘銀膠基本硬化，后60分鐘保證結合度。必須一次性烤干，若有軟化、松動現(xiàn)象，為前一次未烤干，取出材料后空氣進入銀膠再次加溫膨脹導致結合度變差。烘干硬化后不能立即從烤箱中取出，應待其自然冷卻后再取出。

(6)材料進出烤箱時需正確填寫生產型號、數(shù)量、進出烤箱時間等。

教學總結

通過以上四個課時的實操學習，學生能掌握半導體封裝技術中的固晶的原理和作用。掌握手動固晶流程的擴晶、刷銀膠、固晶、烘烤四個重要工序流程。最后對本章實操過程的總結，說明實驗中遇到問題及解決方法，最后布置實驗報告要求，總結學生實驗報告。

第五篇：關于煙草對社會影響的調查報告

關于煙草對社會影響的調查報告 調查項目：煙草對社會生活各方面的影響。

調查目的：煙草對于人們的社會生活的影響到底是怎樣的，這是一個值得深思的問題。本次調查針對煙草工業(yè)對國家稅收、種植農民、人民健康的影響以及禁言舉措對煙草工業(yè)今后的發(fā)展等方面進行調查。希望魔能得出對社會有意義的結論。

調查人員：閆晨

調查地點：蒼山縣煙草專賣局

調查方法：網(wǎng)上查閱走訪調查

調查內容：煙草工業(yè)具有特殊的社會屬性，一方面它為貨架的稅收做出了一定的貢獻，但另一方面吸煙對人們健康的危害記憶它所帶來的社會負面影響讓人們深惡痛絕。鑒于對煙草的復雜情感，我們從以下幾個方面探討煙草的影響。

1、煙草工業(yè)對國家稅收的影響。

煙制品的兩重性和經濟性的特性使得煙草工業(yè)具有投入少、產值大、稅率高的特點。為了鞏固財源，防止煙草稅金的流失，許多國家實行煙草專賣制度。煙草工業(yè)一直以來都是國家財政首日的重要來源之一。自1994年實行分稅制后，煙草所納稅種主要分為6種：有屬于中央稅的消費稅和所得稅，有屬于地方稅的城建稅、營業(yè)稅和農業(yè)特產稅，還有屬于共享稅的增值稅，其中消費稅占煙草稅收的比例最大。因此，我們可以得出結論：煙草工業(yè)對稅收的影響重大。

2、吸煙對人類身體健康的影響。

香煙危害健康已是眾所周知的事實。不同的香煙點燃釋放的化學物質也有所不同，但主要是焦油和一氧化碳等化學物質。

（1）致癌作用

吸煙致癌已經公認。流行病學調查研究顯示，吸煙室肺癌的重要致癌原因之一。吸煙者患肺癌的危險性是不吸煙者的13倍，吸煙者肺癌死亡率比不吸煙者高10~13倍。肺癌死亡人數(shù)中約85%由吸煙造成。

（2）對心腦血管的影響

許多研究認為吸煙是許多心腦血管疾病的主要危害因素，吸煙者的冠心病、高血壓病、腦血管病以及周圍血管病的發(fā)病率明顯升高。統(tǒng)計資料表明，冠心病和高血壓病患者中75%有吸煙史。冠心病發(fā)病率吸煙者較不吸煙者高3.5倍，冠心病死亡率前者較后者高6倍，心急梗塞發(fā)病率前者較后者高2~6倍。心血管疾病死亡人數(shù)中的30%~40%由吸煙引起，死亡率的增長與吸煙量成正比。

（3）對呼吸道的影響

吸煙史慢性支氣管炎，肺氣腫和慢性氣道阻塞的主要誘因之一。實驗研究發(fā)現(xiàn)，長期吸煙可使支氣管粘膜的纖毛受損變短，影響纖毛的清除功能。此外，粘膜下腺體增生、肥大，粘液分泌增多，成分也有所改變，容易阻塞細支氣管。

（4）對消化道的影響

吸煙可引起胃酸分泌增加，一般比不吸煙者增加91.5%，致使十二指腸酸負荷增加，誘發(fā)潰瘍。煙草中煙堿可使幽門括約肌張力降低，使膽汁易于反流，從而削弱胃、十二指腸粘膜的防御因子，促使慢性炎癥以及潰瘍的發(fā)生，并使原有潰瘍延遲愈合。

(5)被動吸煙

被動吸煙是指生活和工作在吸煙者周圍的人們，不自覺的吸進煙霧顆粒和有毒物質。被動吸煙者所吸入的有害物質濃度并不比吸煙者低，吸煙者吐出的冷煙霧中，焦油含量比吸煙者吸入的熱煙霧中多一倍左右。研究發(fā)現(xiàn)，經常在工作場所被動吸煙的婦女，其冠心病發(fā)病率高于工作場所沒有或很少被動吸煙者。

3、煙草工業(yè)今后的發(fā)展。

中國卷煙市場是全球最龐大的市場，擁有近30%的全球消費者，而且主要吸食中式烤煙型卷煙。卷煙是習慣性嗜好品，傳統(tǒng)上以中式烤煙型為主導的中國市場，在可預見的未來，仍然相對穩(wěn)固。所以，中國卷煙市場在本土中長期內仍占有絕對的優(yōu)勢。

煙草行業(yè)的稅收占到國家稅收總額的8%左右，如果占到5%一下，國家會考慮取消煙草專賣制度。因為，如果煙草行業(yè)的稅收在5%以下，那么在煙草帶來的衛(wèi)生、醫(yī)療和環(huán)境等方面的支出將遠遠超過收益。煙草效益是不可能越來越好的。近幾年煙草效益之所以有比較迅猛的發(fā)展，是因為卷煙的價格在猛漲，而人們卷煙的消費習慣還沒有發(fā)生根本的改變。煙制品以后是往奢侈品的方向發(fā)展，就是價高量少，保持一定的稅利而減少煙草的銷量，所以經過人們對煙草制品從普通消費品向高端奢侈品的觀念轉變后，煙草的效益就會逐漸下降了。

在煙草工業(yè)帶來巨大稅收的同時，其負面影響也帶來巨大的社會支出，如何進一步發(fā)展煙草工業(yè)，是有待于國家職能部門考慮的問題。