第一篇：RC電路總結(jié)

RC電路在模擬電路、脈沖數(shù)字電路中得到廣泛的應(yīng)用，由于電 路的形式以及信號(hào)源和R，C元件參數(shù)的不同，因而組成了RC電路的各種應(yīng)用形式：微分電路、積分電路、耦合電路、濾波電路及脈沖分壓器。關(guān)鍵詞：RC電路。微分、積分電路。耦合電路。在模擬及脈沖數(shù)字電路中，常常用到由電阻R和電容C組成的RC電路，在些電路中，電阻R和電容C的取值不同、輸入和輸出關(guān)系以及處理的波形之間的關(guān)系，產(chǎn)生了RC電路的 不同應(yīng)用，下面分別談?wù)勎⒎蛛娐?、積分電路、耦合電路、脈沖分壓器以及濾波電路。

1.RC微分電路

如圖1所示，電阻R和電容C串聯(lián)后接入輸入信號(hào)VI，由電阻R輸出信號(hào)VO，當(dāng)RC 數(shù)值與輸入方波寬度tW之間滿足：RC<

在t=t1時(shí)，VI由0→Vm，因電容上電壓不能突變（來(lái)不及充電，相當(dāng)于短 路，VC＝0），輸入電壓VI全降在電阻R上，即VO＝VR＝VI＝V m。隨后（t>t1），電容C的電壓按指數(shù)規(guī)律快速充電上升，輸出電壓隨之按指數(shù)規(guī) 律下降（因VO＝VI－VC＝Vm－VC），經(jīng)過(guò)大約3τ（τ＝R × C）時(shí)，VCVm，VO0，τ（RC）的值愈小，此過(guò)程愈快，輸出正 脈沖愈窄。

t=t2時(shí)，VI由Vm→0,相當(dāng)于輸入端被短路，電容原先充有左正右負(fù)的電壓V m開始按指數(shù)規(guī)律經(jīng)電阻R放電，剛開始，電容C來(lái)不及放電，他的左端（正電）接地，所以VO＝－Vm，之后VO隨電容的放電也按指數(shù)規(guī)律減小，同樣經(jīng)過(guò)大 約3τ后，放電完畢，輸出一個(gè)負(fù)脈沖。

只要脈沖寬度tW>（5~10）τ，在tW時(shí)間內(nèi)，電容C已完成充電或放電（約需3 τ），輸出端就能輸出正負(fù)尖脈沖，才能成為微分電路，因而電路的充放電時(shí)間常數(shù)τ必須 滿足：τ＜（1/5~1/10）tW，這是微分電路的必要條件。

由于輸出波形VO與輸入波形VI之間恰好符合微分運(yùn)算的結(jié)果［VO=RC（dVI/dt）］，即輸出波形是取輸入波形的變化部分。如果將VI按傅里葉級(jí)展開，進(jìn)行微分運(yùn)算的結(jié)果，也將是VO的表達(dá)式。他主要用于對(duì)復(fù)雜波形的分離和分頻器，如從電視信號(hào)的復(fù)合同步脈沖分離出行同步脈沖和時(shí)鐘的倍頻應(yīng)用。

2.RC耦合電路

圖1中，如果電路時(shí)間常數(shù)τ（RC）>>tW，他將變成一個(gè)RC耦合電路。輸 出波形與輸入波形一樣。如圖3所示。

（1）在t=t1時(shí)，第一個(gè)方波到來(lái)，VI由0→Vm，因電容電壓不能突變（VC=0），VO=VR=VI=Vm。

（2）t1>tW，電容C緩慢充電，VC緩慢上升為左正右負(fù)，V O=VR=VI－VC，VO緩慢下降。

（3）t=t2時(shí)，VO由Vm→0，相當(dāng)于輸入端被短路，此時(shí)，VC已充有左 正右負(fù)電壓Δ［Δ=（VI/τ）×tW］，經(jīng)電阻R非常緩慢地放電。

（4）t=t3時(shí)，因電容還來(lái)不及放完電，積累了一定電荷，第二個(gè)方波到來(lái)，電阻上的電 壓就不是Vm，而是VR=Vm-VC（VC≠0），這樣第二個(gè)輸出 方波比第一個(gè)輸出方 波略微往下平移，第三個(gè)輸出方波比第二個(gè)輸出方波又略微往下平移，…，最后，當(dāng)輸出波 形的正半周“面積”與負(fù)半周“面積”相等時(shí)，就達(dá)到了穩(wěn)定狀態(tài)。也就是電容在一個(gè)周期 內(nèi)充得的電荷與放掉的電荷相等時(shí)，輸出波形就穩(wěn)定不再平移，電容上的平均電壓等于輸入 信號(hào)中電壓的直流分量（利用C的隔直作用），把輸入信號(hào)往下平移這個(gè)直流分量，便得到 輸出波形，起到傳送輸入信號(hào)的交流成分，因此是一個(gè)耦合電路。

以上的微分電路與耦合電路，在電路形式上是一樣的，關(guān)鍵是tW與τ的關(guān)系，下面比 較一下τ與方波周期T（T>tW）不同時(shí)的結(jié)果，如圖4所示。在這三種情形中，由于電 容C的隔直作用，輸出波形都是一個(gè)周期內(nèi)正、負(fù)“面積”相等，即其平均值為0，不再含有 直流成份。

①當(dāng)τ>>T時(shí)，電容C的充放電非常緩慢，其輸出波形近似理想方波，是理想耦合電路。

②當(dāng)τ=T時(shí)，電容C有一定的充放電，其輸出波形的平頂部分有一定的下降或上升，不是 理想方波。

③當(dāng)τ<

3.RC積分電路

如圖5所示，電阻R和電容C串聯(lián)接入輸入信號(hào)VI，由電容C輸出信號(hào)V0，當(dāng)RC（τ）數(shù)值與輸入方波寬度tW之間滿足：τ>>tW，這種電路稱為積分電路。在

電容C兩端（輸出端）得到鋸齒波電壓，如圖6所示。

（3）t=t2時(shí)，VI由Vm→0，相當(dāng)于輸入端被短路，電容原先充有左正右負(fù)電 壓VI（VI

這樣，輸出信號(hào)就是鋸齒波，近似為三角形波，τ>>tW是本電路必要條件，因?yàn)樗?在方波到來(lái)期間，電容只是緩慢充電，VC還未上升到Vm時(shí)，方波就消失，電容 開始放電，以免電容電壓出現(xiàn)一個(gè)穩(wěn)定電壓值，而且τ越大，鋸齒波越接近三角波。輸出波 形是對(duì)輸入波形積分運(yùn)算的結(jié)果號(hào)的變化量。，他是突出輸入信號(hào)的直流及緩變分量，降低輸入信4.RC濾波電路（無(wú)源）

在模擬電路，由RC組成的無(wú)源濾波電路中，根據(jù)電容的接法及大小主要可分為低通濾波 電路（如圖7）和高通濾波電路（如圖8）。

(1)在圖7的低通濾波電路中，他跟積分電路有些相似（電容C都是并在輸出端），但 他們是應(yīng) 用在不同的電路功能上，積分電路主要是利用電容C充電時(shí)的積分作用，在輸入方波情形下，來(lái)產(chǎn)生周期性的鋸齒波（三角波），因此電容C及電阻R是根據(jù)方波的tW來(lái)選取，而 低通濾波電路，是將較高頻率的信號(hào)旁路掉（因XC=1/（2πfC），f較大時(shí)，XC較 小，相當(dāng)于短路），因而電容C的值是參照低頻點(diǎn)的數(shù)值來(lái)確定，對(duì)于電源的濾波電路，理 論上C值愈大愈好。

(2)圖8的高通濾波電路與微分電路或耦合電路形式相同。在脈沖數(shù)字電路中，因RC與脈 寬tW的關(guān)系不同而區(qū)分為微分電路和耦合電路；在模擬電路，選擇恰當(dāng)?shù)碾娙軨值，就可以有選擇性地讓較高頻的信號(hào)通過(guò)，而阻斷直流及低頻信號(hào)，如高音喇叭串接的電容，就是阻止中低音進(jìn)入高音喇叭，以免燒壞。另一方面，在多級(jí)交流放大電路中，他也是一種 耦合電路。

5.RC脈沖分壓器

當(dāng)需要將脈沖信號(hào)經(jīng)電阻分壓傳到下一級(jí)時(shí)，由于電路中存在各種形式的電容，如寄生電容，他相當(dāng)于在負(fù)載側(cè)接有一負(fù)載電容（如圖9），當(dāng)輸入一脈沖信號(hào)時(shí)，因電容CL的 充電，電壓不能突變，使輸出波形前沿變壞，失真。為此，可在R1兩端并接一加速電容 C1，這樣組成一個(gè)RC脈沖分壓器（如圖10）。

(1)t=0+時(shí)，電容視為短路，電流只流經(jīng)C1，CL，VO由C1和CL分壓得到：

但是，任何信號(hào)源都有一定的內(nèi)阻，以及一些電路的需要，通常采取過(guò)補(bǔ)償?shù)霓k法，如電視 信號(hào)中，為突出傳送圖像的輪廓，采用勾邊電路，就是通過(guò)加大C1的取值。

求RC電路的放電時(shí)間為1分鍾，電壓從9V降到5v.放電電流為300mA左右，選擇最佳的的R值和C值。

RC電路的放電方程是：UC=US*e-t/RC，其中，US=9，UC=5，t=60，代入公式可求出時(shí)間常數(shù)RC的值，現(xiàn)在關(guān)鍵的就是要確定R和C的值了，它只能通過(guò)你所要求的放電電路來(lái)選擇了，由放電電流公式：I=C*dU/dt，再將此公式代入上面的公式中可得：I=-US*C/RCe-t/RC，將C看成一個(gè)未知參數(shù)，然后作出I-t曲線，計(jì)算出該曲線與直線I=300所圍成的面積，這個(gè)積分上下限為t=0-60，去使面積最小的C值就可.

第二篇：snubber電路總結(jié)

電阻的用法

一、RC-SNUBBER電路

Snubber電路中文為吸收電路。公司的板子上，其最常應(yīng)用場(chǎng)合如下圖所示。

VCC5R3918.2K 1%1000PF 50V+CE33220uF 10V+CE34220uF 10VC3522uF 25V1C3622uF 25V1C370.1uF 16V1C404DQ14FDD88801GR440Ω 5%UGATE_UES43L411.7uH,13A,DCR6.36mΩ2MAX:11AOCP:13A+CE35470uF 4V+CE36470uF 4VC45C461VCC1_8DDRDLGATE_UEQ15FDD88961R462.2Ω 5%R48C481000PF 50VR492.21K 1%11GSC4710uF 16V22uF 25V110.1uF 16VX_10K 1%C49X_0.01uF 25VC52UD_COMPR50112PF 50V133K 5%C540.01uF 50V3R511.78K 1%

為了便于說(shuō)明問(wèn)題，將上圖簡(jiǎn)化。

實(shí)際的沒有snubber的電路中各點(diǎn)的波形如下圖所示。

從上圖的波形即客觀現(xiàn)象表明在PHASE點(diǎn)會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰。這種尖峰會(huì)對(duì)L-MOS造成威脅，根據(jù)電源組同事的觀察，有些板子的L-MOS經(jīng)常燒壞或壽命大幅縮短，就是PHASE點(diǎn)電壓尖峰造成的。實(shí)際測(cè)量沒有SNUBBER的PHASE點(diǎn)波形如圖所示（上圖紅圈內(nèi)的波形放大）。

造成電壓尖峰及其危害的原因是什么呢？為了更嚴(yán)謹(jǐn)更準(zhǔn)確說(shuō)明電路的工作情況設(shè)想模型如下。

上圖分別是電路中寄生電感和MOS管極間等效電容的示意圖。簡(jiǎn)化之后如下圖。

+vI寄生電感儲(chǔ)能大電感PHASEMOS管的等效電容濾波電容負(fù)載-線路上的等效電阻

上圖虛線框內(nèi)的是PHASE后的線路，由于有儲(chǔ)能大電感的存在，瞬時(shí)變化的電流I不能通過(guò)進(jìn)入虛線框內(nèi)。所以對(duì)瞬時(shí)（高頻）電壓電流而言，其路徑只能是通過(guò)L-MOS。為了驗(yàn)證這種設(shè)想的真實(shí)性，本文建立仿真模型進(jìn)行驗(yàn)證。

2VL12n1V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI500p0R10.10V0

電壓源是一個(gè)上升沿模仿H-MOS導(dǎo)通的動(dòng)作。電容模仿L-MOS的等效電容大概有500pF。

0V電感模仿電路上的寄生電感。電阻模仿線路上的等效電阻。仿真波形如下。紅色為PHASE點(diǎn)電壓，黃色為PHASE點(diǎn)電流，綠色為輸入電壓。

和實(shí)際沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形比較?？梢园l(fā)現(xiàn)兩者在波形特征是很相似的。所以可以基本認(rèn)為，設(shè)想的模型是能說(shuō)明問(wèn)題的。

分析產(chǎn)生電壓尖峰的原因。將上圖放大。得下圖。紅色為PHASE點(diǎn)電壓，黃色為PHASE點(diǎn)電流，綠色為輸入電壓。

時(shí)間段1（30ns~A）：H-MOS管導(dǎo)通，5V電壓輸入。寄生電感中的電流以正弦波的形式增大。同時(shí)這個(gè)增大的電流給L-MOS的等效電容充電，使得PHASE點(diǎn)的電壓上升。

時(shí)間段2（A~B）：當(dāng)PHASE點(diǎn)電壓達(dá)到5V時(shí)，則寄生電感兩端的電壓開始反向。但寄生電感中的電流不能瞬變，而是以正弦波的形式減小。這時(shí)這個(gè)減小的電流也在給L-MOS的等效電容充電，使得PHASE點(diǎn)的電壓繼續(xù)上升。

時(shí)間段3（B~C）：當(dāng)寄生電感中的電流減小到0時(shí)，L-MOS的等效電容剛好充電到最多的電荷形成PHASE點(diǎn)的電壓極大值。此時(shí)PHASE點(diǎn)的電壓大于輸入電壓，則電容開始放電PHASE點(diǎn)電壓開始減小，電感的電流反向開始增大。

時(shí)間段4（C~D）：當(dāng)PHASE點(diǎn)電壓減小到5V時(shí)，電感兩端的電壓有反向了，電流（標(biāo)量）開始減小，電容中的點(diǎn)放完，但由于電感中的電流還存在，電容被反向充電。PHASE點(diǎn)電壓繼續(xù)下降。

綜上所述，電壓尖峰是由于寄生電感不能瞬變的電流給L-MOS等效電容充電造成的。而振蕩是由于電感和電容的諧振造成的。實(shí)際電路中多余的能量大部分是由L-MOS的內(nèi)阻消耗的。這部分多余的能量等于PHASE點(diǎn)電壓為5V時(shí)，電流在電感中對(duì)應(yīng)的電磁能。由于等效電容很小，所以多余能量（電荷）能夠在電容兩端造成較大的電壓。所以減小電壓尖峰的方法是減小流入等效電容的電荷數(shù)量。對(duì)于振蕩則可以選擇阻尼電阻一方面減少振蕩次數(shù)，一方面減小L-MOS的消耗能量。

因此設(shè)計(jì)出了snubber電路。如圖所示。+v寄生電感PHASEIMOS管的等效電容Snubber電阻線路上的等效電阻-Snubber電容

RC-snubber電路從兩個(gè)方面去解決電壓尖峰的問(wèn)題。

1、對(duì)PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)的電感電流分流，這樣使得流入L-MOS等效電容的電流大大減小。而snubber電容的容值選取較大，吸收了多余的能量后產(chǎn)生的電壓不會(huì)太大。這樣使得PHASE點(diǎn)的電壓尖峰減小。

2、RC中的電阻起到阻尼作用，將諧振能量以熱能消耗掉。仿真結(jié)果如下

2VL12n1R2I2.2V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI3000p500p0R10.10V0

紅色為PHASE點(diǎn)電壓，黃色為PHASE點(diǎn)電流，綠色為輸入電壓。天藍(lán)色為snubber分流的電流。

0V0V0V

所以RC-snubber電路的好處有：

1、增強(qiáng)phase點(diǎn)的信號(hào)完整性。

2、保護(hù)L-MOS提高系統(tǒng)可靠性。

3、改善EMI。壞處：

1、PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)需要更多的能量，所以在每次開關(guān)時(shí)都要消耗更多的能量，降低了電源轉(zhuǎn)換效率。

2、RC選取不好就會(huì)起反作用。

Snubber電路的位置選擇。大家都知道snubber電路的擺放應(yīng)該靠近PHASE點(diǎn)。但是有一個(gè)細(xì)節(jié)很有意思。看下圖。

圖中的寄生電感共4個(gè)，給L-MOS造成影響的是上面3個(gè)，snubber電路接在PHASE點(diǎn)上?，F(xiàn)在有兩個(gè)問(wèn)題

1、H-MOS管的等效電容也應(yīng)該有相似的電壓尖峰效應(yīng)怎么辦？

2、snubber電路無(wú)法保護(hù)第三個(gè)寄生電感的造成的過(guò)壓，可是為什么實(shí)際上的吸收效果卻很好？

解釋上面的問(wèn)題，可以看一下這里用的MOS管封裝便可知道。

在電容總結(jié)里講過(guò)，寄生電感主要分布在引腳和走線上。在電源線路的PCB走線是又寬又短的，所以這里的寄生電感主要來(lái)源于引腳封裝。MOS管的漏極寬大的設(shè)計(jì)就是為了能夠減小寄生電感（當(dāng)然也可以利于散熱），而源極寄生電感在正向?qū)〞r(shí)不會(huì)對(duì)MOS管的等效電容造成威脅。

Snubber器件的選取。

首先是電容，snubber電容的作用是為L(zhǎng)-MOS等效電容分流而不產(chǎn)生大的過(guò)壓，所以選取的容值要大于等效電容。但是它使得PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)需要更多的能量，所以太大會(huì)降低電源的轉(zhuǎn)換效率。這里需要折中考慮。

下面是EC4-1811上1.8V的BUCK電路snubber電路的實(shí)驗(yàn)。如圖所示。

上圖的snubber電路PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值1000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。顯然振蕩減小了，可是電壓尖峰去除的效果不好。所以我們將電容增大。

上圖PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值2000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果好了一些。再增大電容。

上圖PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值3000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果又好了一些。再增大電容。

上圖PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值4000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。和所以上圖比較電壓尖峰去除的效果最好。波形較理想。

電阻的選取。Snubber電阻的作用是阻尼作用。選小了，則PHASE點(diǎn)振蕩會(huì)不容易消除。選大了，則會(huì)阻礙snubber電路吸收電流的能力，使得等效電容承受的電流增加，增大PHASE點(diǎn)的電壓尖峰。下面是具體實(shí)驗(yàn)。電容都是4000pF，電阻分別是0；2.2；5；10。

上圖是2.2歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

上圖是5歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

上圖是10歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

從實(shí)驗(yàn)可以很清楚的看出snubber電阻取得大了會(huì)使snubber電路的功能喪失。其次，關(guān)于L-MOS內(nèi)肖特基二極管的問(wèn)題。如下圖。

PHASE肖特基二極管body二極管0.7V管壓降0.3V管壓降

在H-MOS關(guān)斷到L-MOS打開的死區(qū)內(nèi)。續(xù)流是通過(guò)L-MOS旁并聯(lián)的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)的。負(fù)壓尖峰是由于瞬時(shí)電流對(duì)L-MOS反向充電造成的。大概持續(xù)了25ns的-0.7V是因?yàn)樾ぬ鼗O管沒有導(dǎo)通，電流從L-MOS的體內(nèi)二極管通過(guò)的管壓降。之后的-0.3V左右的負(fù)壓是因?yàn)樾ぬ鼗O管導(dǎo)通的管壓降造成的。之后L-MOS導(dǎo)通，管壓降幾乎為0。

回顧之前的MOS總結(jié)，L-MOS往往兩個(gè)并聯(lián)的目的除了減小導(dǎo)通電阻外，還有減小電壓尖峰（正；負(fù)）對(duì)L-MOS管的損傷，同時(shí)還起到備用的作用。

第三篇：電路課程總結(jié)

“電路分析基礎(chǔ)”是高等學(xué)校電子與電氣信息類專業(yè)重要的基礎(chǔ)課程。該課程理論嚴(yán)密、邏輯性強(qiáng)，具有廣闊的工程背景。通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，對(duì)樹立學(xué)生嚴(yán)肅認(rèn)真的科學(xué)作風(fēng)和理論聯(lián)系實(shí)際的工程觀點(diǎn)，培養(yǎng)學(xué)生的科學(xué)思維能力、分析計(jì)算能力、實(shí)驗(yàn)研究能力和科學(xué)歸納能力都有重要的作用。同時(shí)使學(xué)生掌握電路的基本理論知識(shí)、電路的基本分析方法和初步的實(shí)驗(yàn)技能，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)電路理論打下基礎(chǔ)，為學(xué)習(xí)后續(xù)課程準(zhǔn)備必要的電路知識(shí)。

《電路分析基礎(chǔ)》主要內(nèi)容包括電路的基本概念和定律、直流電路的分析、正弦交流電路的基本概念、正弦交流電路的分析、互感電路、三相電路、非正弦周期電路、動(dòng)態(tài)電路以及電路實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。在該課程的講授中，力求做到以應(yīng)用為目的，以夠用為度，講清概念，結(jié)合實(shí)際舉例、課后習(xí)題強(qiáng)化訓(xùn)練，突出適應(yīng)性、實(shí)用性和針對(duì)性；在例題和習(xí)題的選擇方面，適當(dāng)?shù)止び?jì)算的技巧，并根據(jù)該課程內(nèi)容選擇具有較強(qiáng)的實(shí)踐性特點(diǎn)的習(xí)題，在計(jì)算量較大章節(jié)，引導(dǎo)學(xué)生引入了計(jì)算機(jī)輔助分析，以達(dá)到理論與實(shí)踐的結(jié)合和“講、學(xué)、做”的統(tǒng)一。

作為一名教齡不長(zhǎng)的老師，我在全書在內(nèi)容敘述上，力爭(zhēng)做到深入淺出、通俗易懂、概念清楚、重點(diǎn)突出。此外，結(jié)合教學(xué)環(huán)境與課堂氣氛，引入相關(guān)比喻、聯(lián)想，促進(jìn)學(xué)生對(duì)概念的理解與加深，對(duì)個(gè)別章節(jié)，合理調(diào)節(jié)教學(xué)計(jì)劃，促進(jìn)學(xué)習(xí)效果。采取理論結(jié)合實(shí)際的分析，提高學(xué)生對(duì)電路課程的學(xué)習(xí)興趣，從而達(dá)到提高學(xué)生自我建設(shè)與自我培養(yǎng)的主動(dòng)性，提高其實(shí)踐能力和自學(xué)能力，以使學(xué)生學(xué)以致用、解決實(shí)際工作中所遇到的問(wèn)題。

第四篇：電路知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

電路知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

電路]物體帶電的標(biāo)志：能夠吸引輕小物體。(帶電體的性質(zhì))摩擦起電：用摩擦的方法使物體帶電，叫摩擦起電。摩擦起電的原因：不同物質(zhì)的原子核束縛電子的能力不同，在摩擦?xí)r，束縛電子能力強(qiáng)的物質(zhì)就得到電子帶負(fù)電，束縛電子能力差的物質(zhì)就失去電子帶正電。正電荷：綢子摩擦過(guò)的玻璃棒上帶的電荷叫做正電荷。

負(fù)電荷：毛皮摩擦過(guò)的橡膠棒上帶的電荷叫做負(fù)電荷。電荷的相互作用規(guī)律：同種電荷相互排斥，異種電荷相互吸引。驗(yàn)電器的作用：用來(lái)檢驗(yàn)物體是否帶電。

驗(yàn)電器的工作原理：利用同種電荷相互排斥的原理工作的。電量：電荷的多少叫做電量。電量的單位是庫(kù)侖，簡(jiǎn)稱庫(kù)。電子電量：一個(gè)電子所帶的電量叫電子電量。它是1.6*10^-19庫(kù)。中和：放在一起的等量異種電荷完全抵消的現(xiàn)象，叫做中和。1897年英國(guó)科學(xué)家湯姆遜發(fā)現(xiàn)了電子。電流方向：把正電荷移動(dòng)的方向規(guī)定為電流的方向。電子移動(dòng)方向與它正好相反。12 導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物體叫導(dǎo)體。如金屬、石墨、人體、大地及酸堿鹽水液。絕緣體：不容易導(dǎo)電的物體叫絕緣體。如橡膠、玻璃、陶瓷、塑料、油等。13 電源:能夠提供持續(xù)電流的裝置。在干電池中電能是以化學(xué)能的形式存在。14 自由電子:在金屬導(dǎo)體中能脫離原子核束縛而在金屬內(nèi)部自由移動(dòng)的電子。15 電路：把用電器、電源、開關(guān)用導(dǎo)線連接起來(lái)的電流路徑。

電路圖：用符號(hào)表示電路連接情況的圖。通路：處處接通的電路。開路：某處斷開的電路。

短路：不經(jīng)過(guò)用電器直接把導(dǎo)線接在電源兩端的電路。串聯(lián)電路：把電路元件逐個(gè)順次連接起來(lái)的電路。特點(diǎn)：電流依次通過(guò)每個(gè)用電器。并聯(lián)電路：把電路元件并列連接起來(lái)的電路。特點(diǎn)電流在某處分支，再在某處會(huì)合。

第五篇：電路計(jì)算題總結(jié)

2.圖示電路中，已知：US1=100V，US2=80V，R2=2?，I=4A，I2=2A，試用基爾霍夫定律求電阻R1和供給負(fù)載N的功率。

I1R1+U－S 19.某感性電路施加一正弦交流電壓u?2202sin314tV，.RI2+I有功功率P＝7.5kW，無(wú)功功率Q=5.5kvar。求：(1)電路的功率

因數(shù)?;(2)若電路為R，L并聯(lián)，R，L值為多少? N2(1)tan??QP?0.73PSo ??36.25

US 2.－ I1=2A

??cos??(2)R??0.81

22023

由KCL定律I1?I2－I=0

U2由KVL定律R1I1－R2I2?US2－US1=0 R1=12?

P?7.5?10?6.45?

供給負(fù)載N的功率P＝I(US2－R2I2)=304W

3.圖示電路中，已知：US1=15V，US2=30V，R1=0.5?，R2=0.2?，R3=2?，R4=3?，R5=4?。用電源等效變換法求電流I。

XL?U2Q?220235.5?10?8.8?

IR5.R3.R4..IIS 1RS 1.R1R2.R5++IS 2RS 2U－.S 1U－S 2.原圖

圖中：IS1?US1R?30A RS1?R1//R3?0.4?

1IS2S2?UR?150A RS2?R2//R4?0.19?

2－+－+US 3US 4R6R5I 圖中：US3=RS1IS1=12V US4=RS2IS2=28.5V R6=RS1+RS2=0.59? 8 I?US3?US4R?8.82A

6?R57.圖示電路中，已知:US=15V，IS1=3A，IS2=2A，R1=3?，R2=8?，R3=4?，R4=12?，R5=2?。用戴維寧定理求電流I。

.A.IR5A+II..S 1S 2US...+－IS 1USR3R5－RR4R21R1.....BBA+.I+UAB0US－－R0R1.B

將US支路移開： UAB0=R5IS1=6V R0=R5=2? 化為如下電路：I=UAB0?USR?1.8A

0?R=1L?XL??8.8314?28mH

11.在R，L，C串聯(lián)電路中，L=0.5H，若施加

u?70.7sin(100t?30o)V的電源電壓，電路中電流為i?1.5sin100tA。試求電路參數(shù)R和C。

Z?70.71.5?47.13?

R?Zcos30o?47.13?32?40.82?

X?Zsin30o?47.13?12?23.57?

XL??L?100?0.5?50?

X?XL?XC XC?XL?X=26.43?

C?13.78?102?X?1?F

C100?26.43?22.圖示電路中，已知：R1=R2=3?，R3=R4=6?，US=27V，IS=3A。用疊加原理求各未知支路電流。

.I2R2.R2I'2I1I..3II'I4I'I3I'I4R31ISR1+R4ISR1RU3R4S..－..解：IS單獨(dú)作用時(shí)

IR2?R3//R41??R1?R2?R3//R?IS?2A

4I2??IS?I1??1A I3??I4??0.5A

US單獨(dú)作用時(shí)

R2I“???I2.I”III“13I”I4RR31R4+US.－ I3???USR3?(R1?R2)//R4?3A

I1???I2???I4???1.5A

疊加得：I1=I1'+I1“=3.5A I2=I2'－I2”=－0.5A

I3=－I3'+I3“=2.5A I4=I4'+I4”=2A

23.圖示電路原已穩(wěn)定，t=0時(shí)將開關(guān)S閉合。已知：US!=6V，US2=24V，R1=3?，R2=6?，C=0.5?F。求S閉合后的uC(t)。

S+RUS11+uCR2+US2－C－－ uC(0?)?uC(0?)?US1?6 VUS1R2R1?R2US2R1R1?R2?6uC(?)???12 V ?=R1R2R1?R2C?1?10 s

?t

? 6

?106uC(t)?uC(?)?uC(0?)?uC(?)e =12?6et V