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      RC電路總結(jié)

      時(shí)間:2019-05-12 05:09:47下載本文作者:會(huì)員上傳
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      第一篇:RC電路總結(jié)

      RC電路在模擬電路、脈沖數(shù)字電路中得到廣泛的應(yīng)用,由于電 路的形式以及信號(hào)源和R,C元件參數(shù)的不同,因而組成了RC電路的各種應(yīng)用形式:微分電路、積分電路、耦合電路、濾波電路及脈沖分壓器。關(guān)鍵詞:RC電路。微分、積分電路。耦合電路。在模擬及脈沖數(shù)字電路中,常常用到由電阻R和電容C組成的RC電路,在些電路中,電阻R和電容C的取值不同、輸入和輸出關(guān)系以及處理的波形之間的關(guān)系,產(chǎn)生了RC電路的 不同應(yīng)用,下面分別談?wù)勎⒎蛛娐?、積分電路、耦合電路、脈沖分壓器以及濾波電路。

      1.RC微分電路

      如圖1所示,電阻R和電容C串聯(lián)后接入輸入信號(hào)VI,由電阻R輸出信號(hào)VO,當(dāng)RC 數(shù)值與輸入方波寬度tW之間滿足:RC<

      在t=t1時(shí),VI由0→Vm,因電容上電壓不能突變(來(lái)不及充電,相當(dāng)于短 路,VC=0),輸入電壓VI全降在電阻R上,即VO=VR=VI=V m。隨后(t>t1),電容C的電壓按指數(shù)規(guī)律快速充電上升,輸出電壓隨之按指數(shù)規(guī) 律下降(因VO=VI-VC=Vm-VC),經(jīng)過(guò)大約3τ(τ=R × C)時(shí),VCVm,VO0,τ(RC)的值愈小,此過(guò)程愈快,輸出正 脈沖愈窄。

      t=t2時(shí),VI由Vm→0,相當(dāng)于輸入端被短路,電容原先充有左正右負(fù)的電壓V m開始按指數(shù)規(guī)律經(jīng)電阻R放電,剛開始,電容C來(lái)不及放電,他的左端(正電)接地,所以VO=-Vm,之后VO隨電容的放電也按指數(shù)規(guī)律減小,同樣經(jīng)過(guò)大 約3τ后,放電完畢,輸出一個(gè)負(fù)脈沖。

      只要脈沖寬度tW>(5~10)τ,在tW時(shí)間內(nèi),電容C已完成充電或放電(約需3 τ),輸出端就能輸出正負(fù)尖脈沖,才能成為微分電路,因而電路的充放電時(shí)間常數(shù)τ必須 滿足:τ<(1/5~1/10)tW,這是微分電路的必要條件。

      由于輸出波形VO與輸入波形VI之間恰好符合微分運(yùn)算的結(jié)果[VO=RC(dVI/dt)],即輸出波形是取輸入波形的變化部分。如果將VI按傅里葉級(jí)展開,進(jìn)行微分運(yùn)算的結(jié)果,也將是VO的表達(dá)式。他主要用于對(duì)復(fù)雜波形的分離和分頻器,如從電視信號(hào)的復(fù)合同步脈沖分離出行同步脈沖和時(shí)鐘的倍頻應(yīng)用。

      2.RC耦合電路

      圖1中,如果電路時(shí)間常數(shù)τ(RC)>>tW,他將變成一個(gè)RC耦合電路。輸 出波形與輸入波形一樣。如圖3所示。

      (1)在t=t1時(shí),第一個(gè)方波到來(lái),VI由0→Vm,因電容電壓不能突變(VC=0),VO=VR=VI=Vm。

      (2)t1>tW,電容C緩慢充電,VC緩慢上升為左正右負(fù),V O=VR=VI-VC,VO緩慢下降。

      (3)t=t2時(shí),VO由Vm→0,相當(dāng)于輸入端被短路,此時(shí),VC已充有左 正右負(fù)電壓Δ[Δ=(VI/τ)×tW],經(jīng)電阻R非常緩慢地放電。

      (4)t=t3時(shí),因電容還來(lái)不及放完電,積累了一定電荷,第二個(gè)方波到來(lái),電阻上的電 壓就不是Vm,而是VR=Vm-VC(VC≠0),這樣第二個(gè)輸出 方波比第一個(gè)輸出方 波略微往下平移,第三個(gè)輸出方波比第二個(gè)輸出方波又略微往下平移,…,最后,當(dāng)輸出波 形的正半周“面積”與負(fù)半周“面積”相等時(shí),就達(dá)到了穩(wěn)定狀態(tài)。也就是電容在一個(gè)周期 內(nèi)充得的電荷與放掉的電荷相等時(shí),輸出波形就穩(wěn)定不再平移,電容上的平均電壓等于輸入 信號(hào)中電壓的直流分量(利用C的隔直作用),把輸入信號(hào)往下平移這個(gè)直流分量,便得到 輸出波形,起到傳送輸入信號(hào)的交流成分,因此是一個(gè)耦合電路。

      以上的微分電路與耦合電路,在電路形式上是一樣的,關(guān)鍵是tW與τ的關(guān)系,下面比 較一下τ與方波周期T(T>tW)不同時(shí)的結(jié)果,如圖4所示。在這三種情形中,由于電 容C的隔直作用,輸出波形都是一個(gè)周期內(nèi)正、負(fù)“面積”相等,即其平均值為0,不再含有 直流成份。

      ①當(dāng)τ>>T時(shí),電容C的充放電非常緩慢,其輸出波形近似理想方波,是理想耦合電路。

      ②當(dāng)τ=T時(shí),電容C有一定的充放電,其輸出波形的平頂部分有一定的下降或上升,不是 理想方波。

      ③當(dāng)τ<

      3.RC積分電路

      如圖5所示,電阻R和電容C串聯(lián)接入輸入信號(hào)VI,由電容C輸出信號(hào)V0,當(dāng)RC(τ)數(shù)值與輸入方波寬度tW之間滿足:τ>>tW,這種電路稱為積分電路。在

      電容C兩端(輸出端)得到鋸齒波電壓,如圖6所示。

      (3)t=t2時(shí),VI由Vm→0,相當(dāng)于輸入端被短路,電容原先充有左正右負(fù)電 壓VI(VI

      這樣,輸出信號(hào)就是鋸齒波,近似為三角形波,τ>>tW是本電路必要條件,因?yàn)樗?在方波到來(lái)期間,電容只是緩慢充電,VC還未上升到Vm時(shí),方波就消失,電容 開始放電,以免電容電壓出現(xiàn)一個(gè)穩(wěn)定電壓值,而且τ越大,鋸齒波越接近三角波。輸出波 形是對(duì)輸入波形積分運(yùn)算的結(jié)果號(hào)的變化量。,他是突出輸入信號(hào)的直流及緩變分量,降低輸入信4.RC濾波電路(無(wú)源)

      在模擬電路,由RC組成的無(wú)源濾波電路中,根據(jù)電容的接法及大小主要可分為低通濾波 電路(如圖7)和高通濾波電路(如圖8)。

      (1)在圖7的低通濾波電路中,他跟積分電路有些相似(電容C都是并在輸出端),但 他們是應(yīng) 用在不同的電路功能上,積分電路主要是利用電容C充電時(shí)的積分作用,在輸入方波情形下,來(lái)產(chǎn)生周期性的鋸齒波(三角波),因此電容C及電阻R是根據(jù)方波的tW來(lái)選取,而 低通濾波電路,是將較高頻率的信號(hào)旁路掉(因XC=1/(2πfC),f較大時(shí),XC較 小,相當(dāng)于短路),因而電容C的值是參照低頻點(diǎn)的數(shù)值來(lái)確定,對(duì)于電源的濾波電路,理 論上C值愈大愈好。

      (2)圖8的高通濾波電路與微分電路或耦合電路形式相同。在脈沖數(shù)字電路中,因RC與脈 寬tW的關(guān)系不同而區(qū)分為微分電路和耦合電路;在模擬電路,選擇恰當(dāng)?shù)碾娙軨值,就可以有選擇性地讓較高頻的信號(hào)通過(guò),而阻斷直流及低頻信號(hào),如高音喇叭串接的電容,就是阻止中低音進(jìn)入高音喇叭,以免燒壞。另一方面,在多級(jí)交流放大電路中,他也是一種 耦合電路。

      5.RC脈沖分壓器

      當(dāng)需要將脈沖信號(hào)經(jīng)電阻分壓傳到下一級(jí)時(shí),由于電路中存在各種形式的電容,如寄生電容,他相當(dāng)于在負(fù)載側(cè)接有一負(fù)載電容(如圖9),當(dāng)輸入一脈沖信號(hào)時(shí),因電容CL的 充電,電壓不能突變,使輸出波形前沿變壞,失真。為此,可在R1兩端并接一加速電容 C1,這樣組成一個(gè)RC脈沖分壓器(如圖10)。

      (1)t=0+時(shí),電容視為短路,電流只流經(jīng)C1,CL,VO由C1和CL分壓得到:

      但是,任何信號(hào)源都有一定的內(nèi)阻,以及一些電路的需要,通常采取過(guò)補(bǔ)償?shù)霓k法,如電視 信號(hào)中,為突出傳送圖像的輪廓,采用勾邊電路,就是通過(guò)加大C1的取值。

      求RC電路的放電時(shí)間為1分鍾,電壓從9V降到5v.放電電流為300mA左右,選擇最佳的的R值和C值。

      RC電路的放電方程是:UC=US*e-t/RC,其中,US=9,UC=5,t=60,代入公式可求出時(shí)間常數(shù)RC的值,現(xiàn)在關(guān)鍵的就是要確定R和C的值了,它只能通過(guò)你所要求的放電電路來(lái)選擇了,由放電電流公式:I=C*dU/dt,再將此公式代入上面的公式中可得:I=-US*C/RCe-t/RC,將C看成一個(gè)未知參數(shù),然后作出I-t曲線,計(jì)算出該曲線與直線I=300所圍成的面積,這個(gè)積分上下限為t=0-60,去使面積最小的C值就可.

      第二篇:snubber電路總結(jié)

      電阻的用法

      一、RC-SNUBBER電路

      Snubber電路中文為吸收電路。公司的板子上,其最常應(yīng)用場(chǎng)合如下圖所示。

      VCC5R3918.2K 1%1000PF 50V+CE33220uF 10V+CE34220uF 10VC3522uF 25V1C3622uF 25V1C370.1uF 16V1C404DQ14FDD88801GR440Ω 5%UGATE_UES43L411.7uH,13A,DCR6.36mΩ2MAX:11AOCP:13A+CE35470uF 4V+CE36470uF 4VC45C461VCC1_8DDRDLGATE_UEQ15FDD88961R462.2Ω 5%R48C481000PF 50VR492.21K 1%11GSC4710uF 16V22uF 25V110.1uF 16VX_10K 1%C49X_0.01uF 25VC52UD_COMPR50112PF 50V133K 5%C540.01uF 50V3R511.78K 1%

      為了便于說(shuō)明問(wèn)題,將上圖簡(jiǎn)化。

      實(shí)際的沒有snubber的電路中各點(diǎn)的波形如下圖所示。

      從上圖的波形即客觀現(xiàn)象表明在PHASE點(diǎn)會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰。這種尖峰會(huì)對(duì)L-MOS造成威脅,根據(jù)電源組同事的觀察,有些板子的L-MOS經(jīng)常燒壞或壽命大幅縮短,就是PHASE點(diǎn)電壓尖峰造成的。實(shí)際測(cè)量沒有SNUBBER的PHASE點(diǎn)波形如圖所示(上圖紅圈內(nèi)的波形放大)。

      造成電壓尖峰及其危害的原因是什么呢?為了更嚴(yán)謹(jǐn)更準(zhǔn)確說(shuō)明電路的工作情況設(shè)想模型如下。

      上圖分別是電路中寄生電感和MOS管極間等效電容的示意圖。簡(jiǎn)化之后如下圖。

      +vI寄生電感儲(chǔ)能大電感PHASEMOS管的等效電容濾波電容負(fù)載-線路上的等效電阻

      上圖虛線框內(nèi)的是PHASE后的線路,由于有儲(chǔ)能大電感的存在,瞬時(shí)變化的電流I不能通過(guò)進(jìn)入虛線框內(nèi)。所以對(duì)瞬時(shí)(高頻)電壓電流而言,其路徑只能是通過(guò)L-MOS。為了驗(yàn)證這種設(shè)想的真實(shí)性,本文建立仿真模型進(jìn)行驗(yàn)證。

      2VL12n1V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI500p0R10.10V0

      電壓源是一個(gè)上升沿模仿H-MOS導(dǎo)通的動(dòng)作。電容模仿L-MOS的等效電容大概有500pF。

      0V電感模仿電路上的寄生電感。電阻模仿線路上的等效電阻。仿真波形如下。紅色為PHASE點(diǎn)電壓,黃色為PHASE點(diǎn)電流,綠色為輸入電壓。

      和實(shí)際沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形比較??梢园l(fā)現(xiàn)兩者在波形特征是很相似的。所以可以基本認(rèn)為,設(shè)想的模型是能說(shuō)明問(wèn)題的。

      分析產(chǎn)生電壓尖峰的原因。將上圖放大。得下圖。紅色為PHASE點(diǎn)電壓,黃色為PHASE點(diǎn)電流,綠色為輸入電壓。

      時(shí)間段1(30ns~A):H-MOS管導(dǎo)通,5V電壓輸入。寄生電感中的電流以正弦波的形式增大。同時(shí)這個(gè)增大的電流給L-MOS的等效電容充電,使得PHASE點(diǎn)的電壓上升。

      時(shí)間段2(A~B):當(dāng)PHASE點(diǎn)電壓達(dá)到5V時(shí),則寄生電感兩端的電壓開始反向。但寄生電感中的電流不能瞬變,而是以正弦波的形式減小。這時(shí)這個(gè)減小的電流也在給L-MOS的等效電容充電,使得PHASE點(diǎn)的電壓繼續(xù)上升。

      時(shí)間段3(B~C):當(dāng)寄生電感中的電流減小到0時(shí),L-MOS的等效電容剛好充電到最多的電荷形成PHASE點(diǎn)的電壓極大值。此時(shí)PHASE點(diǎn)的電壓大于輸入電壓,則電容開始放電PHASE點(diǎn)電壓開始減小,電感的電流反向開始增大。

      時(shí)間段4(C~D):當(dāng)PHASE點(diǎn)電壓減小到5V時(shí),電感兩端的電壓有反向了,電流(標(biāo)量)開始減小,電容中的點(diǎn)放完,但由于電感中的電流還存在,電容被反向充電。PHASE點(diǎn)電壓繼續(xù)下降。

      綜上所述,電壓尖峰是由于寄生電感不能瞬變的電流給L-MOS等效電容充電造成的。而振蕩是由于電感和電容的諧振造成的。實(shí)際電路中多余的能量大部分是由L-MOS的內(nèi)阻消耗的。這部分多余的能量等于PHASE點(diǎn)電壓為5V時(shí),電流在電感中對(duì)應(yīng)的電磁能。由于等效電容很小,所以多余能量(電荷)能夠在電容兩端造成較大的電壓。所以減小電壓尖峰的方法是減小流入等效電容的電荷數(shù)量。對(duì)于振蕩則可以選擇阻尼電阻一方面減少振蕩次數(shù),一方面減小L-MOS的消耗能量。

      因此設(shè)計(jì)出了snubber電路。如圖所示。+v寄生電感PHASEIMOS管的等效電容Snubber電阻線路上的等效電阻-Snubber電容

      RC-snubber電路從兩個(gè)方面去解決電壓尖峰的問(wèn)題。

      1、對(duì)PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)的電感電流分流,這樣使得流入L-MOS等效電容的電流大大減小。而snubber電容的容值選取較大,吸收了多余的能量后產(chǎn)生的電壓不會(huì)太大。這樣使得PHASE點(diǎn)的電壓尖峰減小。

      2、RC中的電阻起到阻尼作用,將諧振能量以熱能消耗掉。仿真結(jié)果如下

      2VL12n1R2I2.2V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI3000p500p0R10.10V0

      紅色為PHASE點(diǎn)電壓,黃色為PHASE點(diǎn)電流,綠色為輸入電壓。天藍(lán)色為snubber分流的電流。

      0V0V0V

      所以RC-snubber電路的好處有:

      1、增強(qiáng)phase點(diǎn)的信號(hào)完整性。

      2、保護(hù)L-MOS提高系統(tǒng)可靠性。

      3、改善EMI。壞處:

      1、PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)需要更多的能量,所以在每次開關(guān)時(shí)都要消耗更多的能量,降低了電源轉(zhuǎn)換效率。

      2、RC選取不好就會(huì)起反作用。

      Snubber電路的位置選擇。大家都知道snubber電路的擺放應(yīng)該靠近PHASE點(diǎn)。但是有一個(gè)細(xì)節(jié)很有意思。看下圖。

      圖中的寄生電感共4個(gè),給L-MOS造成影響的是上面3個(gè),snubber電路接在PHASE點(diǎn)上?,F(xiàn)在有兩個(gè)問(wèn)題

      1、H-MOS管的等效電容也應(yīng)該有相似的電壓尖峰效應(yīng)怎么辦?

      2、snubber電路無(wú)法保護(hù)第三個(gè)寄生電感的造成的過(guò)壓,可是為什么實(shí)際上的吸收效果卻很好?

      解釋上面的問(wèn)題,可以看一下這里用的MOS管封裝便可知道。

      在電容總結(jié)里講過(guò),寄生電感主要分布在引腳和走線上。在電源線路的PCB走線是又寬又短的,所以這里的寄生電感主要來(lái)源于引腳封裝。MOS管的漏極寬大的設(shè)計(jì)就是為了能夠減小寄生電感(當(dāng)然也可以利于散熱),而源極寄生電感在正向?qū)〞r(shí)不會(huì)對(duì)MOS管的等效電容造成威脅。

      Snubber器件的選取。

      首先是電容,snubber電容的作用是為L(zhǎng)-MOS等效電容分流而不產(chǎn)生大的過(guò)壓,所以選取的容值要大于等效電容。但是它使得PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)需要更多的能量,所以太大會(huì)降低電源的轉(zhuǎn)換效率。這里需要折中考慮。

      下面是EC4-1811上1.8V的BUCK電路snubber電路的實(shí)驗(yàn)。如圖所示。

      上圖的snubber電路PHASE點(diǎn)波形(黃色)容值1000pF,電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形(白色)的比較。顯然振蕩減小了,可是電壓尖峰去除的效果不好。所以我們將電容增大。

      上圖PHASE點(diǎn)波形(黃色)容值2000pF,電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形(白色)的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果好了一些。再增大電容。

      上圖PHASE點(diǎn)波形(黃色)容值3000pF,電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形(白色)的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果又好了一些。再增大電容。

      上圖PHASE點(diǎn)波形(黃色)容值4000pF,電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形(白色)的比較。和所以上圖比較電壓尖峰去除的效果最好。波形較理想。

      電阻的選取。Snubber電阻的作用是阻尼作用。選小了,則PHASE點(diǎn)振蕩會(huì)不容易消除。選大了,則會(huì)阻礙snubber電路吸收電流的能力,使得等效電容承受的電流增加,增大PHASE點(diǎn)的電壓尖峰。下面是具體實(shí)驗(yàn)。電容都是4000pF,電阻分別是0;2.2;5;10。

      上圖是2.2歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

      上圖是5歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

      上圖是10歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

      從實(shí)驗(yàn)可以很清楚的看出snubber電阻取得大了會(huì)使snubber電路的功能喪失。其次,關(guān)于L-MOS內(nèi)肖特基二極管的問(wèn)題。如下圖。

      PHASE肖特基二極管body二極管0.7V管壓降0.3V管壓降

      在H-MOS關(guān)斷到L-MOS打開的死區(qū)內(nèi)。續(xù)流是通過(guò)L-MOS旁并聯(lián)的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)的。負(fù)壓尖峰是由于瞬時(shí)電流對(duì)L-MOS反向充電造成的。大概持續(xù)了25ns的-0.7V是因?yàn)樾ぬ鼗O管沒有導(dǎo)通,電流從L-MOS的體內(nèi)二極管通過(guò)的管壓降。之后的-0.3V左右的負(fù)壓是因?yàn)樾ぬ鼗O管導(dǎo)通的管壓降造成的。之后L-MOS導(dǎo)通,管壓降幾乎為0。

      回顧之前的MOS總結(jié),L-MOS往往兩個(gè)并聯(lián)的目的除了減小導(dǎo)通電阻外,還有減小電壓尖峰(正;負(fù))對(duì)L-MOS管的損傷,同時(shí)還起到備用的作用。

      第三篇:電路課程總結(jié)

      “電路分析基礎(chǔ)”是高等學(xué)校電子與電氣信息類專業(yè)重要的基礎(chǔ)課程。該課程理論嚴(yán)密、邏輯性強(qiáng),具有廣闊的工程背景。通過(guò)本課程的學(xué)習(xí),對(duì)樹立學(xué)生嚴(yán)肅認(rèn)真的科學(xué)作風(fēng)和理論聯(lián)系實(shí)際的工程觀點(diǎn),培養(yǎng)學(xué)生的科學(xué)思維能力、分析計(jì)算能力、實(shí)驗(yàn)研究能力和科學(xué)歸納能力都有重要的作用。同時(shí)使學(xué)生掌握電路的基本理論知識(shí)、電路的基本分析方法和初步的實(shí)驗(yàn)技能,為進(jìn)一步學(xué)習(xí)電路理論打下基礎(chǔ),為學(xué)習(xí)后續(xù)課程準(zhǔn)備必要的電路知識(shí)。

      《電路分析基礎(chǔ)》主要內(nèi)容包括電路的基本概念和定律、直流電路的分析、正弦交流電路的基本概念、正弦交流電路的分析、互感電路、三相電路、非正弦周期電路、動(dòng)態(tài)電路以及電路實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。在該課程的講授中,力求做到以應(yīng)用為目的,以夠用為度,講清概念,結(jié)合實(shí)際舉例、課后習(xí)題強(qiáng)化訓(xùn)練,突出適應(yīng)性、實(shí)用性和針對(duì)性;在例題和習(xí)題的選擇方面,適當(dāng)?shù)止び?jì)算的技巧,并根據(jù)該課程內(nèi)容選擇具有較強(qiáng)的實(shí)踐性特點(diǎn)的習(xí)題,在計(jì)算量較大章節(jié),引導(dǎo)學(xué)生引入了計(jì)算機(jī)輔助分析,以達(dá)到理論與實(shí)踐的結(jié)合和“講、學(xué)、做”的統(tǒng)一。

      作為一名教齡不長(zhǎng)的老師,我在全書在內(nèi)容敘述上,力爭(zhēng)做到深入淺出、通俗易懂、概念清楚、重點(diǎn)突出。此外,結(jié)合教學(xué)環(huán)境與課堂氣氛,引入相關(guān)比喻、聯(lián)想,促進(jìn)學(xué)生對(duì)概念的理解與加深,對(duì)個(gè)別章節(jié),合理調(diào)節(jié)教學(xué)計(jì)劃,促進(jìn)學(xué)習(xí)效果。采取理論結(jié)合實(shí)際的分析,提高學(xué)生對(duì)電路課程的學(xué)習(xí)興趣,從而達(dá)到提高學(xué)生自我建設(shè)與自我培養(yǎng)的主動(dòng)性,提高其實(shí)踐能力和自學(xué)能力,以使學(xué)生學(xué)以致用、解決實(shí)際工作中所遇到的問(wèn)題。

      第四篇:電路知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

      電路知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

      電路]物體帶電的標(biāo)志:能夠吸引輕小物體。(帶電體的性質(zhì))摩擦起電:用摩擦的方法使物體帶電,叫摩擦起電。摩擦起電的原因:不同物質(zhì)的原子核束縛電子的能力不同,在摩擦?xí)r,束縛電子能力強(qiáng)的物質(zhì)就得到電子帶負(fù)電,束縛電子能力差的物質(zhì)就失去電子帶正電。正電荷:綢子摩擦過(guò)的玻璃棒上帶的電荷叫做正電荷。

      負(fù)電荷:毛皮摩擦過(guò)的橡膠棒上帶的電荷叫做負(fù)電荷。電荷的相互作用規(guī)律:同種電荷相互排斥,異種電荷相互吸引。驗(yàn)電器的作用:用來(lái)檢驗(yàn)物體是否帶電。

      驗(yàn)電器的工作原理:利用同種電荷相互排斥的原理工作的。電量:電荷的多少叫做電量。電量的單位是庫(kù)侖,簡(jiǎn)稱庫(kù)。電子電量:一個(gè)電子所帶的電量叫電子電量。它是1.6*10^-19庫(kù)。中和:放在一起的等量異種電荷完全抵消的現(xiàn)象,叫做中和。1897年英國(guó)科學(xué)家湯姆遜發(fā)現(xiàn)了電子。電流方向:把正電荷移動(dòng)的方向規(guī)定為電流的方向。電子移動(dòng)方向與它正好相反。12 導(dǎo)體:容易導(dǎo)電的物體叫導(dǎo)體。如金屬、石墨、人體、大地及酸堿鹽水液。絕緣體:不容易導(dǎo)電的物體叫絕緣體。如橡膠、玻璃、陶瓷、塑料、油等。13 電源:能夠提供持續(xù)電流的裝置。在干電池中電能是以化學(xué)能的形式存在。14 自由電子:在金屬導(dǎo)體中能脫離原子核束縛而在金屬內(nèi)部自由移動(dòng)的電子。15 電路:把用電器、電源、開關(guān)用導(dǎo)線連接起來(lái)的電流路徑。

      電路圖:用符號(hào)表示電路連接情況的圖。通路:處處接通的電路。開路:某處斷開的電路。

      短路:不經(jīng)過(guò)用電器直接把導(dǎo)線接在電源兩端的電路。串聯(lián)電路:把電路元件逐個(gè)順次連接起來(lái)的電路。特點(diǎn):電流依次通過(guò)每個(gè)用電器。并聯(lián)電路:把電路元件并列連接起來(lái)的電路。特點(diǎn)電流在某處分支,再在某處會(huì)合。

      第五篇:電路計(jì)算題總結(jié)

      2.圖示電路中,已知:US1=100V,US2=80V,R2=2?,I=4A,I2=2A,試用基爾霍夫定律求電阻R1和供給負(fù)載N的功率。

      I1R1+U-S 19.某感性電路施加一正弦交流電壓u?2202sin314tV,.RI2+I有功功率P=7.5kW,無(wú)功功率Q=5.5kvar。求:(1)電路的功率

      因數(shù)?;(2)若電路為R,L并聯(lián),R,L值為多少? N2(1)tan??QP?0.73PSo ??36.25

      US 2.- I1=2A

      ??cos??(2)R??0.81

      22023

      由KCL定律I1?I2-I=0

      U2由KVL定律R1I1-R2I2?US2-US1=0 R1=12?

      P?7.5?10?6.45?

      供給負(fù)載N的功率P=I(US2-R2I2)=304W

      3.圖示電路中,已知:US1=15V,US2=30V,R1=0.5?,R2=0.2?,R3=2?,R4=3?,R5=4?。用電源等效變換法求電流I。

      XL?U2Q?220235.5?10?8.8?

      IR5.R3.R4..IIS 1RS 1.R1R2.R5++IS 2RS 2U-.S 1U-S 2.原圖

      圖中:IS1?US1R?30A RS1?R1//R3?0.4?

      1IS2S2?UR?150A RS2?R2//R4?0.19?

      2-+-+US 3US 4R6R5I 圖中:US3=RS1IS1=12V US4=RS2IS2=28.5V R6=RS1+RS2=0.59? 8 I?US3?US4R?8.82A

      6?R57.圖示電路中,已知:US=15V,IS1=3A,IS2=2A,R1=3?,R2=8?,R3=4?,R4=12?,R5=2?。用戴維寧定理求電流I。

      .A.IR5A+II..S 1S 2US...+-IS 1USR3R5-RR4R21R1.....BBA+.I+UAB0US--R0R1.B

      將US支路移開: UAB0=R5IS1=6V R0=R5=2? 化為如下電路:I=UAB0?USR?1.8A

      0?R=1L?XL??8.8314?28mH

      11.在R,L,C串聯(lián)電路中,L=0.5H,若施加

      u?70.7sin(100t?30o)V的電源電壓,電路中電流為i?1.5sin100tA。試求電路參數(shù)R和C。

      Z?70.71.5?47.13?

      R?Zcos30o?47.13?32?40.82?

      X?Zsin30o?47.13?12?23.57?

      XL??L?100?0.5?50?

      X?XL?XC XC?XL?X=26.43?

      C?13.78?102?X?1?F

      C100?26.43?22.圖示電路中,已知:R1=R2=3?,R3=R4=6?,US=27V,IS=3A。用疊加原理求各未知支路電流。

      .I2R2.R2I'2I1I..3II'I4I'I3I'I4R31ISR1+R4ISR1RU3R4S..-..解:IS單獨(dú)作用時(shí)

      IR2?R3//R41??R1?R2?R3//R?IS?2A

      4I2??IS?I1??1A I3??I4??0.5A

      US單獨(dú)作用時(shí)

      R2I“???I2.I”III“13I”I4RR31R4+US.- I3???USR3?(R1?R2)//R4?3A

      I1???I2???I4???1.5A

      疊加得:I1=I1'+I1“=3.5A I2=I2'-I2”=-0.5A

      I3=-I3'+I3“=2.5A I4=I4'+I4”=2A

      23.圖示電路原已穩(wěn)定,t=0時(shí)將開關(guān)S閉合。已知:US!=6V,US2=24V,R1=3?,R2=6?,C=0.5?F。求S閉合后的uC(t)。

      S+RUS11+uCR2+US2-C-- uC(0?)?uC(0?)?US1?6 VUS1R2R1?R2US2R1R1?R2?6uC(?)???12 V ?=R1R2R1?R2C?1?10 s

      ?t

      ? 6

      ?106uC(t)?uC(?)?uC(0?)?uC(?)e =12?6et V

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