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      C1.5.2 耳部電生理檢查適應癥(我歸納的)

      時間:2019-05-15 10:21:15下載本文作者:會員上傳
      簡介:寫寫幫文庫小編為你整理了多篇相關的《C1.5.2 耳部電生理檢查適應癥(我歸納的)》,但愿對你工作學習有幫助,當然你在寫寫幫文庫還可以找到更多《C1.5.2 耳部電生理檢查適應癥(我歸納的)》。

      第一篇:C1.5.2 耳部電生理檢查適應癥(我歸納的)

      C1.5.2 耳部電生理檢查適應癥

      電測聽檢查

      許菲莎總結歸納

      臨床意義

      由于近代聽覺電生理學及電子計算機技術的發(fā)展,使誘發(fā)出的微弱電反應能清楚顯示,以客觀評價聽覺系統(tǒng)的功能狀態(tài)。適用于嬰幼兒及不能配合檢查的成年人的聽閾測定、功能性聾與與器質性聾的鑒別、耳蝸及蝸后病變的鑒別、聽神經瘤及某些中樞病變的定位診斷。注意事項

      消除緊張,克服心理壓力。相關疾病

      噪聲性耳聾,小兒神經纖維瘤病,鼓膜穿孔,先天性耳聾,耳聾,美尼爾氏綜合癥,潛水性內耳損傷,彌漫性外耳道炎,老年性耳聾,結核性中耳乳突炎

      聲導抗測聽

      是測量人耳中耳聲阻抗的變化,這種變化記錄后為分析中耳病變提供客觀的依據。它不僅可以用來區(qū)分中耳病變的不同部位,而且可輔助對聽覺神經、腦干及面神經麻痹病變作定位診斷。特別適合于精神病病人、嬰幼兒及不合作的受檢者,甚至于昏迷病人。已經成為臨床測聽的常規(guī)檢查方法之一 C1.5.2

      聽性腦干誘發(fā)電位

      是用于檢查人體聽神經起至大腦皮層這個節(jié)段對外界聲刺激的反應。是客觀聽力檢查,與聽力計檢查不同,無需受檢者配合就能完成。

      臨床上聽性腦干反應檢查往往用來做小兒或成人的客觀聽力檢測,看是否有聽力損失,臨床應用:

      ⑴ 客觀評價聽力:可幫助判斷聽力障礙程度,還可能于監(jiān)測耳毒性藥物對聽力的影響。

      ⑵ 發(fā)現腫瘤:對聽神經瘤及橋腦小腦腫瘤瘤體小而CT不能發(fā)現者有重要診斷意義。

      ⑶ 多發(fā)性硬化:多發(fā)性硬化患者BAEP的異常率約為87% ⑷ 判斷腦死亡:從昏迷發(fā)展到腦死亡,BAEP波形逐漸發(fā)生改變,早期可有Ⅴ波消失,繼之累及Ⅲ波,最后Ⅰ波也消失。從面成為判斷腦死亡的標準之一。⑸ 手術監(jiān)護:橋小腦角腫瘤手術監(jiān)護可避免聽神經不必要的損害。

      耳聲發(fā)射檢查

      耳聲發(fā)射檢查的適應癥: C1.5.2 耳聲發(fā)射檢查首先要排除蝸前病變,如外耳道耵聹栓塞、耳道閉鎖、鼓膜穿孔、中耳病變等,因為給的聲可能不能進入耳蝸,就算誘發(fā)出耳聲發(fā)射但由于引出的耳聲發(fā)射能量太弱無法逆向傳導釋放入外耳道。因此這些病人行此項檢查是沒有意義的。

      耳聲發(fā)射適用于所有的無傳導性聽力障礙的患者,為患者的耳部疾病的定位檢查作出貢獻。

      一、對耳蝸病變的定位確診:

      A、如果耳蝸前沒有病變,能引出耳聲發(fā)射證明耳蝸是正常的;

      B、如果耳蝸前沒有病變,不能引出耳聲發(fā)射證明耳蝸可能有病變,部份正常人也引不出;

      二、對蝸后病變的確診:

      A、如果患者為感覺神經性聾,能引出耳聲發(fā)射證明蝸后有病變;

      B、如果患者為感覺神經性聾,不能引出耳聲發(fā)射證明耳蝸可能有病變但不能排除蝸后有病變;

      三、對中樞病變的檢查:

      耳聲發(fā)射有掩蔽的特性,如果雙側均能引出耳聲發(fā)射,在對側給聲刺激后耳聲發(fā)射閾值會減弱,如無減弱要考慮中樞可能有病變。

      耳聲反射的臨床應用: C1.5.2 A、人工耳蝸:人工耳蝸植入患者要求蝸后沒有病變,否則植入后也無法將電刺激傳入中樞,因些如耳聲發(fā)射檢查能引出,則要考慮聽神經或中樞可能有病變,要慎重考慮手術。B、新生兒聽力篩選:美國嬰兒聽力聯合會(Joint Committee on Infant Hearing)在1994年的述職報告中指出,所有失聽嬰兒應在3個月齡時被確診,并在6個月齡前接受干預性治療。因此,新生兒普遍性聽力篩選勢在必行。由于OAE源于耳蝸的主動釋能機制,能反映外毛細胞和/或其周圍結構的機械功能狀態(tài),其測試又具有快速、無創(chuàng)、靈敏、客觀等優(yōu)點,所以OAE一經發(fā)現,即被推薦用于新生兒和嬰幼兒的聽力篩選。

      C、聽神經病:這一點尚在研究中,理論上講,如感覺神經性聾患者耳聲發(fā)射能引出,而又排除中樞性病變,則可能為聽神經有病變(聽神經病或早期聽神經瘤)。

      D、噪聲性聾及藥物中毒性聾:正常聽力者在噪聲暴露后純音聽閾提高時,TEOAE振值下降,可引出OAE的頻率范圍變窄。耳毒性藥物所致耳蝸損傷時,EOAE變化早于聽力改變,有學者建議使用耳聲發(fā)射進行監(jiān)測,以期早期發(fā)現耳蝸損傷。E、偽聾:如能引出耳聲發(fā)射,證明耳蝸及蝸前無損害。F、早期的梅尼埃氏病:理論上講,在甘油試驗中,耳聲發(fā)射可改善反應閾,或反應由陰轉陽。

      G、中樞性病變:耳聲發(fā)射有掩蔽的特性,如果雙側均能引 C1.5.2 出耳聲發(fā)射,在對側給聲刺激后耳聲發(fā)射閾值會減弱,如無減弱要考慮中樞可能有病變。

      耳鳴檢查治療儀(聽尼特?(TinniTest?))

      耳鳴綜合診斷治療儀是將現代聽力學研究成果和先進的數字信號處理技術完美結合,在經過多年研究的基礎上,最終研制成功的一種集耳鳴診斷和治療、患者管理和咨詢?yōu)橐惑w的新型臨床診斷治療儀器。這種能對耳鳴的各項指標進行檢測的醫(yī)療設備既具備高精度的診斷治療效果,也為耳鳴的臨床治療和康復提供了一種新的重要技術手段,它可以在準確測試耳鳴音調匹配、耳鳴響度匹配、最小掩蔽級、殘余抑制實驗和弗德曼掩蔽曲線以及治療各種耳鳴的基礎上,成為聽力學家進行診斷、治療、管理的有效工具和患者咨詢的高效方案;它能夠將耳鳴治療和物理康復器械融為一體。

      第二篇:眼電生理科普

      一 什么是視覺電生理檢查?

      視覺就是能看到東西的一種感覺,包括外界物質的顏色和形態(tài),是眼睛的生理功能,視覺電生理檢查是眼科臨床測試視覺功能的常規(guī)手段,具有客觀性,對視覺系統(tǒng)疾患的定位有重要意義。

      如將視覺電生理檢查方法聯合應用,可對整個視覺系統(tǒng)疾患進行分層定位診斷,從功能上對視覺系統(tǒng)進行斷層掃描。它不僅適合于一般的患者,在不能進行主覺檢查的情況下也能客觀地評價視覺功能,如嬰幼兒、智力低下者和癔病患者;另對看不到眼底者,它可克服混濁的障礙,測定到視功能,如白內障、玻璃體混濁。因而,視覺電生理檢查在眼科臨床已越來越廣泛地被使用。

      二 那些項目是眼電生理檢查?

      視誘發(fā)電位(VEP)

      視網膜電圖(ERG)

      三 什么是VEP檢查?

      眼睛對光或圖形刺激后在大腦皮層產生的電活動,使用腦電圖技術在頭皮記錄的電生理信號,能夠提供關于視覺神經系統(tǒng)傳導通路功能是否完好的重要診斷信息。

      四 那些患者需作VEP檢查?

      1.視路病變: 視神經炎,多發(fā)性硬化,視乳頭水腫,視神經萎縮,先天性視神經病變, 缺血性視神經病變,外傷性視神經病變,中毒性視神經病變,視路占位性病變等。

      2.視網膜及黃斑病變:特發(fā)性黃斑裂孔,老年黃斑變性等。

      3.弱視及斜視

      4.青光眼

      5.白內障;玻璃體混濁;角膜混濁等

      6.外傷性視神經病變,工傷及司法鑒定。

      五 什么是ERG檢查?

      視網膜受到光刺激后而產生的綜合性電反應,用于臨床診斷和視網膜功能評定,是檢測視網膜功能的一個重要客觀指標。

      六 那些患者需作ERG檢查?

      1.遺傳性視網膜變性類疾病,如視網膜色素變性,先天性靜止性夜盲等。

      2.黃斑部疾患;如視錐細胞營養(yǎng)不良,黃斑變性,黃斑裂孔等。

      3.視網膜血管性病變;視網膜動脈或靜脈阻塞,糖尿病膜視網病變等。

      4.白內障;玻璃體混濁;角膜混濁等。

      5.視網膜脫離,外傷性視網膜病變,工傷及司法鑒定等。

      七 檢查用時

      VEP檢查半小時以上。

      ERG檢查在患者散瞳暗適應半小時后,檢查半小時左右。

      八.眼電生理檢查前的需作什么準備?

      1.患者須在眼科檢查預約處預約檢查日期,請準時前來;

      2.檢查前日禁服鎮(zhèn)靜劑,并需要清洗頭部;散瞳后的患者當日不能作VEP檢查;

      3.家屬在檢查室門外安靜等候;除患者外,陪人不必進入暗室,小兒、年齡較大、行動不便、語言交流困難的患者,經工作人員允許后陪人方可進入;在進入暗室前,請關閉手機,以免干擾電生理信號;

      4.檢查前需作皮膚準備,用酒精棉擦凈皮脂和污垢,直至皮膚阻抗達到檢查要求,皮膚擦拭后可能有些潮紅,偶有皮膚表面結痂,無需特殊處理,數日內將自愈,不留疤痕;如有對酒精、鹽酸丙丙美卡因滴眼液(結膜表面麻藥)、氯霉素等藥物過敏者和有人工晶體植入、及青光眼病史者,均應向本室工作人員說明;

      5.受檢者在檢查過程中要保持精力集中,盡量不說話,不咀嚼;并要注意放松, 包括心理的和軀體的放松,尤其是頸部要放松;檢查時,受檢者要主動配合,集中精神注視固視點,盡量控制眼睛不要動;光刺激時注意睜開眼睛,避免眨眼;

      6.ERG 檢查結束后,患者要注意當天不要用手揉眼睛,并用氯霉素滴眼液1-2天。

      第三篇:電生理基本技術

      電生理基本技術

      一電刺激。

      二生物放大器正確選擇,植物性神經沖動幅度多為50-100μV。不同組織,應采用不同的參 數。如 ECG:振幅0.1-2mV,靈敏度0.5-1mV,時間常數0.1-1.0s,高頻濾波1KHz 植物性神經沖動:振幅50-150μV,靈敏度25-100μV,時間常數0.01-0.1s,高頻濾波3-5KHz 中樞神經元單位放電振幅100-300μV, 靈敏度50-100μV,時間常數0.01-0.1s,高頻濾波5-10KHz

      三玻璃微電極

      常用尖端0.5-5μm,向細胞內插入時,需小于0.5μm(細胞直徑的1/10~1/100),且尖端的傾斜度應相當緩和,一般微電極可分為金屬微電極和玻璃微電極兩類。

      金屬微電極,現多用鍍鉑鎢絲電極(platinum-plated tungsten electrode),在鎢絲上鍍鉑,可極大改善電極的電學特性,噪聲可大大降低,加之機械強度大,適合長期體外記錄(paré D,Gaudreau H.Projection cells and interneurons of the lateral and basolateral amygdala: distinct firing patterns and differential relation to the thera and delta rhythms in conscious cats.J Neursci, 1996,16(10):3334-3350 現要也常用鍍銀碳纖維電極。玻璃微電極記錄易受機械位移的影響,加之尖端的電解質會漏出或堵塞,不適合半小時以上的長時間記錄,玻璃微電極可分單管和多管微電極。

      毛坯管在國外多用Pyrex管,國內多用GG-17和95料玻管。細胞外記錄多采用外徑1.5-2mm玻璃,細胞內記錄則采用外徑1mm細玻管,內外徑之比約為2:3或5:6,長6-8cm。拉制前必須經過清潔處理。

      清潔液:用等量的(250ml)王水(可反復應用)。一般毛坯管捆成把放入清潔液中1-2h,取出自來水沖洗20-30min,再放入無水酒精中洗滌,再放入盛滿蒸餾水燒杯中加熱煮沸10min,倒去蒸餾水,再換新蒸餾水反復3次,再放入烤箱中烤干,備用,切不可用市售的洗滌劑,以防降低電極充灌液的表面張力而影響沖灌。

      充灌液常用3mol/L KCl,為避免Cl-擴散,也可用2mol/L醋酸鉀或檸檬酸鉀充灌,也有人用 0.5-1mol/L NaCl(低濃度)充灌可降低噪音。細胞外記錄時,最后再用3-4mol/L NaCl +2%旁 胺天藍溶液定位。在膜片鉗中還常加鈣螯合劑,如EGTA。阻抗與不同組織相關。

      四電生理實驗中噪聲和干擾的形成和排除。(一)來源。

      1干擾信號與生物電生理信號的鑒別。準確區(qū)分生物電信號與干擾的偽跡是電生理實驗的先決條件。

      2來源。主要有三個方面

      其一。物理性干擾。1)靜電和電磁的干擾實驗室附近高壓電,室內日光燈可產生50Hz的靜電干擾,尤其是交流電,尤其是50Hz頻率干擾最大(電子設備為50Hz)。其特點是幅度大,波形規(guī)則。

      2)噪聲干擾電子元件本身產生雜亂無章電壓和電流稱噪聲,一般與放大器內部元件的質量與性能有關。

      其二。接地不良。1)地線電阻應小。2)儀器故障。產生漏電電流,在地線上形成電位差,產生干擾。3)地線行走過程中打圈,形成線圈,易接受電場和磁場的干擾。4)各儀器設備應采用一點接地的方式,若采用多點接地,形成大地回路,也會引起干擾。5)地線過長與電源線形成交流環(huán)路。6)誤用市電三孔中性線作為大地線(中性線上有4-5A電流)。

      其三。生理性干擾。1)大腦電活動時,眨眼、眼球運動均對腦電具有干擾作用。2)實驗中環(huán)境溫度過低,動物寒戰(zhàn)、抖動,引起肌電的發(fā)放而干擾記錄,或因呼吸運動引起記錄部位機械位移引起干擾信號。3)心電干擾,頻率與心電一致。(二)排除。

      1物理性干擾。1)屏蔽法用于低頻電和靜電干擾,屏蔽線分布電容較大,線與線之間不可平行排列,更不可為了美觀而將多線扎在一起,這會加大分布電容,易偶合高頻干擾噪聲。2)遠離法。3)改變位置法。依電流方向相反,產生反向磁場的原理,改變各個儀器的位置或放大器輸入的方位,會使干擾磁場抵消,微電極放大器探頭阻抗高,易引入干擾,實驗前可反復調整其方向和位置。4)微電極記錄時盡量減少微電極本身的阻抗,減少輸入阻抗及干擾信號在這個阻抗上形成干擾電壓降,微電極到探頭的連線<5cm。5)用監(jiān)聽器監(jiān)聽噪聲,以便及時排除。

      2儀器質量,盡量改進。接地不良。地線應盡量短粗,不能與電源線平行或打圈,不 要接在電源線的中性線 上,地線單獨埋設,埋置處應較潮濕,附近無大型變壓電動機,并在坑內加些食鹽。4檢查各儀器 是否漏電。

      5慢生物電變化時用乏極化電極,實驗對象宜安靜,勿受振動。

      (三)刺激偽跡過大及防止。1)盡量減少刺激脈沖的波寬和強度。2)在動物體或標本上,盡量延長刺激部位 的距離,在刺激電極 和引導電極之間加一接地電極,此電極離引導電極愈近,刺激偽跡就越小采用變換刺激極性,結合疊加處理,可抵消偽跡。

      注微電極中高濃度充灌液易蒸發(fā),造成電極回路的開路,因此常在微電極插入Ag-AgCl絲或鉑金絲后,在微電極尾部開口處涂上一層凡士林,防止水分蒸發(fā)。

      動物麻醉和制動下,體溫會下降,故應保溫調節(jié),加溫維持肛溫36-38℃.記錄脊髓背角或腹角神經元將脊柱前后拉直以減小呼吸運動造成的位移。記錄腦神經元應在表面用溫熱石蠟制成一油槽,防止血管博動和呼吸運動的影響。

      五細胞內微電極記錄

      多用幼年離體標本,其原因1)幼年動物骨骼骨化不完全,結締組織少,神經組織易于分離,標本耐缺氧能力強,有的標本可存活數小時至數天,但標本也可能發(fā)育不完全,如背根和腦干到脊髓的投射纖維要到三周動物才完全。神經纖維髓鞘化不全,其藥理作用與成年動物也不同。從實驗角度上講,脊髓背腹根短,不利于電生理刺激記錄。小鼠一般應小于15g,制備標本才 有可能成功,而這樣小鼠背腹根神經節(jié)不利于電生理實驗。最適合的動物是金黃地鼠(hamster),介于大小鼠之間,制備標本活性很好,可能與其冬眠習性有關,而且其脊髓背腹根長達20-25mm,利于電生理記錄。動物選擇仍依實驗而定,同一標本,不同中樞結構對缺氧耐受力也不同。金黃地鼠,若觀察脊髓背角神經元活動,可用150-160g體重的鼠均可,但要研究腹角神經元,則體重不宜超過30g。離體標本的灌流注,如ACSF。其中緩沖液成分有兩種,一是重碳酸鹽(bicarbonate)溫度低(4℃),配方有利于降低組織興奮性。二是磷酸鹽緩沖液和HEPES緩沖液其優(yōu)點是接近于 人體環(huán)境。各種緩沖液一般都先配母液,臨用前一天,或臨用前稀釋

      腦片膜片鉗實驗方法

      腦片膜片鉗實驗方法 文獻綜述一 1966年,Yamamoto和McIlwain首次在腦片上記錄了電生理活動(1966a, b),證實了腦組織在體外也能存活,并保持很好的活性狀態(tài)。此后,該方法在生理學研究中的應用越來越廣泛,并為中樞神經系統(tǒng)生理和藥理學領域突飛猛進的發(fā)展奠定了基礎。1989年,Blanton將腦片電生理記錄與細胞的膜片鉗記錄結合起來,建立了腦片膜片鉗記錄技術,這為在細胞水平研究中樞神經系統(tǒng)離子通道或受體在神經環(huán)路中的生理和藥理學作用及其機制提供了可能性。

      在腦片電生理記錄中,實驗者可以按不同的實驗目的直接準確地改變腦片灌流液的成份和條 件,如溫度、酸度和滲透壓、通氧狀態(tài)、以及離子通道或細胞信號轉導通路的阻斷劑等另外,實驗者還能借助顯微鏡準確地放置記錄電極和刺激電極,同時,可借助一些特殊的加藥裝置,將一定濃度的藥物加到整個腦片或是腦片上的特定區(qū)域上,研究電信號沿神經環(huán)路的傳遞規(guī)律。在電生理學實驗結束后,活性較好的腦片還可用于生物化學或解剖學的分析。這些優(yōu)點使實驗者能獲得準確的神經生理學的研究結果,也是其應用較在位大腦廣泛的原因所在。

      海馬腦片是中樞神經系統(tǒng)研究中應用最為廣泛標本之一。其原因有以下幾點:

      1、海馬與腦的其它部位相對隔離,較易剝離,且剝離后受到的損傷較小

      2、海馬具有高度分化的片層結構,一方面,海馬神經環(huán)路在片層中的分布有一定的空間規(guī)律,如錐體細胞胞體分布在錐體細胞層,而雪氏側支突觸分布于輻射層,且海馬中存在一個三突觸聯系的回路,即穿通纖維-齒狀回顆粒細胞層、苔狀纖維-CA3區(qū)錐體細胞層、雪氏側支-CA1區(qū)錐體細胞層等,因此,在海馬中可以較準確地記錄到特定神經元或突觸的反應另一方面,這種板層結構有利于解釋在某一部位記錄到的細胞外場電位的意義。這些都使海馬成為電生理學研究的理想標本。本文對海馬腦片膜片鉗的操作規(guī)程及注意事項總結如下。

      一、海馬腦片的制備

      腦片制備中,海馬分離應在斷頭后10分鐘內完成,5~6分鐘為宜。在分離海馬時,還應注意不要扭轉或撕扯海馬,更不要損傷海馬。分離海馬的速度和質量是保證海馬腦片制備成功的關鍵所在。

      評價腦片活性最簡單的方法是記錄腦片上的群峰。在一個狀態(tài)良好的腦片上記錄到的群峰在一個很寬的刺激強度范圍內始終是單峰的。出現多個群峰往往提示抑制性突觸功能已受損,這是腦片最早的病理生理學改變。如果僅存在突觸前纖維群峰(Fiber Volley, FV),或FV峰大于突觸后反應,這提示腦片活性極差,有活性的突觸已所剩無幾,為激發(fā)突觸反應需要更多的突觸前纖維參與,需中止實驗。在活性較好的腦片中,FV峰幾乎探測不到,或遠遠小于突觸后反應。

      有時會莫名其妙地出現一些問題,突觸標本中突觸后神經元看上去狀態(tài)良好,但做了很多天甚至幾周都沒有得到有用的數據。在這種情況下,須要耐心地思考失敗的原因,并設法解決。首先,應該檢查溶液,用其它實驗室制備的標本或更換實驗動物。對于腦片的制備而言,切片機出現的機械故障會損壞腦片的質量??傊?,在實驗的全過程中能盡量注意每一個細節(jié)問題,出現問題后反復嘗試,實驗就會容易起來。

      二、海馬腦片的膜片鉗記錄

      1、將刺激電極放置在含突觸前纖維腦片區(qū)域附近

      在突觸傳遞的研究中,應該同時記錄突觸前和突觸后神經元的電信號,雖然,并不是所有突觸前神經元胞體的動作電位均可傳導至突觸(Vincent, 1996)。由于在突觸前和突觸后兩個神經元上同時做膜片鉗記錄較困難,因此,需要用其它的方法來誘發(fā)突觸前動作電位的發(fā)放。用刺激電極可在單個或多個突觸前細胞或軸突誘發(fā)動作電位。另外,還可以用局部施加神經 遞質的方法來誘導動作電位,如用短促的壓力、離子電泳或籠鎖谷氨酸光解等方法將谷氨酸加到突觸前胞體或軸突上,可以誘導出多個動作電位。

      用電極刺激 在神經元培養(yǎng)皿中,可以用連接了電源(通常是膜片鉗放大器)的微電極直接刺激突觸前神經元。在這種情況下,通常需要用負壓吸引使突觸前的細胞貼緊刺激電極,防止刺激電流的逸出。通過膜片鉗放大器給脈沖刺激的優(yōu)點是,它可以記錄到突觸前細胞被激活的胞外電信號(Role, 1987)。從培養(yǎng)的神經元和腦片上找到有突觸聯系的一對神經元是很困難的,但在神經元培養(yǎng)中有單個神經元的Autapic突觸就會方便許多。

      可以用膜片鉗電極或尖端較細的一對鎢電極給突觸前軸突纖維施加電壓脈沖。用電極刺激可將Ag/AgCl電極置于孵育槽中與其構成一電流回路。刺激電流一定要與膜片鉗放大器記錄電路隔離開,以防止刺激電流漏入記錄電極中,而使刺激尾跡變得很大。為此,施加刺激需要一個未接地的隔離器。隔離器可以用外界脈沖刺激或計算機來控制。另外,還需要將刺激尾跡縮小到最小,以排除其對突觸信號起始段的干擾。為達到該目的,需將刺激電路的回路電極置于合適的位置或用膜片鉗放大器提高串聯電阻補償的效率。

      刺激電極的位置 通常將刺激微電極或刺激電極置于突觸前軸突通過的部位。但有時突觸前軸突在制備腦片時即被去除。如果腦片制備時局部神經環(huán)路被破壞,實驗中就很難成功地記錄到突觸后電流。實際上,切腦片的角度是保存局部神經環(huán)路最重要的因素之一,合適的角度既可使突觸后神經元保存完好,也可保留部分較長的突觸前纖維用于電刺激。用胞外電極刺激激活的神經纖維較多,而且,每次刺激激活的纖維數目也會不同。如果實驗目的是將不同的傳導通路分開,那么,必須要證明兩個刺激電極激活的纖維各不相同。

      2、全細胞記錄

      用可視化膜片鉗尋找清楚、且表面光滑、折光性較好的突觸后神經元。在加了正壓后,將記錄電極移入腦片視野中,并接近事先選好的神經元,然后,調整電極與神經元的相對位置,利用負壓形成穩(wěn)定的高阻封接。用短簇的脈沖負壓使細胞破膜,穩(wěn)定2~3分鐘,觀察封接測試波形起始段與基線間的差值是否在100pA以內,封接電阻是否大于200M,如果是,且較 穩(wěn)定,再迅速補償串聯電阻和慢電容,舍棄串聯電阻大于30M的細胞,且在記錄過程中監(jiān)測串聯電阻的變化,當變化大于20%時,中止記錄。如果細胞狀態(tài)不好,就馬上重新制備腦片,以提高實驗效率。

      3、判斷突觸前纖維

      在記錄電刺激的突觸反應時,可以驗證刺激電極是否放置在突觸前神經元或軸突上,在實驗中,如果記錄不到突觸反應,說明刺激電極位置不正確,這時可以稍微移動刺激電極的位置。如果還記錄不到,這可能還與組織片活性較差有關,可以更換組織片或改進切片角度加以解決。電刺激方波時程一般設定為0.1~0.2ms,恒流條件下刺激強度一般為0.1~3mA,恒壓 條件下刺激強度為5~40V.4、突觸反應的判斷及其波幅穩(wěn)定性的評價

      突觸信號的判斷 突觸信號樣的假象波有三個來源。第一、鄰近纖維的活動使靜止細胞產生電壓波動第二、如果恒流刺激強度過大,電流就可被注入突觸后神經元,使其產生失活時間類似EPSP或EPSC的信號,其信號幅度隨刺激強度的變化而變化第三、直接刺激突觸后神經元誘導出突觸樣的動作電位,這種反應緊接著刺激尾跡發(fā)生,沒有翻轉電位,使突觸后 神經元膜電位超極化和向記錄電極內液中加入10mM的QX-314,均可避免突觸后神經元產生動作電位。但QX-314可阻斷多種突觸激活的通道(Otis, 1993),在某些情況下它還可以增加漏電流。

      多突觸激活 通常情況下,刺激電流可激活多個突觸前纖維,在突觸后可記錄到多種突觸信號。因此,有必要用一些選擇性阻斷劑阻斷一些不在研究范圍內的突觸活動。而且,刺激一束纖維,通常可激活多個同種的突觸前纖維。不同的刺激強度下,被激活的突觸前纖維數目不同,從而引起的突觸反應也會不同。因此,要仔細調節(jié)刺激部位和刺激強度以便能刺激到單一的軸突(Stevens, 1995;Zhang, 1994a)。

      胞內刺激突觸前細胞是刺激單個軸突最好且最穩(wěn)定的方法。甚至在單個突觸前神經元被激活后,在突觸后記錄到的反應也是由多種神經遞質共同作用的結果。多突觸活動是突觸活動的疊加效應,這包括去極化和超級化反應。在一些標本中,這是不可避免的。通常可用藥物阻斷不在研究范圍內的突觸活動。提高灌流液中鈣鎂等二價陽離子的濃度至5mM,以增加動作電位的閾值,就可以有效地減少多突觸活動。通常情況下,突觸反應是否來自單突觸可以根據如下條件來判斷潛伏時在0.5~1.5ms的范圍內,高頻刺激時突觸反應立即消失,突觸 反應的上升支和下降支較平滑,且無長潛伏時成份(Berry, 1976)。

      電刺激引起的突觸反應波幅在一定范圍內的波動是一種正常現象,但記錄過程中有電流衰減發(fā)生,當記錄過程中電流衰減大于10~15%,就必須中止實驗。如果電流衰減不可避免,就需記錄較長時間確定電流衰減的速度。低頻刺激(0.1~1Hz)下,記錄幾分鐘,觀察突觸反應波幅的相對穩(wěn)定性。

      電極內液成份與受體敏感性 在形成全細胞記錄后,胞內成份會被電極內液成份所稀釋而發(fā)生改變,但在10分鐘內即可達到平衡。因此,要記錄G蛋白耦聯受體的活性時,應向電極內液中加入10~100uM 的GTP(Trussell, 1987)。離子通道耦聯的NMDA和GABAA受體的特性在全細胞記錄過程中也會隨時間的變化而衰減。在記錄時可用多種方法來避免或減小其衰減,如提高電極內液EGTA的濃度或用BAPTA等快速絡合劑代替EGTA,使胞內鈣濃度遠遠低于1μM;向電極內液中加入mM級的ATP;采用穿孔膜片鉗記錄等。另外,電極的串聯電阻小于10MΩ或突觸距胞體較近時受體的敏感性會很快下降。

      電壓鉗制是否準確 在電壓鉗制不足的情況下,記錄突觸后電流,雖然,可以為突觸藥理學和突觸效能的活動依賴性的改變提供很有用的信息,但這些數據不能用于突觸后電流幅度和時程的準確估計。那么,我們如何判斷每次記錄時電壓鉗制的質量呢?如果突觸后電流來自樹突遠端,那么,該突觸后電流的鉗制質量就較低(Silver, 1996)。另外,還有一些判斷鉗制質量的方法,如突觸電流的上升時間較長(如AMPA受體電流的上升時間大于1ms);在某一突觸后電流的翻轉電位下可見到雙相的突觸后電流等。

      評價電壓鉗制質量最常用的方法就是在一次記錄后,繪制上升時間對下降時間曲線圖。如果上升和下降時間被樹突過濾過,則該曲線呈正相關關系,上升或下降時間與幅度間就會呈負相關關系。總之,上升時間受樹突過濾的影響要遠遠大于下降時間。因此,如果隨上升時間的變化,下降時間變化較小,這種情況下的下降時間是可靠(Hestrin, 1990)。需要注意的是,上升時間與下降時間相關性較差并不足以判斷電壓鉗制的質量。Johnston等對樹突上突觸反應的鉗制效果做了深入的討論(Brown and Johnston, 1983;Spruston, 1993)。Husser(1997)等建議用突觸電導隨鉗制電位的變化來檢測樹突突觸反應的幅度和動力學特性。

      在突觸后電流較大時也存在鉗制的偏差。這時,由電極串聯電阻引起的電壓降會影響到突觸后電流的幅度和形狀。若想驗證是否存在這個問題,可以向灌流液中加入少許受體的高親和力的阻斷劑,觀察突觸后電流的時程是否會隨其峰值的下降而變化,因為,受體的阻斷不會改變其動力學特性(Otis, 1996;Zhang, 1994b)另外,可以改變串聯電阻補償的水平,觀 察在不同的補償水平下突觸后電流會不會改變(Llano, 1991;Takahashi, 1995)。在許多情況下,有可能在發(fā)現偏差后更正突觸后電流的下降時間。值得注意的是,串聯電阻可以帶來其它的偏差,如對波形的濾波效應。盲法膜片鉗記錄中,串聯電阻通常要大于10MΩ,因此,這種影響是不可避免的。但可以用公式1/(2pRseriesCM)計算記錄系統(tǒng)的過濾水平,確定突觸后電流峰值和形狀受影響的程度。

      5、突觸反應的記錄

      現在許多實驗室都開始應用膜片鉗技術記錄培養(yǎng)神經元間、組織片中和異體移植組織中的突觸傳遞。與尖電極記錄相比,它具有明顯的優(yōu)勢。如,記錄的成功率較高,較高的信噪比,能較準確地鉗制胞電位等。膜片鉗甚至可以應用于在位突觸活動的記錄(Covey, 1996)。

      記錄自發(fā)突觸后反應 自發(fā)的突觸后反應有兩個來源。一是局部神經環(huán)路中動作電位發(fā)放引起的遞質釋放,另一個是突觸囊泡中遞質的自發(fā)釋放,后者被稱為微突觸反應(miniature synaptic event)。由于動作電位依賴性的自發(fā)突觸反應幅度與微突觸反應差別并不大,因此沒有必要將兩者區(qū)分開來。為記錄到很純的微突觸反應,可以用TTX來阻斷動作電位依賴性 自發(fā)突觸反應,另外,去除灌流液中的鈣或向其中加入鈣通道阻斷劑鎘,即可以阻斷電刺激誘發(fā)的遞質釋放。但如果多個囊泡在同一個突觸末梢中同步釋放,則以上兩種方法的效果就不同了(Korn, 1994)。

      自發(fā)性突觸活動的發(fā)放頻率通常小于幾Hz。發(fā)育期標本上,自發(fā)性突觸活動的頻率就非常低(Edwards, 1990),因此,需要記錄較長時間才能獲得足夠用于分析的突觸反應。如果自發(fā)性突觸反應的頻率很高,多個突觸的反應就會重疊在一起,就不能通過上升或下降支的時間來判斷是單個突觸反應或是多個突觸反應的疊加,從而,給數據分析帶來許多麻煩。突觸反應的頻率受溫度的影響較大(Fatt, 1952),因此,在特定的實驗中,可以通過調節(jié)灌流液的溫度來調整合適的突觸反應頻率。局部施加去極化或超極化溶液也可以誘發(fā)自發(fā)突觸活動(Bekkers, 1992;Tang, 1994)。在一些標本中,在刺激誘發(fā)的突觸反應之后,自發(fā)性突觸反應的頻率會顯著增高,在含有鍶的灌流液中尤其如此(Dodge, 1969;Goda, 1994)。這一事實可用于檢測與特定突觸活動相關的量子大小(Otis, 1996)。

      數據采集 突觸反應可用計算機軟件通過特定的采集卡采集到計算機硬盤上。記錄電刺激的突觸活動時,還須用計算機產生一個TTL脈沖以激活刺激器,并由隔離器經刺激電極刺激突觸前纖維。

      所需的數據量 電刺激所誘導的突觸信號的記錄中,其數據量取決于信噪比和信號的變異度。對電刺激誘導的全細胞電流記錄而言,高信噪比不是問題,但在記錄自發(fā)突觸信號時,信噪比就變得比較重要了。實驗前最好做預實驗,估計獲得準確的均數所需記錄的信號數。當然,也應了解給定的刺激頻率下突觸信號的穩(wěn)定性。對于電刺激誘導的突觸信號,其峰值的變異 系數較小,因此,以0.1Hz的刺激頻率記錄5~10次就足夠了。對于自發(fā)性突觸信號來說,信號峰值的變異度較大,通常大于20%,為得到較可靠的結果往往需要記錄100個以上的信號。實際上,要得出準確的變異,往往需要記錄成百上千次信號,這也是得到較可靠的信號峰值分布規(guī)律的必要條件。在低頻刺激下記錄突觸信號時,要控制系統(tǒng)誤差,使記錄保持穩(wěn)定,須要制備活性較好的標本,并要有配套的穩(wěn)定的實驗條件。精確的測量控制是保證實驗數據可靠性的基礎,而且,每次實驗都要對其進行嚴格的評價。

      6、突觸反應的分析

      (1)刺激誘發(fā)的突觸反應的分析

      突觸反應的大小和形狀 突觸電流和電位的檢測指標有潛伏時(latency)、峰值(amplitude)、10~90%上升時間(10~90% rise time)、1/2峰值時的波寬(half width)、失活的指數擬合時間常數(exponential decay curve)(圖1)。潛伏時是刺激尾跡(stimulus artifact)的起始時間到突觸電流或電位峰值的5%間的時間間隔(Zhang, 1994a),潛伏時包括幾部分的延遲突觸前軸突發(fā)放和傳播動作電位的時間、神經末梢去極化到遞質釋放的突觸延遲、遞質擴散到突觸后并引起受體激活的時間。由于遞質擴散和受體激活的速度相當快,因此,突觸延遲是突觸前神經末梢發(fā)放動作電位和出現突觸后反應間的時間間隔(Isaacson, 1995;Katz, 1965;Zhang, 1994a)。

      突觸反應的幅度是其峰值與反應前基線間的差值。信噪比較低時,須要計算突觸反應前多個點和突觸反應峰值前后多個點的均值,然后,以它們間的差值作為突觸反應的幅度。上升時間用從峰值的10%到90%的時間描述較為準確。由于潛伏時的存在,很難判斷突觸反應開始的時間和到達峰值的時間。當刺激尾跡嚴重地干擾了突觸反應起始的判斷時,也可以用20 ~80%上升段的時間來描述上升時間。突觸反應時程可以用以下幾種方法來描述:

      1、1/2峰值間的時間,它包括了上升時間和下降時間;

      2、突觸反應的下降支經多種指數擬合(如單指數擬合、雙指數擬合和多指數擬合)產生一個或多個時間常數(decay time constant)。

      圖2自發(fā)突觸反應的分析。A將膜電位鉗制于-70 mV時記錄的微小興奮性突觸后電流B 多個微小興奮性突觸后電流升支相重合的疊加圖及其波幅的直方圖。

      雙脈沖易化(paired pulse facilitation, PPF),即以較短的間隔重復刺激突觸前纖維兩次,第二次刺激誘發(fā)的突觸反應大于第一次刺激的現象,這是一種突觸前現象,它可反映突觸前遞質釋放概率的變化。

      最小刺激誘發(fā)的突觸反應 記錄最小刺激(僅能激活一個或少數幾個突觸前纖維的刺激)誘發(fā)的突觸反應可用于估計量子的大小,這種刺激有時可以誘發(fā)突觸反應(success),而有時則不能(failure),其誘導出的突觸反應的均值可用于估計單個量子的大小。

      可分析電刺激誘發(fā)的突觸反應的軟件 有許多常規(guī)軟件均可用于突觸反應的分析,如Axon公司開發(fā)的pClAMP軟件包,WaveMetrics公司開發(fā)的Igor Pro等,均可用于電刺激誘發(fā)的突觸反應的分析。

      (2)自發(fā)性突觸反應的分析

      突觸反應的檢測 目前有三種方法判斷自發(fā)性突觸反應(Hwang,1999)。第一、峰值超過即定閾值,該方法受基線波動的影響較大,這可以通過基線加以彌補第二、峰值相對于基線的變化量超過閾值,它受高頻噪聲的干擾較大,而且,很難設定一個合適的閾值,為克服這些不足,可以在處理時對原始數據進行濾波處理,除去高頻噪聲第三、與即定的波形模板進行比較,然后,判斷是否突觸反應,該方法對符合模板的突觸反應具有很高的敏感性,但在設定模板前,必須知道所要研究的突觸反應的一系列參數的范圍,如果模板設計不合理,將大大降低探測的敏感性,而且這種方式尤其不適于有信號重疊或多個突觸成份數據的分析。

      PCLAMP 9.0對自發(fā)突觸反應的分析基于波形模板,只要模板設計得當,探測概率也較高。另外,Copenhagen等用Igor Pro開發(fā)了一個分析程序minifit.ipf。該程序對第二種方法做了一些改進,分三步探測突觸反應。第一步,粗篩可能的突觸反應,包括它們的起始時間和峰值時間第二步,用突觸反應起始與峰值間的差值計算可能的突觸反應的波幅,去除波幅 小于閾值的波形第三步,對起始點之前數點和峰值時間后的多個點取平均值,以排除噪聲的影響,并計算兩者間的差值對突觸反應的峰值做更精確的估計,如果該波幅低于閾值,與會從數據庫中被刪除。除波幅閾值的判斷標準外,該程序還還引入了上升時間、下降時間和波形時程范圍等描述波形模板的參數來進一步判斷突觸反應。該程序還可用于測量突觸反應的生物物理學特征。它可計算10~90%上升時間,描述突觸反應的上升相的動力學。該程序調用了Levenberg-Marquardt非線性曲線擬合函數對突觸反應的下降相做單指數或雙指數擬合,通過雙指數擬合與單指數擬合的比較檢驗,計算其失活時間常數。該程序還提供了一個非常有用的功能,就是將所有記錄到的非連續(xù)的突觸反應以上升支的中點為基礎相疊加,做逐點平均,這樣,既可以降低噪聲,也可以計算其動力學特征參數。

      總之,腦片膜片鉗記錄成功的前提是制備活性較好的腦片,記錄條件優(yōu)化后,實驗的穩(wěn)定性、可重復性和準確性均較高,在神經科學領域應用較為廣泛。許多神經毒物可影響中樞神經系統(tǒng)的突觸傳遞功能,腦片膜片鉗技術將為實時、準確、高效地研究這些毒物作用的機制提供可靠的技術支持。

      腦片技術(1)準備樣品。

      (2)取大鼠,斷頭,在60s內快速將腦取出并置于含95%氧和5%二氧化碳的冰冷生理鹽水中冷卻3-5min用清潔、鋒利的解剖刀清除軟膜等組織,在此過程中避免擠壓和使腦變形的動作。(3)用氰丙烯酸鹽膠(Cynoacrylate glue)將其按所需方向固定于切片裝置的皿槽中,并放一塊瓊脂。即刻用冰水傾倒其上直到浸埋為止。保持腦組織在低溫狀態(tài)下以減小由于缺氧而損傷是至關重要的,并持續(xù)通氣。

      (4)用振動切片機切成400μm厚的切片,將切片移至內含32-35℃生理鹽水的記錄槽內,水中持續(xù)通以95%氧和5%二氧化碳氣

      (5)腦片放于5% CO2和95%O2飽和的Krebs堿性緩沖液5ml,在37℃下孵育5-15min平衡。(6)在35℃生理鹽水中孵育30-60min后開始記錄電活動(也有不進入這步,而直接在SS中孵育30min以上。

      不用任何消化酶、避免酶損傷離子通道。一般腦片多用于膜片鉗記錄和腦片在位的原位分子雜交。

      (1)膜片鉗技術 常用方式有:吹打清潔后封接;盲插封接。第一種方法是用帶有正壓記錄的記錄微電極吹掉靶細胞周圍的神經纖維網之后,再與細胞膜進行封接。這一過程是在紅外微分干涉相差顯微鏡直視下進行。這種方法可在較大神經元上記錄,也可在較小的神經元上記錄,甚至可在一個神經元的不同部位插上不同電極??梢赃x擇不同的細胞類型進行封接。但盲插法只要一般解剖顯微鏡即可,不需清潔,又可免去吹打對細胞及突觸結構的傷害。但它不能選擇細胞。目前已將膜片鉗技術發(fā)展到與碳纖電極相結合的優(yōu)點??梢詸z測到單個囊泡的釋放。而膜電容監(jiān)測方法難以測到胞吐和胞飲的過程。而碳纖電極原理是電化學方法,檢測碳纖電極的前端加上可使被檢測物質快速氧化的電壓(如600-800mV),使電極端面周圍產生很強的電場,當可被氧化的物質接近這個電場時,就會被氧化釋放電子到碳纖電極從而產生電流。

      根據測量的需要,通常在碳纖電極上加上恒 定電壓和周期電壓。采用恒定電壓的安培測量法具有最高的時間分辨率,而采用周期電壓的快循環(huán)電壓測定法(如采用周期三角波)則可區(qū)分被氧化物質類別。一般碳纖電極為5-10μm,電極一端與放大器相連,周圍部分的浴液必需絕緣。碳纖電極必需牢固固定,以保持剛性減小振動。而且碳纖電極的電流放大器必需要有足夠的帶寬(3-5KHz),一般膜片鉗放大器能滿足要求。普通的碳纖電極主要插于玻璃毛細管中用玻璃電極拉制器搠制??捎媚z粘接碳纖維和玻璃管以保證二者緊密結合。但碳纖電極也有一個缺點即是記錄的是細胞局部活動而非全細胞。

      (2)腦片雜交。

      (3)腦片標記,使突觸攝入放射性標記神經遞質或前體,然后神經腦片攝入,使神經末梢遞質貯存庫被選擇性標記。在37℃孵育30-60min,然后用灌流液沖洗腦片,將腦片移入小室中灌流。灌流小室由直徑5mm的玻管制面,兩 端用塞子,調整塞子位置,使小室內的體積為0.25-0.3ml。兩頭為流入管和流出管,為使腦片去極化,可加入一根鉑金絲作為刺激電極。每小室中移入2-5片腦片,用37℃灌流液灌流小室,速度為0.25-0.3ml/min,收集灌流液(每2-5min收集一次,共20-30min),測定基礎釋放量。然后用電極刺激或加入不同物質,使之去極化,測定流出液的放射性活性。用液體閃爍記數儀或HPLC電化學檢測?!妗?/p>

      (4)舉例

      海馬腦片神經元中的K+濃度測定法 先準備好振動切片機,并將所有器械將要接觸大鼠腦部位的部分放于4℃的細胞外液中。切片機切片刀先放一塊瓊脂,后腦組織可用502膠水或其它的膠張貼)成年大鼠,體重120-200g,乙醚麻醉下切開頭皮,暴露顱骨,斷頭取腦。(幼年大鼠更好,則不必切開頭皮和麻醉,可直接斷頭取腦,取腦過程中,不斷地加4℃SS,并將枕葉和額葉切除,放于切片機通氣的4℃的SS液體中)。取腦后放置于4℃,95%O2,5%CO2混合氣體飽和ACSF中凈血降溫,然后將腦置于用人工腦脊髓液預先濕潤的濾紙上,沿正中線分開大腦半球,由腦腹內側沿皮層邊緣剝離雙側海馬,在4℃供氧條件下,用刀片垂直于海馬長軸,用手切將其切成400-500μm的腦片,將全部腦片置于36℃ACSF中,并不斷通入混合氣,孵育2h,ACSF pH調節(jié)7.3-7.4。(或將腦組織放于振動切片機上,基本控制大致的位置。用切片機切成8片左右,再取其 中較好的幾片進行實驗,將腦片在SS中將丘腦部分去除,保留皮層和海馬,取海馬CA1區(qū),可以皮層的嗅溝作為標記。再的取出切片放于孵育液中,通氣的孵育30min以上,再打碎所要部分的細胞,進行實驗。)

      實驗時,將孵育腦片置于36℃恒溫浴槽內的尼龍網上,液面略高于液氣交界面,并不斷通入混合氣體供氧,氣體流量控制在400/分鐘,ACSF由蠕動泵以2-4ml/min速度持續(xù)灌流。雙極不銹剛電極置于CA3區(qū)神經纖維 上,刺激電流0.3-1nA,時間為50-150ms,Ag-AgCl作參考電極,一端連碚灌槽,另一端與離子計、示波器接地相連。用多維手動微電極推進器分別將普通及K+選擇性微電極刺入神經細胞內。兩電極尾部均經Ag-AgCl絲與ISE-1型離子計探頭相連,從離子計數字監(jiān)控表測刺激前后細胞膜電位(Em)、離子電極電位(Ee)及反應離子活度的電位(Ek=Ee-Em),并將Em, Ee顯示于示波器中,實驗后將刺激前后電極電位換算成相應神經元K+活度,并加以校正。

      在測量時,理想的配置方案是讓離子選擇性微電極和普通微電極兩者同時都在同一神經元中。那么兩電極的Em值相同。若不能在同一神經元,則多測幾次求其增均值。不過,用雙管微電極,則必須用兩個放大器?;疃葴y定一般采取校正曲線法。

      注意(1)拉制微電極時,頸部不能太長,以便于液膜和內充液的灌注。

      (2)電極硅化時,防止硅化層太厚而阻塞尖端。(3)選擇電極前,一定要先測量電極的穩(wěn)定性,選擇好的電極。(4)灌注離子交換劑時,若內有氣泡,可用手拉伸玻璃針把它引出,但要在放大100倍顯微鏡下觀察進行.(5)鉀離子選擇性電極使用前,應將電極下端浸入0.1mol/L KCl溶液內,靜置1-2h,否則電極可能會出現明顯 的電位漂移。(6)為避免電極污染,制成后不宜久放,宜于當天使用。(7)腦薄片制作時,要在冰浴中進行,以減少術中出血。且以快而不損傷組織為原則。注意盡可能剝凈腦膜,切片避免薄片變形,破裂或卷曲。(8)人工配制腦脊髓時,溶液用ddH2O及化學試劑新鮮配制。灌流液灌注速度以每分鐘灌注更新率達6-10次不宜。

      附 離子選擇性微電極,即離子敏感性微電極(ISME),其特點對細胞損傷小,可制成雙管微電極。當鉀離子選擇性微電極插入神經元內,產生電位Ee是反應細胞內K+的電位和細胞膜電位Em之和,即Ee=E+Em。另一普通微電極插入神經元內,可記錄到細胞膜電位Em,通過減法器,可得到E=Ee=Em,再通過校正雙曲線法,可求得細胞內K+離子活度。

      1單管選擇性微電極的制作(1)微電極處理 選用硬度高(GG-17)、管壁厚、或電阻率較高的玻璃毛坯,經1:1濃硫酸和濃硝酸浸泡,自來水沖洗,蒸餾水煮沸后烤干備用。用微電極拉制儀拉成小于1μm的微電極。直流電阻為50±10MΩ。

      (2)電極尖端疏水化 潔凈玻璃表面具有親水性,故充灌的非水溶性離子交換劑將很快被水相物質所取代。因而,在灌注離子交換劑前,需對電極尖端進行疏水化處理。即硅化。在直徑約15cm,高約3cm玻璃盤內放入約10根玻璃微電極。上面加蓋,蓋上有一小孔。加溫到150℃,維持15-30min以烘干電極,在小孔中滴入六甲基二硅烷約300μl,維持在150℃約40-60min,用其蒸氣硅烷化。還可將少量15%六甲基二硅烷注射到微電極轉窄處。由于存在微絲,硅化溶液會自然充入微電極頂部。注入硅化液的微電極應在室溫下靜置1h,然后置250℃烘箱同烤1h。加熱蒸去未與玻璃鍵合的硅化液組分。

      (3)離子交換劑和內部電解質溶液的灌注 將玻璃電極倒置在金屬框中,并放在250℃烘箱烘1h。冷卻后,用毛細玻璃管自尾部向硅烷化后的電極尖端注入相應的0.5mol/L KCl,至電極肩部為止。然后將玻璃管自尾部向硅烷化后的電極尖端注入相應的0.5mol/L KCl,至電極肩部為止。然后將玻璃微電極尖端1-2mm浸入Fluka K+-Cocktil 60031 10min左右,樹脂可在電極尖端形成100μm左右液柱,最后作尾部灌注時,如果硅化處理良好,樹脂注入后略加引導,會自動流向尖端,且樹脂與玻璃封接穩(wěn)定。

      (4)尾端處理 為防止水分蒸發(fā),在尾部封以礦物油,然后將Ag-AgCl絲導入。現在一般有固定的玻璃管,不必進行特殊處理了。一般拉微電極,分兩步,拉出的微電極尖端細,但尖端不長。一般第一步溫度為60.2℃,第二步為37℃。玻管應放直,否則可能拉出的玻管不正。

      2雙管微電極制作。(1)將兩單管毛坯粘在一起或火焰中封在一起。(2)拉成雙管微電極(3)在加壓下用蒸餾水充注一管,使其防止硅烷化。(4)將別一管頂端于硅酮溶液中浸5-10s,使其從頂端起200-500μm內硅化。(5)加熱干燥整個雙管電極,從20℃開始至200℃至少烤1h。(6)借助顯微鏡操縱器將其頂端頂著的瓷物撕開,通常使尖端為2-3μm。(7)用直接注射法,以0.15mol/L NaCl水溶液充注非離子選擇管。(8)將電極浸入離子交換樹劑內約10-15s,以便液體離子交換劑灌入硅化管頂端。(9)用注射法以0.5mol/L KCl灌注此管的其余部分。(10)尾端封以礦物油。然后將Ag-AgCl絲導入。

      3鉀離子選擇性微電極的保存。經硅化后電極未充液前可保存數天,最好在干燥空氣中保存。微電極保存待用時,需將其頂端浸在0.5mol/L KCl中。

      4K+選擇性微電極校準。每次測定前,要在各種不同濃度KCl(3-300mmol/L)溶液(150mmol/L NaCl作背景)測試各電極的靈敏度。KCl溶液濃度每變10倍,鉀離子選擇性微電極反映出電位斜率為50-55mV,斜率過低時,棄去不用。

      注(1)微電極多次插入和拔出細胞,其尖端可能受損或污染上雜質,使其輸出電位變得不穩(wěn)定。因而每次測量時,都要檢查插入細胞前和拔出細胞后的電位值是否一致,若不一致,則測量數據無效,應更換微電極。(2)離子選擇性微電機有測量的是離子活度,而不是離子濃度。離子活度(a)與離子濃度(c)之間關系:a=f?c。f為活度系數,主要決定于溶液的離子強度和離子電荷數,同時也在某種程度上決定于溶液的組分。因而在生物介質高離子強度下,不能再用離子濃度代替活度。(3)整個測量應在恒溫和屏蔽下進行。(4)應維持細胞的正常生理狀況。

      第四篇:心內電生理檢查及射頻消融術常規(guī)

      心內電生理檢查及射頻消融術常規(guī)

      一、術前:

      1.常規(guī)檢查:胸片、十二導聯心電圖、心臟超聲、必要時Holter、運動負荷ECG左房和肺靜脈CT、CAG(手術入路、周圍血管、栓塞可能情況-TEE除外左房血栓等)檢查。

      2.常規(guī)化驗:甲功、急查血液分析、凝血三項、離子(E4A)、生化組合(血糖、肝功、腎功、必要時查心肌肌酶譜等),抽血查肝炎病毒標志物、抗HIV、梅毒、留取尿常規(guī)、便常規(guī)等。術前血液傳染病指標(肝炎七項、抗HIV、梅毒)未回報時,須病人和其家屬同意并簽字“術后一切結果與介入手術無關”。

      3.術前簽字須病人及家屬共同簽手術協議書,除常見危險及并發(fā)癥外(見介入診治報告單),尚需交代:(1)手術不成功:(2)術后復發(fā);(3)111度AVB,安裝心臟永久起搏器,費用自理:④猝死。

      4.下醫(yī)囑、備皮(左、右側腹股溝區(qū),雙側頸、胸部)、查看押金。

      5.年齡≥40歲,術前常規(guī)服用阿斯匹林80-120mg。

      6.如術者無特殊要求,術前停用抗心律失常藥物5個半衰期以上(胺碘硐除外)。

      7.術前觸摸雙股、足背動脈搏動情況并聽診股動脈區(qū)有無血管雜音,如有異常及時記入病程記錄并通知術者。

      8.完成術前討論并詳細記錄。

      二、術后:

      1.心電圖:術后即刻、術后1~2天、出院前十二導聯心電圖,必要時隨時加做。注意觀察心率、心臟節(jié)律、P-R間期(注意有無房室傳導阻滯)、有無預激、與術前對比有無ST-T改變等。

      2.術后常規(guī)測心率、血壓、摸足背動脈、及觀察穿刺局部出血情況,即刻、每半小時一次共4次。如有病情變化,依具體情況密切觀察。書寫術后病程記錄至少1次。

      3.根據動脈或靜脈穿刺途徑決定臥床時間。如為動脈途徑,則平臥8~12小時,沙袋壓迫6小時,以后可在床上翻身或側臥,16--24小時可下床活動。如為靜脈途徑,則平臥3--6小時后下床活動(通常4小時即可下床活動)。非穿刺肢體關節(jié)可屈曲、內外翻,穿刺側下肢足部可正勾繃、側勾繃轉動。平臥時間過長或為老年病人,下床前指導病人逐漸適應不同體位(15?---30?,45?--60?),然后坐位、直立下床,以避免體位性低血壓發(fā)生。

      4.術后常規(guī)服用阿司匹林80~120mg,1/El,術后服用1~2月;兒童用量酌減。特殊抗血小板、抗凝治療見術后醫(yī)囑。

      5.如病人出現明顯胸悶、氣短、呼吸困難、心率過速或過緩,伴有對升壓藥反應不佳的血壓明顯降低,在排除其它因素(如迷走神經反射)的情況下,應考慮心包填塞的可能性并行床旁心臟超聲確診,其后及時搶救、處理。

      6.如不能排除心包填塞的可能,其處理程序如下:(1)導管室行心臟透視檢查,和/或心臟超聲檢查,診斷明確后立即行心包穿刺術;(2)如已回病房行床邊心臟超聲檢查(先心內科)及測定周圍靜脈壓;(3)病情危重高度懷疑心包填塞者行床邊心包穿刺術。(4)以上三項措 施不能湊效時,急請心外科會診,必要時行開胸心包切開術及心肌修補術。

      心內電生理檢查

      經靜脈常規(guī)放置RV-

      4、CS-10極標測電極導管。常規(guī)方法行房間隔穿刺,穿刺成功后經靜脈注入肝素5 000 U。經多功能鞘管放置長交換導絲至LSPV左上肺靜脈內,撤出多功能鞘管至右心房,由導絲定位指引路徑,將消融導管通過同一房間隔穿刺部位送至左心房,再沿導絲將多功能鞘管送至左心房。用多功能鞘管分別行選擇性逆行肺靜脈造影,測量肺靜脈口直徑,據其選擇合適的環(huán)狀標測電極導管(Lasso標測電極導管),經多功能鞘管放置環(huán)狀標測電極導管至肺靜脈口,利用不同的X線投照角度判斷環(huán)狀標測電極導管與肺靜脈口的相對關系,環(huán)狀標測電極導管的放置原則是位于臨近肺靜脈開口心房側且盡可能與肺靜脈長軸垂直。行常規(guī)心內電生理檢查,包括右心房和冠狀靜脈竇近、遠端程序刺激。消融靶點的確定

      在竇性、房性心律或冠狀靜脈竇起搏下對PV和VC逐一標測,順序為左上肺靜脈(LSPV)、左下肺靜脈(L IPV)、右上肺靜脈(RSPV)、右下肺靜脈(R IPV)、和上腔靜脈(SVC)。采用雙極腔內電圖記錄的方法,記錄并分析肺靜脈電位(PVP)和房性心律失常的電活動激動順序和頻率。在PV內記錄到高頻、高振幅、碎裂、銳利的電位為PVP。在竇性、房性心律和心房不同部位起搏時,根據從心房向靜脈內的電傳導和肺靜脈電位的激動順序確定消融靶點。消融靶點為在竇性心律或冠狀靜脈竇近、遠端起搏時,肺靜脈口記錄的最早肺靜脈激動點和最短的心房靜脈電位間期, 或心房和靜脈電位融合處。

      消融方法

      使用冷鹽水灌注消融導管, 消融溫度45~50℃,射頻功率25~35 W,放電時給予鹽水速度為20 ml/min。在環(huán)狀標測電極導管指引下,竇性、房性心律或冠狀靜脈竇P/D起搏時放電治療,治療過程中可見PVP的變化,即激動順序改變、電位幅度變小、延遲或消失,有效部位持續(xù)放電消融60 s。每根PV通常需要進行2次或2次以上的節(jié)段消融從而完成完全電隔離。重復心內電生理檢查,電隔離成功的標志為消融后無持續(xù)性房性早搏(房早)或房顫;在竇性心律或冠狀靜脈竇遠端起搏下環(huán)狀標測電極導管記錄到的靜脈電位完全消失;靜脈內自律性電活動與心房電活動分離,存在傳入或傳出阻滯。肺靜脈電位標測

      術中準確清晰地顯示PVP是確定靶靜脈、成功隔離PV和判斷治療終點的關鍵。通常在靜脈開口處可記錄到低振幅、圓鈍的心房電位和高頻、碎裂、銳利、高振幅的靜脈電位。研究表明,單極標測技術比雙極標測技術可更精確地進行消融靶點定位,提高對肺靜脈隔離成功與否判斷的準確性,從而提高消融成功率、減少能量釋放、縮短透視時間。另有研究顯示,心房不同部位刺激有益于PVP的標測、消融靶點和終點的判斷,及術后殘余電位和可疑PVP性質的鑒別,心房不同部位的刺激使心房和PV按不同順序激動, PVP和遠場心房電位間距發(fā)生變化, 從而使原被掩蓋的PVP得以顯現。本組病例行肺靜脈電隔離時,左肺靜脈標測常規(guī)行冠狀靜脈竇遠端刺激,右肺靜脈標測常規(guī)行冠狀靜脈竇口刺激,以求清晰顯示PVP(相應側近距離刺激)。

      肺靜脈電極導管的操作

      肺靜脈內標測與消融電極導管的放置是肺靜脈電隔離的前提。操控標測與消融電極導管進入左、右上肺靜脈和左下肺靜脈一般沒有困難。右下肺靜脈由于其解剖特點,電極導管的操控較困難,其操作要點為避免房間隔穿刺部位過高;充分利用X線透視體位,多采用右前斜位30°;于右下肺靜脈上方,電極導管遠端在心房側收彎后,逆鐘相旋轉貼靠左心房側后壁,然后松彎回撤電極導管,電極導管自行彈入靜脈口,如不成功可重復上述操作過程。肺靜脈電隔離部位

      研究提示 ,環(huán)繞肺靜脈的肌袖樣組織延續(xù)到肺靜脈前庭(pulmonary vein antrum),隔離肺靜脈的消融線應在肺靜脈前庭與左心房之間,可提高治療成功率,降低PV狹窄的發(fā)生率。靜脈與心房連接處的確定可根據肺靜脈影像資料、局部心房和靜脈的電位特征及消融電極導管在連接處的滑動現象。(定位問題:相對準確)本組病例標測和消融均在肺靜脈口外心房側,術后即刻靜脈電隔離成功率為9516%,治療成功率為7510% ,未發(fā)生有臨床意義的肺靜脈狹窄。

      肺靜脈電隔離終點 中華醫(yī)學會心電生理和起搏分會房顫專家工作組關于“心房顫動的肺靜脈和腔靜脈電隔離治療—目前的認識和建議”(2004)中提出了大靜脈電隔離的治療終點。但研究發(fā)現[ 15 ]AF電隔離術存在傳入阻滯時,約42%的病例不伴有傳出阻滯,部分病例短時間內恢復了肺靜脈傳導,提示進一步評價靜脈至心房電傳導的重要性。本組病例成功隔離大靜脈110根,其中靜脈電位完全消失者86根;靜脈內自律性電活動與心房電活動分離,存在傳入和傳出阻滯16根,存在傳入或傳出阻滯8根。本組病例在完成電隔離治療后,再次標測電隔離后的肺靜脈,避免短時間內恢復電傳導,降低復發(fā)率。

      通過射頻消融的方法隔離大靜脈與心房間的解剖或電學連接,可使9516%的心臟大靜脈達到完全電學隔離,使70%以上的PAF病例不再發(fā)作或發(fā)作明顯減少。PV和VC射頻消融電隔離治療現已成為PAF的有效治療方法之一。

      術后常規(guī)華法林抗凝治療3個月,華法林抗凝治療未起效時給予低分子肝素治療。術后抗凝治療持續(xù)時間的長短取決于患者AF發(fā)生情況和有無PV狹窄。術后門診隨訪,行臨床癥狀詢問和體表心電圖、動態(tài)心電圖復查。

      第五篇:宮腔鏡檢查的適應癥及禁忌癥

      婦科宮腔鏡的技術優(yōu)勢及治療適應癥

      來安縣家寧醫(yī)院婦產科

      一 宮腔鏡的技術優(yōu)勢?

      宮腔鏡是一種新興的微創(chuàng)婦科診療技術,用于子宮腔內檢查和治療的內窺鏡。在完全無痛情況下,可直接清楚地觀察患者宮腔內情況,不僅能確定病灶存在的部位、大小、外觀和范圍,而且能對病灶表面的組織結構進行細致的觀察,了解致病因素,同時對異常情況做手術治療。是目前國際上最先進的檢查和治療方法。

      二、宮腔鏡針對不孕患者的主要作用

      1、可以清楚的觀察不孕患者宮腔內情況,了解有無導致不孕的宮腔內因素,同時可對異常情況做必要的手術治療,如子宮內膜息肉摘除、子宮粘膜下肌瘤剔除、宮腔粘連分離等。

      2、可以做宮腔鏡下輸卵管插管疏通術,檢查輸卵管的通暢性,如發(fā)現輸卵管通而不暢或阻塞,可同時做疏通治療,效果非常好。

      三、宮腔鏡檢查適應癥

      對疑有任何形式的宮腔內病變或需要對宮腔內病變做出診斷及治療者,均為宮腔內檢查的適應癥。

      1、異常子宮出血、生育期、圍絕經期及經后出現的異常出血,月經過多、過頻、經期延長,不規(guī)則流血,以及絕經前后子宮出血,是宮腔鏡檢查的主要適應癥。

      2、異常宮腔內聲像學所見,宮腔鏡檢查可以對宮腔內病變進行確認、定位、對可疑之處還可定位活檢進行組織細胞學檢查。不育癥(不孕、習慣性流產)觀察宮腔及輸卵管開口的解剖學形態(tài),是否存在子宮畸形、宮壁粘連、粘膜肌瘤等。觀察子宮內膜的發(fā)育情況,是否存在內膜增生或內膜息肉。

      3、三苯氧胺或HRT等激素治療引起的生理或特殊改變。

      4、繼發(fā)痛經、粘膜下肌瘤、內膜息肉、宮腔粘連等宮內異常,宮腔鏡應為首選檢查方法。

      5、子宮內膜癌的分期,觀察有無侵犯頸管的粘連面。

      6、子宮肌瘤,為多發(fā)性子宮肌瘤選擇手術方式時,需進行宮腔鏡檢查,確定有無粘膜下肌瘤。

      7、檢查宮內節(jié)育器,觀察節(jié)育器的位置是否正常。

      8、陰道異常排液。

      三、宮腔鏡手術適應癥

      1、子宮內膜切除術—久治無效的異常子宮出血,排出惡性疾患0子宮8-9周妊娠大小,子宮10-12CM

      2、子宮肌瘤切除術—粘膜下肌瘤4—5cm,月經過多或異常出血子宮限于10周妊娠大小,宮腔限于12cm。

      3、有癥狀的子宮內膜息肉,除外息肉惡性變。

      4、有癥狀的子宮完全縱隔和不完全縱隔。

      5、有癥狀的宮腔粘連患者。

      6、宮腔鏡宮腔內異物取出—包括:IUD、胚物、胎骨、存留的縫線等。

      7、宮頸電切術—宮頸炎、宮頸息肉等。

      四、宮腔鏡檢查與治療具有如下優(yōu)點

      1、不需開腹手術,方法簡易、安全、經濟,效果滿意;

      2、可減少輸卵管假阻塞現象,能明確的分側檢查輸卵管通暢度,尤其適用于輸卵管通而不暢(管腔內部分粘連)或近端阻塞者;

      3、如在B超或腹腔鏡監(jiān)視下檢查,能觀察到輸卵管有無膨脹、傘端是否有液體流出及流出的形態(tài)等,從而對輸卵管做出全面評估。

      五、宮腔鏡治療的禁忌癥

      1、宮腔過度狹小或宮頸過窄者。

      2、近三個月內有子宮穿孔或子宮手術史者。

      3、活動性子宮出血(少量出血或特殊指征者例外)

      4、急性或亞急性生殖道感染者。

      5、宮頸惡性腫瘤。

      6、生殖道結核,未經適當抗結核治療者。

      7、嚴重心、肺、肝、腎等疾患,代謝性酸中毒等難以忍受者。

      8、體溫≥37.5攝氏度者。

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