第一篇：薄膜物理與技術(shù)要點(diǎn)總結(jié)

最可幾速率:根據(jù)麥克斯韋速率分布規(guī)律,可以從理論上推得分子速率在vm處有極大值,vm稱(chēng)為最可幾速率2kT?2RT?1.RT

?,Vm速度分布平均速度:kTm?m?1.RT,分子運(yùn)動(dòng)平均距離 均方根速度:?1.平均動(dòng)能真空的劃分：粗真空、低真空、高真空、超高真空。

真空計(jì)：利用低壓強(qiáng)氣體的熱傳導(dǎo)和壓強(qiáng)有關(guān)；(熱偶真空計(jì))利用氣體分子電離；（電離真空計(jì)）

真空泵：機(jī)械泵、擴(kuò)散泵、分子泵、羅茨泵機(jī)械泵：利用機(jī)械力壓縮和排除氣體

擴(kuò)散泵:利用被抽氣體向蒸氣流擴(kuò)散的想象來(lái)實(shí)現(xiàn)排氣作用 分子泵:前級(jí)泵利用動(dòng)量傳輸把排氣口的氣體分子帶走獲得真空

第二章

1.什么是飽和蒸氣壓？蒸發(fā)溫度？

飽和蒸氣壓：在一定溫度下，真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過(guò)程中所表現(xiàn)出的壓力

蒸發(fā)溫度：物質(zhì)在飽和蒸氣壓為10-2托時(shí)的溫度。

2.克--克方程及其意義？

克-克方程dP??dTH?，可以知道飽和蒸氣壓和溫度的關(guān)系，對(duì)于薄膜的制作技術(shù)有重要實(shí)際意義, 幫助我們合理地選擇T(Vg?Vs)

蒸發(fā)材料和確定蒸發(fā)條件.3.蒸發(fā)速率、溫度變化對(duì)其的影響？在蒸發(fā)源以上溫度蒸發(fā)，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可以引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。

4.平均自由程與碰撞幾率的概念?氣體分子處于不規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)狀態(tài),每個(gè)氣體分子在連續(xù)兩次碰撞之間的路程稱(chēng)為“自由程”,其統(tǒng)計(jì)平均值稱(chēng)為“平均自由程”.蒸發(fā)材料分子能與真空室中殘余氣體分子相互碰撞的數(shù)目占總的蒸發(fā)材料分子的百分?jǐn)?shù)

5.點(diǎn)蒸發(fā)和小平面蒸發(fā)源特性？

點(diǎn)蒸發(fā)源：能夠從各個(gè)方向蒸發(fā)等量材料 小平面蒸發(fā)源：發(fā)射具有方向性，使在?角方向蒸發(fā)的材料質(zhì)量和cos?成正比。

6.拉烏爾定律？如何控制合金薄膜的組分？

拉烏爾定律：在定溫下，在稀溶液中，溶劑的蒸氣壓等于純?nèi)軇┱魵鈮撼艘匀芤褐腥軇┑奈镔|(zhì)的量分?jǐn)?shù)。為保證薄膜組成，經(jīng)常采用瞬時(shí)蒸發(fā)法、雙蒸發(fā)源法（將要形成合金的每一成分，分別裝入各自的蒸發(fā)源中，然后獨(dú)立地控制其蒸發(fā)速率，使達(dá)到基板的各種原子符合組成要求。）

7.MBE的特點(diǎn)？

（1）是以系統(tǒng)中的四級(jí)質(zhì)譜儀、原子吸收光譜等儀器,精密的監(jiān)測(cè)分子束的強(qiáng)度和種類(lèi),從而嚴(yán)格控制生長(zhǎng)過(guò)程和生長(zhǎng)速率

（2）膜的組分和摻雜濃度可隨源的變化迅速做出調(diào)整。

（3）襯底溫度低，降低了界面上熱膨脹引起的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)對(duì)外延層的自摻雜擴(kuò)散影響。

（4）是一個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程，它可以生長(zhǎng)按照普通熱平衡生長(zhǎng)方法難以生長(zhǎng)的薄膜。

（5）生長(zhǎng)速率低，有利于實(shí)現(xiàn)精確控制厚度、結(jié)構(gòu)與成分和形成陡峭異質(zhì)結(jié)

（6）可用多種分析儀器實(shí)時(shí)觀察生長(zhǎng)面上的成分、結(jié)構(gòu)和生長(zhǎng)過(guò)程，有利于科學(xué)研究

8.膜厚的定義？監(jiān)控方法？膜厚的定義，應(yīng)該根據(jù)測(cè)量的方法和目的來(lái)決定。稱(chēng)重法（微量天平法石英晶體振蕩法）電學(xué)方法（電阻法 電容法 電離式監(jiān)控記法）光學(xué)方法（光吸收法 光干涉法等厚干涉條紋法）觸針?lè)ǎú顒?dòng)變壓器法阻抗放大法壓電元件法

第三章

1.濺射鍍膜和真空鍍膜的特點(diǎn)？1.任何物質(zhì)都可以濺射，尤其是高熔點(diǎn)、低蒸氣壓元素化合物2.濺射膜和基板的附著性好

3.濺射鍍膜密度高，針孔少，且膜層的純度較高4.膜度可控性和重復(fù)性好

2.正常輝光放電和異常輝光放電的特征

正常輝光放電：在一定電流密度范圍內(nèi)，放電電壓維持不變。

異常輝光放電：電流增大時(shí)，放電電極間電壓升高，且陰極電壓降與電流密度和氣體壓強(qiáng)有關(guān)。

3.射頻輝光放電的特點(diǎn)？

1.在輝光放電空間產(chǎn)生的電子可以獲得足夠的能量，足以產(chǎn)生碰撞電離；2.由于減少了放電對(duì)二次電子的依賴(lài)，降低了擊穿電壓；3.射頻電壓可以通過(guò)各種阻抗偶合，所以電極可以是非金屬材料。

4.濺射的概念及濺射參數(shù)？

濺射是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或者分子從表面射出的現(xiàn)象。

1.濺射閾值2.濺射率及其影響因素3.濺射粒子的速度和能量分布4.濺射原子的角度分布5.濺射率的計(jì)算

5.濺射機(jī)理？

1.濺射率隨入射離子能量增大而增大,在離子能量達(dá)到一定程度后,由于離子注入效應(yīng),濺射率減??；2.濺射率的大小與入射離子的質(zhì)量有關(guān)；3.當(dāng)入射離子能量小于濺射閾值時(shí)，不會(huì)發(fā)生濺射；

4.濺射原子的能量比蒸發(fā)原子大許多倍；5.入射離子能量低時(shí)，濺射原子角度分布不完全符合余弦定律，與入射離子方向有關(guān)；6.電子轟擊靶材不會(huì)發(fā)生濺射現(xiàn)象。

6.二極直流濺射、偏壓濺射、三極或四極濺射、射頻濺射、磁控濺射、離子束濺射結(jié)構(gòu)及原理？

二極直流濺射靶材為良導(dǎo)體,依靠氣體放電產(chǎn)生的正離子飛向陰極靶，一次電子飛向陽(yáng)極，放電依靠正離子轟擊陰極所產(chǎn)生的二次電子，經(jīng)陰極加速后被消耗補(bǔ)充的一次電子維持。

三極或四極濺射:熱陰極發(fā)射的電子與陽(yáng)極產(chǎn)生等離子體,靶相對(duì)于該等離子體為負(fù)電位.為把陰極發(fā)射的電子全部吸引過(guò)來(lái)，陽(yáng)極上加正偏壓，20V左右。為使放電穩(wěn)定，增加第四個(gè)電極——穩(wěn)定化電極.偏壓濺射:基片施加負(fù)偏壓,在淀積過(guò)程中，基片表面將受到氣體粒子的穩(wěn)定轟擊，隨時(shí)消除可能進(jìn)入薄膜表面的氣體，有利于提高薄膜純度，并且也可除掉粘除力弱的淀積粒子，對(duì)基片進(jìn)行清洗，表面凈化，還可改變淀積薄膜的結(jié)構(gòu)。

射頻濺射:可以用射頻輝光放電解釋。等離子體中的電子容易在射頻場(chǎng)中吸收能量并在電場(chǎng)內(nèi)振蕩，與工作氣體的碰撞幾率增大，從而使擊穿電壓和放電電壓顯著降低。

磁控濺射：使用了磁控靶,施加磁場(chǎng)來(lái)改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，束縛并延長(zhǎng)電子運(yùn)動(dòng)軌跡，進(jìn)而提高電子對(duì)工作氣體的電離效率和濺射沉積率。在陰極靶的表面上形成一個(gè)正交的電磁場(chǎng)。濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速成為高能電子，但是它并不直接飛向陽(yáng)極，而在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下作擺線(xiàn)運(yùn)動(dòng)。高能電子束縛在陰極表面與工作氣體分子發(fā)生碰撞，傳遞能量，并成為低能電子。

離子束濺射:離子源、屏蔽罩。由大口徑離子束發(fā)生源引出惰性氣體，使其照射在靶上產(chǎn)生建設(shè)作用，利用濺射出的粒子淀積在基片上制得薄膜。

第四章

1.離子鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)？

優(yōu)點(diǎn)：（1）膜層的附著性好。利用輝光放電產(chǎn)生的大量高能粒子對(duì)基片進(jìn)行清洗，在膜基界面形成過(guò)渡層或膜材與基材的成分混合層，有效的改善膜層的附著性能（2）膜層的密度高（通常和大塊材料密度相同）。（3）繞射性能好。（4）可鍍材質(zhì)范圍廣泛（5）有利于化合物膜層的形成（6）淀積速率高，成膜速率快，可鍍較厚的膜。

缺點(diǎn)：（1）膜層的缺陷密度高（2）高能粒子轟擊基片溫度高，需要進(jìn)行冷卻。

2.離子鍍膜系統(tǒng)工作的必要條件？

必要條件：造成一個(gè)氣體放電的空間；將鍍料原子(金屬原子或非金屬原子)引進(jìn)放電空間，使其部分離化。

成膜條件： n?nj

3.離子鍍膜技術(shù)的分類(lèi)？

直流二極型離子鍍、三極和多陰極型離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍膜、射頻離子鍍膜技術(shù)、4.直流二極濺射、三極和多陰極離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍的原理和特點(diǎn)？

直流二極型離子鍍是利用二極間的輝光放電產(chǎn)生離子、并由基板所加的負(fù)電壓對(duì)其加速。

特點(diǎn)：轟擊離子能量大，引起基片溫度升高，薄膜表面粗糙，質(zhì)量差；工藝參數(shù)難于控制。設(shè)備簡(jiǎn)單，技術(shù)容易實(shí)現(xiàn)，用普通真空鍍膜機(jī)就可以改裝，因此也具有一定實(shí)用價(jià)值。附著力好。

三極和多陰極型離子鍍

特點(diǎn)：可實(shí)現(xiàn)低氣壓下的離子鍍膜，鍍膜質(zhì)量好，光澤致密；多陰極方式中，陰極電壓在200V就能在10-3 Torr左右開(kāi)始放電；改變輔助陰極(多陰極)的燈絲電流來(lái)控制放電狀態(tài)；燈絲處于基板四周，擴(kuò)大了陰極區(qū)、改善了繞射性，減少了高能離子對(duì)工件的轟擊作用.活性反應(yīng)離子鍍：并用各種不同的放電方式使金屬蒸氣和反應(yīng)氣體的分子、原子激活、離化、使其活化，促進(jìn)其間的化學(xué)反應(yīng)，在基片表面就可以獲得化合物薄膜

特點(diǎn)：增加了反應(yīng)物的活性，在溫度較低的情況下就能獲得附著性能良好的碳化物、氮化物薄膜；可以在任何材料上制備薄膜，并可獲得多種化合物薄膜；淀積速率高；調(diào)節(jié)或改變蒸發(fā)速率及反應(yīng)氣體壓力可以十分方便地制取不同配比、不同結(jié)構(gòu)、不同性質(zhì)的同類(lèi)化合物；由于采用了大功率、高功率密度的電子束蒸發(fā)源，幾乎可以蒸鍍所有金屬和化合物；清潔，無(wú)公害。射頻離子鍍：通過(guò)分別調(diào)節(jié)蒸發(fā)源功率、線(xiàn)圈的激勵(lì)功率、基板偏壓等，可以對(duì)上述三個(gè)區(qū)域進(jìn)行獨(dú)立的控制，由此可以在一定程度上改善膜層的物性。

特點(diǎn)：蒸發(fā)、離化、加速三種過(guò)程可分別獨(dú)立控制，離化率靠射頻激勵(lì)，基板周?chē)划a(chǎn)生陰極暗區(qū)；較低工作壓力下也能穩(wěn)定放電，而且離化率較高，薄膜質(zhì)量好；容易進(jìn)行反應(yīng)離子鍍；基板溫升低而且較容易控制；工作真空度較高，故鍍膜的繞射性差，射頻對(duì)人體有害；可以制備敏感、耐熱、耐磨、抗蝕和裝飾薄膜。

第五章

1.CVD熱力學(xué)分析的主要目的？

CVD熱力學(xué)分析的主要目的是預(yù)測(cè)某些特定條件下某些CVD反應(yīng)的可行性（化學(xué)反應(yīng)的方向和限度）。在溫度、壓強(qiáng)和反應(yīng)物濃度給定的條件下，熱力學(xué)計(jì)算能從理論上給出沉積薄膜的量和所有氣體的分壓，但是不能給出沉積速率。熱力學(xué)分析可作為確定CVD工藝參數(shù)的參考

2.CVD過(guò)程自由能與反應(yīng)平衡常數(shù)的過(guò)程判據(jù)？?Gr與反應(yīng)系統(tǒng)的化學(xué)平衡常數(shù) KP 有關(guān)。?Gr??2.3RTlogKPnmKP?Pi(生成物)P（反應(yīng)物）ji?1j?1??

3.CVD熱力學(xué)基本內(nèi)容？反應(yīng)速率及其影響因素？

按熱力學(xué)原理，化學(xué)反應(yīng)的自由能變化? Gr可以用反應(yīng)物和生成物的標(biāo)準(zhǔn)自由能?Gf

?Gf(生成物)??Gf(反應(yīng)物)來(lái)計(jì)算，即? Gr?

?E?較低襯底溫度下，τ隨溫度按指數(shù)規(guī)律變化。較高襯底溫度下，反應(yīng)物及副產(chǎn)物的擴(kuò)散速率為決定反應(yīng)速率??AeRT的主要因素。

4.熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)及化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)及其特點(diǎn)？

熱分解反應(yīng)：在簡(jiǎn)單的單溫區(qū)爐中，在真空或惰性氣體保護(hù)下加熱基體至所需溫度后，導(dǎo)入反應(yīng)物氣體使之發(fā)生熱分解，最后在基體上沉積出固體圖層。

特點(diǎn)：主要問(wèn)題是源物質(zhì)的選擇和確定分解溫度。選擇源物質(zhì)考慮蒸氣壓與溫度的關(guān)系，注意在該溫度下的分解產(chǎn)物中固相僅為所需沉積物質(zhì)。

化學(xué)合成反應(yīng)：化學(xué)合成反應(yīng)是指兩種或兩種以上的氣態(tài)反應(yīng)物在熱基片上發(fā)生的相互反應(yīng)。

特點(diǎn)：比熱分解法的應(yīng)用范圍更加廣泛?？梢灾苽鋯尉?、多晶和非晶薄膜。容易進(jìn)行摻雜。

化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)：將薄膜物質(zhì)作為源物質(zhì)（無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)），借助適當(dāng)?shù)臍怏w介質(zhì)與之反應(yīng)而形成氣態(tài)化合物，這種氣態(tài)化合物經(jīng)過(guò)化學(xué)遷移或物理輸運(yùn)到與源區(qū)溫度不同的沉積區(qū)，在基片上再通過(guò)逆反應(yīng)使源物質(zhì)重新分解出來(lái)，這種反應(yīng)過(guò)程稱(chēng)為化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)。

? T = T特點(diǎn)：T1 ?2不能太大；平衡常數(shù)KP接近于1。

5.CVD的必要條件？

1.在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室；

2.反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；3.沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓，6.什么是冷壁CVD？什么是熱壁CVD？特點(diǎn)是什么？

冷壁CVD：器壁和原料區(qū)都不加熱，僅基片被加熱，沉積區(qū)一般采用感應(yīng)加熱或光輻射加熱。缺點(diǎn)是有較大溫差，溫度均勻性問(wèn)題需特別設(shè)計(jì)來(lái)克服。適合反應(yīng)物在室溫下是氣體或具有較高蒸氣壓的液體。

熱壁CVD：器壁和原料區(qū)都是加熱的，反應(yīng)器壁加熱是為了防止反應(yīng)物冷凝。管壁有反應(yīng)物沉積，易剝落造成污染。

7.什么是開(kāi)管CVD？什么是閉管CVD？特點(diǎn)是什么？

開(kāi)口CVD的特點(diǎn)：能連續(xù)地供氣和排氣； 反應(yīng)總處于非平衡狀態(tài)；在大多數(shù)情況下，開(kāi)口體系是在一個(gè)大氣壓或稍高于一個(gè)大氣壓下進(jìn)行的；開(kāi)口體系的沉積工藝容易控制，工藝重現(xiàn)性好，工件容易取放，同一裝置可反復(fù)多次使用；有立式和臥式兩種形式。

閉管法的優(yōu)點(diǎn)：污染的機(jī)會(huì)少，不必連續(xù)抽氣保持反應(yīng)器內(nèi)的真空，可以沉積蒸氣壓高的物質(zhì)。缺點(diǎn)：材料生長(zhǎng)速率慢，不適合大批量生長(zhǎng)，一次性反應(yīng)器，生長(zhǎng)成本高；管內(nèi)壓力檢測(cè)困難等。關(guān)鍵環(huán)節(jié)：反應(yīng)器材料選擇、裝料壓力計(jì)算、溫度選擇和控制等。

8.什么是低壓CVD和等離子CVD？

低壓CVD:氣相輸運(yùn)和反應(yīng).低壓下氣體擴(kuò)散系數(shù)增大,使氣態(tài)反應(yīng)物和副產(chǎn)物的質(zhì)量傳輸速率加快,形成薄膜的反應(yīng)速率增加 等離子CVD:等離子體參與的利用在等離子狀態(tài)下粒子具有的較高能量,使沉積溫度降低化學(xué)氣相沉積稱(chēng)為等離子化學(xué)氣相沉積。

第六章

1.什么是化學(xué)鍍？它與化學(xué)沉積鍍膜的區(qū)別？

化學(xué)鍍膜是指在還原劑的作用下，使金屬鹽中的金屬離子還原成原子，在基片表面沉積的鍍膜技術(shù)，又稱(chēng)無(wú)電源電鍍?；瘜W(xué)鍍不加電場(chǎng)、直接通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)薄膜沉積。

化學(xué)鍍膜的還原反應(yīng)必須在催化劑的作用下才能進(jìn)行，且沉積反應(yīng)只發(fā)生在基片表面上。

化學(xué)沉積鍍膜的還原反應(yīng)是在整個(gè)溶液中均勻發(fā)生的，只有一部分金屬在基片上形成薄膜，大部分形成粉粒沉積物。

2.自催化鍍膜的特點(diǎn)？

1.可以在復(fù)雜形狀表面形成薄膜；2.薄膜的孔隙率較低；3.可直接在塑料、陶瓷、玻璃等非導(dǎo)體表面制備薄膜；4.薄膜具有特殊的物理、化學(xué)性能；5.不需要電源，沒(méi)有導(dǎo)電電極。

3.Sol-Gel鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)和主要過(guò)程？

優(yōu)點(diǎn)：高度均勻性；高純度；可降低燒結(jié)溫度；可制備非晶態(tài)薄膜；可制備特殊材料（薄膜、纖維、粉體、多孔材料等）。缺點(diǎn)：原料價(jià)格高；收縮率高，容易開(kāi)裂；存在殘余微氣孔；存在殘余的羥基、碳等；有機(jī)溶劑有毒。

主要過(guò)程：復(fù)合醇鹽的制備；成膜（勻膠、浸漬提拉）；水解和聚合；干燥；焙燒。

4.陽(yáng)極氧化鍍膜和電鍍的原理和特點(diǎn)？

金屬或合金在適當(dāng)?shù)碾娊庖褐凶鳛殛?yáng)極，并施加一定的直流電壓，由于電化學(xué)反應(yīng)在陽(yáng)極表面形成氧化物薄膜的方法，稱(chēng)為陽(yáng)極氧化技術(shù)。特點(diǎn)： 得到的氧化物薄膜大多是無(wú)定形結(jié)構(gòu)。由于多孔性使得表面積特別大，所以顯示明顯的活性，既可吸附染料也可吸附氣體；化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的超硬薄膜耐磨損性強(qiáng)，用封孔處理法可將孔隙塞住，使薄膜具有更好耐蝕性和絕緣性；利用著色法可以使膜具有裝飾效果。??

電鍍的特點(diǎn)：膜層缺陷：孔隙、裂紋、雜質(zhì)污染、凹坑等；上述缺陷可以由電鍍工藝條件控制； 限制電鍍應(yīng)用的最重要因素之一是拐角處鍍層的形成；在拐角或邊緣電鍍層厚度大約是中心厚度的兩倍；多數(shù)被鍍件是圓形，可降低上述效應(yīng)的影響。

5.什么是LB技術(shù)？LB薄膜的種類(lèi)？LB薄膜的特點(diǎn)？

（LB技術(shù)）是指把液體表面的有機(jī)單分子膜轉(zhuǎn)移到固體襯底表面上的一種成膜技術(shù)。得到的有機(jī)薄膜稱(chēng)為L(zhǎng)B薄膜。種類(lèi)：X型膜（薄膜每層分子的親油基指向基片表面）、Y型膜（薄膜每層分子的親水基與親水基相連，親油基與親油基相連）、Z型膜（薄膜每層分子的親水基指向基片表面）

優(yōu)點(diǎn)：LB薄膜中分子有序定向排列,這是一個(gè)重要特點(diǎn);很多材料都可以用LB技術(shù)成膜,LB膜有單分子層組成，它的厚度取決于分子大小和分子的層數(shù);通過(guò)嚴(yán)格控制條件,可以得到均勻、致密和缺陷密度很低的LB薄膜;設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便

缺點(diǎn)：成膜效率低；LB薄膜均為有機(jī)薄膜，包含了有機(jī)材料的弱點(diǎn)；LB薄膜厚度很薄，在薄膜表征手段方面難度較大。

第七章

1.薄膜形成的基本過(guò)程描述？

薄膜形成分為：凝結(jié)過(guò)程、核形成與生長(zhǎng)過(guò)程、島形成與結(jié)合生長(zhǎng)過(guò)程。

2.什么是凝聚？入射原子滯留時(shí)間、平均表面擴(kuò)散時(shí)間、平均擴(kuò)散距離的概念？

凝聚：吸附原子結(jié)合成原子對(duì)及其以后的過(guò)程

入射原子滯留時(shí)間：入射到基體表面的原子在表面的平均滯留時(shí)間?a與吸附能Ed之間的關(guān)系為?a??0exp(Ed/kT)平均表面擴(kuò)散時(shí)間：吸附原子在一個(gè)吸附位置上的停留時(shí)間稱(chēng)為平均表面擴(kuò)散時(shí)間，用?D表示。它和表面擴(kuò)散能ED之間的關(guān)系是?D??0'exp(ED/kT)。

平均擴(kuò)散距離：吸附原子在表面停留時(shí)間經(jīng)過(guò)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所移動(dòng)的距離（從起始點(diǎn)到終點(diǎn)的間隔）稱(chēng)為平均表面擴(kuò)散時(shí)間，并用x表示，它與吸附能Ed和擴(kuò)散能ED之間的關(guān)系為x?a0exp??Ed?ED?/kT?

3.什么是捕獲面積？對(duì)薄膜形成的影響？

捕獲面積：吸附原子的捕獲面積 SD?Nno

S當(dāng) ?? 2 時(shí)，每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)只有一個(gè)原子，故不能形成原子對(duì)，也不能產(chǎn)生凝結(jié)。當(dāng)1?S ? ?2時(shí)，發(fā)生部分凝結(jié)。平均每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)有一個(gè)或兩個(gè)吸附原子，可形成原子對(duì)或三原子團(tuán)。在滯留時(shí)間內(nèi)，一部分吸附原子有可能重新蒸發(fā)掉。當(dāng) S ?? 1 時(shí)，每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)至少有兩個(gè)吸附原子?？尚纬稍訉?duì)或更大的原子團(tuán)，從而達(dá)到完全凝結(jié)。

4.凝聚過(guò)程的表征方法？

凝結(jié)系數(shù)（單位時(shí)間內(nèi)，完全凝結(jié)的氣相原子數(shù)與入射到基片表面上的總原子數(shù)之比）、粘附系數(shù)（單位時(shí)間內(nèi)，再凝結(jié)的氣相原子數(shù)與入射到基片表面上的總原子數(shù)之比）、熱適應(yīng)系數(shù)（表征入射氣相（或分子）與基體表面碰撞時(shí)相互交換能量的程度的物理量稱(chēng)為熱適應(yīng)系數(shù)）。

5.核形成與生長(zhǎng)的物理過(guò)程。島狀生長(zhǎng)模式、層狀生長(zhǎng)模式、層島混合模式

6.核形成的相變熱力學(xué)和原子聚集理論的基本內(nèi)容？

認(rèn)為薄膜形成過(guò)程是由氣相到吸附相、再到固相的相變過(guò)程，其中從吸附相到固相的轉(zhuǎn)變是在基片表面上進(jìn)行的。

原子聚集理論將核（原子團(tuán)）看作一個(gè)大分子聚集體，用其內(nèi)部原子之間的結(jié)合能或與基片表面原子之間的結(jié)合能代替熱力學(xué)理論中的自由能。

7.什么是同質(zhì)外延、異質(zhì)外延？晶格失配度？

外延工藝是一種在單晶襯底的表面上淀積一個(gè)單晶薄層的方法。如果薄膜與襯底是同一種材料該工藝被稱(chēng)為同質(zhì)外延，常被簡(jiǎn)單地稱(chēng)為外延。如果薄膜與襯底不是同一種材料該工藝被稱(chēng)為異質(zhì)外延，常被簡(jiǎn)單地稱(chēng)為外延。

晶格失配度若沉積薄膜用的基片材料的晶格常數(shù)為a，薄膜材料的晶格常數(shù)為b，在基片上外延生長(zhǎng)薄膜的晶格失配數(shù)m可用下式表示m?b?a。a

8..形成外延薄膜的條件？

?設(shè)沉積速率為R，基片溫度為T(mén)，?E薄膜生長(zhǎng)速率要小于吸附原子在基片表面上的遷移速率；提高R?A?exp??D ?溫度有利于形成外延薄膜 ?kT?

第八章

1.薄膜結(jié)構(gòu)是指哪些結(jié)構(gòu)？其特點(diǎn)是哪些？

薄膜的結(jié)構(gòu)按研究對(duì)象不同分為組織結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)。（1）組織結(jié)構(gòu)是指薄膜的結(jié)晶形態(tài)，包括無(wú)定形結(jié)構(gòu)、多晶結(jié)構(gòu)、纖維結(jié)構(gòu)、單晶結(jié)構(gòu)。無(wú)定形結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)特性：近程有序、長(zhǎng)程無(wú)序；不具備晶體的性質(zhì)；亞穩(wěn)態(tài)。晶界上存在晶格畸變；界面能：界面移動(dòng)造成晶粒長(zhǎng)大和界面平直化；空位源：雜質(zhì)富集；纖維結(jié)構(gòu)薄膜是指晶粒具有擇優(yōu)取向的薄膜

（2）晶體結(jié)構(gòu)：多數(shù)情況下，薄膜中晶粒的晶格結(jié)構(gòu)與體材料相同，只是晶粒取向和晶粒尺寸不同，晶格常數(shù)也不同。薄膜材料本身的晶格常數(shù)與基片材料晶格常數(shù)不匹配；

薄膜中有較大的內(nèi)應(yīng)力和表面張力。

（3）表面結(jié)構(gòu)：薄膜表面形成過(guò)程，由熱力學(xué)能量理論，薄膜表面平化；晶粒的各向異性生長(zhǎng)，薄膜表面粗化；低溫基片上，薄膜形成多孔結(jié)構(gòu)。

2.蒸發(fā)薄膜微觀結(jié)構(gòu)隨溫度變化如何改變？

低溫時(shí)，擴(kuò)散速率小，成核數(shù)目有限，形成不致密帶有縱向氣孔的葡萄結(jié)構(gòu)；隨著溫度升高，擴(kuò)散速率增大，形成緊密堆積纖維狀晶粒然后轉(zhuǎn)為完全之謎的柱狀晶體結(jié)構(gòu)；溫度再升高，晶粒尺寸隨凝結(jié)溫度升高二增大，結(jié)構(gòu)變?yōu)榈容S晶貌；

3.薄膜的主要缺陷類(lèi)型及特點(diǎn)？

薄膜的缺陷分為：點(diǎn)缺陷（晶格排列出現(xiàn)只涉及到單個(gè)晶格格點(diǎn)，典型構(gòu)型是空位和填隙原子，點(diǎn)缺陷不能用電子顯微鏡直接觀測(cè)到，點(diǎn)缺陷種類(lèi)確定后，它的形成能是一個(gè)定值）、位錯(cuò)（在薄膜中最常遇到，是晶格結(jié)構(gòu)中一種“線(xiàn)性”不完整結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)大部分從薄膜表面伸向基體表面，并在位錯(cuò)周?chē)a(chǎn)生畸變）、晶格間界（薄膜由于含有許多小晶粒，故晶粒間界面積比較大）和層錯(cuò)缺陷（由原子錯(cuò)排產(chǎn)生，在小島間的邊界處出現(xiàn)，當(dāng)聚合并的小島再長(zhǎng)大時(shí)反映層錯(cuò)缺陷的衍射襯度就會(huì)消失）。

4.薄膜的主要分析方法有哪些？基本原理是什么？

（1）X射線(xiàn)衍射法。利用X射線(xiàn)晶體學(xué)，X射線(xiàn)束射到分析樣品表面后產(chǎn)生反射，檢出器收集反射的X射線(xiàn)信息，當(dāng)入射X射線(xiàn)波長(zhǎng)?、樣品與X射線(xiàn)束夾角?、及樣品晶面間距d滿(mǎn)足布拉格方程2dsin??n?，檢測(cè)器可檢測(cè)到最大光強(qiáng)。

（2）電子衍射法。在透射電子顯微鏡下觀察薄膜結(jié)構(gòu)同時(shí)進(jìn)行電子衍射分析，電子束波長(zhǎng)比特征X射線(xiàn)小得多，利用L??Rd，求出晶格面間距。

（3）掃描電子顯微鏡分析法。將樣品發(fā)射的特征X射線(xiàn)送入X射線(xiàn)色譜儀或X射線(xiàn)能譜儀進(jìn)行化學(xué)成分分析，特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)?和原子序數(shù)Z滿(mǎn)足莫塞萊定律c/??K(Z??)，只要測(cè)得X射線(xiàn)的波長(zhǎng)，進(jìn)而測(cè)定其化學(xué)成分。

（4）俄歇電子能譜法。俄歇電子的動(dòng)能為E，由能量守恒定律Ek-EL1=EL23+E，近似EL1=EL23，得俄歇電子的動(dòng)能E=Ek-2EL。對(duì)于每種元素的原子來(lái)說(shuō)，EL1、EL23都有不同的特征值，只要測(cè)出電子動(dòng)能E，就可以進(jìn)行元素鑒定。利用俄歇電子能譜法中的化學(xué)位移效應(yīng)不但可以鑒定樣品的組分元素還可鑒定它的化學(xué)狀態(tài)。

（5）X射線(xiàn)光電子能譜法。X射線(xiàn)入射到自由原子的內(nèi)殼層上，將電子電離成光電子，有電子能量分析測(cè)得光電子束縛能，不同源自或同一原子的不同殼層有不同數(shù)量的特征值?？梢酝ㄟ^(guò)元素鑒定測(cè)出。

（6）二次離子質(zhì)譜法。二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分析初級(jí)離子入射靶面后，濺射產(chǎn)生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質(zhì)譜可以分析包括氫在內(nèi)的全部元素，并能給出同位素的信息，分析化合物組分和分子結(jié)構(gòu)。

第二篇：薄膜物理與技術(shù)要點(diǎn)總結(jié)

第一章

最可幾速率：根據(jù)麥克斯韋速率分布規(guī)律，可以從理論上推得分子速率在vm處有極大值，vm稱(chēng)為最可幾速率2kT?2RT?1.41RT,Vm速度分布

平均速度:8kT?m?8RT?m?1.59RTM，分子運(yùn)動(dòng)平均距離

均方根速度:?3kTm?3RTM1.73RTM平均動(dòng)能

真空的劃分：粗真空、低真空、高真空、超高真空。

真空計(jì)：利用低壓強(qiáng)氣體的熱傳導(dǎo)和壓強(qiáng)有關(guān)；(熱偶真空計(jì))利用氣體分子電離；（電離真空計(jì)）

真空泵：機(jī)械泵、擴(kuò)散泵、分子泵、羅茨泵 機(jī)械泵：利用機(jī)械力壓縮和排除氣體

擴(kuò)散泵：利用被抽氣體向蒸氣流擴(kuò)散的想象來(lái)實(shí)現(xiàn)排氣作用 分子泵：前級(jí)泵利用動(dòng)量傳輸把排氣口的氣體分子帶走獲得真空。

平均自由程：每個(gè)分子在連續(xù)兩次碰撞之間的路程稱(chēng)為自由程；其統(tǒng)計(jì)平均值成為平均自由程。

常用壓強(qiáng)單位的換算 1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr 1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa 真空區(qū)域的劃分、真空計(jì)、各種真空泵

粗真空 1×105 to 1×102 Pa 低真空 1×102 to 1×10-1 Pa 高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa 超高真空旋轉(zhuǎn)式機(jī)械真空泵

油擴(kuò)散泵

復(fù)合分子泵

屬于氣體傳輸泵，即通過(guò)氣體吸入并排出真空泵從而達(dá)到排氣的目的分子篩吸附泵

鈦升華泵

濺射離子泵

低溫泵

屬于氣體捕獲泵，即通過(guò)各種吸氣材料特有的吸氣作用將被抽氣體吸除，以達(dá)到所需真空。不需要油作為介質(zhì)，又稱(chēng)為無(wú)油泵 絕對(duì)真空計(jì)：

U型壓力計(jì)、壓縮式真空計(jì) 相對(duì)真空計(jì)：

mMM×10-6 Pa <1

放電真空計(jì)、熱傳導(dǎo)真空計(jì)、電離真空計(jì)

機(jī)械泵、擴(kuò)散泵、分子泵的工作原理，真空計(jì)的工作原理 第二章

1.什么是飽和蒸氣壓？蒸發(fā)溫度？

飽和蒸氣壓：在一定溫度下，真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過(guò)程中所表現(xiàn)出的壓力 蒸發(fā)溫度：物質(zhì)在飽和蒸氣壓為10-2托時(shí)的溫度。2.克--克方程及其意義？ 克-克方程dP?H??dTT(Vg?Vs)??，可以知道飽和蒸氣壓和溫度的關(guān)系，對(duì)于薄膜的制作技術(shù)有重要實(shí)際意義, 幫助我們合理地選擇蒸發(fā)材料和確定蒸發(fā)條件.kT2??2P3.蒸發(fā)速率、溫度變化對(duì)其的影響？

根據(jù)氣體分子運(yùn)動(dòng)論，在氣體壓力為P時(shí)，單位時(shí)間內(nèi)碰撞單位面積器壁上的分子數(shù)量，即碰撞分子流量（通量或蒸發(fā)速率）J： 在蒸發(fā)源以上溫度蒸發(fā)，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可以引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。4.平均自由程與碰撞幾率的概念？

氣體分子處于不規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，每個(gè)氣體分子在連續(xù)兩次碰撞之間的路程稱(chēng)為“自由程”，其統(tǒng)計(jì)平均值稱(chēng)為“平均自由程”?；蛘?粒子在兩次碰撞之間所飛行的平均距離稱(chēng)為蒸發(fā)分子的平均自由程。

蒸發(fā)材料分子能與真空室中殘余氣體分子相互碰撞的數(shù)目占總的蒸發(fā)材料分子的百分?jǐn)?shù)。熱平衡條件下，單位時(shí)間通過(guò)單位面積的氣體分子數(shù)為氣體分子對(duì)基板的碰撞率。

7.MBE的特點(diǎn)？

外延: 在一定的單晶材料襯底上，沿襯底某個(gè)指數(shù)晶面向外延伸生長(zhǎng)一層單晶薄膜。1)2)3)4)5)6)MBE可以嚴(yán)格控制薄膜生長(zhǎng)過(guò)程和生長(zhǎng)速率。MBE雖然也是以氣體分子論為基礎(chǔ)的蒸發(fā)過(guò)程，但它并不以蒸發(fā)溫度為控制參數(shù)，而是以四極質(zhì)譜、原子吸收光譜等近代分析儀器，精密控制分子束的種類(lèi)和強(qiáng)度。

MBE是一個(gè)超高真空的物理淀積過(guò)程，即不需要中間化學(xué)反應(yīng)，又不受質(zhì)量輸運(yùn)的影響，利用快門(mén)可對(duì)生長(zhǎng)和中斷進(jìn)行瞬時(shí)控制。薄膜組成和摻雜濃度可以隨源的變化作迅速調(diào)整。MBE的襯底溫度低，降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)對(duì)外延層自摻雜擴(kuò)散的影響。

MBE是一個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程，即將入射的中性粒子（原子或分子）一個(gè)一個(gè)地堆積在襯底上進(jìn)行生長(zhǎng)，而不是一個(gè)熱力學(xué)過(guò)程，所以它可以生長(zhǎng)普通熱平衡生長(zhǎng)難以生長(zhǎng)的薄膜。MBE生長(zhǎng)速率低，相當(dāng)于每秒生長(zhǎng)一個(gè)單原子層，有利于精確控制薄膜厚度、結(jié)構(gòu)和成分，形成陡峭的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。特別適合生長(zhǎng)超晶格材料。MBE在超高真空下進(jìn)行，可以利用多種表面分析儀器實(shí)時(shí)進(jìn)行成分、結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)過(guò)程分析，進(jìn)行科學(xué)研究。

8.膜厚的定義？監(jiān)控方法？

厚度：是指兩個(gè)完全平整的平行平面之間的距離，是一個(gè)可觀測(cè)到實(shí)體的尺寸。理想薄膜厚度：基片表面到薄膜表面之間的距離。由于實(shí)際上存在的表面是不平整和不連續(xù)的，而且薄膜內(nèi)部還可能存在著針孔、雜質(zhì)、晶體缺陷和表面吸附分子等，所以要嚴(yán)格的定義和測(cè)準(zhǔn)薄膜的厚度實(shí)際上比較困難的。膜厚的定義，應(yīng)該根據(jù)測(cè)量的方法和目的來(lái)決定。

稱(chēng)重法（微量天平法

石英晶體振蕩法）電學(xué)方法（電阻法 電容法 電離式監(jiān)控記法）

光學(xué)方法（光吸收法 光干涉法

等厚干涉條紋法）觸針?lè)ǎú顒?dòng)變壓器法

阻抗放大法

壓電元件法

P50

第三章

1.濺射鍍膜和真空鍍膜的特點(diǎn)？

優(yōu)點(diǎn)：1.任何物質(zhì)都可以濺射，尤其是高熔點(diǎn)、低蒸氣壓元素化合物2.濺射膜和基板的附著性好3.濺射鍍膜密度高，針孔少，且膜層的純度較高4.膜度可控性和重復(fù)性好

缺點(diǎn)：5濺射設(shè)備復(fù)雜，需要高壓裝置；6成膜速率較低（0.01-0.5?m）。

2.正常輝光放電和異常輝光放電的特征？

正常輝光放電：在一定電流密度范圍內(nèi)，放電電壓維持不變。在正常輝光放電區(qū)，陰極有效放電面積隨電流增加而增大，從而使有效區(qū)內(nèi)電流密度保持恒定。異常輝光放電：電流增大時(shí)，放電電極間電壓升高，且陰極電壓降與電流密度和氣體壓強(qiáng)有關(guān)。

當(dāng)整個(gè)陰極均成為有效放電區(qū)域后，只有增加陰極電流密度，才能增大電流，形成均勻而穩(wěn)定的“異常輝光放電”，并均勻覆蓋基片，這個(gè)放電區(qū)就是濺射區(qū)域。

3.射頻輝光放電的特點(diǎn)？

1.在輝光放電空間產(chǎn)生的電子可以獲得足夠的能量，足以產(chǎn)生碰撞電離； 2.由于減少了放電對(duì)二次電子的依賴(lài)，降低了擊穿電壓；

3.射頻電壓可以通過(guò)各種阻抗偶合，所以電極可以不是導(dǎo)體材料。4.濺射的概念及濺射參數(shù)？

濺射是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或者分子從表面射出的現(xiàn)象。1.濺射閾值2.濺射率及其影響因素3.濺射粒子的速度和能量分布4.濺射原子的角度分布 5.濺射率的計(jì)算 5.濺射機(jī)理？

濺射現(xiàn)象是被電離氣體的離子在電場(chǎng)中加速并轟擊靶面，而將能量傳遞給碰撞處的原子，導(dǎo)致很小的局部區(qū)域產(chǎn)生高溫，使靶材融化，發(fā)生熱蒸發(fā)。濺射完全是一個(gè)動(dòng)量轉(zhuǎn)移過(guò)程

該理論認(rèn)為，低能離子碰撞靶時(shí)，不能直接從表面濺射出原子，而是把動(dòng)量傳遞給被碰撞的原子，引起原子的級(jí)聯(lián)碰撞。這種碰撞沿晶體點(diǎn)陣的各個(gè)方向進(jìn)行。碰撞因在最緊密排列的方向上最有效，結(jié)果晶體表面的原子從近鄰原子得到越來(lái)越多的能量。

1.濺射率隨入射離子能量增大而增大，在離子能量達(dá)到一定程度后，由于離子注入效應(yīng)，濺射率減??； 2.濺射率的大小與入射離子的質(zhì)量有關(guān)；

3.當(dāng)入射離子能量小于濺射閾值時(shí)，不會(huì)發(fā)生濺射； 4.濺射原子的能量比蒸發(fā)原子大許多倍；

5.入射離子能量低時(shí)，濺射原子角度分布不完全符合余弦定律，與入射離子方向有關(guān)； 6.電子轟擊靶材不會(huì)發(fā)生濺射現(xiàn)象。

6.二極直流濺射、偏壓濺射、三極或四極濺射、射頻濺射、磁控濺射、離子束濺射結(jié)構(gòu)及原理？

二極直流濺射靶材為良導(dǎo)體,依靠氣體放電產(chǎn)生的正離子飛向陰極靶，一次電子飛向陽(yáng)極，放電依靠正離子轟擊陰極所產(chǎn)生的二次電子，經(jīng)陰極加速后被消耗補(bǔ)充的一次電子維持。

三極或四極濺射: 熱陰極發(fā)射的電子與陽(yáng)極產(chǎn)生等離子體,靶相對(duì)于該等離子體為負(fù)電位.為把陰極發(fā)射的電子全部吸引過(guò)來(lái)，陽(yáng)極上加正偏壓，20V左右。為使放電穩(wěn)定，增加第四個(gè)電極——穩(wěn)定化電極.偏壓濺射: 基片施加負(fù)偏壓,在淀積過(guò)程中，基片表面將受到氣體粒子的穩(wěn)定轟擊，隨時(shí)消除可能進(jìn)入薄膜表面的氣體，有利于提高薄膜純度，并且也可除掉粘除力弱的淀積粒子，對(duì)基片進(jìn)行清洗，表面凈化，還可改變淀積薄膜的結(jié)構(gòu)。

射頻濺射: 可以用射頻輝光放電解釋。等離子體中的電子容易在射頻場(chǎng)中吸收能量并在電場(chǎng)內(nèi)振蕩，與工作氣體的碰撞幾率增大，從而使擊穿電壓和放電電壓顯著降低。

磁控濺射：使用了磁控靶,施加磁場(chǎng)來(lái)改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，束縛并延長(zhǎng)電子運(yùn)動(dòng)軌跡，進(jìn)而提高電子對(duì)工作氣體的電離效率和濺射沉積率。在陰極靶的表面上形成一個(gè)正交的電磁場(chǎng)。濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速成為高能電子，但是它并不直接飛向陽(yáng)極，而在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下作擺線(xiàn)運(yùn)動(dòng)。高能電子束縛在陰極表面與工作氣體分子發(fā)生碰撞，傳遞能量，并成為低能電子。

離子束濺射:離子源、屏蔽罩。由大口徑離子束發(fā)生源引出惰性氣體，使其照射在靶上產(chǎn)生建設(shè)作用，利用濺射出的粒子淀積在基片上制得薄膜。第五章

1.CVD熱力學(xué)分析的主要目的？

CVD熱力學(xué)分析的主要目的是預(yù)測(cè)某些特定條件下某些CVD反應(yīng)的可行性（化學(xué)反應(yīng)的方向和限度）。在溫度、壓強(qiáng)和反應(yīng)物濃度給定的條件下，熱力學(xué)計(jì)算能從理論上給出沉積薄膜的量和所有氣體的分壓，但是不能給出沉積速率。熱力學(xué)分析可作為確定CVD工藝參數(shù)的參考 2.CVD過(guò)程自由能與反應(yīng)平衡常數(shù)的過(guò)程判據(jù)？

有關(guān)。?Gr與反應(yīng)系統(tǒng)的化學(xué)平衡常數(shù) KP

3.CVD熱力學(xué)基本內(nèi)容？反應(yīng)速率及其影響因素？

按熱力學(xué)原理，化學(xué)反應(yīng)的自由能變化 ?

r

可以用反應(yīng)物和生成物的標(biāo)準(zhǔn)自由能

G來(lái)計(jì)算，即

?ERT?Gr??2.3RTlogKPKP??Pi(生成物)i?1n?P（反應(yīng)物）jj?1m?Gr???Gf(生成物)???Gf(反應(yīng)物)

??Ae?較低襯底溫度下，τ隨溫度按指數(shù)規(guī)律變化。較高襯底溫度下，反應(yīng)物及副產(chǎn)物的擴(kuò)散速率為決定反應(yīng)速率的主要因素。

4.熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)及化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)及其特點(diǎn)？

熱分解反應(yīng)：在簡(jiǎn)單的單溫區(qū)爐中，在真空或惰性氣體保護(hù)下加熱基體至所需溫度后，導(dǎo)入反應(yīng)物氣體使之發(fā)生熱分解，最后在基體上沉積出固體圖層。特點(diǎn)：主要問(wèn)題是源物質(zhì)的選擇和確定分解溫度。選擇源物質(zhì)考慮蒸氣壓與溫度的關(guān)系，注意在該溫度下的分解產(chǎn)物中固相僅為所需沉積物質(zhì)?；瘜W(xué)合成反應(yīng)：化學(xué)合成反應(yīng)是指兩種或兩種以上的氣態(tài)反應(yīng)物在熱基片上發(fā)生的相互反應(yīng)。特點(diǎn)：比熱分解法的應(yīng)用范圍更加廣泛?？梢灾苽鋯尉?、多晶和非晶薄膜。容易進(jìn)行摻雜。

化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)：將薄膜物質(zhì)作為源物質(zhì)（無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)），借助適當(dāng)?shù)臍怏w介質(zhì)與之反應(yīng)而形成氣態(tài)化合物，這種氣態(tài)化合物經(jīng)過(guò)化學(xué)遷移或物理輸運(yùn)到與源區(qū)溫度不同的沉積區(qū)，在基片上再通?T = T1?T2過(guò)逆反應(yīng)使源物質(zhì)重新分解出來(lái)，這種反應(yīng)過(guò)程稱(chēng)為化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)。特點(diǎn)：

不能太大；平衡常數(shù)KP接近于1。5.CVD的必要條件？

1.在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室； 2.反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的； 3.沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓，6.什么是冷壁CVD？什么是熱壁CVD？特點(diǎn)是什么？

冷壁CVD：器壁和原料區(qū)都不加熱，僅基片被加熱，沉積區(qū)一般采用感應(yīng)加熱或光輻射加熱。缺點(diǎn)是有較大溫差，溫度均勻性問(wèn)題需特別設(shè)計(jì)來(lái)克服。適合反應(yīng)物在室溫下是氣體或具有較高蒸氣壓的液體。

熱壁CVD：器壁和原料區(qū)都是加熱的，反應(yīng)器壁加熱是為了防止反應(yīng)物冷凝。管壁有反應(yīng)物沉積，易剝落造成污染。7.什么是開(kāi)管CVD？什么是閉管CVD？特點(diǎn)是什么？

開(kāi)口CVD的特點(diǎn)：能連續(xù)地供氣和排氣； 反應(yīng)總處于非平衡狀態(tài)；在大多數(shù)情況下，開(kāi)口體系是在一個(gè)大氣壓或稍高于一個(gè)大氣壓下進(jìn)行的；開(kāi)口體系的沉積工藝容易控制，工藝重現(xiàn)性好，工件容易取放，同一裝置可反復(fù)多次使用；有立式和臥式兩種形式。

閉管法的優(yōu)點(diǎn)：污染的機(jī)會(huì)少，不必連續(xù)抽氣保持反應(yīng)器內(nèi)的真空，可以沉積蒸氣壓高的物質(zhì)。缺點(diǎn)：材料生長(zhǎng)速率慢，不適合大批量生長(zhǎng)，一次性反應(yīng)器，生長(zhǎng)成本高；管內(nèi)壓力檢測(cè)困難等。關(guān)鍵環(huán)節(jié)：反應(yīng)器材料選擇、裝料壓力計(jì)算、溫度選擇和控制等。8.什么是低壓CVD和等離子CVD？

低壓CVD：氣相輸運(yùn)和反應(yīng)。低壓下氣體擴(kuò)散系數(shù)增大，使氣態(tài)反應(yīng)物和副產(chǎn)物的質(zhì)量傳輸速率加快，形成薄膜的反應(yīng)速率增加。等離子CVD：等離子體參與的利用在等離子狀態(tài)下粒子具有的較高能量，使沉積溫度降低化學(xué)氣相沉積稱(chēng)為等離子化學(xué)氣相沉積。第七章

1.薄膜形成的基本過(guò)程描述？

薄膜形成分為：凝結(jié)過(guò)程、核形成與生長(zhǎng)過(guò)程、島形成與結(jié)合生長(zhǎng)過(guò)程。2.什么是凝聚？入射原子滯留時(shí)間、平均表面擴(kuò)散時(shí)間、平均擴(kuò)散距離的概念？ 凝聚：吸附原子結(jié)合成原子對(duì)及其以后的過(guò)程

入射原子滯留時(shí)間：入射到基體表面的原子在表面的平均滯留時(shí)間?a與吸附能Ed之間的關(guān)系為?a??0exp(Ed/kT)

??0'exp(ED/kT)。平均表面擴(kuò)散時(shí)間：吸附原子在一個(gè)吸附位置上的停留時(shí)間稱(chēng)為平均表面擴(kuò)散時(shí)間，用?D表示。它和表面擴(kuò)散能ED之間的關(guān)系是?D平均擴(kuò)散距離：吸附原子在表面停留時(shí)間經(jīng)過(guò)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所移動(dòng)的距離（從起始點(diǎn)到終點(diǎn)的間隔）稱(chēng)為平均表面擴(kuò)散時(shí)間，并用

x表示，它與吸附能Ed和擴(kuò)散能ED之間的關(guān)系為x?a0exp??Ed?ED?/kT?

3.什么是捕獲面積？對(duì)薄膜形成的影響？ 捕獲面積：吸附原子的捕獲面積

??當(dāng) S

? 時(shí)，每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)只有一個(gè)原子，故不能形成原子對(duì)，也不能產(chǎn)生凝結(jié)。當(dāng) S

?時(shí)，發(fā)生部分凝結(jié)。平均每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)有一個(gè)或兩個(gè)吸附原子，可形成1原子對(duì)或三原子團(tuán)。在滯留時(shí)間內(nèi)，一部分吸附原子有可能重新蒸發(fā)掉。當(dāng)

時(shí)，每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)至少有兩個(gè)吸附原子?？尚纬稍訉?duì)或更大的原子團(tuán)，從而達(dá)到完全凝結(jié)。4.凝聚過(guò)程的表征方法？ SD?Nno1?S??2凝結(jié)系數(shù)（單位時(shí)間內(nèi)，完全凝結(jié)的氣相原子數(shù)與入射到基片表面上的總原子數(shù)之比）、粘附系數(shù)（單位時(shí)間內(nèi)，再凝結(jié)的氣相原子數(shù)與入射到基片表面上的總原子數(shù)之比）、熱適應(yīng)系數(shù)（表征入射氣相（或分子）與基體表面碰撞時(shí)相互交換能量的程度的物理量稱(chēng)為熱適應(yīng)系數(shù)）。5.核形成與生長(zhǎng)的物理過(guò)程。

島狀生長(zhǎng)模式、層狀生長(zhǎng)模式、層島混合模式

6.核形成的相變熱力學(xué)和原子聚集理論的基本內(nèi)容？

認(rèn)為薄膜形成過(guò)程是由氣相到吸附相、再到固相的相變過(guò)程，其中從吸附相到固相的轉(zhuǎn)變是在基片表面上進(jìn)行的。

原子聚集理論將核（原子團(tuán)）看作一個(gè)大分子聚集體，用其內(nèi)部原子之間的結(jié)合能或與基片表面原子之間的結(jié)合能代替熱力學(xué)理論中的自由能。7.什么是同質(zhì)外延、異質(zhì)外延？晶格失配度？

外延工藝是一種在單晶襯底的表面上淀積一個(gè)單晶薄層的方法。如果薄膜與襯底是同一種材料該工藝被稱(chēng)為同質(zhì)外延，常被簡(jiǎn)單地稱(chēng)為外延。如果薄膜與襯底不是同一種材料該工藝被稱(chēng)為異質(zhì)外延，常被簡(jiǎn)單地稱(chēng)為外延。

晶格失配度若沉積薄膜用的基片材料的晶格常數(shù)為a，薄膜材料的晶格常數(shù)為b，在基片上外延生長(zhǎng)薄膜的晶格失配數(shù)m可用下式表示m?b?aa。

?E?R?A?exp??D?設(shè)沉積速率為

R，基片溫度為 T，?

kT

?

薄膜生長(zhǎng)速率要小于吸附原子 8..形成外延薄膜的條件？

在基片表面上的遷移速率；提高溫度有利于形成外延薄膜 第八章

1.薄膜結(jié)構(gòu)是指哪些結(jié)構(gòu)？其特點(diǎn)是哪些？

薄膜的結(jié)構(gòu)按研究對(duì)象不同分為組織結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)。

（1）組織結(jié)構(gòu)是指薄膜的結(jié)晶形態(tài)，包括無(wú)定形結(jié)構(gòu)、多晶結(jié)構(gòu)、纖維結(jié)構(gòu)、單晶結(jié)構(gòu)。無(wú)定形結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)特性：近程有序、長(zhǎng)程無(wú)序；不具備晶體的性質(zhì)；亞穩(wěn)態(tài)。晶界上存在晶格畸變；界面能：界面移動(dòng)造成晶粒長(zhǎng)大和界面平直化；空位源：雜質(zhì)富集；纖維結(jié)構(gòu)薄膜是指晶粒具有擇優(yōu)取向的薄膜

（2）晶體結(jié)構(gòu)：多數(shù)情況下，薄膜中晶粒的晶格結(jié)構(gòu)與體材料相同，只是晶粒取向和晶粒尺寸不同，晶格常數(shù)也不同。薄膜材料本身的晶格常數(shù)與基片材料晶格常數(shù)不匹配； 薄膜中有較大的內(nèi)應(yīng)力和表面張力。

（3）表面結(jié)構(gòu)：薄膜表面形成過(guò)程，由熱力學(xué)能量理論，薄膜表面平化；晶粒的各向異性生長(zhǎng)，薄膜表面粗化；低溫基片上，薄膜形成多孔結(jié)構(gòu)。2.蒸發(fā)薄膜微觀結(jié)構(gòu)隨溫度變化如何改變？

低溫時(shí)，擴(kuò)散速率小，成核數(shù)目有限，形成不致密帶有縱向氣孔的葡萄結(jié)構(gòu)；隨著溫度升高，擴(kuò)散速率增大，形成緊密堆積纖維狀晶粒然后轉(zhuǎn)為完全之謎的柱狀晶體結(jié)構(gòu)；溫度再升高，晶粒尺寸隨凝結(jié)溫度升高二增大，結(jié)構(gòu)變?yōu)榈容S晶貌； 3.薄膜的主要缺陷類(lèi)型及特點(diǎn)？

薄膜的缺陷分為：點(diǎn)缺陷（晶格排列出現(xiàn)只涉及到單個(gè)晶格格點(diǎn)，典型構(gòu)型是空位和填隙原子，點(diǎn)缺陷不能用電子顯微鏡直接觀測(cè)到，點(diǎn)缺陷種類(lèi)確定后，它的形成能是一個(gè)定值）、位錯(cuò)（在薄膜中最常遇到，是晶格結(jié)構(gòu)中一種“線(xiàn)性”不完整結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)大部分從薄膜表面伸向基體表面，并在位錯(cuò)周?chē)a(chǎn)生畸變）、晶格間界（薄膜由于含有許多小晶粒，故晶粒間界面積比較大）和層錯(cuò)缺陷（由原子錯(cuò)排產(chǎn)生，在小島間的邊界處出現(xiàn)，當(dāng)聚合并的小島再長(zhǎng)大時(shí)反映層錯(cuò)缺陷的衍射襯度就會(huì)消失）。4.薄膜的主要分析方法有哪些？基本原理是什么？

（1）X射線(xiàn)衍射法。利用X射線(xiàn)晶體學(xué)，X射線(xiàn)束射到分析樣品表面后產(chǎn)生反射，檢出器收集反射的X射線(xiàn)信息，當(dāng)入射X射線(xiàn)波長(zhǎng)?、樣品與X射線(xiàn)束夾角?、及樣品晶面間距d滿(mǎn)足布拉格方程2dsin??n?，檢測(cè)器可檢測(cè)到最大光強(qiáng)。

（2）電子衍射法。在透射電子顯微鏡下觀察薄膜結(jié)構(gòu)同時(shí)進(jìn)行電子衍射分析，電子束波長(zhǎng)比特征X射線(xiàn)小得多，利用L??Rd，求出晶格面間距。

c/??K(Z??)，只要（3）掃描電子顯微鏡分析法。將樣品發(fā)射的特征X射線(xiàn)送入X射線(xiàn)色譜儀或X射線(xiàn)能譜儀進(jìn)行化學(xué)成分分析，特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)?和原子序數(shù)Z滿(mǎn)足莫塞萊定律

測(cè)得X射線(xiàn)的波長(zhǎng)，進(jìn)而測(cè)定其化學(xué)成分。

（4）俄歇電子能譜法。俄歇電子的動(dòng)能為E，由能量守恒定律Ek-EL1=EL23+E，近似EL1=EL23，得俄歇電子的動(dòng)能E=Ek-2EL。對(duì)于每種元素的原子來(lái)說(shuō)，EL1、EL23都有不同的特征值，只要測(cè)出電子動(dòng)能E，就可以進(jìn)行元素鑒定。利用俄歇電子能譜法中的化學(xué)位移效應(yīng)不但可以鑒定樣品的組分元素還可鑒定它的化學(xué)狀態(tài)。

（5）X射線(xiàn)光電子能譜法。X射線(xiàn)入射到自由原子的內(nèi)殼層上，將電子電離成光電子，有電子能量分析測(cè)得光電子束縛能，不同源自或同一原子的不同殼層有不同數(shù)量的特征值?？梢酝ㄟ^(guò)元素鑒定測(cè)出。

（6）二次離子質(zhì)譜法。二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分析初級(jí)離子入射靶面后，濺射產(chǎn)生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質(zhì)譜可以分析包括氫在內(nèi)的全部元素，并能給出同位素的信息，分析化合物組分和分子結(jié)構(gòu)?！侗∧の锢砼c技術(shù)》

1、薄膜的定義

薄膜的制備方法

真空的定義及性質(zhì)（理想氣體狀態(tài)方程）

真空的單位

真空區(qū)域的劃分

氣體的三種速度分布（最可幾速度、平均速度、均方根速度）意義

平均自由程的定義及計(jì)算

余弦散射定律及意義

確定真空系統(tǒng)所能達(dá)到的真空度的方程

2、主要真空泵的排氣原理與工作范圍

幾類(lèi)真空計(jì)的工作原理與測(cè)量范圍（填空或選擇）

真空蒸發(fā)鍍膜的定義

真空蒸發(fā)鍍膜的基本過(guò)程

3、蒸發(fā)速率的表達(dá)式及蒸發(fā)源溫度變化引起蒸發(fā)速率的變化

蒸發(fā)過(guò)程的幾點(diǎn)假設(shè)

幾種最常用的蒸發(fā)源及膜厚分布狀況

4、蒸發(fā)源的類(lèi)型

電子束蒸發(fā)源中電子束的加熱原理及特點(diǎn)

高頻感應(yīng)蒸發(fā)源的特點(diǎn)

合金的蒸發(fā)中組元金屬的蒸發(fā)速率之比

5、合金及化合物的蒸發(fā)方法

特殊的蒸發(fā)方法

膜厚的定義

膜厚的測(cè)量方法（尤其是原理：石英晶體振蕩法、電離式監(jiān)控計(jì)法光干涉法）濺射鍍膜的定義

濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)

直流輝光放電的區(qū)域

輝光放電過(guò)程中，如何確定陰極與陽(yáng)極之間的距離

6、射頻放電的頻率

濺射閾值、濺射率、濺射過(guò)程

濺射的兩種理論

濺射鍍膜的類(lèi)型（重點(diǎn)為二極式、磁控式、射頻式）

離子鍍膜的定義

離子鍍膜的成膜條件（公式的計(jì)算）

離子鍍膜的特點(diǎn)

離子轟擊的作用

離子鍍的類(lèi)型（活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍）化學(xué)氣相沉積的定義

CVD的裝置組成 CVD反應(yīng)的類(lèi)型

CVD法制備薄膜的過(guò)程

CVD的特點(diǎn)

7、CVD反應(yīng)體系的條件

低壓化學(xué)氣相沉積的原理

等離子體化學(xué)氣相沉積（定義及原理）

等離子體的作用

8、有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積、光CVD、電子回旋共振等離子體沉積

溶液鍍膜法的定義

化學(xué)鍍的定義及原理

9、化學(xué)鍍與化學(xué)沉積的異同點(diǎn)

如何進(jìn)行化學(xué)鍍鎳、銅、銀等金屬

溶膠－凝膠法制備薄膜的工藝（至少三種）

10、陽(yáng)極氧化法的定義及原理

陽(yáng)極氧化法中氧化物薄膜厚度的計(jì)算公式

電鍍的定義與原理

11、電鍍過(guò)程中補(bǔ)充電極附件區(qū)域的離子的方法

對(duì)電鍍層的要求

LB制備的定義及原理

LB膜的分類(lèi)

薄膜的形成與生長(zhǎng)形式

薄膜的結(jié)構(gòu)類(lèi)型薄膜的缺陷

薄膜的組織結(jié)構(gòu)

第三篇：寬幅塑料流延薄膜技術(shù)及其裝備

寬幅塑料流延薄膜技術(shù)及其裝備

一、前言

尊敬的先生們/女士們

您們好!我是廣東仕誠(chéng)塑料機(jī)械有限公司的總經(jīng)理:張春華, 我們公司是專(zhuān)業(yè)從事流延膜生產(chǎn)線(xiàn)、PVB玻璃夾層薄膜生產(chǎn)線(xiàn)等設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)。目前，是中國(guó)國(guó)內(nèi)最早具備大規(guī)模生產(chǎn)寬幅為3500mm以上的超寬流延膜設(shè)備能力的企業(yè)。

自20世紀(jì)90年代以來(lái)，我國(guó)塑料機(jī)械制造工業(yè)一直處于高速、穩(wěn)定的發(fā)展階段。不僅在量上急劇增長(zhǎng)，而且在質(zhì)量上也得到了顯著提升。目前，我國(guó)塑料機(jī)械制造工業(yè)正處于由制造大國(guó)邁向制造強(qiáng)國(guó)的關(guān)鍵時(shí)期。進(jìn)入21世紀(jì)，我國(guó)塑料機(jī)械制造技術(shù)有了質(zhì)的飛躍，產(chǎn)品在主要綜合經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)上取得了突破性進(jìn)展。代表我國(guó)塑料機(jī)械制造水平的企業(yè)或產(chǎn)品，其制造技術(shù)已進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)行列?？傮w上說(shuō)，國(guó)產(chǎn)塑料機(jī)械制造技術(shù)已經(jīng)接近國(guó)際先進(jìn)水平。然而，為搶占市場(chǎng)國(guó)外同行正通過(guò)獨(dú)資和合作辦企業(yè)的方法進(jìn)入中國(guó)，其對(duì)提高我國(guó)國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造技術(shù)整體水平無(wú)疑是個(gè)機(jī)遇，但對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō)也是一次挑戰(zhàn)，如何應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)是我們面臨的重要課題。此外，過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)、價(jià)格低廉、效益下滑，企業(yè)管理水平低下、營(yíng)銷(xiāo)理念落后及行業(yè)協(xié)會(huì)缺乏凝聚力、服務(wù)管理不到位等也是急需解決的問(wèn)題。

今天我很榮幸能和各位嘉賓一起討論“寬幅塑料流延薄膜技術(shù)及其裝備”。

塑料薄膜按生產(chǎn)方法可分為流延薄膜、吹脹薄膜和拉伸薄膜三種。流延薄膜占世界薄膜總消費(fèi)量的35%，主要有CPP薄膜、CPE薄膜、PVB夾層薄膜、PET薄膜等。目前，我國(guó)流延薄膜經(jīng)過(guò)幾十年來(lái)的積累，已經(jīng)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，但與發(fā)達(dá)國(guó)家相比，國(guó)內(nèi)用流延方法生產(chǎn)的高檔薄膜在薄膜消費(fèi)中的比重還很小。

二、流延薄膜的功能及用途

1、CPP 薄膜具有透明性好、光澤度高、挺度好、阻濕性好、耐熱性?xún)?yōu)良、易于熱封合等特點(diǎn)。CPP薄膜經(jīng)過(guò)印刷、制袋，適用于：服裝、針織品和花卉包裝袋；文件和相冊(cè)薄膜；食品包裝；及適用于阻隔包裝和裝飾的金屬化薄膜。潛在用途還包括：食品外包裝，糖果外包裝（扭結(jié)膜），藥品包裝（輸液袋），在相冊(cè)、文件夾和文件等領(lǐng)域代替PVC，合成紙，不干膠帶，名片夾，圓環(huán)文件夾以及站立袋復(fù)合材料。

CPP耐熱性?xún)?yōu)良。由於PP軟化點(diǎn)大約為140℃，該類(lèi)薄膜可應(yīng)用于熱灌裝、蒸煮袋、無(wú)菌包裝等領(lǐng)域。加上耐酸、耐堿、耐油脂性能優(yōu)良，使之成為面包產(chǎn)品包裝或?qū)訅翰牧系阮I(lǐng)域的首選材料。其與食品接觸性安全，演示性能優(yōu)良，不會(huì)影響內(nèi)裝食品的風(fēng)味，并可選擇不同品級(jí)的樹(shù)脂以獲得所需的特性。

2、CPE膜也就是聚乙烯膜，它的用途極為廣泛。特點(diǎn)是造價(jià)低廉、防水性好、但阻氣性差。低壓聚乙烯延伸性小，抗拉強(qiáng)度大，可將包裝袋制得很薄，但熱封性能差些，不宜用作復(fù)合里膜。高壓聚乙烯膜延伸性大，抗沖擊力較好，但不宜用作油炸食品類(lèi)和真實(shí)、蒸煮袋的復(fù)合里膜。

3、PVB夾層膜是由聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂與增塑劑按一定比例混合后擠出制得的薄膜，外觀為半透明薄膜，無(wú)雜質(zhì)，表面平整，有一定的粗糙度和良好的柔軟性。PVB夾層膜厚度一般為0.38mm、0.76mm和1.5mm三種，對(duì)無(wú) 機(jī)玻璃具有良好的粘結(jié)性，具有透明、耐熱、耐寒、耐濕，機(jī)械強(qiáng)度高等特性。

PVB夾層玻璃由具有安全、保溫、控制噪音和隔離紫外線(xiàn)等多項(xiàng)功能，廣泛應(yīng)用于建筑、汽車(chē)等行業(yè)。采用特殊配方生產(chǎn)的PVB玻璃夾層膜在航天、軍事和高新技術(shù)工業(yè)等領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用,如用于飛機(jī)、航天器，軍事儀器，太陽(yáng)能電池和太陽(yáng)能接收器等，在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用于復(fù)合減震鋼板等。

4、PET彩虹膜，抗拉強(qiáng)度極高，抗沖擊力差，透明度高，阻氧阻氣性好，但不耐日曬、水蒸氣透過(guò)性小，可作為一種包裝或裝飾材料單獨(dú)使用，也可作為基材與其它材料復(fù)合。主要用于印刷品、文具、禮品、紡織品等裝飾物，但不宜作蒸煮袋。

如上所述流延膜生產(chǎn)工藝一般采用T型模頭法，這種制法特點(diǎn)為：（1）流延法省去管膜法的吹膜階段，容易開(kāi)車(chē)，廢料少；

（2）流延法生產(chǎn)時(shí)，化學(xué)分子排列有序，故有利于提高薄膜的透明性、光澤及厚薄均勻度，適合于高級(jí)包裝；（3）流延部分采用電動(dòng)的上下擺動(dòng)和前后移動(dòng)結(jié)構(gòu)，操作簡(jiǎn)便；（4）電暈部分采用風(fēng)冷和水冷方式，產(chǎn)品不易變形。

擠出機(jī)先將原料樹(shù)脂熔化，熔融樹(shù)脂經(jīng)機(jī)頭流延到表面光潔的冷卻輥上迅速冷卻成薄膜。經(jīng)厚度測(cè)量、牽引、電暈處理、展平后，切去邊緣較厚的邊料，再次展開(kāi)并收卷為薄膜卷。

三、流延膜生產(chǎn)工藝的要點(diǎn)：

T型機(jī)頭是生產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備之一，機(jī)頭設(shè)計(jì)應(yīng)使物料沿整個(gè)機(jī)唇寬度均勻地流出，機(jī)頭內(nèi)部流道內(nèi)無(wú)滯留死角，并且使物料模具有均勻的溫度，需考慮包括物料流變行為在內(nèi)的多方面因素。要采用精密加工機(jī)頭，常用的是漸減歧管衣架式機(jī)頭。冷卻輥的表面應(yīng)經(jīng)過(guò)精加工，表面粗糙度不大于0.15mm，轉(zhuǎn)速應(yīng)穩(wěn)定，動(dòng)力平衡性能應(yīng)良好，以免產(chǎn)生縱向的厚度波動(dòng)。采用β射線(xiàn)或紅外測(cè)厚儀對(duì)薄膜厚度進(jìn)行監(jiān)測(cè)，以達(dá)到滿(mǎn)意的厚薄公差。要生產(chǎn)合格的流延薄膜，不僅要在原料上調(diào)節(jié)工藝，而且要掌握好加工工藝條件。

對(duì)薄膜性能影響最大的是溫度。樹(shù)脂溫度升高，膜的縱向(MD)拉伸強(qiáng)度增大，透明度增高，霧度逐漸下降，但膜的橫向(TD)拉伸強(qiáng)度下降。比較適宜的溫度為230～250℃。冷卻輥上風(fēng)刀使薄膜與冷卻輥表面形成一層薄薄的空氣層，使薄膜均勻冷卻，從而保持高速生產(chǎn)。風(fēng)刀的調(diào)節(jié)必須適當(dāng)，風(fēng)量過(guò)大或角度不當(dāng)都可能使膜的厚度不穩(wěn)定或不貼輥，造成折皺或出現(xiàn)花紋影響外觀質(zhì)量。冷卻輥溫度升高，膜的挺度增加，霧度增大。

冷卻輥筒表面若有原料內(nèi)部添加物析出，必須停機(jī)清理，以免影響薄膜外觀質(zhì)量。流延薄膜比較柔軟，收卷時(shí)必須根據(jù)膜的厚度、生產(chǎn)速度等因素調(diào)整好壓力和張力。否則會(huì)產(chǎn)生波紋影響平整性。張力選擇要根據(jù)產(chǎn)品的拉伸強(qiáng)度大小而定，通常收卷張力越大，卷取后的產(chǎn)品不易出現(xiàn)卷筒松弛和跑偏現(xiàn)象，但在開(kāi)始卷取時(shí)易出現(xiàn)波紋，影響卷平整。反之，卷取張力小，開(kāi)始效果好，但越卷越易出現(xiàn)膜松弛、跑偏現(xiàn)象。因此，張力大小應(yīng)適中，并控制張力恒定。

四、多層共擠流延膜的工藝特點(diǎn)：

為了提高薄膜性能，降低成本，滿(mǎn)足用戶(hù)多種用途和高性能要求，多層復(fù)合膜發(fā)展很快，尤其在生活水平相對(duì)高、重視環(huán)境保護(hù)、要求延長(zhǎng)食品保質(zhì)期和質(zhì)量的發(fā)達(dá)國(guó)家。多層共聚流延膜也是其中的一種多層膜，改變了 CPP薄膜產(chǎn)品性能單

一、不能滿(mǎn)足市場(chǎng)多方面要求的問(wèn)題和弊端。

1、通用型：多層共聚流延膜可根據(jù)不同用途、設(shè)計(jì)不同的如用于自動(dòng)包裝機(jī)上的面包包裝、衣料(特別是內(nèi)衣、褲)包裝、水果包裝等，或用于與印刷后BOPP膜復(fù)合成BOPP/CPP二層膜，用于衣料、干燥食品(如快餐面袋、碗蓋等)包裝，通用型的結(jié)構(gòu)是共聚PP/均聚PP/共聚PP或均聚。

2、金屬化型：要求產(chǎn)品表面對(duì)蒸鍍金屬(如鋁)具有極強(qiáng)的附著強(qiáng)度，蒸鍍后仍能保持較好的尺寸穩(wěn)定性和剛性，另一表面具有較低的熱封溫度和較高的熱封強(qiáng)度，金屬化型的結(jié)構(gòu)亦為共聚PP/均聚PP/共聚PP。

3、蒸煮型：用于蒸煮的二層共聚CPP，能承受120℃和15MPa壓力的蒸煮殺菌。既保持了內(nèi)部食品的形狀、風(fēng)味，且薄膜不會(huì)開(kāi)裂、剝離或粘結(jié)，并具有優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性，常與尼龍薄膜或聚酯薄膜復(fù)合，包裝含湯汁類(lèi)食品以及肉丸、餃子等食品或食前加工冷凍食品，蒸煮型三層PP膜結(jié)構(gòu)為共聚PP/共聚PP/共聚PP。

4、高溫蒸煮型：包裝燒雞、燒排骨和果醬、飲料需121～135℃高溫殺菌的三層共聚CPP膜，其中共聚PP要求比一般蒸煮型用共聚PP性能更好。除三層膜外，還有流延阻隔性五層包裝，其結(jié)構(gòu)為：PP/粘合劑/PA/粘合劑/共聚PE；PP/粘合劑/PA/粘合劑/ EVA；PP/粘合劑/EVOH/粘合劑/PE；PP/粘合劑/ EVOH/ 粘合劑/ EVA；PP/粘合劑/ EVOH/粘合劑/ PP。

五、現(xiàn)階段我國(guó)CPP 生產(chǎn)設(shè)備情況

我國(guó)從80年代中期開(kāi)始引進(jìn)國(guó)外的流延膜生產(chǎn)裝置，大多是單層結(jié)構(gòu)，屬初級(jí)階段。進(jìn)入90年代后，我國(guó)從德國(guó)、日本、意大利、奧地利等國(guó)引進(jìn)了多層共聚流延膜生產(chǎn)線(xiàn)，是我國(guó)流延膜工業(yè)的主力軍，其最小生產(chǎn)能力為500t/a，最大生產(chǎn)能力達(dá)6500t/a。引進(jìn)的主要設(shè)備廠家為德國(guó)Reifenhauser、Barmag、Battenfeld公司，奧地利Lenzing公司，日本三菱重工公司、日本制鋼所、日本摩登機(jī)械設(shè)備公司、意大利Colines、Dolci公司等。

進(jìn)入21世紀(jì)，我國(guó)的流延膜設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)，在二十幾年來(lái)的不斷學(xué)習(xí)與積累基礎(chǔ)上，已經(jīng)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，國(guó)產(chǎn)流延膜設(shè)備的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均已基本達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。例如：廣東仕誠(chéng)塑料機(jī)械有限公司于2003年6月推出自主創(chuàng)新，寬幅為2500mm的三層流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)；同年10月又推出寬幅為3000mm的三層流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)。2004年廣東仕誠(chéng)公司逐漸邁向成熟，于當(dāng)年2月推出寬幅為2500mm的五層流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)，5月推出寬幅為3500mm的三層流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)，6月推出了國(guó)內(nèi)首條PVB玻璃夾層膜生產(chǎn)線(xiàn)，又于9月推出寬幅為4500mm的三層流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)。經(jīng)過(guò)一年多市場(chǎng)與時(shí)間的洗禮，廣東仕誠(chéng)塑料機(jī)械有限公司已經(jīng)成長(zhǎng)為行業(yè)的領(lǐng)航者，于2005年3推出了更加精密、配置更高的新一代PVB玻璃夾層膜生產(chǎn)線(xiàn)，并通過(guò)技術(shù)監(jiān)督部門(mén)的技術(shù)鑒定，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)PVB玻璃夾層膜生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)走向成熟。在流延設(shè)備方面，廣東仕誠(chéng)公司已經(jīng)成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)僅有的，有能力生產(chǎn)超寬、高精密流延膜設(shè)備的企業(yè)之一，并于2005年5月推出寬幅達(dá)5000mm的三層大型流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)，屆時(shí)在第十九屆中國(guó)國(guó)際塑料橡膠工業(yè)展覽會(huì)中，將現(xiàn)場(chǎng)展示5000mm超寬流延膜生產(chǎn)線(xiàn)的“收卷” 部分，并作現(xiàn)場(chǎng)推介，歡迎各界朋友蒞臨指導(dǎo)。隨著廣東仕誠(chéng)塑料機(jī)械有限公司等一批國(guó)內(nèi)企業(yè)的崛起，中國(guó)流延膜設(shè)備一定超越國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)，并進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

六、總結(jié)

隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備的不斷成熟，進(jìn)入流延薄膜生產(chǎn)的門(mén)檻也隨之降低。據(jù)有關(guān)部門(mén)統(tǒng)計(jì)，2004年我國(guó)流延薄膜市場(chǎng)需求增加到約27萬(wàn)噸。在市場(chǎng)需求的刺激下，去年流延薄膜的全國(guó)產(chǎn)量同比增長(zhǎng)18％。目前全行業(yè)光引進(jìn) 的流延薄膜生產(chǎn)線(xiàn)就已超過(guò)60臺(tái)套，總生產(chǎn)能力達(dá)到20萬(wàn)噸以上，預(yù)計(jì)2005年仍將保持這一強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

但同時(shí)，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，隨著我國(guó)流延薄膜新建和在建項(xiàng)目的紛紛投產(chǎn)，2005年流延薄膜的產(chǎn)能的大幅提高，新一輪的價(jià)格戰(zhàn)將迅速拉開(kāi)陣勢(shì)。如果這一預(yù)測(cè)成真，那么，走自主創(chuàng)新之路，合理選擇設(shè)備，開(kāi)發(fā)差異化、專(zhuān)用化產(chǎn)品將是流延薄膜企業(yè)避免市場(chǎng)惡性競(jìng)爭(zhēng)的唯一辦法。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，從國(guó)外引進(jìn)一條5層共擠設(shè)備約需資金5800萬(wàn)元，總投資在8000萬(wàn)元左右。若沒(méi)有市場(chǎng)作支撐，或市場(chǎng)發(fā)生變化，勢(shì)必造成巨大的投資損失。而目前同噸位國(guó)產(chǎn)設(shè)備的生產(chǎn)線(xiàn)的投資只有進(jìn)口線(xiàn)的1／8左右，而且技術(shù)指標(biāo)、功能與進(jìn)口設(shè)備相差不遠(yuǎn)，在性?xún)r(jià)比方面的優(yōu)勢(shì)已得到國(guó)外同行的認(rèn)同。因此國(guó)內(nèi)企業(yè)不能盲目迷信國(guó)外的大型設(shè)備，只有投入產(chǎn)出比相宜，在盡可能短期內(nèi)能夠得到良好的投資回報(bào)率，這才是最明知智的投資。

隨著我國(guó)宏觀經(jīng)濟(jì)調(diào)控政策實(shí)施，今年中國(guó)GDP增長(zhǎng)短期內(nèi)有所放緩，但流延薄膜仍屬朝陽(yáng)工業(yè)，未來(lái)幾年市場(chǎng)需求仍將保持12％～17％的快速增長(zhǎng)，但國(guó)內(nèi)流延薄膜企業(yè)仍要認(rèn)真調(diào)查研究市場(chǎng)，理性投資。

謝謝各位，祝大家身體健康！

我們公司將在2005年6月21日至24日舉辦的第十九屆中國(guó)國(guó)際塑料橡膠工業(yè)展的B332展位中，現(xiàn)場(chǎng)展示5000mm超寬流延膜生產(chǎn)線(xiàn)的“收卷” 部分，歡迎各界朋友蒞臨指導(dǎo)。

附：第十九屆中國(guó)國(guó)際塑料橡膠工業(yè)展覽會(huì)

展出時(shí)間：2005年6月21日—2005年6月24日 展出地點(diǎn)：廣州國(guó)際會(huì)議展覽中心（廣州琶洲）展位號(hào)碼：B332（廣東仕誠(chéng)塑料機(jī)械有限公司）

第四篇：《多媒體技術(shù)與應(yīng)用》復(fù)習(xí)要點(diǎn)

第一章 多媒體技術(shù)概述

1、媒體：用于傳遞各種知識(shí)信息的媒介和載體的總稱(chēng)。

2、按照國(guó)際電信聯(lián)盟的定義，媒體分為哪幾類(lèi)？各自含義。五類(lèi)：感覺(jué)媒體，表示媒體，顯示媒體，儲(chǔ)存媒體，傳輸媒體。

感覺(jué)媒體：能直接作用于人們的感覺(jué)器官，從而能使人產(chǎn)生直接感覺(jué)的媒體；

表示媒體：為了編輯、處理和傳送感覺(jué)媒體而由人設(shè)計(jì)、創(chuàng)造出來(lái)的媒體；

顯示媒體：用于接收感覺(jué)媒體并將其轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)信息，再把數(shù)據(jù)信息轉(zhuǎn)換成感覺(jué)媒體并使用物理設(shè)備呈現(xiàn)出來(lái)； 存儲(chǔ)媒體：用于存放表示媒體的物理介質(zhì)；

傳輸媒體：用來(lái)將表示媒體從一出傳送到另一處的媒體媒介，分為有線(xiàn)傳輸媒體、無(wú)線(xiàn)傳輸媒體。

3、多媒體技術(shù)的特點(diǎn)：多樣性、集成性、交互性。

4、多媒體計(jì)算機(jī)組成：多媒體硬件系統(tǒng)、多媒體操作系統(tǒng)、多媒體處理系統(tǒng)工具、用戶(hù)應(yīng)用軟件。視頻卡作用：連接攝像機(jī)、VCR影碟機(jī)、TV等設(shè)備，以獲取、處理和表現(xiàn)各種動(dòng)畫(huà)和數(shù)字化視頻。音頻卡作用：具有A/D和D/A音頻信號(hào)的轉(zhuǎn)換功能，能合成音樂(lè)、混合多種聲源，還能外接MIDI電子音樂(lè)設(shè)備。

5、用Authorware7.0進(jìn)行多媒體項(xiàng)目開(kāi)發(fā)，規(guī)范的開(kāi)發(fā)過(guò)程：需求分析，腳本編寫(xiě)，素材收集，媒體集成，調(diào)試測(cè)試。第二章 音頻信息的獲取與處理

1、獲取音頻素材的途徑：從已有的素材庫(kù)中獲取。從CD、VCD影碟中抓取或剝離出音頻。直接錄制。

2、音頻數(shù)字化：對(duì)模擬音頻信號(hào)的采樣、量化和編碼的過(guò)程。音頻數(shù)字化的過(guò)程：線(xiàn)衣采樣周期抽取模擬信號(hào)的幅度值，得到離散的振幅樣本序列，然后把采集的道德幅度值從模擬量轉(zhuǎn)化成數(shù)字量，最后用二進(jìn)制數(shù)制編碼表示每個(gè)采樣的量化值，送到計(jì)算機(jī)進(jìn)行保存。

3、衡量數(shù)字音頻好壞的三個(gè)指標(biāo)：采樣頻率，采樣精度，聲道數(shù)。采樣頻率：?jiǎn)挝粫r(shí)間誒對(duì)模擬信號(hào)的采樣的次數(shù)；采樣精度：對(duì)每個(gè)采樣點(diǎn)量化的二進(jìn)制位數(shù)；聲道數(shù)：?jiǎn)温暤?，雙聲道。

4、計(jì)算聲音文件的數(shù)據(jù)量

數(shù)據(jù)量（byte）=采樣頻率HZ*采樣頻率/8*聲道數(shù)*時(shí)間

5、聲卡的功能：錄制聲音，播放聲音文件，音頻編輯處理，混音與控制，壓縮與解壓縮，語(yǔ)音合成與識(shí)別，提供MIDI功能。

6、Audition軟件的使用（結(jié)合聲音錄制及調(diào)節(jié)作業(yè)），三個(gè)操作界面：編輯、多軌、CD；調(diào)節(jié)音量、降噪等的方法及步驟；

7、聲音文件的格式及特點(diǎn)：*.wav、*.mp3、*.mid、*.ra、*.wma、*.cda、*.aif等

第三章 靜態(tài)圖像制作與處理

1、獲取圖像的途徑：從已有的素材庫(kù)中獲取，通過(guò)數(shù)碼相機(jī)輸入獲取，通過(guò)掃描儀輸入獲取，計(jì)算機(jī)屏幕截取，利用圖像處理軟件繪制或合成。

2、色彩基礎(chǔ)：形成圖像的組成部分之一，它既可以表達(dá)物體的色彩，也可以展示人物的性格和心情。顏色的三個(gè)特征：色調(diào)，亮度，飽和度。

彩色空間：RGB彩色模式，CMYK彩色模式，HSB模式。

RGB彩色模式：計(jì)算機(jī)數(shù)字圖像經(jīng)常采用的一種彩色空間，紅綠藍(lán)。加色法。

CMYK彩色模式：一種印刷模式，青色，品紅，黃色，黑色。減色法。

HSB模式：

三者之間的聯(lián)系：

3、位圖和矢量圖的區(qū)別

位圖：也叫做柵格圖像，是用小方形網(wǎng)絡(luò)即像素來(lái)代表圖像，每個(gè)像素都被奉陪一個(gè)特定位置的顏色。

矢量圖：石油焦作適量的數(shù)學(xué)對(duì)象所定義的直線(xiàn)和曲線(xiàn)組成。用CorelDraw等繪圖軟件創(chuàng)作的是矢量圖形，適量圖形是數(shù)據(jù)圖形的集合特性來(lái)對(duì)其進(jìn)行描述的。

4、圖像文件的格式：BMP、TIFF、GIF、JPEG、PSD等各自特點(diǎn)

BMP圖像文件時(shí)一種Windows標(biāo)準(zhǔn)的點(diǎn)陣式圖形文件格式。文件未經(jīng)壓縮，所以文件比較大，不適于儲(chǔ)存與網(wǎng)絡(luò)傳輸 TIFF用于在應(yīng)用程序之間和計(jì)算機(jī)平臺(tái)之間交換文件。

GIF是Compu-Serve公司提供的一種圖形格式，是一種LZE壓縮格式，用來(lái)最小化文件大小和電子傳遞時(shí)間。

JPEG是最前所有格式中壓縮率最高的格式。其最大特大是文件經(jīng)過(guò)了高倍壓縮，都比較小，目前絕大多數(shù)彩色和灰度圖像都是使用JPEG格式壓縮圖像，這是一個(gè)變壓縮率算法，壓縮比很大并且支持多種壓縮級(jí)別的格式，當(dāng)對(duì)圖像的精度要求不高而存儲(chǔ)空間又有

時(shí)限，JPEG是一種理想的壓縮方式。

PSD在PS所支持的各種格式中，PSD格式存取速度比其他格式快很多，功能也很強(qiáng)大，可存放圖層、通道、遮罩等多種設(shè)計(jì)草稿。

5、Photoshop的使用：圖像色彩模式的轉(zhuǎn)換方法、工具箱中各類(lèi)工具的使用、圖像色彩色調(diào)的調(diào)整、修補(bǔ)圖像的方法

修補(bǔ)圖像：1）圖章工具：1.仿制圖章工具2.圖案圖章工具）2）修復(fù)工具：1.污點(diǎn)修復(fù)畫(huà)筆工具2.修復(fù)畫(huà)筆工具3.修補(bǔ)工具 第四章 視頻文件的制作與處理

1、Premiere是Adobe公司的非線(xiàn)性視頻編輯軟件。用Premiere制作處理視頻文件的步驟（結(jié)合視頻制作處理練習(xí)和作業(yè)）

2、Premiere項(xiàng)目的設(shè)置、電視制式、時(shí)基設(shè)置；時(shí)間線(xiàn)的操作；視頻、音頻的導(dǎo)入與設(shè)置；場(chǎng)景轉(zhuǎn)換、特效的使用；字幕的添加；視頻輸出

3、常見(jiàn)視頻格式：windows waveform(wav)Microsoft dv avi;Filmstrip(flm)第五章平面動(dòng)畫(huà)信息處理

1、Flash動(dòng)畫(huà)的種類(lèi)；

逐幀動(dòng)畫(huà):所謂助陣動(dòng)畫(huà)，實(shí)質(zhì)更改每一幀中的舞臺(tái)內(nèi)容，然后助陣播放這額幀的畫(huà)面內(nèi)容，從而形成的動(dòng)畫(huà)。補(bǔ)間動(dòng)畫(huà)、引導(dǎo)層動(dòng)畫(huà)、遮罩動(dòng)畫(huà)的制作方法 第六章 三維動(dòng)畫(huà)信息的制作與處理

1、三維動(dòng)畫(huà)制作軟件、基本制作流程 第七章 多媒體應(yīng)用集成1、Authorware是基于設(shè)計(jì)圖標(biāo)和流程線(xiàn)的多媒體制作和軟件

2、Authorware的主要設(shè)計(jì)圖標(biāo)：結(jié)合多媒體綜合作業(yè)“個(gè)人簡(jiǎn)歷”熟悉顯示圖標(biāo)、群組圖標(biāo)、等待圖標(biāo)、擦除圖標(biāo)、導(dǎo)航圖標(biāo)、移動(dòng)圖標(biāo)、框架圖標(biāo)、交互圖標(biāo)、計(jì)算圖標(biāo)、數(shù)字電影圖標(biāo)、聲音圖標(biāo)等的使用。

第五篇：冬季馬鈴薯種植技術(shù)要點(diǎn)總結(jié)

寧南縣大行桑套作冬季馬鈴薯覆膜栽培技術(shù)要點(diǎn)

1、種薯處理：必須選用芽長(zhǎng)1厘米左右，在散光下煉芽至綠色，出芽整齊的種薯。均忌使用未出芽的種薯，這是為以后破膜方便，減少勞動(dòng)力的一項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)；要求使用藥劑拌種或噴灑，使用一包銀法利兌一噴霧器水進(jìn)行噴灑，晾干水汽后進(jìn)行播種。

2、栽培方式：采用3尺拉線(xiàn)開(kāi)廂，每廂種兩行；行距6寸，退步行8寸，畝植5000窩；深溝高廂，一次成型，種完后不用再上小廂和大廂。

將地整平整細(xì)后拉線(xiàn)挖溝，溝寬以窄板鋤挖出寬度為宜，大約7寸左右，深度不少于20厘米；挖好溝后在溝兩側(cè)錯(cuò)窩擺放種薯，兩個(gè)種薯之間的距離是8寸，注意將種薯放在溝底兩側(cè)；然后在溝中間或兩個(gè)種薯中間施用農(nóng)家肥和一半的馬鈴薯專(zhuān)用肥，將播種溝填平后再在廂面上施用另一半馬鈴薯專(zhuān)用肥；最后起高壟，廂面高度不小于30厘米，廂面寬度不超過(guò)2尺，在起好的壟大廂面上用芽前除草劑，如乙草胺等對(duì)廂面和廂溝進(jìn)行噴灑一次。

3、地膜覆蓋：覆膜有兩種方式，一是播種后立即覆膜；二是整塊田出苗達(dá)10%左右開(kāi)始覆膜，地膜應(yīng)該選擇寬膜，寬度不少于3尺。無(wú)論是哪種覆膜方式都要注意即時(shí)破膜，避免馬鈴薯燒苗，要隨時(shí)檢查馬鈴薯出苗情況，發(fā)現(xiàn)有出苗頂膜的情況就要馬上破膜，就在破膜處抓土覆蓋。

4、施肥：馬鈴薯覆膜栽培采用的是將所有肥料作為底肥一次性施入的方式，以后不再施肥。畝用腐熟農(nóng)家肥1000-1500公斤，馬鈴薯專(zhuān)用肥50公斤（氮、磷、鉀的含量為15：15：15），現(xiàn)蕾期畝用磷酸二氫鉀一包（400克）兌水4噴霧器（大約60公斤）進(jìn)行葉面噴施兩次（每隔10天再?lài)娨淮危?/p>

5、水漿管理：以田間土壤干濕度決定灌水次數(shù)，灌水灌浸廂水，速灌速排。