第一篇：k線分析實(shí)驗(yàn)

K線分析實(shí)驗(yàn)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖煜ず驼莆粘Ｒ奒線形態(tài)的分析研判

二、實(shí)驗(yàn)要求

1.根據(jù)實(shí)驗(yàn)?zāi)康?，確定實(shí)驗(yàn)具體對(duì)象、設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)思路。

2.自己擬定實(shí)驗(yàn)步驟，用文字、圖表、流程圖、表格等形式記錄實(shí)驗(yàn)分析過程。

3.根據(jù)實(shí)驗(yàn)步驟，結(jié)合其他因素分析之后，總結(jié)實(shí)驗(yàn)，得出實(shí)驗(yàn)結(jié)論。

三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1.選擇若干股票或同一股票近期的K線走勢(shì)圖，分析日線圖中最后一根K線的實(shí)體和影線。

2.選擇若干股票或同一股票近期的K線走勢(shì)圖，分析日線圖中最后若干根K線的構(gòu)成的組合。

3.選擇若干股票或同一股票近期的K線走勢(shì)圖，分析周線圖中最后一根K線以及K線組合。

4.選擇若干股票或同一股票近期的K線走勢(shì)圖，分析其他周期或其他股票走勢(shì)圖中的K線。

四、實(shí)驗(yàn)步驟

（自己擬定）

五、實(shí)驗(yàn)結(jié)論

第二篇：線損分析

配電網(wǎng)的電能損耗不僅與電網(wǎng)的結(jié)構(gòu)和負(fù)荷性質(zhì)有關(guān)，而且還與企業(yè)的管理水平有關(guān)。在供電所的線損管理中，管理線損是左右統(tǒng)計(jì)線損的一個(gè)重要因素。由于這種損失無規(guī)律可循，又不易測(cè)算，通常又稱之為不明損耗。因管理不到位形成的電能損失在整個(gè)實(shí)際線損中占有較大的比重，在某些地方，部分環(huán)節(jié)甚至還相當(dāng)嚴(yán)重。通過線損分析，可以深入了解本單位線損的起因、性質(zhì)、各組成部分所占比例等因素，找出影響損失的主要因素，并有針對(duì)性地采取相應(yīng)的措施，以較少的投入取得較大的降損效果和經(jīng)濟(jì)效益。

一、線損分析方法

1、分片分析

線損分析應(yīng)按電壓等級(jí)、分線路、分臺(tái)區(qū)進(jìn)行，以掌握線損電量的組成，找出薄弱環(huán)節(jié)，明確主攻方向。

2、扣除無損電量分析

將無損的用戶專用線、專用配電變壓器、通過用戶的轉(zhuǎn)供電等相應(yīng)的售電量扣除后進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，以求得真實(shí)的線損率。

3、與歷史同期比較分析

有些用電負(fù)載與季節(jié)有關(guān)系。隨季節(jié)變化而變化（如農(nóng)業(yè)用電）。而且，同期的氣象條件也基本一致，所以與歷史同期的參數(shù)值比較，有很大的可比性，通過比較能夠發(fā)現(xiàn)問題。

4、與平均線損率比較分析

一個(gè)連續(xù)的時(shí)間較長(zhǎng)的平均線損率，能夠消除因負(fù)載變化、時(shí)間變化、抄表時(shí)間差等因素造成的線損波動(dòng)現(xiàn)象，這樣的平均線損率能反映線損的實(shí)際狀況。與該平均線損相比較，就能發(fā)現(xiàn)當(dāng)時(shí)的線損是否正常。

5、與理論線損對(duì)比分析

實(shí)際線損與理論線損的偏差的大小，能看出管理上的差距，能分析出可能存在的問題，并結(jié)合其他分析方法，找出管理中存在的問題，然后采取相應(yīng)措施。

6、電能平衡分析

計(jì)量總表與分表電量的比較，用于監(jiān)督電能計(jì)量設(shè)備的運(yùn)行情況和變電站本身耗能情況。這是很有效的分析方法，經(jīng)常開展這項(xiàng)活動(dòng)能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題，及時(shí)采取措施，使計(jì)量裝置保持在正常運(yùn)行狀態(tài)。

7、與先進(jìn)水平比

將本單位的線損完成情況，與周圍單位比，就能發(fā)現(xiàn)本單位在電網(wǎng)結(jié)構(gòu)和管理中存在的差距。

二、對(duì)幾個(gè)影響線損的因素定性研究

1、線損電能損失分布規(guī)律

在線路中，電能損失不是平均分布的，線路前端損失大，主干損失大于分支損失。

2、線路結(jié)構(gòu)對(duì)損失的影響

電源應(yīng)放在負(fù)荷中心，使電網(wǎng)呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，線路向周圍輻射，這種電網(wǎng)結(jié)構(gòu)，損失最小。應(yīng)盡量避免采用鏈狀結(jié)構(gòu)。

3、功率因數(shù)對(duì)線損的影響

在電網(wǎng)中存在著大量感性負(fù)載使得線路功率因數(shù)低。在同樣的功率下，功率因數(shù)越低，負(fù)載電流就越高，線路損失成平方比增加。要減少損失，就必須減少電流。

4、電能表對(duì)低壓線損的影響

DD28、DD862機(jī)械表表損分別為2W、1.5W，單相電子表表損為0.5W左右,一個(gè)月電能損耗分別為1.4Kwh、1kwh和0.4kwh左右。由于我縣農(nóng)村每戶用電量?jī)H8度左右，使用不同種類的電表，電能將對(duì)線損率水平產(chǎn)生重大影響。

5、三相負(fù)荷不平衡對(duì)線損的影響 采用三相四線制供電方式，由于用戶較為分散（外出用電戶多），線路長(zhǎng)，如果三相不平衡，則零線中有電流通過，損耗將顯著增加。至此，當(dāng)三相負(fù)荷不平衡時(shí)，不論在三相線路上是何種負(fù)荷分配情況，電流不平衡越大，線損增量也越大，且與電流不平衡度成正比。線損理論計(jì)算方法

線損理論計(jì)算是降損節(jié)能，加強(qiáng)線損管理的一項(xiàng)重要的技術(shù)管理手段。通過理論計(jì)算可發(fā)現(xiàn)電能損失在電網(wǎng)中分布規(guī)律，通過計(jì)算分析能夠暴露出管理和技術(shù)上的問題，對(duì)降損工作提供理論和技術(shù)依據(jù)，能夠使降損工作抓住重點(diǎn)，提高節(jié)能降損的效益，使線損管理更加科學(xué)。所以在電網(wǎng)的建設(shè)改造過程以及正常管理中要經(jīng)常進(jìn)行線損理論計(jì)算。

線損理論計(jì)算是項(xiàng)繁瑣復(fù)雜的工作，特別是配電線路和低壓線路由于分支線多、負(fù)荷量大、數(shù)據(jù)多、情況復(fù)雜，這項(xiàng)工作難度更大。線損理論計(jì)算的方法很多，各有特點(diǎn)，精度也不同。這里介紹計(jì)算比較簡(jiǎn)單、精度比較高的方法。理論線損計(jì)算的概念 1．輸電線路損耗

當(dāng)負(fù)荷電流通過線路時(shí)，在線路電阻上會(huì)產(chǎn)生功率損耗。(1)單一線路有功功率損失計(jì)算公式為 △P＝I2R

式中△P--損失功率，W；

I--負(fù)荷電流，A；

R--導(dǎo)線電阻，Ω(2)三相電力線路 線路有功損失為

△P＝△PA十△PB十△PC＝3I2R(3)溫度對(duì)導(dǎo)線電阻的影響：

導(dǎo)線電阻R不是恒定的，在電源頻率一定的情況下，其阻值

隨導(dǎo)線溫度的變化而變化。

銅鋁導(dǎo)線電阻溫度系數(shù)為a＝0.004。

在有關(guān)的技術(shù)手冊(cè)中給出的是20℃時(shí)的導(dǎo)線單位長(zhǎng)度電阻值。但實(shí)際運(yùn)行的電力線路周圍的環(huán)境溫度是變化的；另外；負(fù)載電流通過導(dǎo)線電阻時(shí)發(fā)熱又使導(dǎo)線溫度升高，所以導(dǎo)線中的實(shí)際電阻值，隨環(huán)境、溫度和負(fù)荷電流的變化而變化。為了減化計(jì)算，通常把導(dǎo)線電陰分為三個(gè)分量考慮：

1）基本電阻20℃時(shí)的導(dǎo)線電阻值R20為

R20=RL 式中R--電線電阻率，Ω/km，;L--導(dǎo)線長(zhǎng)度，km。

2）溫度附加電阻Rt為

Rt=a（tP－20）R20

式中a--導(dǎo)線溫度系數(shù)，銅、鋁導(dǎo)線a=0．004；

tP--平均環(huán)境溫度，℃。

3）負(fù)載電流附加電阻Rl為

Rl= R20 4）線路實(shí)際電阻為 R=R20+Rt+Rl（4）線路電壓降△U為

△U=U1－U2=LZ 2．配電變壓器損耗(簡(jiǎn)稱變損)功率△PB

配電變壓器分為鐵損(空載損耗)和銅損(負(fù)載損耗)兩部分。鐵損對(duì)某一型號(hào)變壓器來說是固定的，與負(fù)載電流無關(guān)。銅損與變壓器負(fù)載率的平方成正比。

配電網(wǎng)電能損失理論計(jì)算方法

配電網(wǎng)的電能損失，包括配電線路和配電變壓器損失。由于配電網(wǎng)點(diǎn)多面廣，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，客戶用電性質(zhì)不同，負(fù)載變化波動(dòng)大，要起模擬真實(shí)情況，計(jì)算出某一各線路在某一時(shí)刻或某一段時(shí)間內(nèi)的電能損失是很困難的。因?yàn)椴粌H要有詳細(xì)的電網(wǎng)資料，還在有大量的運(yùn)行資料。有些運(yùn)行資料是很難取得的。另外，某一段時(shí)間的損失情況，不能真實(shí)反映長(zhǎng)時(shí)間的損失變化，因?yàn)槊總€(gè)負(fù)載點(diǎn)的負(fù)載隨時(shí)間、隨季節(jié)發(fā)生變化。而且這樣計(jì)算的結(jié)果只能用于事后的管理，而不能用于事前預(yù)測(cè)，所以在進(jìn)行理論計(jì)算時(shí)，都要對(duì)計(jì)算方法和步驟進(jìn)行簡(jiǎn)化。為簡(jiǎn)化計(jì)算，一般假設(shè)：

（1）線路總電流按每個(gè)負(fù)載點(diǎn)配電變壓器的容量占該線路配電變壓器總?cè)萘康谋壤峙涞礁鱾€(gè)負(fù)載點(diǎn)上。

（2）每個(gè)負(fù)載點(diǎn)的功率因數(shù)cos 相同。

這樣，就能把復(fù)雜的配電線路利用線路參數(shù)計(jì)算并簡(jiǎn)化成一個(gè)等值損耗電阻。這種方法叫等值電阻法。等值電阻計(jì)算

設(shè)：線路有m個(gè)負(fù)載點(diǎn)，把線路分成n個(gè)計(jì)算段，每段導(dǎo)線電阻分別為R1，R2，R3，…，Rn，1．基本等值電阻Re 3．負(fù)載電流附加電阻ReT

在線路結(jié)構(gòu)未發(fā)生變化時(shí)，Re、ReT、Rez三個(gè)等效電阻其值不變，就可利用一些運(yùn)行參數(shù)計(jì)算線路損失。

均方根電流和平均電流的計(jì)算

利用均方根電流法計(jì)算線損，精度較高，而且方便。利用代表日線路出線端電流記錄，就可計(jì)算出均方根電流IJ和平均電流IP。

在一定性質(zhì)的線路中，K值有一定的變化范圍。有了K值就可用IP代替IJ。IP可用線路供電量計(jì)算得出，電能損失計(jì)算

（1）線路損失功率△P（kW）

△P=3（KIP）2（Re+ReT+ReI）×10-3

如果精度要求不高，可忽略溫度附加電阻ReT和負(fù)載電流附加電阻ReI。

（2）線路損失電量△W（3）線損率

（4）配電變壓器損失功率△PB（5）配電變壓器損失電量△WB（6）變損率 B

（7）綜合損失率為 + B。

另外，還有損失因數(shù)、負(fù)荷形狀系數(shù)等計(jì)算方法。這些計(jì)算方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，但計(jì)算誤差較大，這里就不再分別介紹了。低壓線路損失計(jì)算方法

低壓線路的特點(diǎn)是錯(cuò)綜復(fù)雜，變化多端，比高壓配電線路更加復(fù)雜。有單相供電，3×3相供電，3×4相供電線路，更多的是這幾種線路的組合。因此，要精確計(jì)算低壓網(wǎng)絡(luò)的損失是很困難的，一般采用近似的簡(jiǎn)化方法計(jì)算。

簡(jiǎn)單線路的損失計(jì)算 1．單相供電線路

（1）一個(gè)負(fù)荷在線路末端時(shí)：

（2）多個(gè)負(fù)荷時(shí)，并假設(shè)均勻分布：

2．3×3供電線路

（1）一個(gè)負(fù)荷點(diǎn)在線路末端

（2）多個(gè)負(fù)荷點(diǎn)，假設(shè)均勻分布且無大分支線

3．3×4相供電線路

（1）A、B、C三相負(fù)載平衡時(shí)，零線電流IO=0，計(jì)算方法同3×3相線路。

由表6-2可見，當(dāng)負(fù)載不平衡度較小時(shí)，a值接近1，電能損失與平衡線路接近，可用平衡線路的計(jì)算方法計(jì)算。

4．各參數(shù)取值說明

（1）電阻R為線路總長(zhǎng)電阻值。

（2）電流為線路首端總電流?？扇∑骄娏骱途礁娏?。取平均電流時(shí)，需要用修正系數(shù)K進(jìn)行修正。平均電流可實(shí)測(cè)或用電能表所計(jì)電量求得。

（3）在電網(wǎng)規(guī)劃時(shí)，平均電流用配電變壓器二次側(cè)額定值，計(jì)算最大損耗值，這時(shí)K=1。

（4）修正系數(shù)K隨電流變化而變化，變化越大，K越大；反之就小。它與負(fù)載的性質(zhì)有關(guān)。

復(fù)雜線路的損失計(jì)算

0．4kV線路一般結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜。在三相四線線路中單相、三相負(fù)荷交叉混合，有較多的分支和下戶線，在一個(gè)臺(tái)區(qū)中又有多路出線。為便于簡(jiǎn)化，先對(duì)幾種情況進(jìn)行分析

第三篇：線痕分析

硅片線痕分析

pv600.硅片線痕分析

分類：線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯(cuò)位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下：

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

表現(xiàn)形式：（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。

（2）無可見雜質(zhì)黑點(diǎn)，但相鄰兩硅片線痕成對(duì)，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。

（3）以上兩種特征都有。

（4）一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較高的線弓。改善方法：（1）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測(cè)手段。

（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺(tái)速、提高線速等。其它相關(guān)：硅錠雜質(zhì)除會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會(huì)導(dǎo)致切片過程中 出現(xiàn)“切不動(dòng)”現(xiàn)象。如未及時(shí)發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷 線而產(chǎn)生更大的損失。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

改善方法：（1）針對(duì)大顆粒SIC（2.5~3D50），加強(qiáng)IQC檢測(cè)；使用部門對(duì)同一批次SIC先進(jìn)行試用，然后再進(jìn)行正常使用。

（2）導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時(shí)間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒有進(jìn)行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標(biāo)。

其它相關(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項(xiàng)性能對(duì)于切片都有很大的影響。

3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回

路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán) 重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時(shí)間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對(duì)性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切 割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改 善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)

臺(tái)內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清

洗時(shí)用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度

不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決

此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板

上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

表現(xiàn)形式：

改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)切片前檢查工作，定期清洗機(jī)床。

5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。

表現(xiàn)形式：一般出現(xiàn)在靠近粘膠面一側(cè)的倒角處，貫穿整片硅片。

改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)檢查和監(jiān)督。

二、TTV（Total Thickness Variety）

TTV不良，都是由于各種問題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動(dòng)而產(chǎn)生的硅片不良，包括設(shè)備精度問題、工作臺(tái)問題、導(dǎo)輪問題、導(dǎo)向條粘膠問題等。

1、設(shè)備精度：

導(dǎo)輪徑向跳動(dòng)<40μm，軸向跳動(dòng)<20μm。改善方法：校準(zhǔn)設(shè)備。

2、工作臺(tái)問題：

工作臺(tái)的不穩(wěn)定性會(huì)導(dǎo)致大量TTV不良的產(chǎn)生。改善方法：維修工作臺(tái)。

3、導(dǎo)輪問題：

因?qū)л唵栴}而產(chǎn)生的TTV不良，一般出現(xiàn)在新導(dǎo)輪和導(dǎo)輪磨損很大的時(shí)候。改善方法：更換導(dǎo)輪。

4、導(dǎo)向條粘膠問題：

當(dāng)導(dǎo)向條下的膠水涂抹不均勻，出現(xiàn)部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現(xiàn)TTV不良問題。

改善方法：規(guī)范粘膠操作。

三、臺(tái)階

臺(tái)階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：

1、砂漿問題：

砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過多，沒有經(jīng)過充分過濾，造成鋼線跳線。改善方法：規(guī)范砂漿配制、更換，延長(zhǎng)切片的熱機(jī)時(shí)間和次數(shù)。

2、硅塊雜質(zhì)問題：

硅塊的大顆粒雜質(zhì)會(huì)引起跳線而產(chǎn)生臺(tái)階。

改善方法：改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測(cè)手段。

3、單晶停機(jī)、切起工藝問題：

單晶相對(duì)多晶硬度較大，在異常停機(jī)并重新切起的過程中，采用違規(guī)操作產(chǎn)生的鋼線跳線。

改善方法：嚴(yán)格遵循工藝操作。

4、線、砂工藝匹配問題：

鋼線、砂漿型號(hào)不匹配造成切片跳線，此種情況很少出現(xiàn)

第四篇：實(shí)驗(yàn)分析

2010

34．小林用紙杯、塑料片和水做實(shí)驗(yàn)。他將紙杯裝滿水，用塑料片把杯口蓋嚴(yán)，一只手按住

塑料片，另一只手抓住杯底，在空中將紙杯倒過來。移開按塑料片的手后，他發(fā)現(xiàn)塑料片和杯子里的水都不落下來，如圖19所示。

小林對(duì)這一現(xiàn)象的解釋是：塑料片和杯子里的水都不落下來是由于

塑料片被水粘住了，與大氣壓無關(guān)。請(qǐng)你利用上述器材再補(bǔ)充必要的輔助器材，設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)證明小林的解釋是錯(cuò)誤的。請(qǐng)你寫出實(shí)

驗(yàn)步驟和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

35．實(shí)驗(yàn)桌上有如下實(shí)驗(yàn)器材：滿足實(shí)驗(yàn)要求的電源、阻值已知的定值電阻各1個(gè)，電阻箱

（電路圖符號(hào)）一個(gè)，已調(diào)零的電流表兩塊，開關(guān)兩個(gè)，導(dǎo)線若干。請(qǐng)選用上述實(shí)驗(yàn)器材，設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)證明“兩個(gè)電阻R1與R2并聯(lián)時(shí)，如果R1的阻值保持不變，則電阻R1與R2并聯(lián)的等效電阻R跟電阻R2的關(guān)系為：圖19 11=+ b（b為常量）”。請(qǐng)你RR

2畫出實(shí)驗(yàn)電路圖，寫出實(shí)驗(yàn)步驟，畫出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄表。

201

135．小麗用伏安法測(cè)量標(biāo)有“2.5V 0.5A”的小燈泡L的電功率，她正確連接如圖所示實(shí)物電路后，閉合開關(guān)S，發(fā)現(xiàn)小燈泡L不發(fā)光。于是她認(rèn)為：小燈泡L不發(fā)光，一定是由于小燈泡L所在電路斷路或小燈泡L短路造成的。經(jīng)老師檢查發(fā)現(xiàn)，圖中電路元件均無故障，且電路連線完好。請(qǐng)你選用圖所示電路中的元件，設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)證明小麗的觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的。請(qǐng)你畫出實(shí)驗(yàn)電路圖，并簡(jiǎn)述實(shí)驗(yàn)步驟和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

36．實(shí)驗(yàn)桌上有滿足實(shí)驗(yàn)需要的如下器材：天平、砝碼、體積不同的鋁塊、細(xì)線、大燒杯、量筒、水。請(qǐng)你利用上述器材設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)證明：浸在水中的物體所受的浮力大小跟物體排開水的體積成正比。請(qǐng)你寫出實(shí)驗(yàn)步驟，畫出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄表。

201

235．利用一支溫度計(jì)、一個(gè)小燒杯、一瓶酒精，設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)，證明：酒精蒸發(fā)過程中吸熱。請(qǐng)你寫出實(shí)

驗(yàn)步驟和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

36．為了探究平面鏡成像時(shí)，像到平面鏡的距離v與物到平面鏡的距離u的關(guān)系，現(xiàn)將泡沫塑料板放在水

平桌面上，再將白紙平放并固定在泡沫塑料板上，在白紙中間畫一條直線MN，把一塊帶支架的平面鏡（不透明）沿直線MN放置，使平面鏡底邊與直線MN重合，且使平面鏡垂直于紙面，如圖16所示。請(qǐng)你在圖16裝置的基礎(chǔ)上，利用一把刻度尺和一盒大頭針設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)，證明：平面鏡成像時(shí)，像到平面鏡的距離v等于物到平面鏡的距離u。請(qǐng)寫出實(shí)驗(yàn)步驟，畫出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄表。

圖16

201

337在探究滑動(dòng)摩擦力的大小跟哪些因素有關(guān)時(shí)，小東認(rèn)為物體所受滑動(dòng)摩擦力的大小跟

物體對(duì)接觸面的壓強(qiáng)有關(guān)。水平桌面上有符合實(shí)驗(yàn)要求的帶滑輪的木板，兩大大小不同、材料相同、表面粗糙程度相同的帶掛鉤的立方體木塊A和B，彈簧測(cè)力計(jì)和細(xì)線。請(qǐng)你利用上述器材設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明小東的觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的。請(qǐng)你寫出主要實(shí)驗(yàn)步驟和實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

38實(shí)驗(yàn)桌上有符合實(shí)驗(yàn)要求的橡皮筋一根、彈簧測(cè)力計(jì)（量程0-5N）一個(gè)、鉤碼（每個(gè)

鉤碼的質(zhì)量為50g）一盒、帶橫桿的鐵架臺(tái)一個(gè)、刻度尺一把、細(xì)線若干。請(qǐng)你選用上述實(shí)驗(yàn)器材設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)證明：如果同一直線上的兩個(gè)力F1與F2的方向相反，且F1

大于F2，則F1與F2的合力為F=F1-F2。請(qǐng)你寫出實(shí)驗(yàn)步驟（可畫示意圖輔助說明），畫出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄表格。

第五篇：硅片線痕分析

硅片線痕分析

分類：線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯(cuò)位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下：

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

表現(xiàn)形式：（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。

（2）無可見雜質(zhì)黑點(diǎn)，但相鄰兩硅片線痕成對(duì)，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。

（3）以上兩種特征都有。

（4）一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較高的線弓。改善方法：（1）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測(cè)手段。

（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺(tái)速、提高線速等。其它相關(guān)：硅錠雜質(zhì)除會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會(huì)導(dǎo)致切片過程中 出現(xiàn)“切不動(dòng)”現(xiàn)象。如未及時(shí)發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷 線而產(chǎn)生更大的損失。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。改善方法：（1）針對(duì)大顆粒SIC（2.5~3D50），加強(qiáng)IQC檢測(cè)；使用部門對(duì)同一批次SIC先進(jìn)行試用，然后再進(jìn)行正常使用。

（2）導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時(shí)間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒有進(jìn)行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標(biāo)。

其它相關(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項(xiàng)性能對(duì)于切片都有很大的影響。

3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)

重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時(shí)間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對(duì)性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切 割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改 善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)

臺(tái)內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清

洗時(shí)用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度

不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決

此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板

上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

表現(xiàn)形式：

改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)切片前檢查工作，定期清洗機(jī)床。

5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。

表現(xiàn)形式：一般出現(xiàn)在靠近粘膠面一側(cè)的倒角處，貫穿整片硅片。

改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)檢查和監(jiān)督。

二、TTV（Total Thickness Variety）TTV不良，都是由于各種問題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動(dòng)而產(chǎn)生的硅片不良，包括設(shè)備精度問題、工作臺(tái)問題、導(dǎo)輪問題、導(dǎo)向條粘膠問題等。

1、設(shè)備精度：

導(dǎo)輪徑向跳動(dòng)<40μm，軸向跳動(dòng)<20μm。改善方法：校準(zhǔn)設(shè)備。

2、工作臺(tái)問題：

工作臺(tái)的不穩(wěn)定性會(huì)導(dǎo)致大量TTV不良的產(chǎn)生。改善方法：維修工作臺(tái)。

3、導(dǎo)輪問題：

因?qū)л唵栴}而產(chǎn)生的TTV不良，一般出現(xiàn)在新導(dǎo)輪和導(dǎo)輪磨損很大的時(shí)候。改善方法：更換導(dǎo)輪。

4、導(dǎo)向條粘膠問題：

當(dāng)導(dǎo)向條下的膠水涂抹不均勻，出現(xiàn)部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現(xiàn)TTV不良問題。

改善方法：規(guī)范粘膠操作。

三、臺(tái)階

臺(tái)階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：

1、砂漿問題：

砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過多，沒有經(jīng)過充分過濾，造成鋼線跳線。改善方法：規(guī)范砂漿配制、更換，延長(zhǎng)切片的熱機(jī)時(shí)間和次數(shù)。

2、硅塊雜質(zhì)問題：

硅塊的大顆粒雜質(zhì)會(huì)引起跳線而產(chǎn)生臺(tái)階。

改善方法：改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測(cè)手段。

3、單晶停機(jī)、切起工藝問題：

單晶相對(duì)多晶硬度較大，在異常停機(jī)并重新切起的過程中，采用違規(guī)操作產(chǎn)生的鋼線跳線。改善方法：嚴(yán)格遵循工藝操作。

4、線、砂工藝匹配問題：

鋼線、砂漿型號(hào)不匹配造成切片跳線，此種情況很少出現(xiàn)