第一篇：集成電路的重要支撐材料

！三盼IC軟件新政

！超大規(guī)模集成電路的重要支撐材料-沈哲瑜 1 國(guó)內(nèi)外超凈高純?cè)噭┘夹g(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

超凈高純?cè)噭?Ultra-clean and High-purity Reagents)在國(guó)際上通稱為工藝化學(xué)品(Process Chemicals),美、歐和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)又稱濕化學(xué)品(Wet Chemicals),是超大規(guī)模集成電路(IC)制作過(guò)程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一,主要用于芯片的清洗、蝕刻,另外超凈高純?cè)噭┻€用于芯片摻雜和沉淀工藝。超凈高純?cè)噭┑募兌群蜐崈舳葘?duì)集成電路的成品率、電性能及可靠性均有十分重要的影響。超凈高純?cè)噭┚哂衅贩N多、用量大、技術(shù)要求高、貯存有效期短和腐蝕性強(qiáng)等特點(diǎn),它基于微電子技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生,一代IC 產(chǎn)品需要一代的超凈高純?cè)噭┡c之配套。它隨著微電子技術(shù)的發(fā)展而同步或超前發(fā)展,同時(shí)它又對(duì)微電子技術(shù)的發(fā)展起著制約作用。

依照超凈高純?cè)噭┑挠猛?可以將其劃分為光刻膠配套試劑、濕法蝕刻劑和濕法工藝試劑。如果依其性質(zhì)可以分為:無(wú)機(jī)酸類、無(wú)機(jī)堿類、有機(jī)溶劑類和其它超凈高純?cè)噭?。有關(guān)資料顯示,超凈高純有機(jī)溶劑在半導(dǎo)體工業(yè)中的消耗比例大致占10-15%,其中有機(jī)類化學(xué)品的需求量在微電子化學(xué)品中占總體積的3%以上,市場(chǎng)需求量相當(dāng)可觀。

在超凈高純?cè)噭┑陌l(fā)展方面,與光刻膠相似,不同線寬的集成電路必須使用不同規(guī)格的超凈高純?cè)噭┻M(jìn)行蝕刻和清洗。超凈高純?cè)噭┑年P(guān)鍵在于控制其所含的金屬離子的多少和試劑中塵埃顆粒的含量,對(duì)于線寬較小的集成電路,幾個(gè)金屬離子或灰塵就足以報(bào)廢整個(gè)電路。

1975年,國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)制定了國(guó)際統(tǒng)一的超凈高純?cè)噭?biāo)準(zhǔn),如表1所示。目前,國(guó)際上制備SEMI-C1到SEMI-C12級(jí)超凈高純?cè)噭┑募夹g(shù)都已經(jīng)趨于成熟。隨著集成電路制作要求的提高,對(duì)工藝中所需的液體化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢(shì)上看,滿足納米級(jí)集成電路加工需求是超凈高純?cè)噭┙窈蟀l(fā)展方向之一。

可以看出,超凈高純?cè)噭┲苽涞年P(guān)鍵在于控制并達(dá)到其所要求的雜質(zhì)含量和顆粒度。為使超凈高純?cè)噭┑馁|(zhì)量達(dá)到要求,需從多個(gè)方面同時(shí)予以保障,包括試劑的提純、包裝、供應(yīng)系統(tǒng)及分析方法等。目前,國(guó)際上普遍使用的提純工藝有十余種,它們適用于不同成分、不同要求的超凈高純?cè)噭┑纳a(chǎn),例如,蒸餾、精餾、連續(xù)精餾、鹽熔精餾、共沸精餾、亞沸騰蒸餾、等溫蒸餾、減壓蒸餾、升華、化學(xué)處理、氣體吸收等。超凈高 3

純?cè)噭┰谶\(yùn)輸過(guò)程中極易受污染,所以超凈高純?cè)噭┑陌b及供應(yīng)方式是超凈高純?cè)噭┦褂玫闹匾画h(huán)。特別是顆粒控制的相關(guān)技術(shù),它貫穿于超凈高純?cè)噭┥a(chǎn)、運(yùn)輸?shù)氖冀K,包括了環(huán)境控制、工藝控制、成品包裝控制等各個(gè)環(huán)節(jié)。

目前在國(guó)際上從事超凈高純?cè)噭┑难芯块_發(fā)及大規(guī)模生產(chǎn)的主要有德國(guó)的E.Merck公司(包括日本的Merck-Kanto公司,占全球市場(chǎng)份額26.7%),美國(guó)的ashland公司(市場(chǎng)份額25.7%)、arch公司(市場(chǎng)份額9.5%)、Mallinckradt Baker公司(市場(chǎng)份額4.4%),日本的Wako(市場(chǎng)份額10.1%)、Sumitomo(市場(chǎng)份額7.1%),另外還有日本住友合成、德川、三菱,我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)主要有臺(tái)灣Merck、長(zhǎng)春、中華、友發(fā)、長(zhǎng)新化學(xué)、臺(tái)硝股份及恒誼等,韓國(guó)主要有東友(DONGWOO FINECHEM)、東進(jìn)(DONGJINSEMICHEM)、SaMYOUNG FINECHEM等公司。在技術(shù)方面,美國(guó)、德國(guó)、日本、韓國(guó)及我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)目前已經(jīng)在大規(guī)模生產(chǎn)0.2~0.6μm技術(shù)用的超凈高純?cè)噭?其中的過(guò)氧化氫、硫酸、異丙醇等主要品種一般在5000~10000噸/年的規(guī)模,0.09~0.2μm技術(shù)用超凈高純?cè)噭┮惨淹瓿汕捌诘墓に囇芯坎⑿纬梢?guī)模生產(chǎn),90nm以下技術(shù)用工藝化學(xué)品也已完成技術(shù)研究,具備相應(yīng)的生產(chǎn)能力。

表1 工藝化學(xué)品SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)

國(guó)內(nèi)超凈高純?cè)噭┑难邪l(fā)水平及生產(chǎn)技術(shù)水平與國(guó)際上的先進(jìn)技術(shù)水平相比尚有一定的差距,目前5μm IC技術(shù)用MOS級(jí)試劑的生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)成熟,并已轉(zhuǎn)化為規(guī)模生產(chǎn)。0.8~1.2μm技術(shù)用超凈高純?cè)噭?相當(dāng)于國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)C7水平)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)基本成熟,初步形成生產(chǎn)規(guī)模。0.2~0.6μm技術(shù)用超凈高純?cè)噭?相當(dāng)于國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)C8水平)的工藝制備技術(shù)及分析測(cè)試技術(shù)有所突破,但由于受相關(guān)配套條件的制約,產(chǎn)業(yè)化技術(shù)還有待進(jìn)一步的完善。部分產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)也將能夠形成規(guī)?；a(chǎn),相關(guān)分析測(cè)試方法的研究也有了較大的突破,但總體上仍然受支撐條件落后、配套設(shè)施基礎(chǔ)差等客觀因素的制約,關(guān)鍵的儀器設(shè)備包括容器等必須依賴進(jìn)口,超凈高純?cè)噭┕に囅冗M(jìn)技術(shù)如氣體吸收、離子交換、膜處理技術(shù)等的應(yīng)用要達(dá)到國(guó)外的先進(jìn)水平也有一定的差距,這也導(dǎo)致真正要實(shí)現(xiàn)超凈高純?cè)噭┑墓I(yè)化規(guī)模生產(chǎn)存在較大的差距。

我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在不斷擴(kuò)大,2006年我國(guó)IC市場(chǎng)已達(dá)4836億元。2002~2006年5年間,平均增長(zhǎng)率達(dá)33.6%。

目前國(guó)內(nèi)12英寸(1英寸=25.4毫米)生產(chǎn)線2條,8英寸線10條,占國(guó)內(nèi)47條生產(chǎn)線總數(shù)的1/4,產(chǎn)能已占全國(guó)的60%,8英寸以上高端生產(chǎn)線已開始成為國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)主體。

按“十一五”計(jì)劃新建的生產(chǎn)線對(duì)于超凈高純?cè)噭┖挠昧繉⒂休^大幅度增長(zhǎng)。此外,隨著國(guó)內(nèi)平板顯示器(FPD)大發(fā)展,2007上廣電NEC產(chǎn)能將達(dá)到90K/月,京東方產(chǎn)能將達(dá)到85K/月,“十一.五”二廠三廠建成后將達(dá)18萬(wàn)枚/月。FPD工藝與VLSI是類似的,需求的超凈高純?cè)噭┮惨獛兹f(wàn)噸。

在市場(chǎng)供應(yīng)方面,目前>1.2μmMOS級(jí)超凈高純?cè)噭┮呀?jīng)全部實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,在更高檔次的超凈高純?cè)噭┕?yīng)方面,目前絕大部分需要從其它國(guó)家或地區(qū)進(jìn)口,SEMI標(biāo)準(zhǔn)C8水平及以上檔次的產(chǎn)品則全部依賴進(jìn)口。進(jìn)口產(chǎn)品的來(lái)源主要有日本、韓國(guó)、美國(guó)等國(guó)家及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。華誼超凈高純?cè)噭┩瓿蓢?guó)家“十五”863任務(wù)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

“十五”期間,國(guó)家科技部將“ULSI用超凈高純?cè)噭┭芯俊闭n題列入了“863”超大規(guī)模集成電路配套材料重大專項(xiàng)計(jì)劃之中,由北京化學(xué)試劑研究所、上海華誼(集團(tuán))公司等單位承擔(dān),其研究的主要目的是完成0.13~0.10μm技術(shù)ULSI用超凈高純?cè)噭┑难芯颗c開發(fā)工作,此項(xiàng)目現(xiàn)已完成,關(guān)鍵品種的制備工藝已趨完善,配套支撐條件基本上可以滿足研發(fā)的要求,顆粒、金屬雜質(zhì)、陰離子及TOC等分析測(cè)試方法的研究也取得了一系列成果,為“十一五”的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)及更加深入的研究奠定了良好的技術(shù)基礎(chǔ)。

上海華誼(集團(tuán))公司為推進(jìn)863課題研究開發(fā)工作,加快研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,于2003年1月組建了由華誼集團(tuán)公司、中遠(yuǎn)化工有限公司、三愛富新材料股份有限公司和上海化學(xué)試劑研究所等多元投資的上海華誼微電子化學(xué)品有限公司,成為執(zhí)行863計(jì)劃的實(shí)體、主體,擁有600平方米實(shí)驗(yàn)室、100平椒矯拙換液團(tuán)渲孟嚶Φ氖匝檣璞傅取Mü?63課題的研究開發(fā),不僅提升了在超凈高純?cè)噭┓矫娴募夹g(shù)水平,也培養(yǎng)了一大批專業(yè)技術(shù)人才。

表2 我國(guó)目前電子化學(xué)品進(jìn)口量和國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)占有率

2004年由上海華誼(集團(tuán))公司、上海中遠(yuǎn)化工有限公司和臺(tái)灣聯(lián)仕共同出資組建成立合資公司——上海華誼微電子材料有限公司,建成15000噸/年規(guī)模的超凈高純?cè)噭┥a(chǎn)線,現(xiàn)已正式投產(chǎn),是世界上屈指可數(shù)的微電子化學(xué)品生產(chǎn)廠,投資2.2億元人民幣,生產(chǎn)各類微電子化學(xué)品,主要有:30%雙氧水、96%硫酸、29%氨水、37%鹽酸、69%硝酸、99.7%醋酸、40%氟化銨,產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到當(dāng)前市場(chǎng)0.13μm線寬半導(dǎo)體制造業(yè)要求以及0.09μm半導(dǎo)體生產(chǎn)線質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求。

上海華誼微電子材料有限公司建筑面積近13000平方米,建有世界一流水平的生產(chǎn)線和凈化包裝線。實(shí)驗(yàn)室部分有潔凈房259平方米,最高潔凈要求可以達(dá)到10級(jí),擁有價(jià)值近1500萬(wàn)元的大型精密測(cè)試儀器和技術(shù)裝備,如測(cè)試限達(dá)到<1ppt(10-12)的電感耦合等離子光譜-質(zhì)譜儀(ICP-MS)、測(cè)試限<0.1ppb(10-9)的原子吸收光譜儀(aa)、紫外-可見分光光譜儀(U.V)、極譜儀、總碳分析儀、<0.1ppb的離子色譜儀(IC)、氣相色譜儀(GC)、高效液相色譜儀(HPLC)、激光散射顆粒測(cè)定儀(PMC)、空氣凈化顆 粒測(cè)試儀、微波消化器等。上海華誼微電子材料有限公司已于2006年年中建成投產(chǎn)。產(chǎn)品已開始進(jìn)入主要集成電路廠家試用,如中芯國(guó)際、臺(tái)積電,并出口東南亞。

在“十五”國(guó)家“863”重大專項(xiàng)課題研發(fā)成果的基礎(chǔ)上,上海華誼(集團(tuán))公司進(jìn)一步完善了ULSI用超凈高純?cè)噭┑陌l(fā)展目標(biāo)——通過(guò)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的研究和相關(guān)的配套技 5

術(shù),形成工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn),在上海華誼微電子材料有限公司基礎(chǔ)上擴(kuò)大產(chǎn)品的品種,為萬(wàn)噸級(jí)規(guī)?；a(chǎn)建設(shè)奠定技術(shù)基礎(chǔ)。同時(shí)開展小于0.09μm工藝技術(shù)用超凈高純?cè)噭┑墓に嚰夹g(shù)研究及相關(guān)配套技術(shù)的研究,以滿足我國(guó)微電子深亞微米技術(shù)及納米技術(shù)發(fā)展對(duì)超凈高純?cè)噭┑男枨蟆Ｅc此同時(shí)完成標(biāo)準(zhǔn)化體系的研究及人才隊(duì)伍的建設(shè),為超凈高純?cè)噭┑难邪l(fā)和產(chǎn)業(yè)化提供技術(shù)和人才的保證,最終建成集研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化于一體的、擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超凈高純?cè)噭┊a(chǎn)業(yè)化示范基地,總體水平達(dá)到國(guó)際上當(dāng)代先進(jìn)水平,打破國(guó)外公司對(duì)我國(guó)的行業(yè)壟斷,滿足我國(guó)微電子技術(shù)不斷發(fā)展對(duì)與之配套的超凈高純?cè)噭┑男枨蟆ＨA誼微電子化學(xué)品發(fā)展目標(biāo)

上海華誼(集團(tuán))公司計(jì)劃在“十五”國(guó)家“863”重大專項(xiàng)課題研發(fā)成果和上海華誼微電子材料有限公司的基礎(chǔ)上,大力發(fā)展微電子化學(xué)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,在“十一五”中達(dá)到如下的目標(biāo):(1)在目前的產(chǎn)品品種上增加高純有機(jī)試劑的生產(chǎn)品種6~10個(gè),主要是適用于極大規(guī)模集成電路和第五代以上平板顯示器(FDP)工藝用清洗劑和有機(jī)高純?cè)噭?光刻膠的配套高純超凈有機(jī)試劑等。

(2)研發(fā)0.09μm用的微電子化學(xué)品和相應(yīng)的CMP、CVD、超純微電子化學(xué)品等國(guó)內(nèi)急需品種,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。

(3)以上?；瘜W(xué)試劑研究所為基礎(chǔ)結(jié)合上海華誼(集團(tuán))公司各方面的技術(shù)力量建成一個(gè)產(chǎn)、學(xué)、研結(jié)合的微電子化學(xué)品研發(fā)及測(cè)試平臺(tái)。

(4)建立超凈高純?cè)噭┑漠a(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

(5)在超凈高純?cè)噭┑难邪l(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面擁有一批自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。4 華誼ULSI超凈高純?cè)噭┭邪l(fā)和測(cè)試平臺(tái)建設(shè)

由于高純電子化學(xué)品的特殊性,在其研發(fā)過(guò)程中測(cè)試工作占相當(dāng)大的比例,而高純電子化學(xué)品的產(chǎn)品質(zhì)量好壞直接影響最終半導(dǎo)體集成電路成品的合格率,所以國(guó)內(nèi)需要符合微電子(ppt級(jí))要求的電子級(jí)化學(xué)品分析實(shí)驗(yàn)室提供全面服務(wù)。而且,測(cè)試能力的不足在一定程度上也會(huì)制約高純電子化學(xué)品研發(fā)工作的提升。

因此,通過(guò)建設(shè)華誼微電子化學(xué)品研發(fā)與測(cè)試平臺(tái),可以滿足微電子化學(xué)品尤其是超凈高純?cè)噭┓矫娴闹苽?、提純和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的研發(fā);提供用戶在微電子化學(xué)品超凈分析、超凈高純?cè)噭y(cè)試、生產(chǎn)線品質(zhì)問(wèn)題的檢驗(yàn)與分析,以及實(shí)驗(yàn)室間分析校正與比較的需求;同時(shí)也為華誼微電子化學(xué)品的研發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的依托,此舉將顯著提升華誼在微電子化學(xué)品方面的整體科技競(jìng)爭(zhēng)力和持續(xù)創(chuàng)新能力。

在華誼(集團(tuán))公司內(nèi),上?；瘜W(xué)試劑研究所曾經(jīng)是一個(gè)化學(xué)試劑方面的研究、測(cè)試的專業(yè)單位,作為主要成員參與了“十五”期間的“863”攻關(guān),承擔(dān)了其中的有機(jī)高純?cè)噭┑难邪l(fā)工作和大部分的測(cè)試工作,在有機(jī)高純?cè)噭┑难邪l(fā)產(chǎn)業(yè)化和測(cè)試方面,提升 6

到了一個(gè)較高的水平,具有強(qiáng)大的研發(fā)基礎(chǔ)和測(cè)試能力。同時(shí),華誼集團(tuán)(公司)技術(shù)研究院精細(xì)化工平臺(tái)建在所內(nèi)和上海市化學(xué)試劑質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)站依托在所內(nèi)也是資源上的極大優(yōu)勢(shì)。通過(guò)整合與利用華誼的資源,在研究所內(nèi)建設(shè)微電子化學(xué)品研發(fā)與測(cè)試平臺(tái),重點(diǎn)開展微電子化學(xué)品制備技術(shù)與測(cè)試技術(shù)等方面的研發(fā),掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的微電子化學(xué)品制備方法和技術(shù),使其技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平處于同一技術(shù)周期,并形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)。

5工作條件和環(huán)境保障

根據(jù)上海華誼(集團(tuán))公司微電子化學(xué)品“十一五”發(fā)展規(guī)劃,在“十五”建成萬(wàn)噸級(jí)超大規(guī)模集成電路配套專用化學(xué)品超凈高純的過(guò)氧化氫、硫酸、硝酸、鹽酸、醋酸、氨水、氟化銨等七個(gè)產(chǎn)品的成功地產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)上,將繼續(xù)為集成電路產(chǎn)品作好配套,發(fā)揚(yáng)集團(tuán)公司內(nèi)的資源優(yōu)勢(shì),進(jìn)一步完善產(chǎn)品品種;在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,發(fā)揮上?；瘜W(xué)試劑研究所在研發(fā)、分析以及中試場(chǎng)地配有齊全的水、電、汽、原料、生產(chǎn)、安全、消防、質(zhì)量管理等方面的基礎(chǔ)經(jīng)驗(yàn)及各種配套條件的優(yōu)勢(shì),提高產(chǎn)品質(zhì)量,使現(xiàn)有產(chǎn)品的技術(shù)、品質(zhì)升級(jí),提升為微電子制造特殊需要的專用化學(xué)品,替代進(jìn)口,平穩(wěn)價(jià)格,掌握自主技術(shù),為超大規(guī)模集成電路制造所必須的配套支柱材料的研發(fā)和生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),為集團(tuán)公司開創(chuàng)精細(xì)化工全新領(lǐng)域,力爭(zhēng)在“十一五”中達(dá)到建成一個(gè)十億元產(chǎn)出的新產(chǎn)業(yè)。

通過(guò)發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì),互相推動(dòng),互相補(bǔ)充,互相促進(jìn),互相依托,努力做到產(chǎn)學(xué)研結(jié)合,使之在短期內(nèi)搞出特色,促進(jìn)微電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)快速,良性發(fā)展。簡(jiǎn)介

沈哲瑜,高級(jí)工程師。上?；瘜W(xué)試劑研究所副總工程師。長(zhǎng)期從事高純有機(jī)試劑、醫(yī)藥中間體、航天與軍工特種助劑的合成研發(fā)及生產(chǎn),經(jīng)驗(yàn)豐富,多次獲獎(jiǎng)。

文章來(lái)自：全刊雜志賞析網(wǎng)(qkzz.net) 原文地址：http://qkzz.net/article/d6641aea-152a-4ac9-9368-e193cda88b1d_3.htm 文章來(lái)自：全刊雜志賞析網(wǎng)(qkzz.net) 原文地址：http://qkzz.net/article/d6641aea-152a-4ac9-9368-e193cda88b1d_2.htm 文章來(lái)自：全刊雜志賞析網(wǎng)(qkzz.net) 原文地址：http://qkzz.net/article/d6641aea-152a-4ac9-9368-e193cda88b1d.htm！我國(guó)大規(guī)模集成電路封裝材料實(shí)現(xiàn)突破 北極星電力 2005-4-26 關(guān)鍵詞：材料 集成電路

由中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所成功開發(fā)出的可用于超大規(guī)模集成電路(VLSI)先進(jìn)封裝材料光敏型BTPa-1000和標(biāo)準(zhǔn)型BTDa1000聚酰亞胺專用樹脂，目前已申請(qǐng)7項(xiàng)國(guó)家發(fā) 7

明專利。國(guó)內(nèi)多家半導(dǎo)體企業(yè)和科研院所準(zhǔn)備將這種新型樹脂用于芯片及光電器件的制造，年產(chǎn)幾十噸的工業(yè)中試裝置正在建設(shè)，可望于今年7月投產(chǎn)。

中科院化學(xué)所高技術(shù)材料實(shí)驗(yàn)室主任、該課題負(fù)責(zé)人楊士勇研究員介紹，隨著世界IC芯片向高集成化、布線細(xì)微化、芯片大型化、薄型化方向的發(fā)展，對(duì)封裝材料的要求越來(lái)越高。先進(jìn)封裝技術(shù)需要將互連、動(dòng)力、冷卻和器件鈍化保護(hù)等技術(shù)組合成一個(gè)整體，以確保IC電路表現(xiàn)出最佳的性能和可靠性。在國(guó)家863計(jì)劃支持下，楊士勇研究員帶領(lǐng)導(dǎo)的課題組經(jīng)過(guò)潛心攻關(guān)研究，現(xiàn)已成功開發(fā)出體積收縮率小、固化溫度低、樹脂儲(chǔ)存穩(wěn)定性好的光敏型BTPa-1000和標(biāo)準(zhǔn)型BTDa一1000聚酰亞胺專用樹脂。其中光敏型BTPa-1000聚酰亞胺樹脂具有特殊的光交聯(lián)機(jī)理，無(wú)需添加其它光敏助劑即可進(jìn)行光刻得到精細(xì)圖形，制圖工藝簡(jiǎn)單，可在最大程度上避免外來(lái)雜質(zhì)對(duì)IC芯片表面的污染，適用于多層布線技術(shù)制造多層金屬互連結(jié)構(gòu)或芯片鈍化，是一類有著廣泛應(yīng)用前景的負(fù)性光致抗蝕劑。該課題組研制成功的FCBGa／CSP封裝用UFEP-1000液體環(huán)氧樹脂底灌料，具有粘度低、填充流動(dòng)性好等特點(diǎn)。由于采用潛伏性環(huán)氧樹脂固化促進(jìn)劑，在低溫和室溫下具有良好的儲(chǔ)存性能和適用期，具有優(yōu)良的工藝性能和赭存穩(wěn)定性。經(jīng)適當(dāng)熱處理工藝固化后得到的樹脂固化物具有優(yōu)異的熱性能和電絕緣性能以及良好的力學(xué)性能，是高密度微電子封裝的關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料。

聚酰亞胺專用樹脂是主要用于IC芯片表面鈍化、高密度封裝器件的應(yīng)力緩沖內(nèi)涂層，多層金屬互連結(jié)構(gòu)和MCM的層間介電絕緣材料。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)專家介紹，液體環(huán)氧樹脂底灌料主要用于倒裝焊芯片的電路封裝，起降低芯片和有機(jī)基板由于熱膨脹系數(shù)的不匹配引起的內(nèi)應(yīng)力，保護(hù)器件免受濕氣、離子污染物、輻射以及機(jī)械振動(dòng)的影響，增加器件的封裝可靠性。這兩種材料都是先進(jìn)微電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵配套材料，廣泛應(yīng)用于高精度電子封裝和半導(dǎo)體制造的各個(gè)方面。

來(lái)自：

！七星電子領(lǐng)航集成電路專用設(shè)備產(chǎn)業(yè)騰飛 10-03-03 每日經(jīng)濟(jì)新聞 我國(guó)的集成電路裝備制造業(yè)亟待發(fā)展，國(guó)家政策大力扶持。

集成裝備制造業(yè)是用先進(jìn)科學(xué)技術(shù)改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的重要紐帶和載體，是高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和信息化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，是國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全和軍事安全的重要保障。而目前相對(duì)于集成電路制造業(yè)，我國(guó)的集成電路裝備制造業(yè)無(wú)論從生產(chǎn)規(guī)模、研發(fā)水平、投資強(qiáng)度以及人才聚集等方面都還存在著很大的差距，因此，在2009年5月出臺(tái)的《裝備制造業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中，國(guó)家結(jié)合《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》，從稅收優(yōu)惠、出口、金融、機(jī)制建設(shè)與管理等方面對(duì)國(guó)產(chǎn)裝備制造業(yè)尤其是國(guó)產(chǎn)集成電路裝備制造業(yè)提供了相當(dāng)大的政策鼓勵(lì)和扶持。七星電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路裝備制造企業(yè)，在行業(yè)內(nèi)具有顯著優(yōu)勢(shì)，本次登陸資本市場(chǎng)將為其帶來(lái)難得的發(fā)展機(jī)遇。

國(guó)際集成電路裝備制造業(yè)的中國(guó)旗幟。

當(dāng)前我國(guó)涉足集成電路裝備研究和生產(chǎn)單位約40個(gè)，其中主要單位20家左右，主要提供6英寸以下集成電路裝備，在中低檔市場(chǎng)上擁有一定的用戶群，但是，8英寸以上集成電路生產(chǎn)線設(shè)備的主要供應(yīng)商是美國(guó)、日本等海外集成電路設(shè)備公司。面對(duì)我國(guó)集成電路制造裝備技術(shù)與國(guó)際上的巨大差距，七星電子通過(guò)國(guó)際化合作，積極引進(jìn)人才，結(jié)合本土制造領(lǐng)域的基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)，形成一種“海外人才+國(guó)企改造+一流平臺(tái)+產(chǎn)業(yè)運(yùn)作”的模式，開創(chuàng)出一個(gè)迅速提升國(guó)內(nèi)企業(yè)水平、層次和實(shí)力，實(shí)現(xiàn)機(jī)制體制轉(zhuǎn)變的一條有效的途徑。在8英寸以上主流裝備市場(chǎng)上，只有七星電子是國(guó)內(nèi)唯一一家具有8英寸立式擴(kuò)散爐和清洗設(shè)備生產(chǎn)能力的公司。而在國(guó)家重大專項(xiàng)的12英寸集成電路裝備的研發(fā)上，七星電子也擔(dān)當(dāng)著主要力量，研發(fā)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。目前公司在國(guó)內(nèi)相關(guān)集成電路設(shè)備市場(chǎng)占有率達(dá)12%。

合理價(jià)位。

根據(jù)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，按照發(fā)行后總股本攤薄計(jì)算公司2010年~2012年每股收益分別為0.96元、1.39元和1.95元，目前a股上市公司中沒(méi)有與公司業(yè)務(wù)完全一樣公司，我們選取風(fēng)華高科、士蘭微等部分有代表性的電子元器件公司進(jìn)行比較，這些公司2010年平均動(dòng)態(tài)市盈率在39倍左右，考慮到行業(yè)差異和目前的市場(chǎng)環(huán)境，我們認(rèn)為合理價(jià)位在40.89元左右。

（安信投顧/丁思德）

http://004km.cn 02-04-16 全景網(wǎng)絡(luò)證券時(shí)報(bào)

本報(bào)訊(記者 黃麗)為更好地打造企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，一直專注于覆銅板生產(chǎn)的生益科技_正大舉向相關(guān)領(lǐng)域——硅微粉產(chǎn)業(yè)進(jìn)軍，公司日前擬出資4000萬(wàn)元與江蘇省東海硅微粉廠合資經(jīng)營(yíng)連云港東海硅微粉有限責(zé)任公司。

據(jù)了解，新公司注冊(cè)資本5500萬(wàn)元，其中生益科技現(xiàn)金出資4000萬(wàn)元，占出資總額的72.73%。新公司主導(dǎo)產(chǎn)品硅微粉是電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)材料，主要用于封裝IC、三極管、二極管等電子組件的環(huán)氧塑封料中。隨著我國(guó)集成電路發(fā)展速率的加快(我國(guó)集成電路市場(chǎng)將保持20%左右的高增長(zhǎng)率)，相關(guān)配套材料的市場(chǎng)需求也將不斷擴(kuò)大，因此發(fā)展配套IC的環(huán)氧塑封料和硅微粉具有巨大的商機(jī)和發(fā)展前景。

談到公司發(fā)展此項(xiàng)目的優(yōu)勢(shì)時(shí)，公司有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，生益科技作為國(guó)內(nèi)覆銅板行業(yè)的龍頭企業(yè)，在基礎(chǔ)電子材料領(lǐng)域中形成了較強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，硅微粉與覆銅板同屬電子基礎(chǔ)材料，生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、管理的要求基本相同，生產(chǎn)管理與用戶的認(rèn)證可以借鑒。因此，成功的生益管理文化移植到生產(chǎn)技術(shù)管理相近的硅微粉行業(yè)，成功機(jī)會(huì)較大。

@硅微粉的生產(chǎn)相關(guān)上市公司 【1.主營(yíng)業(yè)務(wù)】

生產(chǎn)和銷售覆銅箔板(敷銅板)和半固化片(粘結(jié)片)【2.主營(yíng)構(gòu)成分析】【2010年中期概況】

｜項(xiàng)目名稱 ｜營(yíng)業(yè)收入(萬(wàn)元)｜營(yíng)業(yè)利潤(rùn)(萬(wàn)元)｜毛利率(％)｜占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入比例(％)｜覆銅板和粘結(jié)片(行業(yè))｜ 259963.32｜ 44967.36｜ 17.30｜ 97.48 ｜硅微粉(行業(yè))｜ 3218.45｜ 1728.73｜ 53.71｜ 1.21 ｜內(nèi)銷(地區(qū))｜ 105284.04｜-｜-｜ 39.48 ｜外銷(地區(qū))｜ 157897.73｜-｜-｜ 59.21 ｜合計(jì)(地區(qū))｜ 263181.77｜-｜-｜ 98.69！國(guó)內(nèi)部分地區(qū)硅微粉市場(chǎng)評(píng)論2006-4-24 從近期的情況來(lái)看，目前市場(chǎng)上，硅微粉的價(jià)格比較穩(wěn)定。

安徽地區(qū)硅微粉硅含量在99.3%的200目的550元/噸, 325目的650元/噸, 400目的850元/噸,600目的1250元/噸, 800目的1650元/噸, 1000目的2200元/噸, 1500目的3400元/噸 , 2000目的4800元/噸。東海地區(qū)硅含量在99.3%的200目的1100元/噸 ,325目的1250元/噸 ,400目的1400元/噸,600目的1600元/噸 ,800目的1600元/噸, 1000目的2500元/噸 , 1500目的3600元/噸 , 2000目的4000元/噸。

隨著十一五規(guī)劃的展開，節(jié)能15%被定為國(guó)家發(fā)展規(guī)劃之一，商務(wù)部中國(guó)國(guó)際經(jīng)濟(jì)技術(shù)交流中心主任王粵指出，按照中國(guó)政府規(guī)劃，到2020年，可再生能源占常規(guī)能源供應(yīng)的比重，將從目前的7％提高到15％左右，以降低對(duì)煤炭、石油等化石能源的過(guò)分依賴，同時(shí)減少對(duì)環(huán)境的壓力。隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,太陽(yáng)能以其可再生，無(wú)污染的優(yōu)勢(shì)，將越來(lái)越受到關(guān)注，中國(guó)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必將帶動(dòng)上游晶體硅和硅微粉等關(guān)鍵性原料的發(fā)展

硅微粉作為電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，主要用于封裝IC、太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換器以及太陽(yáng)能電池。目前，世界上只有中國(guó)、美國(guó)、德國(guó)等少數(shù)國(guó)家具備硅微粉生產(chǎn)能力，而全球能源的持續(xù)緊張，使大力發(fā)展太陽(yáng)能成為了世界各國(guó)能源戰(zhàn)略的重點(diǎn)，而太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的加速又促使硅微粉的市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)，硅微粉呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。

據(jù)有關(guān)資料顯示國(guó)內(nèi)生產(chǎn)太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換器用硅微粉的廠家170多家，上海占40家。由此可見，國(guó)內(nèi)的下游市場(chǎng)還是集中在上海等這些比較發(fā)達(dá)的城市。而國(guó)內(nèi)比較有實(shí)力硅微粉的生產(chǎn)企業(yè)也都在距離上海比較近的周邊地區(qū)，比如象國(guó)內(nèi)最大的硅微粉生產(chǎn)企業(yè)-東海硅微粉有限公司。此公司也是目前國(guó)內(nèi)發(fā)展最快、市場(chǎng)占有率最高的硅微粉生產(chǎn)企業(yè)，具有年產(chǎn)2.8萬(wàn)噸的產(chǎn)能，行業(yè)壟斷優(yōu)勢(shì)相當(dāng)明顯。

所以在整個(gè)市場(chǎng)上，這些大的生產(chǎn)企業(yè)是價(jià)格很大一部分影響因素。第二，由于國(guó) 13

家對(duì)環(huán)保力度的加強(qiáng)，一些不符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的小企業(yè)，已經(jīng)被有關(guān)部門，下令停止整頓。現(xiàn)在能夠在市場(chǎng)上生存的都是一些有實(shí)力的大中型生產(chǎn)企業(yè)，在生產(chǎn)水平和技術(shù)上都比較高。

而另一方面，各個(gè)地區(qū)政府又在加大力度投入硅微粉行業(yè)，今年云陽(yáng)突出發(fā)展以特色產(chǎn)業(yè)為重點(diǎn)的工業(yè)經(jīng)濟(jì)，一是加快工業(yè)園區(qū)建設(shè)。重點(diǎn)抓好20萬(wàn)噸硅微粉項(xiàng)目建設(shè)，力爭(zhēng)首期5萬(wàn)噸項(xiàng)目于今年6月底前投產(chǎn)?，F(xiàn)在政府實(shí)施這些政策的目的是：“去其糟粕，取其精華，”“兩手抓，兩手都要硬”從而從根本上規(guī)范這個(gè)硅微粉市場(chǎng)，提高在國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。硅微粉市場(chǎng)“錢”景大好！

！半導(dǎo)體材料本土化需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作 2009-03-10 為了進(jìn)一步支持集成電路制造企業(yè)更多了解和使用本土材料，并在保證質(zhì)量的前提下降低制造企業(yè)采購(gòu)成本，2月17日上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦了“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會(huì)”，新陽(yáng)、安集、新傲、華誼及江豐5家材料公司先后向到會(huì)的長(zhǎng)三角地區(qū)晶圓制造廠60多位代表介紹了各自的產(chǎn)品、技術(shù)和服務(wù)能力，并展開深入交流。協(xié)會(huì)希望借此幫助材料供應(yīng)商開拓市場(chǎng)，應(yīng)對(duì)產(chǎn)業(yè)“冬天”。協(xié)會(huì)舉辦這種具有針對(duì)性且務(wù)實(shí)的活動(dòng)，得到演講者及聽眾的充分肯定。

據(jù)悉，今年6月30日以后，國(guó)家將取消對(duì)集成電路制造業(yè)用進(jìn)口設(shè)備及材料免稅的優(yōu)惠政策，這對(duì)本土設(shè)備、材料供應(yīng)商而言絕對(duì)是個(gè)政策性利好消息。協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)蔣守雷在致辭時(shí)表示，中國(guó)及上海IC設(shè)計(jì)公司的快速發(fā)展，集成電路產(chǎn)業(yè)各個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)受益，有些IC設(shè)計(jì)企業(yè)已恢復(fù)到去年最高水平，這就使材料企業(yè)為制造企業(yè)更好地實(shí)現(xiàn)低成本服務(wù)創(chuàng)造了條件，華虹12寸項(xiàng)目已經(jīng)公示今年內(nèi)有望投建，這一切預(yù)示著產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的希望已經(jīng)來(lái)臨。

新陽(yáng)半導(dǎo)體的CU電鍍液、新傲科技的SOI外延片、安集微電子的CMP拋光液和清洗液、華誼微電子的高純化學(xué)試劑、寧波江豐電子的靶材，都是中國(guó)半導(dǎo)體材料在各自領(lǐng)域

領(lǐng)先的供應(yīng)商，目前正在向更高技術(shù)領(lǐng)域拓展其新材料、新工藝，面對(duì)半導(dǎo)體材料后來(lái)者商用測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)、投入大的現(xiàn)狀，迫切需要用戶的正面支持，特別是來(lái)自生產(chǎn)線管理者的積極扶持，而利用眼下產(chǎn)業(yè)不景氣帶來(lái)的開工不足正是良機(jī)。同時(shí)，材料商依托自身在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)向相關(guān)應(yīng)用拓展也是個(gè)不錯(cuò)的選項(xiàng)。據(jù)悉，安集、江豐都把光伏應(yīng)用市場(chǎng)視為自己涉足的新領(lǐng)域。

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第二篇：從嚴(yán)治黨的重要制度支撐（本站推薦）

黨的十八屆三中全會(huì)決定要求，全面落實(shí)中央紀(jì)委向中央一級(jí)黨和國(guó)家機(jī)關(guān)派駐紀(jì)檢機(jī)構(gòu)，實(shí)行統(tǒng)一名稱、統(tǒng)一管理。這是黨中央依據(jù)黨章規(guī)定，從形勢(shì)判斷和目標(biāo)任務(wù)出發(fā)作出的重大決策，是全面從嚴(yán)治黨、強(qiáng)化黨內(nèi)監(jiān)督的重要舉措。

派駐監(jiān)督是黨的自我監(jiān)督的重要形式。我們黨從上世紀(jì)五六十年代就開始了派駐監(jiān)督的探索，經(jīng)歷了不斷發(fā)展的過(guò)程。黨的十二大通過(guò)的黨章規(guī)定：“黨的中央紀(jì)律檢查委員會(huì)根據(jù)工作需要，可以向中央一級(jí)黨和國(guó)家機(jī)關(guān)派駐黨的紀(jì)律檢查組或紀(jì)律檢查員。”十五屆六中全會(huì)明確提出，紀(jì)律檢查機(jī)關(guān)對(duì)派出機(jī)構(gòu)實(shí)行統(tǒng)一管理。十八屆三中全會(huì)決定第36條規(guī)定，派駐機(jī)構(gòu)對(duì)派出機(jī)關(guān)負(fù)責(zé)，履行監(jiān)督職責(zé)。這正是對(duì)黨章規(guī)定派駐機(jī)構(gòu)職責(zé)定位的遵循。

黨要管黨、從嚴(yán)治黨必然要求黨內(nèi)監(jiān)督全覆蓋。當(dāng)前，派駐監(jiān)督與落實(shí)黨章規(guī)定、貫徹十八屆三中全會(huì)要求還有較大差距，作用也還沒(méi)有發(fā)揮到位。首先是派駐范圍有空白，中央一級(jí)黨和國(guó)家機(jī)關(guān)有140多家，十八大前只派駐了50多家，且主要是向政府部門派駐，黨要管黨，就應(yīng)當(dāng)給黨的工作部門派；派駐形式和派駐機(jī)構(gòu)名稱不統(tǒng)一，一些派駐紀(jì)檢組工作定位不準(zhǔn)、職責(zé)不清，對(duì)參與駐在部門業(yè)務(wù)樂(lè)此不疲，監(jiān)督責(zé)任卻被放在一邊，造成主業(yè)荒疏；還有一些派駐干部把紀(jì)檢組當(dāng)成養(yǎng)老的地方，不會(huì)監(jiān)督、不愿監(jiān)督，缺乏擔(dān)當(dāng)精神、怕得罪人，監(jiān)督執(zhí)紀(jì)問(wèn)責(zé)成為一句空話。

中央一級(jí)黨和國(guó)家機(jī)關(guān)地位重要、權(quán)力集中、影響力大，理應(yīng)在加強(qiáng)黨的建設(shè)、執(zhí)行黨的紀(jì)律上走在前列。從信訪、巡視和審計(jì)等渠道，以及紀(jì)律審查中發(fā)現(xiàn)的情況看，中央機(jī)關(guān)絕非凈土，黨風(fēng)廉政建設(shè)和反腐敗斗爭(zhēng)形勢(shì)同樣嚴(yán)峻復(fù)雜。有的黨組織、黨員干部不守政治紀(jì)律和政治規(guī)矩，組織紀(jì)律松弛，對(duì)中央的路線方針政策落實(shí)不力，黨的建設(shè)抓而不實(shí)、責(zé)任虛化。有的對(duì)中央八項(xiàng)規(guī)定精神置若罔聞，“四風(fēng)”依然禁而不絕，防止反彈任務(wù)艱巨。有的搞無(wú)原則的一團(tuán)和氣甚至團(tuán)團(tuán)伙伙，存在違規(guī)選任干部、人事檔案造假問(wèn)題。有的下屬單位、社會(huì)中介組織疏于管理、弊端叢生，領(lǐng)導(dǎo)干部違規(guī)兼職取酬。有的在項(xiàng)目審批、資金分配、資產(chǎn)管理等環(huán)節(jié)以權(quán)謀私、設(shè)租尋租問(wèn)題突出。出現(xiàn)這些問(wèn)題，根子正是在于黨的領(lǐng)導(dǎo)核心作用弱化，管黨治黨的主體責(zé)任不落實(shí)、監(jiān)督責(zé)任缺失。上梁不正下梁歪，中梁不正倒下來(lái)。如果看不住中央一級(jí)黨和國(guó)家機(jī)關(guān)的權(quán)力，中央機(jī)關(guān)不能在從嚴(yán)治黨上做出榜樣，就談不上以上率下，反倒會(huì)上行下效、帶壞風(fēng)氣。

中央政治局常委會(huì)審議通過(guò)的《關(guān)于加強(qiáng)中央紀(jì)委派駐機(jī)構(gòu)建設(shè)的意見》，是落實(shí)三中全會(huì)精神、深化紀(jì)檢體制改革的實(shí)踐總結(jié)，也是貫徹四中全會(huì)要求、依規(guī)治黨的制度成果。中央決定，中央紀(jì)委在中央一級(jí)黨和國(guó)家機(jī)關(guān)設(shè)立派駐機(jī)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)全覆蓋，并對(duì)機(jī)構(gòu)名稱、責(zé)任權(quán)限、工作關(guān)系、管理保障、組織領(lǐng)導(dǎo)等作出了明確規(guī)定。這是對(duì)派駐工作強(qiáng)有力的指導(dǎo)，也是強(qiáng)有力的規(guī)范，昭示了黨要管黨的責(zé)任擔(dān)當(dāng)和從嚴(yán)治黨的堅(jiān)強(qiáng)決心。

中央精神就是定音鼓，形勢(shì)任務(wù)就是動(dòng)員令。各省區(qū)市黨委、紀(jì)委也要按照中央精神，緊密聯(lián)系實(shí)際，正視和解決派駐監(jiān)督存在的突出問(wèn)題，確保本地區(qū)紀(jì)委派駐機(jī)構(gòu)建設(shè)取得實(shí)效。

第三篇：常用各種集成電路簡(jiǎn)介

電子基礎(chǔ)知識(shí)：常用各種集成電路簡(jiǎn)介

新聞?wù)?第一節(jié)三端穩(wěn)壓ic電子產(chǎn)品中常見到的三端穩(wěn)壓集成電路有正電壓輸出的78××系列和負(fù)電壓輸出的79××系列。故名思義，三端IC是指這種穩(wěn)壓用的集成電路只有三條引腳輸出，分別是輸入端、接地端和輸出端。用78/79系列三端穩(wěn)壓IC來(lái)組成穩(wěn)壓電源所需的外圍元件極少，電路內(nèi)部還有過(guò)流、過(guò)熱及調(diào)整管的保護(hù)電路，使用起來(lái)可靠、方便。

第一節(jié)三端穩(wěn)壓ic

電子產(chǎn)品中常見到的三端穩(wěn)壓集成電路有正電壓輸出的78××系列和負(fù)電壓輸出的79××系列。故名思義，三端IC指種穩(wěn)壓用的集成電路只有三條引腳輸出，分別是輸入端、接地端和輸出端。它的樣子象是普通的三極管，TO-220的標(biāo)準(zhǔn)封裝，也有9013樣子的TO-92封裝。

用78/79系列三端穩(wěn)壓IC來(lái)組成穩(wěn)壓電源所需的外圍元件極少，電路內(nèi)部還有過(guò)流、過(guò)熱及調(diào)整管的保護(hù)電路，使用起來(lái)可靠、方便，而且價(jià)格便宜。該系列集成穩(wěn)壓IC型號(hào)中的78或79后面的數(shù)字代表該三端集成穩(wěn)壓電路的輸出電壓，如7806表示輸出電壓為正6V，7909表示輸出電壓為負(fù)9V。

78/79系列三端穩(wěn)壓IC有很多電子廠家生產(chǎn)，80年代就有了，通常前綴為生產(chǎn)廠家的代號(hào)，如TA7805是東芝的產(chǎn)品，AN7909是松下的產(chǎn)品。

有時(shí)在數(shù)字78或79后面還有一個(gè)M或L，如78M12或79L24，用來(lái)區(qū)別輸出電流和封裝形式等，其中78L調(diào)系列的最大輸出電流為100mA，78M系列最大輸出電流為1A，78系列最大輸出電流為1．5A。它的封裝也有多種，詳見圖。塑料封裝的穩(wěn)壓電路具有安裝容易、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，因此用得比較多。79系列除了輸出電壓為負(fù)。引出腳排列不同以外，命名方法、外形等均與78系列的相同。

因?yàn)槿斯潭煞€(wěn)壓電路的使用方便，電子制作中經(jīng)常采用，可以用來(lái)改裝分立元件的穩(wěn)壓電源，也經(jīng)常用作電子設(shè)備的工作電源。

注意三端集成穩(wěn)壓電路的輸入、輸出和接地端絕不能接錯(cuò)，不然容易燒壞。一般三端集成穩(wěn)壓電路的最小輸入、輸出電壓差約為2V，否則不能輸出穩(wěn)定的電壓，一般應(yīng)使電壓差保持在4-5V，即經(jīng)變壓器變壓，二極管整流，電容器濾波后的電壓應(yīng)比穩(wěn)壓值高一些。

在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)在三端集成穩(wěn)壓電路上安裝足夠大的散熱器（當(dāng)然小功率的條件下不用）。當(dāng)穩(wěn)壓管溫度過(guò)高時(shí)，穩(wěn)壓性能將變差，甚至損壞。

當(dāng)制作中需要一個(gè)能輸出1．5A以上電流的穩(wěn)壓電源，通常采用幾塊三端穩(wěn)壓電路并聯(lián)起來(lái)，使其最大輸出電流為N個(gè)1．5A，但應(yīng)用時(shí)需注意：并聯(lián)使用的集成穩(wěn)壓電路應(yīng)采用同一廠家、同一批號(hào)的產(chǎn)品，以保證數(shù)的一致。另外在輸出電流上留有一定的余量，以避免個(gè)別集成穩(wěn)壓電路失效時(shí)導(dǎo)致其他電路的連鎖燒毀。

第二節(jié)語(yǔ)音集成電路

電子制作中經(jīng)常用到音樂(lè)集成電路和語(yǔ)言集成電路，一般稱為語(yǔ)言片和音樂(lè)片。它們一般都是軟包封，即芯片直接用黑膠封裝在一小塊電路板上。語(yǔ)音ic一般還需要少量外圍元件才能工作，它們可直接焊到這塊電路板上。

別看語(yǔ)音IC應(yīng)用電路很簡(jiǎn)單，但是它確確實(shí)實(shí)是一片含有成千上萬(wàn)個(gè)晶體管芯的集成電路。其內(nèi)部含有振蕩器、節(jié)拍器、音色發(fā)生器、ROM、地址計(jì)算器和控制輸出電路等。音樂(lè)片內(nèi)可存儲(chǔ)一首或多首世界名曲，價(jià)格很便宜，幾角錢一片。音樂(lè)門鈴都是用這種音樂(lè)片裝的，其實(shí)成本很低。

不同的語(yǔ)言片內(nèi)存儲(chǔ)了各種動(dòng)物的叫聲，簡(jiǎn)短語(yǔ)言等，價(jià)格要比音樂(lè)片貴些。但因?yàn)橛腥?，其?yīng)用越來(lái)越多。會(huì)說(shuō)話的計(jì)算器、倒車告警器、報(bào)時(shí)鐘表等。語(yǔ)音電路盡管品種不少，但不能根據(jù)用戶隨時(shí)的要求發(fā)出聲音，因?yàn)樯唐坊恼Z(yǔ)音產(chǎn)品采用掩膜工藝，發(fā)聲的語(yǔ)音是做死的，使成本得到了控制。

一般語(yǔ)音集成電路的生產(chǎn)廠家都可以特別定制語(yǔ)音的內(nèi)容，但因?yàn)橐谀?，要求?shù)量千片以上。近年來(lái)出現(xiàn)的OTP語(yǔ)音電路解決了這一問(wèn)題。OTP就是一次性可編程的意思，就是廠家生產(chǎn)出來(lái)的芯片，里面是空的，內(nèi)容由用戶寫入（需開發(fā)設(shè)備），一旦固化好，再也不能擦除，信息也就不會(huì)丟失。它的出現(xiàn)為開發(fā)員試制樣機(jī)提供了方便，特別適合于小批量生產(chǎn)。

業(yè)余制作采用可錄放的語(yǔ)言電路是十分方便的，UM5506、ISD1400、ISD2500等，外圍元件極少。bitbaby第一次知道可錄放語(yǔ)音集成電路，是在九幾年的無(wú)線電雜志上，記得那時(shí)是UM5101和T6668，都是用41256等DRAM的。那時(shí)多想有那么一套，不用磁帶就可以錄音的怪物，還能在放音時(shí)隨意變調(diào)呢。早期的數(shù)碼留言機(jī)也用它們，由于使用DRAM，如果沒(méi)有后備電池，一旦斷電后，所有的信息都會(huì)丟失。

現(xiàn)在采用EEPROM的語(yǔ)音電路大大方便了電子愛好者，它隨錄隨放，不怕掉電，使用方便，外圍元件少。只是價(jià)格較貴些，每秒鐘成本約1元人民幣。這類語(yǔ)音錄放集成電路首推（美）ISD公司的ISD系列。國(guó)內(nèi)、臺(tái)灣都有廠家生產(chǎn)兼容的芯片及軟包封的芯片、模塊，但從結(jié)構(gòu)來(lái)看，猜想來(lái)自于ISD。

第三節(jié)數(shù)字集成電路

數(shù)字集成電路產(chǎn)品的種類很多種。數(shù)字集成電路構(gòu)成了各種邏輯電路，如各種門電路、編譯碼器、觸發(fā)器、計(jì)數(shù)器、寄存器等。它們廣泛地應(yīng)用在生活中的方方面面，小至電子表，大至計(jì)算機(jī)，都是有數(shù)字集成電路構(gòu)成的。

結(jié)構(gòu)上，可分成TTL型和CMOS型兩類。74LS/HC等系列是最常見的TTL電路，它們使用5V的電壓，邏輯“0”輸出電壓為小于等于0.2V，邏輯“1”輸出電壓約為3V。CMOS數(shù)字集成電路的工作電壓范圍寬，靜態(tài)功耗低，抗干擾能力強(qiáng)，更具優(yōu)點(diǎn)。數(shù)字集成電路有個(gè)特點(diǎn)，就是它們的供電引腳，如16腳的集成電路，其第8腳是電源負(fù)極，16腳是電源正極；14腳的，它的第7腳是電源的正極。

通常CMOS集成電路工作電壓范圍為3-18V，所以不必像TTL集成電路那樣，要用正正好好的5V電壓。CMOS集成電路的輸入阻抗很高，這意味著驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路時(shí)，所消耗的驅(qū)動(dòng)功率幾乎可以不計(jì)。同時(shí)CMOS集成電路的耗電也非常的省，用CMOS集成電路制作的電子產(chǎn)品，通常都可以用干電池供電。

CMOS集成電路的輸出電流不是很大，大概為10mA左右，但是在一般的電子制作中，驅(qū)動(dòng)一個(gè)LED發(fā)光二極管還是沒(méi)有問(wèn)題的。

此外，CMOS集成電路的抗干擾能力也較強(qiáng)，即行話所說(shuō)的噪聲容限較大，且電源電壓越高，抗干擾能力越強(qiáng)。

電子制作中常用的數(shù)字集成電路有4001、4011、4013、4017、4040、4052、4060、4066等型號(hào)，建議多買些備用。市場(chǎng)上的數(shù)字集成電路進(jìn)口的較多，產(chǎn)品型號(hào)的前綴代表生產(chǎn)公司，常見的有MC1XXXX（摩托羅拉）、CDXXXX（美國(guó)無(wú)線電RCA）、HEFXXXX（飛利普）、TCXXXX（東芝）、HCXXXX（日立）等。一般來(lái)說(shuō)，只要型號(hào)相同，不同公司的產(chǎn)品可以互換。這里有一張表，是關(guān)于集成電路前綴及其生產(chǎn)公司的。

需要注意的是，CMOS集成電路容易被靜電擊穿，因此需要妥善保存。一般要放在防靜電原包裝條中，或用錫箔紙包好。另外焊接的時(shí)候，要用接地良好的電烙鐵焊，或者索性拔掉插頭，利用余熱焊接。不過(guò)說(shuō)實(shí)話，現(xiàn)在的CMOS集成電路因?yàn)楦倪M(jìn)了生產(chǎn)工藝，防靜電能力都有很大提高，不少人都不太注意為CMOS集成電路防靜電，IC卻也活著。

第四節(jié) 模擬集成電

模擬集成電路被廣泛地應(yīng)用在各種視聽設(shè)備中。收錄機(jī)、電視機(jī)、音響設(shè)備等，即使冠上了“數(shù)碼設(shè)備”的好名聲，卻也離不開模擬集成電路。

實(shí)際上，模擬集成電路在應(yīng)用上比數(shù)字集成電路復(fù)雜些。每個(gè)數(shù)字集成電路只要元器件良好，一般都能按預(yù)定的功能工作，即使電路工作不正常，檢修起來(lái)也比較方便，1是1，0是0，不含糊。模擬集成電路就不一樣了，一般需要一定數(shù)量的外圍元件配合它工作。那么，既然是“集成電路”，為什么不把外圍元件都做進(jìn)去呢？這是因?yàn)榧呻娐分谱鞴に嚿系南拗疲彩菫榱俗尲呻娐犯嗟剡m應(yīng)于不同的應(yīng)用電路。

對(duì)于模擬集成電路的參數(shù)、在線各管腳電壓，家電維修人員是很關(guān)注的，它們就是憑借這些判斷故障的。對(duì)業(yè)余電子愛好者來(lái)說(shuō)，只要掌握常用的集成電路是做什么用的就行了，要用時(shí)去查找相關(guān)的資料。

許多電子愛好者都是從裝收音機(jī)、音響放大器開始的，用集成電路裝，確實(shí)是一種樂(lè)趣。相信大家對(duì)這兩者也都感興趣。裝的收音機(jī)有兩種，一是AM中波的，通常用CIC7642、TA7641集成塊裝。另一種是FM調(diào)頻的，通常要求具有一定的水平，用TDA7010、TDA7021、TDA7088，CXA1019（CXA1191）、CXA1238等。這些集成塊也是收音機(jī)商所采用的經(jīng)典IC。

CIC7642外形象一個(gè)9013，僅三個(gè)引腳，工作于1.5V下，其內(nèi)部集成了多個(gè)三極管，用于組裝直放式收音機(jī)，而且極易成功，因此許多電子入門套件少不了它。其兼容型號(hào)為MK484、YS414，許多進(jìn)口的微型收音機(jī)、電子表收音機(jī)都用。

TA7641P裝出來(lái)的收音機(jī)為超外差式，性能要好，但是因?yàn)橛兄兄埽谱髡{(diào)試都有點(diǎn)復(fù)雜，如果能買到套件組裝，那也不算麻煩（照著指示把元件焊到電路板上就行啦：－〕。

TDA7000系列是飛利普公司的產(chǎn)品，有bitbaby沒(méi)見過(guò)的TDA7000，以及TDA7010T，TDA7021T，TDA7088T，后三者有個(gè)后綴T，表示是微型貼片封裝的。

bitbaby也沒(méi)見過(guò)標(biāo)準(zhǔn)DIP（雙列直插塑封）封裝的，所以盡管它們的應(yīng)用電路簡(jiǎn)單，做起來(lái)可麻煩，整個(gè)集成電路和一粒赤豆差不多大。（下面有圖）TDA7088T是可以用變?nèi)莨芎碗娢黄鲗?shí)現(xiàn)電調(diào)諧的。

CXA1019是索尼公司生產(chǎn)的，CXA1191是它的改進(jìn)型號(hào)，它們被稱為單片AM/FM收音集成電路，因?yàn)橐黄琁C包含了從高頻放大、本振到中頻放大、低頻（音頻）放大的所有功能。CXA1238是AM/FM立體聲收音集成電路，它不包括音頻放大器，但有立體聲解碼功能，通常用于WALKMAN收放機(jī)等。

這里有個(gè)知識(shí)，就是CXA的收音IC同一型號(hào)有三種不同的大?。春缶YM型為貼片封裝，S型為小型封裝，P型為DIP封裝）。

音響功放電路也是電子愛好者們津津樂(lè)道的話題。通過(guò)親手制作，不但深入了解了原理，更是具有意義。bitbaby并不是發(fā)燒友（也燒不起），對(duì)吹毛求疵的“金耳朵”更是持有懷疑態(tài)度。請(qǐng)各位新手不要誤入歧途。做一套實(shí)用的音響才是聰明之舉，不要相信什么“把XXXXIC換成運(yùn)放之皇NE5532后效果立竿見影”。

Bitbaby幫別人裝過(guò)許多功放，也有不少經(jīng)驗(yàn)。有的雖然只是用收錄機(jī)用的功放集成塊，但因?yàn)橛昧溯^大功率的電位器、較大容量的濾波電容、較大口徑的揚(yáng)聲器，效果還是比收錄機(jī)好。

TA7240P是收錄機(jī)中常用的功放ic，雙聲道，各5.8W，12V左右供電，音質(zhì)一般般。

TDA1521是高保真功放IC，功率較大，音質(zhì)較好，上點(diǎn)檔次的電腦有源音箱也都用該集成塊。

LM1875（TDA2003、TDA2030、TDA2030A）等應(yīng)用電路差不多，功率不同，TDA2030A是TDA2030的改進(jìn)型，功率稍大。這些集成塊應(yīng)用也很多，但假貨也多，有的假貨是用廉價(jià)IC打磨過(guò)的，有的則是粗制濫造。

傻瓜功放是一種厚膜集成電路，其實(shí)不過(guò)是把各分立元件封裝在一起，只有輸入引腳用來(lái)接音源，輸出引腳接音箱，以及電源引腳，方便了使用。

此外，還有TDA2822、LM386等的小功率音頻放大器，在電池供電的產(chǎn)品中作功放。用它們也可做有源音箱，廉價(jià)的有源音箱就用它們。

第四篇：集成電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告

集成電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告

班級(jí)：

姓名：

學(xué)號(hào)：

指導(dǎo)老師：

實(shí)驗(yàn)一：反相器的設(shè)計(jì)及反相器環(huán)的分析

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、學(xué)習(xí)及掌握cadence圖形輸入及仿真方法；

2、掌握基本反相器的原理與設(shè)計(jì)方法；

3、掌握反相器電壓傳輸特性曲線VTC的測(cè)試方法；

4、分析電壓傳輸特性曲線，確定五個(gè)關(guān)鍵電壓 VOH、VOL、VIH、VIL、VTH。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

本次實(shí)驗(yàn)主要是利用 cadence 軟件來(lái)設(shè)計(jì)一基本反相器(inverter)，并利用 仿真工具 Analog Artist(Spectre)來(lái)測(cè)試反相器的電壓傳輸特性曲線(VTC，Voltage transfer characteristic curves)，并分析其五個(gè)關(guān)鍵電壓:輸出高電平VOH、輸出低電平VOL、輸入高電平VIH、輸入低電平VIL、閾值電壓 VTH。

三、實(shí)驗(yàn)步驟

1.在cadence環(huán)境中繪制的反相器原理圖如圖所示。

2.在Analog Environment中，對(duì)反相器進(jìn)行瞬態(tài)分析(tran)，仿真時(shí)間設(shè)置為4ns。其輸入輸出波形如圖所示。

分開查看：

分析：反相器的輸出波形在由低跳變到高和由高跳變到底時(shí)都會(huì)出現(xiàn)尖脈沖，而不是直接跳變。其主要原因是由于MOS管柵極和漏極上存在覆蓋電容，在輸出信號(hào)變化時(shí)，由于電容儲(chǔ)存的電荷不能發(fā)生突變，所以在信號(hào)跳變時(shí)覆蓋電容仍會(huì)發(fā)生充放電現(xiàn)象，進(jìn)而產(chǎn)生了如圖所示的尖脈沖。

3.測(cè)試反相器的電壓傳輸特性曲線，采用的是直流分析(DC),我們把輸入信號(hào)修改為5V直流電源，如圖所示。

4.然后對(duì)該直流電源從0V到5V進(jìn)行線性掃描,進(jìn)而得到電壓傳輸特性曲線如圖所示。

5.為反相器創(chuàng)建symbol，并調(diào)用連成反相器環(huán)，如圖。

6.測(cè)量延時(shí)，對(duì)環(huán)形振蕩器進(jìn)行瞬態(tài)分析，仿真時(shí)間為4ns，bcd節(jié)點(diǎn)的輸出波形如圖所示。

7.測(cè)量上升延時(shí)和下降延時(shí)。(1)測(cè)量上升延時(shí)：可以利用計(jì)算器(calculator)delay函數(shù)來(lái)計(jì)算信號(hào)c與信號(hào)b間的上升延時(shí)和下降延時(shí)如圖所示。所以上升延時(shí)tpLH=91.933ps

(2)測(cè)量下降延時(shí)：同樣方法可以測(cè)得信號(hào)c與信號(hào)b間的下降延時(shí)如圖所示。所以下降延時(shí)為tpHL=124.8ps

8.測(cè)量上升時(shí)間?？衫糜?jì)算器中的risetime函數(shù)來(lái)計(jì)算信號(hào)c的上升時(shí)間，如圖所示。所以，信號(hào)c的上升時(shí)間156.2689ps

實(shí)驗(yàn)二：反相器優(yōu)化及反相器鏈分析

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、學(xué)習(xí)及掌握cadence圖形輸入及仿真方法；

2、掌握生成symbol的兩種方法；

3、利用基本反相器設(shè)計(jì)反相器環(huán)，并分析其延時(shí)；

4、掌握使用計(jì)算器(Calculator)以及直接測(cè)量上升、下降延時(shí)的方法。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

本實(shí)驗(yàn)主要利用cadence軟件來(lái)設(shè)計(jì)一由反相器環(huán)(奇數(shù)個(gè))構(gòu)成的環(huán)形振蕩器，并利用計(jì)算器(Calculator)來(lái)分析環(huán)形振蕩器的延時(shí)。

三、實(shí)驗(yàn)步驟

1、繪制反相器鏈

繪制的反相器鏈如圖所示，各反相器的MOS管尺寸如下：柵長(zhǎng)length設(shè)置為變量len，而寬度設(shè)置為：

invX1：a*Wid for PMOS,Wid for NMOS invX4：a*b*Wid for PMOS,b*Wid for NMOS invX16：a*b*bWid for PMOS,b*b*Wid for NMOS invX64：a*c*Wid for PMOS,c*Wid for NMOS

2、瞬態(tài)分析

進(jìn)入Analog Environment中，進(jìn)行瞬態(tài)分析之前必須得設(shè)置好參量。其中，a=2,b=4,c=64,Len=600n,Wid=1.5u。也就是說(shuō)，反相器是二比一的反相器，并且每一級(jí)按放大倍數(shù)為4的比例放大，所有MOS管的柵長(zhǎng)為600n，而最小MOS管的寬為2*1.5u。所以，原理圖中所有MOS管的尺寸都已經(jīng)確定下來(lái)。

進(jìn)行瞬態(tài)分析，仿真時(shí)間為8ns，輸出波形如圖所示：

3、測(cè)量IN3與IN2間的延時(shí)

(1)測(cè)量上升延時(shí)：可以利用計(jì)算器(calculator)delay函數(shù)來(lái)計(jì)算信號(hào)IN3與信號(hào)IN2間的上升延時(shí)和下降延時(shí)。

同理，測(cè)量出IN3與IN2間下降延時(shí)如圖所示。

4、測(cè)量IN2與OUT間的延時(shí)。

5、確定最優(yōu)的PMOS/NMOS寬度之比a。使用變量仿真，通過(guò)改變PMOS/NMOS寬度之比a的值，來(lái)確定最快的情況。a由1->3變化，步進(jìn)為0.2，輸出IN2與OUT的波形如圖所示：

由上圖可以看出，當(dāng)a由1->3變化時(shí)，IN2與OUT間的延時(shí)相當(dāng)接近，所以我們可以認(rèn)為靜態(tài)CMOS屬于無(wú)比邏輯。我們放大HL部分如圖所示。我們可以發(fā)現(xiàn)最快的情況是當(dāng)a=1時(shí)，此時(shí)PMOS與NMOS尺寸相同。

另外，我們可以放大LH部分如圖所示。由圖可知，選擇a=1.5，更接近最優(yōu)的上升延時(shí)。

6、確定最優(yōu)的放大倍數(shù)b 同樣，在這里我們使用變量仿真，通過(guò)b的值，來(lái)確定最快的情況。b由3->8變化，步進(jìn)為1，輸出IN2與OUT的波形如圖所示，IN2與OUT間的延時(shí)也相當(dāng)接近。

(1)放大LH部分如圖所示。由圖可以看出當(dāng)b=4時(shí)，最小的上升延時(shí)為670ps

同樣，可以利用計(jì)算器中的delay函數(shù)來(lái)確定變量b與延時(shí)的關(guān)系，輸出圖形如圖所示。由圖可以看出，當(dāng)b=4.0時(shí)，最小的上升延時(shí)為645ps。

(2)放大HL部分如圖所示。由圖可以看出當(dāng)b=4時(shí)，最小的下降延時(shí)為510ps

同樣，可以利用計(jì)算器中的delay函數(shù)來(lái)確定變量b與延時(shí)的關(guān)系，輸出圖形如圖所示。由圖可以看出，當(dāng)b=3.98時(shí)，最小的下降延時(shí)為645ps。

所以，由上分析可知，b=4時(shí)延時(shí)最小。

實(shí)驗(yàn)三：版圖的繪制

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、學(xué)習(xí)及掌握cadence圖形輸入及仿真方法；

2、利用反相器設(shè)計(jì)反相器鏈，并對(duì)其進(jìn)行尺寸的優(yōu)化；

3、學(xué)會(huì)反相器優(yōu)化的基本方法；

4、進(jìn)一步掌握上升延時(shí)、下降延時(shí)的測(cè)量方法。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

主要內(nèi)容是為反相器設(shè)計(jì)版圖。

三、實(shí)驗(yàn)步驟

1、反相器版圖繪制

(1)繪制n有源區(qū)，如圖所示。其尺寸為5?×13?，即NMOS的寬為1.5um。

(2)繪制NMOS柵極，如圖所示，NMOS管的長(zhǎng)為600nm。(2)在有源區(qū)中放置兩個(gè)接觸，如圖所示，其尺寸為2?×2?。該接觸的主要作用是為了使柵極與金屬一層接觸良好。

(2)在n有源區(qū)旁邊繪制一個(gè)襯底接觸，并添加p選擇框和n選擇框，如圖所示。該襯底接觸的主要作用是保證GND與柵極良好接觸。這樣，NMOS管就基本繪制完成。

(3)用同樣的方法繪制PMOS管，如圖所示。其中PMOS管的寬為3um，長(zhǎng)為600nm。PMOS旁邊也為襯底接觸，該襯底接觸的主要作用是保證VDD與柵極良好接觸。

(4)繪制N阱，由于NMOS建立在P型襯底上，為了在同一塊晶片上建立PMOS管，則必須對(duì)其摻雜，建立一N型區(qū)，然后再在該N型區(qū)中建立PMOS管。如圖所示。

(7)在有源區(qū)上繪制金屬，并繪制連線。其中為了在金屬一層中添加輸入引腳，所以在由金屬一層到柵極之間要加一“過(guò)孔”。最后再繪制GND以及VDD就完成了反相器的版圖繪制。完成后的反相器版圖如圖所示。

實(shí)驗(yàn)四：版圖后仿真

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、掌握版圖提取(layout extraction)的方法；

2、掌握版圖與線路圖対查比較方法(LVS)；

3、掌握后模擬仿真(post layout simulation)的基本方法；

4、掌握版圖仿真的方法，以及與原理圖仿真的比較方法。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

提取出反相器的版圖，并用LVS工具驗(yàn)證版圖與原理圖是否一致，最后提取出版圖中的寄生參數(shù)進(jìn)行仿真，并與原理圖仿真進(jìn)行比較。

三、實(shí)驗(yàn)步驟

1、為了進(jìn)行版圖提取，還要給版圖文件標(biāo)上端口即添加輸入(IN)輸出(OUT)引腳以及電源(vdd!、gnd!)引腳，這是LVS的一個(gè)比較的開始點(diǎn)。版圖上pin腳的目的是為了讓版圖提取工具可以識(shí)別I/O信號(hào)的位置，在完成后的版圖上加pin腳，為后續(xù)的器件提取做好準(zhǔn)備。填上端口的名稱（Terminal Names 和Schematic中的名字一樣）、模式（Mode，一般選rectangle）、輸入輸出類型（I/O Type）等。至于Create Label屬于可選擇項(xiàng)，選上后，端口的名稱可以在版圖中顯示。如圖所示。

2、版圖提取

在版圖編輯環(huán)境下選擇Verify –extractor，然后在彈出的對(duì)話框中選擇寄生電容提取Extract_parasitic_caps。填好提取文件庫(kù)和文件名后，單擊OK就可以了。然后打開Library Manager，在庫(kù)myLib下nmos單元中增加了一個(gè)文件類型叫extracted的文件，可以用打開版圖文件同樣的方式打開它。如圖就是提取出來(lái)的版圖，可以看到提取出來(lái)的器件和端口，要看連接關(guān)系的話，可以選擇erify-probe菜單，在彈出窗口中選擇查看連接關(guān)系。如下圖所示，可以很清楚的看到提取版圖中的寄生電容。

3、版圖與線路圖對(duì)查比較(LVS,Layout Versus Schematic)從圖中可以看出，原理圖與版圖中的網(wǎng)表完全匹配(The net-lists match.)，說(shuō)明原理圖網(wǎng)表與版圖網(wǎng)表是完全一致的。同時(shí)，還可以看出版圖中有4個(gè)節(jié)點(diǎn)，4個(gè)端口，1個(gè)PMOS和1個(gè)NMOS；相似的，原理圖中也有4個(gè)節(jié)點(diǎn)，4個(gè)端口，1個(gè)PMOS和1個(gè)NMOS。

也可以點(diǎn)擊Netlist來(lái)查看原理圖和版圖的網(wǎng)表。如圖所示，左圖為由原理圖產(chǎn)生的網(wǎng)表，右圖為由版圖產(chǎn)生的網(wǎng)表。

4、后模擬(Post Layout Simulation)在后模擬之前首先應(yīng)建立analog_extracted view，在LVS窗口中點(diǎn)擊Build Analog即可。然后創(chuàng)建一個(gè)名為testbench的原理圖來(lái)進(jìn)行后模擬。testbench的原理圖如圖所示。

進(jìn)行analog_extracted view(帶有寄生參數(shù)的仿真)，仿真輸出結(jié)果如圖所示。

5、同時(shí)仿真Schematic View和Extracted View(1)配置config view

(2)同時(shí)進(jìn)行版圖仿真和原理圖仿真，在Analog Environment環(huán)境中，Setup->Design選擇所要模擬的線路圖testbench，view name選擇config，然后按以前的方法進(jìn)行仿真，仿真輸入輸出結(jié)果如圖所示。

實(shí)驗(yàn)五：期中測(cè)試

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、復(fù)習(xí)根據(jù)版圖繪制原理圖，并驗(yàn)證版圖與原理圖是否一致的方法；

2、復(fù)習(xí)為原理圖創(chuàng)建symbol，使用國(guó)際通用符號(hào)的方法；

3、復(fù)習(xí)測(cè)試電壓傳輸特性曲線，并確定其關(guān)鍵電壓的方法；

4、復(fù)習(xí)測(cè)量信號(hào)的上升延時(shí)和下降延時(shí)的方法；

5、復(fù)習(xí)版圖仿真的方法；

6、復(fù)習(xí)改變電路尺寸，確定上升延時(shí)、閾值電壓的變化關(guān)系的方法。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

根據(jù)版圖繪制原理圖

驗(yàn)證原理圖與版圖一致

提取版圖之后，就進(jìn)行LVS驗(yàn)證

創(chuàng)建symbol view

Testcell_sim原理圖的創(chuàng)建

進(jìn)行仿真分析

版圖仿真

版圖仿真和原理圖仿真的結(jié)果有較大的差距。

LH放大部分

實(shí)驗(yàn)要求，對(duì)于圖二所示電路原理圖，原來(lái)nmos的寬為W=6um，則pmos的寬為a*W=a*6um，即a設(shè)為變量可改變MOS管寬度比

1)當(dāng)a在1~4之間變化時(shí)，用DC掃描分析電路的閾值電壓變化情況

當(dāng)a=2時(shí)，閾值電壓等于2.5V。所以，此時(shí)利用瞬態(tài)仿真，得到輸入輸出波形

計(jì)算器計(jì)算出此時(shí)上升延時(shí)和下降延時(shí) 輸出OUT的上升延時(shí)

輸出OUT的下降延時(shí)

2)當(dāng)a在1~4之間變化時(shí)，用瞬態(tài)掃描(tran)分析電路的上升延時(shí)變化情況，輸出結(jié)果如圖

a在1￣4變化時(shí)，a與上升延時(shí)的關(guān)系曲線

當(dāng)a在1~4變化時(shí)，輸出信號(hào)的上升延時(shí)隨著a的增大而逐漸減小。當(dāng)a=2時(shí)，輸出信號(hào)的上升延時(shí)26.8ps ?，與上面得到的值完全相同

實(shí)驗(yàn)六：CMOS反相器設(shè)計(jì)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、進(jìn)一步學(xué)習(xí)及掌握cadence圖形輸入及仿真方法；

2、掌握反相器的設(shè)計(jì)方法，使之達(dá)到設(shè)計(jì)要求；

3、進(jìn)一步學(xué)會(huì)版圖制造工藝以及版圖設(shè)計(jì)的基本規(guī)則及方法；

4、進(jìn)一步掌握版圖提取(layout extraction)的方法以及版圖與線路圖対查比較方法(LVS)；

5、進(jìn)一步掌握后模擬仿真(post layout simulation)的基本方法；

6、掌握版利用Spectre進(jìn)行瞬態(tài)仿真(tran)以及直流仿真(DC)的方法。

二、設(shè)計(jì)目標(biāo)

本實(shí)驗(yàn)主要是要設(shè)計(jì)一反相器，使得該反相器滿足以下幾個(gè)條件：

1、該反相器能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)32倍最小尺寸CMOS反相器(Wn=1.5um,Wp=3um)和一個(gè)等效的100fF線電容；

2、該反相器的傳輸延時(shí)(propagation delay)必須小于300ps；

3、假設(shè)輸入信號(hào)有50ps的上升和下降時(shí)間；

4、該反相器必須用AMI 0.6um工藝中的最小柵長(zhǎng)設(shè)計(jì)。

三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1、反相器尺寸設(shè)計(jì)

(1)反相器尺寸設(shè)計(jì)原理圖

(2)確定尺寸

對(duì)上面的反相器原理圖進(jìn)行封裝之后，建立如圖所示的inv_des原理圖，原理圖主要是用來(lái)確定反相器的尺寸，使之滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)。圖中要設(shè)計(jì)的反相器輸出接了一個(gè)32倍最小尺寸CMOS反相器和一個(gè)100fF的電容。32倍最小尺寸CMOS反相器的原理圖如圖所示。

進(jìn)入Analog Environment，設(shè)置好參數(shù)，進(jìn)行瞬態(tài)分析，param的變化范圍是從1->10，得到輸出信號(hào)的波形如圖所示。在利用計(jì)算器中的delay函數(shù)測(cè)得輸出信號(hào)的上升延時(shí)、下降延時(shí)與變量param的關(guān)系曲線如圖所示。

由圖上升延時(shí)與變量param的關(guān)系曲線可以看出，隨著變量param的不斷增大，上升延時(shí)不斷減小，當(dāng)param=5.2時(shí)，上升延時(shí)恰好等于300ps；由圖下降延時(shí)與變量param的關(guān)系曲線可以看出，隨著變量param的不斷增大，上升延時(shí)也不斷減小，當(dāng)param=5時(shí)，下降延時(shí)恰好等于300ps。

綜合以上兩種情況可知，為了滿足條件2：該反相器的傳輸延時(shí)(propagation delay)必須小于300ps，所以可取變量param=6。

變量param=6，繪制出設(shè)計(jì)好的原理圖如圖所示：

2、延時(shí)及功耗分析

在前面圖所示原理圖中，令變量param=6保持不變，然后進(jìn)行瞬態(tài)分析，其輸入輸出波形如圖所示。由圖可知，輸出波形基本不失真，所以此反相器能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)32倍最小尺寸CMOS反相器(Wn=1.5um,Wp=3um)和一個(gè)等效的100fF線電容。

(1)延時(shí)分析

利用計(jì)算器calculator中的delay函數(shù)分析波形的上升延時(shí)和下降延時(shí)如圖九、十所示。由圖可以看出：上升延時(shí)為234.20ps，下降延時(shí)為253.63ps。

(2)功耗分析

為了測(cè)量功耗，所以首先應(yīng)測(cè)出電源電壓和輸出電流，再利用計(jì)算器中的spectrerPower函數(shù)來(lái)計(jì)算功耗。

3.電壓傳輸特性曲線及關(guān)鍵電壓

進(jìn)入Analog Environment，設(shè)置好參數(shù)，為測(cè)試電壓傳輸特性曲線，所以對(duì)V1進(jìn)行DC掃描，掃描范圍為0->5V。輸出的電壓傳輸特性曲線如圖所示。

由上圖可以看出：輸出高電平VOH =5V、輸出低電平VOL =0V、輸入高電平、輸入低電平、閾值電壓分別為VIH =3.01V?，VIL=2.02V?，VTH=2.48V。所以，噪聲容限為NML?VIL?VOL?2.02?0?2.02VNMH?VOH?VIH?5?3.01?1.99V.4、版圖繪制

根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求繪制該反相器的版圖如圖十六所示。該反相器版圖使用AMI 0.6um工藝，柵長(zhǎng)為600nm，NMOS管的寬為9um，而PMOS管的寬本應(yīng)該為18um,但是由于PMOS管的尺寸過(guò)大，在這里采用兩個(gè)寬為9um的PMOS管并聯(lián)的方式來(lái)等效寬為18um的PMOS管。

版圖仿真

首先為反相器創(chuàng)建一個(gè)config view。然后，在Analog Environment環(huán)境中，Setup->Design選擇所要模擬的線路圖inv_design_postSim，view name選擇config，然后按以前的方法進(jìn)行仿真，仿真輸入輸出結(jié)果如圖

對(duì)版圖仿真的輸出波形進(jìn)行局部放大，由放大的圖形可以看出，在此種情況下原理圖仿真的延時(shí)比版圖仿真的延時(shí)略小。

實(shí)驗(yàn)七：CMOS全加器設(shè)計(jì)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、進(jìn)一步學(xué)習(xí)及掌握cadence圖形輸入及仿真方法；

2、掌握全加器的設(shè)計(jì)方法，并用全加器構(gòu)成4位累加器；

3、進(jìn)一步學(xué)會(huì)版圖制造工藝以及版圖設(shè)計(jì)的基本規(guī)則及方法；

4、進(jìn)一步掌握版圖提取(layout extraction)的方法以及版圖與線路圖対查比較方法(LVS)；

5、進(jìn)一步掌握后模擬仿真(post layout simulation)的基本方法；

6、掌握版利用Spectre進(jìn)行瞬態(tài)仿真(tran)以及直流仿真(DC)的方法。

二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1、全加器晶體管級(jí)原理圖

根據(jù)實(shí)驗(yàn)原理繪制的全加器晶體管級(jí)原理圖如圖所示。注意：Cin為關(guān)鍵信號(hào)(最后穩(wěn)定信號(hào))，故靠近輸出端，可以減小延時(shí)。

2、全加器延時(shí)及功耗分析

對(duì)上面的全加器原理圖進(jìn)行封裝之后，建立如圖所示的Full_Adder_test原理圖，原理圖主要用來(lái)分析全加器的延時(shí)以及功耗等。

(1)最壞的上升延時(shí)分析

下面利用瞬態(tài)分析，測(cè)量Cin=1，A=1，B由0->1變化時(shí)的延時(shí)情況。如下圖所示，是該情況下的輸入輸出波形。

用計(jì)算器中的delay函數(shù)測(cè)得此時(shí)的最壞下降延時(shí)(對(duì)于Sum來(lái)說(shuō)，此時(shí)相當(dāng)于最壞的上升延時(shí))如圖所示。由圖可知，最壞的上升延時(shí)tpLH=484.753ps。

如圖所示，是利用計(jì)算器中的spectrerPower函數(shù)計(jì)算出的功耗波形。由圖可以看出，在靜態(tài)時(shí)，電路消耗的功耗很微小(幾乎為0)；然而在動(dòng)態(tài)時(shí)，相對(duì)靜態(tài)而言，消耗的功耗就比較大。然而，從整體上來(lái)說(shuō)功耗還是很小的。

(2)最壞的下降延時(shí)分析

下面利用瞬態(tài)分析，測(cè)量Cin=0，A=0，B由1->0變化時(shí)的延時(shí)情況。如下圖所示，是該情況下的輸入輸出波形。

用計(jì)算器中的delay函數(shù)測(cè)得此時(shí)的最壞上升延時(shí)(對(duì)于Sum來(lái)說(shuō)，此時(shí)相當(dāng)于最壞的下降延時(shí))如圖所示。由圖可知，最壞的下降延時(shí)為520.94ps。

第五篇：工藝紀(jì)律是提高產(chǎn)品質(zhì)量的重要支撐

工藝紀(jì)律是提高產(chǎn)品質(zhì)量的重要支撐

工藝文件是保證產(chǎn)品質(zhì)量的基礎(chǔ)，它規(guī)定了經(jīng)濟(jì)合理地達(dá)到產(chǎn)品質(zhì)量要求的方法、手段和測(cè)試工具。工藝是經(jīng)驗(yàn)的積累，是科學(xué)的總結(jié)，一種工藝需要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的工藝試驗(yàn)或工藝評(píng)定，甚至需要經(jīng)過(guò)很多投訴，經(jīng)濟(jì)損失累積才能獲得，最后形成書面文件，成為實(shí)用的工藝。但僅靠工藝文件仍難以保證產(chǎn)品質(zhì)量，不管多么先進(jìn)的工藝文件，也要靠嚴(yán)肅的工藝紀(jì)律來(lái)保證，沒(méi)有良好的工藝紀(jì)律，再好的工藝手段也體現(xiàn)不了好的工藝效果。違反工藝紀(jì)律就會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量，甚至造成質(zhì)量事故，嚴(yán)格工藝紀(jì)律是加強(qiáng)工藝管理的重要內(nèi)容，是確保產(chǎn)品質(zhì)量、安全生產(chǎn)、提高效益的保證。

怎么樣才能使工藝紀(jì)律在生產(chǎn)過(guò)程和管理控制中發(fā)揮應(yīng)有的作用呢?我們工藝部重新編制了工藝記錄檢查流程，要做到經(jīng)常的檢查監(jiān)督其執(zhí)行情況，了解每個(gè)工序執(zhí)行工藝的情況。我們的工藝檢查并不是到車間里挑毛病，而是要幫助操作人員認(rèn)真執(zhí)行工藝中所規(guī)定的要求和有關(guān)技術(shù)參數(shù)，防止不符合質(zhì)量要求的產(chǎn)品或半成品出現(xiàn)。工藝檢查首先因明確無(wú)論違反行為的情節(jié)輕重，項(xiàng)目多少，都應(yīng)該反饋至相關(guān)責(zé)任人進(jìn)行分析處理，關(guān)于這一點(diǎn)我們應(yīng)借鑒交警的工作原則，他們?cè)谔幚斫煌ㄟ`章時(shí)，即使違章人沒(méi)有造成交通事故也要照章處罰，只有這樣才能確保工藝紀(jì)律的嚴(yán)肅性和權(quán)威性，才能確保產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定和提高。

工藝紀(jì)律檢查中信息反饋至責(zé)任部門，進(jìn)行了認(rèn)真分析原因，并明確責(zé)任，同時(shí)以教育和適當(dāng)?shù)慕?jīng)濟(jì)考核為主。工藝紀(jì)律檢查如能發(fā)揮應(yīng)有的作用，可以不斷的幫助監(jiān)督操作人員提高對(duì)工藝的理解能力和遵守工藝紀(jì)律的自覺性，同時(shí)也能幫助我們及時(shí)了解目前的工藝執(zhí)行情況，對(duì)目前我們的工藝執(zhí)行率8月份計(jì)算出來(lái)是84.2%，九月份上半月執(zhí)行率92.8%，工藝執(zhí)行率提高明顯，但離工藝100%執(zhí)行我們還有很長(zhǎng)的路要走。

通過(guò)對(duì)工藝紀(jì)律檢查和評(píng)判，不僅可以提高現(xiàn)場(chǎng)工藝執(zhí)行率，同時(shí)還能發(fā)現(xiàn)工藝本身的不足，這對(duì)于我們進(jìn)一步完善工藝，提高產(chǎn)品質(zhì)量都起著積極重要的作用。